JPS63278385A - 磁気シ−ルド装置 - Google Patents
磁気シ−ルド装置Info
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- JPS63278385A JPS63278385A JP62114081A JP11408187A JPS63278385A JP S63278385 A JPS63278385 A JP S63278385A JP 62114081 A JP62114081 A JP 62114081A JP 11408187 A JP11408187 A JP 11408187A JP S63278385 A JPS63278385 A JP S63278385A
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Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気のシールドを必要とする時に使用される
磁気シールド装置に関する。
磁気シールド装置に関する。
（従来の技術）
一般に、超電導高周波加速空洞を用いて高周波電力を蓄
積する場合、外部から磁界が侵入するとその空洞共振器
が超電導化するときに磁束が超電導体内に拘束されて高
周波損失を生じる。また生体活動の磁界測定、例えば心
臓活動の磁界（１０−’ｇａｕｓｓ）や脳活動の磁界（
１０−９ｇａｕｓｓ）の微弱信号を、検出する場合、外
部から磁束が侵入すると正確な測定が出来ない。従って
その影響を除去するために、従来はその測定装置全体を
、高位軟鉄、珪素鋼板、パーマロイ等の高透磁率材料（
ｍ ＞ ２１ Ｘ １０’）で覆い、外部からの磁界が
内部に侵入するのを防いでいた。このように構成された
磁気のシールド効果は、高透磁率材料の形状が無限円筒
の場合、外部磁界をＨｏ、内部磁界を■６、材料の比透
磁率をμ、高透磁率材料の厚さをｔ、円筒の半径をｒと
した時に、一般に、次のように表される。
積する場合、外部から磁界が侵入するとその空洞共振器
が超電導化するときに磁束が超電導体内に拘束されて高
周波損失を生じる。また生体活動の磁界測定、例えば心
臓活動の磁界（１０−’ｇａｕｓｓ）や脳活動の磁界（
１０−９ｇａｕｓｓ）の微弱信号を、検出する場合、外
部から磁束が侵入すると正確な測定が出来ない。従って
その影響を除去するために、従来はその測定装置全体を
、高位軟鉄、珪素鋼板、パーマロイ等の高透磁率材料（
ｍ ＞ ２１ Ｘ １０’）で覆い、外部からの磁界が
内部に侵入するのを防いでいた。このように構成された
磁気のシールド効果は、高透磁率材料の形状が無限円筒
の場合、外部磁界をＨｏ、内部磁界を■６、材料の比透
磁率をμ、高透磁率材料の厚さをｔ、円筒の半径をｒと
した時に、一般に、次のように表される。
Ｈａ １ μ・ｔ
Ｈ＝ ２ ｒ
また内部で発生した磁界が外部に漏れるのを防ぐために
も、同様にその磁界発生源の全体を高透磁率材料で覆う
ことで行っていた。
も、同様にその磁界発生源の全体を高透磁率材料で覆う
ことで行っていた。
（本発明が解決しようとする問題点）
しかしながら前記のように構成した磁気シールドでは、
完全な遮蔽は不可能であり、内部磁界器を完全にゼロに
することが出来なかった。また遮蔽率を大きく取るため
に、高透磁率材料を厚く構成することは、重量が重くな
るという欠点があった。
完全な遮蔽は不可能であり、内部磁界器を完全にゼロに
することが出来なかった。また遮蔽率を大きく取るため
に、高透磁率材料を厚く構成することは、重量が重くな
るという欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、断熱容器を構
成する部材の内部には、その容器の全体にわたって液体
窒素を収納する密封状の窒素収納部と、液体窒素の温度
以上で超電導化する超電導材とが断熱容器全体にわたっ
て配設され、前記窒素収納部には液体窒素を導入する液
体窒素導入口が備えられていることを特徴とする磁気シ
ールド装置である。
成する部材の内部には、その容器の全体にわたって液体
窒素を収納する密封状の窒素収納部と、液体窒素の温度
以上で超電導化する超電導材とが断熱容器全体にわたっ
て配設され、前記窒素収納部には液体窒素を導入する液
体窒素導入口が備えられていることを特徴とする磁気シ
ールド装置である。
（作用）
断熱容器を構成する部材の内部に配設された窒素収納部
に液体窒素が満たされると、その収納部及びその窒素収
納部の周囲は、液体窒素温度（７７’Ｋ）の近くに冷や
される。従ってこの窒素収納部内またはその内面および
外面の少なくとも一方の面に配設された超電導材も上記
温度付近に冷やされ、超を導材は超ｔｉ化される。これ
によって超電導材はマイスナ効果によって磁気の遮蔽を
行う。
に液体窒素が満たされると、その収納部及びその窒素収
納部の周囲は、液体窒素温度（７７’Ｋ）の近くに冷や
される。従ってこの窒素収納部内またはその内面および
外面の少なくとも一方の面に配設された超電導材も上記
温度付近に冷やされ、超を導材は超ｔｉ化される。これ
によって超電導材はマイスナ効果によって磁気の遮蔽を
行う。
（実施例）
以下、本発明を第１図に図示した一実施例に基づき説明
する０図において、（１）は内部が断熱材で形成された
り真空状態に形成されたり（図示しない）した断熱容器
、（２）は断熱容器（１）を構成する部材の内部全体に
埋め込まれしかも外形が断熱容器（１１の形状に類似し
た密封状の窒素収納部、（３）は断熱容器（１）を構成
する部材の内部全体に埋め込まれしかも窒素収納部（２
）の外面に配設された超ｉｔ導材、（４）は密封状の窒
素収納部（２）に連通した液体窒素導入口である。断熱
容器（１１はステンレスやガラス材等で、窒素収納部（
３）や液体窒素導入口（４）は銅やアルミ材等で構成さ
れ、超電導材はＹ−Ｂａ−Ｃｕ〜０系またはＬａ−Ｓｒ
−Ｃｕ−０系で構成され断熱容器ｆｌｌ内に隙間なく配
設されている。これを実際に使用するときは、超電導高
周波加速空洞器などの測定器を断熱容器（１）に配設す
るとともに、液体窒素導入口（４）から液体窒素を導入
