JPS5815205A - Method of treating nickel electrode of ceramic electronic part - Google Patents

Method of treating nickel electrode of ceramic electronic part

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JPS5815205A
JPS5815205A JP11415481A JP11415481A JPS5815205A JP S5815205 A JPS5815205 A JP S5815205A JP 11415481 A JP11415481 A JP 11415481A JP 11415481 A JP11415481 A JP 11415481A JP S5815205 A JPS5815205 A JP S5815205A
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nickel
polishing
ceramic electronic
sample
electrode
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溝口 安孝
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はセラミック電子部品のニッケル電極の半田付
は性を向上させる機械的加工に特徴のある処理方法に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a processing method characterized by mechanical processing for improving the soldering properties of nickel electrodes of ceramic electronic components.

セラミックを用いて構成される、Vhわゆるセラミック
電子部品として、たとえば正特性サーミスタがある。こ
の正特性サーミスタは、チタン酸バリウム系半導体セラ
ミックが′基板として用いられ、無電解めっきによるニ
ッケルの電極カイ一般的曇こ付加される。しかしながら
、無電禦めっきされたままのニッケル電極は、オーミッ
ク性力(なく、したがって、このオーミック性を満たす
ため1こ、300・Cv上の温度で熱処理を行なう必要
がある。ところが、ニッケルは、その酸化物生成自由エ
ネルギ変化が銀や銅に比べて大きく醸化されやすい。
An example of a so-called Vh ceramic electronic component constructed using ceramic is a positive temperature coefficient thermistor. This positive temperature coefficient thermistor uses a barium titanate semiconductor ceramic as the substrate, and a general haze is added to the nickel electrode by electroless plating. However, electroless plated nickel electrodes do not have ohmic properties, and therefore, in order to satisfy this ohmic property, it is necessary to perform heat treatment at a temperature of 1 to 300 Cv.However, nickel has no ohmic properties. The change in free energy for oxide formation is greater than that of silver or copper.

また、−たん生成した酸化物St極めて緻密で硬V、。In addition, the -tan produced oxide St is extremely dense and hard V.

そのため、熱処理後に、このニッケル電極酪こり一ド線
を取り付ける場合、そのままで11半田が非常に付蕪に
くいということが知られている。この問題を解決するた
めに、従来は、次の方法力(取られてした◎ 第1は、ニッケル無電憤めつき後姦こ、銀を塗布して、
これを焼き付ける方法である。この場合it、鋼の焼き
付は工程力、(、ニッケルのオーミック熱処理を兼ねる
ことになる。第2は、塩素系の強力なフラックスを用い
ることである。
Therefore, it is known that when the nickel electrode hard wire is attached after heat treatment, the No. 11 solder is extremely difficult to corrode as it is. To solve this problem, the following methods have traditionally been used: ◎ The first is to apply nickel, coat it with silver,
This is the method of burning it. In this case, the baking of the steel also serves as the process power and the ohmic heat treatment of the nickel.The second method is to use a strong chlorine-based flux.

しかじな、がら、上述した方法見、いずれも問題点を含
む。上述の第1の方法では、高価な銀を使うため、コス
トが高くなり、また、鋏が半田によって食われてしまう
などの問題がある。他方、第2の方法では、強力なフラ
ックスを使用するため、セラミック素体が影響を受け、
特性の劣化をもたらし、さらに残留塩素による腐食とい
う問題がある。
However, all of the above-mentioned methodologies have their own problems. The first method described above uses expensive silver, which increases the cost, and also has problems such as the scissors being eaten away by the solder. On the other hand, the second method uses a strong flux, which affects the ceramic body and causes
This leads to deterioration of properties, and there is also the problem of corrosion due to residual chlorine.

そのため、高価な銀を用いず、また、特性の劣化を招く
強力な塩素系フラックスを用いることなく、熱処理され
たニッケル電極上in良好な半田付けを行なえるための
方法の実現が望まれる。
Therefore, it is desired to realize a method that can perform good soldering on heat-treated nickel electrodes without using expensive silver or strong chlorine-based flux that causes deterioration of characteristics.

それゆえに、この発明の主たる目的は、上述した要望を
満たし得るセラミック電子部品のニッケル電極処理方法
を提供することである。
Therefore, the main object of the present invention is to provide a method for treating nickel electrodes of ceramic electronic components that can meet the above-mentioned needs.

