JPS5815279A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明線高抵抗で高純度な半導体ｔ−ｆ用した半導体放
射線検出器に関する。
射線検出器に関する。
従来の半導体放射線検出器には、リチウム・ドリフト型
と高純度型がある。リチウム・ドリフト型は、特公昭４
Ｂ−７８７２に記載されているとと（Ｇｏ・Ｓｌ・など
のＰｉＩｉ半導体に、リチウムを熱拡散させ、更に逆方
向に数百ボルトの電圧をか１温［’ｉ６０℃位に上げ、
リチウムをドリフトさせたものである。このリチウムの
移動により、アクセッターが補償された真性領域全有感
層として放射ｇｉｌｔ受は動作させるものである。
と高純度型がある。リチウム・ドリフト型は、特公昭４
Ｂ−７８７２に記載されているとと（Ｇｏ・Ｓｌ・など
のＰｉＩｉ半導体に、リチウムを熱拡散させ、更に逆方
向に数百ボルトの電圧をか１温［’ｉ６０℃位に上げ、
リチウムをドリフトさせたものである。このリチウムの
移動により、アクセッターが補償された真性領域全有感
層として放射ｇｉｌｔ受は動作させるものである。
然し、リチウムの拡散係数が大きい丸め、リチウムは結
晶内で容易に移動し、検出器特性が変化し易いため、常
時液体窒素などての冷却が必要である欠点がある。
晶内で容易に移動し、検出器特性が変化し易いため、常
時液体窒素などての冷却が必要である欠点がある。
次に、高純度型検出器は、リチウム・ドリフト型のよう
にリチウムで補償して真性領域を作るのでなく、結晶成
兼時に補償領域全作ってこｎｋ利用するものである。こ
の補償領域を作る方法としては、単結晶にゾーン・す７
アイニングをかけ、Ｐ型不純物、ＮｆｊＩ！不純物の偏
析係数の差を利用し。
にリチウムで補償して真性領域を作るのでなく、結晶成
兼時に補償領域全作ってこｎｋ利用するものである。こ
の補償領域を作る方法としては、単結晶にゾーン・す７
アイニングをかけ、Ｐ型不純物、ＮｆｊＩ！不純物の偏
析係数の差を利用し。
ドナー、アクセクターの補償し合った懺城を作る。
然し乍ら、特公昭４ｇ−１０４４０に記載されているご
とく、この方式社、筒１図に示すように補償された真性
領域５のみを有感層として利用するために、放射線に対
する有感層が短くなる欠点がある。
とく、この方式社、筒１図に示すように補償された真性
領域５のみを有感層として利用するために、放射線に対
する有感層が短くなる欠点がある。
本発明はこれらの問題点の解決、即ち放射−に対する有
感層を長くし九検出器を提供することを目的とするもの
である。
感層を長くし九検出器を提供することを目的とするもの
である。
この目的は、本発明により、従来、使用されていなかっ
た真性ｖＡ域の両端にできるｐｇ、Ｎ型が為抵抗となっ
た＼め、この領域をも含めて有感層として利用すること
が可能になう九ことにより連成された。
た真性ｖＡ域の両端にできるｐｇ、Ｎ型が為抵抗となっ
た＼め、この領域をも含めて有感層として利用すること
が可能になう九ことにより連成された。
本発明の要旨紘下記の通シである。
真性領域の両端に高抵抗Ｐｆｉ領域およびＮｌｌ領域を
有する半導体単結晶よ９１１１作される高抵抗、高純度
の半導体放射線検出器において、該ＰＷ、真性、Ｎ型の
全領域を有感層としたこと′ｔ４１黴とする半導体放射
線検出器。
