JPS58146427A - 物質のアイソト−プ体の選択励起のための光学的方法、この方法を実行する装置及びアイソト−プ分離への適用 - Google Patents
物質のアイソト−プ体の選択励起のための光学的方法、この方法を実行する装置及びアイソト−プ分離への適用Info
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- JPS58146427A JPS58146427A JP57027540A JP2754082A JPS58146427A JP S58146427 A JPS58146427 A JP S58146427A JP 57027540 A JP57027540 A JP 57027540A JP 2754082 A JP2754082 A JP 2754082A JP S58146427 A JPS58146427 A JP S58146427A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D59/00—Separation of different isotopes of the same chemical element
- B01D59/34—Separation by photochemical methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明Fi動物質アイソトープ体の選択的励起のための
光学的方法、この方法を実行するための装置及びアイソ
トープ分−への適用rc関する。
光学的方法、この方法を実行するための装置及びアイソ
トープ分−への適用rc関する。
光学的放射(使用しての物質の1糧類のアイソトープ体
の公知の選択的励起方法のうちで、鰻も簡単なものは、
疑いもなく、エネルギーhF(hはブランク定数を示し
、′IPFi放射線の周波数を示す)が原子又は分子の
吸収帯と合致する放射?Isに物質がさらされるもので
あシ、このような合致は。
の公知の選択的励起方法のうちで、鰻も簡単なものは、
疑いもなく、エネルギーhF(hはブランク定数を示し
、′IPFi放射線の周波数を示す)が原子又は分子の
吸収帯と合致する放射?Isに物質がさらされるもので
あシ、このような合致は。
考慮中の単一のアイソトープ体にのみ生じる。このアイ
ソトープ体のあるものが励起状態にもたらされ、物質が
原子形状の場合には電子的に励起された状態である可能
性もあるが、物質が分子形状の場合には通常は振動的に
励起された状態である。
ソトープ体のあるものが励起状態にもたらされ、物質が
原子形状の場合には電子的に励起された状態である可能
性もあるが、物質が分子形状の場合には通常は振動的に
励起された状態である。
上記の方法は、特に、VSバンドがCO,レーザーの2
話及びPIe線と合致するサルファヘキサフルオリド8
1・に使用される。
話及びPIe線と合致するサルファヘキサフルオリド8
1・に使用される。
従来技術におけるこの方法に関する記載が、例えば、1
日oviet Journal Quantum Kl
ectro−nica j 、第6巻、259(197
6)中12) V、 8゜IICTHOKOV等の論文
、又は「ムpplied PhyslcaLetter
s J 第27巻、87(1975)中OJ。
日oviet Journal Quantum Kl
ectro−nica j 、第6巻、259(197
6)中12) V、 8゜IICTHOKOV等の論文
、又は「ムpplied PhyslcaLetter
s J 第27巻、87(1975)中OJ。
L、 LYMAli 等による論文に発表されている。
上記の方法における振動準位は分子の基本状態に関連し
ている準位である。従ってそのエネルギーは低く、励起
放射線は必然的に遠赤外i内に位置している。CO,レ
ーザーのあるものがうまく8P@バンドと合致しても、
これは必ずしも他の物質にも適用できると限らないので
、約16μm。
ている準位である。従ってそのエネルギーは低く、励起
放射線は必然的に遠赤外i内に位置している。CO,レ
ーザーのあるものがうまく8P@バンドと合致しても、
これは必ずしも他の物質にも適用できると限らないので
、約16μm。
すなわち、遠赤外活性のUIF、Vi吸収帯の波長を放
射する強力な光源を発見する試みがなされてきたが成功
しなかった。従って上記の方法は限定的にしか適用でき
ない。
射する強力な光源を発見する試みがなされてきたが成功
しなかった。従って上記の方法は限定的にしか適用でき
ない。
本発明は、1群だけの放射の代わDtC2群の放射を使
用する方法倉提案することによって上記の欠点を排除す
ることができ、2群の放射は異なる周波数を有しておシ
、選択的励起はもはや実°際の周波数を受けるのではな
くずっと制限の小さい周波数間の差にさらされる。本発
明では、分子を基本状態からエネルギー1マのラマン活
性振動状態にもたらすた応に、式hyl −hlF=
1m xv Kよって結合されている周波数11と11
の2群の放射か励起のために使用さnる。この励起は選
択的特徴を有していて存在する1s類のアイソトープに
のみ影響を及はすので、振動の状態は、従来技術におけ
るように、分子の質量によって定められるエネルギーを
有していなければならない。換言すれば、この状態に対
応するバンドはアイノトーブスベクトルシフトを有して
いなければならない。
用する方法倉提案することによって上記の欠点を排除す
ることができ、2群の放射は異なる周波数を有しておシ
、選択的励起はもはや実°際の周波数を受けるのではな
くずっと制限の小さい周波数間の差にさらされる。本発
明では、分子を基本状態からエネルギー1マのラマン活
性振動状態にもたらすた応に、式hyl −hlF=
1m xv Kよって結合されている周波数11と11
の2群の放射か励起のために使用さnる。この励起は選
択的特徴を有していて存在する1s類のアイソトープに
のみ影響を及はすので、振動の状態は、従来技術におけ
るように、分子の質量によって定められるエネルギーを
有していなければならない。換言すれば、この状態に対
応するバンドはアイノトーブスベクトルシフトを有して
いなければならない。
誘発ラマン散乱を使用する、本発明の方法のプロセスに
おける均質メカニズムは、確かに、通常の吸収だけt使
用する従来技術のメカニズムよシも複雑であるが、放射
周波数間の差が特定の値に対応する2個の光源(実際に
はレーザー)を発見することはこの値に勢しい周波数1
有している単一のレーザー1使用するよシもずっと容易
なので、本発明は実際的な意味で、とシわけ、このよう
な方法に適する光源の発見に関して、相当の簡易化を提
供する。色素を変更するか、又は、回折格子若しくは空
洞内のプリズムタイプの散乱システムを使用することに
よって非常に広い範囲内で(実際には紫外から遠赤外近
辺まで)周波数を整調可能な光線を放出することのでき
る色素レーザーがある。可視範囲内で相当の強度を発す
るンリツドレーザーも公知でTeシ、ルビーレーザーが
最も良く知られている。本発明では、これら02個のレ
ーザーを組み合わせて、色素レーザーの周波数を値、?
