JPS58125601A - 水の分解方法 - Google Patents

水の分解方法

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JPS58125601A
JPS58125601A JP57007141A JP714182A JPS58125601A JP S58125601 A JPS58125601 A JP S58125601A JP 57007141 A JP57007141 A JP 57007141A JP 714182 A JP714182 A JP 714182A JP S58125601 A JPS58125601 A JP S58125601A
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JP
Japan
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semiconductor
light
metal
water
decomposition
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JP57007141A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Nakanishi
博 中西
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/02Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
    • C01B3/04Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
    • C01B3/042Decomposition of water
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

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  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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  • Catalysts (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は水を酸素ガスと水素ガスに分解して分離捕集す
る方法に係り、特に半導体を触媒として水を光エネルギ
ーにより分解する方法に関する。
発明の技術的背景とその問題点 石油、石炭ガどいわゆる化石燃料の枯渇化により、近年
新しいエネルギー技術の開発が求めラしている。今日考
えられているいくつかノ新エネルギー=のうち水素は次
の点で有効である。
■水を原料とする場合、資源上の制約がなく、しかも地
域による偏差がない、■燃焼生成物が水であるためクリ
ーンで公害を発生し7ない、■地球の物質循環サイクル
を乱さない、■貯蔵が比較的容易である。これら種々の
利点から水素が容易に且つ安価に製造できるようになれ
は現在のエネルキ゛−問題を解決できる有力な手段と寿
ることができる。
水からの水素製造の新たな方法として、半導体の微粒子
を水溶液中に懸濁し5、この微粒子に光を照射すン・こ
とにより水の分解を行ない、酸素と水素とを生成させる
ことが可能であることが報告されでいる。捷た半導体粒
子の一部に白金を付着することにより、半導体粒子単独
の場合よりも水素発生効率が向上することも最近間らか
になってきた。
この半導体粒子による水分解の機構は第1図に示すよう
に半導体の光局部電池機構によるものと推定されている
。すなわち、光Iにより半導体粒子2の表面において電
子e−−正孔り十対が生じ、生じた正孔h+VCより水
を酸化させて酸素ガスが発生する。他方、分離した電子
e−ijX他の半導体表面VCおいて水素イオンI]十
を還元して水素ガスを発生させるというものである。
この上うガ半導体粒子による光エネルギーの水素エネル
ギーへの変換は、従来の本多、藤島により提案された半
導体電極反応の利用による水分解(Nature 、 
238巻、37−々−)(1,972) )と比較して
′ば気的装備は全く不要なので装置が極めて簡単である
という利点がある。
しかしながら、一般に安定な半導体からなる触媒は、バ
ンドギャップが犬きく、例えばTiO2などでげ通常3
eV以−ヒの光にのみ反応するため太陽光のような可視
領域に大きなスペクトル強度を持つ光を利用する場合、
光の利用効率が制限される。また半導体微粉末をそのま
まの形で工業的な規模での水の分解に使用する場合にd
微粉末の均一な分散やその回収に際して大きな困難を伴
なう−1−1生成された酸素ガスと水素ガスとが混合し
て得られるたy〕、その分離装置が別に必要になるなと
σ)問題があった。
発明の目的 本発明はかかる従来の問題点に鑑みなされたもので、可
視領域の光に1り水の分解が可能で水素の発生開も多く
、しかも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用いて
酸素ガスと水素ガスとの分離捕集を行なえると共に、作
業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能にし
7た水の分解方法を提供するものでおる。
以下本発明方法を詳細に説明する。
本発明においで用いる分解膜はb]視および/又は紫外
領域の光により励起される半導体、もしく―゛半導体の
片面に金属を複合した一複合体から成る板状又は膜状を
なす触媒膜の、該金属が設けられていない片面に、該半
導体よりも低エネルギー側の光により励起可uLな有機
物より成る色素もしくは金属錯体などの増感剤を、電子
の伝達が可能なように固定化したものである。
本発明において述べる「励起」とは半導体もしくは増感
剤寿どが光照射によりエネルギーを受け、その価電子帯
もしくは基底状態の電、子が伝導帯もしくは励起状態に
遷移することをいう。
本発明において使用される半導体としては、可視および
/又Ili紫外領域の光により励起され5− るものであれば何れのものでも良い。通常は金属酸化物
、金属硫化物、金属リン化物、金属砒化物、金属セレン
化物又は金属テルル化物から選ばれた1種もしくは2柚
以−ヒのものから成るものであり、例えばTlO2,5
rTi02 +ZnO,F’e2403 +CdS、C
dSe 、CdTe、CaP、CaAs 、 InP、
