JPS5811133B2 - flip-flop circuit - Google Patents

flip-flop circuit

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JPS5811133B2
JPS5811133B2 JP51149360A JP14936076A JPS5811133B2 JP S5811133 B2 JPS5811133 B2 JP S5811133B2 JP 51149360 A JP51149360 A JP 51149360A JP 14936076 A JP14936076 A JP 14936076A JP S5811133 B2 JPS5811133 B2 JP S5811133B2
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input
circuit
input terminal
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飯塚哲哉
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/288Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は4個の論理ゲートを用いることによって入力線
および出力線がそれぞれ1本のみで動作するようにした
フリップフロップ回路に関Xる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a flip-flop circuit that uses four logic gates to operate with only one input line and one output line.

従来、2進カウンタや分周回路用として masterslave型フリップフロップ回路が知ら
れている。
Conventionally, masterslave type flip-flop circuits have been known for use in binary counters and frequency divider circuits.

このフリップフロラフ回路(以下FF回路と云う)は第
1図に示すようにゲートG、〜G4を有する第1のR−
8−FF回路1とゲートG、〜G8を有する第2のR−
8−FF回路2とを結合したものである。
As shown in FIG. 1, this flip-flop circuit (hereinafter referred to as FF circuit) has a first R-
8-FF circuit 1 and a second R- having gates G, ~G8
8-FF circuit 2 is combined.

制御用のクロックパルスCPは第1OFF回路1に、同
じく制御用のクロックパルスCPは第2のFF回路2に
、それぞれ供給され、出力信号Q2.Q2をそれぞれゲ
ートG8及びG7から得るものである。
The control clock pulse CP is supplied to the first OFF circuit 1, and the control clock pulse CP is supplied to the second FF circuit 2, respectively, and the output signal Q2. Q2 is obtained from gates G8 and G7, respectively.

クロックパルスCPおよびCPをそれぞれ入力信号と考
えると、CPが高いレベルのときCPは低いレベルとな
り、CPが低いレベルのときCPは高いレベルとなる。
Considering clock pulses CP and CP as input signals, when CP is at a high level, CP is at a low level, and when CP is at a low level, CP is at a high level.

第1ステツプにおいて、出力Q2が高いレベルvHであ
ったとすると、CPが高いレベルvHになったとき入力
制御ゲートG1.G2が開いて、第1のFF回路1の出
力Q、はvHになる。
In the first step, if the output Q2 is at a high level vH, when CP becomes a high level vH, the input control gate G1. G2 is opened and the output Q of the first FF circuit 1 becomes vH.

第2ステツプにおいてCPは低レベルvLになるから、
制御ゲートG1.G2は閉じる。
Since CP becomes low level vL in the second step,
Control gate G1. G2 closes.

そしてCPはvHになるからFF回路20入力制御ゲー
トG5.G6が開く。
Since CP becomes vH, the FF circuit 20 input control gate G5. G6 opens.

従ってFF回路2は反転せしめられ、その出力Q2はv
Lになる。
Therefore, the FF circuit 2 is inverted, and its output Q2 is v
It becomes L.

第3ステツプにおいて、CPはvLになるから制御ゲー
)G、、G6は閉じる。
In the third step, CP becomes vL, so control games )G, , G6 are closed.

このようにしてクロックパルスcp、cpが交互にVH
2VLになることによって、vHの状態がFF回路1,
2の間で交互に交換される。
In this way, clock pulses cp and cp are alternately applied to VH.
By becoming 2VL, the state of vH changes to FF circuit 1,
It is alternately exchanged between 2.

即ちCPが2度vHになる迄に出力Q2は1度だけVH
の状態をとる。
In other words, until CP becomes vH twice, output Q2 becomes VH only once.
takes the state of

上述のmaster−slave型FF回路の欠点は次
の通りである。
The drawbacks of the master-slave type FF circuit described above are as follows.

即ち、論理ゲート数が8個ありかつ入力線および出力線
がそれぞれ2本づつ必要とするために、高密度の集積回
路を用いた出来るだけ多数のFF回路を構成することが
困難である。
That is, since there are eight logic gates and two input lines and two output lines are required, it is difficult to construct as many FF circuits as possible using high-density integrated circuits.