、−11 1CV/hに整調するだけで十分である。従
って、もはや、赤外活性周波数mv/hにおいて赤外線
を放射するレーザーを使用する必要はなく、さもないと
、解決できないわけではないとしても相当の問題が起き
る場合がある。従って本発明の方法は従来技術の方法よ
りもずっと広い実際上の適用範囲を有していて、式MI
F6 (式中、Mは8.8e、Te、Mo、W及びUを
含む群に属する元素を示す)を満足させる物質群に適用
できる。
おける均質メカニズムは、確かに、通常の吸収だけt使
用する従来技術のメカニズムよシも複雑であるが、放射
周波数間の差が特定の値に対応する2個の光源(実際に
はレーザー)を発見することはこの値に勢しい周波数1
有している単一のレーザー1使用するよシもずっと容易
なので、本発明は実際的な意味で、とシわけ、このよう
な方法に適する光源の発見に関して、相当の簡易化を提
供する。色素を変更するか、又は、回折格子若しくは空
洞内のプリズムタイプの散乱システムを使用することに
よって非常に広い範囲内で(実際には紫外から遠赤外近
辺まで)周波数を整調可能な光線を放出することのでき
る色素レーザーがある。可視範囲内で相当の強度を発す
るンリツドレーザーも公知でTeシ、ルビーレーザーが
最も良く知られている。本発明では、これら02個のレ
ーザーを組み合わせて、色素レーザーの周波数を値、?
、−11 1CV/hに整調するだけで十分である。従
って、もはや、赤外活性周波数mv/hにおいて赤外線
を放射するレーザーを使用する必要はなく、さもないと
、解決できないわけではないとしても相当の問題が起き
る場合がある。従って本発明の方法は従来技術の方法よ
りもずっと広い実際上の適用範囲を有していて、式MI
F6 (式中、Mは8.8e、Te、Mo、W及びUを
含む群に属する元素を示す)を満足させる物質群に適用
できる。
とシわ峠、本発明の方法は異なるラマン活性ノ(ンド、
% rc 、状3% V3 + V4に対応する8 1
2 typr−”)’ンドにおけるウランヘキサフルオ
リドの選択的励起に困麹なく適用可能である。
% rc 、状3% V3 + V4に対応する8 1
2 typr−”)’ンドにおけるウランヘキサフルオ
リドの選択的励起に困麹なく適用可能である。
誘発ラマン散乱メカニズムの使用に関連しての本発明の
利点は、分子ジェット又は冷却膨張における如き低密度
の媒質twJ起可能なことである。
利点は、分子ジェット又は冷却膨張における如き低密度
の媒質twJ起可能なことである。
こO種類O膨張は、スペクトル上に重ねられていてアイ
ソトープシフトを遮蔽していβホラトノ(ンドの寸法を
減じるために必要なことかある。
ソトープシフトを遮蔽していβホラトノ(ンドの寸法を
減じるために必要なことかある。
特に、本発明は物質の他のアイソトープ体の混合物中に
含まれているこの物質の1ga類Oアイントープ体の分
子の選択的励起を行なうための光学的方法に関するもの
であシ、物質か有している振動分子励起状態からラマン
効果状態が選択され、このラマン効果状態の基本状態に
対するエネルギーlvが分子の質量によって定められて
いて、このエネルギー1マが励起【必要とするアイソト
ープ体に対して定められていて、上記のアイソトープ体
の混合物が、h(71−Pg)−1v(式中、hはブラ
ンク定数)の関係【実証する周波数Pi及びν雪 を夫
々−有している2群の単色で共線状の光線の放射にさら
されることを特徴としている。
含まれているこの物質の1ga類Oアイントープ体の分
子の選択的励起を行なうための光学的方法に関するもの
であシ、物質か有している振動分子励起状態からラマン
効果状態が選択され、このラマン効果状態の基本状態に
対するエネルギーlvが分子の質量によって定められて
いて、このエネルギー1マが励起【必要とするアイソト
ープ体に対して定められていて、上記のアイソトープ体
の混合物が、h(71−Pg)−1v(式中、hはブラ
ンク定数)の関係【実証する周波数Pi及びν雪 を夫
々−有している2群の単色で共線状の光線の放射にさら
されることを特徴としている。
本発明では、選択された状態が2種類の異なる分子振動
モードの組み合わせによって生じる状態であり、2種類
のモードの少なくとも=方、好ましくは両方がアイソト
ープシフトを備えているととが好都合である。
モードの組み合わせによって生じる状態であり、2種類
のモードの少なくとも=方、好ましくは両方がアイソト
ープシフトを備えているととが好都合である。
タイプMP6 分子の場合Kri、特に選択される状態
は(Vl+V4)結合バンドに対応する状態、すなわち
、一方がMFMの■3バンドに対応し、他方がMF・の
v4バンドに対応するZfi類の状態の組み合せにより
生じる状態であるムこの選択の利点は、v1バンドとv
4バンドとの両方がアイソトープスペクトルシフトに関
連しているので、(Vs+v4)バンドがこれらのシフ
トを結合し、選択力の改善に適合することである。
は(Vl+V4)結合バンドに対応する状態、すなわち
、一方がMFMの■3バンドに対応し、他方がMF・の
v4バンドに対応するZfi類の状態の組み合せにより
生じる状態であるムこの選択の利点は、v1バンドとv
4バンドとの両方がアイソトープスペクトルシフトに関
連しているので、(Vs+v4)バンドがこれらのシフ
トを結合し、選択力の改善に適合することである。
誘発#4は東に上記の方法を実行する装置にも関する。
この装置は、物質のアイソトープ体の混合物を含んでい
るタンクを有していて、この物質が振動分子励起状態を
有していてこれらの励起状態の少なくとも1個がアイソ
トーブシフトを備えておシ、111類のアイソトープ体
においてこの励起状態の基本状態に対するエネルギーが
lv K等しく;更に、関係h(pm−1F2)−Kv
を実証する周波99 Ft a Faにおいて夫々
単色放射線を放出する2個の光源と;光学的手段とfC
有していて、光源によって放出されfC2群の廉射線が
共線状にされ、これらの共線状の放射縁が上記のタンク
内に向けられるという特徴を有している。
るタンクを有していて、この物質が振動分子励起状態を
有していてこれらの励起状態の少なくとも1個がアイソ
トーブシフトを備えておシ、111類のアイソトープ体
においてこの励起状態の基本状態に対するエネルギーが
lv K等しく;更に、関係h(pm−1F2)−Kv
を実証する周波99 Ft a Faにおいて夫々
単色放射線を放出する2個の光源と;光学的手段とfC
有していて、光源によって放出されfC2群の廉射線が
共線状にされ、これらの共線状の放射縁が上記のタンク
内に向けられるという特徴を有している。
本発明の方法及び装fFi物理学の種々の領域、特に分
光学の分野に適用可能であるが、アイソトーブ分離の領
域が適用O優先領域である。このような分離を得るため
には、本発明の選択的励起作業に続いて、振動励起の基
準に関して分子の識別を行なうのに適している作業を行
なうことだけが必要である。これは、励起分子だけを解
離状態にもたらすための光学的放射に混合物がさらされ
る場合にはいかなる公知の手段によっても、とりわけ、
