JPS58139043A - レンズの集光性能測定装置 - Google Patents
レンズの集光性能測定装置Info
- Publication number
- JPS58139043A JPS58139043A JP2226382A JP2226382A JPS58139043A JP S58139043 A JPS58139043 A JP S58139043A JP 2226382 A JP2226382 A JP 2226382A JP 2226382 A JP2226382 A JP 2226382A JP S58139043 A JPS58139043 A JP S58139043A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lens
- substrate
- laser beam
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
- G01M11/0228—Testing optical properties by measuring refractive power
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明はレーザーディスクの光学系に使用される集光
レンズ等として用いられる対物レンズの集光性能を#j
定する測定装置に関する。
レンズ等として用いられる対物レンズの集光性能を#j
定する測定装置に関する。
レーザーディスタは1111allで示すように塩化ビ
ニール樹脂等の基板(1)と、そのwK影形成れたレー
ザーピットを保護するカバーグラス(2)が設けられて
いるので、対物レンズ(3)Kよって集光されるべきレ
ーず一ビームBは焦点P[対して!I!線のように屈折
してビット形成面(1すに入射する。
ニール樹脂等の基板(1)と、そのwK影形成れたレー
ザーピットを保護するカバーグラス(2)が設けられて
いるので、対物レンズ(3)Kよって集光されるべきレ
ーず一ビームBは焦点P[対して!I!線のように屈折
してビット形成面(1すに入射する。
このようなレーザーディスクの光学系に使用されている
対物レンズ(3)の集光性能を測定するkは、一般KP
点に於けるレーザービームBのエネルギー強度を測定す
ることkよって行われるが、図のように基板(1)を介
して信号の読み出しを行なう場合における対物レンズ(
3)の集光性能を御]定するには、このカバーグラス(
2)の屈折率を考慮する必要がある。
対物レンズ(3)の集光性能を測定するkは、一般KP
点に於けるレーザービームBのエネルギー強度を測定す
ることkよって行われるが、図のように基板(1)を介
して信号の読み出しを行なう場合における対物レンズ(
3)の集光性能を御]定するには、このカバーグラス(
2)の屈折率を考慮する必要がある。
第2図はこのような対物レンズの集光性能を測定するた
めの糊定装置の従来例であって、対物レンズ(3)はレ
ンズホルダー(5)の一端面に収納固定されると共に1
この対物レンズ(3)の固定された側の端面には基板(
1)の屈折率を補正するため、基板(1)と同一の屈折
率を有する補正用のグラス(7)が対物レンズ(3)の
光軸に対し喬直に取り付は固定される。
めの糊定装置の従来例であって、対物レンズ(3)はレ
ンズホルダー(5)の一端面に収納固定されると共に1
この対物レンズ(3)の固定された側の端面には基板(
1)の屈折率を補正するため、基板(1)と同一の屈折
率を有する補正用のグラス(7)が対物レンズ(3)の
光軸に対し喬直に取り付は固定される。
従ってレーザービームBはこの補正グラス(7)を介し
て集光される。
て集光される。
レーザービームBの焦点近傍には光電変換素子(6)の
受光面が配される。そして補正グラス(7)と光電変換
素子(6)との間に%41にレーザービームBの焦点を
含む面にはレーず一ビームBを遮蔽する光遮蔽体(8)
が移動自在に設けられる。光遮蔽体(8)とし【は図に
示すナイフエッヂのようなものが使用される。
受光面が配される。そして補正グラス(7)と光電変換
素子(6)との間に%41にレーザービームBの焦点を
含む面にはレーず一ビームBを遮蔽する光遮蔽体(8)
が移動自在に設けられる。光遮蔽体(8)とし【は図に
示すナイフエッヂのようなものが使用される。
ナイフエッヂ(8)を矢印畠方向に移動させると、ナイ
フエッヂ(8)がレーザービームBを徐々に遮断するの
で、光電変換素子(6)Kよっ【受光されるレーず−ビ
ーム量は減少し、依ってこの光電変換素子(6)からの
出力を検出すれば焦点でのレーザービームBのエネルギ
ー強度の分布を知ることができる。
フエッヂ(8)がレーザービームBを徐々に遮断するの
で、光電変換素子(6)Kよっ【受光されるレーず−ビ
ーム量は減少し、依ってこの光電変換素子(6)からの
出力を検出すれば焦点でのレーザービームBのエネルギ
ー強度の分布を知ることができる。
ところで、光遮蔽体(8)として図のようなナイフエッ