又、CPおよびCPの波形において両波形が共にvHと
なる期間があってはならないからクロックパルスの波形
が制限を受ける欠点がある。
Furthermore, since there must not be a period in which both the CP and CP waveforms are at vH, there is a drawback that the clock pulse waveform is restricted.

本発明の目的は、第1図に示すフリップフロップ回路の
有する機能を、4個の論理ゲートとそれぞれ1本の入力
線と出力線とによって達成したフリップフロップ回路を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a flip-flop circuit that achieves the functions of the flip-flop circuit shown in FIG. 1 by using four logic gates and one input line and one output line.

本発明によれば論理ゲニトの数を少くしかつ入力および
出力の信号線を第1図に示す従来例に比較してそれぞれ
1/2に減少させることが出来るから、FF回路を集積
回路によって構成する場合の集積密度を高め得ると共に
動作周波数の上限値を高めることができる。
According to the present invention, the number of logic generators can be reduced and the number of input and output signal lines can be reduced to 1/2 compared to the conventional example shown in FIG. In this case, the integration density can be increased and the upper limit of the operating frequency can be increased.

又論理ゲート数を減少させることができる。Also, the number of logic gates can be reduced.

故に低消費電力で高速度の動作を可能ならしめる。Therefore, high speed operation is possible with low power consumption.

以下本発明の詳細を図面を参照しながら説明する。The details of the present invention will be explained below with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例を示す回路図であり第3図は
それをIILで具体化した回路を示し、第4図は更にそ
れを集積回路化した場合の平面図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 3 shows a circuit embodying the same in IIL, and FIG. 4 is a plan view of the same when it is further integrated into an integrated circuit.

この実施例において、フリップフロップ回路は第1、第
2、第3、第4のNANDゲートA、BC,Dで構成さ
れている。
In this embodiment, the flip-flop circuit is composed of first, second, third, and fourth NAND gates A, BC, and D.

これらNANDゲートはそれぞれIIL(Integr
ated InjectionLogic)で構成され
ている。
These NAND gates are IIL (Integr
ated InjectionLogic).

即ち、NANDゲー)A、B、C,DのNPNトランジ
スタTR,。
That is, NAND game) A, B, C, D NPN transistors TR.

TR2,TR3,TR4はそれぞれ第1、第2の出力端
子AI、A2、Bl、B2、CI、C2、DI、D2を
有しており、各エミッタは共通に接地されている。
TR2, TR3, and TR4 have first and second output terminals AI, A2, Bl, B2, CI, C2, DI, and D2, respectively, and their emitters are commonly grounded.

PNPインジェクショントランジスタTR,、TRa、
TR?、TR8のコレクタおよびベースはそれぞれ対応
するNPNトランジスタのベースおよびエミッタに接続
されており、エミッタは電源VEEに共通に接続されて
いる。
PNP injection transistor TR,, TRa,
TR? , TR8 are connected to the base and emitter of the corresponding NPN transistor, respectively, and the emitters are commonly connected to the power supply VEE.

ゲー)Aの第1の出力端A1はゲー)Bのベースに、ゲ
ートBの第1の出力端B1はゲートAのベースに、ゲー
トCの第1の出力端C1はゲートDのベースに、ゲート
Dの第1の出力端D1はゲートCのベースをそれぞれ接
続されている。
The first output terminal A1 of the gate A is connected to the base of the gate B, the first output B1 of the gate B is connected to the base of the gate A, the first output C1 of the gate C is connected to the base of the gate D, The first outputs D1 of the gates D are connected to the bases of the gates C, respectively.

ゲー)Aのベースとゲー)BのベースとはゲートAから
ゲートBに向って順方向となっている第1のダイオード
3を介して接続されており、ゲ−)Dのベースとゲート
CのベースとはゲートDからゲートCに向って順方向と
なっている第2のダイオード4を介して接続されている
The base of G)A and the base of G)B are connected through the first diode 3 which is in the forward direction from gate A to gate B, and the base of G)D and the base of gate C are connected. It is connected to the base via a second diode 4 which is in the forward direction from the gate D to the gate C.

ゲートDの第2の出力端子D2はゲートAのベースに接
続されている。
A second output terminal D2 of gate D is connected to the base of gate A.

ゲートBのベースには入力信号■NBが供給され、ゲー
トCの第2の出力端子C2から出力信号Qがとり出され
る。
The input signal NB is supplied to the base of the gate B, and the output signal Q is taken out from the second output terminal C2 of the gate C.

