JPS58125601A - 水の分解方法 - Google Patents
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- JPS58125601A JPS58125601A JP57007141A JP714182A JPS58125601A JP S58125601 A JPS58125601 A JP S58125601A JP 57007141 A JP57007141 A JP 57007141A JP 714182 A JP714182 A JP 714182A JP S58125601 A JPS58125601 A JP S58125601A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
- C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
- C01B3/04—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
- C01B3/042—Decomposition of water
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水を酸素ガスと水素ガスに分解して分離捕集す
る方法に係り、特に半導体を触媒として水を光エネルギ
ーにより分解する方法に関する。
る方法に係り、特に半導体を触媒として水を光エネルギ
ーにより分解する方法に関する。
発明の技術的背景とその問題点
石油、石炭ガどいわゆる化石燃料の枯渇化により、近年
新しいエネルギー技術の開発が求めラしている。今日考
えられているいくつかノ新エネルギー=のうち水素は次
の点で有効である。
新しいエネルギー技術の開発が求めラしている。今日考
えられているいくつかノ新エネルギー=のうち水素は次
の点で有効である。
■水を原料とする場合、資源上の制約がなく、しかも地
域による偏差がない、■燃焼生成物が水であるためクリ
ーンで公害を発生し7ない、■地球の物質循環サイクル
を乱さない、■貯蔵が比較的容易である。これら種々の
利点から水素が容易に且つ安価に製造できるようになれ
は現在のエネルキ゛−問題を解決できる有力な手段と寿
ることができる。
域による偏差がない、■燃焼生成物が水であるためクリ
ーンで公害を発生し7ない、■地球の物質循環サイクル
を乱さない、■貯蔵が比較的容易である。これら種々の
利点から水素が容易に且つ安価に製造できるようになれ
は現在のエネルキ゛−問題を解決できる有力な手段と寿
ることができる。
水からの水素製造の新たな方法として、半導体の微粒子
を水溶液中に懸濁し5、この微粒子に光を照射すン・こ
とにより水の分解を行ない、酸素と水素とを生成させる
ことが可能であることが報告されでいる。捷た半導体粒
子の一部に白金を付着することにより、半導体粒子単独
の場合よりも水素発生効率が向上することも最近間らか
になってきた。
を水溶液中に懸濁し5、この微粒子に光を照射すン・こ
とにより水の分解を行ない、酸素と水素とを生成させる
ことが可能であることが報告されでいる。捷た半導体粒
子の一部に白金を付着することにより、半導体粒子単独
の場合よりも水素発生効率が向上することも最近間らか
になってきた。
この半導体粒子による水分解の機構は第1図に示すよう
に半導体の光局部電池機構によるものと推定されている
。すなわち、光Iにより半導体粒子2の表面において電
子e−−正孔り十対が生じ、生じた正孔h+VCより水
を酸化させて酸素ガスが発生する。他方、分離した電子
e−ijX他の半導体表面VCおいて水素イオンI]十
を還元して水素ガスを発生させるというものである。
に半導体の光局部電池機構によるものと推定されている
。すなわち、光Iにより半導体粒子2の表面において電
子e−−正孔り十対が生じ、生じた正孔h+VCより水
を酸化させて酸素ガスが発生する。他方、分離した電子
e−ijX他の半導体表面VCおいて水素イオンI]十
を還元して水素ガスを発生させるというものである。
この上うガ半導体粒子による光エネルギーの水素エネル
ギーへの変換は、従来の本多、藤島により提案された半
導体電極反応の利用による水分解(Nature 、
238巻、37−々−)(1,972) )と比較して
′ば気的装備は全く不要なので装置が極めて簡単である
という利点がある。
ギーへの変換は、従来の本多、藤島により提案された半
導体電極反応の利用による水分解(Nature 、
238巻、37−々−)(1,972) )と比較して
′ば気的装備は全く不要なので装置が極めて簡単である
という利点がある。
しかしながら、一般に安定な半導体からなる触媒は、バ
