JPS58125210A - Device for producing memory address information signal - Google Patents

Device for producing memory address information signal

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JPS58125210A
JPS58125210A JP735082A JP735082A JPS58125210A JP S58125210 A JPS58125210 A JP S58125210A JP 735082 A JP735082 A JP 735082A JP 735082 A JP735082 A JP 735082A JP S58125210 A JPS58125210 A JP S58125210A
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JP
Japan
Prior art keywords
memory
output
information signal
read
counter
Prior art date
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Pending
Application number
JP735082A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Morihisa Oka
岡 守久
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Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Corp
Pioneer Electronic Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Corp, Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Corp
Priority to JP735082A priority Critical patent/JPS58125210A/en
Publication of JPS58125210A publication Critical patent/JPS58125210A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the efficiency of application for a memory of a memory address producing circuit that produces a reading address which varies in accordance with a prescribed rule, by combining four numerical information producing circuits. CONSTITUTION:The output of a WP counter 8 to which clocks CL4 and CL2 are supplied is fed to a full adder 9 along with the output of a WOA producer 10 to which a clock CL1 is supplied. At the same time, the output of an ROA producer 12 to which a clock CL3 is supplied and the output of the adder 9 are supplied to a signal selecting circuit 11 which is controlled by an READ/ WRITE mode switch control signal. Then the output of an HA counter 14 to which a selected output and the CL4 are supplied is supplied to a full adder 13. In such a way, the application efficiency of a memory can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、互いに独立して規則的に変化する読出しアド
レス及び書込みアドレスの各々に応じたアドレス情報信
号を発生してメモリに供給するメモリアドレス情報信号
発生装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory address information signal generating device that generates address information signals corresponding to read addresses and write addresses that change regularly and independently of each other and supplies them to a memory.

アナログ信号をディジタル化して記録再生する例えばP
CM (Palge Code Modttlat@o
n )録音再生力式においては記録媒体上で発生したバ
ースト性の符号誤りの補正を容易にするために誤り訂正
符号の付加と共にインタリープがなされている。このた
め、記録媒体から読出された符号列は所定の約束のもと
て配列順序が時間軸上で変更されたものどなっており、
再生時においては符号列を元の配列に戻すいわゆるディ
インタリープをなす必要がある。このディインタリープ
は、例えば記録媒体から読出された符号列を読出された
順にバッファメモリに先頭番地から順次書込んだのち書
込まれた符号列を元の配列に戻るようにバッファメモリ
のアドレス制御をなしつつ読出すことによってなされる
。かかる場合、バッファメモリへ符号列を書込むときに
1ずつ規則的に増加する書込みアドレスを発生しバッフ
ァメモリから符号列を読出すときにはその符号列の配列
を元に戻すように所定の規則に従って変化する読出しア
ドレスを発生するメモリアドレス情報信号発生装置が用
いられることが多い。かかるメモリアドレス情報信号発
生装置は、メモリのオーバーフロー、アンダーフローの
発生の検出及びこれらオーバーフロー、アンダーフロー
の発生を防止するためになす書込みアドレスと読出しア
ドレスとの差に応じたジッタマージン量の検出を容易に
なすことができ更にはインタリープサイズの変更に容易
に対応できるような構成となっていることが望捷しい。
For example, P
CM (Palge Code Modtlat@o
n) In the recording/reproducing power type, an error correction code is added and interleaving is performed to facilitate correction of burst code errors occurring on the recording medium. For this reason, the code string read from the recording medium is such that the sequence order has been changed on the time axis based on a predetermined agreement.
During playback, it is necessary to perform so-called de-interleaving to return the code string to its original arrangement. This de-interleaving is performed, for example, by controlling the address of the buffer memory so that the code strings read from the recording medium are sequentially written into the buffer memory from the first address in the order in which they were read, and then the written code strings are returned to the original arrangement. This is done by reading the data while doing so. In such a case, when writing a code string to the buffer memory, a write address is generated that regularly increases by 1, and when reading the code string from the buffer memory, the arrangement of the code string is changed according to a predetermined rule so as to return to the original arrangement. A memory address information signal generator is often used that generates a read address that corresponds to the read address. Such a memory address information signal generating device detects the occurrence of memory overflow and underflow, and detects the amount of jitter margin according to the difference between a write address and a read address in order to prevent the occurrence of these overflows and underflows. It is desirable to have a configuration that can be easily implemented and furthermore, can easily accommodate changes in the interleap size.

