JPS58139477A - 半導体放射線検出器 - Google Patents
半導体放射線検出器Info
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- JPS58139477A JPS58139477A JP57022484A JP2248482A JPS58139477A JP S58139477 A JPS58139477 A JP S58139477A JP 57022484 A JP57022484 A JP 57022484A JP 2248482 A JP2248482 A JP 2248482A JP S58139477 A JPS58139477 A JP S58139477A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体放射線検出器に係り、特に検出すべき放
射線が入射する検出窓をチタン箔で構成するようにした
半導体放射線検出器に関する。
射線が入射する検出窓をチタン箔で構成するようにした
半導体放射線検出器に関する。
半導体放射線検出器は半導体素子を使ってβ線、α線等
の放射線の線量、エネルギなどを測定するものであって
、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）やシリコン（Ｓｉ）
などのウェハに不純物を拡散させてｐｎ接合を形成し、
放射線に対して有感な空効果、あるいは電子対生成のい
ずれかの過程で２次電子が発生し、この２次電子がさら
に格子原子と作用して電子正孔対を生成し、これを電流
パルスとして検出してパルス数を計数することにより放
射線量を計数することができる。
の放射線の線量、エネルギなどを測定するものであって
、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）やシリコン（Ｓｉ）
などのウェハに不純物を拡散させてｐｎ接合を形成し、
放射線に対して有感な空効果、あるいは電子対生成のい
ずれかの過程で２次電子が発生し、この２次電子がさら
に格子原子と作用して電子正孔対を生成し、これを電流
パルスとして検出してパルス数を計数することにより放
射線量を計数することができる。
しかして、放射線を検出するための半導体素子は機械的
衝撃から電極を保護し、さらに雰囲気のので、検出窓を
放射線が通過するときに生ずる放射線の減衰はなるべく
少ないことが望まれる。
衝撃から電極を保護し、さらに雰囲気のので、検出窓を
放射線が通過するときに生ずる放射線の減衰はなるべく
少ないことが望まれる。
そのために、従来の半導体放射線検出器においては、ア
ルミニウム箔やベリリウム箔や雲母箔にアルミニウムを
蒸着したものが検出窓として使用されている。
ルミニウム箔やベリリウム箔や雲母箔にアルミニウムを
蒸着したものが検出窓として使用されている。
ところが、アルミニウム箔は破損しやすいし、べＩＪ
ＩＪウム箔は毒性がある点で問題であり、また雲母箔に
アルミニウムを蒸着したものは多量生産が難しい等の欠
点があった。
ＩＪウム箔は毒性がある点で問題であり、また雲母箔に
アルミニウムを蒸着したものは多量生産が難しい等の欠
点があった。
そこで本発明の目的は検出すべき放射線のエネルギの減
衰を可及的に少なくして、かつ堅牢な検出窓を備えた半
導体放射線検出器を提供することにある。
衰を可及的に少なくして、かつ堅牢な検出窓を備えた半
導体放射線検出器を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、半導体放射線検出
素子をケース本体内に組み込み、このケース本体に設け
た検出窓を通して検出すべき放射線を上記検出素子の検
知部に入射するようにしたものにおいて、上記検出窓を
チタン（Ｔｉ）で構成したことを特徴とするものである
。
素子をケース本体内に組み込み、このケース本体に設け
た検出窓を通して検出すべき放射線を上記検出素子の検
知部に入射するようにしたものにおいて、上記検出窓を
チタン（Ｔｉ）で構成したことを特徴とするものである
。
以下本発明による半導体放射線検出器の一実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図において、符号１はケース本体を示し、このケー
ス本体ｌは内部に検出室２を有し、検出室２の底部は下
部端板３によって覆われている。
ス本体ｌは内部に検出室２を有し、検出室２の底部は下
部端板３によって覆われている。
上記検出室２内には半導体放射線検出素子４が配置され
、この検出素子４は、スペーサ５を介して上記下部端板
３の上に設置されている。この半導体放射線検出素子４
は、例えばシリコンウェハの一部に不純物を拡散させて
Ｐｎ接合を形成したものであり、逆バイアス電圧の印加
により空乏層を生ずるようになっている。
、この検出素子４は、スペーサ５を介して上記下部端板
３の上に設置されている。この半導体放射線検出素子４
は、例えばシリコンウェハの一部に不純物を拡散させて
Ｐｎ接合を形成したものであり、逆バイアス電圧の印加
により空乏層を生ずるようになっている。
また、上記ケース本体１の上部端面には、上部端板６が
接合され、この上部端板６は検出すべき放射線を導入す
るための開ロアを有しており、こによって形成され、こ
の箔の厚さはｌｏｐｍ程度が望ましい。チタンは原子番
号２２で密度が小さく、しかも機械的強度に優れ、展延
性に富むため薄膜を容易に得ることができる。
接合され、この上部端板６は検出すべき放射線を導入す
るための開ロアを有しており、こによって形成され、こ
の箔の厚さはｌｏｐｍ程度が望ましい。チタンは原子番
号２２で密度が小さく、しかも機械的強度に優れ、展延
性に富むため薄膜を容易に得ることができる。
れている。
このように、本発明は半導体放射線検出器の検出窓をチ
タンの薄膜で構成したから、β線や１線や低エネルギＸ
線等の放射線の検出窓を通過する際の減衰率が低く、ま
た機械的一度に優れているから、堅牢な検出窓を備えた
本体ケースを得ることができる。
タンの薄膜で構成したから、β線や１線や低エネルギＸ
