JPS58140111A - 半導体結晶の成長方法 - Google Patents

半導体結晶の成長方法

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JPS58140111A
JPS58140111A JP57022066A JP2206682A JPS58140111A JP S58140111 A JPS58140111 A JP S58140111A JP 57022066 A JP57022066 A JP 57022066A JP 2206682 A JP2206682 A JP 2206682A JP S58140111 A JPS58140111 A JP S58140111A
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JP
Japan
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grating
single crystal
layer
amorphous
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP57022066A
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English (en)
Inventor
Masahiro Akiyama
秋山　正博
Yasushi Kawakami
康 川上
Yoshiaki Sano
佐野　芳明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明ニ非晶質基板上にグラフオエピタキシャル法で
半導体単結晶を成長させる方法に関するものである。
従来、非結晶質基板上に半導体単結晶を成長させる方法
として、第１図に示すように５ｉｎｓなどの非晶質基板
ｌ上に細かい格子状の凹凸すなわちグレーティング（ｇ
ｒａｔｉｎｇ　）　２　ｋ形成し、このグレーティング
２上にアモルファスシリコンまたは多結晶シリコン層３
を蒸着、ス／母ツタ、ＣＶＤなどによって形成し、場合
によっては前記シリコン層３上をさらに５ｉＯｓｔたａ
８１ｓＮａなどの被債膜４で被後し、これｔレーザまた
はストライプ状のヒータなどによってアニールしてシリ
コン層３を単結晶にする、グラフオエピタキシャル法と
呼ばれる方法がるる。
このグラフオエピタキシャル法で半導体単結晶を成長さ
せる上で、グレーティング２の加工精度に重要でＴｏり
、とくにグレーティングの凹凸のエツジ部分の加工精度
が重要であるといわれている。
グラフオエピタキシャル法でに、前記のように高＆度に
加工されたグレーティングの角の部分が他の部分とシリ
コン原子に対して何らかのＩテンシャルの差を形成し、
周期的に形成されたポテンシャルによって、アニール時
にシリコン原子が再配列して、非晶質を九扛多結晶が単
結晶化するものと考えられる。アニールｔレーザまたは
ストライプ状のヒータなどによって、局部的に行って行
くの仁、シリコン層が単結晶化する場合に、単結晶成長
の核ｔできるだけ極在させるのに有効なためである。し
かし、従来のグ２７オエピタキシャル法では、グレーテ
ィング’ｋ１種類の材料のみで形成し、シリコン原子が
再記タリするために必要なポテンシャルは、その幾何学
的な形状のみによっているため、高品質の半導体単結晶
を得ることがむずかしいという間軸が６つ次。
この発ｆ！ＡＦＸ、非晶質基板上に異なった２種類の物
質でグレーティングを形成することにより、前述した問
題を解決して、高品質の半導体単結晶が容易に得られる
、非晶質基板上にグラフオエピタキシャル法で半導体単
結晶ｒａ＊させる方法？提供することｔ目的としている
。
以下、この発明０−＊雄側につき第２囚？参照して説明
する。第２図において、１１は非晶質基板、１２はこの
非晶質基板ｌｌ上にこれと異なる非晶質または金属など
の物質で形成した材料であり、この材′Ｉ＋１５と非晶
質基板１１との異種材料により、グレーティング１２を
リング２フイ技術によって形成する。グレーティング１
２上に非晶ＩｊｉＬまたに多結晶シリコンＮＩ！１３を
蒸着、スノやツタなどによって形成し、このシリーン層
１３’ｔＳｉへ。
Ｓ　ｉ　＠　Ｎａなどの被覆＠１４で被覆し、レーザま
たはストライブ状のヒータなどによってアニールして。
シリコン＃１３’ｉ単結晶化する。
この実施例による半導体単結晶０Ｉｌｉｃ長方法では。
グレーティングが異なった２種類の物質で形成されてい
るので、シリコン原子に対して、形状による周期的なポ
テンシャルだけではなく、物質の相違によるポテンシャ
ルが同じ周期で加わることになる。このため、シリコン
層を７ニールする時に、単結晶化するのに必要なポテン
シャル１−＊―することができ、従来のグレーティング
の加工ｔＩＩａｉｌ：のみによっていたものと異なり、
より高品質のり２７オエピタキシヤル法による単結晶膜
が得られる。
さらに、グレーティングを形成する物質を適当に選ぶこ
とができるため、グラフオエピタキシャル法による成長
を行うのに最適の条件を求める自由度が増大し、またダ
レーティング會形成する方法も選択エツチングなどＯ技
術が使用できるため。
自由度が増大し、半導体本結晶の成長が容易にできる利
点がある。
なお、この発明は、前述した実施例のシリコンのグラフ
オエピタキシャルだけではなく、ダルマニウムなどの他
の半導体単結晶の成長についても適用できる。
以上ｗｉｔ明したように、この発明の半導体結晶の成長
方法によれば、１４なった２種類の物質でグレーティン
グを形成することによって、グラフオエピタキシャル法
で、結晶性がよく高品質の半導体単結晶を非晶質基板上
に容易に得ることができ。
各種半導体デバイス？形成するのに利用できる。
【図面の簡単な説明】
第１脂は従来のグラフオエピタキシャル法によって成長
させた膜のｌＦｒ面心、第２囮はこの発明の一＊ｍ例に
よる成長方法によって成長させた膜の断１ｌｉｌＯ図で
るる。 １．１１・・・非晶質基板、２．１２・・・グレーティ
ング、３．１３・・・シリコンＪｔ１．４，１４・・・
被覆膜。 １５・・・非晶質基板と異なった物質の材料。 第１図 手続補正書 特許庁長官島ｍｓ貴　殿 １、事件の表示 昭和ｓ７年醤　許　願第　００１！６　　号２、ｍ＠Ｇ
名称 亭導体結晶の成長方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　畳　許　　出願人（０１１１）
沖電気工泉株式余社 ４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和　　年　　月　　日（自発
）６、補正の対象 Ｚ）　Ｐ’Ｊ　４　ＲＮ汀１　、Ｘ）７４７ＪｔｌＩＩ
ＪａｌＵＪｈする。 ＝７３−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非晶質基板上にグラフオエピタキシャル法で半導体単結
    晶を成長させる方法において、前記非晶質基板上に異な
    った２種類の物質でグレーティングを形成すること七特
    徴とする半導体結晶の成長方法。
JP57022066A 1982-02-16 1982-02-16 半導体結晶の成長方法 Pending JPS58140111A (ja)

