JPS58139483A - 半導体レ−ザダイオ−ド - Google Patents
半導体レ−ザダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS58139483A JPS58139483A JP2124782A JP2124782A JPS58139483A JP S58139483 A JPS58139483 A JP S58139483A JP 2124782 A JP2124782 A JP 2124782A JP 2124782 A JP2124782 A JP 2124782A JP S58139483 A JPS58139483 A JP S58139483A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- waveguide
- output
- laser diode
- semiconductor laser
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
こＯ発Ｉ！ｌ１１は半導体レーザダイオードに胸するも
のである。
のである。
＠１図は従来の半導体レーザダイオードの外観内、＠２
−は同断向図である。これらの−において、ｌはｎ−Ｇ
ａＡｓ基板、２ ｕ ｎ −ＧａＡｔＡｍ層よりなるり
２ラド層、３はｎ −ＧａＡｓ層よりなる活性ｍ、４は
ｐ −ＧａＡｔＡｓ Ｉよりなるり２ラド層。
−は同断向図である。これらの−において、ｌはｎ−Ｇ
ａＡｓ基板、２ ｕ ｎ −ＧａＡｔＡｍ層よりなるり
２ラド層、３はｎ −ＧａＡｓ層よりなる活性ｍ、４は
ｐ −ＧａＡｔＡｓ Ｉよりなるり２ラド層。
５はｐ −ＧａＡｓ層よりなるオー５７２層、６は高抵
抗のＧ＆ムｔＡｓｊ１１．７ｔ！ムｔ３０３層よりなる
絶縁層。
抗のＧ＆ムｔＡｓｊ１１．７ｔ！ムｔ３０３層よりなる
絶縁層。
８はｐＨｔ＆、９ｔｚｎｌｌｌ電極である。
この半導体レーザダイオードは埋め込みストライブ構造
と呼ばれているもので％ｎ −ＧａＡｓ基板ｌ上にＬＰ
Ｅ法によｌ ｎ −ＧａＡｔＡｓ ＊ （クラッドＮｌ
Ｉ２ ） ＊ ｎ −ＧａＡ１１ ＠ （活＠＠３ ）
、 ｐ−Ｑ＆ＡｔＡｍＮ（り２ツドＮ ４ ） ｅ
ｐ −ＧａＡｓ層（オー？ ツタ層５）を連続成長させ
九後、狭いストライプ部分だけｔ残して多層構造の成長
ＮＩｔ−エツチング除去し、その除去部に高抵抗のＧａ
ＡｔＡｓ層６ｔ−再びエピタキシャル成長させることに
より製作される。
と呼ばれているもので％ｎ −ＧａＡｓ基板ｌ上にＬＰ
Ｅ法によｌ ｎ −ＧａＡｔＡｓ ＊ （クラッドＮｌ
Ｉ２ ） ＊ ｎ −ＧａＡ１１ ＠ （活＠＠３ ）
、 ｐ−Ｑ＆ＡｔＡｍＮ（り２ツドＮ ４ ） ｅ
ｐ −ＧａＡｓ層（オー？ ツタ層５）を連続成長させ
九後、狭いストライプ部分だけｔ残して多層構造の成長
ＮＩｔ−エツチング除去し、その除去部に高抵抗のＧａ
ＡｔＡｓ層６ｔ−再びエピタキシャル成長させることに
より製作される。
この構造Ｏ＃Ｐ導体レーザダイオードは屈折率導波形レ
ーザと呼ばれるものの一株であり１通常の〆プルへテロ
構造による光の上下からのとじ込めだけでなく、横方向
からの光のとじ込め七行って。
ーザと呼ばれるものの一株であり１通常の〆プルへテロ
構造による光の上下からのとじ込めだけでなく、横方向
からの光のとじ込め七行って。
レーザ発振のためのしきい値電流を低減している。
また、この半導体レーザダイオードにおいては。
発振させるための一ジテイプフィードバックルーノを形
成する丸め、７アプリイペ四−光学共振器ｔ”ｓｐｎ接
合面に論厘な結晶Ｏ労開鈎を利用して活性領域の一端部
に設けている。
成する丸め、７アプリイペ四−光学共振器ｔ”ｓｐｎ接
合面に論厘な結晶Ｏ労開鈎を利用して活性領域の一端部
に設けている。
しかし、この半導体レーザダイオードでは、共振器趨向
’ｔＡｔｓＯｓ 、 ８１０ｍのような光透過のよい絶
縁層で憤うことにより、趨向の反射係数Ｒは０．３位が
普通である。
’ｔＡｔｓＯｓ 、 ８１０ｍのような光透過のよい絶
縁層で憤うことにより、趨向の反射係数Ｒは０．３位が
普通である。
したがって、レーザダイオードからの出力の反射がレー
ザダイオードに再入力してレーザダイオードの動作に影
畳の出ることが多かった。
ザダイオードに再入力してレーザダイオードの動作に影
畳の出ることが多かった。
なお、７７プリイペローの光学共振器を用いた半４体レ
