JPS58143534A - レジスト除去方法および除去装置 - Google Patents

レジスト除去方法および除去装置

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Publication number
JPS58143534A
JPS58143534A JP2596482A JP2596482A JPS58143534A JP S58143534 A JPS58143534 A JP S58143534A JP 2596482 A JP2596482 A JP 2596482A JP 2596482 A JP2596482 A JP 2596482A JP S58143534 A JPS58143534 A JP S58143534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
wafer
nozzle
gas
removal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2596482A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Nanko
進 南光
Koichi Miyamoto
浩一 宮本
Hiroto Nagatomo
長友 宏人
Hiroshi Maejima
前島 央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Ome Electronic Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Ome Electronic Co Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP2596482A priority Critical patent/JPS58143534A/ja
Publication of JPS58143534A publication Critical patent/JPS58143534A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本畏明はレジスト論未方法および除去装置1に間するも
のである。
−II!に、半導体装置の製造過程において半導体ウェ
ーハにネトレジストのよ5なレジストを塗布する暢金、
遍當ではスピンナを利用して塗布を行なっているために
レジストはウェーハ表面のみならず七〇肩■や裏側にも
付着してしまう。このよ5にウェーハの1111Iや裏
側へレジストが付層するとウェーハの書道中やカートリ
ッジ等への収容時に肩■や裏側のレジストが剥れ落ち、
その剥れ藩ちたレジストくずが異物としてウェーハ表面
に再付着し、半導体ペレツトの脅性Kll影響な与えて
歩留の低下を秦たすことになる。この間層は素子の微細
化が進むにっれてますます重要となっ【きており、レジ
ストの剥れによる異物の再付着を殖11[K防止する必
要がある。
したがって本発明の間約はスピンナ上に載置さtLタク
エーハの111aKレジスト漕剤を供給してつ工−ハm
siや裏側のレジストを除去し、これ(よリレシストの
剥れを防止して異物の発生を防ぐレジスト除去方法およ
び#未装置を提供するととにあり、更に言えばこのウェ
ーハ除去工程を行なうことによってもウェーハへのレジ
スト塗布作業効率を低下することなく、しかもレジスト
除去時においてウェーハ表面にレジスト溶剤が付着しな
いように構成した除去方法および装置を提供することに
ある。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第1図は本発明に係るレジスト除去装置の断面図である
。図において、lは上カップ2と下カップ3とからなる
ケーシングで、このケーシング1の下sKは図外のモー
1等によって一転駆動されるスピンナ4を款けている。
このスピンナ4は駆動源の制御によって回転速度の制御
は自由であり。
その表−には真空吸引孔を形成してウェーハ5をスピン
ナ上に吸引支持することができる。
一方、ケージング1の上部にはスピンナ4の中央上空に
進出しあるいは側方上空に退避できる可動ノズル6な設
け、図外のレジスト供給源のホトレジストをこのスピン
ナ4の中央に滴下させることができる。また、前記ケー
シングlの上部にはMIN+ノズル6が軸方に退避した
ときにスピンナ4の上面(正確にはスピンナ上にセット
したウェーハ5の11面)K近接するように下動する円
板状の除去ノズル7を配置している。この除去ノズル7
はウェーハ5の径と略等しい外径に形成し、その下面の
中央には主孔8を、下向の周i部には断面な逆V字状に
した環状溝94−夫青形成し、この環状溝9には環状の
内通路lOに夫々連通する複数働の副孔11を略記して
開設している。この場合、副孔11は外周方向に向けて
開設している。そし7て、前記主孔8は除去ノズル7の
支持アーム12の内部を通してN、ガス源に接続し、ま
た前記内通@ioは可撓チ、−プ131介してアセトン
やシンナ略ルジスト漕剤源に接続している。なお、アー
ム12の基端は上″FK延設したウオームロッド14に
部会するナツト15として―成している。
16はウオームロッド14の動転モータ、17は廃液や
気体を排出するための排出管である。
以上の1llIt&によれば、スピンナ4の上向にウェ
ーハ5を載置した上でこれを真空吸引すればウェーハは
スピンナ4の上に固持され、スピンナの回転に伴なって
一体的に一転される。したがって。
可動ノズル6をスピンナの中央に家で進出させてホトレ
ジストを滴下すれば、ウェーハ5表面にホトレジストr
tl−塗布することができる。そして、本発明方法では
ホトレジストの塗布後に可動ノズル6を退避させ、代り
に論来ノズル7を下動してウェーハの表面に近接位置さ
せる。この場合、モータ16によりウオームロッド14
を輪転すればこれに螺合するアーム12、つまり除去ノ
ズル7が上下動される。そして、除去ノズル7を下動し
た後に、内通路10にレジスト溶剤を圧入をもって供給
すれば、副孔11からはウェーハ50周縁に向けてレジ
スト溶剤が噴射され、第2図の仮想線で示すレジス) 
sraが除去されることになる。
艷に、これと同時に主孔8にN、ガスを供給すれば、N
