JPS58136105A - 帯域合成器 - Google Patents
帯域合成器Info
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- JPS58136105A JPS58136105A JP1810682A JP1810682A JPS58136105A JP S58136105 A JPS58136105 A JP S58136105A JP 1810682 A JP1810682 A JP 1810682A JP 1810682 A JP1810682 A JP 1810682A JP S58136105 A JPS58136105 A JP S58136105A
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- magic
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- terminal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波帯および準ミリ波帯の導波管装置に
おいて異なる２周波数帯の電波を合成又は分波する装置
に関するものである。なおこの装置において合成と分波
は単に使用法の差異によるものであるので、簡単のため
に本明細書においては本装置を帯域合成器と呼ぶ。
おいて異なる２周波数帯の電波を合成又は分波する装置
に関するものである。なおこの装置において合成と分波
は単に使用法の差異によるものであるので、簡単のため
に本明細書においては本装置を帯域合成器と呼ぶ。
帯域合成器としては従来いくつかの形式のものが知られ
ているが、いずれも機能の面或いは大きさく価格）の面
で難点があった。すなわち。
ているが、いずれも機能の面或いは大きさく価格）の面
で難点があった。すなわち。
あとに詳しく説明するが、帯域通過フィルタを用いた帯
域合成器は、大電力用として用いる場合は使用するフィ
ルタのＱに起因する電力ロスが犬であって、大電力用と
しては使用できない欠点があり、又導波路のカットオフ
特性を利用したものは１合成又は分波しようとする２つ
の周波数帯の電波が隣接すると合成器で使用するカット
オフフィルタの一方の電波に対する整合が困難になるば
かりでなく、形状が非常に大きくなる欠点があり、更に
２つの電波の導波管内における位相速度の差を利用した
群分波器を基本にしたものは１両周波数帯を隣接させる
ことが出来なくなるだけでなく、装置が大きく又重くな
る欠点があり、いずれも好ましいものではなかった。
域合成器は、大電力用として用いる場合は使用するフィ
ルタのＱに起因する電力ロスが犬であって、大電力用と
しては使用できない欠点があり、又導波路のカットオフ
特性を利用したものは１合成又は分波しようとする２つ
の周波数帯の電波が隣接すると合成器で使用するカット
オフフィルタの一方の電波に対する整合が困難になるば
かりでなく、形状が非常に大きくなる欠点があり、更に
２つの電波の導波管内における位相速度の差を利用した
群分波器を基本にしたものは１両周波数帯を隣接させる
ことが出来なくなるだけでなく、装置が大きく又重くな
る欠点があり、いずれも好ましいものではなかった。
したがってこの発明の目的は低損失で耐電力特性に優れ
かつ異なる周波数帯が比較的隣接している場合有利な帯
域合成器を提供することにある。
かつ異なる周波数帯が比較的隣接している場合有利な帯
域合成器を提供することにある。
本発明によれば、２つのハイブリッド結合器の中間に２
つの導波路を並列に接続し２周波数帯の互いに異なる２
つの電波を２等分して伝送し該２つの電波についての合
成または分波を行う装置において、前記２つの導波路の
うちの一方が１周波数弁別移相器を含み前記２等分され
た電波間の移送量が前記２つの周波数帯において互いに
１８０°の差異を有す４るように構成した移相手段を有
していることを特徴とする帯域合成器が得られる。
つの導波路を並列に接続し２周波数帯の互いに異なる２
つの電波を２等分して伝送し該２つの電波についての合
成または分波を行う装置において、前記２つの導波路の
うちの一方が１周波数弁別移相器を含み前記２等分され
た電波間の移送量が前記２つの周波数帯において互いに
１８０°の差異を有す４るように構成した移相手段を有
していることを特徴とする帯域合成器が得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。なお本発明と従来
