JPS58100413A - Thick film condenser - Google Patents

Thick film condenser

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Publication number
JPS58100413A
JPS58100413A JP19855281A JP19855281A JPS58100413A JP S58100413 A JPS58100413 A JP S58100413A JP 19855281 A JP19855281 A JP 19855281A JP 19855281 A JP19855281 A JP 19855281A JP S58100413 A JPS58100413 A JP S58100413A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor layer
thick film
lower conductor
upper conductor
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP19855281A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
恒雄 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19855281A priority Critical patent/JPS58100413A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は厚膜コンデンサーに関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to thick film capacitors.

厚膜コンデンサーの一つに第1図〜第3図に示す構造の
コンデンサーがある。このコンデンサーはセラミックか
らなる絶縁性基板lの上面に下部導体層2v設けるとと
もに、この下部導体層2上にセラ叱ツクからなる誘電体
層3.上部導体層4を順次積層形・成し、さらに、絶縁
性のコーテイング膜5で全体な被つ【いる。なお、下部
−上部導体層2.4からは幅の狭い引出部6.7が延在
し、その先端には電極8.9が形成されている。電極8
會9および引出部6,7の一部は前記コーティング膜5
から突出して絶縁性基板l上に露出している。
One type of thick film capacitor is a capacitor having a structure shown in FIGS. 1 to 3. This capacitor is provided with a lower conductor layer 2v on the upper surface of an insulating substrate l made of ceramic, and a dielectric layer 3 made of ceramic on this lower conductor layer 2. The upper conductor layer 4 is sequentially laminated and formed, and the entire structure is further covered with an insulating coating film 5. Note that a narrow lead-out portion 6.7 extends from the lower-upper conductor layer 2.4, and an electrode 8.9 is formed at the tip thereof. Electrode 8
Parts of the box 9 and the drawer parts 6 and 7 are coated with the coating film 5.
It protrudes from and is exposed on the insulating substrate l.

ところで、このような構造のコンデンサーは、コンデン
サーを形作る上部・下部導体層4,2部分は同一の矩形
パターンとなっている。このため、電極周辺からの洩れ
電界(第2図の矢印で示す。)がコーテイング膜5の一
部分Klりて生じる。コーテイング膜5は一般にガラス
等を用いるため誘電率が大館い。この結果、コンデンサ
ー電@面積が大きくなり、容量値が設計値と異り【しま
う。
Incidentally, in a capacitor having such a structure, the upper and lower conductor layers 4 and 2 forming the capacitor have the same rectangular pattern. For this reason, a leakage electric field (indicated by the arrow in FIG. 2) from around the electrode is generated in a portion of the coating film 5. Since the coating film 5 is generally made of glass or the like, its dielectric constant is large. As a result, the capacitor's current area increases and the capacitance value differs from the designed value.

また、容量値の変動は、コーテイング膜5の厚さの変動
あるいはブーティング材の違いによって変動する。
Furthermore, the capacitance value varies depending on the thickness of the coating film 5 or the booting material.

したがって、本発明の目的は容量値が安定する厚膜コン
デンサーを提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a thick film capacitor with a stable capacitance value.

このような目的を達成するために本発明は、絶縁性基板
と、この絶縁性基板上に設ける下部導体層と、この下部
導体層を覆う誘電体層と、この誘電体層上に前記下部導
体層と対面するように設けられる上部導体層と、この上
部導体層を覆う絶縁性のコーテイング膜と、前記上部・
下部導体層から絶縁性基板上に延在する露出する電極と
、からなるものであって、以下実施例により本発明を説
明する。
In order to achieve such an object, the present invention includes an insulating substrate, a lower conductor layer provided on the insulating substrate, a dielectric layer covering the lower conductor layer, and a lower conductor layer provided on the dielectric layer. an upper conductor layer provided to face the upper conductor layer; an insulating coating film covering the upper conductor layer;
and an exposed electrode extending from a lower conductor layer onto an insulating substrate.The present invention will be described below with reference to Examples.

第4図〜第6図は本発明の一実施例による厚膜コンデン
サーを示す図であって、第4図は平面図、菖5図は第4
図の■−v線に沿う断面図、第6図は第4図の■−■線
に石う断面図である。この厚膜コンデンサーも第1図で
示す従来の厚膜コンデンサーと同様に、セラミックの絶
縁性基板lの1爾に引出部6を介して電極8に繋る下部
導体層2を設けるとともに、この下部導体層2上にセラ
ミックからなる誘電体層3.引出部7を介して電極9K
IIる上部導体層4vl[次積層形成し、さらに絶縁性
のコーテイング膜5で少なくとも前記電極8.9v除く
以外の部分を覆っている。また、この実施例では、第4
図および第5図で示すように、上部導体層4の真下に位
置する下部導体層2は上部導体層4よりも小さく形成さ
れ、下部導体層20周縁はいずれも上部導体層40周縁
よりも数鵬内側に位置してい木。そしてさらに、上部導
体層4の周辺部を下側に曲折させることにより電鱗もれ
を防ぐ効果が高まるようにしている。
4 to 6 are diagrams showing a thick film capacitor according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 4 is a plan view and iris 5 is a
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line ■--v in the figure, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG. This thick film capacitor is also similar to the conventional thick film capacitor shown in FIG. A dielectric layer 3 made of ceramic on the conductor layer 2. Electrode 9K via lead-out part 7
The upper conductor layer 4vl is then laminated, and an insulating coating film 5 covers at least the portions other than the electrodes 8.9v. In addition, in this embodiment, the fourth
As shown in the figure and FIG. 5, the lower conductor layer 2 located directly below the upper conductor layer 4 is formed smaller than the upper conductor layer 4, and the periphery of the lower conductor layer 20 is smaller than the periphery of the upper conductor layer 40. Peng is located inside the tree. Furthermore, by bending the peripheral portion of the upper conductor layer 4 downward, the effect of preventing electrical scale leakage is enhanced.