線等の放射線の検出窓を通過する際の減衰率が低く、ま
た機械的一度に優れているから、堅牢な検出窓を備えた
本体ケースを得ることができる。
第２図は検出窓を構成する材料について放射線のエネル
ギと透過率との関係を示した線図であって、使用した放
射線源は２４１ Ａ ｍで５９．５４Ｋｅｖ。
ギと透過率との関係を示した線図であって、使用した放
射線源は２４１ Ａ ｍで５９．５４Ｋｅｖ。
２６．３５Ｋｅｖ、２０．８Ｋｅｖ、１７．８Ｋｅｖ、
１３．９Ｋｅｖのβ線およびＸ線ラインにおける計数比
より透過率を求めたものである。
１３．９Ｋｅｖのβ線およびＸ線ラインにおける計数比
より透過率を求めたものである。
第２図中曲線Ａ、Ｂ、Ｃは厚さ１０ｐｍ、 ２０ｐｍ。
５０ｐｍのチタン箔を使用した場合を示し、曲線りは厚
さ加μｍのＡＩ箔、曲線Ｅは０．３ｍｍの薄鉄板を示し
たものである。この結果から明らかなように、厚さ１０
Ｐｍのチタン箔は厚さかμｍのＡＩ箔とはゾ同等の透過
率を示すことがわかる。
さ加μｍのＡＩ箔、曲線Ｅは０．３ｍｍの薄鉄板を示し
たものである。この結果から明らかなように、厚さ１０
Ｐｍのチタン箔は厚さかμｍのＡＩ箔とはゾ同等の透過
率を示すことがわかる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、放射
線検出器の検出窓をチタンの薄膜で構成したから、検出
窓通過時の放射線の減衰率が低く、低エネルギーのＸ線
、？線、β線領域まで検出範囲を拡大することができ、
機械的強度に優れているから、堅牢な検出器のケースを
得ることができる。
線検出器の検出窓をチタンの薄膜で構成したから、検出
窓通過時の放射線の減衰率が低く、低エネルギーのＸ線
、？線、β線領域まで検出範囲を拡大することができ、
機械的強度に優れているから、堅牢な検出器のケースを
得ることができる。
第１図は本発明による半導体放射線検出器の一実施例を
示した縦断面図、第２図はｒ線エネルギと放射線エネル
ギとの関係を示した線図である。 １・・・ケース本体、４・・・半導体放射線検出素子、
８・・・検出窓。
示した縦断面図、第２図はｒ線エネルギと放射線エネル
ギとの関係を示した線図である。 １・・・ケース本体、４・・・半導体放射線検出素子、
８・・・検出窓。
Claims (1)
- 半導体放射線検出素子をケース本体内に組み込み、この
ケース本体に設けた検出窓を通して検出すべき放射線を
上記検出素子の検知部に入射するようにしたものにおい
て、上記検出窓をチタン（Ｔｉ） で構成したことを
特徴とする半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022484A JPS58139477A (ja) | 1982-02-14 | 1982-02-14 | 半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57022484A JPS58139477A (ja) | 1982-02-14 | 1982-02-14 | 半導体放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139477A true JPS58139477A (ja) | 1983-08-18 |
| JPS6258670B2 JPS6258670B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=12083993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57022484A Granted JPS58139477A (ja) | 1982-02-14 | 1982-02-14 | 半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139477A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471368A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-27 | Shimadzu Corporation | Radiological image pickup apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03121866U (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-12 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134211U (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-13 |
-
1982
- 1982-02-14 JP JP57022484A patent/JPS58139477A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5134211U (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-13 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471368A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-27 | Shimadzu Corporation | Radiological image pickup apparatus |
| US7112800B2 (en) | 2003-04-25 | 2006-09-26 | Shimadzu Corporation | Radiological image pickup apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258670B2 (ja) | 1987-12-07 |
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