JPS5812563B2 - Positional deviation detection device - Google Patents

Positional deviation detection device

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JPS5812563B2
JPS5812563B2 JP52087270A JP8727077A JPS5812563B2 JP S5812563 B2 JPS5812563 B2 JP S5812563B2 JP 52087270 A JP52087270 A JP 52087270A JP 8727077 A JP8727077 A JP 8727077A JP S5812563 B2 JPS5812563 B2 JP S5812563B2
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Japan
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slit
sample surface
positional deviation
light
detection device
Prior art date
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JP52087270A
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JPS5422847A (en
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渡辺智英
南正名
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は位置ずれ検出装置に係り、特に自動焦点装置等
の位置検出部に適用できる位置ずれ検出装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a positional deviation detection device, and more particularly to a positional deviation detection device that can be applied to a position detection unit such as an automatic focusing device.

従来自動焦点装置の位置検出部として使用されている位
置ずれ検出装置として空気圧を利用したエアマイクロ式
、静電容量の変化を利用したもの、あるいはスライドプ
ロジエクタ用に使用されている光学的なものが知られて
いた。
Conventionally, the positional deviation detection device used as the position detection part of an automatic focusing device is an air micro type that uses air pressure, a type that uses changes in capacitance, or an optical type that is used for slide projectors. was known.

そのうち前二者は変位量の増大に従って感度が極端に低
下するため、ダイナミックレンジが制限されるという欠
点がある。
Of these, the former two have the disadvantage that the dynamic range is limited because the sensitivity is extremely reduced as the amount of displacement increases.

それに比べ前記スライドプロジエクタ用に使用される光
学的なものは、ダイナミックレンジの問題は少ない。
In comparison, the optical components used for the slide projector have fewer problems with dynamic range.

しかしながらこのような光学的なものの場合は例えば特
公昭42−14103及び実公昭43−15268に示
されているように、その光源が白色電球の如きインコヒ
ーレントな光源で、このインコヒーレント光源からの光
をフイルムに照射し、その反射光を2等分された受光器
で受ける構成とされているため、微小変位の検出に際し
てS/Nが十分にとれないという問題があった。
However, in the case of such optical devices, the light source is an incoherent light source such as a white light bulb, and the light from this incoherent light source is Since the film is irradiated with light and the reflected light is received by a light receiver divided into two, there is a problem in that a sufficient S/N ratio cannot be obtained when detecting minute displacements.

従って特にIC,LSIのマスク板、ウエーハ等を顕微
鏡で観察するときに顕微鏡に附属させて焦点の移動量を
自動的に検知したい場合、前述の如き光学式位置検出手
段ではS/Nが極めて悪く実用に供することは不可能で
ある。
Therefore, especially when observing IC, LSI mask plates, wafers, etc. with a microscope, if you want to attach it to the microscope and automatically detect the amount of movement of the focal point, the S/N is extremely poor with the above-mentioned optical position detection means. It is impossible to put it into practical use.

本発明は以上のような従来技術の欠点を解決するために
なされたもので、ミクロンオーダー以下の精度で位置ず
れが検出できる位置検出装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a position detection device that can detect positional deviation with an accuracy of micron order or less.

本発明は前述した従来の光学式の位置検出手段と原理的
に類似した光学系を採用することによりダイナミックレ
ンジを広くとると共に、光源としてレーザ光源を用い、
しかもその光束を扁平なものとし、この扁平光束を適当
な形状の開口部を有するスリットに照射することによっ
て、S/Nを向上させ、もって高感度の位置検出を可能
とした位置検出装置を提供するものである。
The present invention widens the dynamic range by adopting an optical system similar in principle to the conventional optical position detection means described above, and uses a laser light source as a light source.
Moreover, by making the light beam flat and irradiating this flat light beam onto a slit having an opening of an appropriate shape, the S/N ratio is improved, thereby providing a position detection device that enables highly sensitive position detection. It is something to do.

以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明の位置ずれ検出装置の一実施例の構成を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the positional deviation detection device of the present invention.

本図において1はレーザ光源である。In this figure, 1 is a laser light source.

このレーザ光源1から出た光束は円筒レンズ2である程
度まで整形され、試料面3に入射角θで入射する。
The light beam emitted from this laser light source 1 is shaped to some extent by a cylindrical lens 2, and is incident on a sample surface 3 at an incident angle θ.