ここで、メモリのオーバーフローとは書込みアドレスが
異常に増加して以前に書込まれたデータの読出しが終了
してない場所に新たなデータが誤って書込まれてしまう
現象のことであり、メモリのアンダーフローとは読出し
アドレスが異常に増加して新たなデータの書込みがなさ
れてない場所から誤ったデータが読出される現象のこと
である。
Memory overflow is a phenomenon in which the number of write addresses increases abnormally, causing new data to be written to a location where previously written data has not yet been read. Underflow is a phenomenon in which the read address increases abnormally and erroneous data is read from a location where new data has not been written.

以上の如く構成されたメモリアドレス情報信号発生装置
の従来例を第1図に示す。第1図において、1は脩ビッ
トのWL(書込み用下位アドレス)カウンタである。W
Lカウンタ1のクロック入力端子には符号列を形成する
所定数ピントのデータがディインタリーブ用のバッファ
メモリ(図示せず)に書込まれるごとにタイミングパル
ス発生器(図示せず)より出力されるWRITEデータ
クロックCLIが供給される。このWLカウンタ1の計
数値は、クロックCLIによって1ずつ増加し、WLカ
ウンタ1は1フレームを形成するデータの数と同数のク
ロックCLIが発生すると計数値が零に戻るようになっ
ている。また、WLカウンタ1の出力は、書込みアドレ
スの下位mビットを形成しつつ(%−In)ビットのW
H(書込み用上位アドレス)カウンタ2の出力と共に信
号選択回路3の一方の入力端子群に供給されている。w
Hカウンタ2のクロック入力端子には1フレ一ム分のデ
ータがバッファメモリに書込まれるごとにタイミングパ
ルス発生器より出力されるWRITEフレームクロック
CL2が供給されている。wHカウンタ2の出力は書込
みアドレスの上位(?1−rn)ピノ)1形成する。信
号選択回路3の制御入力端子にはバッファメモリを書込
みモード及び読出しモードのうちのいずれが一方のモー
ドにするためのモード切換制御信号READ/WRIT
Eが供給されている。−力、バッファメモリに書込まれ
たデータがバッファメモリから読出されるとタイミング
、パ、ルズ溌生器カバら′・R−&ADデータクロノ・
久CL3が出力されて脩ビットのBL(・読゛出し用下
位アドレス)カウンタ4のクロック入力端子に供給され
る。このRLカウンタ41!、WLカウンタ1と同様に
1フレームを形成するデータの数と同数のクロックCL
3が発生すると計数値が零に戻るようになっている。R
1,カウンタ4の出力は読出しアドレスの下位mビット
を形成しつつ信号選択回路3の他力の入力端子群に供給
されると共にROM (読出し専用メモリ)5のm個の
アドレス入力端子に供給される。ROM 5におけるR
Lカウンタ4の出力によって指定される記憶場所にはイ
ンタリーブを解除するための(s−−)ピントのデータ
が格納されている。このROM 5の出力は全加算器6
において(n −m )ビットのRu(a出し用上位ア
ドレス)カウンタ7の出力と加算される。RHカウンタ
フのクロック入力端子にはバッファメモリから1フレ一
ム分のデータが読出されるごとにタイミングパルス発生
器より出力されるREADフレームクロックCL4が供
給されている。全加算器6の出力は読出しアドレスの上
位(n −m )ビットを形成しつつカウンタRLの出
力と共に信号選択回路3の他力の入力端子群に供給され
ている。そして、この信号選択回路3が切換制御信号R
EAD/WRITEによってnビットの読出しアドレス
及び書込みアドレスのうちの一方に応じたアドレス情報
信号を出力することによりディインタリープ用のバッフ
ァメモリおアドレス制御がなされる。
A conventional example of a memory address information signal generating device constructed as described above is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a WL (lower address for writing) counter of the 1 bit. W
A timing pulse generator (not shown) outputs a clock input terminal of the L counter 1 every time a predetermined number of pinpoints of data forming a code string are written into a buffer memory (not shown) for deinterleaving. WRITE data clock CLI is supplied. The count value of this WL counter 1 is increased by 1 in response to the clock CLI, and the count value of the WL counter 1 returns to zero when the same number of clock CLIs as the number of data forming one frame are generated. Also, the output of WL counter 1 forms the lower m bits of the write address and (%-In) bits of W
It is supplied to one input terminal group of the signal selection circuit 3 together with the output of the H (higher address for writing) counter 2 . lol
A clock input terminal of the H counter 2 is supplied with a WRITE frame clock CL2 outputted from a timing pulse generator every time data for one frame is written into the buffer memory. The output of the wH counter 2 forms the upper (?1-rn) pino)1 of the write address. The control input terminal of the signal selection circuit 3 receives a mode switching control signal READ/WRIT for setting the buffer memory to either write mode or read mode.
E is supplied. - When the data written in the buffer memory is read out from the buffer memory, the timing is changed.
The output signal CL3 is supplied to the clock input terminal of the BL (lower address for reading) counter 4 of the first bit. This RL counter 41! , the same number of clocks CL as the number of data forming one frame, similar to WL counter 1.
When 3 occurs, the count value returns to zero. R
1. The output of the counter 4 forms the lower m bits of the read address and is supplied to a group of other input terminals of the signal selection circuit 3, and is also supplied to m address input terminals of a ROM (read-only memory) 5. Ru. R in ROM 5
The storage location designated by the output of the L counter 4 stores (s--) focus data for canceling interleaving. The output of this ROM 5 is the full adder 6
It is added to the output of the (n-m) bit Ru (higher address for outputting a) counter 7. The clock input terminal of the RH counter is supplied with a READ frame clock CL4 outputted from a timing pulse generator every time data for one frame is read from the buffer memory. The output of the full adder 6 forms the upper (n-m) bits of the read address and is supplied to the other input terminals of the signal selection circuit 3 together with the output of the counter RL. Then, this signal selection circuit 3 receives a switching control signal R.
EAD/WRITE outputs an address information signal corresponding to one of the n-bit read address and write address, thereby controlling the address of the buffer memory for deinterleap.

