JPS58151318A - Synthetic silica and resin composition containing it for sealing electronic parts - Google Patents

Synthetic silica and resin composition containing it for sealing electronic parts

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JPS58151318A
JPS58151318A JP2988282A JP2988282A JPS58151318A JP S58151318 A JPS58151318 A JP S58151318A JP 2988282 A JP2988282 A JP 2988282A JP 2988282 A JP2988282 A JP 2988282A JP S58151318 A JPS58151318 A JP S58151318A
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resin
synthetic silica
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silica
resin composition
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邦雄 伊藤
Kiichi Habata
幅田 紀一
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Kesaji Ichikawa
市川 今朝治
Osamu Kuriyama
栗山 収
Iehiro Kodama
小玉 家弘
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain synthetic silica almost free from radioactive substances and suitable for use as a filler for a resin composition for sealing electronic parts, by hydrolyzing a silicon compound purified by distillation to form polysiloxane and by heat treating the polysiloxane. CONSTITUTION:A silane compound having a hydrolyzable group such as methyltrimethoxysilane is purified by distillation and hydrolzed to form polysiloxane. The polysiloxane is dried, oxidized under heating, and pulverized to about 0.5- 100mum average particle size to obtain synthetic silica contg. <=about 10ppb uranium and thorium. About 50-800pts.wt. said synthetic silica is blended with about 100pt.wt. synthetic resin such as epoxy resin or polyphenylene sulfide resin to form a resin composition for sealing highly integrated electronic parts such as LSI and VSLI.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は合成シリカ、特(:は電子部品封止用樹脂組成
物の充填剤として好適とされる合成シリカ、およびこれ
を含有してなる電子部品封止用樹脂組成物l二関するも
のである。
Detailed Description of the Invention The present invention relates to synthetic silica, particularly synthetic silica which is suitable as a filler for resin compositions for encapsulating electronic components, and resin compositions for encapsulating electronic components containing the same. It is related to two things.

電子部品は一般5二これをその外部環境から保護よび生
産性の面から合成樹脂組成物C;よるものが汎用されて
いる。この合成樹脂組成物は有機樹脂とりリカを主体と
する無?!I質充填剤とから構成されているが、この組
成物(一ついてはこれをできるだけ膨張係数が小さく、
良熱伝導性、低透湿性で機械的特性にもすぐれたものと
し、しかも低コストのものとするということ力1ら、こ
の無機質充填剤をその成形性の許す限りできるだけ多量
に配合することが有利とされている。そして、これには
りリカ系充填剤が鏝も好ましいものとされ、はとんどの
樹脂封止材料(:これが利用されている。このVリカ系
充填剤には結晶タイプおよび非結晶タイプのものがあり
、これらは各々一長一短があり目的、用途≦;応じて使
いわけられている。
Electronic parts are generally made from synthetic resin compositions C; in terms of protection from the external environment and productivity. This synthetic resin composition is mainly composed of organic resin and lime. ! This composition (first of all, it has a coefficient of expansion as small as possible,
In order to achieve good thermal conductivity, low moisture permeability, excellent mechanical properties, and low cost, it is important to incorporate as much of this inorganic filler as possible in the formability of the material. It is considered advantageous. For this purpose, a silica-based filler is considered to be preferable, and most resin sealing materials are used. Each of these has advantages and disadvantages, and is used depending on the purpose and use.

他方、シリカ充填剤シ一ついては、上記した多量配合と
いう見地から平均粒子径の比較的太さい、例えば平均粒
子径が1〜100μ諺というシリカを使用するというこ
とから、これ書−は天然の鉱石を精製することなく粉に
たもの、あるいは天然の鉱石を水洗しフッ酸処理してか
ら1000〜1800℃で焼結または溶融したのち、粉
砕して得られる石英粉が使用されている。
On the other hand, regarding the silica filler, from the viewpoint of the above-mentioned large amount formulation, silica with a relatively large average particle size, for example, 1 to 100 μm, is used, so this book uses natural ore. Quartz powder is used, which is obtained by pulverizing natural ore without refining it, or by washing natural ore with water, treating it with hydrofluoric acid, sintering or melting it at 1000 to 1800°C, and then pulverizing it.

他方、この檀の樹脂組成物で封止された記憶素子につい
ては、技術の進歩と共C;その集積化が進み、現在はす
でにLSI、VL8Iと呼ばれる高集積化されたものに
ナってきているが、この高集積化電子部品を樹脂封止し
たもの(二ついてはこの樹脂組成物を構成するりリカ充
填剤中C:徽量含まれているウラン、トリウムなどの放
射性元素から放出されるα線(=よって、この記憶素子
が誤動作を起すという問題が生じ、これが近年開発され
た64  kbit グイf iッ’)  MO8RA
M 17)設計等(:も大きな影響を与えているため、
この解決が望まれている。そのため、この対策として記
憶素子の表面(=あらかじめポリイミド樹脂%シリコー
ン樹脂などを塗布してこの素子をα線の照射から保護す
るという方法も提案されているが、この方法にはこれら
の樹脂な記憶素子の表面に一定の厚さ、一定の面積(:
塗布することが難しく、これg;はまた記憶素子とこれ
らの樹脂および前記した封止用樹脂組成物の膨張係数の
差からトラブルが発生し易いという性能面での不安があ
り、さらにはこの樹脂塗布という工程の付1に伴なう煩
雑さもあって、生産効率、経済性の面から有利なもので
はないとされている。
On the other hand, with the advancement of technology, memory elements sealed with this resin composition have become more integrated, and today they have already become highly integrated LSIs called VL8I. However, this highly integrated electronic component is sealed with resin (in addition, the resin composition is made up of a carbon filler containing a large amount of α released from radioactive elements such as uranium and thorium). MO8RA
M 17) Design etc. (: also has a big influence, so
This solution is desired. Therefore, as a countermeasure to this problem, a method has been proposed in which the surface of the memory element (=polyimide resin% silicone resin, etc.) is coated in advance to protect the element from alpha ray irradiation. The surface of the element has a certain thickness and a certain area (:
It is difficult to apply this resin, and there is also a performance concern that problems may easily occur due to the difference in expansion coefficient between the memory element, these resins, and the above-mentioned sealing resin composition. It is said that this method is not advantageous in terms of production efficiency and economy, partly because of the complexity associated with the coating process.

したがって、この記憶素子封止用樹脂組成物(二側用す
るシリカ充填剤を現在市販されている各種の合成シリカ
、例えば四塩化けい素を高温(1850〜2000°F
)でH,、O,Cよって火炎加水分解して作った乾式シ
リカ、水和けい酸ソーダを塩酸で中和するか、水和けい
酸ソーダな峻で中和して得られる沈でんシリカ、アルコ
ール共存下で中和して得られるシリカエーロゲルなどを
使用することも検討されたが、これらはいずれもその平
均粒子径が簿μオーダーの微粒子で比表面積(BET法
)も50tf/j以上であり、これはまたその内外表面
に多数のりラノール基をもつものであるため、これは放
射性元素を含まないようC二高純度化することができた
としても、これを有機樹脂C:大量(=充填することが
できず、したがって電子部品封止用樹脂組成物に利用す
ることができないということが確認されている。
Therefore, the resin composition for sealing the memory element (the silica filler used on the second side) is made of various synthetic silicas currently available on the market, such as silicon tetrachloride, at a high temperature (1850 to 2000°F).
), dry silica made by flame hydrolysis with H, O, C, precipitated silica obtained by neutralizing hydrated sodium silicate with hydrochloric acid, or neutralizing with hydrated sodium silicate, alcohol. The use of silica aerogel obtained by neutralization in coexistence has also been considered, but all of these have fine particles with an average particle diameter of the order of micrometers and a specific surface area (BET method) of 50 tf/j or more. It also has a large number of lanol groups on its inner and outer surfaces, so even if it were possible to highly purify C2 so that it does not contain radioactive elements, it could be treated as an organic resin C: a large amount (= It has been confirmed that it cannot be filled and therefore cannot be used in resin compositions for encapsulating electronic components.

