JPS58119233A - 論理アレイ装置 - Google Patents
論理アレイ装置Info
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- JPS58119233A JPS58119233A JP242782A JP242782A JPS58119233A JP S58119233 A JPS58119233 A JP S58119233A JP 242782 A JP242782 A JP 242782A JP 242782 A JP242782 A JP 242782A JP S58119233 A JPS58119233 A JP S58119233A
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- Japan
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- circuit
- product term
- level
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
- G01R31/318516—Test of programmable logic devices [PLDs]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の属する分野の説明
本発明は論理アレイ装置に係り、更に具体的には本装置
内に欠陥が存在しても正しく論理演算結束を出力する論
理アレイ装置に関するものである。
内に欠陥が存在しても正しく論理演算結束を出力する論
理アレイ装置に関するものである。
(11)従来技術とその問題点の説明
近年、大規模集積回路の製造技術の進歩にともない、集
積度の向上は著しい。特にメモリ集積回路に関しては、
回路素子の配置と素子間配線が規則的に構成されるため
、2年に2〜4倍の割合で集積度が向上してきた。しか
し、論理集積回路については、演算機能や入力数の異な
る様々な種類の論理ゲートを適用して論理集積回路を構
成するとき、論理深度、論理ゲート相互の接続関係、種
々の論理ゲート面積、入出力数等が均一でないため、論
理ゲートの配置と論理ゲート間配線(二規則性をもたせ
る事が難しい。このため、論理集積回路のレイアウト(
配置・配線設計)、変更・・修正、論理シミュレータ5
フ、回路シミュレーションおよび試験は複雑)=なる。
積度の向上は著しい。特にメモリ集積回路に関しては、
回路素子の配置と素子間配線が規則的に構成されるため
、2年に2〜4倍の割合で集積度が向上してきた。しか
し、論理集積回路については、演算機能や入力数の異な
る様々な種類の論理ゲートを適用して論理集積回路を構
成するとき、論理深度、論理ゲート相互の接続関係、種
々の論理ゲート面積、入出力数等が均一でないため、論
理ゲートの配置と論理ゲート間配線(二規則性をもたせ
る事が難しい。このため、論理集積回路のレイアウト(
配置・配線設計)、変更・・修正、論理シミュレータ5
フ、回路シミュレーションおよび試験は複雑)=なる。
これを解決する一つの論理回路構成法として、論理積(
AND)と論理和(OJ又はNOR(論理和の補元)と
N OR等の2段論理演算により任意の論理機能を実現
し、しかも前段の論理演算部と後段の論理演算部をメモ
リの様に規則的な構造にしてレイアウト(配置・配線設
計)できる論理アレイ装置(以後PLAと略称する)が
提案された。
AND)と論理和(OJ又はNOR(論理和の補元)と
N OR等の2段論理演算により任意の論理機能を実現
し、しかも前段の論理演算部と後段の論理演算部をメモ
リの様に規則的な構造にしてレイアウト(配置・配線設
計)できる論理アレイ装置(以後PLAと略称する)が
提案された。
F’LAの基本構成は第1図に示すように、入力信号を
信号対応に正と補の対信号に変換する1ビツトデコーダ
が複数個、又は2本の入力は号を用いて1本の選択は号
と3本の非選択信号を出力する2ビツトデコーダが複数
個よりなる入力回路部1と、デコーダの出力の論理積又
は論理和演算又はN0R4理又はNAND論理演算を行
ない積項を生成する前段アレイ部2と、必要な積項を選
択して論理和又は論理積演算又はNOR論理又はNAN
D論理演算を行なう後段アレイ部3、および後段アL/
イ部3の演算結果を出力する出力回路部4より構成され
る。以下、論理演算の表現としては特に表記しない限り
、論理レベル”H”を論理値“1”、論理レベル”L”
を論理値”0”に対応させた正論理を適用した時の演算
を示すことにする。
信号対応に正と補の対信号に変換する1ビツトデコーダ
が複数個、又は2本の入力は号を用いて1本の選択は号
と3本の非選択信号を出力する2ビツトデコーダが複数
個よりなる入力回路部1と、デコーダの出力の論理積又
は論理和演算又はN0R4理又はNAND論理演算を行
ない積項を生成する前段アレイ部2と、必要な積項を選
択して論理和又は論理積演算又はNOR論理又はNAN
D論理演算を行なう後段アレイ部3、および後段アL/
イ部3の演算結果を出力する出力回路部4より構成され
る。以下、論理演算の表現としては特に表記しない限り
、論理レベル”H”を論理値“1”、論理レベル”L”
を論理値”0”に対応させた正論理を適用した時の演算
を示すことにする。
第2図は前段アレイ部2をANDアレイ、後段アレイ部
3をORアレイで構成したPLAの例、第3図は前段ア
レイ部2をNORアレイ、後段アレイ部3もNORアレ
イで構成したPLAの例を示す。この例のように、前段
アレイ部2をANDアレイ又はNOR,アレイで構成す
るか、後段アレイ部3をOFLアレイ又はNORアレイ
で構成するかは、PLAのブaグラム素子に適用するデ
バイスがダイオードかトランジスタか等のデバイスによ
って決定される。
3をORアレイで構成したPLAの例、第3図は前段ア
レイ部2をNORアレイ、後段アレイ部3もNORアレ
イで構成したPLAの例を示す。この例のように、前段
アレイ部2をANDアレイ又はNOR,アレイで構成す
るか、後段アレイ部3をOFLアレイ又はNORアレイ
で構成するかは、PLAのブaグラム素子に適用するデ
バイスがダイオードかトランジスタか等のデバイスによ
って決定される。
ところで、か\る構成をとるPLAの各部に欠陥が存在
した場合、正しい出力を得ることができない。いま、第
2図において、欠陥が積項線111・〜114の論理値
(積項値)父はPLA出力出力−1〜f4はす影響の一
例を示すと次のようJ:なる。入力線105と積項線1
14がこれらの交点21で短絡すると、積項線114の
論理値λは誤ってXcになる。
した場合、正しい出力を得ることができない。いま、第
2図において、欠陥が積項線111・〜114の論理値
(積項値)父はPLA出力出力−1〜f4はす影響の一
例を示すと次のようJ:なる。入力線105と積項線1
14がこれらの交点21で短絡すると、積項線114の
論理値λは誤ってXcになる。
出力線122と123が31で短絡すると、出力f2は
A+A B Cが誤ってA−1−AB、出力f3はAB
Cが誤ってA−1−A Bになる。出力線124の32
で断線すると、出力f4=ABC−1−ABCは、入力
A=B=11”、c 7 ”o′=のときのみ61″′
で、他はフローティング状態(不安定状態)になって値
が定まらない。
A+A B Cが誤ってA−1−AB、出力f3はAB
Cが誤ってA−1−A Bになる。出力線124の32
で断線すると、出力f4=ABC−1−ABCは、入力
A=B=11”、c 7 ”o′=のときのみ61″′
で、他はフローティング状態(不安定状態)になって値
が定まらない。
出力線121と積項線113がこれらの交点33で短絡
すると、出力f1はλが誤ってλ+ABCになり、出力
f3はABCが誤ってA+ABCになる。入力線102
と103が22で短絡すると、入力回路の構成によって
102と103の論理レベルは、ともに@L”レベルか
又は”H−レベル又は′H”と”L”レベルの中間のレ
ベルに縮退する。したがって、これらの入力線に接続さ
れている積項線112 + 113 + 114の論理
値ABC,ABC,Aが影響を受け、短絡した入力線が
L”レベルに縮退するときは各々“0”、H”レベルに
縮退するときは各々AC,AC,”1”に、中間のレベ
ルのときは”H″レベル同じか不安定な値になる。入力
線102が乙で断線すると、断線個所nをはさんで入力
回路の反対側の入力線はフローティング状態になる。し
たがって、積項線114は常に”1″か不安定な値にな
る。積項線113と114が24で短絡すると、113
の論理値ABCは誤ってABCλ==0″に、114の
論理値Xも誤って0”になる。積項線112が5で断線
すると、後段アレイ部3における積項線はフローティン
グ状態になる。前段アレイ部2のプログラム素子かが接
続不良等により欠落すると積項線111の論理値ABC
は誤ってBCになる。後段アレイ部3のプログラム素子
34が接続不良等により欠落すると出力f2はA+AB
Cが誤ってAになる。一方、第3図においては、欠陥に
よる影響は第2図の場合とは一部で異なるが、欠陥によ
って正しいPLA出力を得ることは困難である。
すると、出力f1はλが誤ってλ+ABCになり、出力
f3はABCが誤ってA+ABCになる。入力線102
と103が22で短絡すると、入力回路の構成によって
102と103の論理レベルは、ともに@L”レベルか
又は”H−レベル又は′H”と”L”レベルの中間のレ
ベルに縮退する。したがって、これらの入力線に接続さ
れている積項線112 + 113 + 114の論理
値ABC,ABC,Aが影響を受け、短絡した入力線が
L”レベルに縮退するときは各々“0”、H”レベルに
縮退するときは各々AC,AC,”1”に、中間のレベ
ルのときは”H″レベル同じか不安定な値になる。入力
線102が乙で断線すると、断線個所nをはさんで入力
回路の反対側の入力線はフローティング状態になる。し
たがって、積項線114は常に”1″か不安定な値にな
る。積項線113と114が24で短絡すると、113
の論理値ABCは誤ってABCλ==0″に、114の
論理値Xも誤って0”になる。積項線112が5で断線
すると、後段アレイ部3における積項線はフローティン
グ状態になる。前段アレイ部2のプログラム素子かが接
続不良等により欠落すると積項線111の論理値ABC
は誤ってBCになる。後段アレイ部3のプログラム素子
34が接続不良等により欠落すると出力f2はA+AB
Cが誤ってAになる。一方、第3図においては、欠陥に
よる影響は第2図の場合とは一部で異なるが、欠陥によ
って正しいPLA出力を得ることは困難である。
このような事情に鑑み、従来は試験パタンを入力し、P
LA内部の欠陥の有無を試験し、良品のPLAのみを選
択して使用するため、この種の試験を確実にかつ容易に
行なう方法が提案されている。しかし、これらの方法は
試験によってPLAが良か不良かの選択のみに適用され
るにとどまり、欠陥部をマスクし、欠陥部を代替え部に
切り替え、PLAとしては正常な出力を出すような構成
までは考えられていない。従って、PLAが今後益々大
規模になるに・つれて、PLA内の各種欠陥によるPL
Aの歩留り低下が予想される。
LA内部の欠陥の有無を試験し、良品のPLAのみを選
択して使用するため、この種の試験を確実にかつ容易に
行なう方法が提案されている。しかし、これらの方法は
試験によってPLAが良か不良かの選択のみに適用され
るにとどまり、欠陥部をマスクし、欠陥部を代替え部に
切り替え、PLAとしては正常な出力を出すような構成
までは考えられていない。従って、PLAが今後益々大
規模になるに・つれて、PLA内の各種欠陥によるPL
Aの歩留り低下が予想される。
(iii) 発明の目的と総括的説明本発明はPLA
を2重化構成にし、各部における欠陥の有無を簡単な試
験によって調べ、欠陥状態を論理的な安全側(フェイル
セイフ側)に自動的に縮退させるなどして、2重化され
た一方側から正しい演算結果を出力させることによって
、PLAの試験を容易にし、かつPLAの歩留り向上を
ねらったものである。
を2重化構成にし、各部における欠陥の有無を簡単な試
験によって調べ、欠陥状態を論理的な安全側(フェイル
セイフ側)に自動的に縮退させるなどして、2重化され
た一方側から正しい演算結果を出力させることによって
、PLAの試験を容易にし、かつPLAの歩留り向上を
ねらったものである。
以下、実施例の説明では特に表記しない限り、すべて正
論理を適用した場合を示す。父、前段アレイ部、後段ア
レイ部の名称を正論理におけるアレイの演算機能によっ
て呼称することにする。
論理を適用した場合を示す。父、前段アレイ部、後段ア
レイ部の名称を正論理におけるアレイの演算機能によっ
て呼称することにする。
11V) 実施例の説明
第4図は本発明に従うPLAの実施例である。
本PLAは入力回路部11,12、前段アレイ部(AN
Dアレイ部、ORアレイ部、前段N0Ftアレイ部又は
前段NANDアレイ部)21w22.後段アレイ部(O
Rアレイ部、ANDアレイ部、後段NOR,アレイ部又
は後段NANDアレイ部)31゜32、出力回路部4、
試験および欠陥救済回路部51゜52.6,71,72
,8,91,92より構成され、入力回路部11112
、前段アレイ部21,22、後段アレイ部31,32は
2重化がとられる。2重化の一方をA系、他方をB系と
呼称する。欠陥の発生位置と欠陥の種類を、本発明の実
施例による説明の順に示すと以下のとおりである。
Dアレイ部、ORアレイ部、前段N0Ftアレイ部又は
前段NANDアレイ部)21w22.後段アレイ部(O
Rアレイ部、ANDアレイ部、後段NOR,アレイ部又
は後段NANDアレイ部)31゜32、出力回路部4、
試験および欠陥救済回路部51゜52.6,71,72
,8,91,92より構成され、入力回路部11112
、前段アレイ部21,22、後段アレイ部31,32は
2重化がとられる。2重化の一方をA系、他方をB系と
呼称する。欠陥の発生位置と欠陥の種類を、本発明の実
施例による説明の順に示すと以下のとおりである。
(1) 前段アレイ部21 + 22のプログラム素