ンドギャップが犬きく、例えばTiO2などでげ通常3
eV以−ヒの光にのみ反応するため太陽光のような可視
領域に大きなスペクトル強度を持つ光を利用する場合、
光の利用効率が制限される。また半導体微粉末をそのま
まの形で工業的な規模での水の分解に使用する場合にd
微粉末の均一な分散やその回収に際して大きな困難を伴
なう−1−1生成された酸素ガスと水素ガスとが混合し
て得られるたy〕、その分離装置が別に必要になるなと
σ)問題があった。
ンドギャップが犬きく、例えばTiO2などでげ通常3
eV以−ヒの光にのみ反応するため太陽光のような可視
領域に大きなスペクトル強度を持つ光を利用する場合、
光の利用効率が制限される。また半導体微粉末をそのま
まの形で工業的な規模での水の分解に使用する場合にd
微粉末の均一な分散やその回収に際して大きな困難を伴
なう−1−1生成された酸素ガスと水素ガスとが混合し
て得られるたy〕、その分離装置が別に必要になるなと
σ)問題があった。
発明の目的
本発明はかかる従来の問題点に鑑みなされたもので、可
視領域の光に1り水の分解が可能で水素の発生開も多く
、しかも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用いて
酸素ガスと水素ガスとの分離捕集を行なえると共に、作
業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能にし
7た水の分解方法を提供するものでおる。
視領域の光に1り水の分解が可能で水素の発生開も多く
、しかも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用いて
酸素ガスと水素ガスとの分離捕集を行なえると共に、作
業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能にし
7た水の分解方法を提供するものでおる。
以下本発明方法を詳細に説明する。
本発明においで用いる分解膜はb]視および/又は紫外
領域の光により励起される半導体、もしく―゛半導体の
片面に金属を複合した一複合体から成る板状又は膜状を
なす触媒膜の、該金属が設けられていない片面に、該半
導体よりも低エネルギー側の光により励起可uLな有機
物より成る色素もしくは金属錯体などの増感剤を、電子
の伝達が可能なように固定化したものである。
領域の光により励起される半導体、もしく―゛半導体の
片面に金属を複合した一複合体から成る板状又は膜状を
なす触媒膜の、該金属が設けられていない片面に、該半
導体よりも低エネルギー側の光により励起可uLな有機
物より成る色素もしくは金属錯体などの増感剤を、電子
の伝達が可能なように固定化したものである。
本発明において述べる「励起」とは半導体もしくは増感
剤寿どが光照射によりエネルギーを受け、その価電子帯
もしくは基底状態の電、子が伝導帯もしくは励起状態に
遷移することをいう。
剤寿どが光照射によりエネルギーを受け、その価電子帯
もしくは基底状態の電、子が伝導帯もしくは励起状態に
遷移することをいう。
本発明において使用される半導体としては、可視および
/又Ili紫外領域の光により励起され5− るものであれば何れのものでも良い。通常は金属酸化物
、金属硫化物、金属リン化物、金属砒化物、金属セレン
化物又は金属テルル化物から選ばれた1種もしくは2柚
以−ヒのものから成るものであり、例えばTlO2,5
rTi02 +ZnO,F’e2403 +CdS、C
dSe 、CdTe、CaP、CaAs 、 InP、
ZnS、Zn5e等が誉げられる。
/又Ili紫外領域の光により励起され5− るものであれば何れのものでも良い。通常は金属酸化物
、金属硫化物、金属リン化物、金属砒化物、金属セレン
化物又は金属テルル化物から選ばれた1種もしくは2柚
以−ヒのものから成るものであり、例えばTlO2,5
rTi02 +ZnO,F’e2403 +CdS、C
dSe 、CdTe、CaP、CaAs 、 InP、
ZnS、Zn5e等が誉げられる。
1だ前記半導体の月面に複合する金属としては、特に良
金属が好捷しいが、他のものでも可能である。これらの
例としては、白金(pt)、・母うソウム(Pd)、ロ
ソウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、ニック−ル(N
1)等がある。
金属が好捷しいが、他のものでも可能である。これらの
例としては、白金(pt)、・母うソウム(Pd)、ロ
ソウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、ニック−ル(N
1)等がある。