さら(:水和けい酸ソーダを始発原料とするvリカC二
あっては残存するアルカリイオンを完全(=除去するこ
とが不可能に近く上記したような目的1;は純度的(二
も不適当である。
Additionally, it is almost impossible to completely remove residual alkali ions using hydrated sodium silicate as a starting material. Appropriate.

即ち、電子部品封止用C:好適とされる高充填可能な高
純度シリカは現在のところ存在せず入手が不可能とされ
ている。
That is, C for electronic component sealing: High purity silica which is suitable for high filling and can be filled does not currently exist and is said to be impossible to obtain.

本発明はこれらの不利を解決することのできる電子部品
封止用樹脂組成物として使用することのできる合成シリ
カとこれを含有してなる電子部品封止用樹脂41成物i
二関するものであり、これは蒸留精製した加水分解し得
る基を有するシラン及びその誘導体であるポリシロキチ
ン、(ポリ)シラザンを加水分解して得たポリシロキサ
ンを乾燥および/または加熱酸化してなる合成りリカC
二関するI81発明と、熱硬化性樹脂または熱iT!!
l性樹脂1oo*:tg+=この第1発明の合成シリカ
を50〜800電竜部添加してなる電子部品封止用樹脂
組成物t:関する第2発明とよりなるものである。
The present invention provides synthetic silica that can be used as a resin composition for encapsulating electronic components that can solve these disadvantages, and a resin 41 composition for encapsulating electronic components containing the same.
This is a synthesis process obtained by drying and/or heating oxidizing polysiloxane obtained by hydrolyzing silane having a hydrolyzable group purified by distillation and its derivatives polysiloxane and (poly)silazane. Ririka C
Two related I81 inventions and thermosetting resins or thermal iT! !
l-type resin 1oo*: tg+=Resin composition for encapsulating electronic components, which is formed by adding 50 to 800 parts of the synthetic silica of the first invention t: Comprises the related second invention.

これを悦明すると、本発明者らは前記したα線の放出(
=よるソフトエラーと呼ばれている記憶素子の誤動作対
策(二ついて種々検討の結果、これ≦;ついては1京料
として蒸留などの化学工学的手段で容易に、かつ充分に
精製することのできる前述したような種類のけい素化合
物を使用すればこれから得られる合成びりカをウラン、
トリウムなどの放射性元素をほとんど含まないものとす
ることができるという点に注目し、このけい素化合物か
らの合成シリカの製!+二ついてさらに検討を電ね。
Taking this into account, the present inventors discovered the above-mentioned α-ray emission (
Countermeasures against memory element malfunctions, which are called soft errors due to If we use a silicon compound of the type described above, we can convert the resulting synthetic silicon into uranium,
Synthetic silica is made from this silicon compound, focusing on the fact that it can contain almost no radioactive elements such as thorium! Please call me for further consideration.

これC:は蒸留撹裂したけい素化合物を1水分解してポ
リシロキチンとし、これを熱51!&理すればよいこと
を見出して本発明を完成させた。
This C: is obtained by decomposing a silicon compound by distillation and stirring into polysilochitin, which is heated to 51! The present invention was completed by discovering that it is sufficient to carry out the following steps.

本発明の第1発明の合成シリカを作るための始発材料と
されるけい素化合物はその分子中に加水分解し得る基を
有するシラン及びその誘導体であるポリシロキサン、(
ポリ)シラザンであって。
The silicon compound used as the starting material for producing the synthetic silica of the first aspect of the present invention is a silane having a hydrolyzable group in its molecule and a polysiloxane, which is a derivative thereof, (
poly)silazane.

この加水分解し得る基としてはへロゲン原子、アルコキ
シ基、アルケニルオキシ基、アルコキシ基などが代表例
とされるがこれらC:限定されるものではない。
Typical examples of this hydrolyzable group include a herogen atom, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkoxy group, etc., but the group is not limited to these.

このシランとしては例えば式uJs1x4−. (ここ
CRは水素原子または一価炭化水素基、Xは加水分解性
を有する原子もしくは基、jは0〜3)で示されるもの
を挙げることがでさ、具体的にはテトラクロロシラン(
810j4) 、  )リクロ口νラン(asiol、
 )%ジグロロVラン(H!8101. )、メチルト
リクロロシラン(OH,810j、 )% ジメチルジ
クロC7f/うy [(oH,>、 51oi、 )、
ドリメチャグロ口νラン((OH−,8101)、メチ
ルジクロaシラン(ollsslaoj、 )、フェニ
ルトリクロロシラン(0,if、81(M、 )、ジフ
ェニルジグロ口νラン((0,H,)、810j、 )
、フェニルジクロロシラン(0,H,81HOj、)、
テトラエトキシシラン(81(0OHs )4 ) 、
メチルトリメトキシシラン〔0馬5itoaas)、)
、ジメチルジメトキシシラン((OH,481(OOH
,) 、)、テトラエトキシシラン(81(00,H,
J、]、フェニルトツメトキシνラン(o、a、5t(
oaa、)、)、ジメチルジェトキシシラン((OHs
 ) x81 (OO*Hs )g )、 ジフェニル
ジェトキvvラン((0,H,)、 81(00,H,
)、)などが例示され、これはその一種または二種以上
の混合物として使用することができる。
For example, the silane has the formula uJs1x4-. (Here, CR is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group, X is an atom or group having hydrolyzability, and j is 0 to 3). Specifically, tetrachlorosilane (
810j4)
)% Digloro V run (H!8101.), Methyltrichlorosilane (OH,810j, )% DimethyldichloroC7f/Uy [(oH,>, 51oi, ),
Dorimechaglochinuran ((OH-,8101), Methyldichloro-a-silane (ollsslaoj, ), Phenyltrichlorosilane (0,if, 81 (M, ), Diphenyldiglomuchinuran ((0,H,), 810j, )
, phenyldichlorosilane (0,H,81HOj,),
Tetraethoxysilane (81(0OHs)4),
Methyltrimethoxysilane (0 horse 5 itoaas),)
, dimethyldimethoxysilane ((OH, 481(OOH
, ) , ), tetraethoxysilane (81(00,H,
J, ], phenyltotumethoxy ν run (o, a, 5t (
oaa, ), ), dimethyljethoxysilane ((OHs
)
), ), etc., which can be used alone or as a mixture of two or more.