子の短絡欠陥および入力線10と積項線11の短絡欠陥
(これらの欠陥を単に入力線・積項線短絡欠陥と呼称す
る) (2) 出力線12の短絡欠陥 (31出力線12の断線欠陥 (4) 後段アレイ部31+32のプログラム素子の
短絡欠陥および積項線11と出力線12の短絡欠陥(こ
れらの欠陥を単に積項線・出力線短絡欠陥と呼称する) (5) 入力線10の短絡欠陥および入力回路部11
.12の出力スタック欠陥 (6) 入力線10の断線欠陥 (7) 積項線11の短絡欠陥 (8) 積項線11の断線欠陥 (9) 前段アレイ部21 ! 22のプログラム素
子の欠落欠陥 αO後段アレイ部31+32のプログラム素子の欠落欠
陥 か\る欠陥を救済する本発明の実施例を以下に説明する
。本発明の実施例においては、お\かた入力回路部が1
ビツトデコーダのときPLA入力数は2本、2ビツトデ
コーダのとき入力数2を1対にして2対462、積項線
数は3、出力数は3に限定して説明するが、特にか\る
数には限定はない。
子の短絡欠陥および入力線10と積項線11の短絡欠陥
(これらの欠陥を単に入力線・積項線短絡欠陥と呼称す
る) (2) 出力線12の短絡欠陥 (31出力線12の断線欠陥 (4) 後段アレイ部31+32のプログラム素子の
短絡欠陥および積項線11と出力線12の短絡欠陥(こ
れらの欠陥を単に積項線・出力線短絡欠陥と呼称する) (5) 入力線10の短絡欠陥および入力回路部11
.12の出力スタック欠陥 (6) 入力線10の断線欠陥 (7) 積項線11の短絡欠陥 (8) 積項線11の断線欠陥 (9) 前段アレイ部21 ! 22のプログラム素
子の欠落欠陥 αO後段アレイ部31+32のプログラム素子の欠落欠
陥 か\る欠陥を救済する本発明の実施例を以下に説明する
。本発明の実施例においては、お\かた入力回路部が1
ビツトデコーダのときPLA入力数は2本、2ビツトデ
コーダのとき入力数2を1対にして2対462、積項線
数は3、出力数は3に限定して説明するが、特にか\る
数には限定はない。
さらに、本発明の実施例において、前述の欠陥を試験し
かつ救済するための試験用クロックのタイムチャートと
、これらのクロックが適用される欠陥(前述の番号)を
第5図に示す。入力回路部に1ビツトデコーダを用いた
時と2ビットデコーダを用いた時に適用されるクロック
数は、前者が5〜6種、後者が7〜8種である。(7)
の積項線短絡欠陥は、1ピツトデコーダの時試験用クロ
ックT5 +T6によって試験および欠陥救済されるが
、2ビツトデコーダの時はT7.T8によって行なわれ
る。
かつ救済するための試験用クロックのタイムチャートと
、これらのクロックが適用される欠陥(前述の番号)を
第5図に示す。入力回路部に1ビツトデコーダを用いた
時と2ビットデコーダを用いた時に適用されるクロック
数は、前者が5〜6種、後者が7〜8種である。(7)
の積項線短絡欠陥は、1ピツトデコーダの時試験用クロ
ックT5 +T6によって試験および欠陥救済されるが
、2ビツトデコーダの時はT7.T8によって行なわれ
る。
また、(5)の入力線の短絡欠陥および入力回路の出力
スタック欠陥に対しては、1ピツトデコーダの時T3
y T4を用いるが、2ビツトデコーダではT3゜T4
+ T5 r T6の4種類のクロックを用いる。(
4)の欠陥に関しては、ANDアレイ−ORアレイ構成
とNORアレイ−NORアレイ構成とで用いられる試験
用クロックが一部異なるのは、後で詳細に説明するが、
同種の欠陥でも救済する方法が異なるためである。試験
用クロックT1〜T8の論理レベルは第5図に示すよう
に、各々、時刻t1〜t8のとき”H″レベルなり、他
の時刻では”L”レベルである。試験および欠陥救済完
了後の通常の論理動作期間ではすべて°L″レベルであ
る。
スタック欠陥に対しては、1ピツトデコーダの時T3
y T4を用いるが、2ビツトデコーダではT3゜T4
+ T5 r T6の4種類のクロックを用いる。(
4)の欠陥に関しては、ANDアレイ−ORアレイ構成
とNORアレイ−NORアレイ構成とで用いられる試験
用クロックが一部異なるのは、後で詳細に説明するが、
同種の欠陥でも救済する方法が異なるためである。試験
用クロックT1〜T8の論理レベルは第5図に示すよう
に、各々、時刻t1〜t8のとき”H″レベルなり、他
の時刻では”L”レベルである。試験および欠陥救済完
了後の通常の論理動作期間ではすべて°L″レベルであ
る。
入力線・積項線短絡欠陥
第6図、第7図は前段アレイ部2のプログラム素子短絡
欠陥および入力線10と積項線11の短絡欠陥を試験し
救済する実施例である。第6図のアレイ構成はプログラ
ム素子にダイオードを用いたANDNOアレイで、試験
および欠陥救済回路部は入力線10i 、 10τ、、
10□+1,10口を”H”レベルにチャージアップす
る入力線チャージアップ用トランジスタ(Qmp トラ
ンジスタ)、積項線レベル検出ラッチ回路(0回路)、
積項線自己接続ゲート(GT2ゲート、GT5ゲート)
、および積項線接地用抵抗(RG低抵抗よりなる。第7
図のアレイ構成はプログラム素子にnチャネルMOSト
ランジスタを用いたNORアレイ構成で、試験および欠
陥救済回路部は入力線10i 、 IOT、 10□+
1,10=。
欠陥および入力線10と積項線11の短絡欠陥を試験し
救済する実施例である。第6図のアレイ構成はプログラ
ム素子にダイオードを用いたANDNOアレイで、試験
および欠陥救済回路部は入力線10i 、 10τ、、
10□+1,10口を”H”レベルにチャージアップす
る入力線チャージアップ用トランジスタ(Qmp トラ
ンジスタ)、積項線レベル検出ラッチ回路(0回路)、
積項線自己接続ゲート(GT2ゲート、GT5ゲート)
、および積項線接地用抵抗(RG低抵抗よりなる。第7
図のアレイ構成はプログラム素子にnチャネルMOSト
ランジスタを用いたNORアレイ構成で、試験および欠
陥救済回路部は入力線10i 、 IOT、 10□+
1,10=。
を゛L″ルベルにディスチャージする入力線ディスチャ
ージ用トランジスタ(Qmd トランジスタ)、積項線
レベル検出ラッチ回路(D’回路)、積項線自己接続ゲ
ート(GT2ゲート)、および積項線レベル設定用トラ
ンジスタ(Qsdl−ランジスタ)よりなる。第6図に
おける0回路および第7図におけるD′回路の一実施例
を各々、第8図、第9図に示す。
ージ用トランジスタ(Qmd トランジスタ)、積項線
レベル検出ラッチ回路(D’回路)、積項線自己接続ゲ
ート(GT2ゲート)、および積項線レベル設定用トラ
ンジスタ(Qsdl−ランジスタ)よりなる。第6図に
おける0回路および第7図におけるD′回路の一実施例
を各々、第8図、第9図に示す。
第6図では、試験用クロックT1でGT2ゲートを導通
にし、GT5ゲートを遮断にし、入力回路部の出力をト
ライスティトにして、入力線101゜107(i=1〜
n)をフローティング状態にし、Qm。
にし、GT5ゲートを遮断にし、入力回路部の出力をト
ライスティトにして、入力線101゜107(i=1〜
n)をフローティング状態にし、Qm。
トランジスタを動作させて入力線10i 、 107を
@H”レベルにチャージアップする。ダイオードが短絡
したり、入力線と積項線が短絡しているときは、積項線
11. 、112 、113のANDアレイ部出力出力
点1点)は@H”レベルになる。このレベルを欠陥情報
として0回路でラッチし、GT2ゲートを遮断させてA
NDアレイ部2の積項出力をORアレ4部3に入力させ
ずに、ORアレイ部内の当該積項線をRG抵抗100を
用いて@L#レベルに縮退させる。したがってORアレ
4部3において、かがる積項線を含んで論理和をとる場
合、論理和における積項の欠落と等価(;なり、この欠
陥を含む系のORアレイ部出力と欠陥のない他の系のO
Rアレイ部出力とのワイヤドOR演算をとることによっ
て正しいPLA出力が得られる。第8図で2001はレ
ベル検出部、2011はレベルラッテ回路部を示す。
@H”レベルにチャージアップする。ダイオードが短絡
したり、入力線と積項線が短絡しているときは、積項線
11. 、112 、113のANDアレイ部出力出力
点1点)は@H”レベルになる。このレベルを欠陥情報
として0回路でラッチし、GT2ゲートを遮断させてA
NDアレイ部2の積項出力をORアレ4部3に入力させ
ずに、ORアレイ部内の当該積項線をRG抵抗100を
用いて@L#レベルに縮退させる。したがってORアレ
4部3において、かがる積項線を含んで論理和をとる場
合、論理和における積項の欠落と等価(;なり、この欠
陥を含む系のORアレイ部出力と欠陥のない他の系のO
Rアレイ部出力とのワイヤドOR演算をとることによっ
て正しいPLA出力が得られる。第8図で2001はレ
ベル検出部、2011はレベルラッテ回路部を示す。
第7図では、試験用クロックT、でGT2ゲートを遮断
させ、入力回路部の出力をトライスティトにし、Qmd
トランジスタを動作させて入力線101゜10T(i=
1〜n)を”L″レベルディスチャージする。プログラ
ム素子のMOSトランジスタにおけるドレインとゲート
が短絡したり、入力線と積項線が短絡しているときは、
積項線11. 、112゜113の前段NOR,アレイ
部出力点(81点)は°L″レベルになる。このレベル
を欠陥情報としてD′回路でラッチし、GT2ゲートを
遮断させ、QSdトランジスタによって当該欠陥の積項
線を@L”レベル(二縮退させる。したがって第6図の
場合と同様に正しいPLA出力が得られる。第9図で1
002はレベル検出部、2o11はレベルラッチ回路部
である。
させ、入力回路部の出力をトライスティトにし、Qmd
トランジスタを動作させて入力線101゜10T(i=
1〜n)を”L″レベルディスチャージする。プログラ
ム素子のMOSトランジスタにおけるドレインとゲート
が短絡したり、入力線と積項線が短絡しているときは、
積項線11. 、112゜113の前段NOR,アレイ
部出力点(81点)は°L″レベルになる。このレベル
を欠陥情報としてD′回路でラッチし、GT2ゲートを
遮断させ、QSdトランジスタによって当該欠陥の積項
線を@L”レベル(二縮退させる。したがって第6図の
場合と同様に正しいPLA出力が得られる。第9図で1
002はレベル検出部、2o11はレベルラッチ回路部
である。
出力線短絡欠陥
第10図、第11図は後段アレイ部の出力線短絡欠陥を
試験し、救済する実施例である。第10図は後段アレイ
部31.32のプログラム素子にダイオード又はnpn
バイポーラトランジスタをエミッタホロアにして使用す
るORアレイ構成であり、出力線12+ 、 122
、123を1H”レベル(ニチャージアップする出力線
チャージアップ用トランジスタ(Qno)ランジスタ)
と出力線レベル検出ラッチ回路(8回路)および出力線
自己接続ゲート(GT3ゲート)よりなる。Qnp)ラ
ンジスタを制御するために2種類の試験用クロックを使
用し、互いに隣接する出力線に接続されるQnpトラン
ジスタを各々異なる試験用クロックで制御し、1本おき
の出力線に接続されるQnpトランジスタを同種の試験
用クロックで制御するように、Qnpトランジスタに2
種類の試験用クロックを交互に接続する。
試験し、救済する実施例である。第10図は後段アレイ
部31.32のプログラム素子にダイオード又はnpn
バイポーラトランジスタをエミッタホロアにして使用す
るORアレイ構成であり、出力線12+ 、 122
、123を1H”レベル(ニチャージアップする出力線
チャージアップ用トランジスタ(Qno)ランジスタ)
と出力線レベル検出ラッチ回路(8回路)および出力線
自己接続ゲート(GT3ゲート)よりなる。Qnp)ラ
ンジスタを制御するために2種類の試験用クロックを使
用し、互いに隣接する出力線に接続されるQnpトラン
ジスタを各々異なる試験用クロックで制御し、1本おき
の出力線に接続されるQnpトランジスタを同種の試験
用クロックで制御するように、Qnpトランジスタに2
種類の試験用クロックを交互に接続する。
以後このようなトランジスタと試験用クロックとの接続
関係を“ちどり接続″と呼称する。第11図はプログラ
ム素子にnチャネルMO8)ランジスタを用いるNOR
アレイ構成であり、出力線121゜122.123を1
L”レベルにディスチャージする出力線ディスチャージ
用トランジスタ(Qndトランジスタ)と出力線レベル
検出ラッチ回路(8回路)および出力線自己接続ゲート
(GT3ゲート)よりなる。Qnd)ランジスタはQn
pl−ランジスタと同じく“ちどり接続”にする。第1
2図には第10図における8回路の一実施例を、第13
図(=は第11図におけるE′回路の一実施例を示す。
関係を“ちどり接続″と呼称する。第11図はプログラ
ム素子にnチャネルMO8)ランジスタを用いるNOR
アレイ構成であり、出力線121゜122.123を1
L”レベルにディスチャージする出力線ディスチャージ
用トランジスタ(Qndトランジスタ)と出力線レベル
検出ラッチ回路(8回路)および出力線自己接続ゲート
(GT3ゲート)よりなる。Qnd)ランジスタはQn
pl−ランジスタと同じく“ちどり接続”にする。第1
2図には第10図における8回路の一実施例を、第13
図(=は第11図におけるE′回路の一実施例を示す。
第12図と第13図で、2003 、2004はレベル
検出部、2013 、2014はレベルラッチ回路部で
ある。
検出部、2013 、2014はレベルラッチ回路部で
ある。
例えば、第10図では、A系のOR724部31におい
て出力線121と122が短絡すると、B系のORアレ
4部32に欠陥がないときでも出力h+f2はともにf
1+ f2になり、誤まった出力値になる。
て出力線121と122が短絡すると、B系のORアレ
4部32に欠陥がないときでも出力h+f2はともにf
1+ f2になり、誤まった出力値になる。
また第11図でも、同じくA系の出力fIA + ’
2AはともにflA’2Aになって、出力f1.f2は
ともにfIA + f2A、= f1+f2になり、誤
まった出力値になる。これを防ぐため本発明では、短絡
している出力線を出力回路部4へ出力させずに出力線を
遮断させ、欠陥のある系の出力をフローティング状態に
する。
2AはともにflA’2Aになって、出力f1.f2は