有する半導体単結晶よ９１１１作される高抵抗、高純度
の半導体放射線検出器において、該ＰＷ、真性、Ｎ型の
全領域を有感層としたこと′ｔ４１黴とする半導体放射
線検出器。
１＊Ｐｌ！、ＮｆＪ領域の両１１に表面障壁ｔもえせ九
ことｔ％黴とする該半導体放射線検出器。
ことｔ％黴とする該半導体放射線検出器。
該Ｐ型、Ｎ型領域の両端表面に浅いＰＮＮ接合持持せ友
ことを特徴とする該半導体放射線検出器。
ことを特徴とする該半導体放射線検出器。
数回のゾーン・す７アイニングを行うことにょシ鹸搗抵
抗ｐｍ領域およびＮ型領域を作ることを善値とする該半
導体放射線検出器。
抗ｐｍ領域およびＮ型領域を作ることを善値とする該半
導体放射線検出器。
該半導体単結晶ｔ４５０℃近傍の不活性ガス中で熱処理
し、咳半導体率結晶中に含有する酸素をドナー化して、
アクセプターを補償した領域を作ることによシ、該高抵
抗ｐｆＪおよびＮ型領域を作ること′を特徴とする半導
体放射線検出器。
し、咳半導体率結晶中に含有する酸素をドナー化して、
アクセプターを補償した領域を作ることによシ、該高抵
抗ｐｆＪおよびＮ型領域を作ること′を特徴とする半導
体放射線検出器。
紋半導体単結晶成長時の雰囲気ガスの不活性ガス中にＬ
Ｏ嘩以下の一定量の＃ｌ嵩ｔａ酋して成長させることに
より、所望のａ嵩量を骸半導体単結晶中に含有させるこ
とを特徴とする該半導体放射線検出器。
Ｏ嘩以下の一定量の＃ｌ嵩ｔａ酋して成長させることに
より、所望のａ嵩量を骸半導体単結晶中に含有させるこ
とを特徴とする該半導体放射線検出器。
次に本発＃４を図面および実施例管用いて詳述する。
高抵抗Ｐ型、Ｎｍの内領域が両端にある補償−された真
性領域をもった単結晶の該ＰＩＩ！、真性、ＮＩＩｋの
全領域を有感層とするために鉱、高抵抗Ｐ型、Ｎ型それ
ぞれの領域を空乏層にする必要がある〇その手段として
の第１の方法は、その電域の導電型により、表面障壁が
できる金属、例えば、Ｐ型に対しては、ム１．Ｍｆ 等
の金属、Ｎｄに対してにＰａ、 Ａｕ・Ｏｒ、 Ｎｉ等
の金属を端面に＃着等の方法で付着させ表面障壁を作る
。そして、これらの両端に作られた表面障壁型ダイオー
ドに対して、Ｐ型、ＮＷ領領域厚さに応じた逆方向の電
圧ｔかける。ｊ２１Ｊち、Ｐ型領域側に（ｆ）゛、Ｎ型
領域側に（−）を接続することによシ、ｇｔＰ型、Ｎ型
領域ともに全体が空乏層となり゛、本方法で作られた半
導体放射縁検出゛器の有感層として働く。
性領域をもった単結晶の該ＰＩＩ！、真性、ＮＩＩｋの
全領域を有感層とするために鉱、高抵抗Ｐ型、Ｎ型それ
ぞれの領域を空乏層にする必要がある〇その手段として
の第１の方法は、その電域の導電型により、表面障壁が
できる金属、例えば、Ｐ型に対しては、ム１．Ｍｆ 等
の金属、Ｎｄに対してにＰａ、 Ａｕ・Ｏｒ、 Ｎｉ等
の金属を端面に＃着等の方法で付着させ表面障壁を作る
。そして、これらの両端に作られた表面障壁型ダイオー
ドに対して、Ｐ型、ＮＷ領領域厚さに応じた逆方向の電
圧ｔかける。ｊ２１Ｊち、Ｐ型領域側に（ｆ）゛、Ｎ型
領域側に（−）を接続することによシ、ｇｔＰ型、Ｎ型
領域ともに全体が空乏層となり゛、本方法で作られた半
導体放射縁検出゛器の有感層として働く。
第２の方法は、該高抵抗Ｐ型、Ｎ型領域の反対導電型を
形成する不純物をイオン・イーンプランテーション、又
