JPH1195055A - 光導波路素子の製造方法 - Google Patents
光導波路素子の製造方法Info
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- JPH1195055A JPH1195055A JP10210937A JP21093798A JPH1195055A JP H1195055 A JPH1195055 A JP H1195055A JP 10210937 A JP10210937 A JP 10210937A JP 21093798 A JP21093798 A JP 21093798A JP H1195055 A JPH1195055 A JP H1195055A
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路素子のうち電極などの外部バイアス
が不要である導波路素子を製造する場合、導波路の製造
時に当該導波路が工程中に露出する度合いを最小限にで
き、且つ工程過程において導波路に与える被害を軽減す
ることにある。 【解決手段】 (a)基板200上に下部緩衝層210を形成す
る段階と、（b）前記下部緩衝層210上に当該下部緩衝層
210より屈折率の大きい光導波路層240を形成する段階
と、（c）前記光導波路層240上に当該光導波路層240よ
り屈折率の小さい上部緩衝層を形成する段階と、（d）
所定の光導波路パターンを前記上部緩衝層上に形成する
段階と、（e）前記上部緩衝層及び光導波路層を前記光
導波路パターンにより食刻する段階と、（f）前記食刻
された結果物上に前記上部緩衝層と同様の緩衝層を形成
する段階とを有することを特徴とする。
が不要である導波路素子を製造する場合、導波路の製造
時に当該導波路が工程中に露出する度合いを最小限にで
き、且つ工程過程において導波路に与える被害を軽減す
ることにある。 【解決手段】 (a)基板200上に下部緩衝層210を形成す
る段階と、（b）前記下部緩衝層210上に当該下部緩衝層
210より屈折率の大きい光導波路層240を形成する段階
と、（c）前記光導波路層240上に当該光導波路層240よ
り屈折率の小さい上部緩衝層を形成する段階と、（d）
所定の光導波路パターンを前記上部緩衝層上に形成する
段階と、（e）前記上部緩衝層及び光導波路層を前記光
導波路パターンにより食刻する段階と、（f）前記食刻
された結果物上に前記上部緩衝層と同様の緩衝層を形成
する段階とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路素子の製造
方法（fabrication method）に係り、特に、電極などの
外部バイアス（bias）が不要になる光導波路素子を製造
する際に既存の方法を応用して容易に製造する光導波路
素子の製造方法に関する。
方法（fabrication method）に係り、特に、電極などの
外部バイアス（bias）が不要になる光導波路素子を製造
する際に既存の方法を応用して容易に製造する光導波路
素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より平面導波路技術（Planar Waveg
uide Technology）を利用して平面基板上に各種の光導
波路素子が製造されてきており、該機能を一層集積化し
ようとする研究がなされてきた。通常、利用される光導
波路素子の製造技術は、半導体の製造技術あるいはMEMS
（Micro Electro Mechanical System）技術を活かした
技術であった。
uide Technology）を利用して平面基板上に各種の光導
波路素子が製造されてきており、該機能を一層集積化し
ようとする研究がなされてきた。通常、利用される光導
波路素子の製造技術は、半導体の製造技術あるいはMEMS
（Micro Electro Mechanical System）技術を活かした
技術であった。
【０００３】前記光導波路素子を製造する従来の方法は
以下の通りである。図4(A)ないし図6(B)は、従来の光導
波路素子の製造工程を説明するための過程を示すもので
ある。まず、図4(A)に示すように、平面基板100上に下
部緩衝層（Cladding）110を蒸着し、図4(B)に示すよう
に、導波路を構成するコア層140を蒸着する。次に、図5
(A)に示すように、前記コア層140上に導波路パターンの
ためのマスキングを行い、露光（Photolithography）及
び食刻（Etching）工程を施すことによりマスキングパ
ターン150を形成する。更に、図5(B)に示すように、前
記コア層140を食刻して導波路130を形成する。ここで、
符号170は食刻された部位を示す。前記導波路130を形成
してからは、図6(A)に示すように、前記マスキングパタ
ーン150を除去する工程を経て、図6(B)に示すように、
上部緩衝層160を覆い、光導波路素子の製造を仕上げ
る。
以下の通りである。図4(A)ないし図6(B)は、従来の光導
