JPS5814890A - 液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置の駆動方法Info
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- JPS5814890A JPS5814890A JP56113826A JP11382681A JPS5814890A JP S5814890 A JPS5814890 A JP S5814890A JP 56113826 A JP56113826 A JP 56113826A JP 11382681 A JP11382681 A JP 11382681A JP S5814890 A JPS5814890 A JP S5814890A
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- period
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
液晶表示装置は、近年、電卓や電子時計の表示装置とし
て著しく普及している。さらに、小型のパーソナルコン
ピュータ等の表示装置として１史用するという要求も生
まれて来ている。ところが、現在の液晶物質では、マル
チプレッス駆動可能なデユーティ数は尚々釦程度であり
、多量の情報表示能力に欠けている。この様な背景から
考え出された表示方式として ■ 非線型素子アドレス方式 ％式％ Ｏ＊Ｘ−絶縁体−金属（Ｍ工Ｍ）素子アドレス Ｏダイオードアドレス ・放電管アドレス ■ 能動スイッチングアドレス方式 Ｏ薄膜トランジスタアドレス ０Ｍ０Ｓトランジスタアドレス Ｏトライアックアドレス ■ 青、熱書き込み方式 Ｏレーザー熱書き込み ・光導電体書き込み ■ 二周波アドレス方式 等、表示情報量の大きな液晶表示装置の開発が鋭意なさ
れている。
て著しく普及している。さらに、小型のパーソナルコン
ピュータ等の表示装置として１史用するという要求も生
まれて来ている。ところが、現在の液晶物質では、マル
チプレッス駆動可能なデユーティ数は尚々釦程度であり
、多量の情報表示能力に欠けている。この様な背景から
考え出された表示方式として ■ 非線型素子アドレス方式 ％式％ Ｏ＊Ｘ−絶縁体−金属（Ｍ工Ｍ）素子アドレス Ｏダイオードアドレス ・放電管アドレス ■ 能動スイッチングアドレス方式 Ｏ薄膜トランジスタアドレス ０Ｍ０Ｓトランジスタアドレス Ｏトライアックアドレス ■ 青、熱書き込み方式 Ｏレーザー熱書き込み ・光導電体書き込み ■ 二周波アドレス方式 等、表示情報量の大きな液晶表示装置の開発が鋭意なさ
れている。
本発明は■の非線型特性を有する素子を用いた液晶表示
装置の駆動法に関するものである。さらに詳しくは該液
晶表示装置の画素に印加される実効電圧の変動を抑制す
るマルチプレックス駆動法に関するものである。
装置の駆動法に関するものである。さらに詳しくは該液
晶表示装置の画素に印加される実効電圧の変動を抑制す
るマルチプレックス駆動法に関するものである。
第１図は非線型電流−電圧特性の典型であるＭ工Ｍ素子
のカーブを示している。バリスタ、Ｐｎ接合の降伏電圧
を利用した逆方向直列接続ダイオードの場合等も第１図
と類似した非＃ｊｉ型特性を持っている。バリスタ、Ｍ
工Ｍ素子は公知のように受戒で与えられる非＃ｉｌ型特
性會有している。
のカーブを示している。バリスタ、Ｐｎ接合の降伏電圧
を利用した逆方向直列接続ダイオードの場合等も第１図
と類似した非＃ｊｉ型特性を持っている。バリスタ、Ｍ
工Ｍ素子は公知のように受戒で与えられる非＃ｉｌ型特
性會有している。
ニーＫＶ”
Ｋ：導電率係数
ｎ：非線型係数
（バリスタ）
■＝ ＫＶ ｅｘｐ （βｆ１）
Ｋ：導電率係截
β：非線型係数
（Ｍ工Ｍ素子）
これらの非線型素子は、第１図に示すように、低電圧領
域で高抵抗、高電圧領域で低抵抗となり、オームの法則
に従わない非ａ％性を有する。
域で高抵抗、高電圧領域で低抵抗となり、オームの法則
に従わない非ａ％性を有する。
ここではバリスタ、Ｍ工Ｍ素子、ダイオードを例にあげ
たが、本発明は例示の素子に限定されることなく、上述
の非線型特性を有する素子ならばすべてを応用すること
が可能である。
たが、本発明は例示の素子に限定されることなく、上述
の非線型特性を有する素子ならばすべてを応用すること
が可能である。
これらの非線型素子を用いて液晶表示装置を構成すると
一般のマルチプレクス駆動よりも多桁のマルチプレクス
駆動が可能となることが知られている。これは次のよう
に理解される。