線熱拡散などの方法で表面より氏い位置Ｋｉｔ−合部ｔ
も゛たせ、それら内端に作られた接合型ダイオ′−ドに
、それぞれ逆方向に電圧がか＼るようＫ、該高抵抗Ｐ型
領域側Ｋ（＋）、該Ｎ型領域側に（−）を接続し、骸Ｐ
型、Ｎ溢ｇＡ城の厚さに応じた電圧をかけると、該Ｐ型
、Ｎｕ領領域も全体が９芝屑となシ、ｍ記と同様に有感
層として鋤く。
形成する不純物をイオン・イーンプランテーション、又
線熱拡散などの方法で表面より氏い位置Ｋｉｔ−合部ｔ
も゛たせ、それら内端に作られた接合型ダイオ′−ドに
、それぞれ逆方向に電圧がか＼るようＫ、該高抵抗Ｐ型
領域側Ｋ（＋）、該Ｎ型領域側に（−）を接続し、骸Ｐ
型、Ｎ溢ｇＡ城の厚さに応じた電圧をかけると、該Ｐ型
、Ｎｕ領領域も全体が９芝屑となシ、ｍ記と同様に有感
層として鋤く。
鍍空芝屑の厚さと抵抗、印加電圧の関係は次の式で表さ
れる。
れる。
ｙ＝ｘ、Ｌ戸 ・・・・曲用・ （幻こ＼でＷは
空乏層の厚さ、ＸはＰ型、ＮＭにより異なる係数、ｆは
半導体結晶の抵抗率０個、Ｖはその半導体にか＼る逆方
向電圧を示す。
空乏層の厚さ、ＸはＰ型、ＮＭにより異なる係数、ｆは
半導体結晶の抵抗率０個、Ｖはその半導体にか＼る逆方
向電圧を示す。
向、該有感層となる半導体単結晶は次の手段を用いて作
ることができる。
ることができる。
例えは、シリコンに対しては抵抗率２０にΩ信以上のＮ
、ｍ半結晶ｋｉｉｌ！りてゾーン・す７アイニング倉行
なえばシリコン中のＰｍ不純物内えばボロンの偏析係数
０．８、Ｎｆｉ不純物例えばリンの偏析係数０．８５の
差を利用すると高抵抗のＰＡＮ型領域が両側にでき、補
償された真性領域會中夫にもつ所望の単結晶を作ること
ができる。
、ｍ半結晶ｋｉｉｌ！りてゾーン・す７アイニング倉行
なえばシリコン中のＰｍ不純物内えばボロンの偏析係数
０．８、Ｎｆｉ不純物例えばリンの偏析係数０．８５の
差を利用すると高抵抗のＰＡＮ型領域が両側にでき、補
償された真性領域會中夫にもつ所望の単結晶を作ること
ができる。
父、次の方法でも作ることができる。即ちシリコン単結
晶中に存在するＩＩｌ素が４６０℃近傍の熱処理でドナ
ー化する性質を利用して、皺準結晶ｔ４ｆ）ＱＣ近傍の
不活性ガス中で熱処理し、該単結晶中の酸素をドナー化
して、アクセンター會補償し７た領域全作り、その両端
にできたＰ型、Ｎ型の高抵抗領域を利用する方法である
。μノ、−単結晶中の＃木酸ｆを一定ｔＫ制御するには
、鮎晶成艮時の雰囲気ガスの不活性ガス中に約Ｌ（Ｊ％
以ドの一定量の酸素ｔ−混合して成長させればよい。
晶中に存在するＩＩｌ素が４６０℃近傍の熱処理でドナ
ー化する性質を利用して、皺準結晶ｔ４ｆ）ＱＣ近傍の
不活性ガス中で熱処理し、該単結晶中の酸素をドナー化
して、アクセンター會補償し７た領域全作り、その両端
にできたＰ型、Ｎ型の高抵抗領域を利用する方法である
。μノ、−単結晶中の＃木酸ｆを一定ｔＫ制御するには
、鮎晶成艮時の雰囲気ガスの不活性ガス中に約Ｌ（Ｊ％
以ドの一定量の酸素ｔ−混合して成長させればよい。
次に各ｊｉＩ篇例を述べる。
実施例（幻
該半導体準結晶τ使用して１表Ｕｋｉｖ＃ｉ穢ｔもたせ
た放射婦検出器を作る１実施例ｔＭ２図を用いて説明す
る。該単結晶を作成した後、その１１４８面抵抗Ｉ！を
測足し抵抗プロファイルに得る。まず、補償により作ら
れた真性領域９０位ｍｔ定め、Ｍ ４ ＆Ｃできた高抵