波路素子の製造工程を説明するための過程を示すもので
ある。まず、図4(A)に示すように、平面基板100上に下
部緩衝層（Cladding）110を蒸着し、図4(B)に示すよう
に、導波路を構成するコア層140を蒸着する。次に、図5
(A)に示すように、前記コア層140上に導波路パターンの
ためのマスキングを行い、露光（Photolithography）及
び食刻（Etching）工程を施すことによりマスキングパ
ターン150を形成する。更に、図5(B)に示すように、前
記コア層140を食刻して導波路130を形成する。ここで、
符号170は食刻された部位を示す。前記導波路130を形成
してからは、図6(A)に示すように、前記マスキングパタ
ーン150を除去する工程を経て、図6(B)に示すように、
上部緩衝層160を覆い、光導波路素子の製造を仕上げ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】詳述した既存の光導波
路素子の製造方法は工程の観点からは問題はなく、今ま
でにも使用されてきた方法である。しかし、電気信号や
熱などの外部バイアス無しに作動できる素子に関して
は、前記方法による工程手順をそのまま従わなくても素
子の製造が十分可能である。さらに、導波路の製造時に
当該導波路が工程中に露出する度合いが大きいことか
ら、工程過程において当該導波路に被害を与えるおそれ
があった。
路素子の製造方法は工程の観点からは問題はなく、今ま
でにも使用されてきた方法である。しかし、電気信号や
熱などの外部バイアス無しに作動できる素子に関して
は、前記方法による工程手順をそのまま従わなくても素
子の製造が十分可能である。さらに、導波路の製造時に
当該導波路が工程中に露出する度合いが大きいことか
ら、工程過程において当該導波路に被害を与えるおそれ
があった。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、光導波路素子のうち
電極などの外部バイアスが不要である導波路素子を製造
する場合、導波路の製造時に当該導波路が工程中に露出
する度合いを最小限にでき、且つ工程過程において導波
路に与える被害を軽減できるとともに、導波路素子の製
造後、外部ストレス除去のための別途の工程を要しない
光導波路素子の製造方法を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、光導波路素子のうち
電極などの外部バイアスが不要である導波路素子を製造
する場合、導波路の製造時に当該導波路が工程中に露出
する度合いを最小限にでき、且つ工程過程において導波
路に与える被害を軽減できるとともに、導波路素子の製
造後、外部ストレス除去のための別途の工程を要しない
光導波路素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の第１の発明による光導波路素子の製
造方法は、（a）基板上に下部緩衝層を形成する段階
と、（b）前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層より屈折
率の大きい光導波路層を形成する段階と、（c）前記光
導波路層上に当該光導波路層より屈折率の小さい上部緩
衝層を形成する段階と、（d）所定の光導波路パターン
を前記上部緩衝層上に形成する段階と、（e）前記上部
緩衝層及び光導波路層を前記光導波路パターンにより食
刻する段階と、（f）前記食刻された結果物上に前記上
部緩衝層と同様の緩衝層を形成する段階とを有すること
を要旨とする。従って、光導波路素子のうち電極などの
外部バイアスが不要である導波路素子を製造する場合、
導波路の製造時に当該導波路が工程中に露出する度合い
を最小限にでき、且つ工程過程において導波路に与える
被害を軽減できるとともに、導波路素子の製造後、外部
ストレス除去のための別途の工程を要しない。
に、請求項１記載の第１の発明による光導波路素子の製
造方法は、（a）基板上に下部緩衝層を形成する段階
と、（b）前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層より屈折
率の大きい光導波路層を形成する段階と、（c）前記光
導波路層上に当該光導波路層より屈折率の小さい上部緩
衝層を形成する段階と、（d）所定の光導波路パターン
を前記上部緩衝層上に形成する段階と、（e）前記上部
緩衝層及び光導波路層を前記光導波路パターンにより食
刻する段階と、（f）前記食刻された結果物上に前記上
部緩衝層と同様の緩衝層を形成する段階とを有すること
を要旨とする。従って、光導波路素子のうち電極などの
外部バイアスが不要である導波路素子を製造する場合、
導波路の製造時に当該導波路が工程中に露出する度合い
を最小限にでき、且つ工程過程において導波路に与える
被害を軽減できるとともに、導波路素子の製造後、外部
ストレス除去のための別途の工程を要しない。
【０００７】請求項２記載の第２の発明は、前記下部緩
