JPH1183623A - 焦電型赤外線検出器 - Google Patents
焦電型赤外線検出器Info
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- JPH1183623A JPH1183623A JP26085997A JP26085997A JPH1183623A JP H1183623 A JPH1183623 A JP H1183623A JP 26085997 A JP26085997 A JP 26085997A JP 26085997 A JP26085997 A JP 26085997A JP H1183623 A JPH1183623 A JP H1183623A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 検出器を小型化するとともに、製造を容易に
し、かつ各種のノイズ対策が十分になされた焦電型赤外
線検出器を提供する。 【解決手段】 配線基板２の母材を誘電体で構成し、基
板の上面、または上下面、または上面並びに上下面には
少なくとも１対のコンデンサ電極を形成し、これにより
配線基板自体にコンデンサを形成することにより、赤外
線検出器を小型化するとともに、ＦＥＴ２１に対する各
種のノイズを除去する。
し、かつ各種のノイズ対策が十分になされた焦電型赤外
線検出器を提供する。 【解決手段】 配線基板２の母材を誘電体で構成し、基
板の上面、または上下面、または上面並びに上下面には
少なくとも１対のコンデンサ電極を形成し、これにより
配線基板自体にコンデンサを形成することにより、赤外
線検出器を小型化するとともに、ＦＥＴ２１に対する各
種のノイズを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、人体検知システム等に
用いられる焦電型赤外線検出器に関するものである。
用いられる焦電型赤外線検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】既によく知られているように、焦電体は
赤外線を受けるとその熱エネルギーを吸収して温度変化
を生じ、自発分極が変化し、表面に電荷が生じる。この
ように微少温度変化に比例して表面に電荷が誘起され、
この電荷が外部回路によって電圧として検出される。焦
電型赤外線検出器はこのような焦電効果を利用し、人体
検出等に用いられている。
赤外線を受けるとその熱エネルギーを吸収して温度変化
を生じ、自発分極が変化し、表面に電荷が生じる。この
ように微少温度変化に比例して表面に電荷が誘起され、
この電荷が外部回路によって電圧として検出される。焦
電型赤外線検出器はこのような焦電効果を利用し、人体
検出等に用いられている。
【０００３】このような焦電型赤外線検出器は、防犯用
等をはじめとして広く民生機器にも用いられるようにな
り、使用環境も多種多様になってきている。このような
状況で、外部からの高周波電磁界による妨害（Radio Fr
equency Interference：以下ＲＦＩという）により、焦
電型赤外線検出器が誤動作する問題が多くなっており、
ＲＦＩ対策が求められている。
等をはじめとして広く民生機器にも用いられるようにな
り、使用環境も多種多様になってきている。このような
状況で、外部からの高周波電磁界による妨害（Radio Fr
equency Interference：以下ＲＦＩという）により、焦
電型赤外線検出器が誤動作する問題が多くなっており、
ＲＦＩ対策が求められている。
【０００４】特開昭６０−１２５５３０号にはＲＦＩ対
策を施した焦電型赤外線検出器が開示されており、この
特許公開公報の第２図には、電界効果型トランジスタ
（以下ＦＥＴという。）のソース端子とグランド端子
間、あるいはドレイン端子とグランド端子間には個別部
品としてそれぞれコンデンサを配置する構成が示されて
いる。このような構成により、ＲＦＩノイズがＦＥＴ内
に導入される前にグランド端子に逃がすという作用を得
ている。
策を施した焦電型赤外線検出器が開示されており、この
特許公開公報の第２図には、電界効果型トランジスタ
（以下ＦＥＴという。）のソース端子とグランド端子