第4図において、各部分には第3図に対応する符号を付
して説明を省略する。
In FIG. 4, each part is given a reference numeral corresponding to that in FIG. 3, and a description thereof will be omitted.

第4図かられかるように、インジェクショントランジス
タTR5,TR6,TR7゜TR8に共通に設けられた
エミッタ領域5はPタイプであってこの領域5はストラ
イプ状をなしており、インジェクターソース電圧VEE
が印加されている。
As can be seen from FIG. 4, the emitter region 5 provided commonly to the injection transistors TR5, TR6, TR7°TR8 is of P type, and this region 5 has a stripe shape, and the injector source voltage VEE
is applied.

ゲートBの出力端子B、、B2が設けられている。Output terminals B, , B2 of gate B are provided.

出力領域(NPN)ランジスタのN領域)およびゲート
Cの出力端子C1,C2が設けられている出力領域Nは
ストライプ5に対して直角に構成されており、ゲートA
の出力端A、、A2およびゲー)Dの出力端り、、D2
が設けられている出力領域(N領域)はストライプ5に
対して平行に構成されている。
The output area (NPN) (N area of the transistor) and the output area N, in which the output terminals C1 and C2 of the gate C are provided, is configured at right angles to the stripe 5, and
Output terminals A, , A2 and output terminals of game) D, , D2
The output area (N area) where is provided is configured parallel to the stripe 5.

このために、PNPインジェクタートランジスタからN
PNトランジスタに供給される電流は、ゲー)Aの方が
ゲートBより犬であり、ゲートDの方がゲートCより犬
である。
For this purpose, N from the PNP injector transistor is
The current supplied to the PN transistor is higher for gate A than for gate B, and higher for gate D than for gate C.

従って、ゲートAに供給される入力電流の方がゲ−)B
に供給される入力電流より早く立上り、ゲートDに供給
される入力電流の方がゲートCに供給される入力電流よ
り早く立上ることになる。
Therefore, the input current supplied to gate A is higher than gate A)
The input current supplied to gate D rises earlier than the input current supplied to gate C, and the input current supplied to gate D rises earlier than the input current supplied to gate C.

次に第5図および第6図を参照して第3図に示す回路動
作を説明する。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 3 will be explained with reference to FIGS. 5 and 6.

全前段のF−Fの第3ゲートへの入力信号CP(クロッ
クパルス)(第6図参照)が初期状態(第1ステツプ)
においてVL(低いレベル)であったとする。
The input signal CP (clock pulse) (see Figure 6) to the third gate of FF in all previous stages is in the initial state (first step).
Assume that the current level is VL (low level).

このときゲ−)A、Hの入力線の論理値はそれぞれvH
(高いレベル)VL(低いレベル)又はvL、VHのど
ちらかであるが、今VH2vLであったとする。
At this time, the logic values of the A and H input lines are vH, respectively.
(high level) VL (low level) or either vL or VH, but let us now assume that it is VH2vL.

しかるときはゲー)C,Bの入力端電圧のレベルはそれ
ぞれvLである。
In this case, the level of the voltage at the input terminal of gates C and B is respectively vL.

厳密にいえばゲートDの入力端電圧のレベルの方がゲー
トCの入力端電圧のレベルよりもダイオード4の順方向
電圧降下分VFだけ高いが、ゲートDの入力端電圧レベ
ルは論理値としてはvLである。
Strictly speaking, the level of the input terminal voltage of gate D is higher than the level of the input terminal voltage of gate C by the forward voltage drop VF of diode 4, but the input terminal voltage level of gate D is a logical value. It is vL.

ダイオード3,4としてはショットキーダイオードを採
用することはのぞましいが、通常のpN接合ダイオード
でも差支えない。
Although it is preferable to use Schottky diodes as the diodes 3 and 4, ordinary pN junction diodes may also be used.

この場合にはPN領域の濃度をたとえば10’7ato
ms/crA程度の濃度となることがのぞましい。
In this case, the concentration of the PN region is set to 10'7ato, for example.
It is desirable that the concentration be approximately ms/crA.

この第1ステツプにおいてゲートCの出力QはVHのレ
ベルにある。
In this first step, the output Q of gate C is at the level of VH.

次に第2ステンプにおいて入力信号CPのレベルがvL
からvHに変化したとする。
Next, in the second step, the level of the input signal CP is vL
Suppose that there is a change from vH to vH.

