JPS58111389A - 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
受光素子付レ−ザ−ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS58111389A JPS58111389A JP56209447A JP20944781A JPS58111389A JP S58111389 A JPS58111389 A JP S58111389A JP 56209447 A JP56209447 A JP 56209447A JP 20944781 A JP20944781 A JP 20944781A JP S58111389 A JPS58111389 A JP S58111389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- receiving element
- light
- electrodes
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光素子付レーザーダイオードに関する。
レーザー光の強度を受光素子(フォトダイオード)で検
出するレーザーダイオードは、鎮11HC示すような構
造となっている。すなわち、熱伝導性の曳好な金属から
なるフランジ1の上1iKは熱伝導性の良好な金属から
なるステム2が働設されている。このステム2の上端−
儒にはナプマウント3を介してレーザーダイオード素子
4が固定されている。レーザーダイオード素子4は上下
端ぼからそれぞれ上下方向にレーザー光5を出射する。
出するレーザーダイオードは、鎮11HC示すような構
造となっている。すなわち、熱伝導性の曳好な金属から
なるフランジ1の上1iKは熱伝導性の良好な金属から
なるステム2が働設されている。このステム2の上端−
儒にはナプマウント3を介してレーザーダイオード素子
4が固定されている。レーザーダイオード素子4は上下
端ぼからそれぞれ上下方向にレーザー光5を出射する。
下方に進むレーザー光6が到達するフランジ1部分には
フォトダイオード素子(受光素子)6が固定されていて
、レーザー光5の光強度をモニタするよう和なっている
。また、7ランジ1には2本のリード7.8が絶縁体を
介して貫通固定されている。これら2本のリード7.8
の上端には別々にレーダーダイオード素子4および受光
素子6の一方の電@に接続されるワイヤ9.10の一端
が接続されている。また、レーザーダイオード素子4お
よび受光素子6の他の電極はフランジ1と導通している
。この結果、この受光素子付レーザーダイオードはfl
N28に示すように3つの外部端子を有する回路を構成
する。なお、図中4はレーザーダイオード素子、6は受
光素子である。各らK。
フォトダイオード素子(受光素子)6が固定されていて
、レーザー光5の光強度をモニタするよう和なっている
。また、7ランジ1には2本のリード7.8が絶縁体を
介して貫通固定されている。これら2本のリード7.8
の上端には別々にレーダーダイオード素子4および受光
素子6の一方の電@に接続されるワイヤ9.10の一端
が接続されている。また、レーザーダイオード素子4お
よび受光素子6の他の電極はフランジ1と導通している
。この結果、この受光素子付レーザーダイオードはfl
N28に示すように3つの外部端子を有する回路を構成
する。なお、図中4はレーザーダイオード素子、6は受
光素子である。各らK。
この受光素子付レーザーダイオードはフランジ1上に金
属製のキャップ11を被せて各素子を被い、S接によっ
てフランジ1eC1m定されてパッケージ12を構成し
ている。なお、キャップ11の天井部にはガラス4[1
3が堆り付けられてレーザー光5を出射する窓14を形
作っている。
属製のキャップ11を被せて各素子を被い、S接によっ
てフランジ1eC1m定されてパッケージ12を構成し
ている。なお、キャップ11の天井部にはガラス4[1
3が堆り付けられてレーザー光5を出射する窓14を形
作っている。
ところで、このような受光素子付レーザーダイオードを
自動利得制御回路に組み込む場合、受光素子6の一電極
がアースに直接落ちているため、第3図に示すように、
OPアンプを使用する際、回路の初段にアンプ15.抵
抗16.17からなる電流−電圧変換回路を必要とした
り、あるいは単極性電源のOPアンプを使用する際、第
4図で釆すように、2個のツェナーダイオード111.
19を直列にして共通外部端子の電位を一定値にする必
要があるため、WA路膜設計上不便来たす。また、後者
のツェナーダイオードを用いる場合では、ツェナーダイ
オードは電圧が一定せず電位が変動する難点もある。
自動利得制御回路に組み込む場合、受光素子6の一電極
がアースに直接落ちているため、第3図に示すように、
OPアンプを使用する際、回路の初段にアンプ15.抵
抗16.17からなる電流−電圧変換回路を必要とした
り、あるいは単極性電源のOPアンプを使用する際、第
4図で釆すように、2個のツェナーダイオード111.
