JPH1184178A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH1184178A JPH1184178A JP23687397A JP23687397A JPH1184178A JP H1184178 A JPH1184178 A JP H1184178A JP 23687397 A JP23687397 A JP 23687397A JP 23687397 A JP23687397 A JP 23687397A JP H1184178 A JPH1184178 A JP H1184178A
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- JP
- Japan
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- fiber
- semiconductor laser
- optical
- terminal
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- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 将来の光加入者に対しても、容易に低いコス
トで適用できる半導体レーザモジュールを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 従来の光アイソレータに代わって、光サ
ーキュレータ１３をモジュール内部に搭載し、光サーキ
ュレータ１３の第１の端子に半導体レーザ１１、第２の
端子に第１ピグテールファイバ１５、第３の端子に第２
ピグテールファイバ１７を設けるようにしている。
トで適用できる半導体レーザモジュールを提供すること
を目的とする。 【解決手段】 従来の光アイソレータに代わって、光サ
ーキュレータ１３をモジュール内部に搭載し、光サーキ
ュレータ１３の第１の端子に半導体レーザ１１、第２の
端子に第１ピグテールファイバ１５、第３の端子に第２
ピグテールファイバ１７を設けるようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信装
置において、光源として用いられる半導体レーザモジュ
ールに関するものである。
置において、光源として用いられる半導体レーザモジュ
ールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザモジュールは、それ
に接続される光学系からの反射光により、レーザ動作が
不安定になる現象（戻り光雑音）を避ける目的で、光ア
イソレータを内蔵するようになっている（例えば、文献
名：光増幅器とその応用 石尾監修 オーム社参照）。
に接続される光学系からの反射光により、レーザ動作が
不安定になる現象（戻り光雑音）を避ける目的で、光ア
イソレータを内蔵するようになっている（例えば、文献
名：光増幅器とその応用 石尾監修 オーム社参照）。
【０００３】図３はかかる従来の半導体レーザモジュー
ルの構成図である。この図に示すように、半導体レーザ
モジュールの半導体レーザ（ＬＤ）１からの光は第１の
レンズ２を介して伝送され、光アイソレータ３を経て第
２のレンズ４、更にはピグテールファイバ５に伝送され
るようになっている。
ルの構成図である。この図に示すように、半導体レーザ
モジュールの半導体レーザ（ＬＤ）１からの光は第１の
レンズ２を介して伝送され、光アイソレータ３を経て第
２のレンズ４、更にはピグテールファイバ５に伝送され
るようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体レーザモジュールでは、将来の光加入者
における双方向通信や、基幹系大容量通信に用いられる
光源用ＬＤモジュールには、追加光学部品として外部に
新たに光サーキュレータが必要となり、実装、価格、挿
入損失の増大などの問題があった。
た従来の半導体レーザモジュールでは、将来の光加入者
における双方向通信や、基幹系大容量通信に用いられる
光源用ＬＤモジュールには、追加光学部品として外部に
新たに光サーキュレータが必要となり、実装、価格、挿
入損失の増大などの問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決するために、
将来の光加入者に対しても、容易に低いコストで適用で
きる半導体レーザモジュールを提供することを目的とす
る。
将来の光加入者に対しても、容易に低いコストで適用で
きる半導体レーザモジュールを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕光ファイバ通信装置に用いられる半導体レーザモ
ジュールにおいて、光サーキュレータをモジュール内部
に搭載し、前記光サーキュレータの第１の端子に半導体
レーザを、第２の端子に第１出力ファイバを、第３の端
子に第２出力ファイバをそれぞれ具備するようにしたも
のである。
成するために、 〔１〕光ファイバ通信装置に用いられる半導体レーザモ
ジュールにおいて、光サーキュレータをモジュール内部
に搭載し、前記光サーキュレータの第１の端子に半導体
レーザを、第２の端子に第１出力ファイバを、第３の端
子に第２出力ファイバをそれぞれ具備するようにしたも
のである。
【０００７】〔２〕上記〔１〕記載の半導体レーザモジ
ュールにおいて、前記第１出力ファイバに受光デバイス
を接続し、光双方向伝送方式の半導体レーザ光源及び受
信分離モジュールとして用いるようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体レーザモジュールにおい
て、前記第２出力ファイバに反射型光デバイスを接続
し、半導体レーザ光源のチャープ補償や光変調を行うモ
ジュールとして用いるようにしたものである。
ュールにおいて、前記第１出力ファイバに受光デバイス
を接続し、光双方向伝送方式の半導体レーザ光源及び受
信分離モジュールとして用いるようにしたものである。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体レーザモジュールにおい