本発明において有機物より成る色素としては、例t ハ
ロースヘンガル、シアニン、メロシアニン、フェノチア
ジンなどが用いられ、また金属錯体としてはルテニウム
錯体、ロソウjx m 体、タングステン錯体などが挙
られる。
ロースヘンガル、シアニン、メロシアニン、フェノチア
ジンなどが用いられ、また金属錯体としてはルテニウム
錯体、ロソウjx m 体、タングステン錯体などが挙
られる。
触媒膜の形成は板状捷たは膜状をなす半導体、もしくは
半導体の片面に金属を化学的又は電気的に薄くメッキし
て付着させた複合体の、金属6− が設けられていない片面に、有機物より々る色素も(、
<は金属錯体などの増感剤を共有結合等によす電子の伝
達が可能なように固定されている。
半導体の片面に金属を化学的又は電気的に薄くメッキし
て付着させた複合体の、金属6− が設けられていない片面に、有機物より々る色素も(、
<は金属錯体などの増感剤を共有結合等によす電子の伝
達が可能なように固定されている。
触媒膜(j増感剤を設けた片面側を光の照射面とじで水
又は水を土成分とする水溶液中に浸漬させて、尤の照射
を行なうが、水溶液中に酸化促進剤を溶解ないし分散さ
せると、更に反応が効果的に進行する1、この酸化促進
剤としては水の酸化過電圧が低い絶縁体が灯−チしく、
例え−ば酸化〕(テニウムあるいは酸化インジウム等が
挙げられる。
又は水を土成分とする水溶液中に浸漬させて、尤の照射
を行なうが、水溶液中に酸化促進剤を溶解ないし分散さ
せると、更に反応が効果的に進行する1、この酸化促進
剤としては水の酸化過電圧が低い絶縁体が灯−チしく、
例え−ば酸化〕(テニウムあるいは酸化インジウム等が
挙げられる。
次に本発明による水の分解原理を第2図を参照17て説
明する。
明する。
本発明の分解膜3を、酸化促進剤4が分散し7ている水
溶液5中に浸漬して、増感剤6を共有結合により固定し
た片部側から光1を照射する。
溶液5中に浸漬して、増感剤6を共有結合により固定し
た片部側から光1を照射する。
光1の照射により増感剤6は励起されて電子e−ど正孔
り十が生成される。生成された電子e−は触媒膜ど々る
ヰ導体Z内の伝導帯を通過して裏側の金属8−1達し、
ここで金属8の触媒作用により水中の水素イオンH十か
ら水素ガスf(2を発生する。一方、増感剤6で生成さ
れた正孔h+は水溶液5に分散している酸化促進剤4の
触媒作用により水を分解して酸素ガスo2を発生する。
り十が生成される。生成された電子e−は触媒膜ど々る
ヰ導体Z内の伝導帯を通過して裏側の金属8−1達し、
ここで金属8の触媒作用により水中の水素イオンH十か
ら水素ガスf(2を発生する。一方、増感剤6で生成さ
れた正孔h+は水溶液5に分散している酸化促進剤4の
触媒作用により水を分解して酸素ガスo2を発生する。
水素ガスと酸素ガスとは分解膜3を隔てて、その両側で
別個に発生するため夫々分離捕集することができる。
別個に発生するため夫々分離捕集することができる。
なお本発明において使用する光源は、可視および/又は
紫外領域の波長の光を発し、増感剤を励起するに足るも
のであれば何れでも使用可能であるが、工業的利用の上
から可視光を中心として持つ太陽エネルギ゛−を利用す
ることが、コストの点から安く好ましい。
紫外領域の波長の光を発し、増感剤を励起するに足るも
のであれば何れでも使用可能であるが、工業的利用の上
から可視光を中心として持つ太陽エネルギ゛−を利用す
ることが、コストの点から安く好ましい。
発明の実施例
次に本発明の実施例を第3図を参照して説明する。
光反応槽9は、その」二面が両端側を除いてガラス等の
光透過性材料1oで覆われ、その上面片端側に酸素ガス
排出口11、上面他端(Ill vc水素ガス排出口1
2を設けると共に、側面に・ぐルブ13を有する水溶液
導入管14が設けられている。
光透過性材料1oで覆われ、その上面片端側に酸素ガス
排出口11、上面他端(Ill vc水素ガス排出口1
2を設けると共に、側面に・ぐルブ13を有する水溶液
導入管14が設けられている。
光反応槽9の内部には、増感剤を設けた側を」二面に[
7た分解膜3が、支持枠15に取付けられて斜めに設置
され、水溶液5中に浸漬[7ている。
7た分解膜3が、支持枠15に取付けられて斜めに設置
され、水溶液5中に浸漬[7ている。
前記分解膜3は厚さ05■の二酸化チタン板の裏面に白
金層を塩化白金酸溶液中で光照射[〜て01重量%付着
させた触媒膜の表面を塩酸処理17た後、リガン1゛の
一つのビビリノル基に側鎖としてトシル基を導入したト
リス−(2、2’ −ビビリノル)ルテニウム錯体と反
応させることにより半導体の表面に錯体を導入したもの
である。
金層を塩化白金酸溶液中で光照射[〜て01重量%付着