この発明は、簡単に言えば、熱処理されたニッケル膜の
表面を機械的に研摩して酸化物を除去することを特徴と
する処理方法である。
Simply put, this invention is a processing method characterized by mechanically polishing the surface of a heat-treated nickel film to remove oxides.

上述した研摩は、たとえば、研摩剤および弾力性を有す
る布類を用いて、往復方向もしくは片道方向または回転
方向、またはそれら2つまたは3つの組み合わせの方向
に、ニッケル膜を機械的に研摩することが行なわれる。
The above-mentioned polishing includes, for example, mechanically polishing the nickel film using an abrasive and an elastic cloth in a reciprocating direction, a one-way direction, a rotational direction, or a combination of two or three thereof. will be carried out.

典型的には、1<7研摩が用いられる。この機械的研摩
が行なわれたとき、ニッケル膜の表面の酸化物は除去さ
れ、半田付は性の優れたニッケル電極が得られる。
Typically a 1<7 polish is used. When this mechanical polishing is performed, oxides on the surface of the nickel film are removed, and a nickel electrode with excellent solderability is obtained.

以下、この発明の具体的な実施例につV、て説明する。Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described.

まず、円板状のチタン藪バリウム系半導体セラミックを
基板として用va、この表面にニッケルの無電解めっき
を施した。次に、350″Cから500・Cまでの範囲
にある各温度条件で1時間保持するという熱処理を行な
った。このように熱処理されたニッケル膜を有するセラ
ミック基板は、第1図に参照数字lとして示されて―る
First, a disk-shaped titanium barium-based semiconductor ceramic was used as a substrate, and the surface thereof was electrolessly plated with nickel. Next, a heat treatment was carried out in which the substrate was held for 1 hour at various temperature conditions ranging from 350"C to 500"C.The ceramic substrate having the nickel film thus heat-treated is shown in FIG. It is shown as.

第1図は研摩工程を図解する研摩装置の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus illustrating the polishing process.

第1図を参照して、シャフト2を有する外径20cmの
リール3の外周面に、厚さ5罵のウール製フェルト4を
貼り付けた研摩機5が用意される。この研摩機5の上方
には研摩剤6を収納する滴下器7が配置される。この滴
下器7内Inは、研摩剤6としての0.5μ以下の粒子
径を崩するアルミナ粉末30Fが水100ccと混合さ
れて収納されている。滴下器7内では、撹拌機8が回転
し、アルミナ粉末の沈澱が防止されている。このような
滴下器7から滴下された研摩剤6は、フェルト4上に供
給される。研摩されるべきニッケル膜を有するセラミッ
ク基板lは、フェルト4に対して100〜2009程度
の加圧力で接触させられる。この研摩時間は、30秒〜
10分の間で変化されて試料が作製される。このような
研摩後の試料は、@2図および第3図で参照数字9で示
される。
Referring to FIG. 1, a polishing machine 5 is prepared in which a wool felt 4 having a thickness of 5 mm is attached to the outer peripheral surface of a reel 3 having a shaft 2 and having an outer diameter of 20 cm. A dropper 7 containing an abrasive 6 is arranged above the polisher 5. In the dropper 7, alumina powder 30F, which is used as the abrasive 6 to break down the particle size of 0.5 μm or less, is mixed with 100 cc of water and stored therein. Inside the dropper 7, a stirrer 8 rotates to prevent precipitation of the alumina powder. The abrasive 6 dropped from such a dropper 7 is supplied onto the felt 4. The ceramic substrate l having the nickel film to be polished is brought into contact with the felt 4 with a pressing force of about 100 to 2009. This polishing time is 30 seconds ~
A sample is prepared by being changed for 10 minutes. Such polished samples are designated by the reference numeral 9 in Figures 2 and 3.