さら(二鎖シランの誘導体であるポリシロキチンとして
は、平均組成式 %式% (ここCR’は水素原子、−価炭化水素基または加水分
解し得る幕、nは1.2〜2−3)で示されるものをあ
げることかでさ、このポリシロキサンC二ついては骨格
の構造、重合度等C:とく?=制限はなく。
Furthermore, polysilochitin, which is a derivative of two-chain silane, has an average composition formula (% formula % (where CR' is a hydrogen atom, a -valent hydrocarbon group or a hydrolyzable group, and n is 1.2 to 2-3). There are no restrictions on the structure of the skeleton, degree of polymerization, etc. for these two polysiloxanes.

オイル状、ゴム状あるいはワニス状のいずれであっても
よい。
It may be oil-like, rubber-like or varnish-like.

このようなポリシロキサンとしては例えば式(OH,8
10: )n(ここCnは任意の数)で示され末端基が
メトキシ基であるポリシロキチンをはじめとじ種々のも
のを対象とすることができる。
Examples of such polysiloxanes include those of the formula (OH, 8
10: ) Various types can be used, including polysilochitin, which is represented by n (where Cn is an arbitrary number) and whose terminal group is a methoxy group.

また、(水9)シラずンは1式 (ここにRは水素原子、−価炭化水素基または加水分解
し得る基、mはOまたは正の整数)で示され、分子中C
;加水分解し得る基を1個以上有するものであることが
必須とされる。
In addition, (water 9) silazane is represented by the formula 1 (where R is a hydrogen atom, a -valent hydrocarbon group, or a hydrolyzable group, m is O or a positive integer), and C
; It is essential that it has one or more hydrolyzable groups.

このようなポリシラザンは従来公知の方法(二より合成
することができ、具体的I:は (OH3八81NH81(OH,)、、(OH,)、 
81N (OA)81(OH,)、 。
Such polysilazane can be synthesized by a conventionally known method (2).
81N (OA) 81 (OH,), .

(OH,)、 SiN’H((OH,)、 81NH)
 81 (OH,)。
(OH,), SiN'H ((OH,), 81NH)
81 (OH,).

等をあげることができる。etc. can be given.

前記したりランは通常の方法、例えば酸性水溶液または
アルカリ性水溶液中での加水分解によって381−0−
816 で示されるシロキサン構造体となり、このもの
は縮合によりポリシロキチンとなるが、このものは粉砕
および/または分散することC:よって各種の粒度分布
をもつものとすることができる。この場合、粒度の大き
なポリシロキチン粉末を得るには上記したシランを部分
的5二加水分解し、縮合させながら重合度を上げていく
方法。
381-0- can be prepared by conventional methods, such as hydrolysis in acidic or alkaline aqueous solutions.
816, which becomes polysiloxane by condensation, but can be crushed and/or dispersed to have various particle size distributions. In this case, in order to obtain polysilochitin powder with a large particle size, the above-mentioned silane is partially dihydrolyzed and condensed to increase the degree of polymerization.

あるいは親水性溶媒の共存下で加水分解を行なわせれば
よいが、この粒径は加水分解条件1例えば加水分解温度
、加水分解に使用する水の酸性度または塩基度、攪拌の
強さなど(:よって変えることもできる。一般にこのボ
ッシロキチンの粒径は加水分解温度の高いほど、また攪
拌強度の大きいほど小さくなるが、本発明を実施する場
合の1水分解温度としては一10℃以下では速度がおそ
く、100℃以上では沸点の低いけい素化合物を用いた
場合(−気相で加水分解するものがあって得られるポリ
シロキチンの粒径が細かいもの(二なるため、これは−
10℃〜100℃の範囲、好ましくは20〜80℃の範
囲とされる。
Alternatively, hydrolysis may be carried out in the coexistence of a hydrophilic solvent, but the particle size is determined by the hydrolysis conditions 1, such as the hydrolysis temperature, the acidity or basicity of the water used for hydrolysis, and the strength of stirring (: In general, the higher the hydrolysis temperature and the greater the stirring intensity, the smaller the particle size of bosslochitin becomes. However, in the case of carrying out the present invention, when the water decomposition temperature is 1-10°C or lower, the rate decreases. However, if a silicon compound with a low boiling point is used at temperatures above 100°C (- some of which hydrolyze in the gas phase and the resulting polysilochitin has a fine particle size (2), this
The temperature range is from 10°C to 100°C, preferably from 20 to 80°C.

この加水分解C二よって得られたポリシロキチンは乾燥
および/または加熱酸化したのち粉砕または分級するこ
とC:よって粉末状合成りリカとして取得されるが、こ
のりフンとしてam基をもつオルガノシランを使用した
場合にはボッシロキチンがオルガノボリシaキチンとな
るので、これは加熱してその仔機基を酸化切断して峡終
的I:は傅礪基を全く含まないシリカとすることが−ま
しいがこれはその加熱酸化を部分的に行なって有機基を
含んだものとしてもよい。このシランの内有用な始発原
料の一つとされるOH,810j、  は現在のシリコ
ーン工業(;おいて比較的利用度の乏しいものであり、
その有効利用として好適である。該シランにおけるOI
は加水分解C:よってHOJとして回収され、生成した
ゲル状物は洗浄C二よりOj 分が低減されるが、さら
(二数100℃以上の高温で長時間熱分解してメチル基
ととも(=容易C二酸化除去される。
The polysilochitin obtained by this hydrolysis C2 is dried and/or heated and oxidized, and then crushed or classified. In this case, bosslochitin becomes organobolisia chitin, which is preferably heated to oxidatively cleave its parent groups to form the final silica, which does not contain any parent groups at all. It may also be partially heated and oxidized to contain an organic group. Among these silanes, OH, 810j, which is considered to be one of the useful starting materials, is relatively poorly utilized in the current silicone industry.
It is suitable for its effective use. OI in the silane
is hydrolyzed C: Therefore, it is recovered as HOJ, and the gel-like substance produced has a lower Oj content than washing C2, but it is also thermally decomposed at a high temperature of 100°C or more for a long time, and is converted into methyl groups ( = Easily removed by C dioxide.

また%OH,5iOj、をアルコキシ化しく例えばOH
,81(OOH,−)、 01分を除去したのち加水分
解してゲル化させ、洗浄後乾燥してもよく、この場合(
−はメチル基を残存させて疎水性合成りリカとして利用
に供することちり能である。
Also, when %OH, 5iOj, is alkoxylated, for example, OH
, 81 (OOH, -), 01 minutes may be removed, hydrolyzed to gel, washed and dried; in this case, (
- indicates the ability to leave the methyl group and use it as a hydrophobic synthetic resin.

さらi二、本発明CSいては、あらかじめ溶剤可溶性の
ボッシロキチン、(ポリ)Vラデンを合成し、これを加
水分解してゲル化させ、ついで前記と同様の方法により
乾燥、加熱酸化することC:よっても合成シリカを取得
することができる。
Furthermore, in the CS of the present invention, solvent-soluble bosslochitin and (poly)V-radene are synthesized in advance, hydrolyzed to gel, and then dried and heated to oxidize in the same manner as described above.C: Accordingly, synthetic silica can also be obtained.

