JPS58153792A - ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 - Google Patents
６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法Info
- Publication number
- JPS58153792A JPS58153792A JP57034955A JP3495582A JPS58153792A JP S58153792 A JPS58153792 A JP S58153792A JP 57034955 A JP57034955 A JP 57034955A JP 3495582 A JP3495582 A JP 3495582A JP S58153792 A JPS58153792 A JP S58153792A
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- JP
- Japan
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- acid
- substituted
- medium
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- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２〜置換ナフタレンの電解酸化により６−置換
−１，４−ナフトキノンを好収率で製造する方法に関す
る。
−１，４−ナフトキノンを好収率で製造する方法に関す
る。
６−置換−１，４ナフトキノンは医薬中間体として重要
な化合物であり、従来ｄ、２−置換ナツタ盲−一あるい
はナフトール誘導体の試薬酸化により合成されている。
な化合物であり、従来ｄ、２−置換ナツタ盲−一あるい
はナフトール誘導体の試薬酸化により合成されている。
しかしこの方法ｄ：量論的に多財の試薬を必要とし、そ
の結果として廃液にクロムなとの有害な重金属塩が含捷
れるので、その除去に煩雑な操作を必要とするという欠
点がある。
の結果として廃液にクロムなとの有害な重金属塩が含捷
れるので、その除去に煩雑な操作を必要とするという欠
点がある。
本発明者らは、このような従来法に代る新しい６−置換
−１，４−ナフトキノンの製造法を開発するため鋭意研
究を重ねた結果、２−置換ナフタレンを特定の溶媒中で
所定の支持電解質の存在のもとに所定の電極材料を用い
て電解酸化することにより、目的の６−置換−１，４−
ナフトキノンを合成できることを見出した。本発明はこ
の知見に基ついてなされるに至ったものである。
−１，４−ナフトキノンの製造法を開発するため鋭意研
究を重ねた結果、２−置換ナフタレンを特定の溶媒中で
所定の支持電解質の存在のもとに所定の電極材料を用い
て電解酸化することにより、目的の６−置換−１，４−
ナフトキノンを合成できることを見出した。本発明はこ
の知見に基ついてなされるに至ったものである。
すなわち本発明は、２−置換ナフタレンを訝水アセトン
あるいは含水アセトニ］・リル中で、硫酸、１ ’Ｊフ
ルオロメタンスルホン酸、ｐ−１−ルエンスルホン酸あ
るいはその塩、テトラフルオロ硼酸あるいｄ、その塩、
過塩素塩あるいはその塩を支持電解質とし、炭素あるい
は二酸化鉛電極を用いて電ｗ４酸化することを特徴とす
る６−置換−１、ｌｌ −”？’；）’ ＋−キノンの
製造方法を提供するものである。
あるいは含水アセトニ］・リル中で、硫酸、１ ’Ｊフ
ルオロメタンスルホン酸、ｐ−１−ルエンスルホン酸あ
るいはその塩、テトラフルオロ硼酸あるいｄ、その塩、
過塩素塩あるいはその塩を支持電解質とし、炭素あるい
は二酸化鉛電極を用いて電ｗ４酸化することを特徴とす
る６−置換−１、ｌｌ −”？’；）’ ＋−キノンの
製造方法を提供するものである。
本発明方法は隔膜を有する電解槽に支持電解質として上
記の物質を含む含水アセトンあるいは含水アセトニトリ
ルを溶媒として装入し、陽極室に原料の２−置換ナフタ
レンを加える以外＆１常法により電ｆ）′Ｉあるいは電
流を規制し７ながら電解酸化を行うことにより実施でき