一般のマルチプレクス駆動よりも多桁のマルチプレクス
駆動が可能となることが知られている。これは次のよう
に理解される。
第２図は１画素分の等価回路図であり、液晶の容量ＣＬ
Ｏ１抵抗Ｈｂｏ 、非線型素子の等価容量ＣＨＩ、等価
抵抗ＲＮ］−から構成されている。ＲＮＬは非線型素子
に印加される電圧により、高電圧では低抵抗、低電圧で
は高抵抗となる。今、該等価回路の端子に液晶駆動信号
を加えることを考える。第３図は１１５０デユーテイ、
１．１５バイアス法の駆動波形の例である。走査電極■
及び走査信号をＳＣＡＭ。
Ｏ１抵抗Ｈｂｏ 、非線型素子の等価容量ＣＨＩ、等価
抵抗ＲＮ］−から構成されている。ＲＮＬは非線型素子
に印加される電圧により、高電圧では低抵抗、低電圧で
は高抵抗となる。今、該等価回路の端子に液晶駆動信号
を加えることを考える。第３図は１１５０デユーテイ、
１．１５バイアス法の駆動波形の例である。走査電極■
及び走査信号をＳＣＡＭ。
５−
添数字は走査同期ｔ８内での選択期間（０（選択レベル
をとる走査期間ｔｐ ）の順序を示している。
をとる走査期間ｔｐ ）の順序を示している。
ＳＩＧは信号電極■及び表示信号を示し、添数字によっ
て区別されている。第３図のＳ工ＧＮは、画素（Ｍ、Ｎ
）■が点燈（ＯＮ）Ｌ、、同５ＩＧＮ上の他の画素がＯ
ＦＦの時の表示信号である。Ｍ番目の走査信号８０１Ｎ
Ｍと同期した走査期間■で選択レベルをとり、走査周期
内の他の走査期間では非選択レベルをとっていることが
わかる。このとき画素ＣＭ、Ｎ）Ｋかかる電圧、Ｖ（Ｍ
、Ｎ）は、ＳＯＡＮＭ−８工ＧＮで与えられる。第４図
実線■は、第３図に示すＶ（Ｍ、Ｎ）が第２図の非線型
素子−液晶画素に加えられ７を場合の非線型素子の電圧
波形ＶＮＬと液晶層にかかる電圧ＶＬＱ ｆ示している
。なお簡単のために半走査周期についてのみ描いである
。また磁線■は非選択レベルをとつ７ｔＯ’ＦＦ’の場
合を示している。ｖｌｌ Ｌが■に示す低抵抗領域に入
ると、駆動電圧がほとんど液晶層にかかり液晶層が充電
される。この時の時定数は第２図の等価回路から ６− で与えられる。ＶＬＣの変化は、まずＱＬＯとＣ１１Ｔ
−による容量により分割された電圧となり、次にＲＬＯ
とＲＮＬＫより分割さｔ″した電圧を極限値とした電圧
変化を行々う。非線型素子の抵抗変化が０と無限大の間
で生じるとして、この様子を模式的に示したのが第５図
である。非線型素子の抵抗が０ならば、図のように過渡
的に電流１が流れ、ＣＬＯｉ充電する。このとき電圧は
すべて液晶層にかかつている。
て区別されている。第３図のＳ工ＧＮは、画素（Ｍ、Ｎ
）■が点燈（ＯＮ）Ｌ、、同５ＩＧＮ上の他の画素がＯ
ＦＦの時の表示信号である。Ｍ番目の走査信号８０１Ｎ
Ｍと同期した走査期間■で選択レベルをとり、走査周期
内の他の走査期間では非選択レベルをとっていることが
わかる。このとき画素ＣＭ、Ｎ）Ｋかかる電圧、Ｖ（Ｍ
、Ｎ）は、ＳＯＡＮＭ−８工ＧＮで与えられる。第４図
実線■は、第３図に示すＶ（Ｍ、Ｎ）が第２図の非線型
素子−液晶画素に加えられ７を場合の非線型素子の電圧
波形ＶＮＬと液晶層にかかる電圧ＶＬＱ ｆ示している
。なお簡単のために半走査周期についてのみ描いである
。また磁線■は非選択レベルをとつ７ｔＯ’ＦＦ’の場
合を示している。ｖｌｌ Ｌが■に示す低抵抗領域に入
ると、駆動電圧がほとんど液晶層にかかり液晶層が充電
される。この時の時定数は第２図の等価回路から ６− で与えられる。ＶＬＣの変化は、まずＱＬＯとＣ１１Ｔ
−による容量により分割された電圧となり、次にＲＬＯ
とＲＮＬＫより分割さｔ″した電圧を極限値とした電圧
変化を行々う。非線型素子の抵抗変化が０と無限大の間
で生じるとして、この様子を模式的に示したのが第５図
である。非線型素子の抵抗が０ならば、図のように過渡
的に電流１が流れ、ＣＬＯｉ充電する。このとき電圧は
すべて液晶層にかかつている。
次に非選択期間に入り、ＯＮ領域からＯＦＦ領域（第４
図■）に移行すると、ＲＴ、Ｏ＜ ＲＮ Ｌとなり、過
渡的に流れる電流１のほとんどは、ＲＬＯｉ通して流れ
るようになる。近似的に時定数はτ＋＝ （ＯＬＯ＋
Ｃ！ＭＬ ） ＲＬＯ・・・・・・・・・（２）で与え
られる。一般に電界効果型の液晶表示パネルに使用され
ている液晶のＲＬＯは大きく、τを走査周期程度にとる
ことは十分可能である。
図■）に移行すると、ＲＴ、Ｏ＜ ＲＮ Ｌとなり、過
渡的に流れる電流１のほとんどは、ＲＬＯｉ通して流れ
るようになる。近似的に時定数はτ＋＝ （ＯＬＯ＋
Ｃ！ＭＬ ） ＲＬＯ・・・・・・・・・（２）で与え