抗のＰ型領域８、Ｎｕ饋城１υの部分の長さ倉、設計さ
れた逆方同電圧値ｅこ応じて、前記式（１）により空乏
層の厚さｔ求め、そのＰｌｉ、Ｎ型領域の個７′ｆｒｔ
−切断する。切断さ扛たそれぞれの面を研摩し、エツチ
ングして一面とし、ｖｃ浄、乾燥する。Ｐ型領域８の鏡
面の端面にＡ／金属躊験１１ｉ約６００＾、ｆ１１１面
Ｎ型領Ｈｒｕｏ鏡ｍ錫面Ｋ Ａ ｕ Ｏ金属薄ｍ１２ｆ
：約ｂｏｏＸｉｓｙｔｉｔ、ｃ、そ（ＤＭ１１ｊ５ｔｍ
６．７′に各金Ｍ薄ｊ［１１，１２に接続する。
た放射婦検出器を作る１実施例ｔＭ２図を用いて説明す
る。該単結晶を作成した後、その１１４８面抵抗Ｉ！を
測足し抵抗プロファイルに得る。まず、補償により作ら
れた真性領域９０位ｍｔ定め、Ｍ ４ ＆Ｃできた高抵
抗のＰ型領域８、Ｎｕ饋城１υの部分の長さ倉、設計さ
れた逆方同電圧値ｅこ応じて、前記式（１）により空乏
層の厚さｔ求め、そのＰｌｉ、Ｎ型領域の個７′ｆｒｔ
−切断する。切断さ扛たそれぞれの面を研摩し、エツチ
ングして一面とし、ｖｃ浄、乾燥する。Ｐ型領域８の鏡
面の端面にＡ／金属躊験１１ｉ約６００＾、ｆ１１１面
Ｎ型領Ｈｒｕｏ鏡ｍ錫面Ｋ Ａ ｕ Ｏ金属薄ｍ１２ｆ
：約ｂｏｏＸｉｓｙｔｉｔ、ｃ、そ（ＤＭ１１ｊ５ｔｍ
６．７′に各金Ｍ薄ｊ［１１，１２に接続する。
実施例（２）
次に、Ｐｆ！！！、 Ｎ型領域の両端表面に浅いＰＮ接
合【持たせた半導体放射縁検出器を作る方法のｌ実施例
をｍａ図を用いて説明する。鉄単結晶を作成した恢その
側面抵抗を測定し、抵抗プロファイルｔ−祷る。まず、
補償により作られた真性領域１９の位置を定め１両端に
できた高抵抗のＰ蓋愉域１８、Ｎｆｉ領域２０の部分の
長さｔ設計された逆方同電圧値に応じて前記式（１３Ｋ
より空乏層の厚さを求め、そのＰＷｉ、ＮｆＪｉ内領域
の個所を切断するそれぞれの切断面を研摩し、エツチン
グして鏡面にし、洗浄、乾燥する。ＰＪ領域１８の一面
端面よりＮ［不純物として例えばリン、Ｎ型領域２０の
鏡面端面よりｐｍ不純物として、例えばボロンを、例え
ばｍ布熱波歓、又はイオン・インプランテーションによ
り、表面から約０．８声の位置に接合部を持たせるごと
く、Ｎ型拡散層ｌ？、Ｐ型拡散Ｍ２１’ｉ作る。拡散層
１７、および２１の一６表面の一部分にムｕ、Ａ ／な
どの金属電極１５．１６を例えば蒸着法で形成し、その
各々より１を極１８１４を接続する。
合【持たせた半導体放射縁検出器を作る方法のｌ実施例
をｍａ図を用いて説明する。鉄単結晶を作成した恢その
側面抵抗を測定し、抵抗プロファイルｔ−祷る。まず、
補償により作られた真性領域１９の位置を定め１両端に
できた高抵抗のＰ蓋愉域１８、Ｎｆｉ領域２０の部分の
長さｔ設計された逆方同電圧値に応じて前記式（１３Ｋ
より空乏層の厚さを求め、そのＰＷｉ、ＮｆＪｉ内領域
の個所を切断するそれぞれの切断面を研摩し、エツチン
グして鏡面にし、洗浄、乾燥する。ＰＪ領域１８の一面
端面よりＮ［不純物として例えばリン、Ｎ型領域２０の
鏡面端面よりｐｍ不純物として、例えばボロンを、例え
ばｍ布熱波歓、又はイオン・インプランテーションによ
り、表面から約０．８声の位置に接合部を持たせるごと
く、Ｎ型拡散層ｌ？、Ｐ型拡散Ｍ２１’ｉ作る。拡散層
１７、および２１の一６表面の一部分にムｕ、Ａ ／な
どの金属電極１５．１６を例えば蒸着法で形成し、その
各々より１を極１８１４を接続する。