衝層は、前記基板と同様の材質であることを要旨とす
る。
衝層は、前記基板と同様の材質であることを要旨とす
る。
【０００８】請求項３記載の第３の発明は、前記下部緩
衝層、光導波路層及び上部緩衝層の材質は、使用する波
長帯における光学的な損失特性が良好な低損失の光学高
分子であることを要旨とする。
衝層、光導波路層及び上部緩衝層の材質は、使用する波
長帯における光学的な損失特性が良好な低損失の光学高
分子であることを要旨とする。
【０００９】請求項４記載の第４の発明は、前記下部緩
衝層、光導波路層及び上部緩衝層は、スピンコート工程
により蒸着されることを要旨とする。
衝層、光導波路層及び上部緩衝層は、スピンコート工程
により蒸着されることを要旨とする。
【００１０】請求項５記載の第５の発明は、前記下部緩
衝層、光導波路層及び上部緩衝層は、蒸着工程後、膜質
を良好にするための熱処理工程をさらに有することを要
旨とする。
衝層、光導波路層及び上部緩衝層は、蒸着工程後、膜質
を良好にするための熱処理工程をさらに有することを要
旨とする。
【００１１】請求項６記載の第６の発明は、前記（d）
段階は、（d1）前記上部緩衝層上に、前記光導波路層よ
りも強い乾式食刻耐性を有する物質の薄膜を形成する段
階と、（d2）フォトレジストを前記形成された薄膜上に
塗布する段階と、（d3）光導波路にパターンの描かれた
フォトマスクを前記結果物に整列し、前記フォトレジス
トに選択的にUV光線(紫外線)を照射する段階と、（d4）
前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行い、フ
ォトレジストパターンを形成する段階と、（d5）前記フ
ォトレジストパターンを乾式食刻し、マスキングパター
ンを形成する段階とを有することを要旨とする。
段階は、（d1）前記上部緩衝層上に、前記光導波路層よ
りも強い乾式食刻耐性を有する物質の薄膜を形成する段
階と、（d2）フォトレジストを前記形成された薄膜上に
塗布する段階と、（d3）光導波路にパターンの描かれた
フォトマスクを前記結果物に整列し、前記フォトレジス
トに選択的にUV光線(紫外線)を照射する段階と、（d4）
前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行い、フ
ォトレジストパターンを形成する段階と、（d5）前記フ
ォトレジストパターンを乾式食刻し、マスキングパター
ンを形成する段階とを有することを要旨とする。
【００１２】請求項７記載の第７の発明は、前記（d1）
段階の光導波路層よりも強い乾式食刻耐性を有する物質
の薄膜は、ポリマー、金属薄膜、シリカ薄膜、シリコン
薄膜のうちいずれか一つであることを要旨とする。
段階の光導波路層よりも強い乾式食刻耐性を有する物質
の薄膜は、ポリマー、金属薄膜、シリカ薄膜、シリコン
薄膜のうちいずれか一つであることを要旨とする。
【００１３】請求項８記載の第８の発明は、前記（d）
段階は、（d1）前記上部緩衝層上にフォトレジストを塗
布する段階と、(d2）所定の光導波路パターンが描かれ
たフォトマスクを前記結果物に整列し、前記フォトレジ
ストに選択的にUV光線(紫外線)を照射する段階と、（d
3）前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行
い、フォトレジストパターンを形成する段階と、（d4）
金属薄膜を前記形成されたフォトレジストパターン及び
上部緩衝層上に蒸着する段階と、（d5）前記結果物を有
機溶媒に入れてリフトオフし、マスキングパターンを形
成する段階とを有することを要旨とする。
段階は、（d1）前記上部緩衝層上にフォトレジストを塗
布する段階と、(d2）所定の光導波路パターンが描かれ
たフォトマスクを前記結果物に整列し、前記フォトレジ
ストに選択的にUV光線(紫外線)を照射する段階と、（d
3）前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行
い、フォトレジストパターンを形成する段階と、（d4）
金属薄膜を前記形成されたフォトレジストパターン及び
上部緩衝層上に蒸着する段階と、（d5）前記結果物を有
機溶媒に入れてリフトオフし、マスキングパターンを形
成する段階とを有することを要旨とする。
【００１４】請求項９記載の第９の発明は、前記（d4）
段階の金属薄膜は、クロムから形成されることを要旨と
する。
段階の金属薄膜は、クロムから形成されることを要旨と
する。
【００１５】請求項１０記載の第１０の発明は、前記
(ｅ)段階は、前記下部緩衝層の一部または全部の領域に
わたり食刻することを要旨とする。
(ｅ)段階は、前記下部緩衝層の一部または全部の領域に
わたり食刻することを要旨とする。
【００１６】請求項１１記載の第１１の発明は、前記
（f）段階の食刻後の緩衝層の形成は、スピンコートま
たは浸漬によりなされることを要旨とする。
（f）段階の食刻後の緩衝層の形成は、スピンコートま