ともにfIA + f2A、= f1+f2になり、誤
まった出力値になる。これを防ぐため本発明では、短絡
している出力線を出力回路部4へ出力させずに出力線を
遮断させ、欠陥のある系の出力をフローティング状態に
する。
第10図において試験用クロックT3.T4でGT3ゲ
ートを遮断にして、試験用クロックT3で出力線121
e 123に接続したQnpトランジスタを動作させ、
試験用クロックT4で出力線122に接続したQnpト
ランジスタを動作させる。各出力線に付加した8回路に
おいて、出力線121 、123については各々の出力
線121 、123のORアレイ部出出力点 83点)
の論理レベルと試験用クロックT4との論理積をとり、
出力線122については出力線122のORアレイ部出
出力点 83点)の論理レベルと試験用クロックT3の
論理積をとる。隣接する出力線に短絡欠陥が存在すると
きはかかる論理積の結果は′″H”レベルになるため、
8回路でこのレベルをラッチし、欠陥検出信号CHK3
を発生させる。
ートを遮断にして、試験用クロックT3で出力線121
e 123に接続したQnpトランジスタを動作させ、
試験用クロックT4で出力線122に接続したQnpト
ランジスタを動作させる。各出力線に付加した8回路に
おいて、出力線121 、123については各々の出力
線121 、123のORアレイ部出出力点 83点)
の論理レベルと試験用クロックT4との論理積をとり、
出力線122については出力線122のORアレイ部出
出力点 83点)の論理レベルと試験用クロックT3の
論理積をとる。隣接する出力線に短絡欠陥が存在すると
きはかかる論理積の結果は′″H”レベルになるため、
8回路でこのレベルをラッチし、欠陥検出信号CHK3
を発生させる。
この信号によってGT3ゲートを遮断させ、欠陥の存在
する系の出力を70−ティング状態にする。
する系の出力を70−ティング状態にする。
2つの系の出力をワイヤドOR演算する場合、このフロ
ーティング状態は他の欠陥のない系の出力に対して論理
的に安全側(フェイルセイフ側)に縮退させたことにな
る。したがって、欠陥のある系から7エイルセイフ側に
縮退した出力と欠陥のない系からの出力をワイヤドOR
演算をとることによって、正しいPLAの出力が得られ
る。
ーティング状態は他の欠陥のない系の出力に対して論理
的に安全側(フェイルセイフ側)に縮退させたことにな
る。したがって、欠陥のある系から7エイルセイフ側に
縮退した出力と欠陥のない系からの出力をワイヤドOR
演算をとることによって、正しいPLAの出力が得られ
る。
第11図では、試験用クロックT3.T4でGT3ゲー
トを遮断にし、Qnd)ランジスタを動作させて出力線
121 、122 、123を°L″レベルにディスチ
ャージし、E′回路で出力線の後段NORアレイ部出力
点(83点)の論理レベルを反転し、これと試験用クロ
ックT3またはT4との論理積をとり、この論理積の結
果でGT3ゲートを遮断させることにより、前記第10
図の場合と同様に出力線短絡欠陥が救済される。
トを遮断にし、Qnd)ランジスタを動作させて出力線
121 、122 、123を°L″レベルにディスチ
ャージし、E′回路で出力線の後段NORアレイ部出力
点(83点)の論理レベルを反転し、これと試験用クロ
ックT3またはT4との論理積をとり、この論理積の結
果でGT3ゲートを遮断させることにより、前記第10
図の場合と同様に出力線短絡欠陥が救済される。
以上説明した第10図、第11図の実施例では言及しな
かったが、2つの系からの出力線の接続点(84点)に
、第10図では出力線接地用抵抗(Ro低抵抗を、第1
1図では出力線負荷用トランジスタ(QL、0 トラン
ジスタ)を付加してもよい。
かったが、2つの系からの出力線の接続点(84点)に
、第10図では出力線接地用抵抗(Ro低抵抗を、第1
1図では出力線負荷用トランジスタ(QL、0 トラン
ジスタ)を付加してもよい。
出力線断線欠陥
出力線が断線すると、断線個所から出力線の接続点(第
10図、第11図の84点、)マでの出力線はレベルス
タックを起したり、70−ティング状態になって出力に
論理演算結果の異常が生じる。しかし、第10図に示し
た2つの系の出力線を84点で直接接続(ワイヤドOR
演算)することによって、断線を起こしていない系の出
力線に接続されるR0抵抗を断線を起した出力線に作用
できるため(=、出力線の断線欠陥は救済できる。例え
ば第10図でA系のORアレ4部31のX点に断線が生
じた場合、積項線111.112 、113の積項値が
各々A、 B、Cであるとき、A系のRo抵抗1011
からX点までの間のプログラム素子會介して出力線に接
続されている積項線112からの積項値Bは出力f3A
の値B+Cから・欠落するが、X点から83点までの間
にあるプログラム素子による積項値Cについては、B系
のRo低抵抗Q12によって正しく論理和演算が行なわ
れ、欠陥のある出力f3A (値はC)と欠陥のないB
系の出力f3s (値はB十C)とのワイヤドOR演算
により正しいPLA出力f3(値はB十〇)が得られる
。第11図ではQLOトランジスタ10al。
10図、第11図の84点、)マでの出力線はレベルス
タックを起したり、70−ティング状態になって出力に
論理演算結果の異常が生じる。しかし、第10図に示し
た2つの系の出力線を84点で直接接続(ワイヤドOR
演算)することによって、断線を起こしていない系の出
力線に接続されるR0抵抗を断線を起した出力線に作用
できるため(=、出力線の断線欠陥は救済できる。例え
ば第10図でA系のORアレ4部31のX点に断線が生
じた場合、積項線111.112 、113の積項値が
各々A、 B、Cであるとき、A系のRo抵抗1011
からX点までの間のプログラム素子會介して出力線に接
続されている積項線112からの積項値Bは出力f3A
の値B+Cから・欠落するが、X点から83点までの間
にあるプログラム素子による積項値Cについては、B系
のRo低抵抗Q12によって正しく論理和演算が行なわ
れ、欠陥のある出力f3A (値はC)と欠陥のないB
系の出力f3s (値はB十C)とのワイヤドOR演算
により正しいPLA出力f3(値はB十〇)が得られる
。第11図ではQLOトランジスタ10al。
1022が第10図におけるRo低抵抗かわりの働きを
行なう。
行なう。
積項線・出力線短絡欠陥
第14図、第15図は後段アレイ部3のプログラム素子
短絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥を試験し救、
済する実施例である。第14図はプログラム素子にダイ
オードを用いたORアレイ構成であり、Qnpトランジ
スタ、8回路、D回路以外に積項線ディスチャージ用ト
ランジスタ(Qqdトランジスタ)と出力線レベル設定
用トランジスタ(Qrpトランジスタ)よりなる。第1
5図はプログラム素子にnチャネルMOSトランジスタ
を用いたNORアレイ構成であり、Qnd )ランジス
タ、E′回路、D′回路以外に積項線レベル設定用トラ
ンジスタ(QSdl−ランジスタ)よりなる。
短絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥を試験し救、
済する実施例である。第14図はプログラム素子にダイ
オードを用いたORアレイ構成であり、Qnpトランジ
スタ、8回路、D回路以外に積項線ディスチャージ用ト
ランジスタ(Qqdトランジスタ)と出力線レベル設定
用トランジスタ(Qrpトランジスタ)よりなる。第1
5図はプログラム素子にnチャネルMOSトランジスタ
を用いたNORアレイ構成であり、Qnd )ランジス
タ、E′回路、D′回路以外に積項線レベル設定用トラ
ンジスタ(QSdl−ランジスタ)よりなる。
第14図では試験用クロックT2によって、C)T2ゲ
ートおよびGT3ゲートを遮断し、Qqcl )ランジ
スタによって積項線111 、112 、113を“L
”レベルにする。積項線と出力線との間に短絡欠陥があ
るときおよびプログラム素子のダイオードが短絡してい
るときは、短絡した出力線のORアレイ部の出力点(S
、a点)が“L″レベルなる。このレベルを8回路でラ
ッチし、GT3ゲートを遮断させ、さらにQrp゛トラ
ンジスタを動作させる。短絡した出力線の出力をこのG
T3ゲートの遮断によってフローティング状態(フェイ
ルセイフ側)に縮退させる。Qrp)ランジスタの動作
によって、短絡した出力線を°H″レベルにし、この出
力線に短絡している積項線にプログラム素子を介して接
続されている他の出力線を1H#レベルにする。つりい
て試験用クロックT3およびT4によってGT2ゲート
とGT3ゲートヲ遮断し、前述の1出力線短絡欠陥″の
試験と同様に試験用クロックT3又はT4によって、積
項線・出力線短絡欠陥のある積項線にプログラム素子に
よって接続されているか\る他の出力線の°H″レベル
を8回路でラッチし、この出力線のGT3ゲートを遮断
し、この出力線の出力を70−ティング状態(7エイル
セイフ側)に縮退させる。一方、試験用クロックT3お
よびT4によって出力線121 e 122 + 12
3を@H″レベルにすることによって、積項線・出力線
短絡欠陥があるときは、これらの出力線(二短絡した積
項線の0Rアレイ部入力点(82点)が”H”レベルに
なる。
ートおよびGT3ゲートを遮断し、Qqcl )ランジ
スタによって積項線111 、112 、113を“L
”レベルにする。積項線と出力線との間に短絡欠陥があ
るときおよびプログラム素子のダイオードが短絡してい
るときは、短絡した出力線のORアレイ部の出力点(S
、a点)が“L″レベルなる。このレベルを8回路でラ
ッチし、GT3ゲートを遮断させ、さらにQrp゛トラ
ンジスタを動作させる。短絡した出力線の出力をこのG
T3ゲートの遮断によってフローティング状態(フェイ
ルセイフ側)に縮退させる。Qrp)ランジスタの動作
によって、短絡した出力線を°H″レベルにし、この出
力線に短絡している積項線にプログラム素子を介して接
続されている他の出力線を1H#レベルにする。つりい
て試験用クロックT3およびT4によってGT2ゲート
とGT3ゲートヲ遮断し、前述の1出力線短絡欠陥″の
試験と同様に試験用クロックT3又はT4によって、積
項線・出力線短絡欠陥のある積項線にプログラム素子に
よって接続されているか\る他の出力線の°H″レベル
を8回路でラッチし、この出力線のGT3ゲートを遮断
し、この出力線の出力を70−ティング状態(7エイル
セイフ側)に縮退させる。一方、試験用クロックT3お
よびT4によって出力線121 e 122 + 12
3を@H″レベルにすることによって、積項線・出力線
短絡欠陥があるときは、これらの出力線(二短絡した積
項線の0Rアレイ部入力点(82点)が”H”レベルに
なる。
この”H″レベルD回路によって検出し、レベルをラッ
チし、不良検出信号CHK2、CHK4を出力し1.こ
の信号によってGT2ゲートおよび後述する積項線相互
接続ゲー) (GT4ゲート)を遮断させ、他の系への
欠陥の波及を防止する。
チし、不良検出信号CHK2、CHK4を出力し1.こ
の信号によってGT2ゲートおよび後述する積項線相互
接続ゲー) (GT4ゲート)を遮断させ、他の系への
欠陥の波及を防止する。
第15図では試験用クロックT1によってGT2ゲート
を遮断して、後段NORアレイ部3のQLOトランジス
タ102によって全ての出力線を″H”レベルにチャー
ジアップする。出力線と積項線が短絡しているときおよ
びプログラム素子のMOSトランジスタのドレインとゲ
ートが短絡しているときは、積項線の後段NORアレイ
部入力点(82点)が”H#レベルになる。この@H”
レベルをD′回路によって検出し、レベルをラッチし、
欠陥検出信号CHK2.CHK2’、CHK4 (第9
図参照)を出力する。このCHK4fi号によってGT
4ゲートを遮断させ、他の系への欠陥の波及を防止する
。
を遮断して、後段NORアレイ部3のQLOトランジス
タ102によって全ての出力線を″H”レベルにチャー
ジアップする。出力線と積項線が短絡しているときおよ
びプログラム素子のMOSトランジスタのドレインとゲ
ートが短絡しているときは、積項線の後段NORアレイ
部入力点(82点)が”H#レベルになる。この@H”
レベルをD′回路によって検出し、レベルをラッチし、
欠陥検出信号CHK2.CHK2’、CHK4 (第9
図参照)を出力する。このCHK4fi号によってGT
4ゲートを遮断させ、他の系への欠陥の波及を防止する
。
CHK2信号によってGT2ゲートを遮断させ、CHK
2’信号によってQsdトランジスタを動作させて、
欠陥のある積項線を1L″レベル(二設定する。
2’信号によってQsdトランジスタを動作させて、
欠陥のある積項線を1L″レベル(二設定する。
次に前述した”出力線短絡欠陥”の試験を行ない、試験
用クロック’r31 ’r4によって積項線・出力線短
絡欠陥のある出力線の後段NORアレイ部出力点(83
点)の”L”レベルをE′回路で検出し、GT3T3ゲ
ート断させ、この欠陥のある出力線の出力をフローティ
ング状態(フェイルセイフ側)ニ縮退させる。
用クロック’r31 ’r4によって積項線・出力線短
絡欠陥のある出力線の後段NORアレイ部出力点(83
点)の”L”レベルをE′回路で検出し、GT3T3ゲ
ート断させ、この欠陥のある出力線の出力をフローティ
ング状態(フェイルセイフ側)ニ縮退させる。
入力線短絡欠陥および入力回路部出力
スタック欠陥
入力線の短絡欠陥および入力回路部の出力スタック欠陥
の試験と救済(二ついて、始め(二人力回路部が1ビツ
トデコーダの場合1次に2ビツトデコーダの場合を説明
する。
の試験と救済(二ついて、始め(二人力回路部が1ビツ
トデコーダの場合1次に2ビツトデコーダの場合を説明
する。
第16図、第17図は入力回路部にトライスティト形1
ビットデコーダ(TAB1回路)を用いた場合のか\る
欠陥を試験し、救済する実施例である。
ビットデコーダ(TAB1回路)を用いた場合のか\る
欠陥を試験し、救済する実施例である。
第16図は前段アレイ部2te22がANDアレイ構成
の場合、第17図はNORアレイ構成の場合を示してい