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JP57022066A JPS58140111A (ja) 1982-02-16 1982-02-16 半導体結晶の成長方法

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JP57022066A JPS58140111A (ja) 1982-02-16 1982-02-16 半導体結晶の成長方法

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0141506A2 (en) * 1983-09-12 1985-05-15 AT&T Corp. Method for producing a semiconductor structure
JPS62237718A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Oki Electric Ind Co Ltd 単結晶薄膜形成用基板
JPH01128421A (ja) * 1987-11-13 1989-05-22 Agency Of Ind Science & Technol 半導体素子用ガラス基板およびその製造方法
EP0380682A1 (en) * 1988-06-17 1990-08-08 OHMI, Tadahiro Method of fabricating semiconductor devices
US6381258B1 (en) * 1999-01-25 2002-04-30 Pioneer Corporation Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0141506A2 (en) * 1983-09-12 1985-05-15 AT&T Corp. Method for producing a semiconductor structure
JPS62237718A (ja) * 1986-04-08 1987-10-17 Oki Electric Ind Co Ltd 単結晶薄膜形成用基板
JPH01128421A (ja) * 1987-11-13 1989-05-22 Agency Of Ind Science & Technol 半導体素子用ガラス基板およびその製造方法
EP0380682A1 (en) * 1988-06-17 1990-08-08 OHMI, Tadahiro Method of fabricating semiconductor devices
US5362672A (en) * 1988-06-17 1994-11-08 Tadahiro Ohmi Method of forming a monocrystalline film having a closed loop step portion on the substrate
US6381258B1 (en) * 1999-01-25 2002-04-30 Pioneer Corporation Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

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