するとゲー)A、Hの入力端電圧は共にvLになる。Then, the input terminal voltages of game) A and H both become vL.

ゲー)Aの入力端電圧はvFのレベルを示すが論理レベ
ルとしてはvLである。
The input terminal voltage of game) A shows a level of vF, but its logic level is vL.

するとゲー)Aの出力側A1.A2およびゲ−)Bの出
力端B1.B2はアースに対して高いインピーダンスを
有するようになる。
Then, the output side A1 of game) A. A2 and the output terminal B1. B2 now has a high impedance to ground.

この結果、ゲ−)C,Dのいづれか一方の入力端電圧が
vH1他方がvLどなるのであるが、ゲートDの入力端
電圧の方がゲートCの入力端電圧よりもダイオード4の
順方向電圧降下分vFだけ高レベルにあることおよび第
3図において既に説明したようにゲートDへのインジェ
クター電流がゲートCへのインジェクター電流よりも犬
であることのために、ゲートDへの入力端電圧がvHと
なり、ゲートCの入力端電圧はVLとなる。
As a result, the voltage at the input terminal of one of gates C and D is vH1 and the other is vL, but the input terminal voltage of gate D is higher than the input terminal voltage of gate C due to the forward voltage drop of diode 4. Because the injector current to gate D is higher than the injector current to gate C as already explained in FIG. Therefore, the input terminal voltage of gate C becomes VL.

従って出力QのレベルはVHの状態に保持される。Therefore, the level of output Q is maintained at VH.

第3ステツプにおいてCPは再びvLになる。In the third step, CP becomes vL again.

しかるにゲートDの出力端D1.D2の電圧はVLであ
るために、ゲートAの入力端電圧はvL保持され、ゲー
トBの入力端電圧はVHHとなる。
However, the output terminal D1 of gate D. Since the voltage of D2 is VL, the input terminal voltage of gate A is held at vL, and the input terminal voltage of gate B becomes VHH.

したがってゲートHの出力端B、、B2の電圧がVLと
なり、ゲー)Dの入力端電圧がVLとなり、ゲートCの
入力端電圧はVHとなる。
Therefore, the voltage at the output terminals B, , B2 of the gate H becomes VL, the input terminal voltage of the gate D becomes VL, and the input terminal voltage of the gate C becomes VH.

したがって出力QのレベルはvLとなる。Therefore, the level of output Q becomes vL.

第4ステツプにおいて入力信号CPのレベルは再びVH
になる。
In the fourth step, the level of input signal CP is set to VH again.
become.

しかるときはゲートA。Bの入力端電圧は共にvLどな
る。
Gate A when scolded. The input terminal voltages of B are both vL.

ゲートAの入力端電圧はダイオード3の順方向降下レベ
ルVFを有するが論理レベルとしてはvLである。
The input terminal voltage of the gate A has the forward drop level VF of the diode 3, but the logic level is VL.

しかるにゲートC,Dの入力端電圧は第3ステツプの状
態を保持する。
However, the input terminal voltages of gates C and D maintain the state of the third step.

ゲートDの入力端電圧レベルはダイオード4の正方向電
圧降下分のVFを有するがやはりvLのレベルである。
The input terminal voltage level of gate D has VF equal to the positive voltage drop of diode 4, but is still at the level of vL.

ゲートCの入力端電圧がVHであるから出力Qのレベル
は第3ステツプのときのvLのレベルに保持される。
Since the input terminal voltage of gate C is VH, the level of output Q is maintained at the level of vL at the third step.

第5ステツプにおいて、入力信号CPは再びvLに変化
する。
In the fifth step, the input signal CP changes again to vL.

今度はゲートDの出力端D1.D2の電圧はvHである
からゲー−Aの入力端電圧がvHとなり、ゲー)Bの入
力端電圧はvLとなる。
This time, the output terminal D1 of gate D. Since the voltage of D2 is vH, the input terminal voltage of G-A becomes vH, and the input terminal voltage of G-A becomes vL.

従って出力QはvHのレベルとなる。Therefore, the output Q is at the level of vH.

第5ステツプにおいて第1ステツプ(初期状態)の状態
に戻る。
In the fifth step, the state returns to the first step (initial state).