ーザダイオードのしきい値電Ｒは次式で近似される。
ーザダイオードのしきい値電Ｒは次式で近似される。
ここで、α扛し−ザ光の減衰定数、βは利得係数。
Ｌは共振器の長さ％Ｒｅｆｔ共振器両端の反射係数であ
る。
る。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、外部ｉ路の
影ｌ１ｌｌｔ−受けに＜〈、シかもしきい値電流の小さ
な半導体レーザダイオードを提供することを目的とする
。
影ｌ１ｌｌｔ−受けに＜〈、シかもしきい値電流の小さ
な半導体レーザダイオードを提供することを目的とする
。
すなわち、この発明の半導体レーザダイオードは、４ジ
テイプフイ一ドバツクルーｆ’１円環状共振器構造で構
成する一方、この円環状共振器に。
テイプフイ一ドバツクルーｆ’１円環状共振器構造で構
成する一方、この円環状共振器に。
その導波路と同一幅または異なった輪の導波路ｔギャッ
プを介して結合して出カ導波路ｔ−構成することにより
、この出力導波路と前記円環状共振器とを別個に駆動で
きるようにしたものでるる。
プを介して結合して出カ導波路ｔ−構成することにより
、この出力導波路と前記円環状共振器とを別個に駆動で
きるようにしたものでるる。
以下この発明の実旅例ｔａ明するが、その前に円環状共
振口について詳述する。
振口について詳述する。
第３図は７アプリイペｐ−形共振器中での単純な幾何学
的な定住波を示している。定住波の存立する条件は、共
振器長りが半波長の整数倍（ｍ−にｎ ｔ）であればよい。したがって、この条件が歯たされる
ような１８４図のごとき円環状共振器を構成すれば同様
に定在波を存立させることができる。
的な定住波を示している。定住波の存立する条件は、共
振器長りが半波長の整数倍（ｍ−にｎ ｔ）であればよい。したがって、この条件が歯たされる
ような１８４図のごとき円環状共振器を構成すれば同様
に定在波を存立させることができる。
＃Ｉ５図に円環状共振器ｏｌ＆計の目安を説明するため
の図である。この図において、Ｄは共振器の内径であり
、ｄは共振器を構成する光導波路の輪である。
の図である。この図において、Ｄは共振器の内径であり
、ｄは共振器を構成する光導波路の輪である。
共振器内周円の０点で１ｉＡｃに直交する光が共振路外
周円０８点で光導波路から外へ逃けないようにすること
【考える。
周円０８点で光導波路から外へ逃けないようにすること
【考える。
ＧａＡｊＡｓ系半導体レーザダイオードでに、活性層の
屈折率に対して、 ＧａＡｔＡａのり２ラド層およびＧ
ａＡｊＡｓ高抵抗論の屈折率′ｆｒ４〜６ｓｌ！度小さ
くすることができる。屈折率の大きな媒体から屈折率の
小さな媒体へ光が入射する時、入射角が次式で与えられ
る角度より大きな角度で入射すると。
屈折率に対して、 ＧａＡｔＡａのり２ラド層およびＧ
ａＡｊＡｓ高抵抗論の屈折率′ｆｒ４〜６ｓｌ！度小さ
くすることができる。屈折率の大きな媒体から屈折率の
小さな媒体へ光が入射する時、入射角が次式で与えられ
る角度より大きな角度で入射すると。
屈折率の小さな媒体へ：＞ｔは入射しないで、・屈折率
Ｏ大きな媒体へ反射する性質かめる。
Ｏ大きな媒体へ反射する性質かめる。
ｎ ＠ Ｊｌ折率の小さな媒体の屈折率ｎ（１＋４ｎ）
：屈折率の大きな媒体の屈折率したがって、ａＳ図にお
いて、０点での共振器内網の接線方向の元は、Ｂ点で共
振缶外゛周円に対してｊ ＡＢＣで入射することになる
。この入射角が上に述べた式より求められる角ＷＬ＃よ
り太きけれは、Ｂ点で共振器外部へ光が逃けることなく
円環状共振器内部に留まることになる。
：屈折率の大きな媒体の屈折率したがって、ａＳ図にお
いて、０点での共振器内網の接線方向の元は、Ｂ点で共
振缶外゛周円に対してｊ ＡＢＣで入射することになる
。この入射角が上に述べた式より求められる角ＷＬ＃よ
り太きけれは、Ｂ点で共振器外部へ光が逃けることなく
円環状共振器内部に留まることになる。
第６図は、このような円環状共振器ｔ−実際に構成し九
し−ザチッグの外ｍ崗でめり、断面を見易くする丸めに
破線部分を欠損した形で描いである。
し−ザチッグの外ｍ崗でめり、断面を見易くする丸めに
破線部分を欠損した形で描いである。
この図において、第２図と同一符号は第２図と同一部分
を示すが、この場合ｒｉｎ −ＧａＡｊＡｓのり２ツド
Ｎｌｉ ２ ＊ ｎ −ＧａＡｓの活性層３ 、 ｐ−
ＧａＡｔＡｇのクラッド層４．ｐ−Ｇ＆ム畠のオーミッ