間、あるいはドレイン端子とグランド端子間には個別部
品としてそれぞれコンデンサを配置する構成が示されて
いる。このような構成により、ＲＦＩノイズがＦＥＴ内
に導入される前にグランド端子に逃がすという作用を得
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、赤外線
検出装置の小型化に伴って、赤外線検出器もよりいっそ
うの小型化が求められており、上記特開昭６０−１２５
５３０号に示すように、ＦＥＴ、抵抗に加えて、複数の
コンデンサを検出器内に収納するには、上記小型化を満
足させることができないとともに、検出器内部の搭載基
板の電極配線が複雑になり、短絡事故の発生要因となっ
たり、製造工数の増加を招いていた。また、電極配線自
体がアンテナとなってノイズを拾うことがあり、このよ
うなノイズが微小なものであっても、検出器内部は高イ
ンピーダンスであるので、ノイズの悪影響が顕在化して
くるという問題を有していた。
検出装置の小型化に伴って、赤外線検出器もよりいっそ
うの小型化が求められており、上記特開昭６０−１２５
５３０号に示すように、ＦＥＴ、抵抗に加えて、複数の
コンデンサを検出器内に収納するには、上記小型化を満
足させることができないとともに、検出器内部の搭載基
板の電極配線が複雑になり、短絡事故の発生要因となっ
たり、製造工数の増加を招いていた。また、電極配線自
体がアンテナとなってノイズを拾うことがあり、このよ
うなノイズが微小なものであっても、検出器内部は高イ
ンピーダンスであるので、ノイズの悪影響が顕在化して
くるという問題を有していた。
【０００６】さらに検出器を設置する環境によっては、
ＥＳＤ（electro static discharge;静電気放電）等に
よるハイパワーのノイズが各端子から侵入し、ＦＥＴを
破壊することがあり、このＥＳＤのようなノイズ対策も
求められていた。
ＥＳＤ（electro static discharge;静電気放電）等に
よるハイパワーのノイズが各端子から侵入し、ＦＥＴを
破壊することがあり、このＥＳＤのようなノイズ対策も
求められていた。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、検出器を小型化するとともに、製造を容易
にし、かつ各種のノイズ対策が十分になされた焦電型赤
外線検出器を提供することを目的とする。
れたもので、検出器を小型化するとともに、製造を容易
にし、かつ各種のノイズ対策が十分になされた焦電型赤
外線検出器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、配線基板の母
材を誘電体で構成し、基板の上面、または上下面、また
は上面並びに上下面には少なくとも１対のコンデンサ電
極を形成し、これにより配線基板自体にコンデンサを形
成することにより、赤外線検出器を小型化するととも
に、前記ＦＥＴに対する各種のノイズを除去することに
着目してなされたものである。
材を誘電体で構成し、基板の上面、または上下面、また
は上面並びに上下面には少なくとも１対のコンデンサ電
極を形成し、これにより配線基板自体にコンデンサを形
成することにより、赤外線検出器を小型化するととも
に、前記ＦＥＴに対する各種のノイズを除去することに
着目してなされたものである。
【０００９】すなわち、請求項１に記載したように、光
学フィルタにより選択的に入射した赤外線を検知する焦
電素子と、当該焦電素子に対して並列に接続されるバイ
アス抵抗と、これら並列回路の一端と接続されるゲート
端子を有する電界効果型トランジスタと、を配線基板に
搭載するとともに、前記並列回路の他端はグランド端子
と接続され、これら各構成要素がシールドケース内に収
納されてなる焦電型赤外線検出器であって、前記配線基
板は誘電体からなり、基板の上面、または上下面、また
は上面並びに上下面に形成されたコンデンサ電極によ
り、前記電界効果型トランジスタのドレイン端子とソー
ス端子間、ドレイン端子と接地電位のグランド端子間、
ソース端子と接地電位のグランド端子間のいずれか１つ
あるいは２以上の間にコンデンサを形成したことを特徴
としている。
学フィルタにより選択的に入射した赤外線を検知する焦
