JPS4968660A - - Google Patents
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- Publication number
- JPS4968660A JPS4968660A JP11044072A JP11044072A JPS4968660A JP S4968660 A JPS4968660 A JP S4968660A JP 11044072 A JP11044072 A JP 11044072A JP 11044072 A JP11044072 A JP 11044072A JP S4968660 A JPS4968660 A JP S4968660A
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- JP
- Japan
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11044072A JPS4968660A (zh) | 1972-11-04 | 1972-11-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11044072A JPS4968660A (zh) | 1972-11-04 | 1972-11-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS4968660A true JPS4968660A (zh) | 1974-07-03 |
Family
ID=14535762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11044072A Pending JPS4968660A (zh) | 1972-11-04 | 1972-11-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4968660A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56111040A (en) * | 1980-01-07 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ion implanting device |
JPS5727027A (en) * | 1980-06-17 | 1982-02-13 | Westinghouse Electric Corp | Method of forming impurity region in semiconductor body |
US7034318B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask |
JP2010539684A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のパターン化アセンブリ及び太陽電池の製造方法 |
JP2013508953A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-07 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | パターン注入用段階的マスキング |
-
1972
- 1972-11-04 JP JP11044072A patent/JPS4968660A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS56111040A (en) * | 1980-01-07 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ion implanting device |
JPS632653B2 (zh) * | 1980-01-07 | 1988-01-20 | Cho Eru Esu Ai Gijutsu Kenkyu Kumiai | |
JPS5727027A (en) * | 1980-06-17 | 1982-02-13 | Westinghouse Electric Corp | Method of forming impurity region in semiconductor body |
JPS586301B2 (ja) * | 1980-06-17 | 1983-02-03 | ウエスチングハウス エレクトリック コ−ポレ−ション | 半導体本体に不純物領域を形成する方法 |
US7034318B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask |
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JP2010539684A (ja) * | 2007-09-07 | 2010-12-16 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 太陽電池製造用のパターン化アセンブリ及び太陽電池の製造方法 |
JP2013508953A (ja) * | 2009-10-19 | 2013-03-07 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | パターン注入用段階的マスキング |