られる。一般に電界効果型の液晶表示パネルに使用され
ている液晶のＲＬＯは大きく、τを走査周期程度にとる
ことは十分可能である。
破線で示したＯＦＦの場合はＶＮＩ−がピーク時でもＯ
Ｎ領域に入らないため、液晶層の充電が行なわれず、Ｖ
ｔ、ａが低レベルのままである。液晶は実効値に応答す
ることを考慮すると、ＯＮとＯＦ’Ｆの実効値比は、第
４図から理解されるように単なる電圧平均化法による駆
動より大きく、より高い桁数のマルチプレクス駆動が実
現されている。
Ｎ領域に入らないため、液晶層の充電が行なわれず、Ｖ
ｔ、ａが低レベルのままである。液晶は実効値に応答す
ることを考慮すると、ＯＮとＯＦ’Ｆの実効値比は、第
４図から理解されるように単なる電圧平均化法による駆
動より大きく、より高い桁数のマルチプレクス駆動が実
現されている。
非線型素子としてバリスタを用い７’（液晶表示装置に
ついては特開昭５５−１０５２８５、ドナルドーアール
・キャッスル（ゼネラル・エレクトリック・カンパニー
）、同じくＭ工Ｍ−Ｊ子を用いたものについては特開昭
５２−１４９０９０野村（Ｉａ訪精工舎）、特開昭５５
−１６１２７５テヒツト・ロビン・バラ７（ノーザン・
テレコム・リミテッド）を参照されたい。
ついては特開昭５５−１０５２８５、ドナルドーアール
・キャッスル（ゼネラル・エレクトリック・カンパニー
）、同じくＭ工Ｍ−Ｊ子を用いたものについては特開昭
５２−１４９０９０野村（Ｉａ訪精工舎）、特開昭５５
−１６１２７５テヒツト・ロビン・バラ７（ノーザン・
テレコム・リミテッド）を参照されたい。
このように表示の大容量化か可能となる非線型素子液晶
表示装置ｌｆであるが、一般の電圧平均化法によるマル
チプレクス駆動では、非選択期間の表示信号によって液
晶層にかかる実効電圧が変動してしまう。第６図はＯＮ
時の表示信号を様々に変え７ｉ（場合の、液晶層にかか
る電圧Ｖｌ、Ｏを示したものである。（ａ）（ｂ） （
ｃ） ＋見ると同信号爾極（Ｓ工Ｇ）上の他の画素の０
Ｎ−ＯＦＦによって、著しくＶｌ、Ｏが変動する。同様
なことは０７７時にもあてはまる。このため、ＯＮ波形
の実効電圧の最小値’ｆ５ｏＮｍを液晶の飽和電圧Ｖθ
ａｔよりも太き（、ＯＦＦ波形の実効値の最大値Ｂｏｙ
ｙ ｍａｘ’を液晶のしきい値ｖｔｈよりも小さくとっ
て、二値表示としていた。
表示装置ｌｆであるが、一般の電圧平均化法によるマル
チプレクス駆動では、非選択期間の表示信号によって液
晶層にかかる実効電圧が変動してしまう。第６図はＯＮ
時の表示信号を様々に変え７ｉ（場合の、液晶層にかか
る電圧Ｖｌ、Ｏを示したものである。（ａ）（ｂ） （
ｃ） ＋見ると同信号爾極（Ｓ工Ｇ）上の他の画素の０
Ｎ−ＯＦＦによって、著しくＶｌ、Ｏが変動する。同様
なことは０７７時にもあてはまる。このため、ＯＮ波形
の実効電圧の最小値’ｆ５ｏＮｍを液晶の飽和電圧Ｖθ
ａｔよりも太き（、ＯＦＦ波形の実効値の最大値Ｂｏｙ
ｙ ｍａｘ’を液晶のしきい値ｖｔｈよりも小さくとっ
て、二値表示としていた。
この理由から非線型素子液晶表示装置は二値表示のみに
しか応用されず、階調表示は不可能とされていた。また
前記のＢｏＮｔ Ｈｏｙｐ ｍａｘ’ｉマージンとす
る場合、要求とされる非線型素子の特性が厳しく、製作
上の難点となっている。さらに、ゲスト−ホスト効果の
ように飽和電圧が明確でない場合などは実効値のバラツ
キがコントラストのバラツキとして表示されてしまうと
いう表示品質上の問題もあった。
しか応用されず、階調表示は不可能とされていた。また
前記のＢｏＮｔ Ｈｏｙｐ ｍａｘ’ｉマージンとす
る場合、要求とされる非線型素子の特性が厳しく、製作
上の難点となっている。さらに、ゲスト−ホスト効果の
ように飽和電圧が明確でない場合などは実効値のバラツ
キがコントラストのバラツキとして表示されてしまうと
いう表示品質上の問題もあった。
本発明はかかる欠点を鑑みてなされたものであり、実効
電圧の変動を抑制することにより、階調表示への応用、
コントラストのバラツキ防止、マージンの増加を目的と
して考案されたものである。
電圧の変動を抑制することにより、階調表示への応用、
コントラストのバラツキ防止、マージンの増加を目的と
して考案されたものである。
９−
次に実施例にもとづき本発明を詳説する。まずＯＮ波形
の場合について考える。第６図に示したＶｌ、Ｏ波形に
対し実効電圧’ｆｆ Ｗ ＯＮ１６ ｇｏ Ｎ１ ＊
ＦｊＯＭ ３とする。つまり、Ｆｌ！ＯＮ１は他の画素
が全てＯＦＦ、ＦｊＯ討。
の場合について考える。第６図に示したＶｌ、Ｏ波形に
対し実効電圧’ｆｆ Ｗ ＯＮ１６ ｇｏ Ｎ１ ＊