電素子と、当該焦電素子に対して並列に接続されるバイ
アス抵抗と、これら並列回路の一端と接続されるゲート
端子を有する電界効果型トランジスタと、を配線基板に
搭載するとともに、前記並列回路の他端はグランド端子
と接続され、これら各構成要素がシールドケース内に収
納されてなる焦電型赤外線検出器であって、前記配線基
板は誘電体からなり、基板の上面、または上下面、また
は上面並びに上下面に形成されたコンデンサ電極によ
り、前記電界効果型トランジスタのドレイン端子とソー
ス端子間、ドレイン端子と接地電位のグランド端子間、
ソース端子と接地電位のグランド端子間のいずれか１つ
あるいは２以上の間にコンデンサを形成したことを特徴
としている。
【００１０】請求項１の構成により、誘電体基板とコン
デンサ電極により配線基板にコンデンサを形成するの
で、従来のように個別部品を配線基板に搭載することに
より行っていたＲＦＩ対策（高周波ノイズ対策）を、コ
ンデンサ電極面積と誘電体基板の比誘電率、厚さ等のフ
ァクターによって決定される静電容量を有するコンデン
サによって行うことができる。この静電容量の値を適切
に設定することにより、従来構成では電極パターン自体
がアンテナとなって、高周波ノイズを拾うことがあった
が、本発明では当該高周波ノイズを積極的にグランド端
子に逃がすことができる。
デンサ電極により配線基板にコンデンサを形成するの
で、従来のように個別部品を配線基板に搭載することに
より行っていたＲＦＩ対策（高周波ノイズ対策）を、コ
ンデンサ電極面積と誘電体基板の比誘電率、厚さ等のフ
ァクターによって決定される静電容量を有するコンデン
サによって行うことができる。この静電容量の値を適切
に設定することにより、従来構成では電極パターン自体
がアンテナとなって、高周波ノイズを拾うことがあった
が、本発明では当該高周波ノイズを積極的にグランド端
子に逃がすことができる。
【００１１】また、請求項２に示すように、請求項１記
載の焦電型赤外線検出器に、前記ゲート端子と前記ドレ
イン端子間、前記ゲート端子と前記ソース端子、前記ゲ
ート端子と前記グランド端子間のいずれか１つあるいは
２以上の間にコンデンサを形成してもよい。
載の焦電型赤外線検出器に、前記ゲート端子と前記ドレ
イン端子間、前記ゲート端子と前記ソース端子、前記ゲ
ート端子と前記グランド端子間のいずれか１つあるいは
２以上の間にコンデンサを形成してもよい。
【００１２】請求項２の構成により、ＦＥＴの各端子間
等にコンデンサを形成した構成であるので、ＥＳＤ（el
ectro static discharge;静電気放電）等のハイパワー
のノイズが各端子から侵入した場合でも、ＦＥＴへのノ
イズの到達を遮断する。
等にコンデンサを形成した構成であるので、ＥＳＤ（el
ectro static discharge;静電気放電）等のハイパワー
のノイズが各端子から侵入した場合でも、ＦＥＴへのノ
イズの到達を遮断する。
【００１３】さらに、請求項３に示すように、請求項
１，２記載の焦電型赤外線検出器に、前記配線基板に設
けられたドレイン端子、ソース端子、ゲート端子に対応
したコンデンサ電極を有し、前記配線基板の下面には、
前記ドレイン端子、ソース端子導出部分以外のほぼ全面
に電極が形成され、当該電極が接地電位のグランド端子
に接続されている構成としてもよい。
１，２記載の焦電型赤外線検出器に、前記配線基板に設
けられたドレイン端子、ソース端子、ゲート端子に対応
したコンデンサ電極を有し、前記配線基板の下面には、
前記ドレイン端子、ソース端子導出部分以外のほぼ全面
に電極が形成され、当該電極が接地電位のグランド端子
に接続されている構成としてもよい。
【００１４】請求項３の構成により、配線基板の下面に
はほぼ全面電極が形成された構成であるので、上面に所
望の静電容量値に対応した電極形状、面積の設定をする
だけで、容易に所定値のコンデンサを形成することがで
きる。
はほぼ全面電極が形成された構成であるので、上面に所
望の静電容量値に対応した電極形状、面積の設定をする
だけで、容易に所定値のコンデンサを形成することがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例について、
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例
を示す斜視図、図２は図１で用いた配線基板の下面（裏
面）の斜視図、図３はキャップを被覆した状態での内部
断面図、図４は焦電型赤外線検出器の回路構成図であ
る。
図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施例
を示す斜視図、図２は図１で用いた配線基板の下面（裏
面）の斜視図、図３はキャップを被覆した状態での内部
断面図、図４は焦電型赤外線検出器の回路構成図であ
る。
【００１６】赤外線検出素子となる焦電素子１はチタン
酸鉛系の焦電性を有するセラミックからなり、板厚方向
に分極処理され、かつ矩形形状に切断加工されている。
この焦電素子１の表面には、金属材料（ＣｒあるいはＮ
ｉ−Ｃｒ等）からなり、互いに共通接続された２つの受
光電極１１が設けられており、裏面においては図示して
いないが、上記受光電極に対応した金属膜電極１２（Ａ
ｇ等）が設けられている。
酸鉛系の焦電性を有するセラミックからなり、板厚方向
に分極処理され、かつ矩形形状に切断加工されている。
この焦電素子１の表面には、金属材料（ＣｒあるいはＮ
ｉ−Ｃｒ等）からなり、互いに共通接続された２つの受
光電極１１が設けられており、裏面においては図示して
いないが、上記受光電極に対応した金属膜電極１２（Ａ
ｇ等）が設けられている。
【００１７】この焦電素子１は配線基板２に支持体６
１，６２を介して搭載されている。この配線基板２の母
材は、チタン酸バリウム等の誘電体からなり、また、中
央部分には凹部２ａが設けられているとともに、後述の
リード端子に対応した貫通孔２０ａ，２０ｂ，２０ｃが
形成されている。前記凹部２ａにはＦＥＴ２１の本体が
収納されており、ドレイン、ソース、ゲートの各端子が
配線基板上に形成されたコンデンサ電極に接続されてい
る。このコンデンサ電極は前記支持体６１，６２、ＦＥ
Ｔ２１、後述の抵抗等を電気的に接続するとともに、所
定の電極面積を有している。配線基板の下面（裏面）に
は、前記貫通孔２０ａ，２０ｂ間にコンデンサ電極７０
が形成され、このコンデンサ電極７０は貫通孔２０ｃを
貫通する後述のリード端子３３と電気的に接続されてい
る。これにより前述のコンデンサ電極とともに配線基板
にコンデンサを形成することができる。また、２２はバ
イアス抵抗である。
１，６２を介して搭載されている。この配線基板２の母
材は、チタン酸バリウム等の誘電体からなり、また、中
央部分には凹部２ａが設けられているとともに、後述の
リード端子に対応した貫通孔２０ａ，２０ｂ，２０ｃが
形成されている。前記凹部２ａにはＦＥＴ２１の本体が
収納されており、ドレイン、ソース、ゲートの各端子が
配線基板上に形成されたコンデンサ電極に接続されてい
る。このコンデンサ電極は前記支持体６１，６２、ＦＥ
Ｔ２１、後述の抵抗等を電気的に接続するとともに、所
定の電極面積を有している。配線基板の下面（裏面）に
は、前記貫通孔２０ａ，２０ｂ間にコンデンサ電極７０
が形成され、このコンデンサ電極７０は貫通孔２０ｃを
貫通する後述のリード端子３３と電気的に接続されてい
る。これにより前述のコンデンサ電極とともに配線基板
にコンデンサを形成することができる。また、２２はバ
イアス抵抗である。
【００１８】これら接続は最終的に、図４に示すような
電気的接続がなされる。すなわち、コンデンサ電極７
１，７２間でコンデンサＣ１を形成するとともに、コン
デンサ電極７１と下面のコンデンサ電極７０間でコンデ
ンサＣ３を、コンデンサ電極７２と下面の電極７０間で
コンデンサＣ２を、それぞれ形成している。
電気的接続がなされる。すなわち、コンデンサ電極７
１，７２間でコンデンサＣ１を形成するとともに、コン
デンサ電極７１と下面のコンデンサ電極７０間でコンデ
ンサＣ３を、コンデンサ電極７２と下面の電極７０間で
コンデンサＣ２を、それぞれ形成している。
【００１９】図３に示すように、ベース３は金属製のシ
ェル３ａに絶縁ガラスＧを介して、互いに電気的に独立
したリード端子３１，３２が植設されており，またリー