この場合、オーバーフロー、アンダーフローの検出はw
Hカウンタ2の値とメモリ読出しアドレスの上位(n 
−m )ビットの値の一致を検出することにより可能で
あるが、シンターマージンの検出にはRHカウンタ7と
wHカウンタ2との距離検出回路(例えば引算回路)が
必要になるばかりがメモリの未使用部分が生じ、メモリ
の使用効率が悪くなシ、メモリの使用効率を上げるため
未使用部分をなくすとオーバーフロー、アンダー70−
等の検出が困難となる欠点があった。
In this case, overflow and underflow detection is w
The value of H counter 2 and the upper (n) of the memory read address
-m) This is possible by detecting the coincidence of the bit values, but detecting the sinter margin requires a distance detection circuit (for example, a subtraction circuit) between the RH counter 7 and the wH counter 2, and the memory Unused portions occur, resulting in poor memory usage efficiency. Eliminating unused portions to increase memory usage efficiency results in overflow and under 70-
The disadvantage was that it was difficult to detect.

そこで、本発明の目的はメモリのオーバーフロー、アン
ダーフローの発生及びジッタマージン量の検出を容易に
なすことかでさかつインタリーブ長の変更に容易に対応
できるような構成にてメモリの使用効率を向上させるこ
とができるメモリアドレス情報信号発生装置を提供する
ことである。
Therefore, an object of the present invention is to easily detect the occurrence of memory overflow, underflow, and jitter margin amount, and to improve memory usage efficiency with a configuration that can easily accommodate changes in interleave length. An object of the present invention is to provide a memory address information signal generation device that can generate a memory address information signal.

