JPS58143534A - レジスト除去方法および除去装置 - Google Patents
レジスト除去方法および除去装置Info
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- JPS58143534A JPS58143534A JP2596482A JP2596482A JPS58143534A JP S58143534 A JPS58143534 A JP S58143534A JP 2596482 A JP2596482 A JP 2596482A JP 2596482 A JP2596482 A JP 2596482A JP S58143534 A JPS58143534 A JP S58143534A
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- resist
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- nozzle
- gas
- removal
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- Pending
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- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 17
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- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本畏明はレジスト論未方法および除去装置1に間するも
のである。
のである。
−II!に、半導体装置の製造過程において半導体ウェ
ーハにネトレジストのよ5なレジストを塗布する暢金、
遍當ではスピンナを利用して塗布を行なっているために
レジストはウェーハ表面のみならず七〇肩■や裏側にも
付着してしまう。このよ5にウェーハの1111Iや裏
側へレジストが付層するとウェーハの書道中やカートリ
ッジ等への収容時に肩■や裏側のレジストが剥れ落ち、
その剥れ藩ちたレジストくずが異物としてウェーハ表面
に再付着し、半導体ペレツトの脅性Kll影響な与えて
歩留の低下を秦たすことになる。この間層は素子の微細
化が進むにっれてますます重要となっ【きており、レジ
ストの剥れによる異物の再付着を殖11[K防止する必
要がある。
ーハにネトレジストのよ5なレジストを塗布する暢金、
遍當ではスピンナを利用して塗布を行なっているために
レジストはウェーハ表面のみならず七〇肩■や裏側にも
付着してしまう。このよ5にウェーハの1111Iや裏
側へレジストが付層するとウェーハの書道中やカートリ
ッジ等への収容時に肩■や裏側のレジストが剥れ落ち、
その剥れ藩ちたレジストくずが異物としてウェーハ表面
に再付着し、半導体ペレツトの脅性Kll影響な与えて
歩留の低下を秦たすことになる。この間層は素子の微細
化が進むにっれてますます重要となっ【きており、レジ
ストの剥れによる異物の再付着を殖11[K防止する必
要がある。
したがって本発明の間約はスピンナ上に載置さtLタク
エーハの111aKレジスト漕剤を供給してつ工−ハm
siや裏側のレジストを除去し、これ(よリレシストの
剥れを防止して異物の発生を防ぐレジスト除去方法およ
び#未装置を提供するととにあり、更に言えばこのウェ
ーハ除去工程を行なうことによってもウェーハへのレジ
スト塗布作業効率を低下することなく、しかもレジスト
除去時においてウェーハ表面にレジスト溶剤が付着しな
いように構成した除去方法および装置を提供することに
ある。
エーハの111aKレジスト漕剤を供給してつ工−ハm
siや裏側のレジストを除去し、これ(よリレシストの
剥れを防止して異物の発生を防ぐレジスト除去方法およ
び#未装置を提供するととにあり、更に言えばこのウェ
ーハ除去工程を行なうことによってもウェーハへのレジ
スト塗布作業効率を低下することなく、しかもレジスト
除去時においてウェーハ表面にレジスト溶剤が付着しな
いように構成した除去方法および装置を提供することに
ある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第1図は本発明に係るレジスト除去装置の断面図である
。図において、lは上カップ2と下カップ3とからなる
ケーシングで、このケーシング1の下sKは図外のモー
1等によって一転駆動されるスピンナ4を款けている。
。図において、lは上カップ2と下カップ3とからなる
ケーシングで、このケーシング1の下sKは図外のモー
1等によって一転駆動されるスピンナ4を款けている。
このスピンナ4は駆動源の制御によって回転速度の制御
は自由であり。
は自由であり。
その表−には真空吸引孔を形成してウェーハ5をスピン
ナ上に吸引支持することができる。
ナ上に吸引支持することができる。
一方、ケージング1の上部にはスピンナ4の中央上空に
進出しあるいは側方上空に退避できる可動ノズル6な設
け、図外のレジスト供給源のホトレジストをこのスピン
ナ4の中央に滴下させることができる。また、前記ケー
シングlの上部にはMIN+ノズル6が軸方に退避した
ときにスピンナ4の上面(正確にはスピンナ上にセット
したウェーハ5の11面)K近接するように下動する円
板状の除去ノズル7を配置している。この除去ノズル7
はウェーハ5の径と略等しい外径に形成し、その下面の
中央には主孔8を、下向の周i部には断面な逆V字状に
した環状溝94−夫青形成し、この環状溝9には環状の
内通路lOに夫々連通する複数働の副孔11を略記して
開設している。この場合、副孔11は外周方向に向けて
開設している。そし7て、前記主孔8は除去ノズル7の
支持アーム12の内部を通してN、ガス源に接続し、ま
