JPS58148499A - 超低温用磁気遮蔽容器 - Google Patents
超低温用磁気遮蔽容器Info
- Publication number
- JPS58148499A JPS58148499A JP2979582A JP2979582A JPS58148499A JP S58148499 A JPS58148499 A JP S58148499A JP 2979582 A JP2979582 A JP 2979582A JP 2979582 A JP2979582 A JP 2979582A JP S58148499 A JPS58148499 A JP S58148499A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- superconducting
- hole
- shielded container
- ferromagnetic
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- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、超電導体による磁気着藪を応用した超低温用
磁気鐘蔽容器に関するものである。
磁気鐘蔽容器に関するものである。
（２）技術の背景
ノ冒セ７ソン素子を用いたコンビエータにおいては、超
電導状態にするために超低温くしなければならず、コン
ビ島−夕のメインフレームを液体ヘリウム（４，２°Ｋ
）中に入れて使用する。また、コンビ為−夕のメインフ
レームを外＊＊場から遮蔽して極低磁場にする必要があ
るので、液体ヘリウムの容器を超電導材で作って超電導
遮蔽をしている。地磁気が１０ ０８度であるのに、１
０−’Ｇという極低磁場が求められているといわれる・
（３）従来技術と問題点 ジ璽±フンンコンビ為−夕を液体ヘリウム中に入れ、そ
の周囲を超電導体容器で取〕囲んで磁気遮蔽しているわ
けであるが、出入力のリード線の取り入れのために容器
上部には貫通孔が設けられている。冷却時に存在し九磁
界がこの貫通孔から内部に侵入したまま超電導体容器に
保持（トラップ）されてしまうことがあるので、超電導
体容器の外側を高透磁率材料の容器で取り囲む強磁性遮
蔽を伴用して冷却時での磁界を減らしている。超電導体
容器および高透磁率材料容器が共ＫＪｉ部が閉じている
場合には、液体ヘリウムを超電導体容器の間の空間へ移
送して超電導体容器を冷却する際に液体ヘリウムが上部
の縁から内部へ入るためＫｉＥＩｉから冷却されずＫｆ
ＩＬ体ヘリウムと接触した所から冷却されてしまうこと
がある。このような場合に＃ｉ、超電導体容器中に磁束
がトラ−１ｆされて磁場が保持されてしまい、マイスナ
ー効果は不十分である。
電導状態にするために超低温くしなければならず、コン
ビ島−夕のメインフレームを液体ヘリウム（４，２°Ｋ
）中に入れて使用する。また、コンビ為−夕のメインフ
レームを外＊＊場から遮蔽して極低磁場にする必要があ
るので、液体ヘリウムの容器を超電導材で作って超電導
遮蔽をしている。地磁気が１０ ０８度であるのに、１
０−’Ｇという極低磁場が求められているといわれる・
（３）従来技術と問題点 ジ璽±フンンコンビ為−夕を液体ヘリウム中に入れ、そ
の周囲を超電導体容器で取〕囲んで磁気遮蔽しているわ
けであるが、出入力のリード線の取り入れのために容器
上部には貫通孔が設けられている。冷却時に存在し九磁
界がこの貫通孔から内部に侵入したまま超電導体容器に
保持（トラップ）されてしまうことがあるので、超電導
体容器の外側を高透磁率材料の容器で取り囲む強磁性遮
蔽を伴用して冷却時での磁界を減らしている。超電導体
容器および高透磁率材料容器が共ＫＪｉ部が閉じている
場合には、液体ヘリウムを超電導体容器の間の空間へ移
送して超電導体容器を冷却する際に液体ヘリウムが上部
の縁から内部へ入るためＫｉＥＩｉから冷却されずＫｆ
ＩＬ体ヘリウムと接触した所から冷却されてしまうこと
がある。このような場合に＃ｉ、超電導体容器中に磁束
がトラ−１ｆされて磁場が保持されてしまい、マイスナ
ー効果は不十分である。
（４）発明の目的
本発明の目的は、ジ冒セフソンコンビ二一一を超電導磁
気遮蔽する超電導体ＶＩ器の超電導状態への冷却を磁束
のトラップを回避して行ない、コンビーータの安定な動
作を確保することであゐ。
気遮蔽する超電導体ＶＩ器の超電導状態への冷却を磁束
のトラップを回避して行ない、コンビーータの安定な動
作を確保することであゐ。
本発明の別の目的は、超電導体容器が底部から上部にむ
かって超電導状態になるように冷却される趙低濫用磁気
蓮蔽容器をｖ／Ｅ１１−することである。
かって超電導状態になるように冷却される趙低濫用磁気
蓮蔽容器をｖ／Ｅ１１−することである。
（５）発明の構成
これらの目的が、超電導遮蔽容器およびその外側の強磁
性遮蔽容器の二重構造で超低温液体を収容している藤低
温用磁気層蔽容器において、強磁性遮蔽容器の底部中央
に透孔が設けられ、との透孔を覆う高透磁率材料製の量
であって強磁性遮蔽容＠Ｋｍする縁に流通路を有する蓋
が配置され、そして超電導遮蔽容器の底部に中央でない
ところに透孔が設けられていることを特徴とする超低温
用磁気鐘蔽容器によって達成される。
性遮蔽容器の二重構造で超低温液体を収容している藤低
温用磁気層蔽容器において、強磁性遮蔽容器の底部中央
に透孔が設けられ、との透孔を覆う高透磁率材料製の量