ＦｊＯＭ ３とする。つまり、Ｆｌ！ＯＮ１は他の画素
が全てＯＦＦ、ＦｊＯ討。
は交互にＯＮ−ＯＦＦ、 ＫＯｎ、は全てＯＮの時の実
効値を表わしている。これらの大小関係は、ＢＯＮ、
。
効値を表わしている。これらの大小関係は、ＢＯＮ、
。
＞１１！ＯＮ、 ）１！：ｏｎ、である。即ちｌ！！Ｏ
Ｎ、は最小値であり、４１０１１は最大値となっている
。従って、ＥｏＮ□とＥ！ＯＮ、を１Ｉｉｏ Ｎ！のよ
うな特定レベルに近ずければ実効電圧のバラツキは小さ
くなる。これが本発明の基本概念である。
Ｎ、は最小値であり、４１０１１は最大値となっている
。従って、ＥｏＮ□とＥ！ＯＮ、を１Ｉｉｏ Ｎ！のよ
うな特定レベルに近ずければ実効電圧のバラツキは小さ
くなる。これが本発明の基本概念である。
第７図は本発明の駆動波形の例である。前述の平均電圧
法の説明と同じ（１１５０デユーテイ、１１５バイアス
法で考える。通常の電圧平均化法では、走査周期を交流
駆動のために半分に分け、さらに桁数５０で分割して、
合計１００分割（この１単位期間を１走査期間と呼ぶ■
）する。そして各半走査周期毎に１回ず＼、１走査期間
だけ選択レベルをと９、他の走査期間は非選択レベルを
とることによって走査信号を作っていゐ。これに対１０
− し本発明では、各半走査周期に選択レベル盆とる１走査
期間をさらに複数の期間（これを細走査期間と呼ぶ（防
）に分割し、その一部の細走査期間だけ選択レベルとし
、他は非選択レベルとする走査信号を作っている。１走
査期間全細走在期間に分割する仕方は、種々の比、不等
間隔、等間隔に選べるが、簡単のために１／２に等分割
する場合について説明する。第７図（ｂ）はこの１／２
等分割の場合であり、（ａ）は通常の電圧平均化法の波
形である。
法の説明と同じ（１１５０デユーテイ、１１５バイアス
法で考える。通常の電圧平均化法では、走査周期を交流
駆動のために半分に分け、さらに桁数５０で分割して、
合計１００分割（この１単位期間を１走査期間と呼ぶ■
）する。そして各半走査周期毎に１回ず＼、１走査期間
だけ選択レベルをと９、他の走査期間は非選択レベルを
とることによって走査信号を作っていゐ。これに対１０
− し本発明では、各半走査周期に選択レベル盆とる１走査
期間をさらに複数の期間（これを細走査期間と呼ぶ（防
）に分割し、その一部の細走査期間だけ選択レベルとし
、他は非選択レベルとする走査信号を作っている。１走
査期間全細走在期間に分割する仕方は、種々の比、不等
間隔、等間隔に選べるが、簡単のために１／２に等分割
する場合について説明する。第７図（ｂ）はこの１／２
等分割の場合であり、（ａ）は通常の電圧平均化法の波
形である。
Ｂ ＯＡ Ｎ Ｍは、Ｍ番目の走査信号であり、見かけ
上１／１ＣＯデユーティの走査信号と同じになっている
。
上１／１ＣＯデユーティの走査信号と同じになっている
。
表示信号波形（ＳＩＧＮとして例を示した）は走査信号
と同様に１走査期１ｌＪｊを複数に分け（この場合は半
分）、一部の細走査期間（この場合は前半の半走査同門
）のみを通常の電圧平均化法と同じ選択、もしくは非選
択レベルにとり、残りの細走査期間を逆のレベル、即ち
選択レベルに対し非選択レベル、非選択レベルに対し選
択レベルｔとるようにして作られている。結果として、
画素（’＋ Ｉ Ｎ ）だけがＯＮ、同信号電極上の他
の画素が全てＯＦＦの場合、−画素毎に交互にＯＮ。
と同様に１走査期１ｌＪｊを複数に分け（この場合は半
分）、一部の細走査期間（この場合は前半の半走査同門
）のみを通常の電圧平均化法と同じ選択、もしくは非選
択レベルにとり、残りの細走査期間を逆のレベル、即ち
選択レベルに対し非選択レベル、非選択レベルに対し選
択レベルｔとるようにして作られている。結果として、
画素（’＋ Ｉ Ｎ ）だけがＯＮ、同信号電極上の他
の画素が全てＯＦＦの場合、−画素毎に交互にＯＮ。
ＯＦＦの場合、同信号電極上の全ての画素がＯＮの場＠
について第７図のような表示信号波形Ｓ工ＧＮ、画素印
加電圧波形Ｖ （）、４ 、 Ｎ ）が得られる。
について第７図のような表示信号波形Ｓ工ＧＮ、画素印
加電圧波形Ｖ （）、４ 、 Ｎ ）が得られる。
Ｖ（Ｍ、Ｎ）の波形は基準レベル全中心ＩＦ：、 、１
．／１０ｎデユーティの場合と見かけ上は同じ波形変化
音する力１、半走査周期内の非選択期間の平均値を考え
ると、いずれの場合もほぼ基準レベルに等しい平均値で
あることがわかる。第８図は第７図の■（Ｍ、Ｎ）が印
加された時の液晶層にかかる電圧波形を示している。図
は簡単のために半走査周期の一部について描いである。
．／１０ｎデユーティの場合と見かけ上は同じ波形変化
