JPS5812328A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5812328A JPS5812328A JP11176581A JP11176581A JPS5812328A JP S5812328 A JPS5812328 A JP S5812328A JP 11176581 A JP11176581 A JP 11176581A JP 11176581 A JP11176581 A JP 11176581A JP S5812328 A JPS5812328 A JP S5812328A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法の改良に関するものであ
る。
る。
一般ＫＭＯ８ＩＩのＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置を形成
する場合、ｙｙコン（Ｓｌ）等の半導体基板に半導体素
子領域を形成後、誼基板上に二酸化ｙリコン（Ｓｉｎｓ
）等の絶縁膜を形成し、その後該絶縁膜に前記素子領域
と後で該絶縁膜上に形成するアＡ／ミニウム（ＡＪ）の
ような金属配線膜と接続をとるためのスルーホー〃を窓
開きしたのち、前記配線膜を蒸着等によって基板上に形
成する。
する場合、ｙｙコン（Ｓｌ）等の半導体基板に半導体素
子領域を形成後、誼基板上に二酸化ｙリコン（Ｓｉｎｓ
）等の絶縁膜を形成し、その後該絶縁膜に前記素子領域
と後で該絶縁膜上に形成するアＡ／ミニウム（ＡＪ）の
ような金属配線膜と接続をとるためのスルーホー〃を窓
開きしたのち、前記配線膜を蒸着等によって基板上に形
成する。
その後該配線膜上にホトレジスト膜を塗布したのち該ホ
［レジスト膜を所定パターンに露光後プラズマエツチン
グ等によって該ホトレジスト膜を所定パターンに形成す
る。
［レジスト膜を所定パターンに露光後プラズマエツチン
グ等によって該ホトレジスト膜を所定パターンに形成す
る。
その後該パターニングされたホトレジスト膜をマスクと
して下部の配線膜をプラズマエツチング等で所定パター
ンに形成する工程がとられている。
して下部の配線膜をプラズマエツチング等で所定パター
ンに形成する工程がとられている。
ここで最近前述したホ）レジスト膜の露光の工程でステ
ップアントリピーＦ方式が用いられている。
ップアントリピーＦ方式が用いられている。
この方法は、第１図のように基板のホトレジスト膜に形
成すべきパターンの１０倍に拡大したパターンｌを有す
るレチクｌｖ２に波長が４８６８オングストローム（Ａ
）の単色光の紫外光線のＧ線を矢印Ａ方向から照射した
のち縮少レンズ８で紫外光を絞って所望の寸法のパター
ン４を基板δ上のホトレＶス）膜６上に露光する方法で
、このように紫外光線の中でも特に波長の長いＧ線を使
用するのは前記縮少レンズ８によって色収差が発生する
のを防止するためである。
成すべきパターンの１０倍に拡大したパターンｌを有す
るレチクｌｖ２に波長が４８６８オングストローム（Ａ
）の単色光の紫外光線のＧ線を矢印Ａ方向から照射した
のち縮少レンズ８で紫外光を絞って所望の寸法のパター
ン４を基板δ上のホトレＶス）膜６上に露光する方法で
、このように紫外光線の中でも特に波長の長いＧ線を使
用するのは前記縮少レンズ８によって色収差が発生する
のを防止するためである。
ところで前述した波長の長い紫外線のＧ線をホトレジス
ト膜に照射した場合、前記ホトレジスト膜にＧ線が吸収
される割合が少なくしたがって殆んどの光線ホトレジス
ト膜中を通過して下部のＡＩの配線膜に到達するように
なってしまう。
ト膜に照射した場合、前記ホトレジスト膜にＧ線が吸収
される割合が少なくしたがって殆んどの光線ホトレジス
ト膜中を通過して下部のＡＩの配線膜に到達するように
なってしまう。
その丸めＡｌの配線膜に到達して反射した光が新たにホ
トレジス）膜中に入射されてくる紫外線のＧ線に影響を
及ぼすようＫなって所定のパターンにホトレジスト膜が
露光され難いといった欠点を生じる。
トレジス）膜中に入射されてくる紫外線のＧ線に影響を
及ぼすようＫなって所定のパターンにホトレジスト膜が
露光され難いといった欠点を生じる。
本発明は上述した欠点を除去し、前記ＡＩの配線膜上に
到達した紫外線の反射をやわらげて前記ホトレジスト膜
に入射されてくる紫外線に影響をおよぼさないようにし
、もって前記ホトレジスト膜を所望のパターンに高精度
に露光することを目的とするものである。
到達した紫外線の反射をやわらげて前記ホトレジスト膜
に入射されてくる紫外線に影響をおよぼさないようにし
、もって前記ホトレジスト膜を所望のパターンに高精度
に露光することを目的とするものである。
かかる目的を達成するための半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に配線用金属膜を形成後、該金属膜上にホ