の発明の差異を明確にするため、従来装置についても詳
しく説明する。
の発明の差異を明確にするため、従来装置についても詳
しく説明する。
第１図はマジックＴと帯域通過フィルタを用いた従来の
帯域合成器の構成の一例を示した図であって、１１およ
び１２はマジックＴであり。
帯域合成器の構成の一例を示した図であって、１１およ
び１２はマジックＴであり。
１６および１４は異った２周波数帯の電波Ｆ８．。
Ｆ１□（Ｆ、１の周波数＞Ｆ、□の周波数）の内、Ｆ１
２に対して帯域通過特性を有した帯域通過フィルタであ
って、Ｆｌ、に対する等価ショート面が互いに２ｇ＋＋
／４（２ｇ１１はＦｉｌの管内波長）だけずれるように
配置されている。このような構成において、マジックＴ
１□のＨ分岐端子Ｔ１５から入射された電波ＦＩ２は同
相関係を保って等振幅で２分され端子ＴＩ□、Ｔ、８に
現れる。帯域通過フィルタ１６゜１４はＦ１□に対して
同一通過特性を有するので。
２に対して帯域通過特性を有した帯域通過フィルタであ
って、Ｆｌ、に対する等価ショート面が互いに２ｇ＋＋
／４（２ｇ１１はＦｉｌの管内波長）だけずれるように
配置されている。このような構成において、マジックＴ
１□のＨ分岐端子Ｔ１５から入射された電波ＦＩ２は同
相関係を保って等振幅で２分され端子ＴＩ□、Ｔ、８に
現れる。帯域通過フィルタ１６゜１４はＦ１□に対して
同一通過特性を有するので。
Ｆｌ２はそれらにより影響されることなく通過し。
マジックＴｌｌのＨ分岐端子ＴＩ２に合成される。
一方、マジック’Ｉ’ｌｌのＥ分岐端子Ｔ、１から入射
された電波Ｆｌｌは、逆相関係を保って等振幅で２分さ
れ、端子Ｔ１３ ＋ ＴＩ４に現れる。しかし帯域通過
フィルタ１３．１４は、Ｆｌｌに対してカットオフ特性
を示すから、いずれの電波も反射されマジックＴの端子
ＴＩ３ ＋ ＴＩ４にもどってくる。ただこの場合前述
のとおり帯域通過フィルタ１３．１４間の等価反射面は
λｇｕ／４だけずれているので。
された電波Ｆｌｌは、逆相関係を保って等振幅で２分さ
れ、端子Ｔ１３ ＋ ＴＩ４に現れる。しかし帯域通過
フィルタ１３．１４は、Ｆｌｌに対してカットオフ特性
を示すから、いずれの電波も反射されマジックＴの端子
ＴＩ３ ＋ ＴＩ４にもどってくる。ただこの場合前述
のとおり帯域通過フィルタ１３．１４間の等価反射面は
λｇｕ／４だけずれているので。
マジックＴの端子Ｔ１３ ＋ Ｔ１４における反射波の
相対位相は同相関係を保っている。従ってマジックＴ１
□のＥ分岐端子Ｔｌ＋から入射された電波Ｆｌ＋は、同
マジックＴのＨ分岐端子Ｔ１２に出力される。なお１３
および１４で示した帯域通過フィルタの代わりに帯域阻
止フィルタを用いても同様な効果を得ることができる。
相対位相は同相関係を保っている。従ってマジックＴ１
□のＥ分岐端子Ｔｌ＋から入射された電波Ｆｌ＋は、同
マジックＴのＨ分岐端子Ｔ１２に出力される。なお１３
および１４で示した帯域通過フィルタの代わりに帯域阻
止フィルタを用いても同様な効果を得ることができる。
なお上記の構成で無反射終端器１５ハ電波Ｆ１□のフィ
ルタ１３および１４による反射波を吸収する。
ルタ１３および１４による反射波を吸収する。
この種の従来の帯域合成器は上に説明したように異なる
２周波数帯Ｆｏ ＋ Ｆｌ２ ｋ隣接させることができ
るが、これを電力合成器として用いる場合は、先に説明
したように、フィルタ１６と１４のＱに起因する耐電力
特性の観点で、大電力用には使用できなかったのである
。
２周波数帯Ｆｏ ＋ Ｆｌ２ ｋ隣接させることができ
るが、これを電力合成器として用いる場合は、先に説明
したように、フィルタ１６と１４のＱに起因する耐電力
特性の観点で、大電力用には使用できなかったのである
。
第２図はマジックＴとカットオフフィルタを用いた従来
の帯域合成器の構成の他の例を示しだ図であって、帯域
通過（又は帯域阻止）フィルタの代わりにカットオフフ
ィルタを用いた外ば、第１図の従来例と同一の構成であ
る。カットオフフィルタは、導波管の形状によって定す
るカットオフ特性を利用して、異なる２周波数帯の電波
Ｆ２８． Ｆ２２ （Ｆ２１の周波数〉Ｆ２□の周波数
）の内、Ｆ２．のみを通過せしめＦ２２ ｋ反射させる
ものである。即ち、マジックＴ２１はＦ２１およびＦ２
２の基本波モードを伝送できる導波管断面を有し。
の帯域合成器の構成の他の例を示しだ図であって、帯域