θを5°程度にとると試料面3の表面粗さの影響が少な
くなり、任意の試料に対してS/Nの良い位置検出が可
能になる。
When θ is set to about 5°, the influence of the surface roughness of the sample surface 3 is reduced, and position detection with good S/N is possible for any sample.

試料面3で正反射した光束は更に球面レンズ4と円筒レ
ンズ6によって整形される。
The light beam specularly reflected by the sample surface 3 is further shaped by a spherical lens 4 and a cylindrical lens 6.

このとき球面レンズ4と円筒レンズ6の間にはピンホー
ル状の開口部を有するスリット5が置かれている。
At this time, a slit 5 having a pinhole-shaped opening is placed between the spherical lens 4 and the cylindrical lens 6.

このスリット5は試料面3からの正反射成分以外の光を
除いて出力信号のS/Nを上げるために用いられる。
This slit 5 is used to increase the S/N of the output signal by excluding light other than the specularly reflected component from the sample surface 3.

なお円筒レンズ6を通過した光束は非常に細い線状の扁
平光束となってT字状の開口部を有するスリット7に入
射する。
The light beam passing through the cylindrical lens 6 becomes a very thin linear flat light beam and enters a slit 7 having a T-shaped opening.

本発明装置において、扁平光束を作成するための第1図
に示す光学系(特に円筒レンズ6)は重要な働きをし、
本発明はこの光学系で作成された扁平光束を利用して、
試料面3の位置検出を高精度で行なうというものである
In the device of the present invention, the optical system shown in FIG. 1 (especially the cylindrical lens 6) for creating a flat light beam plays an important role,
The present invention utilizes the flat light beam created by this optical system,
This is to detect the position of the sample surface 3 with high precision.

ここで以上に述べた光学系の各要素の位置関係の一例と
レーザ光束の変化の様子について第2図a,bを用いて
説明する。
An example of the positional relationship of each element of the optical system described above and how the laser beam changes will be explained using FIGS. 2a and 2b.

第2図aは光軸番と対して直角なX軸方向に関して、ま
た第2図bは光軸及びX軸に対して直角なy軸方向に関
して示されている。
FIG. 2a is shown with respect to the X-axis direction perpendicular to the optical axis number, and FIG. 2b is shown with respect to the Y-axis direction perpendicular to the optical axis and the X-axis.

ここでこの配置において各レンズ2,4.6の配置位置
は次の条件をできるだけ満足するように決定される。
In this arrangement, the positions of the lenses 2, 4, and 6 are determined so as to satisfy the following conditions as much as possible.

(a)レンズ2,4によってスリット5付近で光束が絞
られるようにする。
(a) The lenses 2 and 4 constrict the light beam near the slit 5.

(b)x軸方向についてはスリットT上で光束が絞られ
るようにする。
(b) In the x-axis direction, the light beam is focused on the slit T.

(c)y軸方向についてはスリット7上で光束がなるべ
く広がるようにする。
(c) In the y-axis direction, the light beam is made to spread as much as possible on the slit 7.

(a)試料面3の位置ずれに伴なうスリット7上の光束
の変位がなるべく大きくなるようにする。
(a) The displacement of the light beam on the slit 7 due to the displacement of the sample surface 3 is made as large as possible.

これら全ての条件を満たすように各レンズの焦点距離及
び各要素間の間隔を決定すれば、例えば、円筒レンズ2
のX軸方向の焦点距離fxは3 5 0mm,y軸方向
の焦点距離fYは無限大、球面レンズ4の焦点距離は5
0mm、また円筒レンズ6のX軸方向の焦点距離fxは
150ζy軸方向の焦点距離fyは無限大、円筒レンズ
2と試料面3の間隔は220間、試料面3と球面レンズ
4の間隔は108mm、円筒レンズ6とスリット7の間
隔は150mmとなり、またスリット5は円筒レンズ2
と球面レンズ4の合成で決定される焦点距離(この合成
焦点距離は、円筒レンズ2のfxが長いために球面レン
ズ4の焦点距離にほぼ等しい値となる)の位置に置かれ
る。
If the focal length of each lens and the spacing between each element are determined to satisfy all these conditions, for example, cylindrical lens 2
The focal length fx in the X-axis direction is 350 mm, the focal length fY in the y-axis direction is infinite, and the focal length of the spherical lens 4 is 5 mm.
0 mm, the focal length fx in the X-axis direction of the cylindrical lens 6 is 150ζ, the focal length fy in the y-axis direction is infinite, the distance between the cylindrical lens 2 and the sample surface 3 is 220 mm, and the distance between the sample surface 3 and the spherical lens 4 is 108 mm. , the distance between the cylindrical lens 6 and the slit 7 is 150 mm, and the slit 5 is connected to the cylindrical lens 2.
and the spherical lens 4 (this combined focal length is approximately equal to the focal length of the spherical lens 4 because fx of the cylindrical lens 2 is long).