る。試験および欠陥救済回路部は、隣接する入力線間の
短絡とスタック欠陥を試験して検出結果をラッチする入
力線レベル検出ラッチ回路(C1回路又はCI’回路)
と、欠陥を有する入力線の論理レベルを(9)の試験お
よび救済として後述するプログラム素子の欠落と同じ状
態に設定する入力線レベル設定用トランジスタ(Qtp
トランジスタ又ハQtdトランジスタ)と、入力線断線
のときに2重化されたA系、B系の入力線を接続するた
めの入力線相互接続ゲート(GT1ゲート)とその制御
回路(CG11回路よりなる。こ\で、プログラム素子
の欠落と同じ状態とは、前段アレイ部がANDアレイ構
成のときは入力線の論理レベルが・H・レベル、NOR
アレイ構成のときは“L″レベル状態であり、これらの
状態はプログラム素子を介して接続される積項線に対し
て伺ら論理的に作用しない状態である。したがって、こ
の入力線の論理レベル状態を以後don’t care
状態と呼称する。don’:t care状態に設定さ
れた入力線にプログラム素子を介して接続される積項線
は、(9)の試験および救済として後述するGT4T4
ゲートして他の系の対応する積項線と接続することによ
って、他の系の正しい積項線と同じ論理レベルになり、
入力線の短絡欠陥および入力回路の出カスタンク欠陥は
救済される。第18図(二は第16図における01回路
、第19図には第17図におけるC 1’回路、第加図
にトライスティト出力が可能なTAB1回路の一実施例
を示す。第か図1=おいて、試験用クロックT1は前述
の前段アレイ部のプログラム素子短絡欠陥および入力線
と積項線の短絡欠陥を試験する時に、試験用クロックT
5.T6は後述する積項線の短絡欠陥を試験する時に、
各々TAB1回路出力をトライスティトにするため(二
用いられる。第21図はGT1ゲートを制御するCG1
1回路の一実施例である。
の場合、第17図はNORアレイ構成の場合を示してい
る。試験および欠陥救済回路部は、隣接する入力線間の
短絡とスタック欠陥を試験して検出結果をラッチする入
力線レベル検出ラッチ回路(C1回路又はCI’回路)
と、欠陥を有する入力線の論理レベルを(9)の試験お
よび救済として後述するプログラム素子の欠落と同じ状
態に設定する入力線レベル設定用トランジスタ(Qtp
トランジスタ又ハQtdトランジスタ)と、入力線断線
のときに2重化されたA系、B系の入力線を接続するた
めの入力線相互接続ゲート(GT1ゲート)とその制御
回路(CG11回路よりなる。こ\で、プログラム素子
の欠落と同じ状態とは、前段アレイ部がANDアレイ構
成のときは入力線の論理レベルが・H・レベル、NOR
アレイ構成のときは“L″レベル状態であり、これらの
状態はプログラム素子を介して接続される積項線に対し
て伺ら論理的に作用しない状態である。したがって、こ
の入力線の論理レベル状態を以後don’t care
状態と呼称する。don’:t care状態に設定さ
れた入力線にプログラム素子を介して接続される積項線
は、(9)の試験および救済として後述するGT4T4
ゲートして他の系の対応する積項線と接続することによ
って、他の系の正しい積項線と同じ論理レベルになり、
入力線の短絡欠陥および入力回路の出カスタンク欠陥は
救済される。第18図(二は第16図における01回路
、第19図には第17図におけるC 1’回路、第加図
にトライスティト出力が可能なTAB1回路の一実施例
を示す。第か図1=おいて、試験用クロックT1は前述
の前段アレイ部のプログラム素子短絡欠陥および入力線
と積項線の短絡欠陥を試験する時に、試験用クロックT
5.T6は後述する積項線の短絡欠陥を試験する時に、
各々TAB1回路出力をトライスティトにするため(二
用いられる。第21図はGT1ゲートを制御するCG1
1回路の一実施例である。
第16図において、始め1=すべての入力A4(i=1
〜n)を@H″レベルにし、試験用クロ・ツクT3を用
イテ補の入力線LOT、 10i+x (i=t 〜n
−t)と隣接した正の入力線101,101+1(i
=1〜n−1)との短絡の有無を調べるための入力線1
0〒。
〜n)を@H″レベルにし、試験用クロ・ツクT3を用
イテ補の入力線LOT、 10i+x (i=t 〜n
−t)と隣接した正の入力線101,101+1(i
=1〜n−1)との短絡の有無を調べるための入力線1
0〒。
10「コのレベル試験と、入力回路部11+12の欠陥
等による°L”レベルスタック欠陥の試験を行なう。例
えば入力線10〒と101または107と101+1が
短絡していると、10丁の論理レベルは中間レベル(”
H”、レベル(論理値”1″)を正電位(4〜5v)、
”L’レベル(論理値”0″)を零電位(0〜IV)の
とき中間レベルは2〜3vになる)になり、“L″レベ
ルスタツク欠陥有ると、正の入力線10I又ハ10.+
1はL”レベルになる。したがって、これらのレベルを
第18図に示す01回路のレベル検出部2005で試験
し、レベルラッチ2015で欠陥状態をラッチし、欠陥
検出信号CHKIA又はCHKIBを発生させろ。CH
KIA信号はA系の01回路、CHKIBはB系の01
回路からの欠陥検出信号である。次にすべての入力Ai
(i=1〜n)を″′L#レベルにし、試験用クロック
T4で正の入力線10i 110i+1(i=1〜n−
1)と隣接した補の入力線LOT、 1ar′1i71
< j=l〜n−1)との短絡欠陥の有無を調べるため
の正の入力線101゜101+1のレベル試験と、入力
回路の欠陥等による”L#レペルス″タック欠陥の試験
を行なう。例えば入力線10i+1とLOTまたは10
i+1と10笛が短絡していると、10i+1は中間レ
ベルになり s L ITレベルスタック欠陥が有ると
、補の入力線10〒又は10宵は“L″レベルなる。し
たがって、これらのレベルを01回路で試験し、欠陥状
態をラッチし、欠陥検出信号CHKIA又はCHKIB
を発生させる。以上の試験は試験用クロックT3.T4
によってGTIゲートを遮断にして行なう。これらの欠
陥検出信号CHKIA又はCHKIBI−よって、第9
図に示すようにTAB1回路の出力をトライスティトに
し、かつQtp )ランジスタを動作させて、第16図
に示すように入力線短絡欠陥およびスタック欠陥のある
入力線を@H″レベルに設定して、か\る入力線に接続
される積項線に対して入′力線の論理レベルをdon’
t careの状態にする。
等による°L”レベルスタック欠陥の試験を行なう。例
えば入力線10〒と101または107と101+1が
短絡していると、10丁の論理レベルは中間レベル(”
H”、レベル(論理値”1″)を正電位(4〜5v)、
”L’レベル(論理値”0″)を零電位(0〜IV)の
とき中間レベルは2〜3vになる)になり、“L″レベ
ルスタツク欠陥有ると、正の入力線10I又ハ10.+
1はL”レベルになる。したがって、これらのレベルを
第18図に示す01回路のレベル検出部2005で試験
し、レベルラッチ2015で欠陥状態をラッチし、欠陥
検出信号CHKIA又はCHKIBを発生させろ。CH
KIA信号はA系の01回路、CHKIBはB系の01
回路からの欠陥検出信号である。次にすべての入力Ai
(i=1〜n)を″′L#レベルにし、試験用クロック
T4で正の入力線10i 110i+1(i=1〜n−
1)と隣接した補の入力線LOT、 1ar′1i71
< j=l〜n−1)との短絡欠陥の有無を調べるため
の正の入力線101゜101+1のレベル試験と、入力
回路の欠陥等による”L#レペルス″タック欠陥の試験
を行なう。例えば入力線10i+1とLOTまたは10
i+1と10笛が短絡していると、10i+1は中間レ
ベルになり s L ITレベルスタック欠陥が有ると
、補の入力線10〒又は10宵は“L″レベルなる。し
たがって、これらのレベルを01回路で試験し、欠陥状
態をラッチし、欠陥検出信号CHKIA又はCHKIB
を発生させる。以上の試験は試験用クロックT3.T4
によってGTIゲートを遮断にして行なう。これらの欠
陥検出信号CHKIA又はCHKIBI−よって、第9
図に示すようにTAB1回路の出力をトライスティトに
し、かつQtp )ランジスタを動作させて、第16図
に示すように入力線短絡欠陥およびスタック欠陥のある
入力線を@H″レベルに設定して、か\る入力線に接続
される積項線に対して入′力線の論理レベルをdon’
t careの状態にする。
さらに欠陥検出信号CHKIA又はCHKIBによって
GTlゲートを遮断し、A系の欠陥又はB系の欠陥が他
の系へ波及することを防止する。
GTlゲートを遮断し、A系の欠陥又はB系の欠陥が他
の系へ波及することを防止する。
第17図では、第19図に示したC1′回路において試
験用クロックT3を用いて補の入力線10T又は10f
iと隣接した入力線10i + 101+1との短絡の
有無および補の入力線10〒と10]の“H”レベルス
タック欠陥の有無を調べ、試験用クロックT4を用いて
正の入力線10、又は10i+1に隣接した入力線10
丁。
験用クロックT3を用いて補の入力線10T又は10f
iと隣接した入力線10i + 101+1との短絡の
有無および補の入力線10〒と10]の“H”レベルス
タック欠陥の有無を調べ、試験用クロックT4を用いて
正の入力線10、又は10i+1に隣接した入力線10
丁。
10コとの短絡の有無、および正の入力線10、と10
1+1の1”レベルスタック欠陥の有無を調べる。
1+1の1”レベルスタック欠陥の有無を調べる。
以上の試験は試験用クロックT3.T4(二よってGT
1ゲートを遮断にして行なう。かへる試験で欠陥を検出
した時、欠陥状態をラッチして欠陥検出信号CHKIA
又はCHKIBを出力する。この欠陥検出は号(−よっ
てTAB1回路の出力をトライスティトにし、Qtd
)ランジスタを動作させて入力線短絡欠陥およびスタ・
ツク欠陥のある入力線を“L 7ルベル(=設定し、か
\る入力線(二接続される積項線(二対して入力線の論
理レベルをdon’t care状態;:する。さらに
GTIゲートを遮断する。
1ゲートを遮断にして行なう。かへる試験で欠陥を検出
した時、欠陥状態をラッチして欠陥検出信号CHKIA
又はCHKIBを出力する。この欠陥検出は号(−よっ
てTAB1回路の出力をトライスティトにし、Qtd
)ランジスタを動作させて入力線短絡欠陥およびスタ・
ツク欠陥のある入力線を“L 7ルベル(=設定し、か
\る入力線(二接続される積項線(二対して入力線の論
理レベルをdon’t care状態;:する。さらに
GTIゲートを遮断する。
入力回路部(二上記の実施例とは異なる1ビツトデコー
ダを用いることによって、入力Ai(i=1〜n[:t
べてH”レベル又は@L″レベルにしたとき、入力線短
絡のため、短絡した正および補の入力線がともに°L″
レベルに縮退するならば、前述したC1回路、C1′回
路を次のように構成することによって、入力線短絡欠陥
とスタック欠陥を検出することができる。すなわち、第
16図の実施例の01回路としては、第19図に示した
C 1’回路において入力線10i 、 IOTの論理
レベルを反転させ、かつ第19図のT3をT4、T4を
T3に八れ換えた回路を用い、第17図の実施例のC1
′回路としては、第18図の01回路又は第19図の0
1’回路を用いればよい。
ダを用いることによって、入力Ai(i=1〜n[:t
べてH”レベル又は@L″レベルにしたとき、入力線短
絡のため、短絡した正および補の入力線がともに°L″
レベルに縮退するならば、前述したC1回路、C1′回
路を次のように構成することによって、入力線短絡欠陥
とスタック欠陥を検出することができる。すなわち、第
16図の実施例の01回路としては、第19図に示した
C 1’回路において入力線10i 、 IOTの論理
レベルを反転させ、かつ第19図のT3をT4、T4を
T3に八れ換えた回路を用い、第17図の実施例のC1
′回路としては、第18図の01回路又は第19図の0
1’回路を用いればよい。
次に入力回路部にトライスティト形2ピットデコーダ(
TAB2回路)を用いた場合を説明する。
TAB2回路)を用いた場合を説明する。
第n図は前段アレイ部がANDアレイ構成のときの実施
例である。試験および欠陥救済回路部は、隣接する入力
線相互の短絡を検出し、欠陥状態をラッチする入力線レ
ベル検出ラッチ回路(02回路)と、欠陥を有する入力
線の論理レベルを前述と同様don’t care状態
に設定する入力線レベル設定用トランジスタ(Qtpト
ランジスタ)と、入力線に断線欠陥が存在するとき2重
化されたA系、B系の入力線を接続するための入力線相
互接続ゲート(o’r1ゲート)とその制御回路(C(
)12回路)よりなる。don’t care状幅に
設定された入力線にプログラム素子を介して接続される
積項線は、前述の1ピツトデコーダ適用の場合と同様に
、他の系の対応する積項線とGT4ゲ〜トを用いて接続
することによって正しい積項値(二設定され、入力線短
絡欠陥とスタック欠陥は救済される。第n図にC2回路
、第24図に前段アレイ部がANDアレイ構成の時の2
ビツトデコーダ(TAB2回路)および第5図にC(J
J 12回路の一実施例を示す。
例である。試験および欠陥救済回路部は、隣接する入力
線相互の短絡を検出し、欠陥状態をラッチする入力線レ
ベル検出ラッチ回路(02回路)と、欠陥を有する入力
線の論理レベルを前述と同様don’t care状態
に設定する入力線レベル設定用トランジスタ(Qtpト
ランジスタ)と、入力線に断線欠陥が存在するとき2重
化されたA系、B系の入力線を接続するための入力線相
互接続ゲート(o’r1ゲート)とその制御回路(C(
)12回路)よりなる。don’t care状幅に
設定された入力線にプログラム素子を介して接続される
積項線は、前述の1ピツトデコーダ適用の場合と同様に
、他の系の対応する積項線とGT4ゲ〜トを用いて接続
することによって正しい積項値(二設定され、入力線短
絡欠陥とスタック欠陥は救済される。第n図にC2回路
、第24図に前段アレイ部がANDアレイ構成の時の2
ビツトデコーダ(TAB2回路)および第5図にC(J
J 12回路の一実施例を示す。
第n図において、4種類の試験用クロックT3゜T4.