通過（又は帯域阻止）フィルタの代わりにカットオフフ
ィルタを用いた外ば、第１図の従来例と同一の構成であ
る。カットオフフィルタは、導波管の形状によって定す
るカットオフ特性を利用して、異なる２周波数帯の電波
Ｆ２８． Ｆ２２ （Ｆ２１の周波数〉Ｆ２□の周波数
）の内、Ｆ２．のみを通過せしめＦ２２ ｋ反射させる
ものである。即ち、マジックＴ２１はＦ２１およびＦ２
２の基本波モードを伝送できる導波管断面を有し。
一方マシックＴ２２は周波数の高い方の電波Ｆ２１のみ
を伝送せしめＦ２□に対してはカットオフ領域になるよ
うな導波管断面に選ばれている。両マジックＴの端子Ｔ
２３とＦ２７ ＋ Ｆ２４とＴ２８間には各々Ｆ２１に
対して整合したチー・ぐ導波管で構成されたカットオフ
フィルタ２３ 、２４が接続されている。
を伝送せしめＦ２□に対してはカットオフ領域になるよ
うな導波管断面に選ばれている。両マジックＴの端子Ｔ
２３とＦ２７ ＋ Ｆ２４とＴ２８間には各々Ｆ２１に
対して整合したチー・ぐ導波管で構成されたカットオフ
フィルタ２３ 、２４が接続されている。
又カットオフフィルタ２３および２４の接続位置は電波
Ｆ２２に対等価ショート面が互いにＡｇ２２／４（２ｇ
２２はＦ２２の管内波長）だけずれるように配置されて
いる。
Ｆ２２に対等価ショート面が互いにＡｇ２２／４（２ｇ
２２はＦ２２の管内波長）だけずれるように配置されて
いる。
このような構成において、マジックＴ２□のＨ分岐端子
Ｔ２５から入射した電波Ｆ２、ｕカットオフフィルタ２
３ 、２４に影響を受けずマジックＴ２１のＨ分岐端子
Ｔ２２に出力される。一方マシックＴ２１のＥ分岐端子
Ｔ２＋から入射された電波Ｆ２□は逆相等振幅にて２分
された後カットオフフィルタ２３゜２４にて各々反射さ
れ、Ｈ分岐端子Ｔ２□に出力される。この構成で無反射
終端器２５は電波Ｆ２＋のカットオフフィルタ２３およ
び２４による反射波を吸収する。
Ｔ２５から入射した電波Ｆ２、ｕカットオフフィルタ２
３ 、２４に影響を受けずマジックＴ２１のＨ分岐端子
Ｔ２２に出力される。一方マシックＴ２１のＥ分岐端子
Ｔ２＋から入射された電波Ｆ２□は逆相等振幅にて２分
された後カットオフフィルタ２３゜２４にて各々反射さ
れ、Ｈ分岐端子Ｔ２□に出力される。この構成で無反射
終端器２５は電波Ｆ２＋のカットオフフィルタ２３およ
び２４による反射波を吸収する。
しかしながらこの種の帯域合成器は、その合成機構が導
波管のカットオフ特性で分波する原理にもとづくので、
異なる周波数帯の電波Ｆ２１゜Ｆ２□が隣接する場合に
は、先にも述べたように。
波管のカットオフ特性で分波する原理にもとづくので、
異なる周波数帯の電波Ｆ２１゜Ｆ２□が隣接する場合に
は、先にも述べたように。
カットオフフィルタ２３．２４のＦ２． Ｋ対する整合
が困難になるばかりでなく、形状が過大にならざるを得
なかった。
が困難になるばかりでなく、形状が過大にならざるを得
なかった。
第６図は異なる２周波数帯の電波の導波管内での位相速
度の差を利用した群分波器を用いた従来の帯域合成器の
更に他の例全示しだもので。
度の差を利用した群分波器を用いた従来の帯域合成器の
更に他の例全示しだもので。
（−
６１は異なる２周波数帯の電波（Ｆ３．の周波数〉Ｆ３
２の周波数）の内Ｆ３１に影響することなく Ｆ３□の
み結合する群分波器、６２は分波された電波Ｆｓ＋ ｋ
合成するマジックＴ、６６および３４ｒｉ無反射終端器
、そして６５は電波Ｆ３１に対しては通過特性を有し電
波Ｆ３□に対してはカットオフ特性を有するカットオフ
フィルタである。
２の周波数）の内Ｆ３１に影響することなく Ｆ３□の
み結合する群分波器、６２は分波された電波Ｆｓ＋ ｋ
合成するマジックＴ、６６および３４ｒｉ無反射終端器
、そして６５は電波Ｆ３１に対しては通過特性を有し電
波Ｆ３□に対してはカットオフ特性を有するカットオフ
フィルタである。
上記のような構成において、カットオフフィルタ３５の
端子Ｔ３２から入射された電波Ｆ３１は群分波器にて影
響を受けることなくその出力端子Ｔ３３に現れる。一方
マシックＴ３２のＥ分岐端子Ｔ３１から入射された電波
Ｆ３２は、逆相等振幅で２分され群分波器の主導波管部
のＨ面管壁に多数切られた結合孔を介して主導波管と結
合し端子Ｔ３３に出力される。この種の帯域合成器は異
なる２周波数帯の電波の導波管内での位相速度の差を利
用した群分波器を基本にしだものであるので、先にも述