但し第2図a,bでは、説明を簡単にするためにレーザ
光の試料面3での反射の状態は示されていないが、試料
面3の図示左側の光束が試料面3への入射光束で、図示
右側の光束がその反射光束であることを意味している。
However, in FIGS. 2a and 2b, the state of reflection of the laser beam on the sample surface 3 is not shown to simplify the explanation, but the light beam on the left side of the sample surface 3 is the incident light beam on the sample surface 3. This means that the light beam on the right side of the figure is the reflected light beam.

勿論、上記の各レンズの焦点距離及び各要素の間隔は光
学系作成に当って適当に決定されればよく、上記の値に
限定されるものではない。
Of course, the focal length of each lens and the spacing between each element described above may be appropriately determined when creating the optical system, and are not limited to the above values.

このように各レンズ2,4.6と試料面3、スリット5
,7の設置位置を決定することにより、T字状の開口部
を有するスリット7の面には非常に細い線状の扁平光束
が入射する。
In this way, each lens 2, 4.6, sample surface 3, and slit 5
, 7, a very thin linear flat light beam is incident on the surface of the slit 7 having a T-shaped opening.

なお前記円筒レンズ2は試料面3での光束をある程度拡
げて試料表面での平均化効果を出すとともに、スリット
7での光束の結像状態を制御するためにも用いられる。
The cylindrical lens 2 is used to spread the light flux on the sample surface 3 to some extent to produce an averaging effect on the sample surface, and also to control the imaging state of the light flux on the slit 7.

第3図はスリット7の形状と、このスリット7へのレー
ザ光束(扁平光束)の入射状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the shape of the slit 7 and the state of incidence of the laser beam (flat beam) into the slit 7. FIG.

本図に示されるようにこのスリット7には、横方向に伸
びる部分は太く、また縦方向に伸びる部分が細いT字状
の開口部が設けられている。
As shown in this figure, the slit 7 is provided with a T-shaped opening that is thick in the horizontal direction and thin in the vertical direction.

本図において直線31はこのスリット7の面に入射する
レーザ光束の形状を示す。
In this figure, a straight line 31 indicates the shape of the laser beam incident on the surface of this slit 7.

すなわち第2図に示した光学系によって得られた扁平光
束はスリット7の面上に直線31で示す形状となって入
射する。
That is, the flat light beam obtained by the optical system shown in FIG. 2 enters the surface of the slit 7 in the shape shown by a straight line 31.

次に第1図において試料面3が図示下方向に移動した場
合について第4図a,bを用いて説明する。
Next, the case where the sample surface 3 moves downward in the drawing in FIG. 1 will be explained using FIGS. 4a and 4b.

試料面3が移動するということは試料面3からの反射光
束が球面レンズ4のX方向のずれた位置に入射すること
を意味する。
The movement of the sample surface 3 means that the reflected light beam from the sample surface 3 is incident on the spherical lens 4 at a shifted position in the X direction.

そして球面レンズ4に入射した試料面3からの反射光束
は、第4図a,bに示すように各素子を通過し、スリッ
ト7に到達する。
The reflected light beam from the sample surface 3 that has entered the spherical lens 4 passes through each element and reaches the slit 7, as shown in FIGS. 4a and 4b.

第5図はそのときのスリット7への扁平光束の入射状態
を示す図で、本図に示されるように扁平光束を示す直線
51が、開口部のうちの横方向に伸びる太い部分に位置
している。
FIG. 5 is a diagram showing the state of incidence of the flat light beam into the slit 7 at that time.As shown in this figure, the straight line 51 indicating the flat light beam is located in the thick part of the opening that extends in the horizontal direction. ing.

ここで再び第1図を用いて説明を進める。Here, the explanation will be continued using FIG. 1 again.