このようCニジて得られる合e、i/9力はその原料が
蒸留砿:よって充分精製されているので、このウラン、
トリウムなどの放射性元素の含有量が10ppb以下、
特には痕跡程度にまで低下されており、これはまたこれ
を充填剤として作成した樹脂組成物の耐湿性の劣下、ア
ルミニウム腐食性の原因となるアルカリ金員イオン、例
えばNa、になどの含有量がきわめて低く、これは特C
二前記した電子部品封止用樹脂組成物を構成する充填剤
として好適とされる。
The raw material for the uranium, i/9, obtained by C Niji is distillation rod.
The content of radioactive elements such as thorium is 10 ppb or less,
In particular, the content of alkali metal ions such as Na, etc., which causes deterioration in moisture resistance of resin compositions made using this as a filler and corrosive properties of aluminum, has been reduced to a trace level. The amount is extremely low, which is special
2. It is suitable as a filler constituting the resin composition for encapsulating electronic components described above.

前記した方法(:おいてはその条件を適宜選択すること
により全く粉砕することがなくそのまま封止用樹脂組成
物に応用することができる粒径を有するものがでさ、し
たがって粉砕工程を必要とする場合の工程中CVM力が
汚染されたり、純度的にも必ずしも有利でないというよ
うな不利は何らない。
In the above-mentioned method (:), by appropriately selecting the conditions, it is possible to obtain particles having a particle size that can be directly applied to the sealing resin composition without any pulverization, and therefore does not require a pulverization step. In this case, there are no disadvantages such as contamination of CVM power during the process or not necessarily advantageous in terms of purity.

なS、この用途ζ二側用する場合、この合成シリカの平
均粒径はそれが0.5μ罵以下ではこの樹脂組成物の流
動性、成形性がわるくなり、100/II賜以上では成
形時に寞ける成形機のゲートづまりなどが生じるおそれ
があるので、これは0.5〜100μ馬の範囲とするこ
とがよい。
When used for this purpose, if the average particle size of this synthetic silica is less than 0.5μ, the fluidity and moldability of this resin composition will deteriorate, and if it is more than 100/II, it will be difficult to form during molding. Since there is a possibility that the gate of the molding machine may become clogged, it is preferable to set the value in the range of 0.5 to 100 μm.

本発明における第2発明としての電子部品封止物 吊橋nui7、この合成シリカを熱硬化性樹脂または熱
可塑性樹脂(−配合することによって得られるが、この
樹脂としては従来電子部品封止用として使用されている
ものでよく、これC:は例えばエポキシ樹脂%シリコー
ンfi1指、エポキシ″″リリコーン樹脂、ポリイミド
樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンチルファイド
樹脂などの熱可塑性樹脂があげられる。
Electronic component encapsulation suspension bridge nui7 as a second invention of the present invention is obtained by blending this synthetic silica with a thermosetting resin or thermoplastic resin (-), which is conventionally used as a resin for encapsulating electronic components. Examples of C: include epoxy resin% silicone, thermosetting resins such as epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, and thermoplastic resins such as polyphenylene thylphide resin.

このシリコーン樹脂は例えば式R81X、 (ここCR
%又は前記に同じ、TJI位構成成介と式R,8iX、
 (R,Xは前記(二同じ、DI7II−位構成成分)
で示されるオルガノシランを主体とするVラン混合41
ヲ)ルエン、キシレン、アルコールアルいはア七トン等
の有機溶剤との共存下で共加水分解するという常法によ
って合成することができる。
This silicone resin has the formula R81X, (here CR
% or the same as above, TJI position constituents and formula R, 8iX,
(R and X are the same as above, DI7II-position constituents)
V run mixture 41 mainly composed of organosilane shown in
) It can be synthesized by a conventional method of co-hydrolysis in the coexistence with an organic solvent such as toluene, xylene, alcohol or acetate.

もちろん必要(:応じてTあるいはD構造を有するもの
であっても例え)z%’5toJs%O6H,8101
゜とか(0,H,)、 810j、、(OH,)、 8
10J、、OH,を−,810j。
Of course it is necessary (for example, even if it has a T or D structure depending on the case) z%'5toJs%O6H, 8101
゜ or (0, H,), 810j,, (OH,), 8
10J,,OH,-,810j.

等のようC2檀以上のりランを併用することもあり得る
。一般に本発明にgいてはT単位が70%以上で官能基
(28i−OH)の多い樹脂が好適である。
It is also possible to use Noriran of C2 or higher, such as. Generally, resins with a T unit content of 70% or more and a large number of functional groups (28i-OH) are suitable for the present invention.

また、このシリコーン樹脂−二は、可撓性付与剤として
、÷TxDy鱈で示されるT単位ブロックとD単位ブロ
ックとからなるマルチブロックポリマーが添加される場
合もある。
Moreover, a multi-block polymer consisting of T unit blocks and D unit blocks represented by ÷TxDy may be added to this silicone resin-2 as a flexibility imparting agent.

該シリコーン樹脂の硬化は例えば特公昭43−3020
号(二開示されているようC二鉛化合物にょろりラノー
ル基の縮合反応を利用したり、あるいは前記した樹脂中
の有機基の一部C:ビニル基等の不飽和基と水素原子を
導入し、pt、pt化合物等の付加反応触媒を使用し付
卯反応を利用する方法等(=より行なわれ、さらにシリ
コーン樹脂とエポキシ樹脂の混合樹脂5:あっては、特
開昭51−118728号1:@示されているようなA
j触媒によって硬化を行なう方法も採用可能である。
The curing of the silicone resin is described, for example, in Japanese Patent Publication No. 43-3020.
As disclosed in No. 2, by utilizing the condensation reaction of C dilead compound and lanol groups, or by introducing some of the organic groups in the above-mentioned resin C: unsaturated groups such as vinyl groups and hydrogen atoms. , PT, a method using an addition reaction using an addition reaction catalyst such as a PT compound, etc. :@A as shown
It is also possible to adopt a method of curing using a catalyst.

また、このエポキシ樹脂はその1分子中に少なくとも2
個のヱボキシ基を有するものが使用され。
Moreover, this epoxy resin has at least two
Those having 5 epoxy groups are used.

これにはエピクロルヒドリンとビスフェノール人や各種
のノボラック樹脂から合成されるもの、脂環式エポキシ
樹脂、さらにはOj、Br 7;jどのハロゲン原子を
導入したエポキシ樹脂などが例示される。また、この樹
脂の硬化剤としてはジアミノジフェニルメタン、ジアミ
ノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン等域
−代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロ
メリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸など
の酸無水物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂などのようl:1分子中
−二2個以上の水酸基をもつノボラック系硬化剤などの
いずれも使うことができるが、これC二はイミダゾール
やその誘導体、3級アミンの誘導体、ホスフィシ系誘導
体などの硬化促進剤を添加してもよい。
Examples of this include those synthesized from epichlorohydrin and bisphenols and various novolak resins, alicyclic epoxy resins, and epoxy resins into which halogen atoms such as Oj and Br7;j are introduced. In addition, curing agents for this resin include diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, metaphenylenediamine, etc.; representative amine-based curing agents; and acid anhydride-based curing agents such as phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic anhydride. A curing agent or a novolac curing agent having 22 or more hydroxyl groups in one molecule, such as phenol novolac resin or cresol novolac resin, can be used, but C2 is imidazole or its derivatives. A curing accelerator such as a tertiary amine derivative, a phosphic acid derivative, or the like may be added.

さらC1このポリイミド樹脂としては従来から電子部品
の封止用に使用されているものを用いることができる。
Furthermore, as this polyimide resin C1, those conventionally used for sealing electronic components can be used.