させた触媒膜の表面を塩酸処理17た後、リガン1゛の
一つのビビリノル基に側鎖としてトシル基を導入したト
リス−(2、2’ −ビビリノル)ルテニウム錯体と反
応させることにより半導体の表面に錯体を導入したもの
である。
捷だ水溶液5中にげ粒径約1μmの二酸化ルテニウム粉
末を分散させたものを用い、この水溶液5中に浸漬[−
7た分解膜3に500Wの超高圧キセノンランプを用い
て室温で光照射した。
末を分散させたものを用い、この水溶液5中に浸漬[−
7た分解膜3に500Wの超高圧キセノンランプを用い
て室温で光照射した。
この結果10時間で分解膜3の1M当り、9−
05μmolの水素ガスが発生し、酸素ガスと分離捕集
することができた。これは増感剤を設けず半導体と金属
だけを複合した分解膜を用いた場合に比べて水素ガス発
生l−は触媒重鼠当りほぼ6倍であった。
することができた。これは増感剤を設けず半導体と金属
だけを複合した分解膜を用いた場合に比べて水素ガス発
生l−は触媒重鼠当りほぼ6倍であった。
なお上記実施例では分解膜3を光反応槽9内に傾斜して
設置した場合について示したが、光の照射方向によって
はほぼ水平、又は垂直に設置しても良い。
設置した場合について示したが、光の照射方向によって
はほぼ水平、又は垂直に設置しても良い。
発明の詳細
な説明した如く本発明に係わる水の分解方法によれば可
視領域の光によ0水の分解が可能で水素の発生量も多く
、[7かも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用い
て酸素ガスと水素ガスとの分離捕集が行なえると共に、
作業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能に
できるなど顕著な効果を有するものである。
視領域の光によ0水の分解が可能で水素の発生量も多く
、[7かも増感剤を半導体触媒に固定した分解膜を用い
て酸素ガスと水素ガスとの分離捕集が行なえると共に、
作業を容易にして工業的規模での水素ガス生成を可能に
できるなど顕著な効果を有するものである。
第1図は半導体粒子の触媒作用により水を分解する原理
を示し7た説明図、第2図は本発明カー+(]− 法により水を分解する原理を示した説明図、第3図は本
発明の一実施例による水分解装置の断面図である6゜ 1・・・光、2・・・半導体粒子、3・・・分解膜、4
・・・酸化促進剤、5・・・水溶液、6・・・増感剤、
7・・・半導体、8・・・金属、9・・・光反応槽、1
0・・・光透過性材料、1ノ・・・酸素ガス排出口、1
2・・・水素ガス排出口、13・・・パルプ、14・・
・水溶液導入管、15・・・支持枠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦11− 第1図 第2図
を示し7た説明図、第2図は本発明カー+(]− 法により水を分解する原理を示した説明図、第3図は本
発明の一実施例による水分解装置の断面図である6゜ 1・・・光、2・・・半導体粒子、3・・・分解膜、4
・・・酸化促進剤、5・・・水溶液、6・・・増感剤、
7・・・半導体、8・・・金属、9・・・光反応槽、1
0・・・光透過性材料、1ノ・・・酸素ガス排出口、1
2・・・水素ガス排出口、13・・・パルプ、14・・
・水溶液導入管、15・・・支持枠。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦11− 第1図 第2図
Claims (3)
- (1) 可視および/又は紫外領域の光により励起さ
れる半導体、もしくは半導体の片面に金属を複合した複
合体から成る板状又は膜状をなす触媒膜の、該金属が設
けられていない片面に、該半導体よりも低エネルギー側
の光により励起可能な有機物より成る色素もしくは金属
錯体などの増感剤を固定化して分解膜を形成し、この分
解膜を水中に浸漬して、該増感剤側に光を照射して酸素
ガスを生成すると共に、他面側で水素ガスを生成し、分
解膜を隔てて酸素ガスと水素ガスとを分離捕集すること
を特徴とする水の分解方法。 - (2)半導体が金属酸化物、金属硫化物、金属リン化物
、金属砒化物、金属セレン化物又は金属テルル化物から
選ばれた1種もしくは2種以上のものから成る特許請求
の範囲第1項記載の水の分解方法。 - (3)半導体の片面に複合する金属が白金、パラジウム
、ロジウム、ルテニウム又はニッケルから選ばれた1種
もしくは2種以上のものから成る特許請求の範囲第1項