上述したように試料面3が矢印8の方向に上下移動する
とそれに従って円筒レンズ6を通過後の扁平光束はスリ
ット7面を上下に移動する。
As described above, when the sample surface 3 moves up and down in the direction of the arrow 8, the flat light beam after passing through the cylindrical lens 6 moves up and down the surface of the slit 7 accordingly.

そしてスリット7中の縦方向に伸びる細い開口部分にこ
の扁平光束が当った場合はスリット1の通過光は少なく
、またスリットγ中の横方向に伸びる太い開口部分に扁
平光束が当った場合はスリット7の通過光は多くなる。
If this flat light beam hits the narrow aperture extending in the vertical direction in the slit 7, the amount of light passing through the slit 1 will be small, and if the flat light beam hits the thick aperture extending in the horizontal direction in the slit γ, the light will pass through the slit 1. 7, the amount of light passing through increases.

これらの通過光はスリット7の背面に対向して置かれる
受光器9で検知され、電気信号に変換される。
These passing lights are detected by a light receiver 9 placed opposite to the back surface of the slit 7, and converted into electrical signals.

受光器9は例えばPINダイオード等のホトダイオード
で構成される。
The light receiver 9 is composed of a photodiode such as a PIN diode.

第6図は試料面3の移動量と受光器9の出力との関係を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the amount of movement of the sample surface 3 and the output of the light receiver 9.

本図においで横軸は試料面3の移動量(△X)を示し、
縦軸は受光器9の出力信号の電圧変換値を示す。
In this figure, the horizontal axis indicates the amount of movement (△X) of the sample surface 3,
The vertical axis indicates the voltage conversion value of the output signal of the photoreceiver 9.

本図からわかるように△Xが550〜690μmの間で
受光器9の出力は急峻な変化をし、しかも直線性もかな
り良いことがわかる。
As can be seen from this figure, when ΔX is between 550 and 690 μm, the output of the photodetector 9 changes sharply, and the linearity is also quite good.

従って、例えば△Xが620μm(そのときの受光器の
出力が17mV) の場合を基準にしておけば、この
基準位置から±70μmの変位(位置ずれ)が生じた場
合、受光器9の出力は17mVを中心として±11mV
ほぼ直線的に変化する。
Therefore, for example, if △X is 620 μm (the output of the optical receiver at that time is 17 mV) as a reference, if a displacement (positional deviation) of ±70 μm occurs from this reference position, the output of the optical receiver 9 will be ±11mV centered on 17mV
Changes almost linearly.

このときの位置ずれの感度Sについて考えてみると、 となり、ミクロンオーダの位置ずれも十分に検出するこ
とが可能となる。
Considering the sensitivity S of positional deviation at this time, it becomes as follows, and it becomes possible to sufficiently detect positional deviation on the order of microns.

ここで第6図に示した出力信号の直線性は、スリット7
の開口部の形状に依存する。
Here, the linearity of the output signal shown in FIG.
depends on the shape of the opening.

先に説明した実施例ではT字状開口部を有するスリット
を用いた場合を示したが、実験の結果その他の形状のも
のでも直線性の良い特性が得られることがわかった。
In the embodiment described above, a case was shown in which a slit having a T-shaped opening was used, but as a result of experiments, it was found that good linearity characteristics could be obtained with other shapes as well.

第7図a2bはそれらのスリットの形状の例を示すもの
で、第1図aは開口部が横方向(y方向)に長い四角形
、第7図bは半円形の開口部を有するスリットを示す。
Figure 7a2b shows examples of the shapes of these slits. Figure 1a shows a slit with a rectangular opening that is long in the horizontal direction (y direction), and Figure 7b shows a slit with a semicircular opening. .

これらのスリットを用いる場合は第6図に示した変位量
△X対出力電圧の特性は、その遷移部(第6図では△X
が550から690程度の範囲)の傾きがより急峻とな
り、より高感度のずれ検出ができる。
When these slits are used, the characteristics of displacement △X vs. output voltage shown in Fig. 6 are
(in the range of approximately 550 to 690), the slope becomes steeper, and deviation detection can be performed with higher sensitivity.

また第7図Cはその一部に双曲線形状を含む開口部を有
するスリットを示す図である。
Further, FIG. 7C is a diagram showing a slit having an opening portion including a hyperbolic shape in a part thereof.

このような形状のスリットは受光器9の出力を対数出力
としたい場合に有効でありしかも実験の結果このスリッ
トを用いた場合もミクロンオーダの感度を有することが
確められた。
A slit having such a shape is effective when the output of the light receiver 9 is desired to be a logarithmic output, and experiments have confirmed that even when this slit is used, the sensitivity is on the order of microns.

このようにスリット7の開口部の形状はその用途に応じ
て適宜決定すればよい。
In this way, the shape of the opening of the slit 7 may be determined as appropriate depending on the application.

次に実際に前記発光器9の出力信号を用いて試料面の所
定位置からのずれ量を検出するための電子回路の一例に
ついて説明する。
Next, an example of an electronic circuit for actually detecting the amount of deviation of the sample surface from a predetermined position using the output signal of the light emitter 9 will be described.

第8図はこの電子回路の構成を示すブロック図で、発光
器9の出力信号は増幅器91によって増幅された後、差
動増幅器92の一方の入力端子93に加えられる。
FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of this electronic circuit, in which the output signal of the light emitter 9 is amplified by an amplifier 91 and then applied to one input terminal 93 of a differential amplifier 92.

また差動増幅器92の他方の入力端子94には、試料3
の設定位置に対応する基準電圧が印加される。
Further, the other input terminal 94 of the differential amplifier 92 is connected to the sample 3.
A reference voltage corresponding to the set position is applied.

従ってこの差動増幅器92は、入力信号が基準電圧値か
らずれた場合に、そのずれ量に比例する出力を生ずるた
め、この出力をメータ95で測定することによって、試
料面3の現在位置、ある・いは設定位置からのずれ量を
検出することができる。
Therefore, when the input signal deviates from the reference voltage value, the differential amplifier 92 generates an output proportional to the amount of deviation.・Also, it is possible to detect the amount of deviation from the set position.

以上詳しく述べたように本発明によれば、レーザ光源1
からの光束を適当な入射角で試料面3に導びき、試料面
3からの反射光束を扁平な光束とし、この扁平光束の射
照位置に伴なってその通過光量が急激に変化するような
形状の開口部を含むスリット7を設け、このスリツ}7
の通過光を受光して電気信号に変換し、その変換出力信
号によって試料面3の設定位置からのずれ量を検出する
;ようにしているため、ミクロンオーダの変位も極めて
正確に検出することができる。
As described in detail above, according to the present invention, the laser light source 1
The beam from the sample surface 3 is guided to the sample surface 3 at an appropriate angle of incidence, the reflected beam from the sample surface 3 is made into a flat beam, and the amount of light passing through the flat beam changes rapidly depending on the irradiation position of the flat beam. A slit 7 including a shaped opening is provided, and this slit}7
It receives the passing light, converts it into an electrical signal, and detects the amount of deviation of the sample surface 3 from the set position based on the converted output signal; therefore, it is possible to detect displacements on the micron order extremely accurately. can.

しかも扁平光束にしたことにより受光器9によって得ら
れる電気信号は極めてS/Nが高いため試料面3の位置
ずれを極めて高感度に検出することができる。
Moreover, since the electric signal obtained by the light receiver 9 has an extremely high S/N ratio due to the flat light beam, the positional deviation of the sample surface 3 can be detected with extremely high sensitivity.

以上に述べた実施例においてはレーザ光源1からの光束
をその後段の光学系で扁平光とし、この扁平行を受光器
に導びくようにした。
In the embodiment described above, the light beam from the laser light source 1 is made into a flat light beam by the subsequent optical system, and this flat beam is guided to the light receiver.

しかしレーザ光源として半導体レーザを用いるならば、
その出力光束は扁平形状であるため、先に述べた実施例
の光学系の一部を単純化することができる。
However, if a semiconductor laser is used as a laser light source,
Since the output light beam has a flat shape, a part of the optical system of the previously described embodiment can be simplified.