なg、この熱可塑性樹脂としてのポリフェニレンチルフ
ァイド樹脂は例えばp−ジグロロペンインとN−メチル
ピロリドンとの反応によって得られるぺシゼン環を硫黄
原子で連結した、熱町塑性m脂としては最高の耐熱性を
もつものであり、このものは低透湿性、耐薬品性、離燃
性という特性をもち、すぐれた寸法安定性をもっている
ので前記したシリコーン樹脂、エポキシ樹脂と同様C二
峨子部品封止用として有用とされるものである。
This thermoplastic resin, polyphenylene thylphide resin, has the highest heat resistance among thermoplastic resins in which pechene rings obtained by the reaction of p-diglolopene and N-methylpyrrolidone are linked with sulfur atoms. This material has the characteristics of low moisture permeability, chemical resistance, and flammability, and has excellent dimensional stability, so it is suitable for sealing C-2 parts like the silicone resin and epoxy resin mentioned above. It is said to be useful as a.

なお、上記したこれらの樹脂はそれを本発明の組成物と
して使用する場合、この組成物が特にα線の放出を防止
するというものでなければならないということから、こ
の1恵置となるような不純物をできるだけ除去しておく
ことがよく、シたがってこれらはあらかじめ未反応単量
体や加水分解性の^ロゲン、さら(=はNa、になどの
イオン性不純物が一定限界以内となるようC:精製した
ものとすることがよい。
In addition, when these resins mentioned above are used as a composition of the present invention, this composition must particularly prevent the emission of alpha rays, so this one prerequisite is It is best to remove impurities as much as possible, and therefore, remove unreacted monomers, hydrolyzable ^rogens, and ionic impurities such as (== Na and C) so that they are within a certain limit. : Preferably purified.

本発明の電子部品封止用樹脂組成物は上記した有機樹脂
と前記した合成びりカを配合することζ二よって得られ
るが、この配合は従来公知の熱ロール、ニーダ−、スク
リュータイプの連続混線機などを使用して行えばよい。
The resin composition for encapsulating electronic components of the present invention can be obtained by blending the organic resin described above and the synthetic resin described above. This can be done using a machine etc.

この合成V9力の配合量はこの組成物の膨張係数を低く
し、これC:艮好合ではその効果が十分に達成されない
ので、これは有機樹脂100恵置部に二対し合成石英粉
末50〜800重輸部、特には100〜500電量部の
範囲とすることがよい。
The blended amount of synthetic V9 force lowers the expansion coefficient of this composition, and this effect is not fully achieved with C: 100% of organic resin, so this is 50 to 50% of synthetic quartz powder to 100 parts of organic resin. It is preferably in the range of 800 coulometric parts, particularly from 100 to 500 coulometric parts.

なお、この組成物には必要C;応じ各種の添加剤、例え
ば1分子中にエポキシ基等の有癩基と水酸基等の加水分
解性の原子もしくは基とを有するけい素化合物を添加配
合してもよい。この化合物は一般にカーボンファンクシ
ョナルシランまたはりロキサンと称されているものであ
る。該加水分解性の原子もしくは基としてはアルコキシ
基、アシロキシ基等をはじめとし檀々のものを対象とす
ることができるが、本発明に二gいてはアルコキシ基、
特にはメトキシ基が好適とされ、また水酸基も同様に好
ましい基とされる。
In addition, this composition may contain various additives, such as a silicon compound having a leprosy group such as an epoxy group and a hydrolyzable atom or group such as a hydroxyl group in one molecule. Good too. This compound is commonly referred to as a carbon functional silane or polyloxane. The hydrolyzable atom or group may include alkoxy groups, acyloxy groups, etc., but in the present invention, alkoxy groups,
A methoxy group is particularly preferred, and a hydroxyl group is also preferred.

この任意成分であるけい素化合物≦;ついては。Regarding this optional component, the silicon compound ≦;

封止用樹脂組成物を構成する主成分がシリコーンー二ポ
キリ樹脂である場合C:は該化合物の一万はエポキシ基
がよく、それがポリフェニレンサルファイド樹脂である
場合C:はエポキシ基とアミノ基とのアダクトがよい。
When the main component constituting the sealing resin composition is a silicone-dipoxy resin, C: is preferably an epoxy group, and when it is a polyphenylene sulfide resin, C: is an epoxy group and an amino group. adduct is good.

前述したような方法(二より得られる合成シリカはモノ
アルキルシランの加水分解物であるゲルの単純な乾燥に
よるもの以外はいずれも表面活性C:乏しく、かつ親水
性を有し容易に水に濡れるのであるが、この任意成分を
添加することにより、熱硬化または熱可塑性樹脂と金成
りリカとの結合力が増し、さらに任意成分によって合成
シリカを疎水化させる効果を付与することができる。
Synthetic silica obtained by the above-mentioned method (2) has poor surface activity (C), hydrophilicity, and is easily wetted by water, except by simple drying of a gel that is a hydrolyzate of monoalkylsilane. However, by adding this optional component, the bonding strength between the thermosetting or thermoplastic resin and the metallic silica can be increased, and the optional component can also impart the effect of making the synthetic silica hydrophobic.

したがって、該けい素化合物は、その分子中にカーボン
ファンクショナル基以外にメチル基、エチル基、プロピ
ル基等の有機墓を宵するものがコンパウンドの耐水性を
改善する上からとくに好ましい。
Therefore, it is particularly preferable for the silicon compound to have an organic group such as a methyl group, ethyl group, or propyl group in addition to the carbon functional group in its molecule, since this improves the water resistance of the compound.

このようなけい素化合物として王妃に示すような化合物
をあげることができる。
Examples of such silicon compounds include the compounds shown to the queen.

H,HOH,OH,OH,81(00,H,)、、NO
H!O馬0鳥s i (00,H,)、 sOHOOH
OH。
H,HOH,OH,OH,81(00,H,),,NO
H! O horse 0 bird s i (00,H,), sOHOOH
Oh.

ss このけい素化合物は、前記した樹脂100重量部に対し
て10を置部以下、好ましくは0.1〜10直量部、さ
らに好ましくは0.5〜3重量部の範囲とされる。これ
はたとえ添加使用しても0.1電量部未満ではその効果
を期待することが雌しく、逆に10重量部以上では増量
効果が得られないばかりか合成りリカの表面ζ二rJ&
着されない余剰成分C=起因して成形性、物性に悪影響
がみられるよう5二なるからである。
ss This silicon compound is used in an amount of 10 parts by weight or less, preferably 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin. Even if it is added, it is difficult to expect the desired effect if it is less than 0.1 part by weight, and conversely, if it is more than 10 parts by weight, not only will it not be possible to obtain the effect of increasing the quantity, but also the surface of the synthetic resin ζ2rJ&
This is because the unattached surplus component C=52 appears to have an adverse effect on moldability and physical properties.

れにはさらにその流動特性を損なわない範囲で各種の煙
1質充填剤、例えば煙5iliシリカ、煙S實アルミナ
、煙楕質酸化チタンの少量を加えてもよいが、これらに
ついてはその純度を充分(:吟味し、放射線元素がこれ
らの添加C;よってもたらされないよう(二することが
必要とされる。
In addition, a small amount of various types of fillers such as silica silica, alumina, and ellipsoidal titanium oxide may be added to the material as long as the flow characteristics are not impaired. It is necessary to thoroughly examine and ensure that radioactive elements are not introduced into these additions.