べたように２両周波数帯を隣接させることができないば
かりでなく、装置の形状重量共に小さくすることができ
なかった。
端子Ｔ３２から入射された電波Ｆ３１は群分波器にて影
響を受けることなくその出力端子Ｔ３３に現れる。一方
マシックＴ３２のＥ分岐端子Ｔ３１から入射された電波
Ｆ３２は、逆相等振幅で２分され群分波器の主導波管部
のＨ面管壁に多数切られた結合孔を介して主導波管と結
合し端子Ｔ３３に出力される。この種の帯域合成器は異
なる２周波数帯の電波の導波管内での位相速度の差を利
用した群分波器を基本にしだものであるので、先にも述
べたように２両周波数帯を隣接させることができないば
かりでなく、装置の形状重量共に小さくすることができ
なかった。
第４図は本発明の一実施例の構成を示した図である。図
中４１および４２はハイブリット、結合器であるマジッ
クＴ、４６は異なる２周波数帯の電波Ｆ４１とＦ４２（
Ｆ４１周波数〉Ｆ４□周波数）間に１８０°の相対位相
差を有する周波数弁別移相器。
中４１および４２はハイブリット、結合器であるマジッ
クＴ、４６は異なる２周波数帯の電波Ｆ４１とＦ４２（
Ｆ４１周波数〉Ｆ４□周波数）間に１８０°の相対位相
差を有する周波数弁別移相器。
４４は直線導波管、そして４５は無反射終端器である。
なお４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃについてはあとに説明する
。
。
上記のような構成において、２つのマジックＴの中間接
続される２本の分岐導波管の内のふつうの直線導波管４
４による移相量に対して。
続される２本の分岐導波管の内のふつうの直線導波管４
４による移相量に対して。
あとにその概要が説明される周波数弁別移相器４３の移
相量が前記２周波数帯Ｆ４＋とＦ４□の一方Ｆ４１に対
しては同相関係を保ちつつもう一方のＦ４□に対しては
１８０００位相差を保つ場合、マジックＴ４１のＨ分岐
端子Ｔ４１から入射された電波Ｆ４＋は同相で２等分さ
れその端子Ｔ４３ ＋ Ｆ４４に現れる。２等分された
電波Ｆ４１は各々分岐導波管である直線導波管４４およ
び周波数弁別移相器４６ヲ同相関係を保ったまま伝送し
マジックＴ４□の端子Ｔ４７ ＋ １４ｇ ＶＣ各々導
かれ１合成された後Ｈ分岐端子Ｔ４．に出力する。
相量が前記２周波数帯Ｆ４＋とＦ４□の一方Ｆ４１に対
しては同相関係を保ちつつもう一方のＦ４□に対しては
１８０００位相差を保つ場合、マジックＴ４１のＨ分岐
端子Ｔ４１から入射された電波Ｆ４＋は同相で２等分さ
れその端子Ｔ４３ ＋ Ｆ４４に現れる。２等分された
電波Ｆ４１は各々分岐導波管である直線導波管４４およ
び周波数弁別移相器４６ヲ同相関係を保ったまま伝送し
マジックＴ４□の端子Ｔ４７ ＋ １４ｇ ＶＣ各々導
かれ１合成された後Ｈ分岐端子Ｔ４．に出力する。
一方マシックＴ４１のＥ分岐端子Ｔ４□から入射されだ
電波Ｆ４２は、互いに逆相関係を保って２等分され端子
Ｔ４３ ＋ Ｆ４４に現れる。それらは前記同様直線導
波管４４および周波数弁別移相器４３を伝送するが、電
波Ｆ４２について両溝波管（４３および４４）による相
対位相差は１８０°あるから。
電波Ｆ４２は、互いに逆相関係を保って２等分され端子
Ｔ４３ ＋ Ｆ４４に現れる。それらは前記同様直線導
波管４４および周波数弁別移相器４３を伝送するが、電
波Ｆ４２について両溝波管（４３および４４）による相
対位相差は１８０°あるから。
マジックＴ４２の端子Ｔ４□とＦ４８においては同相に
なり９合成された後Ｈ分岐端子Ｔ、５に出力する。
なり９合成された後Ｈ分岐端子Ｔ、５に出力する。
以上説明した動作原理により、マジックＴ４１のＨおよ
びＥ分岐端子から各々分離して入射された異なる２周波
数帯の電波Ｆ４１ ＋ Ｆ４□は、もう一方のマジック
Ｔ４□のＨ分岐端子に帯域合成され出力される。
びＥ分岐端子から各々分離して入射された異なる２周波
数帯の電波Ｆ４１ ＋ Ｆ４□は、もう一方のマジック
Ｔ４□のＨ分岐端子に帯域合成され出力される。
ここで本発明の帯域合成器の構成要素の１つである周波
数弁別移相器４６について概要全説明する。
数弁別移相器４６について概要全説明する。
第５図はこの周波数弁別移相器４３の上部の一部を除い
て斜めから見た図（但し第４図の場合に較べ９０°回転
しである）である。
て斜めから見た図（但し第４図の場合に較べ９０°回転
しである）である。
第６図は第５図の合成器の６つの断面を示した図であり