であって強磁性遮蔽容＠Ｋｍする縁に流通路を有する蓋
が配置され、そして超電導遮蔽容器の底部に中央でない
ところに透孔が設けられていることを特徴とする超低温
用磁気鐘蔽容器によって達成される。
（６）発明の実施塾様例
以下、添付図面に関連した実施ｍｓによりて本発明をよ
〕詳しく説明する。
〕詳しく説明する。
第１図に示したように本発明に係わる超低温用磁気遮蔽
容器は超電導材の内ａＳ器１１高透磁率材の外軸容器２
および外儒審■と同じ高透磁率材Ｏ蓋３からなる。内側
容器１は鉛（ｐｂ ）、ニオブ（Ｎｂ）、Ｎ）−Ｔｉ合
金などの超電導ｔＩＩ料で作られ、その底部には中央で
ないところに透孔４が設けられ、容器中央に＃ｉジ璽セ
７ソンコンビ為−タのメインフレーム１が収容される。
容器は超電導材の内ａＳ器１１高透磁率材の外軸容器２
および外儒審■と同じ高透磁率材Ｏ蓋３からなる。内側
容器１は鉛（ｐｂ ）、ニオブ（Ｎｂ）、Ｎ）−Ｔｉ合
金などの超電導ｔＩＩ料で作られ、その底部には中央で
ないところに透孔４が設けられ、容器中央に＃ｉジ璽セ
７ソンコンビ為−タのメインフレーム１が収容される。
このコンビ為−夕のメインフレームには出入力のリード
線６が取り付けられておシ、１１器上ｗＳＯ貫通孔（図
示せず）を通して外部に接続されている。外１Ｉｌｌ容
器２はパーマロイ、パーメンデ島−ルなどの高ａｌｌ率
材料で作られ、そ０．［部中央に透孔７が設けられてい
る。そして、蓋３は外客ＳＳＯ透孔を覆うことのできる
大きさで第２図に示したように上端か閉じられた円筒形
状であり、外側容器２と皺する縁に流通路８が設けられ
ている。
線６が取り付けられておシ、１１器上ｗＳＯ貫通孔（図
示せず）を通して外部に接続されている。外１Ｉｌｌ容
器２はパーマロイ、パーメンデ島−ルなどの高ａｌｌ率
材料で作られ、そ０．［部中央に透孔７が設けられてい
る。そして、蓋３は外客ＳＳＯ透孔を覆うことのできる
大きさで第２図に示したように上端か閉じられた円筒形
状であり、外側容器２と皺する縁に流通路８が設けられ
ている。
本発ＷＡＫ係る超電導磁気遮蔽容器は断熱材のケース９
内に納められ、液体ヘリウムがトランスファチェーブ１
０を通してケース９の中に移送される。ケース９内に溜
っていく液体ヘリウム１１が外側容器２の底部透孔７お
よびｌｌｌ３の流通路８を通りて容器２の内部へ流れる
。そして内側容器２の底部透孔４を通りてその内側へ流
れてジ璽セフソンコンビ島−タのメインフレームｓｅｔ
体ヘリウム１１中に完全に沈める。液体ヘリウムが内外
容器ｌを底部から徐々に上へ朧電導状態にしてゆくこと
になるので、１！器自身内０６束がマイスナー圧力によ
って超電導領域から排斥されて、不所望の磁束のトラッ
プがほぼ回避てきる。したがって、より好ましい超電導
鐘蔽が得られる。また、外側容器２の透孔７から内部へ
磁場の垂直成分が侵入しようとしても蓋３が配置されて
いるので液体ヘリウムは通るが磁場＃ｉ迩遮蔽れ、全体
の遮蔽効果が確保される。
内に納められ、液体ヘリウムがトランスファチェーブ１
０を通してケース９の中に移送される。ケース９内に溜
っていく液体ヘリウム１１が外側容器２の底部透孔７お
よびｌｌｌ３の流通路８を通りて容器２の内部へ流れる
。そして内側容器２の底部透孔４を通りてその内側へ流
れてジ璽セフソンコンビ島−タのメインフレームｓｅｔ
体ヘリウム１１中に完全に沈める。液体ヘリウムが内外
容器ｌを底部から徐々に上へ朧電導状態にしてゆくこと
になるので、１！器自身内０６束がマイスナー圧力によ
って超電導領域から排斥されて、不所望の磁束のトラッ
プがほぼ回避てきる。したがって、より好ましい超電導
鐘蔽が得られる。また、外側容器２の透孔７から内部へ
磁場の垂直成分が侵入しようとしても蓋３が配置されて
いるので液体ヘリウムは通るが磁場＃ｉ迩遮蔽れ、全体
の遮蔽効果が確保される。
（７）発明の効果
超電導体容器自身に磁束トラツノが生じないように超電
導磁気遮蔽を形成することが本発明によりて容易に出来
る。
導磁気遮蔽を形成することが本発明によりて容易に出来
る。
第１図は本発明に係る超低温に磁気遮蔽容器の概略断面
図で′＃）シ、 第２図は高透磁率材の蓋の斜視図である。 １・・・超電導材の内側容器、２・・・高透磁率材の外
側容器、３−・蓋、４・−透孔、５・・・ジ璽セフソン
コンピエータのメイン７レーム、７−透孔、８・−流通
路、１１・−液体ヘリウム。 第２面 手続補正書（自発） 昭和５７年４月７日 特許庁長官 島 １）春樹殿 １、事件の表示 昭和５７年特許顧 第２９７９５号 ２、発明の名称 超低温用磁気遮蔽容器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 （外 ３ 名） ５、補正の対象 図 面（第１ＩＩ、第２図） ６、補正の内容 正式図面遺児（但し、内容に変更はめりません。）７、
添付書類の目録 図 面（第１図、第２図）
図で′＃）シ、 第２図は高透磁率材の蓋の斜視図である。 １・・・超電導材の内側容器、２・・・高透磁率材の外
側容器、３−・蓋、４・−透孔、５・・・ジ璽セフソン
コンピエータのメイン７レーム、７−透孔、８・−流通
路、１１・−液体ヘリウム。 第２面 手続補正書（自発） 昭和５７年４月７日 特許庁長官 島 １）春樹殿 １、事件の表示 昭和５７年特許顧 第２９７９５号 ２、発明の名称 超低温用磁気遮蔽容器 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 （外 ３ 名） ５、補正の対象 図 面（第１ＩＩ、第２図） ６、補正の内容 正式図面遺児（但し、内容に変更はめりません。）７、