ヂを使用すると次のような欠点を生ずる。
ヂを使用すると次のような欠点を生ずる。
即ち、ナイフエッヂ(8)の端面即ちレーザービームB
をカットする面は非常に薄くする必要があるため、その
加工が困難であり、かつレーザービームBを切るエッヂ
ラインの仕上は精度が得にくぃという欠点がある。その
ためレーザービームのカットにばらつきが出、正確なエ
ネルギー分布な測定できない、更[f、!ll鉢体8)
はナイフであるので取り扱いが危険である。又この実施
例のよ5に屈折率を補正するための補正グラス(7)は
測定すべき対物レンズ(3)を交換するたびに光路上K
NiLり付ける必要があるが、仁の補正グラス(7)は
光電変換素子(6)の受光面に対し正確に平行していな
ければならない、そのため補正グラス(7)の再龜付け
、再調整が必要で、画調である。
をカットする面は非常に薄くする必要があるため、その
加工が困難であり、かつレーザービームBを切るエッヂ
ラインの仕上は精度が得にくぃという欠点がある。その
ためレーザービームのカットにばらつきが出、正確なエ
ネルギー分布な測定できない、更[f、!ll鉢体8)
はナイフであるので取り扱いが危険である。又この実施
例のよ5に屈折率を補正するための補正グラス(7)は
測定すべき対物レンズ(3)を交換するたびに光路上K
NiLり付ける必要があるが、仁の補正グラス(7)は
光電変換素子(6)の受光面に対し正確に平行していな
ければならない、そのため補正グラス(7)の再龜付け
、再調整が必要で、画調である。
又、縞3図で示すように光電変換素子(6)の受光面(
61)と、焦点から受光面(6m)までの距離藤との関
数である開口角Iが大きい根先電変換素子(6)の受光
能力(N・ム)が増し、かつ受光面(6a)が小さくて
も所定の受光能力を得ることができるが、従来のように
ナイフエッヂ(8)を使用すると、このナイフの厚みW
阜のため距離廖は左ti翅縮することがで鯉ない、その
ため、受光能力が低下し、逆に光電変換素子(6)とし
て大塵のものを使用しなければならない、素子(6)が
大撒ゆえ応答速縦が遅くなるという欠点もある。
61)と、焦点から受光面(6m)までの距離藤との関
数である開口角Iが大きい根先電変換素子(6)の受光
能力(N・ム)が増し、かつ受光面(6a)が小さくて
も所定の受光能力を得ることができるが、従来のように
ナイフエッヂ(8)を使用すると、このナイフの厚みW
阜のため距離廖は左ti翅縮することがで鯉ない、その
ため、受光能力が低下し、逆に光電変換素子(6)とし
て大塵のものを使用しなければならない、素子(6)が
大撒ゆえ応答速縦が遅くなるという欠点もある。
そこで、この発明ではこのような色々な欠点な構成簡単
に除去したものである。続いて、この発明の一例を第4
図以下を参照して説明する。
に除去したものである。続いて、この発明の一例を第4
図以下を参照して説明する。
第4図はこの発明に係るレンズの集光性能測定装置の一
例であって、第sWJはこの発ll1IK於いて使用す
る光纏蔽体翰の一例である。この光遮蔽体−は光透過性
の基板Cυと光遮蔽層のとで構成され、基板a1は第2
図に於いて説明したよ5に基板(1)によって生ずる屈
折率の補正用としても使用する。
例であって、第sWJはこの発ll1IK於いて使用す
る光纏蔽体翰の一例である。この光遮蔽体−は光透過性
の基板Cυと光遮蔽層のとで構成され、基板a1は第2
図に於いて説明したよ5に基板(1)によって生ずる屈
折率の補正用としても使用する。
そのため、基fj(1)と同一の犀みW4で、同一の材
質のものを使用する。
質のものを使用する。
基板+211の上面(21畠)K形成される光遮蔽層四
とし【はりIム等の金属層を使用でき、これを上面(Z
ta)の前WJK蒸着すると共に、その後エツチング部
層によつ″C第暴図で示すような端面(22りを有する
光遮蔽層(2)を形成する。この形成はリング参フィー
の技術を利用すれば、その厚みW3や端面(22M)の
直線性を高い精度で形成することができる。
とし【はりIム等の金属層を使用でき、これを上面(Z
ta)の前WJK蒸着すると共に、その後エツチング部
層によつ″C第暴図で示すような端面(22りを有する
光遮蔽層(2)を形成する。この形成はリング参フィー
の技術を利用すれば、その厚みW3や端面(22M)の
直線性を高い精度で形成することができる。
このよ5に構成された光纏蔽体翰は第4図で示すように
光遮蔽層(2)が光電変換素子(6)と対向するような
状態で配されると共にル−ず−ビームBの焦点を含む面
内に基板Q1)の端面(21m)が存するようにその位
置が選定される。その場合、光遮蔽層(2)の厚みは1
0声m以下にすることかでするので、焦点から光電変換
素子(6)tでの距離1をこの光遮蔽層(2)の厚みW
sまで短縮できる。
光遮蔽層(2)が光電変換素子(6)と対向するような
状態で配されると共にル−ず−ビームBの焦点を含む面
内に基板Q1)の端面(21m)が存するようにその位
置が選定される。その場合、光遮蔽層(2)の厚みは1
