JPS58113801A - ひずみ測定方法およびひずみ測定装置 - Google Patents

ひずみ測定方法およびひずみ測定装置

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JPS58113801A
JPS58113801A JP21394981A JP21394981A JPS58113801A JP S58113801 A JPS58113801 A JP S58113801A JP 21394981 A JP21394981 A JP 21394981A JP 21394981 A JP21394981 A JP 21394981A JP S58113801 A JPS58113801 A JP S58113801A
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JP
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carrier wave
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strain measuring
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JP21394981A
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Shinji Kubodera
久保寺 真司
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KYOWA DENGIYOU KK
Kyowa Electronic Instruments Co Ltd
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KYOWA DENGIYOU KK
Kyowa Electronic Instruments Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
    • G01B7/18Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 た複数箇所においてひずみを測定する方法およびそれに
用いるひずみ測定装置に関する。
従来、ひずみの測定には、ひずみゲージによるホイルト
ストンブリッジを検出部とするひずみ測定器が用いられ
ている。そしてひずみ測定器にはホイートストンブリッ
ジへ直流電圧を印加する直流電源方式のものと、交流電
圧を印加する交流電源方式のものとがある。直流電源方
式のものはホイートストンブリッジに印加する電圧を高
くすれば、比較的測定精度を高くでき、測定精度の温度
依存性を低くできるという長所を有している。しかし、
零点の安定度、SN比、耐ノイズ性の点で用いられてい
る。交流電源方式のものには、容量成分等による不平衡
成分がひずみゲージブリッジに発生し、特に、搬送波周
波数が高い場合この現象が著しくなりそのため高精度の
測定が難しいという問題があった。そして、この容量不
平衡成分を補償するための工夫が種々なされているが特
に搬送波周波数が高い場合には、完全に補償をすること
ができなかった。
ところが、被測定対象の中には低速の変化現象もあれば
極めて変化の早い動的現象もあり、しかも、同一の被測
定対象中に併存する場合が多く、これらの現象を異なる
周波数応答特性を有する複数のひずみ測定器を用いて同
時に計測する必要性がある。この場合、比較的低速の動
的現象は、従来多用されている5 K I−■zの搬送
波周波数をもつブリッジ電源を備えたひずみ測定器を用
いればよいが、より高応答性を得るためには、更に高い
搬送波周波数を用いなければならない。ところが、比較
的近接した複数箇所において異なる搬送波周波数をもつ
ひずみ測定器でひずみを測定すると、複数のひずみ測定
器間に干渉が生じ、ひずみゲージブリッジの出力にビー
トが生ずるという問題がある。
この問題に加えて、搬送波周波数を上げることに伴ない
前述したように容量成分による不平衡成分がひずみゲー
ジブリッジに発生し、この不平衡成分の補償も完全にな
し得ないという問題があり、上記する要請に応じ得るひ
ずみ測定器を得ることができなかった。
すなわち、この問題を第1図に示すひずみ測定ブリッジ
に基づいて説明する。
ブリッジ抵抗Rは平衡しており、ブリッジMBの一辺に
浮遊容量cが存在する場合を考える。この場合、正弦波
搬送波のブリッジ電源(電圧)をEとして出力電圧cO
UTを求めれば eOUT−一月(2”3ゝ+J101−)・・・・・・