たは浸漬によりなされることを要旨とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の好適な実施の形態につきさらに詳細に説明する。本発
明において使用する導波路を製造しようとする光学高分
子は、使用される光学波長帯において低損失（Low Prop
agation Loss）を有することを特徴とする光学高分子で
ある。前記光学高分子のうち一つは緩衝層と比較して屈
折率の差が略0.3%（Δn）程大きい物質であって、導波
路用高分子として使用する。この光学高分子を用いて本
発明による光導波路素子を構成する製造方法は以下の通
りである。
の好適な実施の形態につきさらに詳細に説明する。本発
明において使用する導波路を製造しようとする光学高分
子は、使用される光学波長帯において低損失（Low Prop
agation Loss）を有することを特徴とする光学高分子で
ある。前記光学高分子のうち一つは緩衝層と比較して屈
折率の差が略0.3%（Δn）程大きい物質であって、導波
路用高分子として使用する。この光学高分子を用いて本
発明による光導波路素子を構成する製造方法は以下の通
りである。
【００１８】まず、図1(A)に示すように、基板はシリコ
ンウェーハ（Si Wafer）や硝子など表面の平坦性が良好
な平面基板200を用いる。前記平面基板200の表面に下部
緩衝層（Lower Clad）210を形成(重合)する。前記下部
緩衝層210の物質は導波路として使用する物質よりも屈
折率が小さく、使用する波長において光透明性を有する
物質である。前記下部緩衝層210は半導体工程のスピン
コート法(スピンコータ法)を用いて蒸着する。前記下部
緩衝層210を有効に運用するには約20μmの厚さが必要と
される。蒸着後、熱処理により膜質を良好にする。そし
て、前記下部緩衝層210は前記平面基板200と同様な材質
を使用することも可能である。
ンウェーハ（Si Wafer）や硝子など表面の平坦性が良好
な平面基板200を用いる。前記平面基板200の表面に下部
緩衝層（Lower Clad）210を形成(重合)する。前記下部
緩衝層210の物質は導波路として使用する物質よりも屈
折率が小さく、使用する波長において光透明性を有する
物質である。前記下部緩衝層210は半導体工程のスピン
コート法(スピンコータ法)を用いて蒸着する。前記下部
緩衝層210を有効に運用するには約20μmの厚さが必要と
される。蒸着後、熱処理により膜質を良好にする。そし
て、前記下部緩衝層210は前記平面基板200と同様な材質
を使用することも可能である。
【００１９】次の工程は図1(B)に示すように、コア層24
0を形成(重合)するために、前記下部緩衝層210の物質よ
りも屈折率が約0.3%（Δn）程大きい導波路用低損失光
学高分子を、前記下部緩衝層210上にスピンコートして
蒸着する。蒸着後、熱処理工程により膜質を良好にす
る。なお、コア層240の厚さは約7μmである。
0を形成(重合)するために、前記下部緩衝層210の物質よ
りも屈折率が約0.3%（Δn）程大きい導波路用低損失光
学高分子を、前記下部緩衝層210上にスピンコートして
蒸着する。蒸着後、熱処理工程により膜質を良好にす
る。なお、コア層240の厚さは約7μmである。
【００２０】次の工程は、図2(A)に示すように、前記形
成されたコア層240上に前記下部緩衝層210を形成すると
きに使用した光学高分子を用い、上部緩衝層220をスピ
ンコートにより形成する。前記上部緩衝層220の最適厚
さは約20μm内外である。図2(A)は本発明の好適な一実
施の形態による平面基板200上に形成された下部緩衝層2
10と、当該下部緩衝層210の物質よりも屈折率が大きい
コア層240とを重合させ、上部緩衝層220などの三つの層
が重合された構造を示す。
成されたコア層240上に前記下部緩衝層210を形成すると
きに使用した光学高分子を用い、上部緩衝層220をスピ
ンコートにより形成する。前記上部緩衝層220の最適厚
さは約20μm内外である。図2(A)は本発明の好適な一実
施の形態による平面基板200上に形成された下部緩衝層2
10と、当該下部緩衝層210の物質よりも屈折率が大きい
コア層240とを重合させ、上部緩衝層220などの三つの層
が重合された構造を示す。
【００２１】図2(B)は導波路パターンを製作するための
マスキングパターン250を形成した図である。マスキン
グのための物質としてはポリマー、金属薄膜、シリカ薄
膜、またはシリコン薄膜などコア層240よりも乾式食刻
耐性が強い物質を使用するか、それともリフトオフ工程
のためのクロム（Cr）などの金属薄膜を使用する。
マスキングパターン250を形成した図である。マスキン
グのための物質としてはポリマー、金属薄膜、シリカ薄
膜、またはシリコン薄膜などコア層240よりも乾式食刻
耐性が強い物質を使用するか、それともリフトオフ工程
のためのクロム（Cr）などの金属薄膜を使用する。
【００２２】図2(B)に示すようにマスキングパターン25
0を乾式食刻により形成する工程について説明すれば以