本発明によるメモリアドレス情報信号発生装置は、メモ
リにデータが書込まれるごとに第1所定規則に従って変
化する数値に応じた信号を発生する第1数値情報信号発
生回路と、メモリからデータが読出されるごとに第2所
定規則に従って変化する数値に応じた信号を発生する第
2数値情報信号発生回路と、メモリからデータが第1所
定数個読出されるごとに第2所定数ずつ変化する数値に
応じた信号全発生する第3数値情報信号発生回路と、メ
モリからデータが第1所定数個読出されるかまたはメモ
リにデータが第1所定数個書込まれるごとに第3所定数
ずつ変化する数値に応じた信号を発生する第4数値情報
信号発生回路とを含み、第1.第3及び第4数値情報信
号発生回路の各出力が表わす数値の加算結果に応じた信
号を書込みアドレス情報信号として出力し第2及び第4
数値情報信号発生回路の各出力が表わす数値の加算結果
に応じた信号を読出しアドレス情報信号として照して詳
細に説明する。
A memory address information signal generation device according to the present invention includes a first numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes according to a first predetermined rule each time data is written to the memory, and a first numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes according to a first predetermined rule each time data is written to the memory. a second numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes according to a second predetermined rule each time the first predetermined number of data is read from the memory; a third numerical information signal generation circuit that generates all the signals according to the signal; and a third numerical information signal generating circuit that changes by a third predetermined number each time a first predetermined number of data is read from the memory or a first predetermined number of data is written to the memory. a fourth numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value; A signal corresponding to the addition result of the numerical values represented by each output of the third and fourth numerical information signal generation circuits is outputted as a write address information signal, and
A signal corresponding to the result of addition of numerical values represented by each output of the numerical information signal generation circuit will be described in detail with reference to it as a read address information signal.

第2図において、8は第4数値情報信号発生回路として
のwp(ライトポジション)カウンタである。wpカウ
ンタ8は、例えばqビットのプリセッタブルバイナリカ
ウンタからなっている。
In FIG. 2, 8 is a wp (write position) counter as a fourth numerical information signal generating circuit. The wp counter 8 is composed of, for example, a q-bit presettable binary counter.

wpカウンタ8のカウントダウン用クロック入力端子D
 OWN及びカウントアツプ用クロック入力端子UPの
各々にはREADフレームクロックCL4及びWRIT
EフレームクロックCL2の各々が供給されている。ま
た、wPカウンタ8のプリセット指令入力端子PRには
例えば電源投入時等において発生する初期設定用リセン
ト信号が供給されている。wpカウンタ8の出力は加数
人力としてSビットの全加算器9に供給されている。こ
の全加算器9には第1数値情報信号発生回路としてのW
OA(WRITEオフセントアドレスン発生器1oの出
力が被加数人力として供給されている。WOA発生器1
0にはWRITEデータクロックCLIが供給されてい
る。このWOA発生器10は、例えばクロックCLIに
よって計数値が変化するバイナリカウンタと、このカウ
ンタの出力がアドレス入力として供給されカウンタの出
力によって指定される記憶場所にrピントのデータが格
納されたROMとで構成されている。全加算器9の出力
は信号選択回路11の一力の入力端子群に供給されてい
る。信号選択回路11の制御入力端子にはモード切換制
御信号READ路としてのROA (READオフセン
トアドレス)発生器12の出力が供給されている。RO
A発生器12にはREADデータクロックCL3が供給
されている。
Countdown clock input terminal D of wp counter 8
READ frame clock CL4 and WRIT are connected to the OWN and count-up clock input terminals UP, respectively.
Each of the E frame clocks CL2 is supplied. Further, the preset command input terminal PR of the wP counter 8 is supplied with an initial setting recent signal generated, for example, when the power is turned on. The output of the wp counter 8 is supplied as an addend to an S-bit full adder 9. This full adder 9 has W as a first numerical information signal generation circuit.
The output of OA (WRITE off-cent address generator 1o is supplied as the summand power. WOA generator 1
0 is supplied with the WRITE data clock CLI. This WOA generator 10 includes, for example, a binary counter whose count value changes according to a clock CLI, and a ROM in which the output of this counter is supplied as an address input and the data of r pinto is stored in a memory location specified by the output of the counter. It consists of The output of the full adder 9 is supplied to a group of input terminals of a signal selection circuit 11. A control input terminal of the signal selection circuit 11 is supplied with the output of an ROA (READ offset address) generator 12 as a mode switching control signal READ path. R.O.
The A generator 12 is supplied with a READ data clock CL3.