て、前記第２出力ファイバに反射型光デバイスを接続
し、半導体レーザ光源のチャープ補償や光変調を行うモ
ジュールとして用いるようにしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体レーザモジュールの構成図である。
この図において、１１はＬＤ（半導体レーザ）、１２は
第１のレンズ、１３は光サーキュレータ、１４は第２の
レンズ、１５は第１ピグテールファイバ（第１出力ファ
イバ）、１６は第３のレンズ、１７は第２ピグテールフ
ァイバ（第２出力ファイバ）、１８はＰＤ（受光ダイオ
ード）である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体レーザモジュールの構成図である。
この図において、１１はＬＤ（半導体レーザ）、１２は
第１のレンズ、１３は光サーキュレータ、１４は第２の
レンズ、１５は第１ピグテールファイバ（第１出力ファ
イバ）、１６は第３のレンズ、１７は第２ピグテールフ
ァイバ（第２出力ファイバ）、１８はＰＤ（受光ダイオ
ード）である。
【０００９】このように、この実施例では、従来の光ア
イソレータに代わって、光サーキュレータ１３をモジュ
ール内部に搭載し、光サーキュレータ１３の第１の端子
にＬＤ１１、第２の端子に第１ピグテールファイバ１
５、第３の端子に第２ピグテールファイバ１７を設ける
ようにしている。そこで、ＬＤ１１の出力は光サーキュ
レータ１３を介して、第１ピグテールファイバ１５に出
力され、それに繋がる伝送路ファイバに光信号が送出さ
れる。双方向通信では、伝送路ファイバを逆方向に、受
信光信号が戻ってくるが、これは本モジュールの第１ピ
グテールファイバ１５を通じて、光サーキュレータ１３
で分離され、第２ピグテールファイバ１７に出力され
る。
イソレータに代わって、光サーキュレータ１３をモジュ
ール内部に搭載し、光サーキュレータ１３の第１の端子
にＬＤ１１、第２の端子に第１ピグテールファイバ１
５、第３の端子に第２ピグテールファイバ１７を設ける
ようにしている。そこで、ＬＤ１１の出力は光サーキュ
レータ１３を介して、第１ピグテールファイバ１５に出
力され、それに繋がる伝送路ファイバに光信号が送出さ
れる。双方向通信では、伝送路ファイバを逆方向に、受
信光信号が戻ってくるが、これは本モジュールの第１ピ
グテールファイバ１５を通じて、光サーキュレータ１３
で分離され、第２ピグテールファイバ１７に出力され
る。
【００１０】このように、第１実施例によれば、光サー
キュレータ１３は送信光パワーに対しては、ＬＤ１１へ
の戻り光を抑圧する光アイソレータとして機能すると共
に、光双方向伝送で同一ファイバを逆流してくる受信光
信号を、第２ピグテールファイバ１７の出力に受光ダイ
オード（ＰＤ）１８を接続し、検波することにより、簡
単に受信光信号を得ることができる。
キュレータ１３は送信光パワーに対しては、ＬＤ１１へ
の戻り光を抑圧する光アイソレータとして機能すると共
に、光双方向伝送で同一ファイバを逆流してくる受信光
信号を、第２ピグテールファイバ１７の出力に受光ダイ
オード（ＰＤ）１８を接続し、検波することにより、簡
単に受信光信号を得ることができる。
【００１１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図２は本発明の第２実施例を示す半導体レーザモジ
ュールの構成図である。この図において、２１はＬＤ、
２２は第１のレンズ、２３は光サーキュレータ、２４は
第２のレンズ、２５は第１ピグテールファイバ（第１出
力ファイバ）、２６は反射型光デバイス、２７は第３の
レンズ、２８は第２ピグテールファイバ（第２出力ファ
イバ）である。
る。図２は本発明の第２実施例を示す半導体レーザモジ
ュールの構成図である。この図において、２１はＬＤ、
２２は第１のレンズ、２３は光サーキュレータ、２４は
第２のレンズ、２５は第１ピグテールファイバ（第１出
力ファイバ）、２６は反射型光デバイス、２７は第３の
レンズ、２８は第２ピグテールファイバ（第２出力ファ
イバ）である。
【００１２】このように、この実施例では、従来の光ア
イソレータに代わって、光サーキュレータ２３をモジュ
ール内部に搭載し、その光サーキュレータ２３の第１の
端子にＬＤ２１、第２の端子に第１ピグテールファイバ
２５、第３の端子に第２ピグテールファイバ２８を設け
るようにしている。そこで、ＬＤ２１からの光出力信号
はサーキュレータ２３を介して、第１ピグテールファイ
バ２５に接続され、第１ピグテールファイバ２５の出力
は、反射型光デバイス２６により反射されて第１ピグテ
ールファイバ２５に再度入力される。続いて、この反射
信号はサーキュレータ２３を介して、第２ピグテールフ
ァイバ２８に接続され、後段の伝送路ファイバに出力さ
れる。
イソレータに代わって、光サーキュレータ２３をモジュ
ール内部に搭載し、その光サーキュレータ２３の第１の
端子にＬＤ２１、第２の端子に第１ピグテールファイバ
２５、第３の端子に第２ピグテールファイバ２８を設け
るようにしている。そこで、ＬＤ２１からの光出力信号
はサーキュレータ２３を介して、第１ピグテールファイ
バ２５に接続され、第１ピグテールファイバ２５の出力
は、反射型光デバイス２６により反射されて第１ピグテ
ールファイバ２５に再度入力される。続いて、この反射
信号はサーキュレータ２３を介して、第２ピグテールフ
ァイバ２８に接続され、後段の伝送路ファイバに出力さ
れる。
【００１３】このように、第２実施例によれば、反射型
光デバイス２６に、チャープグレーティングファイバも
しくは全反射型エタロンを用いて、第１ピグテールファ
イバ２５の出力に含まれるＬＤ周波数のチャープを補償
することができる。また、反射型光デバイス２６に、反
射型強度光変調器を用いれば、ＬＤ２１の出力の外部変
調が行え、しかも、ファイバの変調器に対するアライメ
ントが１箇所で済む。
光デバイス２６に、チャープグレーティングファイバも
しくは全反射型エタロンを用いて、第１ピグテールファ