T5.T6を用い、か\るクロック対応に入力A1j
、 A2j (j =1〜” )の値を”LL”、 ”
HL−。
T5.T6を用い、か\るクロック対応に入力A1j
、 A2j (j =1〜” )の値を”LL”、 ”
HL−。
”L H” 、“HH”のレベルに設定し、入力線を1
0j。
0j。
101.10v3,10i(J=1〜n)の順(=選択
する。例えばTAB2回路300の出力線である4本の
入力線10− 、10v2.105 、10V4は、選
択さ1 れた1本が6L”レベルで残りの3本の非選択な入力線
が1H”レベルであれば正常である。選択された入力線
が他の非選択な入力線と短絡して中間レベルになった時
、第n図に示した02回路のレベル検出NOR回路部4
00において、か\る入力線同志の短絡欠陥を検出して
欠陥検出信号CHKIA又はCHKIBを出力する。さ
らに、3本の非選択な入力線のうち、入力回路部等の欠
陥のため1〜3本が1L#レベルスタツク欠陥になった
時、第n図に示したレベル検出AND回路部401にお
いて、か\るスタック欠陥を試験し、欠陥検出信号CH
KIA又はCHKIBを出力する。これらの欠陥検出信
号によって、1ピツ′トデコーダの時と同様に、当該す
る2ビツトデコーダ300の出力をトライスティトにし
て、Qtpトランジスタによって入力線10= 、 1
0首、 10’ii 、 10fiを”H”し1 ベルに設定し、入力線の論理レベルをdon’t ca
re状態にする。さらにCG 12回路を制御してか\
る入力線に接続されている4個のGTIゲートを遮断す
る。以上の試験は試験用クロックT3〜T6によってG
T1ゲートを遮断にして行なう。
する。例えばTAB2回路300の出力線である4本の
入力線10− 、10v2.105 、10V4は、選
択さ1 れた1本が6L”レベルで残りの3本の非選択な入力線
が1H”レベルであれば正常である。選択された入力線
が他の非選択な入力線と短絡して中間レベルになった時
、第n図に示した02回路のレベル検出NOR回路部4
00において、か\る入力線同志の短絡欠陥を検出して
欠陥検出信号CHKIA又はCHKIBを出力する。さ
らに、3本の非選択な入力線のうち、入力回路部等の欠
陥のため1〜3本が1L#レベルスタツク欠陥になった
時、第n図に示したレベル検出AND回路部401にお
いて、か\るスタック欠陥を試験し、欠陥検出信号CH
KIA又はCHKIBを出力する。これらの欠陥検出信
号によって、1ピツ′トデコーダの時と同様に、当該す
る2ビツトデコーダ300の出力をトライスティトにし
て、Qtpトランジスタによって入力線10= 、 1
0首、 10’ii 、 10fiを”H”し1 ベルに設定し、入力線の論理レベルをdon’t ca
re状態にする。さらにCG 12回路を制御してか\
る入力線に接続されている4個のGTIゲートを遮断す
る。以上の試験は試験用クロックT3〜T6によってG
T1ゲートを遮断にして行なう。
前段アレイ部がNORアレイ構成で、入力回路部にトラ
イスディト形2ビットデコーダを用いた場合は、前記第
22図のANDアレイ構成の場合と異なり、2ビツトデ
コーダからの4本の出力は、選択された1本がH”レベ
ルで他の選択されない3本が“L”レベルの時に正常で
ある。選択された入力線と隣接する非選択な入力線との
短絡によってともに中間レベルになる短絡欠陥や、入力
回路部等の欠陥による非選択な入力線の”H”レベルス
タック欠陥を、第26図に示す入力線レベル検出ラッチ
回路(C2′回路)のレベル検出OR回路部402で検
出し、レベルラッチ回路部2018でラッチし、欠陥検
出は号CHKIA又はCHKIBを出力する。この欠陥
検出信号によって、当該する2ビツトデコーダの出力を
トライスティトにし、人力線レベル設定用トランジスタ
(Qtdトランジスタ)を動作させて、該当する4本の
入力線を一括して“L”レベルに設定し、入力線の論理
レベルをdon’t care状態にする。同時に、該
当する4本の入力線に接続される4個のGTIゲ〜トを
遮断する。以上の試験は試験用クロックT3〜T6によ
ってGTIゲートを遮断にして行なう。上記レベル検出
時に仮に選択された入力線が欠陥のため“L″レベルス
タツクなっていても、これは入力線の論理レベル力do
n’t care状態にあたるため、特に検出する必要
はない。
イスディト形2ビットデコーダを用いた場合は、前記第
22図のANDアレイ構成の場合と異なり、2ビツトデ
コーダからの4本の出力は、選択された1本がH”レベ
ルで他の選択されない3本が“L”レベルの時に正常で
ある。選択された入力線と隣接する非選択な入力線との
短絡によってともに中間レベルになる短絡欠陥や、入力
回路部等の欠陥による非選択な入力線の”H”レベルス
タック欠陥を、第26図に示す入力線レベル検出ラッチ
回路(C2′回路)のレベル検出OR回路部402で検
出し、レベルラッチ回路部2018でラッチし、欠陥検
出は号CHKIA又はCHKIBを出力する。この欠陥
検出信号によって、当該する2ビツトデコーダの出力を
トライスティトにし、人力線レベル設定用トランジスタ
(Qtdトランジスタ)を動作させて、該当する4本の
入力線を一括して“L”レベルに設定し、入力線の論理
レベルをdon’t care状態にする。同時に、該
当する4本の入力線に接続される4個のGTIゲ〜トを
遮断する。以上の試験は試験用クロックT3〜T6によ
ってGTIゲートを遮断にして行なう。上記レベル検出
時に仮に選択された入力線が欠陥のため“L″レベルス
タツクなっていても、これは入力線の論理レベル力do
n’t care状態にあたるため、特に検出する必要
はない。
入力回路部に前述した実施例とは異なる2ビツトデコー
ダを用いることによって、選択された入力線と非選択な
入力との短絡のために、ともに″L”レベルに縮退する
ならば、前述の02回路、C2’回路を次のように構成
することによって入力線短絡欠陥とスタック欠陥を検出
することができる。
ダを用いることによって、選択された入力線と非選択な
入力との短絡のために、ともに″L”レベルに縮退する
ならば、前述の02回路、C2’回路を次のように構成
することによって入力線短絡欠陥とスタック欠陥を検出
することができる。
すなわち、第n図の実施例の02回路としては、第n図
において選択された入力線の1Lルベルを検出するかわ
りに、この入力線と短絡している非選択な入力線の“L
″レベル検出すればよいため、レベル検出NOR回路部
400が不要である。一方、前段アレイ部がNORアレ
イ構成の場合のC2′回路としては、第が図に示したC
2’回路において、第n図のレベル検出NOR回路部
400の出力と第26図のレベル検出OR回路部402
の出力との論理和をANDゲート403に入力した回路
か、または第26図のC2’回路を用いればよい。
において選択された入力線の1Lルベルを検出するかわ
りに、この入力線と短絡している非選択な入力線の“L
″レベル検出すればよいため、レベル検出NOR回路部
400が不要である。一方、前段アレイ部がNORアレ
イ構成の場合のC2′回路としては、第が図に示したC
2’回路において、第n図のレベル検出NOR回路部
400の出力と第26図のレベル検出OR回路部402
の出力との論理和をANDゲート403に入力した回路
か、または第26図のC2’回路を用いればよい。
以上説明した実施例では02回路又はC2’回路を2ピ
ツ、トデコーダ対応に設け、入力線の欠陥試験と欠陥救
済のための入力線のレベル設定およびGTIゲートの遮
断制御を、2ピツトデコーダ対応に一括して行なった。
ツ、トデコーダ対応に設け、入力線の欠陥試験と欠陥救
済のための入力線のレベル設定およびGTIゲートの遮
断制御を、2ピツトデコーダ対応に一括して行なった。
しかし、02回路又はC2′回路の設置、欠陥救済のた
めの入力線レベル設定とGTIゲートの遮断制御を入力
線1本対応に行なうとか、複数の2ピツトデコーダ対応
に行なうとか、特に限定はない。
めの入力線レベル設定とGTIゲートの遮断制御を入力
線1本対応に行なうとか、複数の2ピツトデコーダ対応
に行なうとか、特に限定はない。
入力線断線欠陥
入力線に断線欠陥が存在する場合はGTIゲート(第1
6図、第17図、第四図参照)を用いてA系、B系の入
力線を接続すること(二より、互いに他の系から正しい
論理レベルが入力線に供給される。
6図、第17図、第四図参照)を用いてA系、B系の入
力線を接続すること(二より、互いに他の系から正しい
論理レベルが入力線に供給される。
積項線短絡欠陥
第n図、第四図は入力回路部に1ビツトデコーダを用い
た場合の積項線短絡欠陥の試験と救済についての実施例
である。第n図はANDアレイー0Rアレイ構成であり
、Qmpトランジスタ、GT5ゲート、GT2ゲ〜ト、
GT4ゲート、0回路、RG低抵抗よび試験用クロック
T5.T6に対して積項線に“ちどり接続″され、積項
線を“H″レベルチャージアップする積項線チャージア
ップ用トランジスタ(Qop)ランジスタ)よりなる。
た場合の積項線短絡欠陥の試験と救済についての実施例
である。第n図はANDアレイー0Rアレイ構成であり
、Qmpトランジスタ、GT5ゲート、GT2ゲ〜ト、
GT4ゲート、0回路、RG低抵抗よび試験用クロック
T5.T6に対して積項線に“ちどり接続″され、積項
線を“H″レベルチャージアップする積項線チャージア
ップ用トランジスタ(Qop)ランジスタ)よりなる。
第お図はNORアレイ−NOR,アレイ構成で、Qmd
)ランジスタ、GT2ゲート、GT4ゲート、D′回
路、Qsdトランジスタ、RG低抵抗よび試験用クロッ
クT5.T6に対して積項線にゝちどり接続”され、積
項線を”L″レベルディスチャージする積項線ディスチ
ャージ用トランジスタ(QOd)ランジスタ)よりなる
。
)ランジスタ、GT2ゲート、GT4ゲート、D′回
路、Qsdトランジスタ、RG低抵抗よび試験用クロッ
クT5.T6に対して積項線にゝちどり接続”され、積
項線を”L″レベルディスチャージする積項線ディスチ
ャージ用トランジスタ(QOd)ランジスタ)よりなる
。
第n図において、試験用クロックT5 t T6によっ
て、GT5ゲートとGT4ゲートを遮断し、入力回路部
の出力をトライスティトにし、Qmpトランジスタを動
作させて、入力線10i t 107 、1(li+1
゜10fiを°H″レベルにする。さらに試験用クロッ
クT5によってQop)ランジスタを動作させて、積項
線112を°H″レベルにし、試験用クロックT6::
よって積項線11. 、113を”H″レベルする。第
゛8図に示した各積項線に付加した0回路において、積
項線111 、113については、か\る各々の積項線
のANDアレイ部出力出力点1点)の論理レベルと試験
用クロックT5との論理積をとり、積項線112につい
ては、か\る積項線のANDアレイ部出力出力点1点)
の論理レベルと試験用クロックT6との論理積をとる。
て、GT5ゲートとGT4ゲートを遮断し、入力回路部
の出力をトライスティトにし、Qmpトランジスタを動
作させて、入力線10i t 107 、1(li+1
゜10fiを°H″レベルにする。さらに試験用クロッ
クT5によってQop)ランジスタを動作させて、積項
線112を°H″レベルにし、試験用クロックT6::
よって積項線11. 、113を”H″レベルする。第
゛8図に示した各積項線に付加した0回路において、積
項線111 、113については、か\る各々の積項線
のANDアレイ部出力出力点1点)の論理レベルと試験
用クロックT5との論理積をとり、積項線112につい
ては、か\る積項線のANDアレイ部出力出力点1点)
の論理レベルと試験用クロックT6との論理積をとる。
積項線に短絡欠陥が存在するとき、か\る論理積の結果
は“H”レベルになるため、0回路でこのレベルをラッ
チし、欠陥検出は号CHK4およびCHK2を発生させ
る。こ゛れらの信号によってGT4ゲートおよびGT2
ゲートを遮断させ、他の系への積項線短絡欠陥の波及を
防止する。さらにGT2ゲートの遮断とR()抵抗10
0によって積項線短絡欠陥を有する積項線をL”レベル
に縮退させる。この”L”レベルに縮退した積項線にO
Rアレイ部内でプログラム素子を介して接続される出力
線の論理値は、(1)の入力線・積項線短絡欠陥の場合
と同様に論理和の積項欠落と等価になり、この欠陥を含
む系のORアレイ部出力と欠陥のない他の系のORアレ
イ部出カとのワイヤドOR演算をとることによって、正
しいPLA出カが得られる。
は“H”レベルになるため、0回路でこのレベルをラッ
チし、欠陥検出は号CHK4およびCHK2を発生させ
る。こ゛れらの信号によってGT4ゲートおよびGT2
ゲートを遮断させ、他の系への積項線短絡欠陥の波及を
防止する。さらにGT2ゲートの遮断とR()抵抗10
0によって積項線短絡欠陥を有する積項線をL”レベル
に縮退させる。この”L”レベルに縮退した積項線にO
Rアレイ部内でプログラム素子を介して接続される出力
線の論理値は、(1)の入力線・積項線短絡欠陥の場合
と同様に論理和の積項欠落と等価になり、この欠陥を含
む系のORアレイ部出力と欠陥のない他の系のORアレ
イ部出カとのワイヤドOR演算をとることによって、正
しいPLA出カが得られる。
第四図では試験用クロックT5.T6で入力回路部の出
力をトライスティトにし、GT4ゲートを遮断させ、Q
md )ランジスタによって入力1101゜10T I
10i+、l 10菌を1L″レベルにする。さらに
試験用クロックT5でQod)ランジスタを動作させて
積項線it2を′″L”レベルにし、試験用クロックT
6テ積項線111 、113を同じく”L″レベルする
。第9図に示したD′回路を用いて、積項線短絡のため
に生じる前段NORアレイ部出カ点(81点)における
″″L″L″レベルテし、欠陥M済検出信号cHK2、
CHK2′およびcHK4を発生させる。このCHK4
信号によってGT4ゲートを遮断させ、他の系への欠陥
波及を防止する。さらにCHK2信号によってGT2ゲ
ートを遮断させると\もにCHK2’[号によってQs
dトランジスタを動作させ、当該欠陥の積項線を1L″
レベルに縮退させることにより、第n図の場合と同様に
正しいPLA出カが得られる。
力をトライスティトにし、GT4ゲートを遮断させ、Q
md )ランジスタによって入力1101゜10T I
10i+、l 10菌を1L″レベルにする。さらに
試験用クロックT5でQod)ランジスタを動作させて
積項線it2を′″L”レベルにし、試験用クロックT
6テ積項線111 、113を同じく”L″レベルする
。第9図に示したD′回路を用いて、積項線短絡のため
に生じる前段NORアレイ部出カ点(81点)における
″″L″L″レベルテし、欠陥M済検出信号cHK2、
CHK2′およびcHK4を発生させる。このCHK4
信号によってGT4ゲートを遮断させ、他の系への欠陥
波及を防止する。さらにCHK2信号によってGT2ゲ
ートを遮断させると\もにCHK2’[号によってQs
dトランジスタを動作させ、当該欠陥の積項線を1L″
レベルに縮退させることにより、第n図の場合と同様に
正しいPLA出カが得られる。
以上の試験は、前段アレイ部および後段アレイ部におけ
る積項線短絡欠陥を試験するために、他の欠陥救済によ
ってGT2ゲートが遮断していない限り、GT2ゲート
を導通状態にして行なう。
る積項線短絡欠陥を試験するために、他の欠陥救済によ
ってGT2ゲートが遮断していない限り、GT2ゲート
を導通状態にして行なう。
なお、第n図、第四図において、前述した+11 、
f4+の場合の欠陥救済のために、すでにGT2ゲート
が遮断されている時は、後段アレイ部内の積項線に短絡
欠陥が存在していても、試験用クロ・ツクT5゜T6を
用いた第27図、第あ図の試験では検出できない。しか
し、が\る積項線短絡欠陥があっても、(1)又は(4
)の場合の欠陥救済のための欠陥検出信号CHK2.C
HK4によってGT2ゲートおよびGT4ゲートが遮断
され、積”項線短絡欠陥を有する積項線は、RG低抵抗
よって又は欠陥検出信号C)(K2’で動作するQsd
トランジスタによって゛L″レベル縮退され、かがる積
項線短絡欠陥は救済される。
f4+の場合の欠陥救済のために、すでにGT2ゲート
が遮断されている時は、後段アレイ部内の積項線に短絡
欠陥が存在していても、試験用クロ・ツクT5゜T6を
用いた第27図、第あ図の試験では検出できない。しか
し、が\る積項線短絡欠陥があっても、(1)又は(4
)の場合の欠陥救済のための欠陥検出信号CHK2.C
HK4によってGT2ゲートおよびGT4ゲートが遮断
され、積”項線短絡欠陥を有する積項線は、RG低抵抗
よって又は欠陥検出信号C)(K2’で動作するQsd
トランジスタによって゛L″レベル縮退され、かがる積
項線短絡欠陥は救済される。
なお、入力回路部に2ビツトデコーダを用いた時の積項
線短絡欠陥に対しては、前記した試験用クロックT5.