第2図および第3図は半田付は性を試験するために作製
された試料の外観を示すそれぞれ正面図および側面図で
ある。第2図および第3図を参照して、試料9には、直
径0.6−のり一ド線が取り付けられ、その後、塩化亜
鉛系、ハロゲン含有ロジン系、非ハロゲン弱活性化ロジ
ン系の各7ラツクスに数秒間浸漬彼、230”C±5°
Cの錫−鉛半田番こ数秒間浸漬した。各条件について、
10個ずつ試料を作り、その平均として得られた半田付
は性に関する結果を9i1表に示す0 第11!におV)で、半田付着面積率は、試料9の電極
面に相幽する部分に対する半田の広がりの比率を目視し
て測定したものである。ここに、xx−一半田が全く付
かな−。
FIGS. 2 and 3 are a front view and a side view, respectively, showing the appearance of a sample prepared for testing solderability. Referring to FIGS. 2 and 3, a 0.6-glue diameter wire was attached to sample 9, and then each of zinc chloride-based, halogen-containing rosin-based, and non-halogen weakly activated rosin-based 7 lux for a few seconds, 230”C ± 5°
It was immersed in tin-lead solder No. C for a few seconds. For each condition,
We made 10 samples each, and the average soldering results are shown in Table 9i1. 0 11th! In V), the solder adhesion area ratio was measured by visually observing the ratio of the spread of solder to the portion of sample 9 that was stuck to the electrode surface. Here, xx-I wonder if there is any solder attached at all.

X 品・半田付着面積車3011I4滴。Product X: 4 drops of solder adhesion area wheel 3011I.

(半田付着面積率30%−90チはなし)○ ・・・半
田付着面積率90%以上。
(Solder adhesion area ratio 30% - 90chi is none) ○ ...Solder adhesion area ratio 90% or more.

◎ ・・・半田付着面積車1oon。◎ ・・・Solder adhesion area car 1oon.

を示している。It shows.

リード線引張強度は、第4図に示すように、リード@1
0を試料9に対して矢印11の方向に引張ったときのリ
ード線の引張強度を示したものである。
The tensile strength of the lead wire is as shown in Figure 4.
The figure shows the tensile strength of the lead wire when the lead wire 0 is pulled in the direction of the arrow 11 with respect to the sample 9.

また、フラックスにつvhでは、 l・・・塩化亜鉛系フラックス。Also, in flux vh, l...Zinc chloride flux.

2・・・ハロゲン含有Cジン系フラックス。2...Halogen-containing C-gin-based flux.

3・・・ステアリン酸含有ロジン系フラックス。3... Rosin-based flux containing stearic acid.

を示している。It shows.

第   ′l    表 第1表から明らかなように、研摩を行なわないもの、す
なわち研摩時間0分、のらの(試料7fL1〜3)は、
弱いフラックスを用−ると、半田が全く付着せず(試料
ムl)、塩素系の7ラフクスを用V、て初めて半田が付
着するようになり(試料ム2゜3)、満足な結果が得ら
れたのは塩素系の強力なフラックスを用V・た場合(試
料層3)のみである。
Table 'l As is clear from Table 1, for those without polishing, that is, for the polishing time of 0 minutes, Norano (sample 7fL1 to 3):
When a weak flux was used, no solder adhered at all (sample thickness), and when a chlorine-based 7-lamp flux was used, solder began to adhere (sample mass 2°3), giving a satisfactory result. This was obtained only when a strong chlorine-based flux was used (sample layer 3).

しかしながら このような塩素系の7ラフクスを) 用V・たちのは、令ラミック基板の劣化が生じ、実用に
供し得ない。
However, when using such a chlorine-based 7RAX, the laminate substrate deteriorates and cannot be put to practical use.

これに対して、研摩を行なったもの(試料A4〜13)
は、非ハロゲン系の弱めフラックスを使用しても、満足
する半田付着面積率およびリード線引張強度を有してい
る。なお、熱処理温[35Q@Cの試料(試料A4〜9
〕について、研摩時間を1分(試料/に4〜6)と3分
(試料&7〜9)とを比較すると、・はとんど同様の結
果が得られている。また、熱処理温度を500°Cに上
げた試料(試料JK10〜12)についても、満足な結
果が得られてV・る。この場合、研摩時間を長くすれば
、酸化膜が除去され、半田付+7性を向上させるどとが
可能である(試料高12)。すなわち、熱処理温度に応
じて研摩時間を選べばよいということである。
On the other hand, those that were polished (samples A4 to 13)
has a satisfactory solder adhesion area ratio and lead wire tensile strength even when using a non-halogen weak flux. Note that samples at heat treatment temperature [35Q@C (samples A4 to 9)
], when comparing the polishing time of 1 minute (Samples 4 to 6) and 3 minutes (Samples 7 to 9), almost the same results are obtained. In addition, satisfactory results were also obtained for the samples (samples JK10 to JK12) in which the heat treatment temperature was raised to 500°C. In this case, by increasing the polishing time, the oxide film can be removed and the solderability can be improved (sample height 12). In other words, the polishing time can be selected depending on the heat treatment temperature.