する。これによって窒素収納部（２）の外面に配設され
た超電導材（３）は、超電導状態となり、マイスナ効果
により磁界を遮蔽する。
する０図において、（１）は内部が断熱材で形成された
り真空状態に形成されたり（図示しない）した断熱容器
、（２）は断熱容器（１）を構成する部材の内部全体に
埋め込まれしかも外形が断熱容器（１１の形状に類似し
た密封状の窒素収納部、（３）は断熱容器（１）を構成
する部材の内部全体に埋め込まれしかも窒素収納部（２
）の外面に配設された超ｉｔ導材、（４）は密封状の窒
素収納部（２）に連通した液体窒素導入口である。断熱
容器（１１はステンレスやガラス材等で、窒素収納部（
３）や液体窒素導入口（４）は銅やアルミ材等で構成さ
れ、超電導材はＹ−Ｂａ−Ｃｕ〜０系またはＬａ−Ｓｒ
−Ｃｕ−０系で構成され断熱容器ｆｌｌ内に隙間なく配
設されている。これを実際に使用するときは、超電導高
周波加速空洞器などの測定器を断熱容器（１）に配設す
るとともに、液体窒素導入口（４）から液体窒素を導入
する。これによって窒素収納部（２）の外面に配設され
た超電導材（３）は、超電導状態となり、マイスナ効果
により磁界を遮蔽する。
第２図および第３図はそれぞれマイスナ効果を説明する
ための説明図であり、第２図は超電導材（３）が常温状
態時の磁界通路を示し、第２図は超電導材（３）が超電
導状態時の磁界通路を示している。
ための説明図であり、第２図は超電導材（３）が常温状
態時の磁界通路を示し、第２図は超電導材（３）が超電
導状態時の磁界通路を示している。
なお図中、矢印は磁界の通路を示している。
従って断熱容器（１）の内部には、外部の磁界が入るこ
とが出来ず、断熱容器（１）の内部に配設された測定器
は、外部の磁界に影響されること測定を行うことが出来
る。
とが出来ず、断熱容器（１）の内部に配設された測定器
は、外部の磁界に影響されること測定を行うことが出来
る。
なお、上記測定を行う場合、必要により断熱容器（１）
内には、第１図に示すように液体へリュウムや液体水素
や液体ネオン等の寒剤（５）が収納されることもある。
内には、第１図に示すように液体へリュウムや液体水素
や液体ネオン等の寒剤（５）が収納されることもある。
また上記実施例は断熱容器（１）の外部から内部への磁
界を遮蔽する場合のみ説明しているが、本発明はその逆
方向の磁界も遮蔽するので、そのような使用でも良い。
界を遮蔽する場合のみ説明しているが、本発明はその逆
方向の磁界も遮蔽するので、そのような使用でも良い。
また断熱容器（１）として寒剤（５）を保存するための
タライオスタットに適用することも出来る。また窒素収
納部（２）には液体窒素導入口（４）と対称な位置に液
体窒素導出口を設け、液体窒素を循環させるようにして
も良い。また上記実施例は超電導材（３）を窒素収納部
（２）の外側に配設する場合のみ説明しているが、本発
明はその内側の面または両方の面に配設しても良い。ま
た上記一実施例は窒素収納部（２）を断熱容器（１）と
は別個の材料で形成する場合を示しているが、本発明は
断熱容器（１）内に空洞部を設け、この空洞部を窒素収
納部（２）にしても良い。この場合、超電導材（３）は
この窒素収納部（２）内に配設するようにしても良い。
タライオスタットに適用することも出来る。また窒素収
納部（２）には液体窒素導入口（４）と対称な位置に液
体窒素導出口を設け、液体窒素を循環させるようにして
も良い。また上記実施例は超電導材（３）を窒素収納部
（２）の外側に配設する場合のみ説明しているが、本発
明はその内側の面または両方の面に配設しても良い。ま
た上記一実施例は窒素収納部（２）を断熱容器（１）と
は別個の材料で形成する場合を示しているが、本発明は
断熱容器（１）内に空洞部を設け、この空洞部を窒素収
納部（２）にしても良い。この場合、超電導材（３）は
この窒素収納部（２）内に配設するようにしても良い。
（発明の効果）
本発明は以上詳述したように、断熱容器を構成する部材
の内部には、その容器の全体にわたって液体窒素を収納
する密封状の窒素収納部が埋め込まれ、前記窒素収納部
の内面および外面の少なくとも一方の面でかつ断熱容器
を構成する部材の内部には液体窒素の温度以上で超電導
化する超電導材が全面にわたって配設され、前記窒素収
納部には液体窒素を導入する液体窒素導入口が備えられ
ていることを特徴とする磁気シールド装置である。
の内部には、その容器の全体にわたって液体窒素を収納
する密封状の窒素収納部が埋め込まれ、前記窒素収納部
の内面および外面の少なくとも一方の面でかつ断熱容器
を構成する部材の内部には液体窒素の温度以上で超電導
化する超電導材が全面にわたって配設され、前記窒素収
納部には液体窒素を導入する液体窒素導入口が備えられ
ていることを特徴とする磁気シールド装置である。
従って断熱容器の外部から内部への磁界またはその逆方
向の磁界を遮蔽することが出来る優れた効果がある。
向の磁界を遮蔽することが出来る優れた効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図および
第３図はマイスナ効果を説明するための説明図である。 ｉｌ＋は断熱容器、（２）は窒素収納部、（３）は超Ｔ
Ｌ導剤、（４）は液体窒素導入口、（５）は寒剤である
。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 一一一一一≠− 第２図 第３図
第３図はマイスナ効果を説明するための説明図である。 ｉｌ＋は断熱容器、（２）は窒素収納部、（３）は超Ｔ
Ｌ導剤、（４）は液体窒素導入口、（５）は寒剤である
。 特許出願人 古河電気工業株式会社 第１図 一一一一一≠− 第２図 第３図
Claims (6)
- （１）断熱容器を構成する部材の内部には、その容器の
全体にわたって液体窒素を収納する密封状の窒素収納部
と、液体窒素の温度以上で超電導化する超電導材とが断
熱容器全体にわたって配設され、前記窒素収納部には液
体窒素を導入する液体窒素導入口が備えられていること
