JPS581099A - ストリップ用アノ−ドメッキ装置 - Google Patents
ストリップ用アノ−ドメッキ装置Info
- Publication number
- JPS581099A JPS581099A JP9754481A JP9754481A JPS581099A JP S581099 A JPS581099 A JP S581099A JP 9754481 A JP9754481 A JP 9754481A JP 9754481 A JP9754481 A JP 9754481A JP S581099 A JPS581099 A JP S581099A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- granular
- tank
- plating
- strip
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- Granted
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来の水平型アノードメッキ装置は第１．２図に示すよ
うに、電解槽（図示省略）内にセットしたＬ字型をした
アノード支持台Ａ，Ａの傾斜した支持面Ｂ，Ｂ上に神聖
アノードｃ， ｌ Ｃ２ ＋・・＝（３０〜８０ｋｐ／
ケ）を複数本乗せ、神聖アノードＣ，。
うに、電解槽（図示省略）内にセットしたＬ字型をした
アノード支持台Ａ，Ａの傾斜した支持面Ｂ，Ｂ上に神聖
アノードｃ， ｌ Ｃ２ ＋・・＝（３０〜８０ｋｐ／
ケ）を複数本乗せ、神聖アノードＣ，。
Ｃ２，・・・上方にストリップＤを位置させ、神聖アノ
ードＣｌ ｔ ｃ２ｔ・・・に…電流を流すことにより
神聖アノードＣ， 、 Ｃ２，・・・を溶解させて金属
イオンとなし電解液を介してストリップＤのメッキ回り
Ｌ電着させるようになっている。
ードＣｌ ｔ ｃ２ｔ・・・に…電流を流すことにより
神聖アノードＣ， 、 Ｃ２，・・・を溶解させて金属
イオンとなし電解液を介してストリップＤのメッキ回り
Ｌ電着させるようになっている。
又、縦型アノードメッキ装置は、第３．４図に示すよう
に、逆Ｌ字形をしたアノード支持台Ａ′に逆Ｌ字形の神
聖アノードＣ，’ 、 Ｃ， ’・・・を複数個乗架し
、神聖アノードＣ：＋’Ｃ２・・・の表面にストリップ
Ｄを垂直方向に位置させたもので、作用は水平型アノー
ドメッキ装置と同様であるっ 前記従来のアノードメッキ装置においては神聖アノード
Ｃ１，・・・Ｃ，は溶解速度の差により、アノード厚さ
が違い被メッキ面とアノード面に図示のような凹凸が生
じるため不均一なメッキ厚を生じる。
に、逆Ｌ字形をしたアノード支持台Ａ′に逆Ｌ字形の神
聖アノードＣ，’ 、 Ｃ， ’・・・を複数個乗架し
、神聖アノードＣ：＋’Ｃ２・・・の表面にストリップ
Ｄを垂直方向に位置させたもので、作用は水平型アノー
ドメッキ装置と同様であるっ 前記従来のアノードメッキ装置においては神聖アノード
Ｃ１，・・・Ｃ，は溶解速度の差により、アノード厚さ
が違い被メッキ面とアノード面に図示のような凹凸が生
じるため不均一なメッキ厚を生じる。
又、運転中に神聖アノードを交換する際は、一本かった
一 本発明は前記従来の欠点に鑑み、７ノード補充を容易に
行って均一なメッキ厚を得ることかできるアノードメッ
キ装置を提供するのが目的である。
一 本発明は前記従来の欠点に鑑み、７ノード補充を容易に
行って均一なメッキ厚を得ることかできるアノードメッ
キ装置を提供するのが目的である。
本発明の構成を第５図乃至第７図に示す第１実施例に基
き詳細に説明すると、粒状アノード１を収納する密閉さ
れた断面方形をしたアノードタンク２のストリップＤ側
に格子３を有する開口部４を設け、この開口部４の内側
に電解液を自由に通す例えば布地、半透−等から成る膜
５を固定している。
き詳細に説明すると、粒状アノード１を収納する密閉さ
れた断面方形をしたアノードタンク２のストリップＤ側
に格子３を有する開口部４を設け、この開口部４の内側
に電解液を自由に通す例えば布地、半透−等から成る膜
５を固定している。
アノードタンク２は外面にメッキに対して十分な耐食性
及び絶縁性を有するライニング（コ゛ム、合成樹脂等）
を施こし、内面に導電性のライニング（カーボン等）を
施こしている。そして、上面両端には導入管６，６′を
設け、両溝入管６，６′は絶縁体７．７′を介して分配
支管８２ｇに接続されている。又、一方の導入管６には
通電端子９を固定している。
及び絶縁性を有するライニング（コ゛ム、合成樹脂等）
を施こし、内面に導電性のライニング（カーボン等）を
施こしている。そして、上面両端には導入管６，６′を
設け、両溝入管６，６′は絶縁体７．７′を介して分配
支管８２ｇに接続されている。又、一方の導入管６には
通電端子９を固定している。
前記のように構成したアノードタンク２は電解槽１０内
に第７図に示すように、開口部４を対向させて４個設置
している。そして、前言己分配支管８．８′は一つの分
配管１１に夫々接続し、合計４個の分配管１１は一本の
接続管１２を介してアノード貯蔵タンク１３に接続され
ている。
に第７図に示すように、開口部４を対向させて４個設置
している。そして、前言己分配支管８．８′は一つの分
配管１１に夫々接続し、合計４個の分配管１１は一本の
接続管１２を介してアノード貯蔵タンク１３に接続され
ている。
又、電解槽１０には上下にストリップ゛Ｄを案内する複
数個のコンダクタロール１４．・・・を配設している。
数個のコンダクタロール１４．・・・を配設している。