ク階５ならびにｐ鉤亀ｈ８が円環状に形成される。これ
により１円環状共振器が構成されている。
を示すが、この場合ｒｉｎ −ＧａＡｊＡｓのり２ツド
Ｎｌｉ ２ ＊ ｎ −ＧａＡｓの活性層３ 、 ｐ−
ＧａＡｔＡｇのクラッド層４．ｐ−Ｇ＆ム畠のオーミッ
ク階５ならびにｐ鉤亀ｈ８が円環状に形成される。これ
により１円環状共振器が構成されている。
第７図は円環状共振器部と外部との朋折率差【パラメー
タにして光導波路の幅と共振器の内径の関係を求め良も
のである。屈折率の差をきめ、光導波路の−ｔｂ定する
と、共振器の大きさは求められる。この図より求められ
る直径より大きな円環状共振器を用いることにより、利
得導波路以下の光の減衰係数の光導波路′を得ることが
できる。
タにして光導波路の幅と共振器の内径の関係を求め良も
のである。屈折率の差をきめ、光導波路の−ｔｂ定する
と、共振器の大きさは求められる。この図より求められ
る直径より大きな円環状共振器を用いることにより、利
得導波路以下の光の減衰係数の光導波路′を得ることが
できる。
しかも、ファプーリイペＵ−・の共振器では両端面の反
射系数で共振器の性能が大きく左右されたが。
射系数で共振器の性能が大きく左右されたが。
円環状共振器においては反射系数は勢価的に１と考えて
よりことになる。したがって、しきい値電流【求める式
からも明らかなように１円環状共振器を用いることによ
り、シきい値電流を低減できる。
よりことになる。したがって、しきい値電流【求める式
からも明らかなように１円環状共振器を用いることによ
り、シきい値電流を低減できる。
１４８１Ｗ（Ａ） 、 （Ｂ）は、かかる円環状共振器
を用いたこの発明の半導体レーザダイオードの第１゜第
２の＊施例を示し、１０は円環状共振器部、１１は出力
結合部、１２μ出力尋波路部である。
を用いたこの発明の半導体レーザダイオードの第１゜第
２の＊施例を示し、１０は円環状共振器部、１１は出力
結合部、１２μ出力尋波路部である。
纂８図（Ａ）は出力導波路１ｔｓ１２が円環状共振器部
ｌＯの一直径線上にめ夛、第８図（Ｂ）は出力導波路ｓ
１２が円環状共振Ｆｉｉ部ｌＯＯ＆ｉ′線上にある。
ｌＯの一直径線上にめ夛、第８図（Ｂ）は出力導波路ｓ
１２が円環状共振Ｆｉｉ部ｌＯＯ＆ｉ′線上にある。
いま、出力導波路ｓ１２の幅が円環状共振器部１０の光
導波Ｉ２）輪と同一ならば１円環状共振器１１５１０と
の結合に第８ ａＱ （Ｂ）の方が大きく、レーザ出力
も大きくとれる。また、出力導波路部１２の暢を変化さ
せても円環状共振器部１０との結合は変えることができ
る。
導波Ｉ２）輪と同一ならば１円環状共振器１１５１０と
の結合に第８ ａＱ （Ｂ）の方が大きく、レーザ出力
も大きくとれる。また、出力導波路部１２の暢を変化さ
せても円環状共振器部１０との結合は変えることができ
る。
第８図の構造では１円環状共振器ｓｌＯと出力導波路！
６１２の間に、それぞれを独立に駆動するための目的と
、それぞれの結合係数を変えるためのギャップΔ（出力
結合９１１ ）がＴｏｎ、このギャップΔ【浚えること
によって円環状共振器部１０と出力導波路部１２の結合
を変えることができる。
６１２の間に、それぞれを独立に駆動するための目的と
、それぞれの結合係数を変えるためのギャップΔ（出力
結合９１１ ）がＴｏｎ、このギャップΔ【浚えること
によって円環状共振器部１０と出力導波路部１２の結合
を変えることができる。
このような構造の半導体レーザダイオードは、第２−に
示したような屈折率導波路構造で作ることができる。一
方１円環状共振！ｉＦ廊１０のみｔ層折率導波路構造と
し、出力導波路部１２は利得導波路構造としてもよい。
示したような屈折率導波路構造で作ることができる。一
方１円環状共振！ｉＦ廊１０のみｔ層折率導波路構造と
し、出力導波路部１２は利得導波路構造としてもよい。
そして、以上のような半導体レーザダイオードにおいて
は、レーザ共振発振回路部（円環状共振器１１ｉ１０）
と出力−路（出力導波路部１２）が分離されており、さ
らに出力−路は別個に駆動できるので、レーザ出力が不
要な時には出力（ロ）踏部に通電しなければ、その導波
路の損失でレーザ出力は出てこないだけでなく、共振器
と出力（２）路の結合が従来に比べると疎なため、外部
回路によるレーザ発振への影養も低減できる。
は、レーザ共振発振回路部（円環状共振器１１ｉ１０）
と出力−路（出力導波路部１２）が分離されており、さ
らに出力−路は別個に駆動できるので、レーザ出力が不