このROA発生器12は、例えばクロックCL3によっ
て計数値が変化するバイナリカウンタと、このカウンタ
の出力がアドレス入力として供給されカウンタの出力に
よって指定される記憶場所にインタリープを解除するた
めのtビットのデータが格納されたROMとで構成され
ている。信号選択回路11は、モード切換制御信号RE
AD/WRITEに応じて全加算器9の出力及びROA
発生器12の出力のうちのいずれか一力を選択的に出力
する。この信号選択回路11の出力はnビットの全加算
器13に加数入力として供給されている。全加算器13
には被加数人力として第3数値情報信号発生回路として
のHA(ホームアドレス)カウンタ14の出力が供給さ
れている。HAカウンタ14は、例えばUピントのバイ
ナリカウンタからなっている。このHAカウンタ14の
クロック入力端子にはREADフレームクロンクCL4
が供給されている。そして全加算器13の出力が図示せ
ぬディインタリーブ用のバッファメモリにアドレス入力
として供給される。
This ROA generator 12 includes, for example, a binary counter whose count value changes according to a clock CL3, and the output of this counter is supplied as an address input, and t-bit data is stored in a memory location designated by the output of the counter to cancel interleaving. It is composed of a ROM that stores . The signal selection circuit 11 receives a mode switching control signal RE.
The output of full adder 9 and ROA according to AD/WRITE
One of the outputs of the generator 12 is selectively output. The output of this signal selection circuit 11 is supplied to an n-bit full adder 13 as an addend input. Full adder 13
is supplied with the output of an HA (home address) counter 14 as a third numerical information signal generating circuit as a summand. The HA counter 14 is, for example, a U-focus binary counter. The clock input terminal of this HA counter 14 has a READ frame clock CL4.
is supplied. The output of the full adder 13 is then supplied as an address input to a buffer memory for deinterleaving (not shown).

以上の構成において、モード切換制御信号READ/W
RITEによりバッファメモリが読出しモードとなり信
号選択回路11よりROA発生器12の出刃が選択的に
出力されると、ROA発生器12の出方が表わす数値R
OAi及びHAカウンタ14の出力が表わす数値HAi
f加算して得られる読出しアドレスRMA iに応じた
信号が全加算器13より出力される。また、モード切換
制御信号READ/WRITEにょシバノファメモリが
書込みモードとなり信号選択回路11より全加算器9の
出力が選択的に出方されると、wpカウンタ8の出力が
表わす数値WPi 、 WOA発生器10の出力が表わ
す数値WOAi及び数値HA<を加算して得られる書込
みアドレスWMAi に応じた信号が全加算器13より
出力される。従って、1フレーム内のデータ数k ND
 Iインタリーブ長fd、ジッタマージンをMとしたと
きに数値ROAj 、 WOAiの各々がそれぞれ第1
表及び第2表に示す如く変化するようにROA発生器1
2及びWOA発生器10におけるROMにデータを予め
書込みかつwpカウンタ8のプリセント値が(M+1)
となるようにすると、ディインクリーブ用のバッファメ
モリとして最低必要な記憶容量Qminが次式の如くな
りかつバッファメモリを効率よ(使用することができる
こととなる。
In the above configuration, the mode switching control signal READ/W
When the buffer memory enters the read mode by RITE and the output of the ROA generator 12 is selectively output from the signal selection circuit 11, the value R representing the output of the ROA generator 12 is
Numerical value HAi represented by OAi and the output of the HA counter 14
The full adder 13 outputs a signal corresponding to the read address RMA i obtained by adding f. Further, when the mode switching control signal READ/WRITE is applied, the output of the full adder 9 is selectively outputted from the signal selection circuit 11 when the output memory enters the write mode, and the numerical value WPi and WOA represented by the output of the wp counter 8 are generated. The full adder 13 outputs a signal corresponding to the write address WMAi obtained by adding the numerical value WOAi represented by the output of the adder 10 and the numerical value HA<. Therefore, the number of data in one frame k ND
When I interleaving length fd and jitter margin are M, each of the numerical values ROAj and WOAi is the first
The ROA generator 1 varies as shown in Table and Table 2.
2 and the ROM in the WOA generator 10 in advance, and the precent value of the wp counter 8 is (M+1).
By doing so, the minimum storage capacity Qmin required as a buffer memory for de-incleaving becomes as shown in the following equation, and the buffer memory can be used efficiently.