以上の説明から、入力信号CPが2回vLになる為に(
第1ステツプ、第3ステツプ)ゲー−Cの出力端C1,
C2の電圧即ち出力Qは1回だけVHとなることが理解
できる。
From the above explanation, in order for the input signal CP to become vL twice, (
1st step, 3rd step) Output terminal C1 of game C,
It can be understood that the voltage of C2, that is, the output Q becomes VH only once.

第4図において、ゲー)B、Cの出力端B1゜B2AC
1,C2の配置は配線5に対して必ずしも直交する必要
はなく第7図に示すように配線5に対して平行であって
もよい。
In Figure 4, output terminals B1゜B2AC of game) B and C
1 and C2 do not necessarily have to be orthogonal to the wiring 5, but may be parallel to the wiring 5 as shown in FIG.

第8図は第2図の変形例を示す。FIG. 8 shows a modification of FIG. 2.

この変形例においては、ゲートBの入力端子とダイオー
ド3の陰極との間にトランジスタ8を、ゲートCの入力
端子とダイオード4の陰極端子間にトランジスタ9を挿
入されている。
In this modification, a transistor 8 is inserted between the input terminal of gate B and the cathode of diode 3, and a transistor 9 is inserted between the input terminal of gate C and the cathode terminal of diode 4.

このトランジスタ8および9はそれぞれゲー)Bおよび
ゲートCの入力端に供給される電流の立ち上り時間を故
意に長くしてF、F回路の誤動作を防止するための遅延
用トランジスタである。
These transistors 8 and 9 are delay transistors for intentionally lengthening the rise time of the currents supplied to the input terminals of the gates B and C, respectively, to prevent malfunctions of the F and F circuits.

第8図に示すF、F回路をIILを用いて集積化した場
合の平面図は第9図に示されており第9図に対応する等
何回路は第10図に示されている。
A plan view when the F and F circuits shown in FIG. 8 are integrated using IIL is shown in FIG. 9, and the circuit corresponding to FIG. 9 is shown in FIG. 10.

第10図については、第3図に対応する符号をつけて説
明を省略し、第9図については第10図に対応する符号
をつけて説明を省略し、第9図については第10図に対
応する符号をつけて説明を省略する。
Regarding FIG. 10, the reference numerals corresponding to FIG. 3 are attached and the explanation is omitted. For FIG. 9, the reference numerals corresponding to FIG. 10 are attached and the explanation is omitted. Corresponding symbols are attached and explanations are omitted.

本発明は単にIILを用いたF、F回路に適用されるも
のではない。
The present invention is not simply applied to F, F circuits using IIL.

TTL(TransisterTransister
Logic)を用−たF、F回路にも適用される。
TTL
It is also applied to F and F circuits using Logic).

第11図はTTLを用いたF、F回路の実施例を示して
いる。
FIG. 11 shows an example of an F, F circuit using TTL.

TTLを用・たF、F回路を構成するトランジスタTR
0,TR1o。
Transistor TR constituting F, F circuit using TTL
0, TR1o.

TR11,TR12はすべて多入力1出力である。Both TR11 and TR12 have multiple inputs and one output.

論理ゲートAはトランジスタTR9、ベース入力抵抗R
1、インバータTR13、インバータのコレクタ抵抗R
2で構成されている。
Logic gate A is transistor TR9, base input resistor R
1. Inverter TR13, inverter collector resistance R
It consists of 2.

他の論理ゲートB。C,Dも論理ゲー)Aと構成が同じ
であるので説明を省略する。
Another logic gate B. C and D also have the same configuration as logic game A, so their explanation will be omitted.

ダイオード3は、ゲートAの1つの入力端子とゲートB
の1つの入力端子との間に図示極性で接続されており、
ゲートBの前記1つの入力端に入力信号■NBが供給さ
れる。
Diode 3 connects one input terminal of gate A and gate B
is connected to one input terminal of the
An input signal NB is supplied to the one input terminal of the gate B.

ダイオード4はゲートCの1つの入力端子とゲートDの
1つの入力端子との間に図示極性で結合されている。
Diode 4 is coupled between one input terminal of gate C and one input terminal of gate D with the polarity shown.