を特徴とする磁気シールド装置。 - （２）断熱容器には寒剤が配設されてなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気シールド装置。 - （３）寒剤は液体ヘリュウム、液体水素、液体ネオンの
いずれか１つであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の磁気シールド装置。 - （４）超電導材はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系またはＬａ−Ｓ
ｒ−Ｃｕ−Ｏ系であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれか１つの項に記載の磁気シ
ールド装置。 - （５）断熱容器は寒剤を保存するためのクライオスタッ
トであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第４項のいずれか１つの項に記載の磁気シールド装置。 - （６）窒素収納部には液体窒素を導出する液体窒素導出
口が備えられていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第５項のいずれか１つの項に記載の磁気シー
ルド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62114081A JP2583234B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気シ−ルド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62114081A JP2583234B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気シ−ルド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278385A true JPS63278385A (ja) | 1988-11-16 |
| JP2583234B2 JP2583234B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=14628588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62114081A Expired - Lifetime JP2583234B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 磁気シ−ルド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583234B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245599A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Japan Atom Energy Res Inst | 超伝導空洞共振器用高温超伝導体磁気遮蔽装置 |
| JPH03242134A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 生体磁気計測用磁気シールド体 |
| JPH0498899A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-31 | Ngk Insulators Ltd | 磁気シールド装置 |
| JPH07321382A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ格納容器およびｓｑｕｉｄ冷却方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58148499A (ja) * | 1982-02-27 | 1983-09-03 | 富士通株式会社 | 超低温用磁気遮蔽容器 |
| JPS63250875A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 電子機器 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62114081A patent/JP2583234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58148499A (ja) * | 1982-02-27 | 1983-09-03 | 富士通株式会社 | 超低温用磁気遮蔽容器 |
| JPS63250875A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 電子機器 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245599A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Japan Atom Energy Res Inst | 超伝導空洞共振器用高温超伝導体磁気遮蔽装置 |
| JPH03242134A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 生体磁気計測用磁気シールド体 |
| JPH0498899A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-31 | Ngk Insulators Ltd | 磁気シールド装置 |
| JPH07321382A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ格納容器およびｓｑｕｉｄ冷却方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583234B2 (ja) | 1997-02-19 |
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