光解離によって行なう仁とができ、又、活性化エネルギ
ーが分子の励起エネルギーに近いように反応が選択され
ている場合F−は化学反応のみによって行なうことがで
きる。
光学の分野に適用可能であるが、アイソトーブ分離の領
域が適用O優先領域である。このような分離を得るため
には、本発明の選択的励起作業に続いて、振動励起の基
準に関して分子の識別を行なうのに適している作業を行
なうことだけが必要である。これは、励起分子だけを解
離状態にもたらすための光学的放射に混合物がさらされ
る場合にはいかなる公知の手段によっても、とりわけ、
光解離によって行なう仁とができ、又、活性化エネルギ
ーが分子の励起エネルギーに近いように反応が選択され
ている場合F−は化学反応のみによって行なうことがで
きる。
以下添付の図面上参照しつつ本発明の詳細な説明する。
本発明の方法は、まず、−111v/h fC一致す
る周波数yt −yt o放射を生ぜしめ、次いでアイ
ソ;:・ トープ混合体をこの周波数F、 −7,の放射Kl&j
lして周波数x v/ h における吸収帯を有して
いるいずれかのアイソトープを励起させる1周波数ν1
と1’、12)2個の放射の非線形の組み合せから成る
ものではないことをまず指摘しておく。このような方法
は可能ではあるが、効率が非常に小さいので有利ではな
い。その理由は1周波数y1.y、02個の放射を周波
数F、 −IPIC)放射に転換するために非線形の結
晶倉使用する必要があシ、得られる転換率が非常に小さ
く、1パーセント以下であることによる。
る周波数yt −yt o放射を生ぜしめ、次いでアイ
ソ;:・ トープ混合体をこの周波数F、 −7,の放射Kl&j
lして周波数x v/ h における吸収帯を有して
いるいずれかのアイソトープを励起させる1周波数ν1
と1’、12)2個の放射の非線形の組み合せから成る
ものではないことをまず指摘しておく。このような方法
は可能ではあるが、効率が非常に小さいので有利ではな
い。その理由は1周波数y1.y、02個の放射を周波
数F、 −IPIC)放射に転換するために非線形の結
晶倉使用する必要があシ、得られる転換率が非常に小さ
く、1パーセント以下であることによる。
それに比べて、本発明では、Flとy、o周波数の放射
が非常に特殊な仕組み、すなわち、誘発ラマン散乱の作
用によって励起分子内で組み合わ°され、得られる転換
率はずっと高く、約50パーセントにもなる。
が非常に特殊な仕組み、すなわち、誘発ラマン散乱の作
用によって励起分子内で組み合わ°され、得られる転換
率はずっと高く、約50パーセントにもなる。
本発明のこの1喪な特徴の理解を容易にするために、%
KM発ラマン散乱に関してラマン効果の原理【説明する
。
KM発ラマン散乱に関してラマン効果の原理【説明する
。
光放射O角数分布が物質によって変化することは一般的
に知られておシ、そのために散乱放射が生じる。この放
射は一般的に入射放射と同じ周波数七−している。こう
してレイリー散乱現象が生じるが、入射放射Oあるもの
が多数の離散周波数にわたって散乱することがらシ、入
射放射よシも低い周波数も高い周波数も生じる。低いも
のはストークス線、高いものは反ストークス線と呼ばれ
る。散乱放射におけるこの線のスペクトルの出現によっ
てラマン効果が生じる。
に知られておシ、そのために散乱放射が生じる。この放
射は一般的に入射放射と同じ周波数七−している。こう
してレイリー散乱現象が生じるが、入射放射Oあるもの
が多数の離散周波数にわたって散乱することがらシ、入
射放射よシも低い周波数も高い周波数も生じる。低いも
のはストークス線、高いものは反ストークス線と呼ばれ
る。散乱放射におけるこの線のスペクトルの出現によっ
てラマン効果が生じる。
第1図OII図を参照してこの現象を簡単に説明する。
この線図は分子のいくつかのエネルギ一単位を示してい
る:準位8oは分子の基本状態に対応し、8ovはこの
基本状IIK関連の振動準位に対応する。ラマン散乱プ
ロセス間に分子が二重遷移1受け、第10遷移によって
分子がエネルギーh11 の光子に吸収して基本状態
SOから高い状態Sに変化し、第20遷移によって状態
8から振動状態8ovに達する。状態8は常に安定して
いるわけではない(例えば高い状態が電子的に励起して
いる状態にあるけい光メカニズムにおける如<K)ので
、8を通っての遷移はある程度実質的な奄のである。
る:準位8oは分子の基本状態に対応し、8ovはこの
基本状IIK関連の振動準位に対応する。ラマン散乱プ
ロセス間に分子が二重遷移1受け、第10遷移によって
分子がエネルギーh11 の光子に吸収して基本状態
SOから高い状態Sに変化し、第20遷移によって状態
8から振動状態8ovに達する。状態8は常に安定して
いるわけではない(例えば高い状態が電子的に励起して
いる状態にあるけい光メカニズムにおける如<K)ので
、8を通っての遷移はある程度実質的な奄のである。
分子によって再放出された光子はエネルギーhFs
を有しており、仁の場合に、周波数Pgは最大において
周波数IPM に轡しく、分子がSから基本状態80
に直接的に戻る場合に等しくなる。
を有しており、仁の場合に、周波数Pgは最大において
周波数IPM に轡しく、分子がSから基本状態80
に直接的に戻る場合に等しくなる。
入射光子のエネルギーh’iF、と散乱光子のエネルギ
ーhFs との距離が、遷移によって導かれる振動準
位のエネルギー1v f示している。従って、hFs
< hlFB なので、エネルギーhFs に対応
する線はストークス線である。
ーhFs との距離が、遷移によって導かれる振動準
位のエネルギー1v f示している。従って、hFs
< hlFB なので、エネルギーhFs に対応
する線はストークス線である。
入射光子がすでに振動状態にある分子に出会う場合には
、分子がよシ島い状態i′に導かれ、この状態から基本
状態8o F−直接的に戻る。この場合には、散乱光子
のエネルギーhlFag−か入射光子のエネルギーhF
1よ如大きいので反ストークス線か生じる。このプロセ
スが第1図の右手に象徴的に図示されている。
、分子がよシ島い状態i′に導かれ、この状態から基本
状態8o F−直接的に戻る。この場合には、散乱光子
のエネルギーhlFag−か入射光子のエネルギーhF
1よ如大きいので反ストークス線か生じる。このプロセ
スが第1図の右手に象徴的に図示されている。
ストークス線と反ストークス線とが共に物質のラマンス
サ)トルを形成している。分子の各振動単位に変動分解
の一連の回転準位が関連しているので各fIIは実際に
はバンドであり、従って遷移がゼロ幅を備えることにな
い。
サ)トルを形成している。分子の各振動単位に変動分解
の一連の回転準位が関連しているので各fIIは実際に
はバンドであり、従って遷移がゼロ幅を備えることにな
い。
放射密度が相当大きくなった場合には誘発現象が生じ、
ラマン線の放出が強化される。この現象は、最大のラマ
ン効果部分を有するストークス遷移の現象に関して主と
して生じろ。例えば、 MF・型の分子の場合には、こ
の優先的な遷移によって振動状態−に導かれる。
ラマン線の放出が強化される。この現象は、最大のラマ