実施例（８）
ゾーン・リファイニングにより該、ｌ１ｌｉ抵抗Ｐ型憤
域およびＮ型領域を作る方法のｌ実地例金第４図を用い
て説明する。例えば、シリコンのＮ型で抵抗率２０ＫＯ
−の単結晶を真空屓４ｘｌ（Ｊ” トールでゾーン・リ
ファイニングｔ−８回実施することにより第４図ｅこ示
すような砥抗櫨のグロファ、イルが祷られた。＃ｉ４ａ
！にお妙るＰル慣城の抵抗値は約８０ＫＯｃＭてあり、
Ｎ型領域ｔユ約２５にΩ備であるから、該Ｐ型、Ｎ型領
域共に該有感層として充分利用することができる。
域およびＮ型領域を作る方法のｌ実地例金第４図を用い
て説明する。例えば、シリコンのＮ型で抵抗率２０ＫＯ
−の単結晶を真空屓４ｘｌ（Ｊ” トールでゾーン・リ
ファイニングｔ−８回実施することにより第４図ｅこ示
すような砥抗櫨のグロファ、イルが祷られた。＃ｉ４ａ
！にお妙るＰル慣城の抵抗値は約８０ＫＯｃＭてあり、
Ｎ型領域ｔユ約２５にΩ備であるから、該Ｐ型、Ｎ型領
域共に該有感層として充分利用することができる。
実施例（４）
該半導体羊結晶中に所望の酸素−をよ南させる方法のｌ
実施例として、単結晶成＊時に不活性カスとしてのアル
ゴン中にｔＩＩｔ本’ｋ Ｌｌ、 ８−通合して成長さ
せたところ、該シリコン単結晶中のＭＬ索員夏は４Ｘ１
０１６ケ／ｃｄでＰ型、抵抗率９０にΩ鋼のものが得ら
れた。該単結晶を約８．５時間、４９０℃で熱処理した
ところ、第４図のごとく、結晶内の酸素の一部がドナー
化され、シード側がＮ型に反転し、約８５に０国となり
、アクセプターが補償されて真性領域が中間にでき、又
約１１０にΩ傷のＰ型饋城が得られた。従って該Ｐ型、
Ｎ型領域共に該有感層として光分利用することができる
。
実施例として、単結晶成＊時に不活性カスとしてのアル
ゴン中にｔＩＩｔ本’ｋ Ｌｌ、 ８−通合して成長さ
せたところ、該シリコン単結晶中のＭＬ索員夏は４Ｘ１
０１６ケ／ｃｄでＰ型、抵抗率９０にΩ鋼のものが得ら
れた。該単結晶を約８．５時間、４９０℃で熱処理した
ところ、第４図のごとく、結晶内の酸素の一部がドナー
化され、シード側がＮ型に反転し、約８５に０国となり
、アクセプターが補償されて真性領域が中間にでき、又
約１１０にΩ傷のＰ型饋城が得られた。従って該Ｐ型、
Ｎ型領域共に該有感層として光分利用することができる
。
次に１本発明の作用効果について述べる。
有感層が厚いほど、エネルギーの大きい放射線を精度よ
＜ ＄１１定することができる。即ち、検出器の信号は
入射された放射線の有感層での吸収の量とその有感層の
変換効率との積で決まる。そこで有感層の母材を定めれ
ば、変換効率ははソ一定となり、あとは吸収の量に応す
ることになる。更に精度よく信号を得るには人射鷲に対
しての吸収量の割合が大きいほどよい。
＜ ＄１１定することができる。即ち、検出器の信号は
入射された放射線の有感層での吸収の量とその有感層の
変換効率との積で決まる。そこで有感層の母材を定めれ
ば、変換効率ははソ一定となり、あとは吸収の量に応す
ることになる。更に精度よく信号を得るには人射鷲に対
しての吸収量の割合が大きいほどよい。
ｒｌｌｉに対して例會とれば、その吸収の割金鉱次の式
となる。
となる。
／＝１−ぜ′ ・・・・・・・・・・・・（２）こ＼
で、ｆは吸収された放射線の割合、μは吸収係数〜−１
，ｄは有感層の厚さ傷、を示す。