尚本発明による位置ずれ検出装置は高いS/Nで1μm
程度の位置ずれも確実に検出できるため、特にIC,L
SIなどのマスク板あるいはウエーハ等を顕微鏡で観察
するときの焦点の移動量を検出したい場合に極めて有効
であるが、その他にも各種の微小位置変動読取装置とし
て適用することができる。
The positional deviation detection device according to the present invention has a high S/N of 1 μm.
It is possible to reliably detect even slight positional deviations, especially for IC, L.
This is extremely effective when it is desired to detect the amount of movement of a focal point when observing a mask plate such as SI, a wafer, etc. with a microscope, but it can also be applied to various other types of minute position fluctuation reading devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の位置ずれ検出装置の一実施例の構成図
、第2図a,bは本発明装置中の光学系の位置関係とレ
ーザ光束の様子を説明するための図、第3図は本発明装
置中に用いられるスリットの形状とこのスリットへのレ
ーザ光束の入射の状態を示す図、第4図aybは試料面
が移動した場合の第2図aybに相当する図、第5図は
試料面が移動した場合のスリットへのレーザ光束の入射
状態を示す図、第6図は試料面が移動と受光器の出力と
の関係を示す図、第7図aybycはそれぞれ本発明に
用いられるスリットの他の例を示す図、第8図は位置ず
れを検出するための電気回路の一例を示すブロック図で
ある。 1……レーザ光源、2,6……円筒レンズ、3……試料
面、4……球面レンズ、5……スリット、7……スリッ
ト、9……受光器、91……増幅器、92……差動増幅
器、93……メーター。
FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the positional deviation detection device of the present invention, FIGS. The figures show the shape of the slit used in the apparatus of the present invention and the state of incidence of the laser beam into the slit, Figure 4 ayb corresponds to Figure 2 ayb when the sample surface moves, and Figure 5 Figure 6 shows the incident state of the laser beam into the slit when the sample surface moves, Figure 6 shows the relationship between the movement of the sample surface and the output of the photodetector, and Figure 7 abyc is based on the present invention. FIG. 8 is a block diagram showing an example of an electric circuit for detecting positional deviation. 1... Laser light source, 2, 6... Cylindrical lens, 3... Sample surface, 4... Spherical lens, 5... Slit, 7... Slit, 9... Light receiver, 91... Amplifier, 92... Differential amplifier, 93...meter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 レーザ光源と、このレーザ光源からのレーザ光束を
所定の入射角で試料面に導びく手段と、前記試料面から
のレーザ光の反射光束を扁平な光束に変換するための光
学系と、この光学系によって得られた前記扁平光束の通
過光量を前記試料面の位置ずれに応じて変化させるため
の第1のスリットと、このスリットを通過した光を受光
し通過光量に応じた電気信号を得るための受光器と、こ
の受光器の出力信号に基づいて前記試料面の位置ずれ量
を検出する手段とを具備することを特徴とする位置ずれ
検出装置。 2 前記レーザ光束を所定の入射角で試料面に導びく手
段は第1の円筒レンズを含むことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の位置ずれ検出装置。 3 前記試料面からの反射光束を扁平な光束に変換する
ための光学系は、球面レンズと、この球面レンズの焦点
距離にほぼ等しい位置に置かれたピンホール状開口部を
有する第2のスリットと、このスリットを通過した光を
受ける第2の円筒レンズとを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の位置ずれ検出装置。 4 前記第1のスリットには少なくとも前記扁平光束の
長手方向に平行な開口部が設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の位置ずれ検出装置。 5 前記位置ずれ量を検出する手段は、前記受光器の出
力信号と基準信号とを比較する差動増幅器を含むことを
特徴とする特徴請求の範囲第1項記載の位置ずれ検出装
置。
[Scope of Claims] 1. A laser light source, a means for guiding a laser beam from the laser light source to a sample surface at a predetermined incident angle, and a means for converting a reflected beam of laser light from the sample surface into a flat beam. a first slit for changing the amount of light passing through the flat light beam obtained by this optical system according to the positional shift of the sample surface; 1. A positional deviation detection device comprising: a light receiver for obtaining a corresponding electric signal; and means for detecting the amount of positional deviation of the sample surface based on the output signal of the light receiver. 2. The positional deviation detection device according to claim 1, wherein the means for guiding the laser beam to the sample surface at a predetermined angle of incidence includes a first cylindrical lens. 3 The optical system for converting the reflected light flux from the sample surface into a flat light flux includes a spherical lens and a second slit having a pinhole-shaped opening placed at a position approximately equal to the focal length of the spherical lens. 2. The positional deviation detection device according to claim 1, further comprising: a second cylindrical lens that receives the light passing through the slit. 4. The positional deviation detection device according to claim 1, wherein the first slit is provided with at least an opening parallel to the longitudinal direction of the flat light beam. 5. The positional deviation detection device according to claim 1, wherein the means for detecting the amount of positional deviation includes a differential amplifier that compares the output signal of the light receiver with a reference signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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