ド端子３３がシェル３ａと導通した状態で植設されてい
る。リード端子３１は前記ドレイン端子２１ａに、リー
ド端子３２は前記ソース端子２１ｂに電気的に接続さ
れ、リード端子３３は接地電位のアース端子（グランド
端子）として機能する。これらリード端子の上部に前記
配線基板が搭載され、必要な電気的接続がなされてい
る。
ェル３ａに絶縁ガラスＧを介して、互いに電気的に独立
したリード端子３１，３２が植設されており，またリー
ド端子３３がシェル３ａと導通した状態で植設されてい
る。リード端子３１は前記ドレイン端子２１ａに、リー
ド端子３２は前記ソース端子２１ｂに電気的に接続さ
れ、リード端子３３は接地電位のアース端子（グランド
端子）として機能する。これらリード端子の上部に前記
配線基板が搭載され、必要な電気的接続がなされてい
る。
【００２０】図３に示すように、これら各構成要素を封
止するキャップ４は金属製であり、上面には光線入射窓
４１が設けられている。この光線入射窓４１の内方に取
り付けられる赤外線を透過させる光学フィルタ５は、例
えばシリコン等の赤外線透過材料からなる非絶縁性基板
５１の表裏面に特定の赤外線のみを透過させるための多
層光学膜５２を形成した構成である。前記光線入射窓４
１部分と前記光学フィルタとを導電性接合材Ｓ１により
接合することにより、キャップ４と赤外線透フィルタ５
が電気的かつ機械的接続がなされる。このように導電性
接合材を用いることにより、外部からの不要な電磁波を
遮断する効果が得られる。なお、気密性を向上させるた
めに接合材を複数回塗布してもよい。
止するキャップ４は金属製であり、上面には光線入射窓
４１が設けられている。この光線入射窓４１の内方に取
り付けられる赤外線を透過させる光学フィルタ５は、例
えばシリコン等の赤外線透過材料からなる非絶縁性基板
５１の表裏面に特定の赤外線のみを透過させるための多
層光学膜５２を形成した構成である。前記光線入射窓４
１部分と前記光学フィルタとを導電性接合材Ｓ１により
接合することにより、キャップ４と赤外線透フィルタ５
が電気的かつ機械的接続がなされる。このように導電性
接合材を用いることにより、外部からの不要な電磁波を
遮断する効果が得られる。なお、気密性を向上させるた
めに接合材を複数回塗布してもよい。
【００２１】検出すべき赤外線を焦電素子に入射させる
ことにより、その熱エネルギーを吸収して温度変化が生
じ、これにより発生した電荷を図４に示すような回路構
成（電荷−電圧変換回路）により電圧に変換する。図４
において１は電極形成された焦電素子であり、前記電極
の一方をＦＥＴ２１のゲート端子に、他方をグランド端
子にアース接続してなり、かつ前記一方の電極とＦＥＴ
２１のゲートの中間点とアース間にバイアス抵抗２２を
接続した構成である。人体検知の場合、人体の移動に対
応する応答周波数を０．１〜１０Ｈｚの範囲に感度のピ
ークが来るように時定数を調整するが、高周波ノイズは
この周波数より遙かに高い、ＭＨｚ帯、あるいはＧＨｚ
帯である。高周波ノイズを遮断するには、検出器におい
て高周波ノイズ領域のインピーダンスを下げる必要があ
る。この実施の形態では、前述のコンデンサの静電容量
の値を５００〜１０００ｐＦ程度になるよう設定するこ
とにより、ノイズの遮断を行っている。
ことにより、その熱エネルギーを吸収して温度変化が生
じ、これにより発生した電荷を図４に示すような回路構
成（電荷−電圧変換回路）により電圧に変換する。図４
において１は電極形成された焦電素子であり、前記電極
の一方をＦＥＴ２１のゲート端子に、他方をグランド端
子にアース接続してなり、かつ前記一方の電極とＦＥＴ
２１のゲートの中間点とアース間にバイアス抵抗２２を
接続した構成である。人体検知の場合、人体の移動に対
応する応答周波数を０．１〜１０Ｈｚの範囲に感度のピ
ークが来るように時定数を調整するが、高周波ノイズは
この周波数より遙かに高い、ＭＨｚ帯、あるいはＧＨｚ
帯である。高周波ノイズを遮断するには、検出器におい
て高周波ノイズ領域のインピーダンスを下げる必要があ
る。この実施の形態では、前述のコンデンサの静電容量
の値を５００〜１０００ｐＦ程度になるよう設定するこ
とにより、ノイズの遮断を行っている。
【００２２】本発明の第２の実施例について、図面を参