トレジスト膜を塗布し、その後前記ホトレジスト膜を所
定パターンに露光後エツチングして前記ホトレジスト膜
を所定パターンに形成する工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記配線用金属膜上にあらかじめ前記露
光用光線の吸収層を形成する工程を含むことを特徴とす
るものである。
半導体基板上に配線用金属膜を形成後、該金属膜上にホ
トレジスト膜を塗布し、その後前記ホトレジスト膜を所
定パターンに露光後エツチングして前記ホトレジスト膜
を所定パターンに形成する工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記配線用金属膜上にあらかじめ前記露
光用光線の吸収層を形成する工程を含むことを特徴とす
るものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明の方法を実施した半導体装置の断面図で
、ＭＯＳ型の半導体装置を示している。
、ＭＯＳ型の半導体装置を示している。
図示するようにｐ型の８１基板１１には素子間分離用の
Ｓｉｎ、膜１２が形成され、該Ｓ１０ｇ膜で画定された
領域にはＮ型の不純物の燐（Ｐ）等を拡散してソース領
域１８およびドレイン領域１４が形成されている。また
東にゲート酸化膜１６を介してポリＳ１よシなるゲー）
電極１６が形成されその上には燐硅酸ガフス（ＰＳＧ）
膜１７が形成されゲート電極と該ＰＳＧ膜上に形成する
Ａｊ配線膜１８と接続をとるためのスルーホーμｍ９が
形成されている。
Ｓｉｎ、膜１２が形成され、該Ｓ１０ｇ膜で画定された
領域にはＮ型の不純物の燐（Ｐ）等を拡散してソース領
域１８およびドレイン領域１４が形成されている。また
東にゲート酸化膜１６を介してポリＳ１よシなるゲー）
電極１６が形成されその上には燐硅酸ガフス（ＰＳＧ）
膜１７が形成されゲート電極と該ＰＳＧ膜上に形成する
Ａｊ配線膜１８と接続をとるためのスルーホーμｍ９が
形成されている。
ζこで本発明は前述したＡｌ配線膜上に前記ホトレジス
ト膜の露光用光線の吸収層２０を形成して前記ホトレジ
スト膜を通過してＡ４配線膜で反射される紫外線の中で
波長の長いＧ線の反射をやわらげることにある。
ト膜の露光用光線の吸収層２０を形成して前記ホトレジ
スト膜を通過してＡ４配線膜で反射される紫外線の中で
波長の長いＧ線の反射をやわらげることにある。
このような吸収層を形成するには前記Ａｔと屈折率が異
なり、またすでに形成されているＡｌ配線膜が再結晶す
るような現象が生じるのを防ぐため、２．００℃以下の
温度で形成するのが望ましく、また前記ＡＩの配線膜を
所定のパターンにプラズマエツチングする際に用いる四
塩化炭素（ＣＣ１４）ガスで容易にエツチングされるも
のが望ましい。
なり、またすでに形成されているＡｌ配線膜が再結晶す
るような現象が生じるのを防ぐため、２．００℃以下の
温度で形成するのが望ましく、また前記ＡＩの配線膜を
所定のパターンにプラズマエツチングする際に用いる四
塩化炭素（ＣＣ１４）ガスで容易にエツチングされるも
のが望ましい。
したがってこのような吸収層は、例えば蒸着およびスパ
ッタ、あるいはプラズマ化学蒸着（ｃｖｐ）法を用いて
Ｓｌの層を約２４ＯＡの厚さで被着するとよい。
ッタ、あるいはプラズマ化学蒸着（ｃｖｐ）法を用いて
Ｓｌの層を約２４ＯＡの厚さで被着するとよい。
また前記８１層の代シにスパッタ法によってモリブデン
シリサイド（ＭＯ８１ｓ＋ ）のような金属とＳｌの化
合物層を１００人の厚さで被着してもよい。
シリサイド（ＭＯ８１ｓ＋ ）のような金属とＳｌの化
合物層を１００人の厚さで被着してもよい。
このようにＭｏ５１ｇを前記した厚さで被着すると前記
ホトレジスト膜を通過してきてＡＪ配線膜上で反射した
光と前記吸収層の表面で一部１反射した光とが干渉し合
う形となってＡｌ配線膜上での反射光が２０〜５０％に
弱められる形となって露光用の紫外線が前記反射光の影
響をうけることが少なくなυ高精度の寸法で露光される
ことになり、高精度に微細にＡｌ配線膜がバタ一二ソグ
されて高信頼度の半導体装置が得られる利点を生じる。
ホトレジスト膜を通過してきてＡＪ配線膜上で反射した
光と前記吸収層の表面で一部１反射した光とが干渉し合
う形となってＡｌ配線膜上での反射光が２０〜５０％に
弱められる形となって露光用の紫外線が前記反射光の影
響をうけることが少なくなυ高精度の寸法で露光される
ことになり、高精度に微細にＡｌ配線膜がバタ一二ソグ
されて高信頼度の半導体装置が得られる利点を生じる。
また以上の実施例の他に配線用金属膜としてモリブデン
（Ｍｏ）等を用いてもよいし、Ｍｏ５１ｇの代わりにタ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ４）やタンタルシリサイ