イバ２５の出力に含まれるＬＤ周波数のチャープを補償
することができる。また、反射型光デバイス２６に、反
射型強度光変調器を用いれば、ＬＤ２１の出力の外部変
調が行え、しかも、ファイバの変調器に対するアライメ
ントが１箇所で済む。
【００１４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、将来の光加入者に
対しても、容易に適用できる半導体レーザモジュールを
提供することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、将来の光加入者に
対しても、容易に適用できる半導体レーザモジュールを
提供することができる。
【００１６】（２）請求項２記載の発明によれば、光サ
ーキュレータは送信光パワーに対しては、半導体レーザ
への戻り光を抑圧する光アイソレータとして機能すると
共に、光双方向伝送で同一ファイバを逆流してくる受信
光信号を、第２ピグテールファイバの出力に受光ダイオ
ードを接続し、検波することにより、簡単に受信光信号
を得ることができる。
ーキュレータは送信光パワーに対しては、半導体レーザ
への戻り光を抑圧する光アイソレータとして機能すると
共に、光双方向伝送で同一ファイバを逆流してくる受信
光信号を、第２ピグテールファイバの出力に受光ダイオ
ードを接続し、検波することにより、簡単に受信光信号
を得ることができる。
【００１７】（３）請求項３記載の発明によれば、反射
型光デバイスに、チャープグレーティングファイバもし
くは全反射型エタロンを用いて、第１ピグテールファイ
バの出力に含まれるＬＤ周波数のチャープを補償するこ
とができる。また、反射型光デバイスに、反射型強度光
変調器を用いれば、半導体レーザの出力の外部変調が行
え、しかも、ファイバの変調器に対するアライメントが
１箇所で済む。
型光デバイスに、チャープグレーティングファイバもし
くは全反射型エタロンを用いて、第１ピグテールファイ
バの出力に含まれるＬＤ周波数のチャープを補償するこ
とができる。また、反射型光デバイスに、反射型強度光
変調器を用いれば、半導体レーザの出力の外部変調が行
え、しかも、ファイバの変調器に対するアライメントが
１箇所で済む。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体レーザモジュ
ールの構成図である。
ールの構成図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す半導体レーザモジュ
ールの構成図である。
ールの構成図である。
【図３】従来の半導体レーザモジュールの構成図であ
る。
る。
１１，２１ ＬＤ（半導体レーザ） １２，２２ 第１のレンズ １３，２３ 光サーキュレータ １４，２４ 第２のレンズ １５，２５ 第１ピグテールファイバ（第１出力ファ
イバ） １６，２７ 第３のレンズ １７，２８ 第２ピグテールファイバ（第２出力ファ
イバ） １８ ＰＤ（受光ダイオード） ２６ 反射型光デバイス
イバ） １６，２７ 第３のレンズ １７，２８ 第２ピグテールファイバ（第２出力ファ
イバ） １８ ＰＤ（受光ダイオード） ２６ 反射型光デバイス
Claims (3)
- 【請求項１】 光ファイバ通信装置に用いられる半導体
レーザモジュールにおいて、 光サーキュレータをモジュール内部に搭載し、前記光サ
ーキュレータの第１の端子に半導体レーザを、第２の端
子に第１出力ファイバを、第３の端子に第２出力ファイ
バをそれぞれ具備することを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザモジュール
において、前記第２出力ファイバに受光デバイスを接続
し、光双方向伝送方式の半導体レーザ光源及び受信分離
モジュールとして用いるようにしたことを特徴とする半
導体レーザモジュール。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザモジュール
において、前記第１出力ファイバに反射型光デバイスを
接続し、半導体レーザ光源のチャープ補償や光変調を行
うモジュールとして用いるようにしたことを特徴とする
半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23687397A JPH1184178A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23687397A JPH1184178A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184178A true JPH1184178A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17007064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23687397A Pending JPH1184178A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100324797B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2002-02-20 | 이재승 | 파장분할다중화 무선 광통신 시스템 |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP23687397A patent/JPH1184178A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100324797B1 (ko) * | 2000-03-27 | 2002-02-20 | 이재승 | 파장분할다중화 무선 광통신 시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070213 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |