JPS58133738A - Polysilicon fuse element - Google Patents
Polysilicon fuse elementInfo
- Publication number
- JPS58133738A JPS58133738A JP1507182A JP1507182A JPS58133738A JP S58133738 A JPS58133738 A JP S58133738A JP 1507182 A JP1507182 A JP 1507182A JP 1507182 A JP1507182 A JP 1507182A JP S58133738 A JPS58133738 A JP S58133738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse element
- fuse
- silicon
- current
- polysilicon fuse
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は小さな電流で＃＃できるＩリシリコンヒュー
ズ素子に９１１’ｆ６゜
〔発明の独酌的背景〕
峡近の半導体東横回路においては、正規回路に不艮部分
がある場合、この部分を予備回路１二（ｄさかえるだめ
の予備回路を備えたものが多く現われて来ている。この
ような予備回路は記憶量＠昂に中いられ、信幀性の向上
を針っている。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an I-silicon fuse element that can be used with a small current. If there is an unreadable part in the memory, many devices are now equipped with a spare circuit that can be used to restore this part. The aim is to improve credibility.
実偵には同じ記憶素子を含む回Ｔ！６を２経路設け。Episode T includes the same memory element in the actual detective! 6 has two routes.
−ｈ゛のｄｄを正規の回路とし、他方の＠路を予備回路
とし、正規回路に不艮部分があった場合・二はＬｌ：、
現回ｉ内に介在する４１図のような形状を有する一リＶ
リコｙヒユーズ素子をＳ＊することＣ；より、上記正規
回路を回路的にオフして予備回路を回路的にオンさせて
いる。また％纂１図に示すような４すシリコンヒユーズ
素子を１１！１ｌｔｌする場合（二はＩすシリコンに過
大な電流を流し、その時発生するジュール熱により溶断
している。第１図１＝おいて、１１及び１２はそれぞれ
電極部で、１１はぼりシリコンヒユーズである。このよ
うな電流を流子か流さないかは上記ポリシリコンヒュ、
−オ累子と電源間に設けられたトランジスタをスイッチ
ング制御すること１：よりなされている。- If the dd of h゛ is a regular circuit and the other @ route is a backup circuit, and there is an invalid part in the regular circuit, the second is Ll:,
A line V having a shape as shown in Fig. 41 intervening within the current i
By performing S* on the fuse element C;, the normal circuit is turned off circuit-wise and the spare circuit is turned on circuit-wise. In addition, when a 4-silicon fuse element as shown in Fig. 1 is made 11!1ltl (2), an excessive current is passed through the silicon, and the Joule heat generated at that time causes it to melt. 11 and 12 are electrode parts, respectively, and 11 is a raised silicon fuse.Whether such a current flows or not flows depends on the polysilicon fuse,
- Switching control of the transistor provided between the resistor and the power supply 1:
つまり％Ｌ紀Ｉすシリコンヒユーズ素子を溶断するため
に大きな電流を流す必要があるため、その電流を制御す
るためのトランジスタのチップ占有−檀が大きくなって
しまうという欠点があった。In other words, since it is necessary to flow a large current to blow out the silicon fuse element, there is a drawback that the chip occupancy of the transistor for controlling the current becomes large.
この発明は上記の点（；鑑みてなされたもので、七の目
的は小さな電流でｌｌ１ｔｈさせることができる４リレ
リプンヒユーズ素子を提供することＣ二ある。This invention has been made in view of the above points, and the seventh object is to provide a four-reliance fuse element that can perform 11th operation with a small current.
／リシリコンヒューｔｇ子の形状を折り曲がった形状と
している。/The shape of the silicon fuse tg is bent.
以上、肉面を参照してこの発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described above with reference to the meat side.
−２図において、Ｊｌ及び２１はそれぞれ電橋−である
。また、２１はｄ９ｖリコンヒューズである。図示した
ようにポリシリコンヒユーズを折り曲がった形状鑑：す
ること１＝より、折り曲がり部ム？二おける電流は４す
シリコンヒユーズの抵抗の小さい部分すなわち内側を凍
れることによりこの部分の電流密度が大無くなり、より
高いジュール熱を発生する。これにより、小さな電流に
よりＩすシリコンヒユーズを嬉耕させることができる。In Figure 2, Jl and 21 are electric bridges, respectively. Further, 21 is a d9v recon fuse. A diagram of the shape of a polysilicon fuse bent as shown in the figure: What to do 1=Is the bent part M? The current flowing through the 4th point freezes in the lower resistance portion of the silicon fuse, that is, the inside, so that the current density in this portion is greatly reduced and higher Joule heat is generated. This allows the silicon fuse to be energized with a small current.
また、第３図はこの発明の他の実施例を示すポリシリコ
ンヒユーズ素子を示す図である。図ν替コンヒユーズで
ある。第３図Ｃ＝示したようにこの発明の他の実施例に
係るＩリシリコンヒューズ１Ｊはコの字状ζ：形成され
ている。このことにより、折り曲がり部Ｂ、Ｃｌニーお
ける電流密度が太き（なり、８２図に示したＩすＶリコ
ンヒューを素子と同１１（二小さな電流（二よりＩすシ
リコンヒユーズを１１１ＩＩｌｒさせることができる。Further, FIG. 3 is a diagram showing a polysilicon fuse element showing another embodiment of the present invention. This is the figure ν replacement configuration. As shown in FIG. 3C, an I silicon fuse 1J according to another embodiment of the present invention is formed in a U-shape ζ. As a result, the current density at the bending part B and the Cl knee becomes thicker (the current density at the bending part B and the Cl knee becomes thicker), and it becomes possible to make the silicon fuse shown in Figure 82 have the same current density as the element. can.
以上詳述したよう６二この発明によれば、４すＶｖ２ン
ヒューズ素子に用いられるｆすシリコンの形状を折り曲
がった形状とすることにより小さな電流によりぼりシリ
コンヒユーズ素子をＩＩＩＩＩｋさせることができる。As described in detail above, according to the present invention, by making the shape of the silicon used in the 4S Vv2 fuse element into a bent shape, a small current can be applied to the silicon fuse element to cause the silicon fuse element to function as III.
このことにより、ぽりシリコンヒユーズ素子の電流を制
−するトランジスタのチップ占有面積を小さくすること
ができる。This makes it possible to reduce the chip area occupied by the transistor that controls the current of the polysilicon fuse element.
１１１ｌｉ！従来（ＤｘｌＭｖす”：ｚｙヒｚ−，１ｅ
ｌＲ子ヲ示す図、＠３図はこの発明の一実施例を示すＩ
リシリコンＬユーズ累子を示す図、第３図はこの発明の
他の実施例を示すＩすシリコンヒユーズ菓子を不す図で
ある。
２１．２１．ＩＩ、ＩＩ・・・電極部、１３’、７３・
・・４リシリコンヒユーズ。
出−人代理人弁理士鉤江武彦
第１図
第２図Ｉ！３図111li! Conventional (DxlMvsu":zyhiz-,1e
Figure 3 shows an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating a silicone fuse confectionery according to another embodiment of the present invention. 21.21. II, II... electrode part, 13', 73.
...4 silicone fuse. Representative Patent Attorney Takehiko Kamie Figure 1 Figure 2 I! Figure 3
Claims (1)
リコンヒユー！素子。A polysilicon hue that is characterized by having a partially bent shape! element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1507182A JPS58133738A (en) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Polysilicon fuse element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1507182A JPS58133738A (en) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Polysilicon fuse element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133738A true JPS58133738A (en) | 1983-08-09 |
Family
ID=11878615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1507182A Pending JPS58133738A (en) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Polysilicon fuse element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133738A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039220A (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-02-02 JP JP1507182A patent/JPS58133738A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039220A (en) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device |
| US7795699B2 (en) | 2003-06-26 | 2010-09-14 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device |
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