、ガスは主孔8からウェーハ5表面に噴射されウェーハ
表面上を半径方向にかつl1gji18に向かって通流
される。したがって、副孔11からウェーハ肩線に向か
って噴射されたレジスト溶剤の霧滴がウェーハ上を中心
側に移動してウェーハー表−に付着することは防止され
る。これにより、ウェーハ表向での意に反するレジネト
の除去が防止でする。
次に前記した本発明方法を高効率で行なうためには次の
ようにする0gswJは横軸に時間、縦軸にウェーハ(
スピンナ)−転途度を示す図で、同IEICA)は一般
的な方法である。即ち、最初にウェーハな中速度で一転
しなからシンナによる洗浄を行ない、ウェーハを一度停
止した上でホトレジストを滴下する。その後、ウェーハ
を低連から高速へと増速して所廖の膜厚のレジスト膜を
形成する。
しかる後、一旦りエーハの一転を止め、今度は除去ノズ
ルをセットして再びウェーハを一転させ前述したレジス
ト除去を行なっている。これに対し、改良された工程は
同図■のよ5に、ウェーハの^速闘転中、つまりレジス
ト膜の形成中に既に除去ノズルのセットを完了させ、レ
ジスト膜の形成後半でレジスト除去を開始させるのであ
る。このようKしても、レジスト膜は高速−転の菌中で
殆んど構成されるものであるから何等の支障も生じない
。したかっ【、この方法によればホトレジストの塗布な
いし除去に要する総合時間の短縮な図ることができ、ニ
ーの高効率化を達成でする。
ここで、本発明装置ではレジスト溶剤の噴出用ノズルと
N8がスノズルとを別体のもので構成してもよい。この
場合、レジスト溶剤のノズルはウェーハの下軸に配置す
ることもできる。また、Nlガスの代りに清浄空気であ
ってもよい。
以上のように本発明のレジスト除去方法および除*Wl
直によればレジスト溶剤の供給と共にクエ・−ハ表向に
ガスを噴射させるので、クエーハmwK付看したレジス
トを除去してレジストの剥離を防止しかつh物の発生を
防止し得るのは勿論のこと、レゾスト溶剤がウェーハ表
向に付着してウェーハ表面のレジスト除去を防止でき、
更にレジスト塗布ないしレジスト除去の全ニ一時間の短
縮をも図ることかできるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置のllrWJ図、第2図はウェーハ
周縁塾の拡大断面図、第3図囚、@は工程を示すグラフ
である。 1・・・クーシンダ、4・・・スピンナ、5・・・ウエ
ーノ1、ト・・可動ノズル、7・・・除去ノズル、8・
・・主孔(ガス用ノズル)、11・・・副孔(レジスト
溶剤ノズル)。 1ト・・アーム、14・・・フオームロッド、γ・・・
レジスト、r[・・レジスト除去部。 代理人 弁1士  薄 1)利 拳  。 第  1  図 第  2  図 第  3  図 tA) (B)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、vIJ転するスピンナ上に表JIKレジスト膜t−
    形成したウェーハを支持し、このクエー71の層一部に
    レジスト溶剤を供給し【ウエーノ・のw4Iiisec
    付着したレジストをWI解lII去すると共に、クエー
    ノ1のIIIIIKは中央からIl1wK肉かってガス
    を逓減させレジスト溶剤のウェーハ表向への付着を防止
    することを特徴とするレジスト#責方法。 2、 11面にレジスト膜を1111!ILシたウエー
    ノ・を支持可能な呵転スピンナと、前記ウニ=ハの馬一
    部にレジスト港剤を供給するレジスト除去用のノズルと
    、前記クエーへのIIIK中央から屑−に肉ってガスを
    通風するノズルとを備えたことを特徴とするレジスト除
    去装置。 3、 レジスト除去用のノズルと、ガス通風用のノズル
    トを一体K11l威し【な441IvIf請求ノIll
    !第2項記載のレジスト除去装置。
JP2596482A 1982-02-22 1982-02-22 レジスト除去方法および除去装置 Pending JPS58143534A (ja)

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JP2596482A JPS58143534A (ja) 1982-02-22 1982-02-22 レジスト除去方法および除去装置

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JP2596482A JPS58143534A (ja) 1982-02-22 1982-02-22 レジスト除去方法および除去装置

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JPS58143534A true JPS58143534A (ja) 1983-08-26

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ID=12180414

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2596482A Pending JPS58143534A (ja) 1982-02-22 1982-02-22 レジスト除去方法および除去装置

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JP (1) JPS58143534A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443942A (en) * 1990-11-28 1995-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Process for removing resist

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5443942A (en) * 1990-11-28 1995-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Process for removing resist

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