要な時には出力（ロ）踏部に通電しなければ、その導波
路の損失でレーザ出力は出てこないだけでなく、共振器
と出力（２）路の結合が従来に比べると疎なため、外部
回路によるレーザ発振への影養も低減できる。
また、出力（ロ）路を別個に構成したことによシ。
この部分に通電することによｐ光増幅器となるばかりで
なく、出力回路部Ｋｆ調信号を印加することにより、レ
ーザダイオード全体に対して変１ｉＩｌｔ加える場合に
比べて小さな信号電流で変調することができる。また、
置駒信号の加え方によｐオン。
なく、出力回路部Ｋｆ調信号を印加することにより、レ
ーザダイオード全体に対して変１ｉＩｌｔ加える場合に
比べて小さな信号電流で変調することができる。また、
置駒信号の加え方によｐオン。
オフｆ−だりでなく、レーザ発振周波数を変えることな
（ＡＭ変−も容易にかけることができる。
（ＡＭ変−も容易にかけることができる。
＠９−に、上記半導体レーザダイオードの勢価−路一で
ある。この１において、１３は円環状レーザ発振器、１
４は出力結合Ｓ（第８内の出力結合ｓｌｌに相当する）
、１５は出力導波路、１６は出力Ｊｖｉ面、１７は円環
状レーザ発振器用亀源端子、１８は出力導波路１５の褒
詞端子であり、出力導波路１５は円環状レーザ発振器１
３と別個に動作させることができて、増−器・変―器・
スイッチなどとして機能する。したがって、この尋価回
路図より、前述効果がより明瞭に理解できる。
ある。この１において、１３は円環状レーザ発振器、１
４は出力結合Ｓ（第８内の出力結合ｓｌｌに相当する）
、１５は出力導波路、１６は出力Ｊｖｉ面、１７は円環
状レーザ発振器用亀源端子、１８は出力導波路１５の褒
詞端子であり、出力導波路１５は円環状レーザ発振器１
３と別個に動作させることができて、増−器・変―器・
スイッチなどとして機能する。したがって、この尋価回
路図より、前述効果がより明瞭に理解できる。
また、上記半導体レーザダイオードにおいては。
円環状共振！！ｔ−朗いることにより、先に述べたよう
に、しきい甑亀流を下けることができる。
に、しきい甑亀流を下けることができる。
以上詳述したように、この発明によれば、外部−路のじ
よう乱に対して強いだけでなく、しきい籠亀Ｒを小さく
することができ、しかも種々の変―【容易にか杖ること
ができる上に、出力導波路Ｓｔ光増輪鮨・スイッチとし
て使用できる半導体レーザダイオード【得ることができ
る。この半導体レーザダイオードは通信用の半導体レー
ザダイオードとして利用することができる。
よう乱に対して強いだけでなく、しきい籠亀Ｒを小さく
することができ、しかも種々の変―【容易にか杖ること
ができる上に、出力導波路Ｓｔ光増輪鮨・スイッチとし
て使用できる半導体レーザダイオード【得ることができ
る。この半導体レーザダイオードは通信用の半導体レー
ザダイオードとして利用することができる。
４、 図ｍｏｍ単すａｉＩｌｌ
第１図は従来の半導体レーザダイオードの外観囚、＃！
２因扛同断面図、第３図は７アプリイペロー形共振器中
での幾何学的定住波を示す図、ｗＬ４図は円環状共振器
中での幾何学的定住波【示す図。
２因扛同断面図、第３図は７アプリイペロー形共振器中
での幾何学的定住波を示す図、ｗＬ４図は円環状共振器
中での幾何学的定住波【示す図。
第５図は円環状共振器の設計の目安ｔｍ明するための囚
、第６−は円環状共振器【実際に構成したレーザチッグ
の外観図、１１！７−は光導波路の幅と円環状共振器の
内径の関係を示す−、ｉＲｇ図（Ａ）およびＣＢ）はこ
の発明の第ｔ、鶴２の実施例を示す図、９９図はこの発
明の半導体レーザダイオードの勢価（ロ）路部である。
、第６−は円環状共振器【実際に構成したレーザチッグ
の外観図、１１！７−は光導波路の幅と円環状共振器の
内径の関係を示す−、ｉＲｇ図（Ａ）およびＣＢ）はこ
の発明の第ｔ、鶴２の実施例を示す図、９９図はこの発
明の半導体レーザダイオードの勢価（ロ）路部である。
ｌＯ・・・円環状共振器部、１１・・・出力結合部、１
２・・・出力導波路部。
２・・・出力導波路部。
特許ａＳ願人 沖亀気工業株式会社
第１図
第３ｒｌ！Ｊ
第４図
第５図
第６図
第７図
第９図
手続補正書
昭和５７年８月３１Ｂ
特許庁長官着参１１１＊ 殿
１、事件の表示
昭和暴１年 轡 許 願第 ２１！４ｆ 号２．１
１＠０４称 牛尋体し−ず〆イオード ３、補正をする者 事件との関係 譬 許 出願人（・１ｉｅ）沖