ン効果部分を有するストークス遷移の現象に関して主と
して生じろ。例えば、 MF・型の分子の場合には、こ
の優先的な遷移によって振動状態−に導かれる。
自然に得られる遷移以外の誘発遷移を得ることが望まし
い場合には(例えば、MIF6 分子の場合には:遷移
r4 と異なる遷移(Vl+V4)、この遷移は第2
0入射放射によって1誘発」されねばならず、その周波
数は所望の遷移に対応しなければなら表い。
い場合には(例えば、MIF6 分子の場合には:遷移
r4 と異なる遷移(Vl+V4)、この遷移は第2
0入射放射によって1誘発」されねばならず、その周波
数は所望の遷移に対応しなければなら表い。
第2図は使用されている遷移;すなわち、エネルギーh
FI O光子0Flk収に対応する第1の遷移とエネ
ルギーhy、の光子の誘発放出に対応する第20遷移と
を図表によシ図示している。分子は、再び、基本状態か
ら離れている振動状態1vにある。2個の光子を備えて
いるこのプロセスが誘発ラマン散乱を構成している。こ
れは基本的に共鳴の条件、hy、 −hy、 ” Mマ
に連結されている。
FI O光子0Flk収に対応する第1の遷移とエネ
ルギーhy、の光子の誘発放出に対応する第20遷移と
を図表によシ図示している。分子は、再び、基本状態か
ら離れている振動状態1vにある。2個の光子を備えて
いるこのプロセスが誘発ラマン散乱を構成している。こ
れは基本的に共鳴の条件、hy、 −hy、 ” Mマ
に連結されている。
ζうして入射エネルギーの散乱エネルギーへの相当の転
換が導かれる。
換が導かれる。
分子がすでに振動状態にある時に分子が入射光子倉吸収
し、次いで直接的に基本状態に逆励起されると(第2図
の右手部分にこの状態が図示されている)、その結果と
して反ストークス線が得られる。このプロセスの利点は
、この状態に対応する反ストークス線の強度が直接的に
この状態にある分子の数に依存するので振動の状態の母
集団倉副定できることである。
し、次いで直接的に基本状態に逆励起されると(第2図
の右手部分にこの状態が図示されている)、その結果と
して反ストークス線が得られる。このプロセスの利点は
、この状態に対応する反ストークス線の強度が直接的に
この状態にある分子の数に依存するので振動の状態の母
集団倉副定できることである。
この誘発ラマン散乱現象はそれ自体公知であシ、そのた
めに理論的及び実験的研究が行なわれてきた。雑誌[ム
pplied Physics Letters J
、 lN23巻、240.1973に発表されているP
。
めに理論的及び実験的研究が行なわれてきた。雑誌[ム
pplied Physics Letters J
、 lN23巻、240.1973に発表されているP
。
RIGM工IRの論文を参照のこと。本発明はこの現象
の、物質のフィントープ体の選択的励起への特定の適用
から成る。
の、物質のフィントープ体の選択的励起への特定の適用
から成る。
予備的な特徴を上記に説明したが、第3図に図表的に示
されている本発明の方法は下記の如くである。第1に、
問題の物質に対して選択されている振動状!l■は、エ
ネルギーが分子の質量によって定められる振動状態であ
る。多くの研究によって大部分の単独分子の振動の種々
のモードのすべての特徴が明らかにされているので、上
記の選択によって従来技術における問題が生じることは
ない。Van Moetrand Kよ)刊行された
[工ntra−re4 anl Raman、 8p@
ctra of PolyatomicMolecul
@# J という題のG、 HMRZBEROKよる
刊行物が一例である。
されている本発明の方法は下記の如くである。第1に、
問題の物質に対して選択されている振動状!l■は、エ
ネルギーが分子の質量によって定められる振動状態であ
る。多くの研究によって大部分の単独分子の振動の種々
のモードのすべての特徴が明らかにされているので、上
記の選択によって従来技術における問題が生じることは
ない。Van Moetrand Kよ)刊行された
[工ntra−re4 anl Raman、 8p@
ctra of PolyatomicMolecul
@# J という題のG、 HMRZBEROKよる
刊行物が一例である。
基本状態に関して考慮されているこの状態のエネルギー
は、アイソトープエI K対しては(1!、マ)lであ
シ、第2のアイントープエ雪 に対しては(lv)tで
ある。換言すれば、状11v#lc%有のバンドrがフ
ィントープスペクトルシフトを有している−すべでのバ
ンドがこのシフトを有しているわけチはない。分子の完
全に相称的な振動モードに連結されていて、かくて中心
原子の質量によって左右されないものがある。これは、
%に、MFe型の分子Oバンドvl にあてはまる。
は、アイソトープエI K対しては(1!、マ)lであ
シ、第2のアイントープエ雪 に対しては(lv)tで
ある。換言すれば、状11v#lc%有のバンドrがフ
ィントープスペクトルシフトを有している−すべでのバ
ンドがこのシフトを有しているわけチはない。分子の完
全に相称的な振動モードに連結されていて、かくて中心
原子の質量によって左右されないものがある。これは、
%に、MFe型の分子Oバンドvl にあてはまる。
一方、こO糧類の分子の別々に赤外活性のバンドVs
とv4O各々が分光変位を有している。ラマン活性O
結合バンド(Vl+V4)がこれらの2個のシフトを結
合し、かくてこの適用において優先バンドを構成する。
とv4O各々が分光変位を有している。ラマン活性O
結合バンド(Vl+V4)がこれらの2個のシフトを結
合し、かくてこの適用において優先バンドを構成する。
この第10条件を満足させる振動の状態が選択されると
、対応するラマン活性バンドのエネルギーlvが定めら
れ、尋問的な研究の表にすでに示されているか、又は2
77分光学によって測定されるので、従来技術における
問題が生じることにない。
、対応するラマン活性バンドのエネルギーlvが定めら
れ、尋問的な研究の表にすでに示されているか、又は2
77分光学によって測定されるので、従来技術における
問題が生じることにない。
エネルギー1vFi知られておシ、夫々の放射周波数1
1と?、が、h(IP1’IIs )がmvに等しい、
2個の光源、好ましくはレーザーが次いで選択される。
1と?、が、h(IP1’IIs )がmvに等しい、
2個の光源、好ましくはレーザーが次いで選択される。
この共鳴条件が単独アイソトープに対して満足させられ
ると、その励起によって他のアイソトープが確実に排除
される。従って、アイソトープ体Il O選択的励起が
行なわれる。
ると、その励起によって他のアイソトープが確実に排除
される。従って、アイソトープ体Il O選択的励起が
行なわれる。
誘発ラマン散乱現象のj!に正確な理論が、周波数11
とy、 O入射放射に対応する波ベクトルが実質的に共
線状でなければならないことを示している。実験的レベ
ルでFi、これは、アイソトープ混合体に向けられてい
る光線も実質的に共線状でなゆればならないことを意味
する。
とy、 O入射放射に対応する波ベクトルが実質的に共