ND 例えば、Np=4.d=3.M=2である場合はQ、、
7.=4 (2+1 )+3 (1+2+3+4 )=
42となり、42デ一タ分の記憶容量を有するバッファ
メモリによってディインタリーブをなすことがでさるこ
ととなる。すなわち、かかる場合においては全加算器1
3は42をo、43を1の如(出方し、数値HAj 、
 ROAj 、 WOAi 、 WPj及び読出しアド
レスRMAj 、書込みアドレスWMAiは第3表に示
す如く変化する。ここで、読出しアドレスRMAi及ヒ
書込みアドレスwMA iによって指定される読出し位
置及び書込み位置について第3図を参照して説明する。
ND For example, Np=4. d=3. If M=2, then Q,
7. =4 (2+1)+3 (1+2+3+4)=
42 data, and deinterleaving can be performed using a buffer memory having a storage capacity of 42 data. That is, in such a case, full adder 1
3 is like 42 is o, 43 is 1 (the way it comes out, the numerical value HAj,
ROAj, WOAi, WPj, read address RMAj, and write address WMAi change as shown in Table 3. Here, the read position and write position specified by the read address RMAi and the write address wMAi will be explained with reference to FIG.

第3図において、1フレ一ム分のデータの読出し位置を
指定する読出しアドレスをそれぞれRMA、 、 RM
A2. RMA3. RMA4としたときにバッファメ
モリ’iRMA1〜RMA4がそれぞれ先頭アドレスと
なる4つのブロックに区分したのちに最後尾が横一列に
並ぶように各ブロックを互いに平行に並べて得られるメ
モリマツプが示されている。このメモリマツプにおいて
1フレ一ム分のデータの書込み位置は書込み領域EW内
において横一列に並ぶようになっている。すなわち、1
フレ一ム分のデータの書込み位置を指定する書込みアド
レスをwMA11wMA22wMA31wMA4とする
と、例えば第3表における最初の1フレ一ム分のデータ
の書込みアドレスはそれぞれWMA1= 12 = R
MA1+ 12 。
In FIG. 3, the read addresses specifying the read position of one frame's worth of data are RMA, , RM, respectively.
A2. RMA3. A memory map obtained by dividing the buffer memories 'iRMA1 to RMA4 into four blocks each having a leading address when RMA4 is set, and then arranging each block in parallel with each other so that the last ends are lined up horizontally is shown. In this memory map, the writing positions of one frame's worth of data are arranged horizontally in a line within the writing area EW. That is, 1
If the write address that specifies the write position of one frame's worth of data is wMA11wMA22wMA31wMA4, then for example, the write address of the first frame's worth of data in Table 3 is WMA1 = 12 = R.
MA1+12.

WMA2=24=RMA2+9 、WMA3=33=R
MA3+6 。
WMA2=24=RMA2+9, WMA3=33=R
MA3+6.

WMA4= 39 = RMA4+ 3となって第3図
に示す如くなる。
WMA4=39=RMA4+3, as shown in FIG.

今、1フレ一ム分のデータの読出しのみがなされるとH
Aカウンタ14の計数値が1つ大さくなりかつwpカウ
ンタ8の計数値が1つ小さくなる。
Now, if only data for one frame is read, H
The count value of the A counter 14 increases by one, and the count value of the wp counter 8 decreases by one.

そうすると書込み領域EWが1アドレス分後力に移動す
るが書込み位置は変化しないので書込み位置と読出し領
域ERとの距離が小さくなる。そして、第4表に示す如
(書込みデータ数に比して読出しデータ数が多くなって
WPiが0になると読出しアドレスRMAiと書込みア
ドレスwMhiが等しくなってアンダーフローが発生す
ることとなる。
In this case, the write area EW moves backward by one address, but the write position does not change, so the distance between the write position and the read area ER becomes smaller. As shown in Table 4, when the number of read data becomes larger than the number of written data and WPi becomes 0, the read address RMAi becomes equal to the write address wMhi, and an underflow occurs.

また、1フレ一ム分のデータの書込みのみがなされると
WPjが1つ大さくなる。そうすると書込み領域EWは
移動せず書込み位置のみが抜力に移動して書込み位置と
読出し領域ERとの距離が変化する。そして、第5表に
示す如く読出しデータ数に比して書込みデータ数が多く
なってWPiが6になると読出しアドレスRMA iと
書込みアドレスWPiが等しくなってオーバーフローが
発生することとなる。
Furthermore, when only data for one frame is written, WPj increases by one. In this case, the writing area EW does not move, but only the writing position moves due to the release force, and the distance between the writing position and the reading area ER changes. Then, as shown in Table 5, when the number of write data becomes larger than the number of read data and WPi becomes 6, the read address RMA i becomes equal to the write address WPi and an overflow occurs.