第１実施例は前記のように構成したもので、各通電端子
９に（ト）電流を流すことによりアノードタ／り２内の
粒状アノード１は電気化学的に溶解し。
９に（ト）電流を流すことによりアノードタ／り２内の
粒状アノード１は電気化学的に溶解し。
金属イオンとなって膜５を通過してストリップＤのメッ
キ面に電着する。
キ面に電着する。
この粒状アノード１は電気化学的な溶解により次第に小
さくなってやがて消滅する。溶解面の粒状アノード１は
消滅の進行過程において、粒子アノード１同志間に隙間
が発生するが、この隙間の近傍に位置した粒状アノード
１が自重により隙間を埋め、新たな粒状アノード１がア
ノード貯蔵り／り１３から自動的に供給され、随時充填
される。
さくなってやがて消滅する。溶解面の粒状アノード１は
消滅の進行過程において、粒子アノード１同志間に隙間
が発生するが、この隙間の近傍に位置した粒状アノード
１が自重により隙間を埋め、新たな粒状アノード１がア
ノード貯蔵り／り１３から自動的に供給され、随時充填
される。
したがって、被メッキ面とアノード面との極間は常時一
定に保たれ、均一なメッキ厚が得られる１、次に第２実
施例を第８図以下に示す図面に基づき詳細に説明すると
、本実施例は水平型アノードメッキ装置である。
定に保たれ、均一なメッキ厚が得られる１、次に第２実
施例を第８図以下に示す図面に基づき詳細に説明すると
、本実施例は水平型アノードメッキ装置である。
アノードタンク２は底壁１４を中央に向って傾斜した形
状に形成し、４隔に支持脚１５．・・・を設けている。
状に形成し、４隔に支持脚１５．・・・を設けている。
そして上面両端には導入管６，６′を設け、絶縁体７，
７′を介して接続管１２ 、１２’と連通し、図示を省
略したアノード貯蔵タンク１３゜１３に接続されている
。
７′を介して接続管１２ 、１２’と連通し、図示を省
略したアノード貯蔵タンク１３゜１３に接続されている
。
アノードタンク２内には第９図に示すように、夫々両側
に２個の軸受具１６ 、１６”ｋ設けて攪拌羽根゛１７
．・・・を多数固定した攪拌シャフト１８゜１８′を１
０６゛〜７０°の角度で傾斜させて軸支している。両攪
拌シャフト１８ 、１８’はユニバーサルカップリング
１９ 、１９’を介して導入管６，６′及び接続管１２
、１２’内に位置した垂直軸２０，２σと接続されて
おり、垂直軸２０．２０’の上端はユニバーサルカップ
リング２１ 、２１’を介して接続管１２ 、１２’外
に設置した駆動軸２２．２２’と接続している。この駆
動軸２２ 、２２’はカップリング２３ 、２３’及び
減速機２４’、２４’を介して駆動モータ２５ 、２５
’で駆動される。。
に２個の軸受具１６ 、１６”ｋ設けて攪拌羽根゛１７
．・・・を多数固定した攪拌シャフト１８゜１８′を１
０６゛〜７０°の角度で傾斜させて軸支している。両攪
拌シャフト１８ 、１８’はユニバーサルカップリング
１９ 、１９’を介して導入管６，６′及び接続管１２
、１２’内に位置した垂直軸２０，２σと接続されて
おり、垂直軸２０．２０’の上端はユニバーサルカップ
リング２１ 、２１’を介して接続管１２ 、１２’外
に設置した駆動軸２２．２２’と接続している。この駆
動軸２２ 、２２’はカップリング２３ 、２３’及び
減速機２４’、２４’を介して駆動モータ２５ 、２５
’で駆動される。。
他は第１実施例と同様なので、同一符号を付しＰ明を省
略する。
略する。
第２実施例においては駆動モータ２５ 、２５’の駆動
により攪拌シャフト１８，１８′が回転し、粒状アノー
ド１はアノードボックス２の中心方向に移動し、粒状ア
ノード間の隙間を埋め、被メッキ面と粒状アノード間の
極間を一定に保つ。
により攪拌シャフト１８，１８′が回転し、粒状アノー
ド１はアノードボックス２の中心方向に移動し、粒状ア
ノード間の隙間を埋め、被メッキ面と粒状アノード間の
極間を一定に保つ。
したがって、第２実施例においては粒状アノード１を強
制的に攪拌移動させて、溶解して小さくなった粒状アノ
ード同志間の隙間を確実に埋めて被メッキ面との極間を
一定に保ち、どんな形の被メッキ面に対しても均一なメ
ッキ厚を得ることができる。
制的に攪拌移動させて、溶解して小さくなった粒状アノ
ード同志間の隙間を確実に埋めて被メッキ面との極間を
一定に保ち、どんな形の被メッキ面に対しても均一なメ
ッキ厚を得ることができる。
本発明は前記実施例のような構成、作用を有するので、
粒状アノードを用いているので被メッキ面に対して一定
の距離を有するアノード溶解面に常に粒状アノードを位
置させるこ）ができ、均一なメッキ厚を得ることができ
る。
粒状アノードを用いているので被メッキ面に対して一定
の距離を有するアノード溶解面に常に粒状アノードを位
置させるこ）ができ、均一なメッキ厚を得ることができ
る。
又、粒状アノードは自動的にアノード溶解面に供給する
ことができるので、非常に能率的であり、従来のように
アノードを交換する必要がないので非常に便利である。
ことができるので、非常に能率的であり、従来のように
アノードを交換する必要がないので非常に便利である。
第１図は従来の水平型アノードメッキ装置の斜視図、第
２図はその側面図、第３図は従来の縦型アノードメッキ
装置の斜視図、第４図はその横断平面図、第５図は本発
明に係るアノードメッキ装置の第１実施例を示す要部の
正面図、第６図は第５図の■−■線で切断した斜視図、
第７図、は配置図、第８図は第２実施例の縦断面図、第
９図は要部の斜視図を夫々示す。 尚、図中１は粒状アノード、２はアノードボックス、４