線状でなければならないことを示している。実験的レベ
ルでFi、これは、アイソトープ混合体に向けられてい
る光線も実質的に共線状でなゆればならないことを意味
する。
本発明の方法を実行するための装置が第4図に略図示さ
れている。タンク(2)内にアイソトープ混合体が入れ
られてお夛、タンクの少なくとも一面(4)が透明であ
る。第1のレーザー(6)が鏡(10)によってタンク
(2)内に向けられる光ビーム(8)を放射する。第2
0レーザー(12)が同様に鏡(20)を通ってタンク
に向け−られる光線(14)を放射する。従って鏡(1
0)は二色性でなければならない。例えば、レーザー(
6)はる943ムにおいて光パルスを放出するルビーレ
ーザーであシ、レーザー(12)Fi公知の手段(図示
せず)によって波長Oll!JIiが可能な色素レーザ
ーである。ζOレーザニもパルス状に作動する。色素レ
ーザー(12)O光ポンピングのためにビーム(8)の
一部を回収することが好都合である。このために、ビー
ム(8)0経路内に半透明の@(16)が配置されてい
る。こうしてレーザー(12)に向けられるビーム(1
8)が発生する。所望の場合には、減衰フィルタ(22
)と分光写真器(24)とが関連して設けられている第
20透明の窓(20)がタンク(2)に設けられており
、分光写真器(24)F−よって物質のスペクトルを検
知することかでき、とシわけ、励起振動状11MK対応
する反ストークス線の強度【測定することができる。こ
のような測定によって色素レーザー周波数の調整をモニ
タすることができる。
れている。タンク(2)内にアイソトープ混合体が入れ
られてお夛、タンクの少なくとも一面(4)が透明であ
る。第1のレーザー(6)が鏡(10)によってタンク
(2)内に向けられる光ビーム(8)を放射する。第2
0レーザー(12)が同様に鏡(20)を通ってタンク
に向け−られる光線(14)を放射する。従って鏡(1
0)は二色性でなければならない。例えば、レーザー(
6)はる943ムにおいて光パルスを放出するルビーレ
ーザーであシ、レーザー(12)Fi公知の手段(図示
せず)によって波長Oll!JIiが可能な色素レーザ
ーである。ζOレーザニもパルス状に作動する。色素レ
ーザー(12)O光ポンピングのためにビーム(8)の
一部を回収することが好都合である。このために、ビー
ム(8)0経路内に半透明の@(16)が配置されてい
る。こうしてレーザー(12)に向けられるビーム(1
8)が発生する。所望の場合には、減衰フィルタ(22
)と分光写真器(24)とが関連して設けられている第
20透明の窓(20)がタンク(2)に設けられており
、分光写真器(24)F−よって物質のスペクトルを検
知することかでき、とシわけ、励起振動状11MK対応
する反ストークス線の強度【測定することができる。こ
のような測定によって色素レーザー周波数の調整をモニ
タすることができる。
出願人Fi第4図に図示されている装置を下記の条件で
うまく使用することができた:レーザー(6)は、
14403511−” に相当する固定周波数におけ
るビークカZ5GW、持続期間2nsのパルスを放出す
るルビーレーザーであった:放出された力の半分、すな
わち、12GWがDO’l’CI色素を使用している調
整可能な色素レーザーにポンプ作用を加えるために使用
された。第2のレーザーがビーフカα5GW、持続期間
2nsのパルスを放出したニスベクトル幅はαδ1−1
以下であシ、放出されたバンドは128 S 5F@
m−” を中心とする300信−I C)@O範囲
内で制御可能であった。タンクは0から22パールの範
囲の調整可能な圧力下でSy6が充填されている1s*
Oチユーブであった。タンクの出口では、励起波長がろ
過され、反ストークス放射だけがOZKRMY −TU
RMICR型で、2 (LQ Ono分散能を有してい
る分光写真器(24)K達した。
うまく使用することができた:レーザー(6)は、
14403511−” に相当する固定周波数におけ
るビークカZ5GW、持続期間2nsのパルスを放出す
るルビーレーザーであった:放出された力の半分、すな
わち、12GWがDO’l’CI色素を使用している調
整可能な色素レーザーにポンプ作用を加えるために使用
された。第2のレーザーがビーフカα5GW、持続期間
2nsのパルスを放出したニスベクトル幅はαδ1−1
以下であシ、放出されたバンドは128 S 5F@
m−” を中心とする300信−I C)@O範囲
内で制御可能であった。タンクは0から22パールの範
囲の調整可能な圧力下でSy6が充填されている1s*
Oチユーブであった。タンクの出口では、励起波長がろ
過され、反ストークス放射だけがOZKRMY −TU
RMICR型で、2 (LQ Ono分散能を有してい
る分光写真器(24)K達した。
出願人は、上記の装置を使用して、ラマン活性であ)、
バンドvs及びVa (夫々、17cIm−’ 及び
2.8 as−” )と関連しているアイソトープシフ
トを結合する8F@の結合バンド(Vl + V4)の
測定を行な’pた。しかし、(v、+v、)又I/1(
Vi+Vs)の如き他のラマン活性バンドを使用するこ
ともできる。使用されたサルファヘキサフルオリドは4
.4911O”8F、 ト9510 ”381F、
O天然比率を有していて、アイソトープ53はわずかに
無視できる量しか存在していない。アイソトープ32o
バント(v、+v4)に関して測定されたスト−クス及
び反ストークスシフトは1570α−1(±1eM−1
)に等しいことがわかル、これは2個Oレーザーによっ
て放出された放射の2種の波数間の差(14403−1
2833眞1570)に岬しい。反ストークスバンド(
VB + 74 )は207ff −’幅の二重線の形
状を成している。短い波長側に付値している二重線の成
分は最も量の少ないアイソトープM4By、に対応し、
他方の2分は”SF=に対応する。この二重線は完全に
相称的な振動2vI K対応する反ストークスバンドの
第二高調波に近接している。これらの異なるバ。ンドO
相対的配列が出願人の行なった測定から第5図に略図示
されている。
バンドvs及びVa (夫々、17cIm−’ 及び
2.8 as−” )と関連しているアイソトープシフ
トを結合する8F@の結合バンド(Vl + V4)の
測定を行な’pた。しかし、(v、+v、)又I/1(
Vi+Vs)の如き他のラマン活性バンドを使用するこ
ともできる。使用されたサルファヘキサフルオリドは4
.4911O”8F、 ト9510 ”381F、
O天然比率を有していて、アイソトープ53はわずかに
無視できる量しか存在していない。アイソトープ32o
バント(v、+v4)に関して測定されたスト−クス及
び反ストークスシフトは1570α−1(±1eM−1
)に等しいことがわかル、これは2個Oレーザーによっ
て放出された放射の2種の波数間の差(14403−1
2833眞1570)に岬しい。反ストークスバンド(
VB + 74 )は207ff −’幅の二重線の形
状を成している。短い波長側に付値している二重線の成
分は最も量の少ないアイソトープM4By、に対応し、