従って、WPカウンタ8の計数値が3のときのジッタマ
ージンMは第4図に示す如くなる。このため、wpカウ
ンタ8の計数値のみによってオーバーフロー、アンダー
フローの発生の検出及びジッタマージン量の検出を容易
になすことかでさることになる。捷だ、データの読出し
アドレスRMA1〜RMA 4及び書込みアドレスWM
A 1〜WMA4はフレームが変わる毎に1アドレスづ
つ変化するのでバッファメモリ内に使用されない場所が
生じることがなくなりメモリの使用効率を向上させるこ
とがでさることになる。また、1フレーム内のデータ数
NDが増加した場合にはWOA発生器1o及びROA発
生器12におけるROMの記憶容量を増加させればよく
、またインタリープ長dが変更された場合にはWOA発
生器10及びROA発生器12におけるROMに予め書
込むデータを変更すればよ(、またジッタマージンMを
増加させたい場合にはwpカウンタ8のビット数を増加
させるだけでよいので、PCM録音再生システム等にお
けるシステムの拡大に対する対応が容易となっている。
Therefore, when the count value of the WP counter 8 is 3, the jitter margin M is as shown in FIG. Therefore, it is important to easily detect the occurrence of overflow and underflow and the amount of jitter margin using only the count value of the wp counter 8. Okay, data read address RMA1 to RMA4 and write address WM
Since addresses A1 to WMA4 change by one address each time a frame changes, there is no unused space in the buffer memory, which improves memory usage efficiency. Furthermore, if the number of data ND in one frame increases, the storage capacity of the ROM in the WOA generator 1o and the ROA generator 12 may be increased, and if the interleap length d is changed, the WOA generator 10 and the data written in advance to the ROM in the ROA generator 12 (Also, if you want to increase the jitter margin M, you only need to increase the bit number of the wp counter 8, so it is possible to use a PCM recording/playback system etc. This makes it easier to respond to system expansion.

例えば、ND−6,d=5.M=3  となったときに
は第6表に示す如くRMAj 、 WMAjを発生させ
るように変更してシステムの拡大に対して容易に対応す
ることかでさる。
For example, ND-6, d=5. When M=3, it can be changed to generate RMAj and WMAj as shown in Table 6 to easily cope with system expansion.

尚、この場合のバッファメモリとして必要な最低記憶容
量は6x (3+1 )+5 (1+2−4−3−1−
4−1−5+6)=129  であり、全加算器13は
129を0 、130を1の如く出力する。また、RM
Ai及びWMAiによって指定される読出し位置及び書
込み位置を第3図と同様にして第5図に示す。尚、この
第5図においては第6表における最初のフレームの各デ
ータの読出し位置及び書込み位置がよく判るようにバッ
ファメモリの各記憶場所にアドレスを示す数値が付され
ている。
In addition, the minimum storage capacity required for the buffer memory in this case is 6x (3+1)+5 (1+2-4-3-1-
4-1-5+6)=129, and the full adder 13 outputs 129 as 0 and 130 as 1. Also, RM
The read position and write position specified by Ai and WMAi are shown in FIG. 5 in the same manner as in FIG. 3. In FIG. 5, a numerical value indicating an address is attached to each storage location of the buffer memory so that the reading and writing positions of each data of the first frame in Table 6 can be easily understood.

以上詳述した如く本発明によるメモリアドレス情報信号
発生装置は、メモリのオーバーフロー。
As described in detail above, the memory address information signal generation device according to the present invention is capable of detecting memory overflow.

アンダーフローの発生及びジッタマージン量の検出を容
易になすことができかつインタリープ長の変更に容易に
対応することができ更にメモリの使用効率を向上させる
ことができる構成となっているのでディジタルオーディ
オ機器におけるディインタリーブ用のメモリのメモリ制
御装置【二相いて好適である。
The structure allows for easy detection of the occurrence of underflow and the amount of jitter margin, as well as for easily responding to changes in interleap length, and also improves memory usage efficiency, making it ideal for digital audio equipment. A memory control device for deinterleaving memory in [two-phase is preferred.