下の通りである。まず、光学高分子の上部緩衝層220上
にスパッタリング、E-ビーム（E-beam）、または熱蒸発
（Thermal Evaporation）などの真空蒸着法により約300
〜500Åのシリカ薄膜を形成する。次に、フォトレジス
ト（Photoresist:以下、PRという。）をスピンコート法
(スピンコータ法)により塗布した後、パターンの描かれ
たフォトマスクを基板に整列し、PRに選択的(例えば、
パターンの描かれたフォトマスク部位またはパターンの
描かれたフォトマスク部位以外の部位に)にUV光線(紫外
線)を照射する。この工程が終わると、PRを現像液に浸
漬し現像を行ないPRパターンを形成した後、乾式食刻に
よりPRパターンに沿ってマスキングパターン250を形成
する。
0を乾式食刻により形成する工程について説明すれば以
下の通りである。まず、光学高分子の上部緩衝層220上
にスパッタリング、E-ビーム（E-beam）、または熱蒸発
（Thermal Evaporation）などの真空蒸着法により約300
〜500Åのシリカ薄膜を形成する。次に、フォトレジス
ト（Photoresist:以下、PRという。）をスピンコート法
(スピンコータ法)により塗布した後、パターンの描かれ
たフォトマスクを基板に整列し、PRに選択的(例えば、
パターンの描かれたフォトマスク部位またはパターンの
描かれたフォトマスク部位以外の部位に)にUV光線(紫外
線)を照射する。この工程が終わると、PRを現像液に浸
漬し現像を行ないPRパターンを形成した後、乾式食刻に
よりPRパターンに沿ってマスキングパターン250を形成
する。
【００２３】一方、前記マスキングパターン250をリフ
トオフ法により形成する工程について説明すれば以下の
通りである。まず、既に形成された上部緩衝層220上にP
Rをスピンコート法により塗布する、次に、パターンの
描かれたフォトマスクを基板に整列し、PRに選択的(例
えば、パターンの描かれたフォトマスク部位またはパタ
ーンの描かれたフォトマスク部位以外の部位に)にUV光
線を照射する。この工程が終わると、PRを現像液に浸漬
して現像を行い、PRパターンを形成した後、スパッタリ
ング、E-ビーム、または熱蒸発などの真空蒸着方法を通
じてCr(クロム)などの金属薄膜を蒸着する。次に、アセ
トン溶液などの有機溶媒などに入れてリフトオフし、導
波路用のマスキングパターン250を形成する。
トオフ法により形成する工程について説明すれば以下の
通りである。まず、既に形成された上部緩衝層220上にP
Rをスピンコート法により塗布する、次に、パターンの
描かれたフォトマスクを基板に整列し、PRに選択的(例
えば、パターンの描かれたフォトマスク部位またはパタ
ーンの描かれたフォトマスク部位以外の部位に)にUV光
線を照射する。この工程が終わると、PRを現像液に浸漬
して現像を行い、PRパターンを形成した後、スパッタリ
ング、E-ビーム、または熱蒸発などの真空蒸着方法を通
じてCr(クロム)などの金属薄膜を蒸着する。次に、アセ
トン溶液などの有機溶媒などに入れてリフトオフし、導
波路用のマスキングパターン250を形成する。
【００２４】図2(B)の工程の終了後に、垂直食刻工程を
通じて上部緩衝層220及びコア層240を食刻する。一例と
して、真空状態で基板の上部からプラズマを加えると、
マスキングパターン250の形成されている部分はプラズ
マにより食刻されず、マスキングの形成されていない部
分はプラズマにより食刻される。食刻時に、導波路230
の形成されるコア層240までの正確な食刻深さの調節は
必要なく、下部緩衝層210の一部まで食刻しても構わな
い。図3(A)は導波路パターンを形成するために、下部緩
衝層210の一部までを垂直食刻した様子を示す。符号270
は食刻部位を示し、符号280は食刻後の下部緩衝層を、
符号290は食刻後の上部緩衝層をそれぞれ示す。
通じて上部緩衝層220及びコア層240を食刻する。一例と
して、真空状態で基板の上部からプラズマを加えると、
マスキングパターン250の形成されている部分はプラズ
マにより食刻されず、マスキングの形成されていない部
分はプラズマにより食刻される。食刻時に、導波路230
の形成されるコア層240までの正確な食刻深さの調節は
必要なく、下部緩衝層210の一部まで食刻しても構わな
い。図3(A)は導波路パターンを形成するために、下部緩
衝層210の一部までを垂直食刻した様子を示す。符号270
は食刻部位を示し、符号280は食刻後の下部緩衝層を、
符号290は食刻後の上部緩衝層をそれぞれ示す。
【００２５】図3(B)は最終の工程であって、図3(A)に示
す食刻された結果物上に、緩衝層260を下部緩衝層と同
様の高分子をスピンコート、または浸漬（Dipping）し
て製作した後に熱処理を施して、製造が完了する。この
工程においてはマスキングパターン250を除去せずに緩
衝層260により覆う。このようにして、導波路に影響を
与える外部ストレスを除去できる。
す食刻された結果物上に、緩衝層260を下部緩衝層と同