他方の2分は”SF=に対応する。この二重線は完全に
相称的な振動2vI K対応する反ストークスバンドの
第二高調波に近接している。これらの異なるバ。ンドO
相対的配列が出願人の行なった測定から第5図に略図示
されている。
(Vm+Vn)と2V1 1vIO準合致はtrys
に関しては再現されず、−この場合に、2V1−13
545″−1、VB+V4 m 812511−”
”t’あることが好都合である。
に関しては再現されず、−この場合に、2V1−13
545″−1、VB+V4 m 812511−”
”t’あることが好都合である。
一方のレーザーが1llI!整可能なので測定を共鳴周
囲で行なうことができる。このためには、色素レーザー
0[波数IF、 を回折格子の回転によって変動させ
ることが必要なだけである。条件h(yl−?、 )
−x (Vm + v4 )が満足させられている時に
、反ストークスバンドの強度が得られる最高値の両側で
減少することがわかる。この強度が準位v3+v4
の母集団の直接的な関数な0で(第2図の右方に関して
上記に説明したように)、選択的励起が共鳴において最
大であることがわかる。
囲で行なうことができる。このためには、色素レーザー
0[波数IF、 を回折格子の回転によって変動させ
ることが必要なだけである。条件h(yl−?、 )
−x (Vm + v4 )が満足させられている時に
、反ストークスバンドの強度が得られる最高値の両側で
減少することがわかる。この強度が準位v3+v4
の母集団の直接的な関数な0で(第2図の右方に関して
上記に説明したように)、選択的励起が共鳴において最
大であることがわかる。
アイソトープ分離方法において選択的励起プロセスが最
初の段階として使用される場合には、この方法を実行す
る装置KFi振動励起基準に基いて分子を識別するため
の手段が設けられていなければならない。これらの手段
はいかなる公知の種類のものであっても良く、とシわけ
、第6図に示されている如き光解離手段から成るものと
することができる。
初の段階として使用される場合には、この方法を実行す
る装置KFi振動励起基準に基いて分子を識別するため
の手段が設けられていなければならない。これらの手段
はいかなる公知の種類のものであっても良く、とシわけ
、第6図に示されている如き光解離手段から成るものと
することができる。
第6図はすてに第4図に図示されている光学手段、すな
わち、2個のレーザー(6)(12)と二色柱鏡(10
)と【示している。更に、吸込管(52)を通ってアイ
ソトープ体の混合物が供給さ扛、排出管(S 6 )K
接続されているアイソトープ分離方法ク(30)も図示
されている。タンク(3o )tま2個の透明な窓(4
2)(44)を備えている。第10窓(42)Fiレー
ザー(6)(12)によって発生された選択的励起放射
線用のものであシ、第2の窓(44)によって、第30
レーザー(44)Kよシ放出された第3の放射線か導入
される。この第5の放射線がすでにエネルギー1マの振
動状11に4たらされた分子の解離を行なう。この第5
の放射線の光子のエネルギーIpは1マ+Np)Id
(式中、1dは解離エネルギー【示す)を満足させるも
ので1L更に、罵p<]CdL なので非励起状11
0分子の解離は不可能である。整調可能な色素レーザー
によってこの二重の条件を満足させることができる。
わち、2個のレーザー(6)(12)と二色柱鏡(10
)と【示している。更に、吸込管(52)を通ってアイ
ソトープ体の混合物が供給さ扛、排出管(S 6 )K
接続されているアイソトープ分離方法ク(30)も図示
されている。タンク(3o )tま2個の透明な窓(4
2)(44)を備えている。第10窓(42)Fiレー
ザー(6)(12)によって発生された選択的励起放射
線用のものであシ、第2の窓(44)によって、第30
レーザー(44)Kよシ放出された第3の放射線か導入
される。この第5の放射線がすでにエネルギー1マの振
動状11に4たらされた分子の解離を行なう。この第5
の放射線の光子のエネルギーIpは1マ+Np)Id
(式中、1dは解離エネルギー【示す)を満足させるも
ので1L更に、罵p<]CdL なので非励起状11
0分子の解離は不可能である。整調可能な色素レーザー
によってこの二重の条件を満足させることができる。
上記の種類の装置を、例えば、ヘキサフルすリド形状の
ウラニウムアイントープ31ag及び冨S易U−0分離
に好都合に使用できる。
ウラニウムアイントープ31ag及び冨S易U−0分離
に好都合に使用できる。
仁の場合には、管(36)を通って回収されたガス混合
体は消耗したU*S% アイソトープ含有物と揮発性
の解離生成物とを含んでいるUP、 から成シ、UM
Mm に富んだ固相がタンクO壁体に付着して容易に
回収てきる。
体は消耗したU*S% アイソトープ含有物と揮発性
の解離生成物とを含んでいるUP、 から成シ、UM
Mm に富んだ固相がタンクO壁体に付着して容易に
回収てきる。
ホットバンドの範囲を減じるために分子ジェットから得
られる低密1c+媒質の使用が可能である;最初の混合
体が圧縮され、次いでa!7図に示す如くにポンプ管(
36)の軸上に配置されているノズル(34)t−通っ
て膨張させられる。
られる低密1c+媒質の使用が可能である;最初の混合
体が圧縮され、次いでa!7図に示す如くにポンプ管(
36)の軸上に配置されているノズル(34)t−通っ
て膨張させられる。
所望の場合には、管(36)内を通るガスを分離装置内
に再導入して再製St−行ない得る。
に再導入して再製St−行ない得る。
エネルギー1マに近い活性化エネルギーに有している化
学反応を選択的に励起された分子の識別を行なう手段と
して使用することもできる。
学反応を選択的に励起された分子の識別を行なう手段と
して使用することもできる。
ある場合には、1liK、周波数νl及びF、の励起レ
ーザーが非常に強力な場合には、拡大現象が生じてひと
夛でに光解離が生じるのでこの目的のための補助手段を
必要としない。この拡大メカニズムが第8図に略図示さ
れている。
ーザーが非常に強力な場合には、拡大現象が生じてひと
夛でに光解離が生じるのでこの目的のための補助手段を
必要としない。この拡大メカニズムが第8図に略図示さ
れている。
準位(VB +V4 )が強烈な光子励起によって飽和
させられている。この単位が新しい銹発うマン散乱グロ
七ス用の開始準位として作用して分子が新しい励起状@
z(vm+’Vn)にもたらされ、この状態から新しい
励起プロセスが展開され、このように続く。かくて分る
が解離連続体に達する。
させられている。この単位が新しい銹発うマン散乱グロ
七ス用の開始準位として作用して分子が新しい励起状@
z(vm+’Vn)にもたらされ、この状態から新しい
励起プロセスが展開され、このように続く。かくて分る
が解離連続体に達する。
この方法は内部転換メカニズムによって限定され、この
間にn (7B + Va )型の結合振動が単独振動
の種々の線状結合に変化させられ、更に、オーダー!と
共に増大する振動の非調和性を含むメカニズムによって
も限定される。