(1)24+ω’O’R+’    4+ぴC2几2(
但しωは角周波数) が得られる。
従来正弦波搬送波方式のひずみ測定器にあっては、上記
浮遊容量Cの影響を電気的に除去するため(1)式にお
ける虚数項を打消し、出力にあられれないようにする回
路方式をとっていたが上記(1)式の実数環一旦−己一
圧一 24+、、、’o2□2成分が出力にあられれてしまう
ものであった。
そこで、本特許出願人は先にこの後者の問題に対処した
ものとして次のような構成のひずみ測定器を提案した。
(昭和56年特許願第174505号)。
すなわち、正弦波搬送波方式のひずみ測定器において、
検出部ブリッジの出力側に該検出部ブリッジの容量変化
分に対応する出力成分を抽出する回路と、この回路の出
力振幅でブリッジ電源から5− 得た電圧を制御しコンデンサを介して前記検出部ブリッ
ジに帰還する回路とを設け、前記検出部ブリッジに容量
Cが混入したとき ”2 E c、  (coは前記コンデンサの容量、E
はブリッジ電源電圧)なる電圧を前記コンデンサに与え
る構成とすることにより、検出部ブリッジに容量不平衡
分が発生してもそれを完全に打消し得るようにしたもの
である。
このようなひずみ測定器について、第2図〜第4図に基
づいて説明する。
第2図において、MBは検出部ブリッジ、1は検出部ブ
リッジMBから出力された信号に所要の増幅を施す交流
増幅回路、2は交流増幅回路1の出力から検出部ブリッ
ジMBに印加されるブリッジ電源搬送波と同相あるいは
逆相の(1)式の実数項に対応する成分を検波抽出する
実数項検波回路、3は交流増幅回路1の出力から搬送波
と90° あるいは270°の位相差を有する(1)式
の虚数項に対応する成分を検波抽出する虚数項検波回路
、4゜5は搬送波成分を除去するローパスフィルタ、6
6− はローパスフィルタ5を介して与えられた虚数項成分の
振幅で後段を制御する振幅制御回路、9は振幅制御回路
6の出力によりブリッジ電源Eがら得た電圧を制御し一
2EC5なる電圧を出力する打消回路、C0はCoなる
容量を有し、且つ打消し回路9と検出部ブリッジMBと
の間に介挿されたコンデンサである。この場合ブリッジ
電源E(電圧もE)はそれぞれ%Eなる電圧の一対の電
源Ea。
E l)で構成されているものとし、検出部ブリッジM
Bはこの場合もRなる抵抗とCなる浮遊容量で構成され
ているとする。
このような構成において、検出部ブリッジMBから(1
)式であられされる信号(eOUT)が出力される。こ
の信号が交流増幅回路1で増幅され実数項検波回路2と
虚数項検波回路3に与えられてそれぞれ実数項成分と虚
数項成分が抽出されローパスフィルタ4と5で搬送波成
分が除去される。実数項検波回路2の出力はローパスフ
ィルタ4を介してそのit出力端子OUT  に導出さ
れる。一方虚数項検波回路3の出力はローパスフィルタ
5を介して振幅制御回路6に与えられ打消し回路9を制
御する。打消し回路9はブリッジ電源 Eの出力を振幅
制御回路6の出力に比例した振幅としてコンデンサαを
介して検出部ブリッジMBの出力端の一方に注入する。
ここで、検出部ブリッジMBと打消し回路9の出力との
関係を第3図に示す等価回路を参照して説明する。
打消し回路9の出力電圧をeとすれば、打消し回路9は
eなる電源としてあられされ、この等価回路の出力e。
UT を求めると次式のようになる。
+1.+LCR)”’ (1++?%R)’)Ico”
−1+(Ql)” ” ’+(RB−□、  2ωCR
’ (n。。(]、+((=lC]1)” loc。 1+
((CR)’ e〕〔石ゴテ条子Tロζ−■五作株か一
色分〕十・〔上野・−了ポ廊〕−〔口恭宕’ (rJ3
6−ぽば靜一様〕〔函チ嶺iE+世錨丁J  ・・・・
・(2)ここでe。UTの虚数項を0にするeの条件を
求めると、 e−−7E丁 °°°”°(31 が得られる。これを実数項に代入すると実数項も0とな
る。
つまり、検出部ブリッジMBに不平衡浮遊容量Cが入っ
たとき打消し回路9の出力電圧eが−2ECo−となる
ように振幅制御回路6および打消し回路9を作動させれ
ば出力には容量不平衡分の影響が皆無となり不平衡分の
完全に除去されたひずみ出力を得ることが可能となる。
この回路は第2図かられかるように帰還を施して常に容
量分のバランスをとっているので検出部ブリッジMBに
どのような容量分が混入しても出力にはあられれない。
これは(1)式におけるR、0゜ωの各位がどのような
値をとるかにかかわらず成 9− 立する。
従って、従来の虚数項成分のみ打消す方式と本方式とを
理論値において比較すると、R,:120Ω。
C: 2000PF、ω=2πf (f=5KHz )