様の高分子をスピンコート、または浸漬（Dipping）し
て製作した後に熱処理を施して、製造が完了する。この
工程においてはマスキングパターン250を除去せずに緩
衝層260により覆う。このようにして、導波路に影響を
与える外部ストレスを除去できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は光導波路
素子のうち電極などの外部バイアスが不要である導波路
素子を製造する場合、導波路の製造時に当該導波路が工
程中に露出する度合いを最小限にでき、且つ工程過程に
おいて導波路に与えられる被害を軽減できる。そして、
電気信号や熱など外部バイアス無しにも作動可能な素子
の製造するためには、本発明による方法を使用するとき
工程進行が一層円滑にでき、導波路の製造時に当該導波
路が工程中に露出する度合いを最小限にできることか
ら、工程過程において導波路に与える被害を軽減でき
る。また、導波路素子の製造後、導波路に影響を与えう
る外部ストレスの除去が別途の追加工程なしに可能であ
る。
素子のうち電極などの外部バイアスが不要である導波路
素子を製造する場合、導波路の製造時に当該導波路が工
程中に露出する度合いを最小限にでき、且つ工程過程に
おいて導波路に与えられる被害を軽減できる。そして、
電気信号や熱など外部バイアス無しにも作動可能な素子
の製造するためには、本発明による方法を使用するとき
工程進行が一層円滑にでき、導波路の製造時に当該導波
路が工程中に露出する度合いを最小限にできることか
ら、工程過程において導波路に与える被害を軽減でき
る。また、導波路素子の製造後、導波路に影響を与えう
る外部ストレスの除去が別途の追加工程なしに可能であ
る。
【図１】本発明の好適な一実施の形態による光導波路素
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
【図２】本発明の好適な一実施の形態による光導波路素
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
【図３】本発明の好適な一実施の形態による光導波路素
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
子の製造方法を説明するための製造工程手順図である。
【図４】従来の光導波路素子の製造工程を説明するため
の製造工程手順図である。
の製造工程手順図である。
【図５】従来の光導波路素子の製造工程を説明するため
の製造工程手順図である。
の製造工程手順図である。
【図６】従来の光導波路素子の製造工程を説明するため
の製造工程手順図である。
の製造工程手順図である。
200 平面基板 210 下部緩衝層 220 上部緩衝層 230 導波路 240 コア層 250 マスキングパターン 260 緩衝層 270 食刻部位 280 食刻後の下部緩衝層 290 食刻後の上部緩衝層
Claims (11)
- 【請求項１】 （a）基板上に下部緩衝層を形成する段
階と、 （b）前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層より屈折率の
大きい光導波路層を形成する段階と、 （c）前記光導波路層上に当該光導波路層より屈折率の
小さい上部緩衝層を形成する段階と、 （d）所定の光導波路パターンを前記上部緩衝層上に形
成する段階と、 （e）前記上部緩衝層及び光導波路層を前記光導波路パ
ターンにより食刻する段階と、 （f）前記食刻された結果物上に前記上部緩衝層と同様
の緩衝層を形成する段階と、 を有することを特徴とする光導波路素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記下部緩衝層は、前記基板と同様の材
質であることを特徴とする請求項１に記載の光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項３】 前記下部緩衝層、光導波路層及び上部緩
衝層の材質は、使用する波長帯における光学的な損失特
性が良好な低損失の光学高分子であることを特徴とする
請求項１または請求項２のいずれかに記載の光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項４】 前記下部緩衝層、光導波路層及び上部緩
衝層は、スピンコート工程により蒸着されることを特徴
とする請求項３に記載の光導波路素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記下部緩衝層、光導波路層及び上部緩
衝層は、蒸着工程後、膜質を良好にするための熱処理工
程をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の光
導波路素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記（d）段階は、 （d1）前記上部緩衝層上に、前記光導波路層よりも強い