音する力１、半走査周期内の非選択期間の平均値を考え
ると、いずれの場合もほぼ基準レベルに等しい平均値で
あることがわかる。第８図は第７図の■（Ｍ、Ｎ）が印
加された時の液晶層にかかる電圧波形を示している。図
は簡単のために半走査周期の一部について描いである。
８６川に示す通常の電圧平均化法の場合と比較してみる
と、第８図の本発明によるＶＬＯ波形は、非選択期間に
おける放′ポ、波形がほぼ同一レベルであり、その結果
実効電圧の変動がきわめて小さく抑えられている。この
ように同−個号璽極上の０Ｎ−ＯＦＦに影響されること
なく画素印加実効電圧が決まる。このため選択期間のピ
ークレベル、選択レベルをとる時間ピークレベルを変調
することにより従来の非線型素子液晶表示装置では不可
能とされていた階調表示が可能となり、さらに従来の非
線型素子液晶表示装置の重圧マージンであつ７ｔ、ＯＦ
Ｆ波形での最大実効電圧と、ＯＮ波形での壷小実効電圧
が、本発明によるとＯＦ１波形、ＯＮ波形の特定レベル
間で与えられるため、マージンが拡大される利点を有し
ている。しかるに本発明は８桁のマルチブレジス駆動時
にも、実際には２Ｎ桁のマルチプレクス駆動となる。こ
のため従来のマトリックスパネルにおいては、マージン
が低くなり使用は無意味であるが、非線型素子液晶表示
装置の場合は、ＯＮ波形のピーク電圧が印加される線走
査期間内に十分なレベルにまで液晶層の等価容量ＣＬ（
ｌが充電される時間があれば、駆動桁数が多くなっても
問題とはならない。実際、この充電期間は相当短くでき
、非線型素子の特性によっては数十分の１デユーテイも
可能な位である。
と、第８図の本発明によるＶＬＯ波形は、非選択期間に
おける放′ポ、波形がほぼ同一レベルであり、その結果
実効電圧の変動がきわめて小さく抑えられている。この
ように同−個号璽極上の０Ｎ−ＯＦＦに影響されること
なく画素印加実効電圧が決まる。このため選択期間のピ
ークレベル、選択レベルをとる時間ピークレベルを変調
することにより従来の非線型素子液晶表示装置では不可
能とされていた階調表示が可能となり、さらに従来の非
線型素子液晶表示装置の重圧マージンであつ７ｔ、ＯＦ
Ｆ波形での最大実効電圧と、ＯＮ波形での壷小実効電圧
が、本発明によるとＯＦ１波形、ＯＮ波形の特定レベル
間で与えられるため、マージンが拡大される利点を有し
ている。しかるに本発明は８桁のマルチブレジス駆動時
にも、実際には２Ｎ桁のマルチプレクス駆動となる。こ
のため従来のマトリックスパネルにおいては、マージン
が低くなり使用は無意味であるが、非線型素子液晶表示
装置の場合は、ＯＮ波形のピーク電圧が印加される線走
査期間内に十分なレベルにまで液晶層の等価容量ＣＬ（
ｌが充電される時間があれば、駆動桁数が多くなっても
問題とはならない。実際、この充電期間は相当短くでき
、非線型素子の特性によっては数十分の１デユーテイも
可能な位である。
以上の実施例は、１走査期間ヲ１／２等分した例をあげ
たが、本発明は１／２等分に限定されるもの１５− ではない。要は（ｊＬｏがピーク電圧値をとる線走査期
間内に十分なレベルＫまで充電する時間があればよいの
であって、１走査期間内にピーク重圧値をとる複数の細
走査期間があっても良く、不等間隔に走査期間を分割し
た細走査期間であっても良い。しかし駆動回路の容易さ
、及び実効電圧の変動の少なさから考えて１／２等分が
最上と考えられる。
たが、本発明は１／２等分に限定されるもの１５− ではない。要は（ｊＬｏがピーク電圧値をとる線走査期
間内に十分なレベルＫまで充電する時間があればよいの
であって、１走査期間内にピーク重圧値をとる複数の細
走査期間があっても良く、不等間隔に走査期間を分割し
た細走査期間であっても良い。しかし駆動回路の容易さ
、及び実効電圧の変動の少なさから考えて１／２等分が
最上と考えられる。
また、走査信号を選択レベルとする時間がＯＮ波形の選
択期間内でＯｆ、０７５１十分なレベルまで充電される
時間だけあれば良いから、１走査期間は必ずしも１走査
周１９Ｊｔｓ 全２Ｎ等分し′ｆｃ期間である必要はな
い。即ち、１走査周期ｔｏ より少ない期１’Ｊｊ ｘ
ｔａ （ａ （ｘ≦１）ｋ２Ｎ２Ｎした期間を１走査期
間とすることもできる。第９図は、１１５バイアス法、
Ｎ＝８、ｘ＝０．８とした時の走査信号５ＯＡＮ１とＥ
ＩＯＡＮ８、表示信号ＢＩＧ工を示したものである。第
９図で表示期間Ｔｐは８つの走査期間の集合であり、休
止期間Ｔｐ Ｆｉどの走査期間も属さない時間であり、
全信号電極もこの１４− Ｔｐの間は非選択レベルにある。この場合、Ｔｐの期間