このような構造の厚膜コンデンサーでは、上部・下部導
体層4.2の周縁間の電界は第5図の矢印で示すように
、上部導体層4が下部導体層2よりも大きいことがら;
電界の範囲は上部導体層4の大きさによって決り、いず
れも誘電体層3内となり、外側のコーテイング膜5中に
は洩れ出ることはない。また、コンデンサーの容量を決
める有効面積は、下部導体層20面積で路流る。したが
って、この厚膜コンデンサーの容量値は、従来のように
コーテイング膜5の厚さ、材質によって変動することな
く安定し、設計値通りの値W示すようwarムW6 本発91IKよれば、前記実施例に限定されない。
In a thick film capacitor having such a structure, the electric field between the peripheries of the upper and lower conductor layers 4.2 is larger in the upper conductor layer 4 than in the lower conductor layer 2, as shown by the arrow in FIG.
The range of the electric field is determined by the size of the upper conductor layer 4, is within the dielectric layer 3, and does not leak into the outer coating film 5. Further, the effective area that determines the capacitance of the capacitor is the area of the lower conductor layer 20. Therefore, the capacitance value of this thick film capacitor is stable without varying depending on the thickness and material of the coating film 5 as in the past, and is warmed to show the value W according to the designed value. Not limited to examples.

例えば、第7図に示すように、上部導体層40局辺部全
体を基板lの表面に接するように曲折させ、下部導体層
2v包み込むようにすることにより、電界漏れ防止効果
をさらに高めることができる。
For example, as shown in FIG. 7, the electric field leakage prevention effect can be further enhanced by bending the entire local portion of the upper conductor layer 40 so as to contact the surface of the substrate l so as to wrap it around the lower conductor layer 2v. can.

なお、この場合下部導体層2からの配線引き出しは基板
l内に形成された配線層(図示せず)によって行なわれ
る。
In this case, wiring is drawn out from the lower conductor layer 2 through a wiring layer (not shown) formed within the substrate l.

以上のように、本発明によれば容量値が設計値となる安
定した厚膜コンデンサーを提供することかできる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a stable thick film capacitor whose capacitance value is a designed value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

縞1図は従来の厚膜コンデンサーを示す平面図、1第2
図および第3図は第1図のト」線および1−1纏に沿う
断゛間図、第4図は本発明の一実施例による厚膜コンデ
ンサーの平面図、第5図および纂6図は第4図の■−v
線および■−■線に沿う断面図である。゛第7図は本発
明の他の実施例を示す断面図である。 1・・・絶縁性基板、2・・・下部導体層、3・・・誘
電体、4・・・上部導体層、5・・・コーテイング膜、
8,9・・・電極。
Stripe 1 is a plan view showing a conventional thick film capacitor;
3 and 3 are cross-sectional views taken along line T and 1-1 in FIG. 1, FIG. 4 is a plan view of a thick film capacitor according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6. is ■-v in Figure 4
FIG. 7 is a sectional view showing another embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Insulating substrate, 2... Lower conductor layer, 3... Dielectric, 4... Upper conductor layer, 5... Coating film,
8, 9... Electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設ける下部導体
層と、この下部導体層な覆う誘電体層と、この誘電体層
上に前記下部導体層と対面するよう九設けられる上部導
体層と、この上部導体層を覆う絶縁膜と、前記上部、下
部導体層から絶縁性基板に延在する露出する電極と、か
らなる厚膜コンデンサーにおいて、上部導体層の面が下
部導体層の面より大きく形成されているこζv4I徴と
する厚膜コンデンサー、 2、上部導体層の周辺部を下−に曲折させた特許請求の
範囲第1項記載の厚膜コンデンサー。
[Claims] 1. An insulating substrate, a lower conductor layer provided on the insulating substrate, a dielectric layer covering the lower conductor layer, and a dielectric layer on the dielectric layer facing the lower conductor layer. A thick film capacitor comprising an upper conductor layer provided in the upper conductor layer, an insulating film covering the upper conductor layer, and exposed electrodes extending from the upper and lower conductor layers to the insulating substrate, wherein the surface of the upper conductor layer is 2. The thick film capacitor according to claim 1, wherein the peripheral portion of the upper conductor layer is bent downward.
JP19855281A 1981-12-11 1981-12-11 Thick film condenser Pending JPS58100413A (en)

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