ZnS、Zn5e等が誉げられる。
1だ前記半導体の月面に複合する金属としては、特に良
金属が好捷しいが、他のものでも可能である。これらの
例としては、白金(pt)、・母うソウム(Pd)、ロ
ソウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、ニック−ル(N
1)等がある。
本発明において有機物より成る色素としては、例t ハ
ロースヘンガル、シアニン、メロシアニン、フェノチア
ジンなどが用いられ、また金属錯体としてはルテニウム
錯体、ロソウjx m 体、タングステン錯体などが挙
られる。
触媒膜の形成は板状捷たは膜状をなす半導体、もしくは
半導体の片面に金属を化学的又は電気的に薄くメッキし
て付着させた複合体の、金属6− が設けられていない片面に、有機物より々る色素も(、
<は金属錯体などの増感剤を共有結合等によす電子の伝
達が可能なように固定されている。
触媒膜(j増感剤を設けた片面側を光の照射面とじで水
又は水を土成分とする水溶液中に浸漬させて、尤の照射
を行なうが、水溶液中に酸化促進剤を溶解ないし分散さ
せると、更に反応が効果的に進行する1、この酸化促進
剤としては水の酸化過電圧が低い絶縁体が灯−チしく、
例え−ば酸化〕(テニウムあるいは酸化インジウム等が
挙げられる。
次に本発明による水の分解原理を第2図を参照17て説
明する。
本発明の分解膜3を、酸化促進剤4が分散し7ている水
溶液5中に浸漬して、増感剤6を共有結合により固定し
た片部側から光1を照射する。
光1の照射により増感剤6は励起されて電子e−ど正孔
り十が生成される。生成された電子e−は触媒膜ど々る
ヰ導体Z内の伝導帯を通過して裏側の金属8−1達し、
ここで金属8の触媒作用により水中の水素イオンH十か
ら水素ガスf(2を発生する。一方、増感剤6で生成さ
れた正孔h+は水溶液5に分散している酸化促進剤4の
触媒作用により水を分解して酸素ガスo2を発生する。
水素ガスと酸素ガスとは分解膜3を隔てて、その両側で
別個に発生するため夫々分離捕集することができる。
なお本発明において使用する光源は、可視および/又は
紫外領域の波長の光を発し、増感剤を励起するに足るも
のであれば何れでも使用可能であるが、工業的利用の上
から可視光を中心として持つ太陽エネルギ゛−を利用す
ることが、コストの点から安く好ましい。
発明の実施例 次に本発明の実施例を第3図を参照して説明する。
光反応槽9は、その」二面が両端側を除いてガラス等の
光透過性材料1oで覆われ、その上面片端側に酸素ガス
排出口11、上面他端(Ill vc水素ガス排出口1
2を設けると共に、側面に・ぐルブ13を有する水溶液
導入管14が設けられている。
光反応槽9の内部には、増感剤を設けた側を」二面に[
7た分解膜3が、支持枠15に取付けられて斜めに設置
され、水溶液5中に浸漬[7ている。
前記分解膜3は厚さ05■の二酸化チタン板の裏面に白
金層を塩化白金酸溶液中で光照射[〜て01重量%付着
させた触媒膜の表面を塩酸処理17た後、リガン1゛の
一つのビビリノル基に側鎖としてトシル基を導入したト
リス−(2、2’ −ビビリノル)ルテニウム錯体と反
応させることにより半導体の表面に錯体を導入したもの
である。
捷だ水溶液5中にげ粒径約1μmの二酸化ルテニウム粉
末を分散させたものを用い、この水溶液5中に浸漬[−
7た分解膜3に500Wの超高圧キセノンランプを用い
て室温で光照射した。
この結果10時間で分解膜3の1M当り、9− 05μmolの水素ガスが発生し、酸素ガスと分離捕集
することができた。これは増感剤を設けず半導体と金属
だけを複合した分解膜を用いた場合に比べて水素ガス発
生l−は触媒重鼠当りほぼ6倍であった。
なお上記実施例では分解膜3を光反応槽9内に傾斜して
設置した場合について示したが、光の照射方向によって
はほぼ水平、又は垂直に設置しても良い。
発明の詳細 な説明した如く本発明に係わる水の分解方法によれば可
視領域の光によ0水の分解が可能で水素の発生量も多く
、[7かも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用い
て酸素ガスと水素ガスとの分離捕集が行なえると共に、
作業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能に
できるなど顕著な効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体粒子の触媒作用により水を分解する原理
を示し7た説明図、第2図は本発明カー+(]− 法により水を分解する原理を示した説明図、第3図は本
発明の一実施例による水分解装置の断面図である6゜ 1・・・光、2・・・半導体粒子、3・・・分解膜、4
・・・酸化促進剤、5・・・水溶液、6・・・増感剤、
7・・・半導体、8・・・金属、9・・・光反応槽、1
0・・・光透過性材料、1ノ・・・酸素ガス排出口、1
2・・・水素ガス排出口、13・・・パルプ、14・・
・水溶液導入管、15・・・支持枠。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦11− 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  可視および/又は紫外領域の光により励起さ
    れる半導体、もしくは半導体の片面に金属を複合した複
    合体から成る板状又は膜状をなす触媒膜の、該金属が設
    けられていない片面に、該半導体よりも低エネルギー側
    の光により励起可能な有機物より成る色素もしくは金属
    錯体などの増感剤を固定化して分解膜を形成し、この分
    解膜を水中に浸漬して、該増感剤側に光を照射して酸素
    ガスを生成すると共に、他面側で水素ガスを生成し、分
    解膜を隔てて酸素ガスと水素ガスとを分離捕集すること
    を特徴とする水の分解方法。
  2. (2)半導体が金属酸化物、金属硫化物、金属リン化物
    、金属砒化物、金属セレン化物又は金属テルル化物から
    選ばれた1種もしくは2種以上のものから成る特許請求
    の範囲第1項記載の水の分解方法。
  3. (3)半導体の片面に複合する金属が白金、パラジウム
    、ロジウム、ルテニウム又はニッケルから選ばれた1種
    もしくは2種以上のものから成る特許請求の範囲第1項
    記載の水の分解方法。
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