 、ブリッジ電圧:2Vrms、ゲージ率=2とした場
合、ひずみ値εは従来方式では約1.4.2X]、 0
’−’  ひずみであるのに対し本方式ではOひすみで
あり、周波数f=10KHzとすると、従来方式では約
56.8X]、O’ひずみであり、本方式では0ひすみ
である。
搬送波を使用したひずみ測定の分野では数百マイクロひ
ずみを測定することが多いため従来方式のように数十マ
イクロひずみの誤差が発生することは測定に支障がある
。これに対し本方式によれば更に測定精度を向上させる
ことが可能である。
従って、この方式によれば、理論的にはブリッジMBの
抵抗値R1周波数(ω)等の値に関係なく容量バランス
をとることが可能であるため、ブリッジ電源Eの搬送波
周波数を高くとることが可能となり応答性を向上するこ
とが可能となる。また不平衡容量変化の影響が出力にあ
られれないので安10− 走度も向上する。
第4図に上記方式に基づく、さらに具体的な構成の一例
を示す。
この場合、振幅制御回路6はローパスフィルタ5から得
られた信号に応じて発光ダイオードLEDを駆動する回
路であり、打消し回路9は抵抗R6と発光ダイオードL
ED からの入射光により抵抗値が変化する例えば、C
dS  セル等のような受光素子Rvとの直列回路の両
端をブリッジ電源Eに接続し、前記直列回路の接続点か
らとり出した信号を増幅器Aを介してコンデンサC8に
与えるものである。
この場合、発光ダイオードLED  の光量により受光
素子Rvの抵抗値が変化し、ブリッジ電源Eの出力電圧
が発光ダイオードLED の光量に応じて制御されコン
デンサOoに与えられる。このとき、帰還ループのルー
プ利得が充分であればコンデンサC0には一上E−!l
l−なる電圧が印加されるように動2  C8 作する。
このようにして検出部ブリッジに容量不平衡成分が発生
してもそれを完全に打消し得るひずみ測定器が得られる
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、比較
的近接した複数箇所において異なる搬送波周波数をもつ
複数のひずみ測定器によって同時にひずみ測定をする場
合に生じ易いひずみ測定器間の干渉を回避し高精度なひ
ずみ測定が可能なひずみ測定方法およびひずみ測定装置
を提供することを目的としている。
以下本発明の実施例につき図面および図面に代る写真に
基づき詳述する。
第5図は、本発明方法に使用するひずみ測定装置の概要
図である。図において、10は被測定対象物である。1
1. 、12および13はそれぞれ被測定対象物上に接
着等の手段によって比較的近接した箇所に添着されたひ
ずみゲージブリッジである。14゜15および16はそ
れぞれ5 KH2、12KH2および28 K I(z
の周波数の搬送波を発生する搬送波発振回路(図示せず
)を備えると共に、第2図および第4図に示すような、
交流増幅回路1.実数項検波回路2.虚数項検波回路3
.ローパスフィルタ4゜5、増幅制御回路6.打消し回
路9などを備えてなり、前記ひずみゲージブリッジに印
加された搬送波に重畳されたひずみ出力信号を検知する
と共に、ひずみゲージブリッジに発生する容量成分によ
る不平衡成分を自動的に打消すように構成されたひずみ
測定器である。18 、19および加は、ひずみゲージ
ブリッジ1.1 、12および13とひずみ測定器14
 、15 、16をそれぞれ接続するケーブルである。
しかして、このような異なる発振周波数を発生させる搬
送波発振回路を備えた各種のひずみ測定器14 、15
 、1.6からなるひずみ測定装置17により、比較的
近接した複数の箇所(ここでは3箇所)にてひずみを測
定した場合の実験結果を、図面に代る写真を参照しなが
ら、上記実施例の作用につき説明する。
第6図〜第8図は、ひずみ測定器14 、15 、16
の搬送波発振回路の発振周波数をそれぞれ、5KH7゜
12KHz、28KHzに設定して、それぞれ単独にひ
ずみゲージブリッジに印加しその出力信号を検波し=1
3− キャリアーフィルタを通した残留波形をブラウン管オツ
シログラフに入力して得たオツシロ波形の写真を示す。
(なお、このオツシロ波形写真中の縦軸は50mv/d
iv、  横軸は5 yrbsety’ d I vに
合わせである。) 第9図〜第11図は、2種のひずみ測定器から同時にひ
ずみゲージブリッジにそれぞれ異なる周波数の搬送波を
与えた場合の同様の出力波形を示す。
すなわち、第9図は5KHz(上方の波形)と12KH
2(下方の波形)、第10図は5KHzと28KHz 
第11図は12KHzと28KHzの搬送波を、それぞ
れ同時にひずみゲージブリッジに与えた場合のオツシロ
波形写真である。これらの第9図〜第11図に示される