記載の水の分解方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57007141A JPS58125601A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 水の分解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57007141A JPS58125601A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 水の分解方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125601A true JPS58125601A (ja) | 1983-07-26 |
Family
ID=11657792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57007141A Pending JPS58125601A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 水の分解方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125601A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050172A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Toshiba Corp | 金属イオンの還元方法 |
JPS6220409U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-06 | ||
US4954465A (en) * | 1988-01-22 | 1990-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for removing stink |
JP2011500966A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-06 | ツェーエフエスオー・ゲーエムベーハー | 水光分解用のモノリス触媒システム |
JP2014097910A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Panasonic Corp | 水素生成デバイスおよび水素生成ユニットならびにそれらを用いたエネルギーシステム |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP57007141A patent/JPS58125601A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050172A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Toshiba Corp | 金属イオンの還元方法 |
JPS6220409U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-06 | ||
JPH028329Y2 (ja) * | 1985-07-22 | 1990-02-28 | ||
US4954465A (en) * | 1988-01-22 | 1990-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for removing stink |
US4955208A (en) * | 1988-01-22 | 1990-09-11 | Hitachi, Ltd. | Refrigerating apparatus having a stink removing device |
JP2011500966A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-06 | ツェーエフエスオー・ゲーエムベーハー | 水光分解用のモノリス触媒システム |
US8883671B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-11-11 | Cfso Gmbh | Monolithic catalyst system for the photolysis of water |
JP2014097910A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Panasonic Corp | 水素生成デバイスおよび水素生成ユニットならびにそれらを用いたエネルギーシステム |
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