上記した本発明の樹脂組成物は、配合後適宜の形状喀;
成形されるが、これ(−よる電子部品の封止は従来公知
の注形成形、射出成形、圧縮成形、トランスファー成形
のいずれでも行うことができ、これ−二よればα線の放
出によるソフトエラーの発生が全くない樹脂封止された
電子部品を容易I:得ることができるという効果が与え
られる。
The resin composition of the present invention described above can be shaped into an appropriate shape after being blended;
However, the sealing of electronic components can be performed by any of the conventionally known injection molding, injection molding, compression molding, and transfer molding. The effect is that it is possible to easily obtain a resin-sealed electronic component that does not cause any occurrence of.

つぎC:本発明の実施例をあげるが、鋼中における部は
いずれも重量部を示したものである。
Next, C: Examples of the present invention will be given, and all parts in the steel indicate parts by weight.

実施例1 (合成シリカの極造) 102〜103℃で蒸留精製したメチルトリメト中ジシ
ラン(沸点102〜103℃/740mmHg ) C
Hs81 (OCHs)@100部をイオン交換水20
0部と酢11220部との混合液に溶解させたのち、5
0℃で5時間加水分解させて塊状のメチルポリシロキサ
ンとした。つぎKこれを粉砕して平均粒径10011以
下の粉体としてからるつ[K入れ、400℃、600℃
、800℃、1000℃、1200℃で各2時間加熱処
理したところ。
Example 1 (Extreme preparation of synthetic silica) Disilane in methyltrimeth purified by distillation at 102-103°C (boiling point 102-103°C/740 mmHg) C
Add 100 parts of Hs81 (OCHs) to 20 parts of ion-exchanged water.
After dissolving in a mixture of 0 parts and 11220 parts of vinegar, 5
The mixture was hydrolyzed at 0° C. for 5 hours to obtain bulk methylpolysiloxane. Next, the K is pulverized to form a powder with an average particle size of 10011 or less.
, 800°C, 1000°C, and 1200°C for 2 hours each.

こo41oはそのメチル基がこの酸化されてメチル基を
全く含有しない白色の合成シリカが得られた(合成シリ
カム)。
The methyl group of O41o was oxidized to obtain white synthetic silica containing no methyl group (synthetic silica).

ついで、この合成シリカの純度をしらべたところ、この
ウラン、トリウムなどの含有量は痰跡程度であり、Na
、KO量は数ppm以下、 C4イオンは10 ppm
であった。
Next, when we checked the purity of this synthetic silica, we found that the content of uranium, thorium, etc. was about the same as that of sputum traces, and the content of uranium, thorium, etc.
, KO amount is less than several ppm, C4 ion is 10 ppm
Met.

(封止用組成物の極造) 1)クレゾールノボラック・エポキシ樹脂57.5部、
フェノールノボラック樹脂3α411S、/L’ゾール
ノボラック・臭素化エポキシ樹脂12.5部からなるエ
ポキシ樹脂組成物に、上記で得た合成シリカム230部
、三酸化アンチモン5部。
(Preparation of sealing composition) 1) 57.5 parts of cresol novolac epoxy resin,
To an epoxy resin composition consisting of 12.5 parts of phenol novolac resin 3α411S,/L'sol novolac/brominated epoxy resin, 230 parts of the synthetic silica obtained above and 5 parts of antimony trioxide.

3−グリシドキシプロビルトリメFキシシヲン5部、カ
ルナウバワックス5部、カーボンブラック5部および硬
化促進剤としてのトリフェニルホスフィン4.5部を添
加して熱二本ロールで十分に混練りし、粉砕して電子部
品制止用樹脂組成物−■を得た。
5 parts of 3-glycidoxyprobyl trime Foxysilone, 5 parts of carnauba wax, 5 parts of carbon black, and 4.5 parts of triphenylphosphine as a curing accelerator were added and thoroughly kneaded with two heated rolls. , and pulverized to obtain a resin composition for inhibiting electronic components-■.

2)有機基/81原子=to5%メチル基/フェニル基
=12.けい素原子に結合した水酸基が45%であるフ
ェニルメチルポリシロキサン100部に、上記で得た合
成シリカ A250部、離型剤としてのステアリン酸カ
ルシウムα5部、硬化剤として炭酸鉛α8部および安息
香酸t5部を配合し、これらを熱二本ロールで滉練りし
てから粉砕して電子部品封止用樹脂組成物−■を得た。
2) Organic group/81 atoms=to5% methyl group/phenyl group=12. To 100 parts of phenylmethylpolysiloxane having 45% of hydroxyl groups bonded to silicon atoms, 250 parts of the synthetic silica A obtained above, 5 parts of calcium stearate α as a mold release agent, 8 parts α of lead carbonate as a hardening agent, and 5 parts of benzoic acid. The mixture was kneaded using two heated rolls and then ground to obtain a resin composition for encapsulating electronic components.

3)ポリフェニレンサルファイド樹脂100部K。3) 100 parts K of polyphenylene sulfide resin.

上記で得た合成シリカ ム200部と3−グリシドキシ
グロビルメト中ジシラン5部とを混合したOち、押出機
を用いてペレット化して電子部品鉤止用樹脂組成物−厘
を作った。
200 parts of the synthetic silica obtained above and 5 parts of disilane in 3-glycidoxyglobilmeth were mixed and pelletized using an extruder to prepare a resin composition for hooking electronic parts.

なお、この組成物について、高化式7四−メーターを用
いて510℃で、ダイス径1uφ×10麿、荷J111
0kgで見かけの溶融粘度を測定したところ、これは5
ooボイズであった。
In addition, this composition was tested at 510°C using a Koka Type 74-meter, with a die diameter of 1uφ x 10mm, and a load of J111.
When the apparent melt viscosity was measured at 0 kg, it was 5
It was oo boys.

4)上記の電子部品刺止用樹脂組成物−IKおける合成
シリカ ムの代わりに%現在市販の電子部品刺止用樹脂
組成物に充填剤として使われている天然珪石をII!!
融して作った溶融シリカRD−8(タラモリ社鯛・商品
名)を用いて同様に処理して電子部品封止用樹脂組成物
−■を作った。
4) Instead of the synthetic silica in the above-mentioned resin composition for attaching electronic parts to IK, natural silica stone, which is currently used as a filler in resin compositions for attaching electronic parts on the market, is used as filler. !
Using fused silica RD-8 (Taramori Co., Ltd., trade name), a resin composition for encapsulating electronic parts was prepared in the same manner.

(電子部品封止用樹脂組成物の骨性評価)上記で得た電
子部品封止用樹脂組成物−■〜NKついてそのウラン、
トリウム含有量、C線強度、流動性1曲げ強度および体
積抵抗率を測定したところ、下表のとおりの結果が得ら
れ1組成物−夏〜厘はそのα線強度が組成物−yK<ら
べて格段に少なく、諸物性についても特に問題点のない
ことが確認された。
(Evaluation of bone properties of resin composition for encapsulating electronic components) Regarding the resin composition for encapsulating electronic components obtained above -■~NK, its uranium,
When the thorium content, C-ray strength, fluidity 1 bending strength and volume resistivity were measured, the results shown in the table below were obtained. It was confirmed that there were no particular problems regarding physical properties.