19を直列にして共通外部端子の電位を一定値にする必
要があるため、WA路膜設計上不便来たす。また、後者
のツェナーダイオードを用いる場合では、ツェナーダイ
オードは電圧が一定せず電位が変動する難点もある。
したがって、本発明の目的は回路設計が容易な受光素子
付レーザーダイオードを提供するととKある。
付レーザーダイオードを提供するととKある。
このような目的を達成するために本発明は、レーザー光
をモ二りする受光素子を有するレーザーダイオードにお
いて、レーザーダイオード素子の2電極および受光素子
の2電極をリードとパッケージまたはリードを用いて独
立した4つの外部端子として引き出すものであって、以
下実施例により本発明を説明する。
をモ二りする受光素子を有するレーザーダイオードにお
いて、レーザーダイオード素子の2電極および受光素子
の2電極をリードとパッケージまたはリードを用いて独
立した4つの外部端子として引き出すものであって、以
下実施例により本発明を説明する。
第5図は本発明の一実施例による受光素子付レーザーダ
イオードの断面図、第6図は同じく受光素子付レーザー
ダイオードに抵抗を取り付けた状態での回路図、第7図
は同じく受光素子の断面図である。第5図で示すように
1この受光素子付レーザーダイオードは、熱伝導性の良
好な金属からなるフランジ1の上面に熱伝導性の良好な
金属からなるステム2を垂設している。このステム2の
上端−側にはサブマウント3を介してレーザーダイオー
ド素子4が固定されている。レーザーダイオード素子4
は上下端面から上下方向にレーザー光5を出射する。下
方に進むレーザー光5が到達するフランジ1部与にはフ
ォトダイオード素子(受光素子)6が固定されていて、
レーザー光5の光強度をモニタするようkなっている。
イオードの断面図、第6図は同じく受光素子付レーザー
ダイオードに抵抗を取り付けた状態での回路図、第7図
は同じく受光素子の断面図である。第5図で示すように
1この受光素子付レーザーダイオードは、熱伝導性の良
好な金属からなるフランジ1の上面に熱伝導性の良好な
金属からなるステム2を垂設している。このステム2の
上端−側にはサブマウント3を介してレーザーダイオー
ド素子4が固定されている。レーザーダイオード素子4
は上下端面から上下方向にレーザー光5を出射する。下
方に進むレーザー光5が到達するフランジ1部与にはフ
ォトダイオード素子(受光素子)6が固定されていて、
レーザー光5の光強度をモニタするようkなっている。
この受光素子6は第7図に示すように、 N導電型領域
20の表面中央部に真性領域(1層)21を設け、さら
にこの真性領域21の表面中央部VcP導電導電域領域
を設けてPH1合を形成し、上面に露出するP導電型領
域22およびN導電型領域2oの表面にそれぞれ電@2
B、24を設けた構造となっている。また、露出するP
N接合は絶縁1[26で被われている。さらに、受光素
子6の下面は絶縁膜26が設けられるとともに、この絶
縁膜部分で7ランジIK常用手段を用いて固定されてい
る。
20の表面中央部に真性領域(1層)21を設け、さら
にこの真性領域21の表面中央部VcP導電導電域領域
を設けてPH1合を形成し、上面に露出するP導電型領
域22およびN導電型領域2oの表面にそれぞれ電@2
B、24を設けた構造となっている。また、露出するP
N接合は絶縁1[26で被われている。さらに、受光素
子6の下面は絶縁膜26が設けられるとともに、この絶
縁膜部分で7ランジIK常用手段を用いて固定されてい
る。
一方、7ランジIKは3本のリード27.28゜29が
絶縁体を介して貫通固定されている。そして、2本のリ
ード27.28の上端には受光素子6の電[124,2
3に一端を接続されるワイヤ(導線)30.31の他端
が接続される。また、残りの一本のり−ド29の上端に
は、レーザーダイオード素子4の一方の電極に一端を接
続されるワイヤ(411)320他端が接続されている
。レーザーダイオード素子4の他の電極はサブマウント
3゜ステム2を介してフランジ1に導通している。また
、このレーザーダイオードは、7ランジl上に金属製の
キャップ11を被せて各素子を被い、溶接によって7ラ
ンジ1#/c固定されてキャップ11とフランジ1とに
よってパッケージ12を構成している。この結果、この
レーザーダイオードは第6図に示すように、パッケージ
12と3本のリード2フ、28.29とからなる4つの
外部端子を有し、各素子の引出電極は独立している。ま
た、キャップ11の天井にはガラス板13が取り付けら
れて、レーザー光5が透過する窓14を形作っている。
絶縁体を介して貫通固定されている。そして、2本のリ
ード27.28の上端には受光素子6の電[124,2
3に一端を接続されるワイヤ(導線)30.31の他端
が接続される。また、残りの一本のり−ド29の上端に
は、レーザーダイオード素子4の一方の電極に一端を接
続されるワイヤ(411)320他端が接続されている
。レーザーダイオード素子4の他の電極はサブマウント
3゜ステム2を介してフランジ1に導通している。また
、このレーザーダイオードは、7ランジl上に金属製の
キャップ11を被せて各素子を被い、溶接によって7ラ
ンジ1#/c固定されてキャップ11とフランジ1とに
よってパッケージ12を構成している。この結果、この
レーザーダイオードは第6図に示すように、パッケージ
12と3本のリード2フ、28.29とからなる4つの
外部端子を有し、各素子の引出電極は独立している。ま
た、キャップ11の天井にはガラス板13が取り付けら
れて、レーザー光5が透過する窓14を形作っている。