照して説明する。図５は本発明の第２の実施例を示す配
線基板の平面図、図６当該配線基板の下面（裏面）の平
面図、図７は焦電型赤外線検出器の回路構成図である。
第１の実施例と同じ構造部分については、同番号を用い
て説明するとともに、一部説明を割愛する。
照して説明する。図５は本発明の第２の実施例を示す配
線基板の平面図、図６当該配線基板の下面（裏面）の平
面図、図７は焦電型赤外線検出器の回路構成図である。
第１の実施例と同じ構造部分については、同番号を用い
て説明するとともに、一部説明を割愛する。
【００２３】誘電体からなる配線基板２の上面には、コ
ンデンサ電極が配線されるとともに、下面（裏面）には
貫通孔２０ａ，２０ｂの周囲部分を除いて全面に電極７
４が形成されている。ＦＥＴ２１のドレイン端子２１ａ
と接続されるコンデンサ電極７５と、同じくソース端子
２１ｂと接続されるコンデンサ電極７６は、近接領域を
増加させたＴ字型であり、両者でコンデンサＣ１を形成
するとともに、各々が裏面の電極７４とコンデンサＣ
２，Ｃ３を形成している。コンデンサ電極７５，７６は
それぞれ、貫通孔２０ａ，２０ｂを通るリード端子に電
気的に接続されている。コンデンサ電極７７は導体から
なる支持体６２が搭載されるとともに、ＦＥＴのゲート
端子２１ｃが接続され、かつバイアス抵抗２２の一端と
電気的に接続されている。コンデンサ電極７６の端部７
６ａとコンデンサ電極７７の端部７７ａを近接対向させ
ることにより、コンデンサＣ４を形成するとともに、コ
ンデンサ電極７７と下面の電極７４とでコンデンサＣ５
を形成している。下面の電極７４は上面のコンデンサ電
極と対向している領域のみがコンデンサ電極となる。上
述の接続を行うことにより、図７に示す回路が形成され
る。なお、コンデンサＣ４，Ｃ５は例えば５００〜１０
００ｐＦ程度の容量値のものを用いるとよい。
ンデンサ電極が配線されるとともに、下面（裏面）には
貫通孔２０ａ，２０ｂの周囲部分を除いて全面に電極７
４が形成されている。ＦＥＴ２１のドレイン端子２１ａ
と接続されるコンデンサ電極７５と、同じくソース端子
２１ｂと接続されるコンデンサ電極７６は、近接領域を
増加させたＴ字型であり、両者でコンデンサＣ１を形成
するとともに、各々が裏面の電極７４とコンデンサＣ
２，Ｃ３を形成している。コンデンサ電極７５，７６は
それぞれ、貫通孔２０ａ，２０ｂを通るリード端子に電
気的に接続されている。コンデンサ電極７７は導体から
なる支持体６２が搭載されるとともに、ＦＥＴのゲート
端子２１ｃが接続され、かつバイアス抵抗２２の一端と
電気的に接続されている。コンデンサ電極７６の端部７
６ａとコンデンサ電極７７の端部７７ａを近接対向させ
ることにより、コンデンサＣ４を形成するとともに、コ
ンデンサ電極７７と下面の電極７４とでコンデンサＣ５
を形成している。下面の電極７４は上面のコンデンサ電
極と対向している領域のみがコンデンサ電極となる。上
述の接続を行うことにより、図７に示す回路が形成され
る。なお、コンデンサＣ４，Ｃ５は例えば５００〜１０
００ｐＦ程度の容量値のものを用いるとよい。
【００２４】なお、上記実施例において、ＦＥＴのドレ
イン端子とゲート端子間にコンデンサを形成してもよ
く、裏面の電極も上面のコンデンサ電極のみに対向する
ように配置してもよいし、ほぼ全面に形成してもよい。
また、コンデンサの形成において、必要な静電容量を確
保するために、図８に示すように、誘電体からなる配線
基板２の上面に、所定の間隔を持ってコンデンサ電極８
１、８２を形成し、これら電極の中間部分の下面に浮き
電極８３を形成するような工夫を行ってもよい。
イン端子とゲート端子間にコンデンサを形成してもよ
く、裏面の電極も上面のコンデンサ電極のみに対向する
ように配置してもよいし、ほぼ全面に形成してもよい。
また、コンデンサの形成において、必要な静電容量を確
保するために、図８に示すように、誘電体からなる配線
基板２の上面に、所定の間隔を持ってコンデンサ電極８
１、８２を形成し、これら電極の中間部分の下面に浮き
電極８３を形成するような工夫を行ってもよい。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の構成により、誘電体基板とコ
ンデンサ電極により配線基板にコンデンサを形成するの
で、従来のように個別部品を配線基板に搭載することに
より行っていたＲＦＩ対策（高周波ノイズ対策）を、予
め行うコンデンサ電極面積と誘電体基板の比誘電率、厚
さ等のファクターによって決定される静電容量を有する
コンデンサによって行うことができる。また、従来構成
では電極パターン自体がアンテナとなって、高周波ノイ
ズを拾うことがあったが、本発明では当該高周波ノイズ
を積極的にグランド端子に逃がすことができる。よっ
て、赤外線検出器を小型化できるとともに、製造工数を
減少させることができ、かつＲＦＩ対策も十分にとれて
いるので、信頼性の高い赤外線検出を行うことができ
る。
ンデンサ電極により配線基板にコンデンサを形成するの
で、従来のように個別部品を配線基板に搭載することに
より行っていたＲＦＩ対策（高周波ノイズ対策）を、予
め行うコンデンサ電極面積と誘電体基板の比誘電率、厚
さ等のファクターによって決定される静電容量を有する
コンデンサによって行うことができる。また、従来構成
では電極パターン自体がアンテナとなって、高周波ノイ
ズを拾うことがあったが、本発明では当該高周波ノイズ
を積極的にグランド端子に逃がすことができる。よっ
て、赤外線検出器を小型化できるとともに、製造工数を
減少させることができ、かつＲＦＩ対策も十分にとれて
いるので、信頼性の高い赤外線検出を行うことができ
る。
【００２６】また、請求項２の構成により、ＦＥＴの各
端子間等にコンデンサを形成した構成であるので、ＥＳ
Ｄ（electro static discharge;静電気放電）等のハイ
パワーのノイズが各端子から侵入した場合でも、ＦＥＴ
へのノイズの到達を遮断する。よって、上記ＲＦＩ対策
に加えて、上記ＥＳＤ対策等の各種ノイズ対策の採られ
た信頼性の高い焦電型赤外線検出器を得ることができ
る。
端子間等にコンデンサを形成した構成であるので、ＥＳ
Ｄ（electro static discharge;静電気放電）等のハイ
パワーのノイズが各端子から侵入した場合でも、ＦＥＴ
へのノイズの到達を遮断する。よって、上記ＲＦＩ対策
に加えて、上記ＥＳＤ対策等の各種ノイズ対策の採られ
た信頼性の高い焦電型赤外線検出器を得ることができ
る。
【００２７】さらに、請求項３の構成は、配線基板の下
面にはほぼ全面電極が形成された構成であるので、上面
に所望の静電容量値に対応した電極形状、面積の設定を
するだけで、容易に所定値のコンデンサを形成すること
ができる。よって、設計並びに製造の容易な赤外線検出
器を得ることができる。
面にはほぼ全面電極が形成された構成であるので、上面
に所望の静電容量値に対応した電極形状、面積の設定を
するだけで、容易に所定値のコンデンサを形成すること
ができる。よって、設計並びに製造の容易な赤外線検出
器を得ることができる。
【図１】第１の実施の形態を示す焦電型赤外線検出器の
内部構造を示す斜視図。
内部構造を示す斜視図。
【図２】配線基板の下面から見た斜視図。
【図３】キャップで被覆した状態の内部断面図。
【図４】回路構成図。
【図５】第２の実施の形態を示す配線基板の平面図。
【図６】図５の下面図。
【図７】第２の実施の形態を示す回路構成図。
【図８】他の実施例を示す図。
１ 焦電素子（赤外線検出素子） ２ 配線基板 ２１ ＦＥＴ ２２ バイアス抵抗 ３ ベース ３１、３２、３３ リード端子 ４ キャップ ５ 赤外線透過フィルタ ６１，６２ 支持体 ７１，７２，７３，７５，７６，７７，７８ コンデン
サ電極 ７４ 電極（下面の電極）
サ電極 ７４ 電極（下面の電極）
Claims (3)
- 【請求項１】 光学フィルタにより選択的に入射した赤
外線を検知する焦電素子と、当該焦電素子に対して並列
に接続されるバイアス抵抗と、これら並列回路の一端と
接続されるゲート端子を有する電界効果型トランジスタ
と、を配線基板に搭載するとともに、前記並列回路の他
端はグランド端子と接続され、これら各構成要素がシー
ルドケース内に収納されてなる焦電型赤外線検出器であ
って、 前記配線基板は誘電体からなり、基板の上面、または上
下面、または上面並びに上下面に形成されたコンデンサ
