JPS58136007A - 光回路およびその製造方法 - Google Patents
光回路およびその製造方法Info
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- JPS58136007A JPS58136007A JP57018473A JP1847382A JPS58136007A JP S58136007 A JPS58136007 A JP S58136007A JP 57018473 A JP57018473 A JP 57018473A JP 1847382 A JP1847382 A JP 1847382A JP S58136007 A JPS58136007 A JP S58136007A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス基板の表面に平行な方向に向がって形成
された高屈折率部分がその光軸からの距＃にしたがって
連続的に減少し、高屈折率領域が略円型である分岐１分
波等の光回路を構成するための光導波路に関するもので
ある。
された高屈折率部分がその光軸からの距＃にしたがって
連続的に減少し、高屈折率領域が略円型である分岐１分
波等の光回路を構成するための光導波路に関するもので
ある。
従来からイオン交換法や電界イオン拡散法を用いてガラ
ス基板に光導波路を形成する方法が各種提案され、光導
波路の光の伝送損失が他の方法に比較して極めて小さい
利点を牛かして光分岐回路あるいは光分波器等が提案さ
れている。しかし、従来の方法で製作された光ガイドは
第１図（ａ）Ｋ ｌ（＜すように基板、２／に設けられ
た先導波路２０のソロ軸に垂直な断面が半円であったり
第１図（ｂ）に／ｒ＜すように異形であり、屈折率分布
も比較的階段状に変化している。従って屈折率分布型光
ファイバとの結合の際、光ファイバのコア断面形状と光
ガイド断面形状の差異及び光ファイバのコアの１１■：
折率分布と光ガイド断面の屈折率分布の差異により結合
損失が大きくなり問題があった。
ス基板に光導波路を形成する方法が各種提案され、光導
波路の光の伝送損失が他の方法に比較して極めて小さい
利点を牛かして光分岐回路あるいは光分波器等が提案さ
れている。しかし、従来の方法で製作された光ガイドは
第１図（ａ）Ｋ ｌ（＜すように基板、２／に設けられ
た先導波路２０のソロ軸に垂直な断面が半円であったり
第１図（ｂ）に／ｒ＜すように異形であり、屈折率分布
も比較的階段状に変化している。従って屈折率分布型光
ファイバとの結合の際、光ファイバのコア断面形状と光
ガイド断面形状の差異及び光ファイバのコアの１１■：
折率分布と光ガイド断面の屈折率分布の差異により結合
損失が大きくなり問題があった。
例えば従来、ガラス基板中に光ガイドを製作する方法と
して特開昭１１９−３００’ｌｊｔにイオン拡散法とし
て溶融塩を用いた方法が記述されている。又、イオン拡
散源として金属を用いた方法が特開昭３０−／３乙Ｏ夕
０に記述されている。いずねも？Ｉ！ ：Ｊ’分極率の
大きいイオンを基板表面に設（Ｊた一ンスク（３） の開１」を通してガラス中に拡散さゼることによりガラ
ス中に高屈折率層をまず形成し、次いで、マスクを取り
除き電子分極率の小さいイオンを拡散させることにより
、高屈折率層をガラス中に埋めこむ方法であり光導波路
部の形状は円形には程遠い異形であり屈折率分布は階段
状に近い。あるいは円型断面をうるため第２図に示すよ
うに第１図（ａ、）に示すものを−１−下」枚に貼り合
わせて製作されていた。このため接合面で光損失が余分
に増加したり、貼り合わせに用いる接着剤のため信頼性
に欠番Ｊる面があった。
して特開昭１１９−３００’ｌｊｔにイオン拡散法とし
て溶融塩を用いた方法が記述されている。又、イオン拡
散源として金属を用いた方法が特開昭３０−／３乙Ｏ夕
０に記述されている。いずねも？Ｉ！ ：Ｊ’分極率の
大きいイオンを基板表面に設（Ｊた一ンスク（３） の開１」を通してガラス中に拡散さゼることによりガラ
ス中に高屈折率層をまず形成し、次いで、マスクを取り
除き電子分極率の小さいイオンを拡散させることにより
、高屈折率層をガラス中に埋めこむ方法であり光導波路
部の形状は円形には程遠い異形であり屈折率分布は階段
状に近い。あるいは円型断面をうるため第２図に示すよ
うに第１図（ａ、）に示すものを−１−下」枚に貼り合
わせて製作されていた。このため接合面で光損失が余分
に増加したり、貼り合わせに用いる接着剤のため信頼性
に欠番Ｊる面があった。
本発明は従来の技術を勘案して行なわれたものであり、
光ファイバーとの接続ロスが小さいほぼ円形断面の埋め
込み型先導波路を提供する。
光ファイバーとの接続ロスが小さいほぼ円形断面の埋め
込み型先導波路を提供する。
すなわち本発明は、表面の平坦な透明ガラス基材の内部
に、前記表面に平行な方向に延び前記基材の他の部分よ
りも高い屈折率を有する光路が設けられていて、前記高
屈折率領域における基材表面に垂直な断面内での屈折率
分布がその光軸で最も大きくその軸線から離れるにした
がって連続的に（４’） 減少し、且つ高屈折率領域の断面形状がほぼ円形である
ことを要旨としている。
に、前記表面に平行な方向に延び前記基材の他の部分よ
りも高い屈折率を有する光路が設けられていて、前記高
屈折率領域における基材表面に垂直な断面内での屈折率
分布がその光軸で最も大きくその軸線から離れるにした
がって連続的に（４’） 減少し、且つ高屈折率領域の断面形状がほぼ円形である
ことを要旨としている。
以Ｆ図面を用いて詳細に説明する。
第３図においてガラス基板／十面を拡散イオンに対し透
過比＋１−効果のある物質からなるマスク２で被覆し、
マスターの一部を導波路のＸ１２面パターンに合せて例
えば直線状にとり除き開口部３を設け、第１図に示すよ
うにマスク面を電子分極率の大きいイオンを含む溶融塩
７に接触させ、塩と基板を加熱し、マスク面を正極とし
て電界を印加し塩中のイオンをマスクのない部分に拡散
させ、基板中の一部イオンを外に出し、基板中に高屈折
率部ｑを形成する。ここでマスク開口部３の幅を充分狭
くすれば、例えばＳμ以下とすると得られる高屈折率部
ｌの断面は、はぼ半円になる。次いでマスクツを取り除
き、高屈折率部ｌの４＝而のみに望ましくはこの高屈折
率部ｌの基板表面でのｌ１ｌｌｉｌに対し３０％〜１０
Ｏ％の幅でマスクＳを設け、電子分極率の小さいイオン
を含む塩に接触させ、塩と基板を加熱し、マスクＳ商か
ら反対側を向く電界を印加し、塩中のイオンをマスクの
ないガラス部分に拡散させるとほぼ断面が円形に近い高
屈折率部乙が得られる。
過比＋１−効果のある物質からなるマスク２で被覆し、
マスターの一部を導波路のＸ１２面パターンに合せて例
えば直線状にとり除き開口部３を設け、第１図に示すよ
うにマスク面を電子分極率の大きいイオンを含む溶融塩
７に接触させ、塩と基板を加熱し、マスク面を正極とし
て電界を印加し塩中のイオンをマスクのない部分に拡散
させ、基板中の一部イオンを外に出し、基板中に高屈折
率部ｑを形成する。ここでマスク開口部３の幅を充分狭
くすれば、例えばＳμ以下とすると得られる高屈折率部
ｌの断面は、はぼ半円になる。次いでマスクツを取り除
き、高屈折率部ｌの４＝而のみに望ましくはこの高屈折
率部ｌの基板表面でのｌ１ｌｌｉｌに対し３０％〜１０
Ｏ％の幅でマスクＳを設け、電子分極率の小さいイオン
を含む塩に接触させ、塩と基板を加熱し、マスクＳ商か
ら反対側を向く電界を印加し、塩中のイオンをマスクの
ないガラス部分に拡散させるとほぼ断面が円形に近い高
屈折率部乙が得られる。
ここで高屈折率部乙の断面がほぼ円形に近くなるのは、
従来の方法と違いマスク５０周辺から電子分極率の小さ
いイオンがマスク外だけでなくマスク下のガラス中にも
イオン拡散してくるが、マスフタの中心直下にはその割
合が少なく、マスク周辺ではその割合が大きくなること
と、高屈折率部ｑを形成している電子分極率の大きいイ
オンの部分はガラス中のイオンの移動度が他の部分に比
し小さいため、マスク中央直下は電子分極率の大きいイ
オンの濃度が高く、深さも深いためこの部分の電子分極
率の大きいイオンの移動度はマスク周辺に比し、小さく
、周辺は大きいためと考えられる。従って第３図（ｂ）
のように上記マスクｊを付けてのイオン交換処理前に高
屈折率部ｌの断面を−く 半円に近く形成して士へことが必須条件となる。
従来の方法と違いマスク５０周辺から電子分極率の小さ
いイオンがマスク外だけでなくマスク下のガラス中にも
イオン拡散してくるが、マスフタの中心直下にはその割
合が少なく、マスク周辺ではその割合が大きくなること
と、高屈折率部ｑを形成している電子分極率の大きいイ
オンの部分はガラス中のイオンの移動度が他の部分に比
し小さいため、マスク中央直下は電子分極率の大きいイ
オンの濃度が高く、深さも深いためこの部分の電子分極
率の大きいイオンの移動度はマスク周辺に比し、小さく
、周辺は大きいためと考えられる。従って第３図（ｂ）
のように上記マスクｊを付けてのイオン交換処理前に高
屈折率部ｌの断面を−く 半円に近く形成して士へことが必須条件となる。
この段階で得られた高屈折率部乙の屈折率分布は電界を
印加して製作しているため階段状に変化している。そこ
で基板ガラスが熱変形しないｌ都度に基板を加熱し、高
屈折率部乙を形成している電子分極率の高いイオンと電
子分極率の小さいＩ’ｌＪち屈折率の増加の度合の小さ
い周囲のイ珂ンと相互拡散させることにより、光軸から
の距離に従−１て屈折率が小さくなるような屈折率分布
を形成する。
印加して製作しているため階段状に変化している。そこ
で基板ガラスが熱変形しないｌ都度に基板を加熱し、高
屈折率部乙を形成している電子分極率の高いイオンと電
子分極率の小さいＩ’ｌＪち屈折率の増加の度合の小さ
い周囲のイ珂ンと相互拡散させることにより、光軸から
の距離に従−１て屈折率が小さくなるような屈折率分布
を形成する。
また、この過程で高屈折率部乙の断面形状も更に真円に
近いものが得られる。
近いものが得られる。
以Ｆ実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
ガラス基板としてＮａ十、に十などのイＡンをｆｉｆｌ
記第７のイオンとして含む一例として厚さ５ ｍ／ｍの
ＢＫ７光学ガラスを用い、ガラス基板のＩ＝ １の曲は
平行かつ平坦ニ什」−げ、ガラス基板の−・商にチタン
などの金属を高周波スパッタ法で、２ ｌｒｍ 程ｍの
膜厚に形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて開口
部３が左μ程度の幅で例えば第５図に示すような所期の
光路パターンとなるようにＴ１膜を一部エッチングして
マスターとする。
記第７のイオンとして含む一例として厚さ５ ｍ／ｍの
ＢＫ７光学ガラスを用い、ガラス基板のＩ＝ １の曲は
平行かつ平坦ニ什」−げ、ガラス基板の−・商にチタン
などの金属を高周波スパッタ法で、２ ｌｒｍ 程ｍの
膜厚に形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて開口
部３が左μ程度の幅で例えば第５図に示すような所期の
光路パターンとなるようにＴ１膜を一部エッチングして
マスターとする。
次いでマスク２の面側を例えば、電子分極率が大きくガ
ラスに対する屈折率の寄りの大きいＴｌ＋（に′） イメンを含む塩７に浸す。
ラスに対する屈折率の寄りの大きいＴｌ＋（に′） イメンを含む塩７に浸す。
この塩はＴｌ」−、Ｏｓ″−＋ Ｌｊ−十＋ Ａｇ十な
どを少なくとも一種含む硝酸塩や硫酸塩などの溶液であ
ればさしつかえなく、容＆ ／／に入れられている。
どを少なくとも一種含む硝酸塩や硫酸塩などの溶液であ
ればさしつかえなく、容＆ ／／に入れられている。
対
次に、ガラス基板のマスクを形成した反側の面に△
例えば粘土層とＫＮＯ３をペースト状にしてつけた導電
ペースト層ざを介して電極９を密着させ、このＮｆｉ！
ｉｌｑを直流電源７．２の陰極側に接続し、溶融塩７中
に設りられた電極ＩＯを電源／ノの陽極に接続して直流
電圧を印加する。溶融塩？、ガラス基板／の流度を基板
ガラスの軟化流度より少しひくい例えばＳＳＯ″ＣＫ設
定し直流電圧として３０■を印加すると十数ｍＡの電流
が流れ約７時間の処理でガラス基板面に垂直な面で半円
形の直径ｌＳμ程度の高屈折率部ゲが得られる。
ペースト層ざを介して電極９を密着させ、このＮｆｉ！
ｉｌｑを直流電源７．２の陰極側に接続し、溶融塩７中
に設りられた電極ＩＯを電源／ノの陽極に接続して直流
電圧を印加する。溶融塩？、ガラス基板／の流度を基板
ガラスの軟化流度より少しひくい例えばＳＳＯ″ＣＫ設
定し直流電圧として３０■を印加すると十数ｍＡの電流
が流れ約７時間の処理でガラス基板面に垂直な面で半円
形の直径ｌＳμ程度の高屈折率部ゲが得られる。
次にガラス基板に残っているマスターをエツチングや研
磨等で取り除き、高屈折率部グが段用している面に、前
述したのと同様にＴ１等の金属マスクをスパッター等で
形成したのちフォトリソグラフィーの技術を用いて高屈
折率部ｌの」二面のみ、（７） 即ち、」二記例ではｔｌ夕μの幅を残して他の部分（ｊ
エツチングして取り除いて第一段イ」ン交換処理用のマ
スクＳとする。次いで、マスタＳの側の基板面を電子分
極率の小さい即ちガラスに対する屈折率の寄与の小さい
Ｎａ十、に＋の少なくとも一種を含む硝酸塩や硫酸塩に
浸して直流電圧を印加し、１０Ｖで約２時間程度の処理
を１１なうとガラス乱れ 板／表面に垂直な断面に’ｉｋ−いてほぼ直径１１３
／ｌの円形の高屈折率部乙が形成される。次いで溶融塩
からガラス基板をとりだし、マスクｊをとり除き、空気
中雰囲気で５７０°Ｃで約７時間の処理を行ない、高屈
折率部乙の部分に拡散した電子分極率の大きいイオンと
高屈折率部乙の周囲にある電子分極率の小さなイオンと
を相互拡散させることにより、高屈折率部乙の基板表面
に垂直な断面内での屈折率分布をその光軸からの距離に
従って屈折率が略コ乗分布に近い屈折率分布のものを形
成することができる。この熱処理工程で高屈折率部乙の
断面は若干数がり上述例の場合約ｉｏμの径となる。
磨等で取り除き、高屈折率部グが段用している面に、前
述したのと同様にＴ１等の金属マスクをスパッター等で
形成したのちフォトリソグラフィーの技術を用いて高屈
折率部ｌの」二面のみ、（７） 即ち、」二記例ではｔｌ夕μの幅を残して他の部分（ｊ
エツチングして取り除いて第一段イ」ン交換処理用のマ
スクＳとする。次いで、マスタＳの側の基板面を電子分
極率の小さい即ちガラスに対する屈折率の寄与の小さい
Ｎａ十、に＋の少なくとも一種を含む硝酸塩や硫酸塩に
浸して直流電圧を印加し、１０Ｖで約２時間程度の処理
を１１なうとガラス乱れ 板／表面に垂直な断面に’ｉｋ−いてほぼ直径１１３
／ｌの円形の高屈折率部乙が形成される。次いで溶融塩
からガラス基板をとりだし、マスクｊをとり除き、空気
中雰囲気で５７０°Ｃで約７時間の処理を行ない、高屈
折率部乙の部分に拡散した電子分極率の大きいイオンと
高屈折率部乙の周囲にある電子分極率の小さなイオンと
を相互拡散させることにより、高屈折率部乙の基板表面
に垂直な断面内での屈折率分布をその光軸からの距離に
従って屈折率が略コ乗分布に近い屈折率分布のものを形
成することができる。この熱処理工程で高屈折率部乙の
断面は若干数がり上述例の場合約ｉｏμの径となる。
（ｇ）
以］二のようにして得られた基板との屈折率差が約／％
である光路乙の両端面に、コア径５０μで中心と外周の
屈折率差が７％の屈折率分布型光ファイバーをそれぞね
直接接続し、波長０．ざ３ｐｍの光を」−配光フアイバ
ーを通して光路６内に導き、この光路中での伝播損失を
測定したところ０．０２ｄＢ／Ｃｍ 以下の低損失値が
得られた。
である光路乙の両端面に、コア径５０μで中心と外周の
屈折率差が７％の屈折率分布型光ファイバーをそれぞね
直接接続し、波長０．ざ３ｐｍの光を」−配光フアイバ
ーを通して光路６内に導き、この光路中での伝播損失を
測定したところ０．０２ｄＢ／Ｃｍ 以下の低損失値が
得られた。
同時に光ファイバーとの接続損失を測定したところＯ０
／ｄＢ以下と極めて低損失であった。
／ｄＢ以下と極めて低損失であった。
以上の実施例では陰極側に粘」二とＫＮＯ３のベースト
状のものを用いて説明したが、例えばガラス基板を箱形
に形成して陰極側に溶融塩を用いてもさしつかえない。
状のものを用いて説明したが、例えばガラス基板を箱形
に形成して陰極側に溶融塩を用いてもさしつかえない。
また電子分極率の大きいイオン源として上述実施例では
溶融塩を用いたが、例えばガラス基板ＫＡｇを蒸着し、
不必要な部分をエツチングしてイオン源となし、この」
二からＡｌを蒸着するかまた圧着して電極とし、これに
電圧を印加してもさしつかえない。
溶融塩を用いたが、例えばガラス基板ＫＡｇを蒸着し、
不必要な部分をエツチングしてイオン源となし、この」
二からＡｌを蒸着するかまた圧着して電極とし、これに
電圧を印加してもさしつかえない。
また、＠ｊ図には光路が全長にわたり同一幅の例につい
て示したが、入射端面から光路断面が漸次（９） 拡大するようなホーン構造のもの、平行に多数の光路を
設（Ｊたものへと任意のパターンで光路をつくることが
できる。
て示したが、入射端面から光路断面が漸次（９） 拡大するようなホーン構造のもの、平行に多数の光路を
設（Ｊたものへと任意のパターンで光路をつくることが
できる。
又、高屈折率部の直径はイ副ン拡散時間、マスク開口寸
法、熱処理時間を選定することにより１０の接続が容易
であり、一方、径の大きいものＧＪ１単なる光回路とし
てだけでなく、屈折率分布Ｊｌ；ＩＪレンズとしても機
能する。
法、熱処理時間を選定することにより１０の接続が容易
であり、一方、径の大きいものＧＪ１単なる光回路とし
てだけでなく、屈折率分布Ｊｌ；ＩＪレンズとしても機
能する。
又、光路の屈折率差は、電子分極率の大きいイ詞ン源と
してＴｌ＋イ剖ンを含む塩を用いると、例、ｔ ハＴｄ
２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４Ｋ ＺｎＳＯ４ヲ加；’Ｔ−タ溶
ＦＩＡｉ Ｉ’ＫＡ −Ｃｚｎｓｏ４． ｌｌ ０モル
％一定としてＴｅ２ＳＯ４／ Ｒ２５Ｏ４Ｃ））比を０
．．２Ｖすると、約／％の１１１１折率差が得られ、Ｔ
ｌ２ＳＯ４とに２Ｓ０４を等モルに混合すると、５％（
ハ屈折率差が得られた。又、Ｔｅ２ＳＯ４とｚｎＳｏ、
１ と等モル混合した塩では最大７０％の屈折率差の
ものが得らねた。
してＴｌ＋イ剖ンを含む塩を用いると、例、ｔ ハＴｄ
２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４Ｋ ＺｎＳＯ４ヲ加；’Ｔ−タ溶
ＦＩＡｉ Ｉ’ＫＡ −Ｃｚｎｓｏ４． ｌｌ ０モル
％一定としてＴｅ２ＳＯ４／ Ｒ２５Ｏ４Ｃ））比を０
．．２Ｖすると、約／％の１１１１折率差が得られ、Ｔ
ｌ２ＳＯ４とに２Ｓ０４を等モルに混合すると、５％（
ハ屈折率差が得られた。又、Ｔｅ２ＳＯ４とｚｎＳｏ、
１ と等モル混合した塩では最大７０％の屈折率差の
ものが得らねた。
次に本発明に係る光回路の代表的な応用例を記す。
（１０）
第５図は本発明Ｋ Ｊ：る光分岐回路の基本である／％
ｊ 、、ｉ分岐回路の…［面’Ｐ＋ｒｔｉ図であり同様
にして／対Ｎ（Ｎン３）分岐もｉ’ＦＪ能である。
ｊ 、、ｉ分岐回路の…［面’Ｐ＋ｒｔｉ図であり同様
にして／対Ｎ（Ｎン３）分岐もｉ’ＦＪ能である。
第３図は本発明によるＩＯ： ＩＯのスターカプラーの
小面図であり、例えばコア径３０ ｌｔて外径／、２Ｓ
７１のファイバアレイが分岐された光路の両端に取りつ
Ｇづられるように１投泪されている。このスターカプラ
ーの製作は、まず第一段階の高屈折率部グを形成すると
きは、中央部のミキシング部乙Ａと両端の光ガイド部乙
Ｂの開口をもつマスクツをガラス基板に形成し高屈Ｊフ
１率部ゲを形成した後、前記マスクツを取り除き、両端
の光ガイド部乙Ｂ Ｊ＝。
小面図であり、例えばコア径３０ ｌｔて外径／、２Ｓ
７１のファイバアレイが分岐された光路の両端に取りつ
Ｇづられるように１投泪されている。このスターカプラ
ーの製作は、まず第一段階の高屈折率部グを形成すると
きは、中央部のミキシング部乙Ａと両端の光ガイド部乙
Ｂの開口をもつマスクツをガラス基板に形成し高屈Ｊフ
１率部ゲを形成した後、前記マスクツを取り除き、両端
の光ガイド部乙Ｂ Ｊ＝。
のみに第二段階のマスフタを形成し、電子分極率の小さ
いイオンを電界で拡散し熱処理をほどこす。
いイオンを電界で拡散し熱処理をほどこす。
第７図は本発明による略円形導波路とブレーナ導波路を
ガラス基板／中に同時に製作し、入射側光ファイバー７
３から、７７：いに波長の異なるλｌ、λ２とλ３の波
長の混合光を入射側円型断面の光導波路／ｌｔｗよりブ
レーナ導波路７３に導ひき、二次元的にひろがる光をブ
レーナ導波路の端面に接合（／／） したチャープトグレティング（不等周期間４Ｊ〒格子）
／乙で波長により異なる位置ニ回折集光さｌｌ−１出射
側円型断面の光導波路／７・・・・・・・・と出射側光
ファイバ／ｇ・・・・・・・・Ｋ１それぞわλ］、λ２
．λ３の光を分波さ−１（るようにした光分波器の例で
ある。
ガラス基板／中に同時に製作し、入射側光ファイバー７
３から、７７：いに波長の異なるλｌ、λ２とλ３の波
長の混合光を入射側円型断面の光導波路／ｌｔｗよりブ
レーナ導波路７３に導ひき、二次元的にひろがる光をブ
レーナ導波路の端面に接合（／／） したチャープトグレティング（不等周期間４Ｊ〒格子）
／乙で波長により異なる位置ニ回折集光さｌｌ−１出射
側円型断面の光導波路／７・・・・・・・・と出射側光
ファイバ／ｇ・・・・・・・・Ｋ１それぞわλ］、λ２
．λ３の光を分波さ−１（るようにした光分波器の例で
ある。
以１．の説明に於いて分岐数１分波数は固定されるもの
ではない。
ではない。
第１図（ａ） 、 （ｂ）および第一図は、従来の１６
回路を不す横断面図、第３図（ａ）ないしくｄ、） ｉ
；ｊ本発明の光回路を製造する方法を段階的に示す横断
面図、第７図は本発明方法におりるイオン交換Ｆ稈を不
す横断面図、第Ｓ図は本発明に係る光回路の例を示す断
面平面図、第３図は本発明の光回路の他の例を示す断面
平面図、第７図は本発明のざらに別の応用例を示す断面
平面図である。 ／・・・・・・ ガラス基板 ！・・・・川・第１段
マスク３・・・・・・・・開［１部 ｑ・・・・・・
・・高屈折率部５・・・・・・・・第一段マスク
乙・・・・・・・・高屈折率部（光路）（７，２） ７ ・・・・・・溶融塩 特許出願人 １：１本板硝子株式会社 （／３） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
回路を不す横断面図、第３図（ａ）ないしくｄ、） ｉ
；ｊ本発明の光回路を製造する方法を段階的に示す横断
面図、第７図は本発明方法におりるイオン交換Ｆ稈を不
す横断面図、第Ｓ図は本発明に係る光回路の例を示す断
面平面図、第３図は本発明の光回路の他の例を示す断面
平面図、第７図は本発明のざらに別の応用例を示す断面
平面図である。 ／・・・・・・ ガラス基板 ！・・・・川・第１段
マスク３・・・・・・・・開［１部 ｑ・・・・・・
・・高屈折率部５・・・・・・・・第一段マスク
乙・・・・・・・・高屈折率部（光路）（７，２） ７ ・・・・・・溶融塩 特許出願人 １：１本板硝子株式会社 （／３） 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）表面の平坦な透明なガラス基材の内部に、＋ｔｆｆ
記表面記事面な方向に延び前記基材の他の部分よｌ）も
高い屈折率を有する光路が設けられていて、＋）Ｑ記高
屈折率領域における基材表面に垂直な断面内での屈折率
分布がその光４η１１で最も大きくその１ｌｌＩｌ＋か
ら離れるにしたがって連続的に減少し、目、つ高屈折率
領域の断面形状がほぼ円形であることを特徴とする光回
路。 ２） 第１のイオンを含むガラス基板を用意する工程と
、予め定めた光路の平面形状に開口を残してイオン透過
防止マスクで基板面を被覆する工程と、前記基板ガラス
の屈折率増加に寄与する度合が前記第１のイオンよりも
大きく、また基板ガラス中にイオン拡散可能な第一のイ
オンを含むイ副ン源に基板のマスク面を接触させて基板
の両面間に電圧を印加し、マスタ開口を通して前記第２
のイオンをガラス中に拡散させる工程と、前記マスクを
除去する工程と、前記第２イオンの拡散で形成された高
屈折率部分のみに限定して基板面を第２段階のイオン透
過防止マスクで覆う工程と、前記第２イオンよりも基板
ガラスの屈折率増加に寄ｔｙする度合が小さく基板カラ
ス中にイオン拡散可能な第３のイオンを含むイＡン源に
前記第２段階のマスク面を接触させるとともに基板の両
面間に電圧をかｔフて前記第３のイオンを基板中に拡散