υ上述べた?、1表に示す試料は、フェルトと研摩剤と
を別々に用い、水を研摩時に適用しながら研摩を行なっ
たものである。これに代えて、研摩剤を予め含んだ布類
を用いて研摩することも可能である。この場合にっva
で9下に述べる。
υmentioned above? The samples shown in Table 1 were polished using felt and abrasive separately, and water was applied during polishing. Alternatively, it is also possible to polish using a cloth containing an abrasive in advance. In this case
9 below.

400メツシュ程度の研摩剤が付着している不織布(市
販〕を、第1乙のフェルト40代わりに用7h、そのま
まの状態で新たに研摩剤や水を加えることなく研摩を行
なった。その結果を第2表に示す。第2表において、フ
ラックスを表わす数字、半田付着面積率を評価する記号
、リード線引張強度を試験する方法は、第1表の場合と
同様である。
A non-woven fabric (commercially available) to which about 400 mesh of abrasive was attached was used in place of the felt 40 in step B for 7 hours, and the polishing was carried out without adding any new abrasive or water.The results are as follows: The results are shown in Table 2. In Table 2, the numbers representing the flux, the symbols for evaluating the solder adhesion area ratio, and the method for testing the lead wire tensile strength are the same as in Table 1.

第   251!! 11!2表から明らかなように、研摩剤を予め含む不織
布を用いても、第1表のV、わゆるノイフ研摩と同様の
結果がほぼ得られることがわかる。ただし、この場合は
、パフ研摩に比べ研摩能力が高いので、研摩時間を長く
すると、ニッケル膜の表面の酸化膜だけでなく、ニッケ
ル膜自体が除去されてしまう場合もあり得るので注意を
要する。そのため、この場合には、研摩時間は、30秒
〜1分に選ばれたわけである。
No. 251! ! As is clear from Table 11!2, it can be seen that almost the same results as V in Table 1, so-called neuf polishing, can be obtained even when a nonwoven fabric containing an abrasive in advance is used. However, in this case, since the polishing ability is higher than that of puff polishing, care must be taken because if the polishing time is prolonged, not only the oxide film on the surface of the nickel film but also the nickel film itself may be removed. Therefore, in this case, the polishing time was chosen to be 30 seconds to 1 minute.

次;こ、この発明により得られた電極と、従来のニッケ
ルに鎖を焼き付けた電極とにつVlて、それぞれのライ
フ特性を比較する。このライフ特性は、抵抗値変化率を
求めることにより決定した。第5図はライフ特性を示す
グラフである。第5図に詔いて、試料は、外装ディップ
を施し、完成品としたものを採用し、試験条件は各電極
に200vの電圧を常i!常湿雰囲気で連続印加したも
のである。
Next, we will compare the life characteristics of the electrode obtained according to the present invention and a conventional electrode made of nickel with chains baked into it. This life characteristic was determined by determining the rate of change in resistance value. FIG. 5 is a graph showing life characteristics. As shown in Figure 5, the sample was a finished product that had been subjected to exterior dipping, and the test conditions were a voltage of 200V to each electrode. It was applied continuously in a normal humidity atmosphere.

第5図に自いて、○印でプロットし実線で結んだものは
、従来の鎖が焼き付けされたニッケル電極を示す。Δ印
でプロットし点線で結んだものは、第1表の試料&5を
示している。横軸番こ(ま電圧の印加時間(分)をとり
、縦軸暮と6よ抵抗値質イヒ率(チ)をとっている。抵
抗値質イヒ率(チ)&よ次の式%式% 第5図におりhで、試料A5はノ10ゲンを少量含有し
たロジン系スラックスを用φたものであるカイ、従来の
鎖焼き付はニッケル電極とitぼ同じライフ特性を示し
て−るのがわかる。
In FIG. 5, those plotted with circles and connected with solid lines indicate conventional nickel electrodes on which chains are baked. Those plotted with Δ marks and connected with dotted lines indicate Sample &5 in Table 1. The horizontal axis shows the voltage application time (minutes), and the vertical axis shows the resistance value quality and resistance rate (chi). % As shown in Fig. 5, sample A5 is made of rosin-based slacks containing a small amount of carbon dioxide, and the conventional chain burn-in shows almost the same life characteristics as the nickel electrode. I understand.