に表示信号は常に本発明でいう非選択波形となっている
が、選択波形であってもかまわない。
択期間内でＯｆ、０７５１十分なレベルまで充電される
時間だけあれば良いから、１走査期間は必ずしも１走査
周１９Ｊｔｓ 全２Ｎ等分し′ｆｃ期間である必要はな
い。即ち、１走査周期ｔｏ より少ない期１’Ｊｊ ｘ
ｔａ （ａ （ｘ≦１）ｋ２Ｎ２Ｎした期間を１走査期
間とすることもできる。第９図は、１１５バイアス法、
Ｎ＝８、ｘ＝０．８とした時の走査信号５ＯＡＮ１とＥ
ＩＯＡＮ８、表示信号ＢＩＧ工を示したものである。第
９図で表示期間Ｔｐは８つの走査期間の集合であり、休
止期間Ｔｐ Ｆｉどの走査期間も属さない時間であり、
全信号電極もこの１４− Ｔｐの間は非選択レベルにある。この場合、Ｔｐの期間
に表示信号は常に本発明でいう非選択波形となっている
が、選択波形であってもかまわない。
次に階調表示が可能とされる例をあげ、説明する。
第１０図は階調表示のために表示信号に振幅変調をかけ
た場合の波形例である。振幅変調がかけられる範囲は非
選択時に非線型素子がＯＮをしてしまわないことが必要
である。この時、同一信号線上の他画素の振幅変調の影
響が画素印加電圧に出る。そのために、非選択期間の波
形の波高値は、同−信号線士の他画素の変調に従って変
化している。しかるに、その波高値の変動も非線型素子
がＯＮ領域に入らない程度の幅である。さらに１走査期
間内に細走査期間を設け、選択、非選択レベルをとらせ
ることで、液晶層にかかる電圧ＶＬＯの他画素の変調の
影響上きわめて小さく抑えることができる。第１０図で
は最゛稲単な１／２等分割細走査期間の例を示している
。もちろん、不等分割、種々の比であっても鳴動である
。第１０図は階調表示の一例として表示信号を振幅変調
した例であるが、この他にも選択された走査期間内に選
択レベルをとる細走査期間の数、時（…幅を変調するこ
とによっても階調表示が可能である。いずれにしても、
これらの階調表示は非選択時の液晶層印加重圧波形の平
均値全ある特定レベルにほぼ一致させたことにより、液
晶層にかかる実効値が、非選択時に他画素の影響を受け
に〈＜シた点が画期的である。
た場合の波形例である。振幅変調がかけられる範囲は非
選択時に非線型素子がＯＮをしてしまわないことが必要
である。この時、同一信号線上の他画素の振幅変調の影
響が画素印加電圧に出る。そのために、非選択期間の波
形の波高値は、同−信号線士の他画素の変調に従って変
化している。しかるに、その波高値の変動も非線型素子
がＯＮ領域に入らない程度の幅である。さらに１走査期
間内に細走査期間を設け、選択、非選択レベルをとらせ
ることで、液晶層にかかる電圧ＶＬＯの他画素の変調の
影響上きわめて小さく抑えることができる。第１０図で
は最゛稲単な１／２等分割細走査期間の例を示している
。もちろん、不等分割、種々の比であっても鳴動である
。第１０図は階調表示の一例として表示信号を振幅変調
した例であるが、この他にも選択された走査期間内に選
択レベルをとる細走査期間の数、時（…幅を変調するこ
とによっても階調表示が可能である。いずれにしても、
これらの階調表示は非選択時の液晶層印加重圧波形の平
均値全ある特定レベルにほぼ一致させたことにより、液
晶層にかかる実効値が、非選択時に他画素の影響を受け
に〈＜シた点が画期的である。
以上のように、本発明による走査期間に再分割してなる
細走査期間を設けたことで、従来は不可能と考えられて
いた非線型素子液晶表示装置の階調表示が可能となるば
かりか、駆動マージンの増加、コントラストの変動防止
、さらには液晶１−と非線型素子のマツチングが容易に
なり、非線型素子の製作が簡単に行なわれるという様々
な利点含有している。
細走査期間を設けたことで、従来は不可能と考えられて
いた非線型素子液晶表示装置の階調表示が可能となるば
かりか、駆動マージンの増加、コントラストの変動防止
、さらには液晶１−と非線型素子のマツチングが容易に
なり、非線型素子の製作が簡単に行なわれるという様々
な利点含有している。
本発明は人情！ｉ！ａｉｔ表示液晶表示パネルの分野に
画期的な駆動法を提供するものである。
画期的な駆動法を提供するものである。
第１図は典型的な非線型素子のＶ−工時性である。
第２図は非線型素子液晶表示装置膚の等価回路である。
第３図は従来の電圧平均化法による液晶パネル駆動波形
例である。 １・・・走査電極群 ２・・・信号電極群 ３・・・画素ＣＭＩＮ） ４・・・選択期間 ５・・・走査期間 第４図は非線型素子液晶表示装置の動作波形を示したも