添付書類の目録 図 面（第１図、第２図）
Claims (1)
- １、超電導遮蔽容器およびその外側の強磁性遮蔽容器の
二重構造で超低温液体を収容している超低温用磁気遮蔽
容器において、前記強磁性遮蔽容器の底部中央に透孔が
設けられ、との透孔を橿う＾透磁率材料製の蓋であって
前記強磁性遮蔽容器に！！する縁に流通路含有する蓋が
配置され、そして前記超電導遮蔽容器の底部に中央でな
いところに透孔が設けられていることを４Ｉ黴とする超
低温用磁気遮蔽容器・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2979582A JPS58148499A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 超低温用磁気遮蔽容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2979582A JPS58148499A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 超低温用磁気遮蔽容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148499A true JPS58148499A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12285928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2979582A Pending JPS58148499A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 超低温用磁気遮蔽容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148499A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172297A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-28 | 株式会社トーキン | 低温および極低温用磁気シ−ルド装置 |
| JPS63278385A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シ−ルド装置 |
| WO1992006576A1 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-16 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| WO1992006575A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| JPH0777516A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非破壊検査装置 |
| US5466885A (en) * | 1990-09-27 | 1995-11-14 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
-
1982
- 1982-02-27 JP JP2979582A patent/JPS58148499A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172297A (ja) * | 1983-03-19 | 1984-09-28 | 株式会社トーキン | 低温および極低温用磁気シ−ルド装置 |
| JPH0365680B2 (ja) * | 1983-03-19 | 1991-10-14 | ||
| JPS63278385A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シ−ルド装置 |
| WO1992006575A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| US5466885A (en) * | 1990-09-27 | 1995-11-14 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| WO1992006576A1 (en) * | 1990-09-28 | 1992-04-16 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| US6486393B1 (en) | 1990-09-28 | 2002-11-26 | Furukawa Denki Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetically shielding structure |
| JPH0777516A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非破壊検査装置 |
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