る。２−置換ナフタレンとしてＱｌ、ナフタレン の２
位ｅ（、地素、臭素などのハロゲノ、アセＩ・ギ／、ヘ
ンゾイルオギンなどのア／ルオキノの他、二ｌ・口塞、
／アノ基、カルホギ／ル基、Ｎ−１ｔ換又ｄ未置換のア
ミド基などの不活性基を櫓するものが挙げられる。支持
電解質の誤ｙｔ／Ｊ、媒体に対（７て通常０．０５〜０
．２ Ｉｎ０ｅ／ｌ！である。溶媒中の水含量は１０〜
２０谷積係が」：いがこれに限定さＪ’Ｌない。電極と
しては陽４ｍＶＣは炭素あるいは二酸化鉛電極を月１い
る。寸だ陰極にｄ炭素板あるいは白金板を用いる。
記の物質を含む含水アセトンあるいは含水アセトニトリ
ルを溶媒として装入し、陽極室に原料の２−置換ナフタ
レンを加える以外＆１常法により電ｆ）′Ｉあるいは電
流を規制し７ながら電解酸化を行うことにより実施でき
る。２−置換ナフタレンとしてＱｌ、ナフタレン の２
位ｅ（、地素、臭素などのハロゲノ、アセＩ・ギ／、ヘ
ンゾイルオギンなどのア／ルオキノの他、二ｌ・口塞、
／アノ基、カルホギ／ル基、Ｎ−１ｔ換又ｄ未置換のア
ミド基などの不活性基を櫓するものが挙げられる。支持
電解質の誤ｙｔ／Ｊ、媒体に対（７て通常０．０５〜０
．２ Ｉｎ０ｅ／ｌ！である。溶媒中の水含量は１０〜
２０谷積係が」：いがこれに限定さＪ’Ｌない。電極と
しては陽４ｍＶＣは炭素あるいは二酸化鉛電極を月１い
る。寸だ陰極にｄ炭素板あるいは白金板を用いる。
陽極質Ｑておける２−置換ナフタレンの濃度＆ｊ通常０
．０１〜０．１０ ｍｏｌ／ｌ テあり、好ましくｕ：
ｏ、ｏ２〜０．０５ Ｉｎ（Ｖ／ｅテある。
．０１〜０．１０ ｍｏｌ／ｌ テあり、好ましくｕ：
ｏ、ｏ２〜０．０５ Ｉｎ（Ｖ／ｅテある。
−１雪１化電位は参照霜、極に対して＋１２〜１，８Ｖ
の範囲がよく、例えば、２−ブロモナフタレンに対して
は−Ｈ，４Ｖ、そのほかの基質ＶＣ対しては＋１．６Ｖ
かより好−１，（〜い。醸化電位の上昇とともに基質の
転換＋Ｈ向上するが、目的とするナフトギノン誘導体の
選択率は低下する。
の範囲がよく、例えば、２−ブロモナフタレンに対して
は−Ｈ，４Ｖ、そのほかの基質ＶＣ対しては＋１．６Ｖ
かより好−１，（〜い。醸化電位の上昇とともに基質の
転換＋Ｈ向上するが、目的とするナフトギノン誘導体の
選択率は低下する。
通市；量−通常基質に対し６０〜７．２１・’ ／ Ｉ
ｌｌ Ｏｌである。
ｌｌ Ｏｌである。
本発明の電解酸化−通常１５℃で行わ１１るが、これに
限定されず適宜１０〜４０℃の範囲で行われる。
限定されず適宜１０〜４０℃の範囲で行われる。
本発明方法において電解酸化反応により生成したら一置
換−１，４−ナツトキノンは１易極液を水に注き゛、ク
ロロホルムで抽出し、クロロポルム層をいったん蒸発乾
固し、残渣をベンセン−クロロホルム等容積混合物に溶
解１〜、シリカゲルを充てん剤とするカラムクロマトグ
ラフィーで処理して分離できる。
換−１，４−ナツトキノンは１易極液を水に注き゛、ク
ロロホルムで抽出し、クロロポルム層をいったん蒸発乾
固し、残渣をベンセン−クロロホルム等容積混合物に溶
解１〜、シリカゲルを充てん剤とするカラムクロマトグ
ラフィーで処理して分離できる。
このように本発明方法によれは、比較的簡単な操作で６
＝置換−１，４−ナフＩ・キノンを好収率かつ好純度で
得ることができる。
＝置換−１，４−ナフＩ・キノンを好収率かつ好純度で
得ることができる。
次Ｖζ本発明を実施例に基づきさらに詳細ＶＣ説明−；
３− ニラー己。
３− ニラー己。
実施例
クラスフィルターの隔膜を有するカラス製１−１型電屏
槽ｅこ、各種の支持′電解′直を含む水−γ±トン浴媒
父ｄ、水−アセトニトリル溶媒１００ｍｇ１装入し、基
質濃度約０．０５ ｍｏｌ／１ｍ媒となるように２−ク
ロロナノタレンを力１１えた。次いで所定の電極制料を
陽憧、Ａ、９／Ａｇｔ （ｌ Ｎ ＫＣ４）を参照電
極と１〜で電位を規制しなから、水浴で１５℃に保ちな
がら所定針の電流を通電することにより電ｗ１．酸化を
行った。
槽ｅこ、各種の支持′電解′直を含む水−γ±トン浴媒
父ｄ、水−アセトニトリル溶媒１００ｍｇ１装入し、基
質濃度約０．０５ ｍｏｌ／１ｍ媒となるように２−ク