以上のように、この発明によれば、ニッケJし膜に対し
て熱処理を施したものに、機械的な研摩を加えることに
よって表面の酸化物が除去されるので、半田付は性の優
れたニッケル電極を得ることができる。したがって、こ
の半田付けの際、弱いフラックスを使用できるので、セ
ラミック基板の劣化が少なく、したがって特性劣化力f
少なく、信頼性が向上する。また、高価な銀を使う必要
力(ないので非常に安価な電極が得られる。この釧を使
わないことは、工程数を減らすこと番どなり、さらにコ
ストダウンにつながる。
As described above, according to the present invention, oxides on the surface of the heat-treated nickel J film are removed by mechanical polishing, so soldering is possible with excellent soldering properties. A nickel electrode can be obtained. Therefore, since a weak flux can be used during this soldering, there is less deterioration of the ceramic board, and therefore the characteristic deterioration force f
less, and reliability is improved. In addition, since there is no need to use expensive silver, a very inexpensive electrode can be obtained. Not using this chime reduces the number of steps, leading to further cost reductions.

このように、この発明は、実用上極めて有効であると言
える。そして、この発明が適用されるニッケル電極は、
前述した正特性サーミスタ以外に、セラミックコンデン
サなどの電子部品の電極であってもよい。さらに、チッ
プとして直接プリント回路基板に半田付けされる電子部
品であっても、予め半田によりリード線を取り付けた電
子部品であっても、等しく適用することができる。
Thus, it can be said that this invention is extremely effective in practice. The nickel electrode to which this invention is applied is
In addition to the above-described positive temperature coefficient thermistor, it may also be an electrode of an electronic component such as a ceramic capacitor. Furthermore, the present invention is equally applicable to electronic components that are directly soldered to a printed circuit board as a chip or to electronic components that have lead wires attached in advance by soldering.

なお、この発明が向けられるニッケル膜は、無電解めっ
き畠こより形成されるもののほか、真空蒸着やスパッタ
リングなどで形成されたものであってもよV”6
The nickel film to which this invention is directed is not only formed by electroless plating, but may also be formed by vacuum evaporation, sputtering, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は研摩工程を図解する研摩装置の斜視図である。 第2図および第3図は半田付は性を試験するために作製
された試料の外観を示すそれぞれ正面図および側面図で
ある。第4図はリード線引張強度の測定状態を図解する
試料の正面図である。 第5図はライフ特性を示すグラフである。 図において、lはセラミック基板、41まフェルト、5
は研摩機、6は研摩剤、94ま試料で・ある。 第1図     別図 第旺 茅5図 印加・リ   ′剣 21−
FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus illustrating the polishing process. FIGS. 2 and 3 are a front view and a side view, respectively, showing the appearance of a sample prepared for testing solderability. FIG. 4 is a front view of a sample illustrating the state of measurement of lead wire tensile strength. FIG. 5 is a graph showing life characteristics. In the figure, l is a ceramic substrate, 41 is felt, 5 is
is a polishing machine, 6 is an abrasive, and 94 is a sample. Figure 1 Attached figure Figure 5 added/li 'Sword 21-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)セラミック基板の表面に電極となるニッケル膜を
形成し、さらにニッケル膜を熱処理し、前記熱処理され
たニッケル膜の表面を機械的に研摩して酸化物を除去す
る、各工程を含む、セラミック電子部品のニッケル電極
処理方法。 Q1前記研摩はパフ研摩である、特許請求の範囲第tl
)項記載のセラミック電子部品のニッケル電極処理方法
(1) Including the steps of forming a nickel film to serve as an electrode on the surface of a ceramic substrate, further heat-treating the nickel film, and mechanically polishing the surface of the heat-treated nickel film to remove oxides. Nickel electrode treatment method for ceramic electronic components. Q1 The polishing is puff polishing, Claim No. tl
) A method for treating nickel electrodes of ceramic electronic components as described in section 2.
JP11415481A 1981-07-20 1981-07-20 Method of treating nickel electrode of ceramic electronic part Pending JPS5815205A (en)

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Cited By (1)

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