電極により、前記電界効果型トランジスタのドレイン端
子とソース端子間、ドレイン端子と接地電位のグランド
端子間、ソース端子と接地電位のグランド端子間のいず
れか１つあるいは２以上の間にコンデンサを形成したこ
とを特徴とする焦電型赤外線検出器。 - 【請求項２】 前記ゲート端子と前記ドレイン端子間、
前記ゲート端子と前記ソース端子、前記ゲート端子と接
地電位の前記グランド端子間のいずれか１つあるいは２
以上の間にコンデンサを形成したことを特徴とする請求
項１記載の焦電型赤外線検出器。 - 【請求項３】 前記配線基板に設けられたドレイン端
子、ソース端子、ゲート端子に対応したコンデンサ電極
を有し、前記配線基板の下面には、前記ドレイン端子、
ソース端子導出部分以外のほぼ全面に電極が形成され、
当該電極が接地電位のグランド端子に接続されているこ
とを特徴とする請求項１，２記載の焦電型赤外線検出
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085997A JPH1183623A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 焦電型赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26085997A JPH1183623A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 焦電型赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1183623A true JPH1183623A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17353755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26085997A Pending JPH1183623A (ja) | 1997-09-08 | 1997-09-08 | 焦電型赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1183623A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9448300B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-09-20 | Nxp B.V. | Signal-based data compression |
| US10809130B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared detection circuit and infrared sensor |
| JPWO2019131637A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-11-26 | 株式会社村田製作所 | 光検出器 |
-
1997
- 1997-09-08 JP JP26085997A patent/JPH1183623A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9448300B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-09-20 | Nxp B.V. | Signal-based data compression |
| US10809130B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared detection circuit and infrared sensor |
| JPWO2019131637A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-11-26 | 株式会社村田製作所 | 光検出器 |
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