T6をT7.T8に各々置き換えて考えればよい。また
、この積項線短絡欠陥の試験によって(1)の欠陥のほ
とんどが検出できるため、場合によっては試験用クロッ
クT1を用いた(1)の試験は該積項線短絡欠陥の試験
で代用してもよい。
線短絡欠陥に対しては、前記した試験用クロックT5.
T6をT7.T8に各々置き換えて考えればよい。また
、この積項線短絡欠陥の試験によって(1)の欠陥のほ
とんどが検出できるため、場合によっては試験用クロッ
クT1を用いた(1)の試験は該積項線短絡欠陥の試験
で代用してもよい。
積項線断線欠陥
積項線からGT4ゲートへの取り出し点(第n図、第あ
図における85点)より前段アレイ部側の積項線に断線
がある時、前段アレイ部のプログラム素子の欠落と等価
になる。つまり後段アレイ部の入力点(82点)におけ
る積項線の積項値は、かかる断線欠陥のない時に比べd
on’t careの項を含むことになるが、次の1前
段アレイ部のプログラム素子欠落欠陥″で説明するGT
4ゲートを用いて、欠陥のない他の系の対応する積項線
と接続することによって救済される。一方、か\る取り
出し点(Ss点)より後段アレイ部側の積項線に断線が
あるならば、第6図、第n図、第四図に示したRG抵抗
100(二よって積項線を@L”レベルに縮退させて救
済できる。RG低抵抗積項線負荷用抵抗(Rv低抵抗1
03または積項線負荷用トランジスタ(QLA )ラン
ジスタ)104の直流オン抵抗より充分大きな値にする
。
図における85点)より前段アレイ部側の積項線に断線
がある時、前段アレイ部のプログラム素子の欠落と等価
になる。つまり後段アレイ部の入力点(82点)におけ
る積項線の積項値は、かかる断線欠陥のない時に比べd
on’t careの項を含むことになるが、次の1前
段アレイ部のプログラム素子欠落欠陥″で説明するGT
4ゲートを用いて、欠陥のない他の系の対応する積項線
と接続することによって救済される。一方、か\る取り
出し点(Ss点)より後段アレイ部側の積項線に断線が
あるならば、第6図、第n図、第四図に示したRG抵抗
100(二よって積項線を@L”レベルに縮退させて救
済できる。RG低抵抗積項線負荷用抵抗(Rv低抵抗1
03または積項線負荷用トランジスタ(QLA )ラン
ジスタ)104の直流オン抵抗より充分大きな値にする
。
前段アレイ部のプログラム素子欠落欠陥129図、第3
0図は各々ANDアレイーORアレイ構成、N0Ftア
レイ−NORアレイ構成における前段アレイ部のプログ
ラム素子欠落欠陥を救済する一実施例である。か\るプ
ログラム素子の欠落した積項線は、A系の積項線とこれ
に対応するB系の積項線とを積項線相互接続ゲート(G
T4ゲート)で接続することによって、A系、B系とも
同じ積項値が得られ救済できる。さらに(5)の場合の
入力線短絡欠陥および入力回路部の出力レベルのスタッ
ク欠陥の救済のために入力線の論理レベルをdon’t
care状態(=設定したが、これによって起こる積
項線への等何曲なプログラム素子の欠落も、同じ<()
T4ゲートを導通することによって救済される。
0図は各々ANDアレイーORアレイ構成、N0Ftア
レイ−NORアレイ構成における前段アレイ部のプログ
ラム素子欠落欠陥を救済する一実施例である。か\るプ
ログラム素子の欠落した積項線は、A系の積項線とこれ
に対応するB系の積項線とを積項線相互接続ゲート(G
T4ゲート)で接続することによって、A系、B系とも
同じ積項値が得られ救済できる。さらに(5)の場合の
入力線短絡欠陥および入力回路部の出力レベルのスタッ
ク欠陥の救済のために入力線の論理レベルをdon’t
care状態(=設定したが、これによって起こる積
項線への等何曲なプログラム素子の欠落も、同じ<()
T4ゲートを導通することによって救済される。
一方、(4)の場合の後段アレイ部のプログラム素子短
絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥、または(7)
の場合の積項線の短絡欠陥があるときは、A系又はB系
のか\る欠陥又は欠陥救済のために施した対策が、GT
4ゲートを通して他の系へ波及してはいけない。仮りに
GT4ゲートが導通していることによって、か\る欠陥
又はその対策が他の系へ波及する例を第31図、第32
図1−示す。
絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥、または(7)
の場合の積項線の短絡欠陥があるときは、A系又はB系
のか\る欠陥又は欠陥救済のために施した対策が、GT
4ゲートを通して他の系へ波及してはいけない。仮りに
GT4ゲートが導通していることによって、か\る欠陥
又はその対策が他の系へ波及する例を第31図、第32
図1−示す。
第31図はB系の積項線11′1と出力線12′1が短
絡している場合を示す。第31図で、積項線111,1
12の積項値が各々“H”レベル、“L″レベル時、か
かる短絡欠陥がなければ、A系の出力f2Aは正しく“
L”レベルを出力する。しかし積項線11′1と出力線
12′1との短絡のために救済対策として施された積項
線レベル設定用トランジスタ(Qsd )ランジスタ)
による積項線11′1の1L”レベルカ、GT4ゲート
500を通して積項線111の′″H″H″レベル″レ
ベル変え、A系の出力f2Aは誤まって”H”レベルに
なる。第32図はB系の積項線11’le 11’2が
互いに短絡している場合を示す。第32図で、積項線1
1. 、 +112の積項値が各々“H″レベル′L″
レベルの時、欠陥のないA系の積項線111は、積項線
112→GT4ゲ一ト501→積項線短絡502→GT
4ゲート500を通して積項線112の“L″レベル影
響をうけ、゛L″レベルになる。このため、正しくは@
H”レベルである出力fIA 、 fIBはともに1
L”レベルになる。
絡している場合を示す。第31図で、積項線111,1
12の積項値が各々“H”レベル、“L″レベル時、か
かる短絡欠陥がなければ、A系の出力f2Aは正しく“
L”レベルを出力する。しかし積項線11′1と出力線
12′1との短絡のために救済対策として施された積項
線レベル設定用トランジスタ(Qsd )ランジスタ)
による積項線11′1の1L”レベルカ、GT4ゲート
500を通して積項線111の′″H″H″レベル″レ
ベル変え、A系の出力f2Aは誤まって”H”レベルに
なる。第32図はB系の積項線11’le 11’2が
互いに短絡している場合を示す。第32図で、積項線1
1. 、 +112の積項値が各々“H″レベル′L″
レベルの時、欠陥のないA系の積項線111は、積項線
112→GT4ゲ一ト501→積項線短絡502→GT
4ゲート500を通して積項線112の“L″レベル影
響をうけ、゛L″レベルになる。このため、正しくは@
H”レベルである出力fIA 、 fIBはともに1
L”レベルになる。
以上の例からも明らかなように、か\る欠陥の他の系へ
の波及を防止するために、0回路またはD′回路からの
欠陥検出信号CHK4AまたはCHK4Bを用いてGT
4ゲートを遮断しなければならない。第四図、第30図
のCG4回路は、それを制御するためのもので、第33
図にその構成例を示す。
の波及を防止するために、0回路またはD′回路からの
欠陥検出信号CHK4AまたはCHK4Bを用いてGT
4ゲートを遮断しなければならない。第四図、第30図
のCG4回路は、それを制御するためのもので、第33
図にその構成例を示す。
第29図において、ANDアレイ部の入力線と積項線の
短絡欠陥試験のときは、(1)の場合の第6図(=示し
たように、GT2ゲートを導通状態にシて試験するため
、A系又はB系のいずれか一方に欠陥があると、この欠
陥によって他の系に欠陥状態が波及してしまう。したが
って、GT4ゲートを遮断して、この波及を防止する必
要がある。さらに(4)の場合の第14図に示した積項
線と出力線の短絡欠陥試験および(7)の場合の第27
図に示した積項線短絡欠陥試験のときも、同じ理由でG
T4ゲートを遮断する必要がある。したがって、かかる
遮断を行なうため(1第8図の0回路において、入力回
路部が1ピツトデコーダの時は試験用クロックT1 s
T2 s T3 + T4 + T5 t T6 、
入力回路部が2ビツトデコーダの時は試験用クロックT
I、T2゜T3.T4.T7.T8によって欠陥検出信
号CHK4AおよびCHK4Bを一時的(二1L”レベ
ルにする。一方、第(9)図において、(1)の場合の
前段NORアレイ部の入力線と積項線の短絡欠陥試験は
GT2ゲートを遮断して行なうため、GT4ゲートの遮
断は不要であるが、(41の場合の第15図(−示した
積項線と出力線の短絡欠陥試験および(7)の場合の第
y図に示した積項線短絡欠陥試験のときはGT4ゲート
を遮断する必要がある。したがって、か\る遮断を行な
うために第9図(=示したD′回路において、第8図の
0回路と同様に、試験用クロックT1.T3.T4.T
5.T6又はT1.T3.T4゜T7.T8によって欠
陥構出信号CHK4AおよびCHK 4 Bを一時的に
”L”レベルにする。
短絡欠陥試験のときは、(1)の場合の第6図(=示し
たように、GT2ゲートを導通状態にシて試験するため
、A系又はB系のいずれか一方に欠陥があると、この欠
陥によって他の系に欠陥状態が波及してしまう。したが
って、GT4ゲートを遮断して、この波及を防止する必
要がある。さらに(4)の場合の第14図に示した積項
線と出力線の短絡欠陥試験および(7)の場合の第27
図に示した積項線短絡欠陥試験のときも、同じ理由でG
T4ゲートを遮断する必要がある。したがって、かかる
遮断を行なうため(1第8図の0回路において、入力回
路部が1ピツトデコーダの時は試験用クロックT1 s
T2 s T3 + T4 + T5 t T6 、
入力回路部が2ビツトデコーダの時は試験用クロックT
I、T2゜T3.T4.T7.T8によって欠陥検出信
号CHK4AおよびCHK4Bを一時的(二1L”レベ
ルにする。一方、第(9)図において、(1)の場合の
前段NORアレイ部の入力線と積項線の短絡欠陥試験は
GT2ゲートを遮断して行なうため、GT4ゲートの遮
断は不要であるが、(41の場合の第15図(−示した
積項線と出力線の短絡欠陥試験および(7)の場合の第
y図に示した積項線短絡欠陥試験のときはGT4ゲート
を遮断する必要がある。したがって、か\る遮断を行な
うために第9図(=示したD′回路において、第8図の
0回路と同様に、試験用クロックT1.T3.T4.T
5.T6又はT1.T3.T4゜T7.T8によって欠
陥構出信号CHK4AおよびCHK 4 Bを一時的に
”L”レベルにする。
以上、第29図、第30図の実施例では、A系およびB
系の各々の0回路又はD′回路の出力CHK4A、CH
K4Bを第33図1=示した積項線相互接続ゲート制御
回路(CG4回路)で論理積をとってGT4ゲートを制
御したが、別な実施例として第34図に示すように、C
G4回路を用いないでA系の0回路又はD′回路の出力
で直接制御する積項線相互接続ゲート(GT4Aゲート
)とB系の0回路又はD′回路の出力で直接制御する積
項線相互接続ゲート(GT4Bゲート)を各々設ける構
成でもよい。
系の各々の0回路又はD′回路の出力CHK4A、CH
K4Bを第33図1=示した積項線相互接続ゲート制御
回路(CG4回路)で論理積をとってGT4ゲートを制
御したが、別な実施例として第34図に示すように、C
G4回路を用いないでA系の0回路又はD′回路の出力
で直接制御する積項線相互接続ゲート(GT4Aゲート
)とB系の0回路又はD′回路の出力で直接制御する積
項線相互接続ゲート(GT4Bゲート)を各々設ける構
成でもよい。
後段アレイ部のプログラム素子欠落欠陥後段アレイ部の
プログラム素子の欠落欠陥は、後段アレイ部を2重化し
、かつ各々の後段プレイ部出力を論理和演算することに
よって救済される。
プログラム素子の欠落欠陥は、後段アレイ部を2重化し
、かつ各々の後段プレイ部出力を論理和演算することに
よって救済される。
(■)実施例の変形例の説明
以上の実施例(二おいては、第8図の0回路、第9図(
7)DI回路の出力信号CHK2で積項線自己接続用ゲ
ート(、GT2ゲート)を制御し、か\る出力は号CH
K4で積項線相互接続用ゲート(GT4ゲート)を制御
してき゛た。しかし、これらとは異なる本発明の実施例
を第35図〜第39図(−示す。
7)DI回路の出力信号CHK2で積項線自己接続用ゲ
ート(、GT2ゲート)を制御し、か\る出力は号CH
K4で積項線相互接続用ゲート(GT4ゲート)を制御
してき゛た。しかし、これらとは異なる本発明の実施例
を第35図〜第39図(−示す。
第35図と第36図は、第8図の0回路を試験によって
欠陥を検出してラッチし、その検出結果によってゲート
の遮断を制御する回路(DX回路)と、試験時に一時的
にゲートを遮断させる回路(DYM路)に分割した時の
各々の回路を示す。第37図、第38図は、第9図のD
′回路を試験結果によってゲートの遮断を制御する回路
(DX’回路)と、試験時にゲートを一時的に遮断させ
る回路(′DY′回路)(二分割した時の各々の回路を
示す。第39図は、各積項線上の積項線自己接続ゲート
としてDX回路又はDX’回路で制御するGT2Xゲー
トとDY回路又はDY’回路で制御するGT2Yゲート
と、A。
欠陥を検出してラッチし、その検出結果によってゲート
の遮断を制御する回路(DX回路)と、試験時に一時的
にゲートを遮断させる回路(DYM路)に分割した時の
各々の回路を示す。第37図、第38図は、第9図のD
′回路を試験結果によってゲートの遮断を制御する回路
(DX’回路)と、試験時にゲートを一時的に遮断させ
る回路(′DY′回路)(二分割した時の各々の回路を
示す。第39図は、各積項線上の積項線自己接続ゲート
としてDX回路又はDX’回路で制御するGT2Xゲー
トとDY回路又はDY’回路で制御するGT2Yゲート