0声m以下にすることかでするので、焦点から光電変換
素子(6)tでの距離1をこの光遮蔽層(2)の厚みW
sまで短縮できる。
以上説明したようにこの発@によれば屈折率補正用のグ
ラスを基板として使用すると共に、その上面に光遮蔽層
をリソグラフィー勢の技術を用いて形成したので、端面
(274m)の直線性が極めて真紅で、かつ光遮蔽層(
2)の厚みを10数声m以下に選定できるので、従来に
比し以下述べるような特徴を有する。
ラスを基板として使用すると共に、その上面に光遮蔽層
をリソグラフィー勢の技術を用いて形成したので、端面
(274m)の直線性が極めて真紅で、かつ光遮蔽層(
2)の厚みを10数声m以下に選定できるので、従来に
比し以下述べるような特徴を有する。
まずこの発明に於い(は基板なυの上面Klh着勢の手
RKよって光遮蔽層(2)を形成したので、端面(22
りのエッヂラインの仕上げ精度を極めて高くすることが
できる。そのためビームカットにばらつぎが生ぜず、正
確なエネルギー分布の測定が可能になる。勿論ナイフそ
のものを使用していないので取り扱いが容易であると共
に危険性は全くない・ 更にこの発明のように基板Qυを上面とし、下面個に光
遮蔽層四があるようにビーム焦点側にこの光遮蔽体翰を
配する場合には、焦点と光電変換素子(6)との距離廖
を可及的に小さくできるから、開口角−を大きくするこ
とができる。従って光遮蔽層(2)によって回折された
回折光の殆んどすべてを受光面(6i) K入射させる
ことができるので、従来よりも充電変換素子(6)の集
光能力が大幅に増大する。従って、それだけエネルギー
強度分布の測定−差が少なくなって、対物レンズ(3)
の集光性能を正確に測屋できる%黴を有する。
RKよって光遮蔽層(2)を形成したので、端面(22
りのエッヂラインの仕上げ精度を極めて高くすることが
できる。そのためビームカットにばらつぎが生ぜず、正
確なエネルギー分布の測定が可能になる。勿論ナイフそ
のものを使用していないので取り扱いが容易であると共
に危険性は全くない・ 更にこの発明のように基板Qυを上面とし、下面個に光
遮蔽層四があるようにビーム焦点側にこの光遮蔽体翰を
配する場合には、焦点と光電変換素子(6)との距離廖
を可及的に小さくできるから、開口角−を大きくするこ
とができる。従って光遮蔽層(2)によって回折された
回折光の殆んどすべてを受光面(6i) K入射させる
ことができるので、従来よりも充電変換素子(6)の集
光能力が大幅に増大する。従って、それだけエネルギー
強度分布の測定−差が少なくなって、対物レンズ(3)
の集光性能を正確に測屋できる%黴を有する。
勿論、受光能力が高いので、゛その分光電変換素子(6
)としては小型のものを使用できる。又小型にすれば光
検出に対する応簀速度を速めることができるので、それ
だけ検出精度が向上する。
)としては小型のものを使用できる。又小型にすれば光
検出に対する応簀速度を速めることができるので、それ
だけ検出精度が向上する。
又、この発明では屈折率補正用のグラスは光遮蔽体(至
)の基板なυとして使用され、光am体(2)は対物レ
ンズ(3)の光軸と垂直となるように調整され、この調
整は淘定開始前に1[だけ行なえばよいので、従来のよ
うK IIJ定すべt対物レンズ(3)を交換するたび
に補正グラスの位置調整をしないでも済む、そのため、
測定操作が容易である。
)の基板なυとして使用され、光am体(2)は対物レ
ンズ(3)の光軸と垂直となるように調整され、この調
整は淘定開始前に1[だけ行なえばよいので、従来のよ
うK IIJ定すべt対物レンズ(3)を交換するたび
に補正グラスの位置調整をしないでも済む、そのため、
測定操作が容易である。
尚、上述した実施例ではビデオディスタ勢に於いて用い
られ【いる集光レンズとしての対物レンズの集光性能を
評価する場合に適用したが、その他の装置に於いて使用
される対物レンズの集光性能を評価する場合にもこの発
明を応用することができる。
られ【いる集光レンズとしての対物レンズの集光性能を
評価する場合に適用したが、その他の装置に於いて使用
される対物レンズの集光性能を評価する場合にもこの発
明を応用することができる。
第1図はビデオディスクの光学系の説明のための図、第
2−は従来のレンズの集光性能測定装置の一例を示す構
成図、第3図は開口角の説明に供 1する図、第4
図はこの発明に係るレンズ集光性能の測定装置の一例を
示す構成図、第5図はこの発明に1に″C使用して好適
な光遮蔽体の一例を示す斜視図である。 (1)は基板、(2)は補正グラス、(3)は対物レン
ズ、Bはレーず−ビーム、(8)、(2)は光遮蔽体、
(21は基板、勾は光遮蔽層、(22m)はその端面、
(6)は光電変換素子である。 第1図 第2図 第4図 W2 << Wt
2−は従来のレンズの集光性能測定装置の一例を示す構
成図、第3図は開口角の説明に供 1する図、第4
図はこの発明に係るレンズ集光性能の測定装置の一例を
示す構成図、第5図はこの発明に1に″C使用して好適