ロロナノタレンを力１１えた。次いで所定の電極制料を
陽憧、Ａ、９／Ａｇｔ （ｌ Ｎ ＫＣ４）を参照電
極と１〜で電位を規制しなから、水浴で１５℃に保ちな
がら所定針の電流を通電することにより電ｗ１．酸化を
行った。
反応終了後、反応混合物をクロロホルムで抽出し、クロ
ロホルム層中の反応生成物をカスクロマトグラノイ−（
充填剤ンリコンＯＶ−］７，４ｍ、１６０℃）に」：つ
て分析した。
ロホルム層中の反応生成物をカスクロマトグラノイ−（
充填剤ンリコンＯＶ−］７，４ｍ、１６０℃）に」：つ
て分析した。
４−
賜
手続補正書
７９５デ ６”２４８
特許庁長官若 杉 和 夫 殿
１、事件の表示 昭和５７年特許願第３４９５５
号２、発明の名称 ６−置換−１，４−ナフトキノン
の製造方法３、補正をする者 事件との関係特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号罠
Ｉ″、１（１１４）工業技術院長 石 坂 誠 −（
発送日 昭和 年 月□ 日）４８５−
号２、発明の名称 ６−置換−１，４−ナフトキノン
の製造方法３、補正をする者 事件との関係特許出願人 住 所 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号罠
Ｉ″、１（１１４）工業技術院長 石 坂 誠 −（
発送日 昭和 年 月□ 日）４８５−
Claims (1)
- （１）２−置換ナフタレンをアセトン−水又はアセｉ
二ｌ−！Ｊルー水媒体中において硫酸、トリフルオロメ
タンスルポン酸あるいはその塩、テトラフルオロ硼酸あ
るいはその塩、過塩素酸あるいはその１品、ｐ−トルエ
ンスルポン酸あるいｄ゛その塩を支持電解質として、炭
素あるいは二酸化鉛電極を用いて電解酸化することを特
徴とする６−置換−１，４−ナツトキノンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034955A JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034955A JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153792A true JPS58153792A (ja) | 1983-09-12 |
| JPS5852032B2 JPS5852032B2 (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=12428577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57034955A Expired JPS5852032B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | ６−置換−１．４−ナフトキノンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852032B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599868A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電池 |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP57034955A patent/JPS5852032B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599868A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 電池 |
| JPH0418676B2 (ja) * | 1982-06-30 | 1992-03-27 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5852032B2 (ja) | 1983-11-19 |
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