JPS58158452U - 圧接形半導体装置のゲ−ト電極構造 - Google Patents

圧接形半導体装置のゲ−ト電極構造

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JPS58158452U
JPS58158452U JP5436782U JP5436782U JPS58158452U JP S58158452 U JPS58158452 U JP S58158452U JP 5436782 U JP5436782 U JP 5436782U JP 5436782 U JP5436782 U JP 5436782U JP S58158452 U JPS58158452 U JP S58158452U
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Japan
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semiconductor device
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gate electrode
electrode structure
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坂本　洋明
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日本インター株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の圧接形半導体装置のゲート電極構造の
平面図、第２図は、その縦断面図、第３図は、本考案に
係る圧接形半導体装置のゲート電極構造の縦断面図、第
４図は、カソード電極ポスト一部切欠斜視図、第５図は
、ゲートリードの引き出し部の部分拡大図である。 １１・・・・・・半導体ペレット、１２・・・・・・デ
ー１４極、１３・・・・・・カソード電極、１４・・・
・・・温度補償板、１５・・・・・・カソード電極ポス
ト、１６・・・・・・アノード電極ポスト、１７．１８
・・・・・・蓋板、１９・・・・・・絶縁外囲器、２０
・・・・・・導電リング、２１・・・・・・絶縁キャッ
プ、２２・・・・・・環状溝、２３・・・・・・スプリ
ング、２４・・・・・・有底孔、２５・・・・・・切欠
、２６・・・・・・透孔、２７・・・・・・ゲートリー
ド、２８・・・・・・はんだ付、２９・・・・・・絶縁
チューブ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ベレットの一重部に互いに分離された二つの電極
    が形成され、一方の電極から外部へリードを引き出すも
    のにおいて、前記一方の電極に環状の導電リングを圧接
    し、このリングを介して前記リードを引き出すことを特
    徴とする圧接形半導体装置のゲート電極構造。
JP5436782U 1982-04-16 1982-04-16 圧接形半導体装置のゲ−ト電極構造 Granted JPS58158452U (ja)

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JPS58158452U true JPS58158452U (ja) 1983-10-22
JPS642441Y2 JPS642441Y2 (ja) 1989-01-20

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229847A (ja) * 1986-03-29 1987-10-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO1998043301A1 (en) * 1997-03-26 1998-10-01 Hitachi, Ltd. Flat semiconductor device and power converter employing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229847A (ja) * 1986-03-29 1987-10-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO1998043301A1 (en) * 1997-03-26 1998-10-01 Hitachi, Ltd. Flat semiconductor device and power converter employing the same

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