た前記内通@ioは可撓チ、−プ131介してアセトン
やシンナ略ルジスト漕剤源に接続している。なお、アー
ム12の基端は上″FK延設したウオームロッド14に
部会するナツト15として―成している。
進出しあるいは側方上空に退避できる可動ノズル6な設
け、図外のレジスト供給源のホトレジストをこのスピン
ナ4の中央に滴下させることができる。また、前記ケー
シングlの上部にはMIN+ノズル6が軸方に退避した
ときにスピンナ4の上面(正確にはスピンナ上にセット
したウェーハ5の11面)K近接するように下動する円
板状の除去ノズル7を配置している。この除去ノズル7
はウェーハ5の径と略等しい外径に形成し、その下面の
中央には主孔8を、下向の周i部には断面な逆V字状に
した環状溝94−夫青形成し、この環状溝9には環状の
内通路lOに夫々連通する複数働の副孔11を略記して
開設している。この場合、副孔11は外周方向に向けて
開設している。そし7て、前記主孔8は除去ノズル7の
支持アーム12の内部を通してN、ガス源に接続し、ま
た前記内通@ioは可撓チ、−プ131介してアセトン
やシンナ略ルジスト漕剤源に接続している。なお、アー
ム12の基端は上″FK延設したウオームロッド14に
部会するナツト15として―成している。
16はウオームロッド14の動転モータ、17は廃液や
気体を排出するための排出管である。
気体を排出するための排出管である。
以上の1llIt&によれば、スピンナ4の上向にウェ
ーハ5を載置した上でこれを真空吸引すればウェーハは
スピンナ4の上に固持され、スピンナの回転に伴なって
一体的に一転される。したがって。
ーハ5を載置した上でこれを真空吸引すればウェーハは
スピンナ4の上に固持され、スピンナの回転に伴なって
一体的に一転される。したがって。
可動ノズル6をスピンナの中央に家で進出させてホトレ
ジストを滴下すれば、ウェーハ5表面にホトレジストr
tl−塗布することができる。そして、本発明方法では
ホトレジストの塗布後に可動ノズル6を退避させ、代り
に論来ノズル7を下動してウェーハの表面に近接位置さ
せる。この場合、モータ16によりウオームロッド14
を輪転すればこれに螺合するアーム12、つまり除去ノ
ズル7が上下動される。そして、除去ノズル7を下動し
た後に、内通路10にレジスト溶剤を圧入をもって供給
すれば、副孔11からはウェーハ50周縁に向けてレジ
スト溶剤が噴射され、第2図の仮想線で示すレジス)
sraが除去されることになる。
ジストを滴下すれば、ウェーハ5表面にホトレジストr
tl−塗布することができる。そして、本発明方法では
ホトレジストの塗布後に可動ノズル6を退避させ、代り
に論来ノズル7を下動してウェーハの表面に近接位置さ
せる。この場合、モータ16によりウオームロッド14
を輪転すればこれに螺合するアーム12、つまり除去ノ
ズル7が上下動される。そして、除去ノズル7を下動し
た後に、内通路10にレジスト溶剤を圧入をもって供給
すれば、副孔11からはウェーハ50周縁に向けてレジ
スト溶剤が噴射され、第2図の仮想線で示すレジス)
sraが除去されることになる。
艷に、これと同時に主孔8にN、ガスを供給すれば、N
、ガスは主孔8からウェーハ5表面に噴射されウェーハ
表面上を半径方向にかつl1gji18に向かって通流
される。したがって、副孔11からウェーハ肩線に向か
って噴射されたレジスト溶剤の霧滴がウェーハ上を中心
側に移動してウェーハー表−に付着することは防止され
る。これにより、ウェーハ表向での意に反するレジネト
の除去が防止でする。
、ガスは主孔8からウェーハ5表面に噴射されウェーハ
表面上を半径方向にかつl1gji18に向かって通流
される。したがって、副孔11からウェーハ肩線に向か
って噴射されたレジスト溶剤の霧滴がウェーハ上を中心
側に移動してウェーハー表−に付着することは防止され
る。これにより、ウェーハ表向での意に反するレジネト
の除去が防止でする。
次に前記した本発明方法を高効率で行なうためには次の
ようにする0gswJは横軸に時間、縦軸にウェーハ(
スピンナ)−転途度を示す図で、同IEICA)は一般
的な方法である。即ち、最初にウェーハな中速度で一転
しなからシンナによる洗浄を行ない、ウェーハを一度停
止した上でホトレジストを滴下する。その後、ウェーハ
を低連から高速へと増速して所廖の膜厚のレジスト膜を
形成する。
ようにする0gswJは横軸に時間、縦軸にウェーハ(
スピンナ)−転途度を示す図で、同IEICA)は一般
的な方法である。即ち、最初にウェーハな中速度で一転
しなからシンナによる洗浄を行ない、ウェーハを一度停
止した上でホトレジストを滴下する。その後、ウェーハ
を低連から高速へと増速して所廖の膜厚のレジスト膜を
形成する。
しかる後、一旦りエーハの一転を止め、今度は除去ノズ
ルをセットして再びウェーハを一転させ前述したレジス
ト除去を行なっている。これに対し、改良された工程は
同図■のよ5に、ウェーハの^速闘転中、つまりレジス
ト膜の形成中に既に除去ノズルのセットを完了させ、レ
ジスト膜の形成後半でレジスト除去を開始させるのであ
る。このようKしても、レジスト膜は高速−転の菌中で
殆んど構成されるものであるから何等の支障も生じない
。したかっ【、この方法によればホトレジストの塗布な
いし除去に要する総合時間の短縮な図ることができ、ニ
ーの高効率化を達成でする。
ルをセットして再びウェーハを一転させ前述したレジス
ト除去を行なっている。これに対し、改良された工程は
同図■のよ5に、ウェーハの^速闘転中、つまりレジス
ト膜の形成中に既に除去ノズルのセットを完了させ、レ
ジスト膜の形成後半でレジスト除去を開始させるのであ
る。このようKしても、レジスト膜は高速−転の菌中で
殆んど構成されるものであるから何等の支障も生じない
。したかっ【、この方法によればホトレジストの塗布な
いし除去に要する総合時間の短縮な図ることができ、ニ