間にn (7B + Va )型の結合振動が単独振動
の種々の線状結合に変化させられ、更に、オーダー!と
共に増大する振動の非調和性を含むメカニズムによって
も限定される。
反ストークス放出は最小限にしなければならない寄生的
現象として生じる。しかし、反ストークス放出はストー
クス放出よシもずっと小さく(1o−1)、従ってプロ
セスに実質的に伺ら影響【与えない。
現象として生じる。しかし、反ストークス放出はストー
クス放出よシもずっと小さく(1o−1)、従ってプロ
セスに実質的に伺ら影響【与えない。
蒙1図はラマン散乱メカニズムを示している図表である
。 第2図は誘発ラマン散乱メカニズムを図示している図表
である。 第5図は本発明の選択励起メカニズム【示している図表
である。 第4図は本発明の選択励起装置を図示している線図であ
る。 第5図はサルファヘキサスルオリド02種のアイソトー
プ体O混合物によシ得られるスペクトルを示している。 第6図は本発明のアイントープ分離装置を略図示してい
る。 第7図は本発明の装置の特定の実施例を示している。 第8図は解離を行なうのに適している拡大メカニズム1
図示している。 (図中符号) 2・−・タンク、4.20・・・透明窓、6゜12−・
・レーザー、8・・・ビーム、10゜16・・e鏡、2
2・・・減衰フィルタ、24・・・分光写真器、30・
・・分離タンク、52@・・吸込管、56・−・排出管
、42.44・・・・透明な窓、46′トレーザー。 代理人 弁理士(8107) 佐々木 清 隆(ほか
5名) ′:# い + 一
。 第2図は誘発ラマン散乱メカニズムを図示している図表
である。 第5図は本発明の選択励起メカニズム【示している図表
である。 第4図は本発明の選択励起装置を図示している線図であ
る。 第5図はサルファヘキサスルオリド02種のアイソトー
プ体O混合物によシ得られるスペクトルを示している。 第6図は本発明のアイントープ分離装置を略図示してい
る。 第7図は本発明の装置の特定の実施例を示している。 第8図は解離を行なうのに適している拡大メカニズム1
図示している。 (図中符号) 2・−・タンク、4.20・・・透明窓、6゜12−・
・レーザー、8・・・ビーム、10゜16・・e鏡、2
2・・・減衰フィルタ、24・・・分光写真器、30・
・・分離タンク、52@・・吸込管、56・−・排出管
、42.44・・・・透明な窓、46′トレーザー。 代理人 弁理士(8107) 佐々木 清 隆(ほか
5名) ′:# い + 一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)物質の他のアイソトープ体の混合物中に含まれてい
るこの物質の1種類のアイソトープ体の分子の選択的励
起のための光学的方法で゛あシ、該物質が有している振
動分子励起状態からラマン効果状態が選択され、ζOラ
マン効果状態の基本状態に対するエネルギーlvが分子
の質量によって定められてお如、該エネルギー1vが励
起を必要とするアイソトープ体に対して定められていて
、上記のアイソトープ体の混合物が、h(1’x−Pg
)−罵マ、(式中、hはブランク定数)の関係を実証す
る周波数1.及びy、’to2一群の単色光で共線状の
光線の放射にさらされるととt+V徴とする光学的方法
。 2)第1 O1t?llrが一定〇−波数Itl&有し
ている゛第1のレーザーによって発生され、第20光線
が調整可能な周波数F3 を有している第2のレーザー
によって発生され、周波数13がIP、 m y、 −
KV/hの値に調整されているととis徴とする特許請
求の範囲第(1)項に記載の物質の1種類のアイソトー
プ体の分子の選択的励起のためO光学的方法。 3)上記の物質がウラン化合物であること七特徴とする
特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項に記載の物質
の1種類のアイソトープ体の分子の選択的励起0丸めの
光学的方法。 4)上記の化合物がウランヘキサフルオリドであること
【特徴とする特許請求の範囲第(3)項に記載の物質0
1種類のフィントープ体の分子の選択的励起のための光
学的方法。 5)上記o@質が弐Mν・ (式中、Ml−’18m
B@@To、Mo、W を含む群に属する)を満足さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記載
の物質の111類のアイソトープ体0分子の選択的励起
の良めO光学的方法。 6)選択され良状態が2種の異なる分子振動状態間のラ
マン活性結合状態であシ、2種の状態の少なくとも一方
、好ましくは両方がフィントープシフトを有しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第(4)項又Fi第(5
)項のいずれか1項に記載の物質の1種類のアイソトー
プ体の分子の選択的励起のための光学的方法。 7)上記の結合状態が状態(V、+V4)であることを
特徴とする特許請求の範囲第(6)項に記載の物質の1
種類のアイソトープ体の分子の選択的励起Ofcめの光
学的方法。 8)物質のアイソトープ体の混合物を含んでいるタンク
を有していて、該物質が振動分子励起状態を有していて
これらの励起状態の少なくとも1個がフィントープシフ
トfr411iえておシ、18[類のアイソトープ体に
おいてこの状態0基本状態に対するエネルギーがKVに
等しく;更に、関係h(Fl−11)−1v を東征す
る周波数PH+ 12 において夫々単色放射線を放出
する2個の光源と;光学的手段とを有していて、光源に
よって放出され良2群の放射線が共線状にされ、骸共線
状の放射線が上記のタンク内に向けられることを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項から第(7)項のいずれ
か1項に記載の物質の1種類のアイソトープ体の分子の
選択的励起のための方法を実行するための装置。 9)上記の光源がレーザーであるととt−特徴とする特
許請求の範囲第(8)項に記載の装置。 10)一方のレーザーがソリッドレーザー、と)ゎけ、
ルビーレーザーであシ、他方のレーザーがソリッドレー
ザーによシ放出された放射線のあるものによってポンプ
作用を受けた整調可能な色素レーザーであることを特徴
とする特許請求の範囲第(9)項に記載の装置。 11)1種類のアイソトープ体の選択的励起と、これに
続いての、振動的に励起している分子と非励起0分子と
の分離とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項がら第(7)項のいずれが1項に記載の物質01
種類のフィントープ体の分子の選択的励起0良め0方法
のアイソトープ分層への適用。 12)分離作業が光解離であ)、振動的に励起されてい
る分子だけを解離状態にもたらすための光学的放射に混
合物がさらされることを特徴とする特許請求の範囲第O
υ項に記載の物質01種類のアイソトープ体の分子の選
択的励起のための方法のアイソトーブ分離への適用。 13)分離作業がエネルギーlvに近い活性化エネルギ
ーを有している化学反応から成ることを特徴とする特許