と、A。
B2つの系の積項線を結合する線上の積項線相互接続ゲ
ートとして各基当りDX回路又はDX’回路で制御する
<1)T4XゲートとDY回路又はDY’回路で制御す
るGT4Yゲートよりなる。この実施例では複数のGT
2Yゲートおよび複数のGT4Yゲートを1つのDY回
路又はD Y’開回路一括して制御できる。
ートとして各基当りDX回路又はDX’回路で制御する
<1)T4XゲートとDY回路又はDY’回路で制御す
るGT4Yゲートよりなる。この実施例では複数のGT
2Yゲートおよび複数のGT4Yゲートを1つのDY回
路又はD Y’開回路一括して制御できる。
さら(1以上の実施例においては、第8図、第9図、第
35図、第37図に示した積項線レベル検出ラッチ回路
(0回路、D′回路、DX回路、D X’回路)を各積
項線対応に設けたが、レベル検出部2001 、 ’2
00z 、 200g 、 2001oを各積項線対応
(−設け、レベルラッチ回路部2011 、2012
、2019.2011oを複数の積項線に対して1個を
割りつけ、かかる複数の積項線中、1本以上の積項線(
二欠陥が存在するときは、か\る複数の積項線を一括し
て遮断する構成も可能である。同じ事は入力線レベル検
出ラッチ回路(C1回路、01′回路)、出力線レベル
検出ラッチ回路(二ついてもいえる。
35図、第37図に示した積項線レベル検出ラッチ回路
(0回路、D′回路、DX回路、D X’回路)を各積
項線対応に設けたが、レベル検出部2001 、 ’2
00z 、 200g 、 2001oを各積項線対応
(−設け、レベルラッチ回路部2011 、2012
、2019.2011oを複数の積項線に対して1個を
割りつけ、かかる複数の積項線中、1本以上の積項線(
二欠陥が存在するときは、か\る複数の積項線を一括し
て遮断する構成も可能である。同じ事は入力線レベル検
出ラッチ回路(C1回路、01′回路)、出力線レベル
検出ラッチ回路(二ついてもいえる。
また、以上の各実施例(二おけるレベルラッチ回路とし
てRSラッチ回路を示したが、特にリセット信号の不要
な非バランス形の4トランジスタ(うち2つのトランジ
スタは負荷);=よるフリップフロップ回路や、ROM
を用いてもよく、特にレベルラッチ回路の形式は限定し
ない。
てRSラッチ回路を示したが、特にリセット信号の不要
な非バランス形の4トランジスタ(うち2つのトランジ
スタは負荷);=よるフリップフロップ回路や、ROM
を用いてもよく、特にレベルラッチ回路の形式は限定し
ない。
また、以上の実施例において、試験用クロックT】〜T
8を供給する配線をA系とB系で一部共通化して示した
が、A系とB系を全く独立に設けてもよい。またA系、
B系を同時刻に試験せずに別々の時刻に試験を行なって
もよい。
8を供給する配線をA系とB系で一部共通化して示した
が、A系とB系を全く独立に設けてもよい。またA系、
B系を同時刻に試験せずに別々の時刻に試験を行なって
もよい。
次に、種々の欠陥を試験し、救済する本発明のP L
Aでは、PLAを実現する集積回路の構造上から、特に
発生しない欠陥、又は発生確率の低い欠陥に関しては、
以上の実施例で示した試験および欠陥救済回路部の一部
を省略することも可能である。例えばNORアレイ−N
ORアレイ構成において、積項線断線欠陥を考慮する必
要がない場合はRG低抵抗除去することが可能である。
Aでは、PLAを実現する集積回路の構造上から、特に
発生しない欠陥、又は発生確率の低い欠陥に関しては、
以上の実施例で示した試験および欠陥救済回路部の一部
を省略することも可能である。例えばNORアレイ−N
ORアレイ構成において、積項線断線欠陥を考慮する必
要がない場合はRG低抵抗除去することが可能である。
また、本発明の実施例のANDアレイ−ORアレイ構成
において、積項線負荷用抵抗(Rv低抵抗をPLA試験
と欠陥救済時およびPLA動作時にオンさせる積項線負
荷用トランジスタに代替えしてもよい。
において、積項線負荷用抵抗(Rv低抵抗をPLA試験
と欠陥救済時およびPLA動作時にオンさせる積項線負
荷用トランジスタに代替えしてもよい。
また、本発明の実施例で後段アレイ部のORアレイ構成
のプログラム素子は主としてダイオードを用いて示した
が第40図のようにnpnバイポーラトランジスタを用
い、エミッタホロア構成にしてもよい。
のプログラム素子は主としてダイオードを用いて示した
が第40図のようにnpnバイポーラトランジスタを用
い、エミッタホロア構成にしてもよい。
また12本発明の実施例において、入力回路部が1ビツ
トデコーダ又は2ビツトデコーダが複数個から構成され
る場合を示したが、2ビット以上のデコーダで構成して
もよい。この場合の入力線短絡欠陥および入力回路部の
出力スタック欠陥は実施例で示した2ビツトデコーダの
場合と同様な方法で試験および欠陥救済される。
トデコーダ又は2ビツトデコーダが複数個から構成され
る場合を示したが、2ビット以上のデコーダで構成して
もよい。この場合の入力線短絡欠陥および入力回路部の
出力スタック欠陥は実施例で示した2ビツトデコーダの
場合と同様な方法で試験および欠陥救済される。
また、以上の実施例では前段アレイ部−後段アレイ部の
論理構成として、ANDアレイ−ORアレイ構成、NO
Rアレイ−NORアレイ構成の2種類のアレイ構成を取
り上げ説明してきた。しかし、前段アレイ部には第41
図に示すように、前述した前段NORアレイ構成と積項
線の出力(二否定演算を施して構成したORアレイ構成
を用い、後段アレイ部には第42図に示すように、プロ
グラム素子としてダイオード等を適用したANDNOア
レイを用いた場合においても、前述の実施例で示したと
同様に試験および欠陥救済が可能である。
論理構成として、ANDアレイ−ORアレイ構成、NO
Rアレイ−NORアレイ構成の2種類のアレイ構成を取
り上げ説明してきた。しかし、前段アレイ部には第41
図に示すように、前述した前段NORアレイ構成と積項
線の出力(二否定演算を施して構成したORアレイ構成
を用い、後段アレイ部には第42図に示すように、プロ
グラム素子としてダイオード等を適用したANDNOア
レイを用いた場合においても、前述の実施例で示したと
同様に試験および欠陥救済が可能である。
次に、以上の本発明の実施例では、アレイ部の名称をす
べて正論理表現をとって記述した。しがし、”H″レベ
ルヲ論理値“0”に、“L”レベルヲ論理値“1″に対
応させた負論理を適用すると、前述のANDアレイ部で
行なわれる論理積演算は論理和演算になり、ORアレイ
部で行なわれる論理和演算は論理積演算、NORアレイ
部で行なわれるNOR,論理演算はNAND論理演算に
なる。例えば正論理で表現したNORアレイ−NOR,
アレイ構成では、nチャネルMOSトランジスタ等を用
い、かつ電源VDには正電源を用いて構成され、前段ア
レイ部の演算−後段アレイ部の演算はNOR論理演算−
NOR論理演算になる。か\る構成では前述した「入力
線、積項線、出力線を1L#レベルにディスチャージす
る」とは“H″レベル論理値”1″)=正電位を“L″
レベル論理値”0″)=零電位にすることである。が\
るアレイ構成において、nチャネルMO8)ランジスタ
等を用い、かつ電源VDには正電源を用いて負論理を適
用すると、かかる構成ではN A、 N D論理演算−
NAND論理演算が行なわれ、前述の実施例で示した「
入力線、積項線、出力線をL”レベルにディスチージす
る」、ことは、この負論理においても上記正論理と同様
に「″′L″レベルにディスチャージする」と考えれば
よいが、これは”H”レベル(論理値”0”)=正電位
を“L”レベル(論理値”1”)=零電位にすることを
意味する。一方、前述の正論理で表現したNORアレイ
−NORアレイ構成において、PチャもルMO8)ラン
ジスタを用い、かつ電源VDに負電源を用いて正論理を
適用すると、々AND論理演算−NAND論理演算が行
なわれる。この場合、前述の実施例で示した「入力線、
積項線、出力線を1L″ルベルにディスチャージする」
を「1H”レベルにディスチャージする」と置き換えて
考えればよく、これは“L”レベル(論理値”0″)=
負電位を゛H″レベル(論理値”1″)=零電位にする
ことを意味する。さらに、前述の正論理で表現したNO
Rアレイ−NORアレイ構成において、PチャネルMO
Sトランジスタを用い、がっ電源vDに負電源を用いて
負論理を適用すれば、NOR論理演算−NOR論理演算
が行なわれ、この場合も前述の実施例で示した「入力線
、積項線、出力線を”L″レベルディスチャージする」
は[′″H”レベルにディスチャージする」と置き換え
て考えればよく、これは1L#レベル(論理値”1’)
=負電位を“H”レベル(論理値“0#)=零電位にす
ることを意味する。このように、PチャネルMOSトラ
ンジスタを適用した場合は、前述の実施例で示した“H
″レベル“L#レベルに、”L”レベルヲ“I]″レベ
ルに置き換えて考えればよい。同じく、前述のANDア
レイ−ORアレイ構成の実施例において、各部の論理レ
ベルは電源VDに@H#レベルの電位を有する電源を用
いた場合のレベルとして説明した。しかし、電源VD+
’:、”レレベルの電位を有する電源(例えば負電源)
を用いた場合は、前述のANDアレイ−ORアレイ構゛
成の実施例;:おいて前段および後段のアレイ部のプロ
グラム素子の極性を反転して接続し、前述の実施例で示
した1[1”レベルヲ”L”レベルに、@L”レベルヲ
”H’レベルに置き換えて考えればよい。さらにORア
レイ−ANDNOアレイにおいても同様である。
べて正論理表現をとって記述した。しがし、”H″レベ
ルヲ論理値“0”に、“L”レベルヲ論理値“1″に対
応させた負論理を適用すると、前述のANDアレイ部で
行なわれる論理積演算は論理和演算になり、ORアレイ
部で行なわれる論理和演算は論理積演算、NORアレイ
部で行なわれるNOR,論理演算はNAND論理演算に
なる。例えば正論理で表現したNORアレイ−NOR,
アレイ構成では、nチャネルMOSトランジスタ等を用
い、かつ電源VDには正電源を用いて構成され、前段ア
レイ部の演算−後段アレイ部の演算はNOR論理演算−
NOR論理演算になる。か\る構成では前述した「入力
線、積項線、出力線を1L#レベルにディスチャージす
る」とは“H″レベル論理値”1″)=正電位を“L″
レベル論理値”0″)=零電位にすることである。が\
るアレイ構成において、nチャネルMO8)ランジスタ
等を用い、かつ電源VDには正電源を用いて負論理を適
用すると、かかる構成ではN A、 N D論理演算−
NAND論理演算が行なわれ、前述の実施例で示した「
入力線、積項線、出力線をL”レベルにディスチージす
る」、ことは、この負論理においても上記正論理と同様
に「″′L″レベルにディスチャージする」と考えれば
よいが、これは”H”レベル(論理値”0”)=正電位
を“L”レベル(論理値”1”)=零電位にすることを
意味する。一方、前述の正論理で表現したNORアレイ
−NORアレイ構成において、PチャもルMO8)ラン
ジスタを用い、かつ電源VDに負電源を用いて正論理を
適用すると、々AND論理演算−NAND論理演算が行
なわれる。この場合、前述の実施例で示した「入力線、
積項線、出力線を1L″ルベルにディスチャージする」
を「1H”レベルにディスチャージする」と置き換えて
考えればよく、これは“L”レベル(論理値”0″)=
負電位を゛H″レベル(論理値”1″)=零電位にする
ことを意味する。さらに、前述の正論理で表現したNO
Rアレイ−NORアレイ構成において、PチャネルMO
Sトランジスタを用い、がっ電源vDに負電源を用いて
負論理を適用すれば、NOR論理演算−NOR論理演算
が行なわれ、この場合も前述の実施例で示した「入力線
、積項線、出力線を”L″レベルディスチャージする」
は[′″H”レベルにディスチャージする」と置き換え
て考えればよく、これは1L#レベル(論理値”1’)
=負電位を“H”レベル(論理値“0#)=零電位にす
ることを意味する。このように、PチャネルMOSトラ
ンジスタを適用した場合は、前述の実施例で示した“H
″レベル“L#レベルに、”L”レベルヲ“I]″レベ
ルに置き換えて考えればよい。同じく、前述のANDア
レイ−ORアレイ構成の実施例において、各部の論理レ
ベルは電源VDに@H#レベルの電位を有する電源を用
いた場合のレベルとして説明した。しかし、電源VD+
’:、”レレベルの電位を有する電源(例えば負電源)
を用いた場合は、前述のANDアレイ−ORアレイ構゛
成の実施例;:おいて前段および後段のアレイ部のプロ
グラム素子の極性を反転して接続し、前述の実施例で示
した1[1”レベルヲ”L”レベルに、@L”レベルヲ
”H’レベルに置き換えて考えればよい。さらにORア
レイ−ANDNOアレイにおいても同様である。
(Vl) 効果の説明
以上説、明したように、本発明によれば、PLAの各部
に欠陥が存在した場合でも、5ないし8種の試験用クロ
ックを用いて5〜8クロツクの短い時間で欠陥を含む系
からの出力レベルをフェイルセイフ側に縮退させたり、
等測的に後段アレイ部のプログラム素子欠落状態にでき
、2重化された2つの系の出力をワイヤドOR論理演算
をとることによって正しい論理演算出力を得ることがで
きる。したがって、欠陥が他の良品部へ波及することを
防止したり、欠陥部の動作を停止させるなどの不活性化
方法や、欠陥部の機能を救済するための代替部への切替
方法などを全く意識せずに、正しい出力が得られるため
に、本発明のPLAでは、製造時の試験が容易(1短時
間で行なえ、かつ製造歩留りの著しい向上が期待され、
PLAの大規模化の実現が可能になるとともにPLAの
低価格化が期待できる。
に欠陥が存在した場合でも、5ないし8種の試験用クロ
ックを用いて5〜8クロツクの短い時間で欠陥を含む系
からの出力レベルをフェイルセイフ側に縮退させたり、
等測的に後段アレイ部のプログラム素子欠落状態にでき