ーの高効率化を達成でする。
ここで、本発明装置ではレジスト溶剤の噴出用ノズルと
N8がスノズルとを別体のもので構成してもよい。この
場合、レジスト溶剤のノズルはウェーハの下軸に配置す
ることもできる。また、Nlガスの代りに清浄空気であ
ってもよい。
N8がスノズルとを別体のもので構成してもよい。この
場合、レジスト溶剤のノズルはウェーハの下軸に配置す
ることもできる。また、Nlガスの代りに清浄空気であ
ってもよい。
以上のように本発明のレジスト除去方法および除*Wl
直によればレジスト溶剤の供給と共にクエ・−ハ表向に
ガスを噴射させるので、クエーハmwK付看したレジス
トを除去してレジストの剥離を防止しかつh物の発生を
防止し得るのは勿論のこと、レゾスト溶剤がウェーハ表
向に付着してウェーハ表面のレジスト除去を防止でき、
更にレジスト塗布ないしレジスト除去の全ニ一時間の短
縮をも図ることかできるという効果を奏する。
直によればレジスト溶剤の供給と共にクエ・−ハ表向に
ガスを噴射させるので、クエーハmwK付看したレジス
トを除去してレジストの剥離を防止しかつh物の発生を
防止し得るのは勿論のこと、レゾスト溶剤がウェーハ表
向に付着してウェーハ表面のレジスト除去を防止でき、
更にレジスト塗布ないしレジスト除去の全ニ一時間の短
縮をも図ることかできるという効果を奏する。
第1図は本発明装置のllrWJ図、第2図はウェーハ
周縁塾の拡大断面図、第3図囚、@は工程を示すグラフ
である。 1・・・クーシンダ、4・・・スピンナ、5・・・ウエ
ーノ1、ト・・可動ノズル、7・・・除去ノズル、8・
・・主孔(ガス用ノズル)、11・・・副孔(レジスト
溶剤ノズル)。 1ト・・アーム、14・・・フオームロッド、γ・・・
レジスト、r[・・レジスト除去部。 代理人 弁1士 薄 1)利 拳 。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 tA) (B)
周縁塾の拡大断面図、第3図囚、@は工程を示すグラフ
である。 1・・・クーシンダ、4・・・スピンナ、5・・・ウエ
ーノ1、ト・・可動ノズル、7・・・除去ノズル、8・
・・主孔(ガス用ノズル)、11・・・副孔(レジスト
溶剤ノズル)。 1ト・・アーム、14・・・フオームロッド、γ・・・
レジスト、r[・・レジスト除去部。 代理人 弁1士 薄 1)利 拳 。 第 1 図 第 2 図 第 3 図 tA) (B)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、vIJ転するスピンナ上に表JIKレジスト膜t−
形成したウェーハを支持し、このクエー71の層一部に
レジスト溶剤を供給し【ウエーノ・のw4Iiisec
付着したレジストをWI解lII去すると共に、クエー
ノ1のIIIIIKは中央からIl1wK肉かってガス
を逓減させレジスト溶剤のウェーハ表向への付着を防止
することを特徴とするレジスト#責方法。 2、 11面にレジスト膜を1111!ILシたウエー
ノ・を支持可能な呵転スピンナと、前記ウニ=ハの馬一
部にレジスト港剤を供給するレジスト除去用のノズルと
、前記クエーへのIIIK中央から屑−に肉ってガスを
通風するノズルとを備えたことを特徴とするレジスト除
去装置。 3、 レジスト除去用のノズルと、ガス通風用のノズル
トを一体K11l威し【な441IvIf請求ノIll
!第2項記載のレジスト除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2596482A JPS58143534A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | レジスト除去方法および除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2596482A JPS58143534A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | レジスト除去方法および除去装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58143534A true JPS58143534A (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=12180414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2596482A Pending JPS58143534A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | レジスト除去方法および除去装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58143534A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443942A (en) * | 1990-11-28 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for removing resist |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2596482A patent/JPS58143534A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443942A (en) * | 1990-11-28 | 1995-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for removing resist |
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