で、ｆは吸収された放射線の割合、μは吸収係数〜−１
，ｄは有感層の厚さ傷、を示す。
例えば、シリコンを使用した場合、放射エネルギｌ
−が１りＯＫ えＶでμは０１番３０ となる。
前記本発明の実施例（８）および縞４図において、ム性
領域のみの場合の有感層の厚さは約２備であるが、高抵
抗のＰ型、Ｎ屋領域と真性領域の全電域を有感層とした
場合の厚さは約４−となる。
領域のみの場合の有感層の厚さは約２備であるが、高抵
抗のＰ型、Ｎ屋領域と真性領域の全電域を有感層とした
場合の厚さは約４−となる。
従って、吸収された放射線の割合！＃′ｉ、前記式（２
）Ｋ、それぞれの数値を代入して算出すると、真性領域
のみの場合は５８チとなるのに対し、本発明の高抵抗Ｐ
型、真性、Ｎ型の全領域の場合は８２−となる。
）Ｋ、それぞれの数値を代入して算出すると、真性領域
のみの場合は５８チとなるのに対し、本発明の高抵抗Ｐ
型、真性、Ｎ型の全領域の場合は８２−となる。
この結果、本発明の放射線検出器を便用したｊ＃笛は従
来の検出器に比べ、その吸収放射ｍ皺は約１６５倍とな
り、一定精度を著しく向上させることができた。
来の検出器に比べ、その吸収放射ｍ皺は約１６５倍とな
り、一定精度を著しく向上させることができた。
第１図は従来の半導体放射線検出器の＃造、第２図は本
発明の表面障壁型検出器。 第８図は本発明のＰＮｉ１合型検出器。 第４図は本発明のゾーン・す７アイニングによる結晶の
抵抗プロファイル、第５図は本発明の熱処理による結晶
の抵抗プロファイルを示す。 １、２・・・・・・電極・８．４・・・・・・金属薄膜
、５ ・・・・・・ 補償により作られた真性領域、６
．７・・−・・・電健、８・旧・・Ｐ型高抵抗領域、９
・・・・・・補償により作られた真性領域、１０・・・
・−・Ｎ型高抵抗領域、１１．１２ ・・・・・・金属
薄膜、１８．１４・・・・・・電極、１５．１ｔｊ・・
・・・・金＾電極、１？・・・・・・ＰＩ！拡散層、１
８・・・・・・Ｎ型＾抵抗領域、１９・・・・・・補償
により作られた真性領域。 ２０・・・・・・Ｐ型高抵抗領域、２１・・・・・・Ｎ
型拡赦層。 特許出願人 小松電子金属株式会社 代表者 油 井 −・１・４ ゛１ψ′ ざ 才／ｌす ！２ 才 ２ 珊 才３１す
発明の表面障壁型検出器。 第８図は本発明のＰＮｉ１合型検出器。 第４図は本発明のゾーン・す７アイニングによる結晶の
抵抗プロファイル、第５図は本発明の熱処理による結晶
の抵抗プロファイルを示す。 １、２・・・・・・電極・８．４・・・・・・金属薄膜
、５ ・・・・・・ 補償により作られた真性領域、６
．７・・−・・・電健、８・旧・・Ｐ型高抵抗領域、９
・・・・・・補償により作られた真性領域、１０・・・
・−・Ｎ型高抵抗領域、１１．１２ ・・・・・・金属
薄膜、１８．１４・・・・・・電極、１５．１ｔｊ・・
・・・・金＾電極、１？・・・・・・ＰＩ！拡散層、１
８・・・・・・Ｎ型＾抵抗領域、１９・・・・・・補償
により作られた真性領域。 ２０・・・・・・Ｐ型高抵抗領域、２１・・・・・・Ｎ
型拡赦層。 特許出願人 小松電子金属株式会社 代表者 油 井 −・１・４ ゛１ψ′ ざ 才／ｌす ！２ 才 ２ 珊 才３１す
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真性領域の両ＪＩＩＫ高抵抗１Ｍ１領域およびＮ！