、2重化された2つの系の出力をワイヤドOR論理演算
をとることによって正しい論理演算出力を得ることがで
きる。したがって、欠陥が他の良品部へ波及することを
防止したり、欠陥部の動作を停止させるなどの不活性化
方法や、欠陥部の機能を救済するための代替部への切替
方法などを全く意識せずに、正しい出力が得られるため
に、本発明のPLAでは、製造時の試験が容易(1短時
間で行なえ、かつ製造歩留りの著しい向上が期待され、
PLAの大規模化の実現が可能になるとともにPLAの
低価格化が期待できる。
第1図は従来のPLAの基本構成を示すブロック図、第
2図はANDアレイ−ORアレイ構成の具体的なPLA
の構成例を示す図、第3図はNORアレイ−NORアレ
イ構成の具体的なPLAの構成例を示す図、第4図は本
発明に従うPLAの実施例を示す図、第5図は本発明に
用いる試験用クロックのタイムチャートとこれらのクロ
ックが適用される欠陥の種類を示す図、第6図と第7図
は前段アレイ部のプログラム素子短絡欠陥および入力線
と積項線の短絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、
第8図と第9図は積項線レベル検出ラッチ回路の構成例
を示す図、第10図と第11図は後段アレイ部の出力線
短絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、第12図と
第13図は出力線レベル検出ラッチ回路の構成例を示す
図、第14図と第15図は後段アレイ部のプログラム素
子短絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥を試験し救
済する実施例を示す図、第16図と第17図は入力線の
短絡欠陥および入力回路部の出力スタック欠陥を試験し
救済する実施例を示す図、第18図と第19図は入力線
レベル検出ラッチ回路の構成例を示す図、第四図はトラ
イスティト形1ビットデコーダの構成例を示す図、第2
1図は入力線相互接続ゲート制御回路の構成例を示す図
、第n図は入力線の短絡欠陥および入力回路部の出力ス
タック欠陥を試験し救済する他の実施例を示す図、第n
図は2ビツトデコーダ使用のときの入力線レベル検出ラ
ッチ回路の構成例を示す図、第24図はトライスティト
形2ピットデコーダの構成例を示す図、第6図は入力線
相互接続ゲート制御回路の構成例を示す図、第が図は2
ビツトデコーダ使用のときの入力線レベル検出ラッチ回
路の他の構成例を示す図、第γ図と第四図は積項線の短
絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、第29図と第
1図はプログラム素子の欠落欠陥を試験し救済する実施
例を示す図、第31図と第32図は本発明による積項線
相互接続ゲートを用いない時の欠陥の他系への悪影響を
説明する図、第33図は積項線相互接続ゲート制御回路
の構成例を示す図、第34図はプログラム素子の欠落欠
陥を試験し救済する他の実施例を示す図、第35図乃至
第38図は積項線レベル検出ラッチ回路の他の実施例を
示す図、第39図はこれらの回路と積項線自己接続ゲー
ト、積項線相互邊続ゲートとの接続関係を示す図、第4
0図は後段アレイ部の他のORアレイ構成例を示す図、
第41図は0R−ANDアレイ構成における前段ORア
レイ部を示す図、第42図は同じ<0R−ANDアレイ
構成における後段ANDアレイ部を示す図である。 1+11t12・・・入力回路部、2+ 21 e 2
2・・・前段アレイ部、3+31+32’・・後段アレ
イ部、4・・・出を回路部、51* 52t 6t 7
1+ 72+ 8゜91.92・・・試験および欠陥救
済回路部、10.10i 。 10= 、 10i+1.10笛、10宜〜10コ、1
0=石。 〜1〇四 ・・・入力線、11 、11. 、112
、113゜11’1 、11’2・・・積項線、12
、12. 、122 、123゜12’l 、 12’
2・・・出力線、100 、1001 、1002・・
・積項線接地用抵抗、1011 、1012・・・出力
線接地用抵抗、102 、1021 、1022・・・
出力線負荷用トランジスタ、103・・・積項線負荷用
抵抗、104−・・積項線負荷用トランジスタ、200
1〜2006 、2009゜200 、、・・・レベル
検出部、2011〜2018・・・レベルラッチ回路部
、300・・・トライスティト形2ビットデコーダ、4
00・・・レベル検出NOR回路部、401・・・レベ
ル検出AND回路部、402・・・レベル検出OFL回
路部、403・・・ANDゲート、500 、501−
・・積項線相互接続ゲート、502・・・積項線短絡欠
陥個所。 代理人 弁理士 鈴 木 誠 第1!!I 第5図 s6図 第7図 s8図 第9図 第12図 第13図 eset CHに3′ (0「pトランジスタへ)(GT3ケー
トへ) 第18図 第19図 120図 n 第21図 く釦 ぐ □ り 第25 @ 第26■ 第27 @ す 第36m 第37!! 第38!I 1 第39■ −2 第40 II
2図はANDアレイ−ORアレイ構成の具体的なPLA
の構成例を示す図、第3図はNORアレイ−NORアレ
イ構成の具体的なPLAの構成例を示す図、第4図は本
発明に従うPLAの実施例を示す図、第5図は本発明に
用いる試験用クロックのタイムチャートとこれらのクロ
ックが適用される欠陥の種類を示す図、第6図と第7図
は前段アレイ部のプログラム素子短絡欠陥および入力線
と積項線の短絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、
第8図と第9図は積項線レベル検出ラッチ回路の構成例
を示す図、第10図と第11図は後段アレイ部の出力線
短絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、第12図と
第13図は出力線レベル検出ラッチ回路の構成例を示す
図、第14図と第15図は後段アレイ部のプログラム素
子短絡欠陥および積項線と出力線の短絡欠陥を試験し救
済する実施例を示す図、第16図と第17図は入力線の
短絡欠陥および入力回路部の出力スタック欠陥を試験し
救済する実施例を示す図、第18図と第19図は入力線
レベル検出ラッチ回路の構成例を示す図、第四図はトラ
イスティト形1ビットデコーダの構成例を示す図、第2
1図は入力線相互接続ゲート制御回路の構成例を示す図
、第n図は入力線の短絡欠陥および入力回路部の出力ス
タック欠陥を試験し救済する他の実施例を示す図、第n
図は2ビツトデコーダ使用のときの入力線レベル検出ラ
ッチ回路の構成例を示す図、第24図はトライスティト
形2ピットデコーダの構成例を示す図、第6図は入力線
相互接続ゲート制御回路の構成例を示す図、第が図は2
ビツトデコーダ使用のときの入力線レベル検出ラッチ回
路の他の構成例を示す図、第γ図と第四図は積項線の短
絡欠陥を試験し救済する実施例を示す図、第29図と第
1図はプログラム素子の欠落欠陥を試験し救済する実施
例を示す図、第31図と第32図は本発明による積項線
相互接続ゲートを用いない時の欠陥の他系への悪影響を
説明する図、第33図は積項線相互接続ゲート制御回路
の構成例を示す図、第34図はプログラム素子の欠落欠
陥を試験し救済する他の実施例を示す図、第35図乃至
第38図は積項線レベル検出ラッチ回路の他の実施例を
示す図、第39図はこれらの回路と積項線自己接続ゲー
ト、積項線相互邊続ゲートとの接続関係を示す図、第4
0図は後段アレイ部の他のORアレイ構成例を示す図、
第41図は0R−ANDアレイ構成における前段ORア
レイ部を示す図、第42図は同じ<0R−ANDアレイ
構成における後段ANDアレイ部を示す図である。 1+11t12・・・入力回路部、2+ 21 e 2
2・・・前段アレイ部、3+31+32’・・後段アレ
イ部、4・・・出を回路部、51* 52t 6t 7
1+ 72+ 8゜91.92・・・試験および欠陥救
済回路部、10.10i 。 10= 、 10i+1.10笛、10宜〜10コ、1
0=石。 〜1〇四 ・・・入力線、11 、11. 、112
、113゜11’1 、11’2・・・積項線、12
、12. 、122 、123゜12’l 、 12’
2・・・出力線、100 、1001 、1002・・
・積項線接地用抵抗、1011 、1012・・・出力
線接地用抵抗、102 、1021 、1022・・・
出力線負荷用トランジスタ、103・・・積項線負荷用
抵抗、104−・・積項線負荷用トランジスタ、200
1〜2006 、2009゜200 、、・・・レベル
検出部、2011〜2018・・・レベルラッチ回路部
、300・・・トライスティト形2ビットデコーダ、4
00・・・レベル検出NOR回路部、401・・・レベ
ル検出AND回路部、402・・・レベル検出OFL回
路部、403・・・ANDゲート、500 、501−
・・積項線相互接続ゲート、502・・・積項線短絡欠
陥個所。 代理人 弁理士 鈴 木 誠 第1!!I 第5図 s6図 第7図 s8図 第9図 第12図 第13図 eset CHに3′ (0「pトランジスタへ)(GT3ケー
トへ) 第18図 第19図 120図 n 第21図 く釦 ぐ □ り 第25 @ 第26■ 第27 @ す 第36m 第37!! 第38!I 1 第39■ −2 第40 II
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数入力をデコードする複数個のデコーダよりなる
入力回路部と該入力回路部の出力を次段に伝える複数の
入力線と該入力線上の論理レベルに対して第1の論理演
算を行なう前段アレイ部と該前段アンイ部の演算結果を
次段に伝える複数の積項線と該複数の積項線上の演算結
果を入力して第2の論理演算を行ない複数の出力線に演
算結果を出力する後段アレイ部との各々を2重化し、該
2重化した各々の後段アレイ部からの出力線を直接接続
すると共に、該各部(二おける欠陥の有無を試験および
救済する回路として、入力線に対しては入力線チャージ
アップもしくはディスチャージ用トランジスタ、入力線
レベル検出ラッチ回路、入力線レベル設定用トランジス
タ、入力線相互接続ゲート、入力線相互接続ゲート制御
回路、積項線C二対しては積項線チャージアップ用トラ
ンジスタ、積項線ディスチャージ用トランジスタ、積項
線レベル検出ラッチ回路、積項線レベル設定用トランジ
スタ、積項線相互接続ゲート、積項線自己接続ゲート、
積項線接地用抵抗、出力線に対しては出力線チャージア
ップもしくはディスチャージ用トランジスタ、出力線レ
ベル検出ラッチ回路、出力線レベル設定用トランジスタ
、出力線自己接続ゲートのすべて又は一部をそなえるこ
とを特徴とする論理アレイ装置。 2 前記前段アレイ部で行なう第1の論理演算は論理積
又は論理和演算であり、前記後段アレイ部で行なう第2
の論理演算は論理和又は論理積演算であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の論理アレイ装置。 3、前記前段アレイ部で行Tう第1の論理演算はNOR
又はNAND演算であり、前記後段アレイ部で行なう第
2の論理演算もNOR又はNAND演算であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の論理アレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP242782A JPS58119233A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 論理アレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP242782A JPS58119233A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 論理アレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58119233A true JPS58119233A (ja) | 1983-07-15 |
JPH0224054B2 JPH0224054B2 (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=11528952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP242782A Granted JPS58119233A (ja) | 1982-01-11 | 1982-01-11 | 論理アレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58119233A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3316135A1 (en) | 2016-10-26 | 2018-05-02 | Hitachi, Ltd. | Control system |
-
1982
- 1982-01-11 JP JP242782A patent/JPS58119233A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3316135A1 (en) | 2016-10-26 | 2018-05-02 | Hitachi, Ltd. | Control system |
US10313095B2 (en) | 2016-10-26 | 2019-06-04 | Hitachi, Ltd. | Control system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0224054B2 (ja) | 1990-05-28 |
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