トランジスタTR9,TR1o、TR11゜TR12の
ベースには抵抗R1を介して、インバータトランジスタ
TR]3.TRI4.TE10.TR16のコレクタに
は抵抗R2を介して駆動電圧VCCが結合されている。
An inverter transistor TR is connected to the bases of the transistors TR9, TR1o, TR11 and TR12 via a resistor R1.3. TRI4. TE10. A drive voltage VCC is coupled to the collector of TR16 via a resistor R2.

出力QはインバータトランジスタTR15のコレクタか
ら導出される。
Output Q is derived from the collector of inverter transistor TR15.

以上詳述した本発明によれば、極めて簡単な構成により
フリップフロップが実現でき、集積回路化した場合、ゲ
ート数、配線数が少ないことから集積密度を飛躍的に向
上でき、−かも、伝播ゲート数が少ないことから、高周
波数での動作が可能となる。
According to the present invention described in detail above, a flip-flop can be realized with an extremely simple configuration, and when integrated into an integrated circuit, the integration density can be dramatically improved because the number of gates and wires is small. Their small number allows operation at high frequencies.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来のマスタースレーフ形フリップフロップ
論理回路の構成を示す回路、第2図は、本発明の一実施
例を示す回路図、第3図は第2図の実施例を具体化した
回路図、第4図は、それをIILを用いて集積回路化し
た場合の平面図、第5図は第2図の回路の動作原理を説
明するためのタイミングチャート図、第6図は第2図の
回路の動作原理説明に用いる回路図、第7図は第3図の
回路の変形例を示す平面図、第8図は本発明の他の実施
例を示す回路図、第9図はその集積回路化した場合の回
路例を示す平面図、第10図は第9図の回路の構成を具
体的に示す回路図、第11図は本発明の更に他の実施例
を示す回路図である。 A、B、C,D・・・・・・ゲート、3,4・・・・・
ダイオード。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional master-slave type flip-flop logic circuit, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the embodiment of FIG. 2. FIG. 4 is a plan view of the integrated circuit using IIL, FIG. 5 is a timing chart for explaining the operating principle of the circuit in FIG. 2, and FIG. 2 is a circuit diagram used to explain the operating principle of the circuit, FIG. 7 is a plan view showing a modification of the circuit in FIG. 3, FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 10 is a plan view showing an example of the circuit when it is integrated, FIG. 10 is a circuit diagram specifically showing the configuration of the circuit shown in FIG. 9, and FIG. 11 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. be. A, B, C, D...Gate, 3, 4...
diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 論理積の否定をとるゲートを4個備え、第1のゲー
トの第1の出力端が第2のゲートの入力端に接続され、
この第2のゲートの第1の出力端が前記第1のゲートの
入力端に接続されると共に第3のゲートの第1の出力端
が第4のゲートの入力端に接続されこの第4のゲートの
第1の出力端が前記第3のゲートの入力端に接続され、
前記第1のゲートの第2の出力端が第3のゲートの入力
端に接続されかつ前記第2のゲートの第2の出力端が第
4のゲートの入力端に接続され、前記第4のゲートの第
2の出力端が前記第1のゲートの入力端に接続され、前
記第1のゲートの入力端から前記第2のゲートの入力端
に向けて順方向となるように第1のダイオードが接続さ
れ前記第4のゲートの入力端から第3のゲートの入力端
に向けて順方向となるように第2のダイオードが接続さ
れてなり、前記第2のゲートの入力端に入力信号を供給
して前記第3のゲートの第2の出力端から出力信号を取
り出すことを特徴とするフリップフロップ回路。
1 comprises four gates that perform the negation of AND, the first output terminal of the first gate is connected to the input terminal of the second gate,
A first output end of the second gate is connected to an input end of the first gate, and a first output end of the third gate is connected to an input end of the fourth gate. a first output end of the gate is connected to an input end of the third gate;
A second output of the first gate is connected to an input of a third gate, a second output of the second gate is connected to an input of a fourth gate, and the fourth a first diode such that a second output terminal of the gate is connected to an input terminal of the first gate, and a forward direction is from the input terminal of the first gate toward the input terminal of the second gate; is connected, and a second diode is connected in a forward direction from the input end of the fourth gate to the input end of the third gate, and the input signal is input to the input end of the second gate. A flip-flop circuit, characterized in that the flip-flop circuit is configured to supply an output signal and take out an output signal from a second output terminal of the third gate.
JP51149360A 1976-12-14 1976-12-14 flip-flop circuit Expired JPS5811133B2 (en)

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