ｌ （Ａ） ｌ （Ｂ）および（Ｃ）は第４図および第
５図の４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに対応する位置における
断面をそれぞれあられしている。そして（Ａ）の断面を
示す部分の導波管はふつうの矩形導波管をあられしてい
る（その広幅方向の大きさ’Ｔｈａとする）。丑だ（Ｂ
）の断面を示す部分の導波管はスクイズ導波管をあられ
したもので、その広幅方向の大きさｂは囚における幅ａ
より狭くしてあって９画周波数帯Ｆ４１およびＦ４２
を共に位相を進める。更にＣ）の断面金示す部分は矩形
導波管部５１（４）と同じ断面の上下両側に結合孔５２
ｆ：介して空胴５３が設けられた構造になっている。
ｌ （Ａ） ｌ （Ｂ）および（Ｃ）は第４図および第
５図の４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃに対応する位置における
断面をそれぞれあられしている。そして（Ａ）の断面を
示す部分の導波管はふつうの矩形導波管をあられしてい
る（その広幅方向の大きさ’Ｔｈａとする）。丑だ（Ｂ
）の断面を示す部分の導波管はスクイズ導波管をあられ
したもので、その広幅方向の大きさｂは囚における幅ａ
より狭くしてあって９画周波数帯Ｆ４１およびＦ４２
を共に位相を進める。更にＣ）の断面金示す部分は矩形
導波管部５１（４）と同じ断面の上下両側に結合孔５２
ｆ：介して空胴５３が設けられた構造になっている。
この空胴は異なる２周波数帯の電波Ｆ４＋とＦ４２（Ｆ
４１周波数〉Ｆ４２周波数）の間の使用外周波数帯に共
振周波数を有した非同調空胴共振器であって、Ｆ、１周
波数帯では誘導性、２４２周波数帯では容量性の等価並
列サセプタンスとシテ矩形導波管５１に作用する。すな
わち前者は矩形導波管内を伝播する電波の位相を進ませ
、後者は逆に遅らせる性質を有する。
４１周波数〉Ｆ４２周波数）の間の使用外周波数帯に共
振周波数を有した非同調空胴共振器であって、Ｆ、１周
波数帯では誘導性、２４２周波数帯では容量性の等価並
列サセプタンスとシテ矩形導波管５１に作用する。すな
わち前者は矩形導波管内を伝播する電波の位相を進ませ
、後者は逆に遅らせる性質を有する。
第７図は第６図の周波数弁別移相器の（Ｂ）断面部およ
び（Ｃ）断面部の通常導波管４４（第４図）に対する相
対位相特性音２つの周波数Ｆ”４１とＦ４２に対して示
した図である。図中曲線りは第６図（Ｃ）の断面構造を
有した多段の非同調空胴共振器群の相対位相特性９曲線
Ｍは第６図（Ｂ）の断面構造を有したスクイズ導波管の
相対位相特性、そして曲線Ｎｌｄ両者を合成した相対位
相特性すなわち周波数弁別移相器４６の相対位相特性を
示している。第５図から容易に理解できるように。
び（Ｃ）断面部の通常導波管４４（第４図）に対する相
対位相特性音２つの周波数Ｆ”４１とＦ４２に対して示
した図である。図中曲線りは第６図（Ｃ）の断面構造を
有した多段の非同調空胴共振器群の相対位相特性９曲線
Ｍは第６図（Ｂ）の断面構造を有したスクイズ導波管の
相対位相特性、そして曲線Ｎｌｄ両者を合成した相対位
相特性すなわち周波数弁別移相器４６の相対位相特性を
示している。第５図から容易に理解できるように。
第５図に示す構造の移相器は２周波数帯Ｆ４．。
Ｆ４゜間［１８０°の位相差を設けることができる。
又２本移相器は、非同調空胴共振器群のＱを制御するこ
とにより、それらに課せられた２周波数帯Ｆ４１ ＋
”４２間の相対位相関係を一定に保ってＦ４１とＦ４２
の隣接度を自由に可変できるので、比、較的ガートバン
ドが小さい場合でも有効である。
とにより、それらに課せられた２周波数帯Ｆ４１ ＋
”４２間の相対位相関係を一定に保ってＦ４１とＦ４２
の隣接度を自由に可変できるので、比、較的ガートバン
ドが小さい場合でも有効である。
従って上部にような周波数弁別移相器を用いた第４図の
帯域合成器は、第４図に示し且つ説明したように、電力
のロスの原因となるフィルタを用いることなしにマジッ
クＴ４２のＨ分岐端子Ｔ４５から合成波全出力させるこ
とができ、而も合成しようとする両周波数帯のガートバ
ンドが比較的小さい場合でも効果的に動作する。
帯域合成器は、第４図に示し且つ説明したように、電力
のロスの原因となるフィルタを用いることなしにマジッ
クＴ４２のＨ分岐端子Ｔ４５から合成波全出力させるこ
とができ、而も合成しようとする両周波数帯のガートバ