のである。 １・・・ＯＮ波形の場合（実線） ２・・・ＯＦＦ波形の場合（破線） ５・・・非線型素子のＯＮ領域 ４・・・非線型素子のＯＦＦ領域 第５ｍは非線型素子液晶表示装置の動作概念を模式的に
示したものである。 １７− 第６図は非線型素子液晶表示装置の画素印加波形と液晶
層印加波形會示したものである。 ｆｉｌは当事画素ＯＮ、同−同号信号線上画素ＯＦ’Ｆ
の時、（２）は交互にＯＮ 、ＯＦＦの時、（３）は、
全画素ＯＮの時を示している。 第７図は本発明による駆動波形（ｂ）と従来の駆動波形
（ａ）會示したものであり、ｆｉｌ 、 ＋２１ 、
＋３１は第６図と同意義である。 １・・・走査期間 ２・・・細走査期間 第８図は本発明による液晶層にがかる電圧を表わすもの
である。右は画素印加波形、左は液晶層の波形である。 １１１ 、 ＋２１ 、１３１Ｖｉ第６図と同意義であ
る。 第９図は本発明による休止期間Ｔｐ ｋ設置した場合の
駆動波形例を示している。 第１０図は本発明による表示信号を振幅変調し、階調表
示を行なった場合の駆動波形例である。 １・・・変調波形 ２・・・変調を受けない場合の液晶層にかかる電圧１８
− 波形 ３・・・変調を受けない場合のＶ（Ｍ、Ｎ）のピーク電
圧レベル 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最士 務 ＝１９− 第１図 ｈＬ にＬＣ 派 第９図 第１０図
例である。 １・・・走査電極群 ２・・・信号電極群 ３・・・画素ＣＭＩＮ） ４・・・選択期間 ５・・・走査期間 第４図は非線型素子液晶表示装置の動作波形を示したも
のである。 １・・・ＯＮ波形の場合（実線） ２・・・ＯＦＦ波形の場合（破線） ５・・・非線型素子のＯＮ領域 ４・・・非線型素子のＯＦＦ領域 第５ｍは非線型素子液晶表示装置の動作概念を模式的に
示したものである。 １７− 第６図は非線型素子液晶表示装置の画素印加波形と液晶
層印加波形會示したものである。 ｆｉｌは当事画素ＯＮ、同−同号信号線上画素ＯＦ’Ｆ
の時、（２）は交互にＯＮ 、ＯＦＦの時、（３）は、
全画素ＯＮの時を示している。 第７図は本発明による駆動波形（ｂ）と従来の駆動波形
（ａ）會示したものであり、ｆｉｌ 、 ＋２１ 、
＋３１は第６図と同意義である。 １・・・走査期間 ２・・・細走査期間 第８図は本発明による液晶層にがかる電圧を表わすもの
である。右は画素印加波形、左は液晶層の波形である。 １１１ 、 ＋２１ 、１３１Ｖｉ第６図と同意義であ
る。 第９図は本発明による休止期間Ｔｐ ｋ設置した場合の
駆動波形例を示している。 第１０図は本発明による表示信号を振幅変調し、階調表
示を行なった場合の駆動波形例である。 １・・・変調波形 ２・・・変調を受けない場合の液晶層にかかる電圧１８
− 波形 ３・・・変調を受けない場合のＶ（Ｍ、Ｎ）のピーク電
圧レベル 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最士 務 ＝１９− 第１図 ｈＬ にＬＣ 派 第９図 第１０図
Claims (4)
- （１） 液晶表示パネルを構成する少なくとも一方の基
板に、非線型特性を有する素子を設置しｆｃｌ晶表不表
示装置動において、半走査周期毎に画素印加電圧が反転
し、半走査周期内の非選択期間の画素印加電圧の平均値
が、全画素、あるいは一部の画素についてほぼ等しいこ
とｔ％黴とする液晶表示装置の駆動方法。 - （２）該非ｍ型素子設置液晶表示装置の駆動方法におい
て、各半走査周期の全部あるいは一部管走査線数で等分
割して成る１走査期間金、更に複数の期間に分割して成
る粗走査期間のうち、走査信号が選択期間内の一部の粗
走査期間で選択レベル、残りの粗走査期間は非選択レベ
ルｔとることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶表示装置の駆動方法。 - （３）走査信号が選択レベルをとる該粗走査期間に同期
した期間に、表示信号が画素のＯＮ、ＯＦＦに対応して
、それぞれ選択レベル、非選択レベルｔとり、１走査期
間の残りの粗走査期間にはそれぞれ反対に非選択レベル
、選択レベルをとることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の液晶表示装置の駆動方法。 - （４） 前記１走査期間を複数に分けた粗走査期間の
うち、一部の粗走査期間を選択レベル、残りを非選択レ
ベルとする時、選択レベルにある時間と非選択レベルに
ある時間が等しいことを％部とする特許請求の範囲第１
〜３項のいずれかに記載の液晶表示装置の駆動方法。 （５１前期１走葺期間を２等分して粗走査期間としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに
記載の液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113826A JPS5814890A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113826A JPS5814890A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814890A true JPS5814890A (ja) | 1983-01-27 |
| JPS626210B2 JPS626210B2 (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=14622010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113826A Granted JPS5814890A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814890A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821793A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS60151615A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示デバイス駆動法 |
| JPS60205496A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | 三洋電機株式会社 | 液晶駆動方法 |
| JPS61294416A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示式受像装置の駆動方式 |
| JPS6321697A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 非線形抵抗膜を用いた液晶素子の駆動回路 |
| JPS6327894A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-02-05 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113826A patent/JPS5814890A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821793A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH0364875B2 (ja) * | 1981-07-31 | 1991-10-08 | Seiko Epson Corp | |
| JPS60151615A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示デバイス駆動法 |
| JPS60205496A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-17 | 三洋電機株式会社 | 液晶駆動方法 |
| JPS61294416A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示式受像装置の駆動方式 |
| JPS6327894A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-02-05 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
| JP2529696B2 (ja) * | 1986-07-10 | 1996-08-28 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 表示装置 |
| JPS6321697A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 非線形抵抗膜を用いた液晶素子の駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS626210B2 (ja) | 1987-02-09 |
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