JPS58124949U - 半導体ウエハ− - Google Patents

半導体ウエハ−

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JPS58124949U
JPS58124949U JP2112882U JP2112882U JPS58124949U JP S58124949 U JPS58124949 U JP S58124949U JP 2112882 U JP2112882 U JP 2112882U JP 2112882 U JP2112882 U JP 2112882U JP S58124949 U JPS58124949 U JP S58124949U
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JP
Japan
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semiconductor wafer
temperature detection
semiconductor
detection circuit
utility
Prior art date
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Application number
JP2112882U
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English (en)
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JPS6236282Y2 (ja
Inventor
又井 定男
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、半導体ウェハー上に作製された半導体記憶装
置とセンサー回路を表わす。第2図はプローバの半導体
ウェハー搭載台に乗せた半導体ウェハー上のセンサー回
路をテスターで温度測定している様子を表わす。第3図
は半導体ウェハー上に作製するセンサー回路の回路図で
ある。 図中、1・・・・・・センサー回路、2・・・・・・半
導体記憶装置、3・・・・・・半導体ウェハー、4・・
・・・・探針部、5 −・・・・・・ブローブカ=ド、
6・・・・・・プローバ、7・・・・・・半導体ウェハ
ー搭載台、8・・・・・・温度制御装置、9・・・・・
・テスター、10・・・・・・位相補正内蔵形増幅器、
11・・・・・・温度センサー、12・・・・・・基準
電圧、1′・・・・・・温度検出回路又は温度検出素子
を含む半導  、体記憶装置、である。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)  半導体ウェハーがあらかじめ定められた温度
    に達しているか否かを検出するために該半導体ウェハー
    上に温度検出用の検出回路が形成されていることを特徴
    とする半導体ウェハー。
  2. (2)前記半導体ウェハー上の全半導体装置内に温度検
    出用回路として温度検出回路あるいは温度検出素子を作
    製したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1
    )項記載の半導体ウエノ1−0
JP2112882U 1982-02-17 1982-02-17 半導体ウエハ− Granted JPS58124949U (ja)

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JP2112882U JPS58124949U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 半導体ウエハ−

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JP2112882U JPS58124949U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 半導体ウエハ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58124949U true JPS58124949U (ja) 1983-08-25
JPS6236282Y2 JPS6236282Y2 (ja) 1987-09-16

Family

ID=30033259

Family Applications (1)

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JP2112882U Granted JPS58124949U (ja) 1982-02-17 1982-02-17 半導体ウエハ−

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5387669A (en) * 1977-01-12 1978-08-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Inspecting system for integrated circuit device
JPS5497376A (en) * 1978-01-18 1979-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection method semiconductor device
JPS57102009A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Nec Corp Semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5387669A (en) * 1977-01-12 1978-08-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Inspecting system for integrated circuit device
JPS5497376A (en) * 1978-01-18 1979-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Inspection method semiconductor device
JPS57102009A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Nec Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6236282Y2 (ja) 1987-09-16

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