させる工程と、前記イオン拡散後のガラス基板を変形し
ない程度に加熱して拡散イオンの濃度分布（屈折率分布
）を滑らかにする工程とを含む光回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018473A JPS58136007A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光回路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57018473A JPS58136007A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光回路およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136007A true JPS58136007A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0350241B2 JPH0350241B2 (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=11972608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57018473A Granted JPS58136007A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 光回路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145511A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-03 | コーニング グラス ワークス | 集積光部品およびその製造方法 |
| JPH01116502A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Brother Ind Ltd | 光導波素子及びその製造方法 |
| EP0467579A2 (en) * | 1990-07-10 | 1992-01-22 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP57018473A patent/JPS58136007A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145511A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-03 | コーニング グラス ワークス | 集積光部品およびその製造方法 |
| JPH01116502A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Brother Ind Ltd | 光導波素子及びその製造方法 |
| EP0467579A2 (en) * | 1990-07-10 | 1992-01-22 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate |
| US5160523A (en) * | 1990-07-10 | 1992-11-03 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate |
| EP0467579B1 (en) * | 1990-07-10 | 1995-09-27 | Oy Nokia Ab | Method of producing optical waveguides by an ion exchange technique on a glass substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0350241B2 (ja) | 1991-08-01 |
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