半対熱鋼 II!論例2 66〜67℃で蒸留精製したメチルトリクロロシラン(
CH,5IC11)(沸点60〜67℃/760ma+
Hg) 80部とyo〜71℃で蒸留精製したジメチル
ジクロロタ2ン((CHs)ss lC1g) (沸点
70〜71℃/740mmHg)20部との混合物を、
40〜50℃に加熱した55%塩酸水に1時間かけて滴
下したのち、さらに1時間この温度に保って共加水分解
を行なわせた。反応終了後、これを−過し水洗して中性
化して得た沈澱物を乾燥したところ、平均粒子径が10
0μ惧以下の粉末が得られた。
Semi-thermal steel II! Example 2 Methyltrichlorosilane purified by distillation at 66-67℃ (
CH, 5IC11) (boiling point 60-67℃/760ma+
A mixture of 80 parts of Hg) and 20 parts of dimethyldichlorotane ((CHs)ss lC1g) purified by distillation at yo~71°C (boiling point 70~71°C/740mmHg),
The mixture was added dropwise over 1 hour to 55% hydrochloric acid water heated to 40 to 50°C, and then kept at this temperature for another 1 hour to carry out cohydrolysis. After the reaction was completed, the resulting precipitate was filtered, washed with water, and neutralized. When the precipitate obtained was dried, the average particle size was 10.
A powder of 0 μm or less was obtained.

つぎに、この粉末をるつぼに入れ、450℃。Next, this powder was placed in a crucible and heated to 450°C.

600℃% 1000℃、1200℃で各2時間宛加熱
したところ、この粉末はそのメチル基が酸化されてなく
なり、白色のシリカ粉末となり(合成シリカB)、これ
についてその純度をくらべたところ、こOもののウラン
、トリウム含有量はn7PPbであり、そのNa、に含
有量は8ppm以下。
600℃% When heated at 1000℃ and 1200℃ for 2 hours each, the methyl groups of this powder were oxidized and became white silica powder (synthetic silica B).When the purity of this powder was compared, it was found that The uranium and thorium content of the O material is n7PPb, and the Na content is 8 ppm or less.

clイオン含有量は10 ppmであった。The Cl ion content was 10 ppm.

ついで、この合成シリカBを前例における電子部品封止
用樹脂組成物−Iにおいて使用した合成シリカの代わり
に使用し、同様に処理して半導体素子封止用樹脂組成物
−■を作り、これKついてその物性なしらべたところ、
こ0ものはC線強度(LOOOを以下、 スハイラル・
70−28インチ。
Next, this synthetic silica B was used in place of the synthetic silica used in the resin composition for encapsulating electronic components-I in the previous example, and treated in the same manner to produce a resin composition for encapsulating semiconductor elements-■. When I investigated its physical properties, I found that
This is the C-line intensity (LOOO is hereinafter referred to as Suairal/
70-28 inches.

曲は強度14kg/2一体積抵抗率lX1011Ω−譚
の値を示した。
The song had a strength of 14 kg/2 and a volume resistivity of 1×10 11 Ω.

実施例3 gA施何例2得た合成シリカ粉末20部を、t5−ビス
(p−アミノフェニルチオブチル)−テトラメチルジシ
ロヤサンとベンゾフェノンナト2カルボン酸二無水物と
の反応生成物であるシリ;−ンーボリアミン酸前駆体O
N−メチルビUリドン溶液(不揮発分20%) 500
11に混合して被覆材料を作り、これでガラス72イド
表面に厚さ50±1071惧tomsを形成させたのち
、100℃、180℃、250℃で各2時間宛加熱し、
ついで550℃でsO分間、加熱するととKよってこO
塗膜を硬化させた。
Example 3 gA Example 2 20 parts of the obtained synthetic silica powder was converted into a reaction product of t5-bis(p-aminophenylthiobutyl)-tetramethyldisiloyasane and benzophenonato dicarboxylic dianhydride. Sili;-boriamic acid precursor O
N-methylbiuridone solution (nonvolatile content 20%) 500
11 to make a coating material, which was used to form a thickness of 50±1071 cm on the surface of glass 72, and then heated at 100°C, 180°C, and 250°C for 2 hours each.
Then, when heated at 550°C for sO minutes, the K and O
The coating was cured.

つぎに、この硬化塗膜のウラン、トリクム含有量をしら
べたととろ、これはα02ppb以下であり、そog線
放出量はα0001 as−・h以下であった。
Next, when the uranium and trichum contents of this cured coating film were examined, they were found to be less than α02 ppb, and the amount of SOG radiation emitted was less than α0001 as-·h.

実施例4 (合成シリカの製造) 下記のような方法で411類の合成シリカを合成した。Example 4 (Manufacture of synthetic silica) Synthetic silica of type 411 was synthesized in the following manner.

反応容器に、16916塩酸水溶液な仕込入。Charge 16916 hydrochloric acid aqueous solution to the reaction vessel.

(CHslilCls  K対して4倍量)、これにC
HJ81C41をかく拌しながら徐々に滴下した。
(4 times the amount of CHslilCls K), and C
HJ81C41 was gradually added dropwise while stirring.

滴下終了後60℃で1時間かく拌を続行した。ここで生
成したゲル状物を炉別しイオン交換した80℃OII水
で纏り返し洗浄し弱酸性とした。ついでゲル状物を15
0℃で乾燥し水分を除去し。
After the dropwise addition was completed, stirring was continued at 60° C. for 1 hour. The gel-like material produced here was separated in a furnace and washed again with ion-exchanged 80° C. OII water to make it weakly acidic. Next, add 15 gel-like substances.
Dry at 0°C to remove moisture.

これをるつぼに入れ電気炉中で10時間強熱(最終強熱
温度1200℃)したところ、白色粉末状の合成シリカ
が得られた(合成シリカC)。
When this was placed in a crucible and ignited for 10 hours in an electric furnace (final ignition temperature 1200°C), white powdery synthetic silica was obtained (synthetic silica C).

上記と同じ反応容器に、109!塩酸水溶液を仕込み(
混合シランに対して5倍量)、これに81 (OCmH
s)aとCH181(OCRs)sと01:1部合物を
徐々に滴下したのち、上記合成シリカC0合成と同様に
処堆し、ついで6時間強熱したところ平均粒子径がL5
μ慣の白色粉末状の合成シリカが得られた(合成シリカ
D)。
In the same reaction vessel as above, 109! Prepare hydrochloric acid aqueous solution (
81 (OCmH
s) After gradually dropping a, CH181 (OCRs) and 01:1 mixture, it was treated in the same manner as the above synthetic silica C0 synthesis, and then ignited for 6 hours, resulting in an average particle size of L5.
A synthetic silica in the form of a white powder having a micro-color was obtained (synthetic silica D).

上記と同じ反応容器に% 15%cm(OH)s水溶液
を仕込み(シロキサンに対して4倍量)、これ端基は一
0CH3であり、nが!1〜50混合物)を徐々に滴下
した(内IN!5℃以下に保持)のち、上記合成シリカ
Cの合成と同様に処理し、ついで16時間強熱したとこ
ろ、平場粒径t711fl&0粉末状の合成シリカが得
られた(合成シリカg)。
% 15% cm(OH)s aqueous solution (4 times the amount of siloxane) was charged in the same reaction vessel as above (4 times the amount of siloxane), the end group was 10CH3, and n was! 1 to 50 mixture) was gradually added dropwise (maintained at IN! 5°C or lower), treated in the same manner as for the synthesis of synthetic silica C, and then ignited for 16 hours. Silica was obtained (synthetic silica g).