ド（ＴａＳｉｇ）を用いてもよい。
（Ｍｏ）等を用いてもよいし、Ｍｏ５１ｇの代わりにタ
ングステンシリサイド（ＷＳｉ４）やタンタルシリサイ
ド（ＴａＳｉｇ）を用いてもよい。
第１図はホトレジスト膜の露光方法を示す図、第２図は
本発明の方法によシ形成した半導体装置の断面図である
。 図において１．４はパターン、２はレチクμ、８は縮少
レンズ、５．１１は８１基板、６はホトレジスト膜、１
２は５１０２膜、１３はソース領域、１４はドレイン領
域、１５はゲート酸化膜、１６はゲート電極、１７はＰ
ＳＧ膜、１８はＡＩの配線膜、１９はスルｍホール、２
ｏは吸収層、Ａは露光用光線の方向を示す矢印を示す。 第１図 第２図 刀
本発明の方法によシ形成した半導体装置の断面図である
。 図において１．４はパターン、２はレチクμ、８は縮少
レンズ、５．１１は８１基板、６はホトレジスト膜、１
２は５１０２膜、１３はソース領域、１４はドレイン領
域、１５はゲート酸化膜、１６はゲート電極、１７はＰ
ＳＧ膜、１８はＡＩの配線膜、１９はスルｍホール、２
ｏは吸収層、Ａは露光用光線の方向を示す矢印を示す。 第１図 第２図 刀
Claims (1)
- 半導体基板上に配線用金属膜を形成後、該金属膜上にホ
トレジスト膜を塗布し、その後前おホトレジスト５２所
定パターンに露光後エツチングして前記ホシレシスＦ膜
を所定パターンに形成する工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記配線用金属膜上にあらかじめ前記露
光用光線の１収層な形成する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11176581A JPS5812328A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11176581A JPS5812328A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812328A true JPS5812328A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14569611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11176581A Pending JPS5812328A (ja) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPS61265835A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Gakki Seizo Kk | 金属パタ−ン形成法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158072A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
| JPS561533A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method of photoetching |
-
1981
- 1981-07-16 JP JP11176581A patent/JPS5812328A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5158072A (ja) * | 1974-11-18 | 1976-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
| JPS561533A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method of photoetching |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038821A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-02-28 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
| JPH0455323B2 (ja) * | 1983-08-12 | 1992-09-03 | Hitachi Ltd | |
| JPS61265835A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Gakki Seizo Kk | 金属パタ−ン形成法 |
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