電気工＊＊式金社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自Ｉ
Ｉ）６、補正の対象 ―調書ｏｍ＠ｏ詳細な説−０欄 補正の内容 １）明細書２頁末行ないし３頁下から７行「しかし、・
・・・・・反射係数である。」を下記の通シ訂正する。
１＠０４称 牛尋体し−ず〆イオード ３、補正をする者 事件との関係 譬 許 出願人（・１ｉｅ）沖
電気工＊＊式金社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自Ｉ
Ｉ）６、補正の対象 ―調書ｏｍ＠ｏ詳細な説−０欄 補正の内容 １）明細書２頁末行ないし３頁下から７行「しかし、・
・・・・・反射係数である。」を下記の通シ訂正する。
記
しかし、この半導体レーデダイオードでは、端面の反射
係数８は０．３位が普通であル、レーデ光の端面での反
射損失が大きいだけでなく、レーデダイオードからの出
力の外部での反射光がレーデダイオードに再入力してレ
ーデダイオードの動作に影響の出ることが多かった。
係数８は０．３位が普通であル、レーデ光の端面での反
射損失が大きいだけでなく、レーデダイオードからの出
力の外部での反射光がレーデダイオードに再入力してレ
ーデダイオードの動作に影響の出ることが多かった。
なお、ファプリイペローの光学共振器を用い九牛Ｓ体レ
ーデダイオードのしきい値電流社次式で近似される。
ーデダイオードのしきい値電流社次式で近似される。
ζこで、Ｉｏは物質によって決まる定数、αは導波路中
でのレーデ光の減衰定数、βは利得係数、Ｌは共振器の
長さ、Ｒは共振器両端のの反射による損失を表わしてい
る。
でのレーデ光の減衰定数、βは利得係数、Ｌは共振器の
長さ、Ｒは共振器両端のの反射による損失を表わしてい
る。
２）同５頁９行
３）同６頁１３行および１４行「利得導波路以下・・・
・・・光導波路」を「反射による損失のない光共振器」
と訂正する。
・・・光導波路」を「反射による損失のない光共振器」
と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ４ジテイプ７４−ドバツクルーゾを円環状共振溢構造て
構成する一方、この円環状共振器に、その導波路と岡−
暢またはＪ！なった幅の導波路ｔ−ｒヤツｆ【介して結
合して出力導波、路管構成したことｔ特徴とする半導体
レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124782A JPS58139483A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2124782A JPS58139483A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139483A true JPS58139483A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12049722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2124782A Pending JPS58139483A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 半導体レ−ザダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139483A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110994358A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 华中科技大学 | 电泵浦的切向偏振矢量光束激光器 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2124782A patent/JPS58139483A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110994358A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 华中科技大学 | 电泵浦的切向偏振矢量光束激光器 |
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