は開口部、５は膜である。 特許出願人 川崎製鉄株式会社 第１図
２図はその側面図、第３図は従来の縦型アノードメッキ
装置の斜視図、第４図はその横断平面図、第５図は本発
明に係るアノードメッキ装置の第１実施例を示す要部の
正面図、第６図は第５図の■−■線で切断した斜視図、
第７図、は配置図、第８図は第２実施例の縦断面図、第
９図は要部の斜視図を夫々示す。 尚、図中１は粒状アノード、２はアノードボックス、４
は開口部、５は膜である。 特許出願人 川崎製鉄株式会社 第１図
Claims (1)
- 粒状アノード１を充填する通電可能なアノードボックス
２のメッキ面側に開口部４を設け、この開口部４の内面
に電解液を通す膜５を取付けたことを特徴とするアノー
ドメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9754481A JPS5933679B2 (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ストリップ用アノ−ドメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9754481A JPS5933679B2 (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ストリップ用アノ−ドメッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581099A true JPS581099A (ja) | 1983-01-06 |
| JPS5933679B2 JPS5933679B2 (ja) | 1984-08-17 |
Family
ID=14195178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9754481A Expired JPS5933679B2 (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | ストリップ用アノ−ドメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933679B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605890A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属電解精製法 |
| JPS6293377U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-15 | ||
| FR2918674A1 (fr) * | 2007-07-12 | 2009-01-16 | Siemens Vai Metals Tech Sas | Installation et procede pour l'etamage electrolytique de bandes d'acier mettant en oeuvre une anode soluble |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9754481A patent/JPS5933679B2/ja not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605890A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属電解精製法 |
| JPS625233B2 (ja) * | 1983-06-23 | 1987-02-03 | Sumitomo Metal Mining Co | |
| JPS6293377U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-15 | ||
| FR2918674A1 (fr) * | 2007-07-12 | 2009-01-16 | Siemens Vai Metals Tech Sas | Installation et procede pour l'etamage electrolytique de bandes d'acier mettant en oeuvre une anode soluble |
| WO2009016292A2 (fr) * | 2007-07-12 | 2009-02-05 | Siemens Val Metals Technologies Sas | Installation et procede pour l'etamage electrolytique de bandes d'acier mettant en oeuvre une anode soluble |
| WO2009016292A3 (fr) * | 2007-07-12 | 2009-09-11 | Siemens Val Metals Technologies Sas | Installation et procede pour l'etamage electrolytique de bandes d'acier mettant en oeuvre une anode soluble |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5933679B2 (ja) | 1984-08-17 |
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