半対照品 (m止用岨成物の製造) クレゾールノボツツクエボキシ樹脂(商品名EOCN−
102.チバガイギー社製)100部、フェノールノボ
ラック樹脂60部、前記で合成した合成シリカC〜E5
50部。
Semi-control product (manufacture of molding compound) Cresol Novotsuku Epoxy resin (trade name: EOCN-
102. Ciba Geigy) 100 parts, phenol novolac resin 60 parts, synthetic silica C to E5 synthesized above
50 copies.

(エポキシ基含有シ藁キサン)2部、 カルナ38772719部% 2−メチルイミダゾール
12部からなる配合物を加熱ロールにで10分関混練後
シート状でとり出し、ついで粉砕し封止用組成物を調製
した。
A mixture consisting of 2 parts (epoxy group-containing silica xane), 12 parts of 2-methylimidazole, and 12 parts of Karna 38772719% was kneaded on a heated roll for 10 minutes, taken out in the form of a sheet, and then crushed to form a sealing composition. Prepared.

他方、比較の目的で合成シリカの代わりに市販品シリカ
(天然硅石を熔融したもの)を同量使用し、またエボヤ
シ基含有シ賞キサンの代わりに5−グリシドキシプロビ
ルトリメトキシシラン(商品名KBM−405.信越化
学社製)を同量使用したほかは前記と同じ組成からなる
ものを同様に処理し封止用組成物を得た。
On the other hand, for comparison purposes, the same amount of commercially available silica (melted natural silica) was used instead of synthetic silica, and 5-glycidoxypropyltrimethoxysilane (commercially available product) was used instead of efflorescence-containing silica xane. A sealing composition having the same composition as above was treated in the same manner except that the same amount of KBM-405 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used to obtain a sealing composition.

上記で得た封止用組成物について% Fランスファー成
形機を使用し175℃で2分間を要して成形後180℃
で4hrポストキユアーを行った。
Regarding the sealing composition obtained above, %F was molded at 175°C for 2 minutes using a transfer molding machine, and then heated to 180°C after molding.
I did a 4hr post cure.

ここで得た成形品についてO1m強度および体積抵抗率
を調べたところ、下記の表に示すような結果が得られた
When the O1m strength and volume resistivity of the molded product obtained here were examined, the results shown in the table below were obtained.

電対熱鋼 PCT;120℃、2&9/画為、水蒸気中に24時関
数置 第1頁の続き 0発 明 者 栗山収 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 0発 明 者 小玉家弘 安中市磯部2丁目13番1号信越 化学工業株式会社シリコーン電 子材料技術研究所内 昭和57年  月 特許庁長官 島田春樹 殿 1、事件の表示 昭和67年特許願第29882号 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (206)  信越化学工業株式会社4、代 理
 人 住 所 〒103東京都中央区日本橋本町4丁目9番地
永井ピル〔電話東京(270) 085 g、 086
9)3 6、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」 /−−1 ゝ\ l)第18頁下から2行の「N−メチルピロリドン」を
「硫化ソーダ」と補正する。
Electric couple thermosteel PCT; 120℃, 2 & 9 / image, 24 hours in water vapor, page 1 continuation 0 Inventor Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone electronic materials, 2-13-1 Isobe, Kuriyama Shuan Naka City Inventor: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Silicone Electronic Materials Technology Laboratory, 1-2-13-1 Isobe, Koanka-shi, Kodamaya, Japan, 1981, Commissioner of the Japan Patent Office, Haruki Shimada, 1, Indication of the case, 1988 Patent application No. 29882 2, Title of the invention 3, Relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant name (206) Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 4, Agent address Nagai, 4-9 Nihonbashi Honmachi, Chuo-ku, Tokyo 103 Pill [Telephone Tokyo (270) 085 g, 086
9) 3 6. "Detailed Description of the Invention" in the specification to be amended /--1 ゝ\l) "N-Methylpyrrolidone" in the bottom two lines of page 18 is amended to "soda sulfide."

2)第21頁8行の「・・・・・・である場合にはエポ
キシ基と−・−」を1曲・・である場合ζ:はアミノ基
あるいはエポキシ基と・・・・・・」と補正する。
2) On page 21, line 8, "If..., then an epoxy group and ---" is one song. If... then ζ: is an amino group or an epoxy group... ” he corrected.

3)第28頁の表の1〜3行の記載を下記のように補正
する。
3) The descriptions in lines 1 to 3 of the table on page 28 are corrected as follows.

「 」 4)第33頁の表中、市販品シリカ の列でウラン含有
量(ppb) の行(7)r650Jを「65」と補正
する。
4) In the table on page 33, in the column for commercially available silica, correct the row (7) r650J for uranium content (ppb) to "65".

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、蒸留精製した加水分解し得る基を有するシラン及び
その誘導体であるポリシロキチン、(ポリ)シラザンを
加水分解して得たポリシロキサンを乾燥および/または
加熱酸化してなる合成シリカ 2、乾燥および/または加熱酸化したのち、粉砕、分散
してその平均粒子径を0.5〜100声琳としてなる特
許請求の範囲第1項記載の合成シリカ 3、 ウランおよびトリウムの含有量が10ppb以ド
である特許請求の範囲第1項記載の合成シリカ 4、熱硬化性樹脂または島可塑性樹脂100重量部に、
蒸留精製した加水分解し得る基を有するシラン及びその
誘導体であるポリシロキチン、(ポリ)シラザンを加水
分解して得たポリシロキチンの乾燥2よび/または加I
Il&酸化で得た合成Vリカを50〜800重量部添加
してなることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物 5、熱硬化性樹脂がエボキV樹脂、シリコーン樹脂、エ
ポキシ−シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂である特
許請求の範囲第4項記載の組成物 6、熱可塑性梅脂がポリフェニレンナルファイド樹脂で
ある特許請求の範囲!J4項記載の組成物
[Claims] 1. Synthesis obtained by drying and/or thermal oxidation of polysiloxane obtained by hydrolyzing distillation-purified silane having a hydrolyzable group and its derivatives, polysilochitin and (poly)silazane. Silica 2, Synthetic silica 3 according to Claim 1, which is dried and/or heated and oxidized, then crushed and dispersed to have an average particle size of 0.5 to 100 pores, Content of uranium and thorium. is 10 ppb or less of the synthetic silica 4 according to claim 1, and 100 parts by weight of a thermosetting resin or an island plastic resin,
Drying 2 and/or addition I of polysilochitin obtained by hydrolyzing distillation-purified silane having a hydrolyzable group and its derivatives, (poly)silazane
Resin composition 5 for encapsulating electronic components, characterized in that 50 to 800 parts by weight of synthetic V resin obtained by Il&oxidation is added, the thermosetting resin is epoxy V resin, silicone resin, epoxy-silicone resin or The composition 6 according to claim 4 is a polyimide resin, and the composition 6 is a polyphenylene nalphide resin! Composition described in Section J4
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