［領域ｔ′有する半導体単結晶より製作される高抵抗、
高純度の半導体放射線検出器において鍍ＰＪｉ１．真性
、Ｎ １１０全領域を有感層としたことを畳倣とする半
導体放射線検出器。 ２）前記特許請求の範８菖１］Ｊ４Ｄ半導体放射線検出
器において、咳Ｐａ１１． Ｎ臘領域Ｏ両趨に表面障壁
をもたせたことｔ４Ｉ微とする半導体放射−検出器。 ５）ｔＩＩ記特許請求の範囲第１項の半導体放射線検出
器において、鋏Ｉ’１１． Ｎ１Ｍ領域の両端表両に浅
いＰＨ績会を持たせたことを特徴とする半導体放射−検
出器。 ４）ｓｌ記特許請求の範囲第１項の半導体放射線検出１
）Ｋおｉて、数回のゾーン・す７アイニングを行うこと
により、該高抵抗Ｐｄ偵域およびＮ型領域を作ることに
％Ｊとする半導体放射線検出器。 ５）前記特許請求の範囲第１ｌＩＪの半導体放射線検出
器において、該半導体単結晶全４５０℃近傍の不活性ガ
ス中で熱処理し、該半導体単結晶中に含有する酸素倉ド
ナー化して、アクセプターを補償した領域を作ることに
より、該高抵抗Ｐ型およびＮ型領域を作ることｔ特徴と
する半導体放射線検出器。 ６）前記特許請求の範囲第５項の半導体放射線検出器に
おいて、該半導体単結晶成長時の雰囲気ガスの不活性ガ
ス中に１０−以下の一定量の酸素を混合して成長させる
ことにより、所望のａ嵩量ｔ−咳半導体単結晶中に含有
させることｔ−特徴とする半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112215A JPS5815279A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56112215A JPS5815279A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815279A true JPS5815279A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS6216556B2 JPS6216556B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=14581131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56112215A Granted JPS5815279A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815279A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0642813U (ja) * | 1991-06-24 | 1994-06-07 | 末広 石川 | コンクリート製側溝フタ持ち上げ移動器具 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56112215A patent/JPS5815279A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6216556B2 (ja) | 1987-04-13 |
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