な光遮蔽体の一例を示す斜視図である。 (1)は基板、(2)は補正グラス、(3)は対物レン
ズ、Bはレーず−ビーム、(8)、(2)は光遮蔽体、
(21は基板、勾は光遮蔽層、(22m)はその端面、
(6)は光電変換素子である。 第1図 第2図 第4図 W2 << Wt
Claims (1)
- レーず一ビームを、集光性能を測定すべき対物レンズを
介して集光させると共に、その焦点近傍に光電変換素子
を配し、この光電変換素子と平行で、かつ上記焦点を通
る面内にレーず−ビームを線断する光迩蔽体が移動自在
に配され、この光鐘蔽体はレーず一ディスク用の基板と
同一の屈折率を有する平板状の基板と、その−面に形成
された光纏蔽層で構成され、上記遮蔽体を移動させ(レ
ーず一ビームを線断することにより上記光電変換素子よ
り上記焦点近傍に於けるレーザービームのエネルギー強
度に対応した出力を得るようKしたレンズの集光性能測
定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226382A JPS58139043A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | レンズの集光性能測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226382A JPS58139043A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | レンズの集光性能測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58139043A true JPS58139043A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12077877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2226382A Pending JPS58139043A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | レンズの集光性能測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58139043A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5004337A (en) * | 1990-05-31 | 1991-04-02 | Eastman Kodak Company | Modified Foucault for testing an imaging device in terms of the encircled energy test |
US5022753A (en) * | 1990-05-31 | 1991-06-11 | Eastman Kodak Company | Modified Foucault method for uniquely profiling an imaging device |
WO1991010925A1 (en) * | 1990-01-12 | 1991-07-25 | Eastman Kodak Company | Novel optical element for employment in the foucault knife-edge method |
US5155544A (en) * | 1990-01-12 | 1992-10-13 | Eastman Kodak Company | Foucault method for testing an optical surface |
CN102384837A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | 成都易生玄科技有限公司 | 缩聚镜及缩聚镜为主体的集成缩聚功能单元的检测方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57179629A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for measuring focused spot diameter |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2226382A patent/JPS58139043A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS57179629A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for measuring focused spot diameter |
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