乾式食刻耐性を有する物質の薄膜を形成する段階と、 （d2）フォトレジストを前記形成された薄膜上に塗布す
る段階と、 （d3）光導波路にパターンの描かれたフォトマスクを前
記結果物に整列し、前記フォトレジストに選択的にUV光
線(紫外線)を照射する段階と、 （d4）前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行
い、フォトレジストパターンを形成する段階と、 （d5）前記フォトレジストパターンを乾式食刻し、マス
キングパターンを形成する段階と、 を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項７】 前記（d1）段階の光導波路層よりも強い
乾式食刻耐性を有する物質の薄膜は、ポリマー、金属薄
膜、シリカ薄膜、シリコン薄膜のうちいずれか一つであ
ることを特徴とする請求項６に記載の光導波路素子の製
造方法。 - 【請求項８】 前記（d）段階は、 （d1）前記上部緩衝層上にフォトレジストを塗布する段
階と、 （d2）所定の光導波路パターンが描かれたフォトマスク
を前記結果物に整列し、前記フォトレジストに選択的に
UV光線(紫外線)を照射する段階と、 （d3）前記フォトレジストを現像液に浸漬して現像を行
い、フォトレジストパターンを形成する段階と、 （d4）金属薄膜を前記形成されたフォトレジストパター
ン及び上部緩衝層上に蒸着する段階と、 （d5）前記結果物を有機溶媒に入れてリフトオフし、マ
スキングパターンを形成する段階と、 を有することを特徴とする請求項１に記載の光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項９】 前記（d4）段階の金属薄膜は、クロムか
ら形成されることを特徴とする請求項８に記載の光導波
路素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記(ｅ)段階は、前記下部緩衝層の一
部または全部の領域にわたり食刻することを特徴とする
請求項１に記載の光導波路素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記（f）段階の食刻後の緩衝層の形
成は、スピンコートまたは浸漬によりなされることを特
徴とする請求項１に記載の光導波路素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997-35589 | 1997-07-28 | ||
| KR1019970035589A KR19990012248A (ko) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 광도파로 소자의 제작방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195055A true JPH1195055A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=19515971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10210937A Pending JPH1195055A (ja) | 1997-07-28 | 1998-07-27 | 光導波路素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195055A (ja) |
| KR (1) | KR19990012248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756319B2 (en) | 2000-07-06 | 2004-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silica microstructure and fabrication method thereof |
-
1997
- 1997-07-28 KR KR1019970035589A patent/KR19990012248A/ko not_active Application Discontinuation
-
1998
- 1998-07-27 JP JP10210937A patent/JPH1195055A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756319B2 (en) | 2000-07-06 | 2004-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Silica microstructure and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990012248A (ko) | 1999-02-25 |
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