写真と第6図〜第8図に示される写真とを対比してみる
に、振幅も波形もほぼ同じであり、これら2種の搬送波
を同時にひずみゲージブリッジに与えて測定してもそれ
ぞれのひずみ測定器には干渉が生じないことを示してい
る。
次に、5 KHz 、12KHzおよび28 K Hz
の3種の搬送波を同時に与えた場合の同様のオツシロ波
形の写真を第12図にて示す。この場合も3つの出力波
形は何ら干渉していないことが判る。
そこで次に、これらの周波数5KHz、1.2KH2お
よび28 K HZを基準として、これらの周波数が相
互に干渉してもひずみ測定装置として所定の測定精度を
維持できると考えられる限界値を究明したところ、各ひ
ずみ測定器14 、15 、16の搬送波発振回路の発
振周波数をそれぞれ 5 KI(Z ±4 % 12KI−IZ±4% 2BKH2±4% に設定した場合に、良好な結果が得られることが判明し
た。
これを実証するためのオツシロ波形写真を第13図〜第
18図に示す。
すなわち、第13図は上から順に4.8 KH2(5K
Hzより4%低い周波数)、12KHz、28KHzの
発振周波数に設定した場合のオツシロ波形の写真を示1
.、以下同様に、第14図は上から順に5..2I()
(Z (5KH2より4%高い周波数)、1.2KHz
 、28KHz 、第15図は上カラ順に5 KHz 
、 11.52KHz (12r(Hzより4%低い周
波数) 、28KHz、第16図は上から順に5 KH
z 、 12.48 KHz (12KHzより4%高
い周波数)28 K I−T Z第17図は上から順に
、5 KHz 、12KI−(z 。
26.88 KH2(28KH2よシ4係低い周波数)
、第18図は上から順に5 KHz 、 12.I(H
2,29,12KH2(28KI(Zより4%高い周波
数)の発振周波数にそれぞれ設定した場合のオツシロ波
形写真を示すものである。
これら第13図〜第18図のオツシロ波形写真に見られ
るように、いずれも各ひずみ測定器相互間である程度干
渉°が生じているが、振幅の増大、ビートの発生は概ね
、許容限界内にあるとみることができる。
これに対し、第19図および第20図に示すオツシロ波
形に見られるように、上記した発振周波数の設定範囲を
外れると、著しい干渉が生ずる。すなわち、第19図は
、12KHz 、 25 K Hzの2種の発振周波数
を力えた場合、第20図は、1.2KHz 、31 K
Hzの2種の発振周波数を与えた場合のそれぞれオツシ
ロ波形を示す写真であるが、2S K HZ±4%の範
囲を下まわる周波数を与えた場合には28KHzの波形
が大きく影響を受け、28KH2,±4%の範囲を上ま
わる周波数を与えた場合には12KH2の波形が大きく
影響を受けることを示している。
以上説明したように第1の発明によれば、ひずみゲージ
ブリッジに印加する搬送波を発生する搬送波発振回路と
、前記ひずみゲージブリッジに印加された搬送波に重畳
された信号を検知する検知回路と、少なくとも前記ひず
みゲージブリッジに発生するところの容量成分による不
平衡成分を自動的に打消す補償回路とを備えたひずみ測
定器によって比較的近接した複数の箇所にてひずみを測
定する方法において、搬送波発振回路の発振周波数が互
いに干渉しないような異なる値に設定された複数種のひ
ずみ測定器により複数箇所におけるひずみを同時に測定
するようにしたので、従来の方法では不可能であった被
測定対象の複雑な動的現象のより高精度な測定、解析が
可能となる。
特に各種のひずみ測定器の搬送波発振回路の発振周波数
をそれぞれS KH7±4%、12KHz±4%。
17− 28 K Hz±4%に設定した場合には、各ひずみ測
定器が相互に干渉を起こさず、特に多用されている5K
H2の搬送波周波数をもつひずみ測定器を流用し、別途
12KHz±4%、28KHz±4%の搬送波周波数を
もつひずみ測定器を準備1〜、これらを組合わせて使用
すればよいので、本発明のひずみ測定方法の実施におい
て好都合である。
また本発明の第2の発明によれば、ひずみゲージブリッ
ジに印加する搬送波を発生する搬送波発振回路と、ひず
みゲージブリッジに印加された搬送波に重畳された信号
を検知する検知回路と、少なくとも前記ひずみゲージブ
リッジに発生する容量成分による不平衡成分を自動的に
打消す補償回路とを備え且つ搬送波発振回路の発振周波
数が互いに干渉しないような異なる値に設定されたひず
み測定器をもってひずみ測定装置を構成したので、前述
のひずみ測定方法の発明の実施に直接使用し得るひずみ
測定装置を提供することができる。
なお、上述したところでは、S KHz±4係。
12Kl−1z±4%、2SKHz±4%の搬送波をひ