請求の範囲第(6)項に記載の物質の1種類のアイソト
ープ体の分子の選択的励起のための方、法のアイソトー
プ分離への適用。 1リウランアイントーブの分離への、特許請求の範mv
、ov項から第(至)項のいずれか1項に記載の適用。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7730681A FR2494596B1 (fr) | 1977-10-12 | 1977-10-12 | Procede optique d'excitation selective d'une variete isotopique d'un corps, dispositif de mise en oeuvre et application a la separation isotopique |
DE19782843686 DE2843686A1 (de) | 1977-10-12 | 1978-10-06 | Verfahren und vorrichtung zur selektiven optischen erregung einer isotopenmannigfaltigkeit eines koerpers und anwendung des verfahrens |
EP82400308A EP0086921A1 (fr) | 1977-10-12 | 1982-02-22 | Procédé optique d'excitation sélective d'une variété isotopique d'un corps, dispositif de mise en oeuvre et application à la séparation isotopique |
JP57027540A JPS58146427A (ja) | 1977-10-12 | 1982-02-24 | 物質のアイソト−プ体の選択励起のための光学的方法、この方法を実行する装置及びアイソト−プ分離への適用 |
AU80927/82A AU8092782A (en) | 1977-10-12 | 1982-02-26 | Optical process for selective excitation of isotopes and use in isotope separation |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7730681A FR2494596B1 (fr) | 1977-10-12 | 1977-10-12 | Procede optique d'excitation selective d'une variete isotopique d'un corps, dispositif de mise en oeuvre et application a la separation isotopique |
EP82400308A EP0086921A1 (fr) | 1977-10-12 | 1982-02-22 | Procédé optique d'excitation sélective d'une variété isotopique d'un corps, dispositif de mise en oeuvre et application à la séparation isotopique |
JP57027540A JPS58146427A (ja) | 1977-10-12 | 1982-02-24 | 物質のアイソト−プ体の選択励起のための光学的方法、この方法を実行する装置及びアイソト−プ分離への適用 |
AU80927/82A AU8092782A (en) | 1977-10-12 | 1982-02-26 | Optical process for selective excitation of isotopes and use in isotope separation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58146427A true JPS58146427A (ja) | 1983-09-01 |
Family
ID=27423913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57027540A Pending JPS58146427A (ja) | 1977-10-12 | 1982-02-24 | 物質のアイソト−プ体の選択励起のための光学的方法、この方法を実行する装置及びアイソト−プ分離への適用 |
Country Status (5)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6197023A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | レ−ザ法による同位体の濃縮装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
FR2297665A1 (fr) * | 1975-01-15 | 1976-08-13 | Comp Generale Electricite | Dispositif de separation d'isotopes |
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DD134918A1 (de) * | 1978-03-09 | 1979-04-04 | Max Schubert | Anordnung zur isotopentrennung mittels laserstrahlung |
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- 1982-02-24 JP JP57027540A patent/JPS58146427A/ja active Pending
- 1982-02-26 AU AU80927/82A patent/AU8092782A/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6197023A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | レ−ザ法による同位体の濃縮装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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FR2494596A1 (fr) | 1982-05-28 |
EP0086921A1 (fr) | 1983-08-31 |
FR2494596B1 (fr) | 1986-02-14 |
AU8092782A (en) | 1983-09-01 |
DE2843686A1 (de) | 1982-08-19 |
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