第1表 第2表Table 1 Table 2

【図面の簡単な説明】 第1図は、従来のメモリアドレス情報信号発生装置を示
すブロック図、第2図は、本発明の一実施例を示すブロ
ック図、第3図は、ND=4.d=3、M=2  の場
合に第2図の装置の出力をアドレス入力とするバッファ
メモリのメモリマツプに示す図、第4図は、第2図の装
置におけるwpカウンタ8の計数値とジッタマージンと
の関係を示す図、第5図は、ND=6 、d=5 、M
=3の場合に第2図の装置の出力をアドレス入力とする
バッファメモリのメモリマツプを示す図である。 主要部分の符号の説明 8・・・wpカウンタ   9,13・・・全加算器1
0・・・WOA発生器    11  ・・・・・・信
号選択回路12− ROA発生器    14  ・・
・・・・HAカウンタ出願人  パイオニア株式会社 代理人  弁理士 藤村元 彦 竿、1図 秦3(21 r  −−−−−−−−−−−−−−−−−−−1■ 曙 L4  [21 胤5 非 56 ■
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a conventional memory address information signal generating device, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a conventional memory address information signal generating device. When d=3 and M=2, the memory map of the buffer memory which uses the output of the device shown in FIG. 2 as the address input is shown. FIG. 4 shows the count value of the wp counter 8 and the jitter margin in the device shown in FIG. Figure 5 shows the relationship between ND=6, d=5, M
3 is a diagram showing a memory map of a buffer memory in which the output of the device of FIG. 2 is used as an address input when 3. Explanation of codes of main parts 8... wp counter 9, 13... full adder 1
0...WOA generator 11...Signal selection circuit 12-ROA generator 14...
...HA Counter Applicant Pioneer Co., Ltd. Agent Patent Attorney Hajime Fujimura Hikokan, 1 Figure Qin 3 (21 r ------------------------1■ Akebono L4 [21 Seed 5 Non-56 ■

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 互いに独立して規則的に変化する読出しアドレス及び書
込みアドレスの各々に応じたアドレス情報信号を発生し
てメモリに供給するメモリアドレス情報信号発生装置で
あって、前記メモリにデータが書込まれるごとに第1P
fr定規則に従って変化する数値に応じた信号を発生す
る第1数値情報信号発生回路と、前記メモリからデータ
が読出されるごとに第2所定規則に従って変化する数値
に応じた信号を発生する第2数値情報信号発生回路と、
前記メモリからデータが第1所定数個読出されるごとに
第2所定数ずつ変化する数値に応じた信号を発生する第
3数値情報信号発生回路と、前記メモリからデータが第
1所定数個読出されるか又は前記メモリにデータが第1
所定数個書込まれるごとに第3所定数ずつ変化する数値
に応じた信号を発生する第4数値情報信号発生回路とを
含み、前記第1.第3及び第4数値情報信号発生回路の
各出力が表わす数値の加算結果に応じた信号を書込みア
ドレス情報として出力し前記第2及び第4数値情報信号
発生回路の各出力が表わす数値の加算結果に応じた信号
を読出しアドレス情報信号として出力することを特徴と
するメモリアドレス情報信号発生装置。
A memory address information signal generating device that generates address information signals corresponding to read addresses and write addresses that change regularly and independently of each other and supplies them to a memory, each time data is written to the memory. 1st P
a first numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes according to a predetermined rule; and a second numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes according to a second predetermined rule each time data is read from the memory. a numerical information signal generation circuit;
a third numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes by a second predetermined number each time a first predetermined number of data are read from the memory; or the data is stored in the first memory.
a fourth numerical information signal generation circuit that generates a signal corresponding to a numerical value that changes by a third predetermined number every time a predetermined number of information is written; A signal corresponding to the addition result of the numerical values represented by each output of the third and fourth numerical information signal generation circuits is output as write address information, and the addition result of the numerical values represented by each output of the second and fourth numerical information signal generation circuits is output. A memory address information signal generating device characterized in that it outputs a signal corresponding to a read address information signal as a read address information signal.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113014170A (en) * 2021-04-21 2021-06-22 昆明理工大学 Permanent magnet synchronous motor minimum loss control method based on whale optimization algorithm

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5570920A (en) * 1978-11-20 1980-05-28 Victor Co Of Japan Ltd Memory control system
JPS5658113A (en) * 1979-10-13 1981-05-21 Toshiba Corp Data delaying device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5570920A (en) * 1978-11-20 1980-05-28 Victor Co Of Japan Ltd Memory control system
JPS5658113A (en) * 1979-10-13 1981-05-21 Toshiba Corp Data delaying device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113014170A (en) * 2021-04-21 2021-06-22 昆明理工大学 Permanent magnet synchronous motor minimum loss control method based on whale optimization algorithm

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