ずみゲー18− ジブリッジに同時に印加してひずみ測定をする例を説明
したが、2種の搬送波(例えばS KH7±4%と12
 K Hz±4%、5KH2:I:4% と28 K 
HZ±4%。
12KT−Jz±4%と28KHz±4%)を同時((
ひすみゲージブリッジに印加した場合でも、ひずみ測定
器相互間での干渉を回避し得ることはいう捷でもない。
【図面の簡単な説明】
第1図はひずみゲージブリッジにおける容量不平衡分を
説明するための図、第2図は本発明に適用されるひずみ
測定器の一実施例の構成を示すブロック図、第3図は、
同実施例を説明するための図、第4図は同実施例の更に
具体的な構成の例を示すブロック図、第5図は本発明に
使用するひずみ測定装置の概要図、第6図〜第20図は
、本発明の詳細な説明するためのオツシロ波形の図面に
代る写真であり、ひずみ測定器からひずみゲージブリッ
ジにある周波数の搬送波を印加し、その出力信号を検波
しキャリアーフィルタを通した残留波形をブラウン管オ
ツシログラフに人力して得たオツシロ波形の写真である
。 1・・・・・交流増幅回路、  2・・・・・・実数項
検波回路、3・・・・・・虚数項検波回路、  4 、
5  、、、 、、、ローパスフィルタ、  6・・・
・・・増幅制御回路、9・・・・・・打消し回路、  
co・・・・・・コンデンサ、MT3・・・・・・検出
部ブリッジ、 E・・・・・ブリッジ電源、10・・・
・被測定対象物、 11〜J3・・・・・・ひずみゲー
ジブリッジ、 14〜16・・・・・・ひずみ測定器、
18〜20・・・・・・ケーブル、 第   3  図 第  4  図 特開昭58−iI3801(7) 第  5   図 、−も 、」鴨 第  6   図 第   7  図 第  8   図 第  9   図 第■O図 第1I  図 ゛ ・ シ゛9. ・、′  ・    °゛°゛°゛
′・第12  図 第13  図 第  14  図 第  15  図 第16  図 第  百7  図 第18図 第20  図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  ひずみゲージブリッジに印加する搬送波を発
    生する搬送波発振回路と、前記ひずみゲージブリッジに
    印加された搬送波に重畳された信号を検知する検知回路
    と、少なくとも前記ひずみゲジブリッジに発生するとこ
    ろの容量成分による不平衡成分を自動的に打消す補償回
    路とを備えたひずみ測定器によって比較的近接した複数
    の箇所にてひずみを測定する方法において、搬送波発振
    回路の発振周波数が互いに干渉しないような異なる値に
    設定された複数種のひずみ測定器によシ複数箇所におけ
    るひずみを同時に測定することを特徴とするひずみ測定
    方法。
  2. (2)  各種のひずみ測定器の搬送波発掘回路の発振
    周波数をそれぞれ5KH2±4%、12KHz±4%。 2S K HZ±4%に設定してなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載のひずみ測定方法。
  3. (3)  ひずみゲージブリッジに印加する搬送波を発
    生する搬送波発振回路と、ひずみゲージブリッジに印加
    された搬送波に重畳された信号を検知する検知回路と、
    少なくとも前記ひずみゲージブリッジに発生する容量成
    分による不平衡成分を自動的に打消す補償回路とを備え
    且つ搬送波発振回路の発振周波数が互いに干渉しないよ
    うな異なる値に設定された三種のひずみ測定器からなる
    ことを特徴とするひずみ測定装置。
  4. (4)各種ひずみ測定器の搬送波発振器の発振周波数が
    それぞれS KH2上4%、 12 KI−T Z ±
    4%。 2B K HZ±4%に設定されてなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第3項記載のひずみ測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009516160A (ja) * 2005-11-09 2009-04-16 エス.エヌ.エール.ルールマン 少なくとも3つのひずみゲージを備える変形センサベアリング
JP2010266408A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Kyowa Electron Instr Co Ltd 搬送波型ひずみ測定装置

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