このようなレーザーダイオードは各素子の電極が独立し
た外部端子をそれぞれ有していることから、各糧の回路
に組み込み易い、たとえば、自動利得制御回路に組み込
む場合、第6図に示すように、受光素子6とアースとの
間に抵抗33を組み込むことによって電圧検出形の回路
を形成できるため、受光素子6の一電極を所望電位に維
持できることになる。
た外部端子をそれぞれ有していることから、各糧の回路
に組み込み易い、たとえば、自動利得制御回路に組み込
む場合、第6図に示すように、受光素子6とアースとの
間に抵抗33を組み込むことによって電圧検出形の回路
を形成できるため、受光素子6の一電極を所望電位に維
持できることになる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
本発明の技術思想に基いて変形が可能である。たとえば
、引出端子は全てリードでもよい。
本発明の技術思想に基いて変形が可能である。たとえば
、引出端子は全てリードでもよい。
以上のよう#/c、本発明によれば、回路設計が容易な
受光素子付レーザーダイオードを提供するととができる
。
受光素子付レーザーダイオードを提供するととができる
。
第imlは従来の受光素子付レーザーダイオードの断面
図、第2図は同じく等価回路図、第3図、、。 第4図は同じく自動利得制御回路組込時の付加回嬌略図
、第5図は本発明の一実施例による受光素子付レーザー
ダイオードの断面図、gssaは同じく受光素子付レー
ザーダイオードに抵抗を取り付けた状態の回路図、第7
図は受光素子の断面図である。 l・・・7ランジ、2・・・ステム、3・・・サブマウ
ント、4・・・レーザーダイオード素子、6・・・受光
素子、12・・・パッケージ、20・・・N導電渥領域
、21・・・真性箱 1 図 第 2
r4第 3 図 第 5 図 第6図 第 7 図
図、第2図は同じく等価回路図、第3図、、。 第4図は同じく自動利得制御回路組込時の付加回嬌略図
、第5図は本発明の一実施例による受光素子付レーザー
ダイオードの断面図、gssaは同じく受光素子付レー
ザーダイオードに抵抗を取り付けた状態の回路図、第7
図は受光素子の断面図である。 l・・・7ランジ、2・・・ステム、3・・・サブマウ
ント、4・・・レーザーダイオード素子、6・・・受光
素子、12・・・パッケージ、20・・・N導電渥領域
、21・・・真性箱 1 図 第 2
r4第 3 図 第 5 図 第6図 第 7 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レーザー光をモニタする受光素子を有するレーザー
ダイオードにおいて、レーザーダイオード素子の2電極
および受光素子の2電極をリードとパッケージまたはリ
ードを用いて独立した外部端子とし【引き出すことを特
徴とする受光素子付レーザーダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209447A JPS58111389A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209447A JPS58111389A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111389A true JPS58111389A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16573009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56209447A Pending JPS58111389A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111389A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101259U (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-27 | ||
JPS62166661U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-22 | ||
EP1480301A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55148483A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209447A patent/JPS58111389A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55148483A (en) * | 1979-05-08 | 1980-11-19 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62101259U (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-27 | ||
JPS62166661U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-22 | ||
EP1480301A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
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