ンドが比較的小さい場合でも効果的に動作する。
なお上記の実施例は帯域合成器に関するものであるが、
はじめにも触れたように、第４図の帯域合成器は分波器
として動作する。すなわち第４図において、Ｈ分岐端子
Ｔ、、 ［２つの周波数帯の電波の合波を入力すれば、
マジックＴ４１で分波されて端子Ｔ４１とＴ４□から別
々に出力される。この場合出力のロスが小さいこと及び
両周波数帯のガートバンドが比較的小さくてもよいこと
は前述の合成器として動作させる場合と全く同じである
。また前述の実施例においては。
はじめにも触れたように、第４図の帯域合成器は分波器
として動作する。すなわち第４図において、Ｈ分岐端子
Ｔ、、 ［２つの周波数帯の電波の合波を入力すれば、
マジックＴ４１で分波されて端子Ｔ４１とＴ４□から別
々に出力される。この場合出力のロスが小さいこと及び
両周波数帯のガートバンドが比較的小さくてもよいこと
は前述の合成器として動作させる場合と全く同じである
。また前述の実施例においては。
非同調空胴共振器群の位相特性を補償する要素としてス
クイズ導波管が用いられた場合について説明したが９周
波数に関して単調に変化する位相特性をもった要素であ
ればこれに限る必要はなく、容量性ポスト群による方法
、誘電体装荷による方法、アイリス群装荷による方法等
の組合せによっても所期の目的を達成できる。
クイズ導波管が用いられた場合について説明したが９周
波数に関して単調に変化する位相特性をもった要素であ
ればこれに限る必要はなく、容量性ポスト群による方法
、誘電体装荷による方法、アイリス群装荷による方法等
の組合せによっても所期の目的を達成できる。
以上説明したように本発明による帯域合成器は、使用周
波数帯内に共振周波数を有する空胴共振器がないために
高電力電波の合成および分波における伝送特性に優れる
ばかりでなく、構成要素の１つである周波数弁別移相器
が２つの使用周波数帯間に１８０°位相差を保って周波
数隣接度を自由に可変できる特徴を有するため、比較的
せまいガートバンドをはさんだ２周波数帯の電波の合成
および分波にも有利である。
波数帯内に共振周波数を有する空胴共振器がないために
高電力電波の合成および分波における伝送特性に優れる
ばかりでなく、構成要素の１つである周波数弁別移相器
が２つの使用周波数帯間に１８０°位相差を保って周波
数隣接度を自由に可変できる特徴を有するため、比較的
せまいガートバンドをはさんだ２周波数帯の電波の合成
および分波にも有利である。
第１図、第２図および第６図は従来の帯域合成（分波）
器の６つの例の斜視図、第４図は本発明の一実施例の斜
視図、第５図は第４図の合成器に用いられる周波数弁別
移相器の上部ｆｆｉ 一部除去した斜視図、第６図は第
５図の移相器の６つの断面図、第７図は第５図の周波数
弁別移相器の通常導波管に対する相対移相特性を示した
図である。 記号の説明＝４１と４２はマジックＴ、４３１ｄ周波数
弁別移相器、 ４３Ａ、４３Ｂ、および４３Ｃは。 通常導波管部、スクイズ導波管部、および矩形導波管に
非同調空胴共振器の結合された部分の位置をそれぞれあ
られした図、４５は無反射終端部、５１は矩形導波管、
５２は結合孔、５６は非同調空胴共振器をそれぞれあら
れしている。 ７ Ｆ＋２ ′。 第６図 第７図 Ｆ４２ Ｆ４１
器の６つの例の斜視図、第４図は本発明の一実施例の斜
視図、第５図は第４図の合成器に用いられる周波数弁別
移相器の上部ｆｆｉ 一部除去した斜視図、第６図は第
５図の移相器の６つの断面図、第７図は第５図の周波数
弁別移相器の通常導波管に対する相対移相特性を示した
図である。 記号の説明＝４１と４２はマジックＴ、４３１ｄ周波数
弁別移相器、 ４３Ａ、４３Ｂ、および４３Ｃは。 通常導波管部、スクイズ導波管部、および矩形導波管に
非同調空胴共振器の結合された部分の位置をそれぞれあ
られした図、４５は無反射終端部、５１は矩形導波管、
５２は結合孔、５６は非同調空胴共振器をそれぞれあら
れしている。 ７ Ｆ＋２ ′。 第６図 第７図 Ｆ４２ Ｆ４１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １２つのハイブリッド結合器の中間ＶＣ２つの導波路を
並列に接続し２周波数帯の互いに異なる２つの電波を２
等分して伝送し該２つの電波についての合成または分波
全行う装置において。 前記２つの導波路のうちの一方が９周波数弁別移相器を
含み前記２等分された電波間の移相量が前記２つの周波
数帯において互いに１８００の差異を有するように構成
した移相手段を有していることを特徴とする帯域合成器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1810682A JPS58136105A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 帯域合成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1810682A JPS58136105A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 帯域合成器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136105A true JPS58136105A (ja) | 1983-08-13 |
| JPH0345561B2 JPH0345561B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=11962367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1810682A Granted JPS58136105A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 帯域合成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136105A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755760A (en) * | 1986-01-10 | 1988-07-05 | C.G.R. Mev | Device for combining two alternating signals of the same frequency |
| JPH0417402A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 導波管方向性結合器 |
| US7972333B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-07-05 | River Seiko Medical Limited Company | High frequency incision tool for endoscope |
| JP2012199659A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 導波管接続構造、アンテナ装置およびレーダ装置 |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP1810682A patent/JPS58136105A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755760A (en) * | 1986-01-10 | 1988-07-05 | C.G.R. Mev | Device for combining two alternating signals of the same frequency |
| JPH0417402A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 導波管方向性結合器 |
| US7972333B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-07-05 | River Seiko Medical Limited Company | High frequency incision tool for endoscope |
| JP2012199659A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 導波管接続構造、アンテナ装置およびレーダ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345561B2 (ja) | 1991-07-11 |
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