JPH118212A - Wafer-cleaning method and its device - Google Patents

Wafer-cleaning method and its device

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JPH118212A
JPH118212A JP15707497A JP15707497A JPH118212A JP H118212 A JPH118212 A JP H118212A JP 15707497 A JP15707497 A JP 15707497A JP 15707497 A JP15707497 A JP 15707497A JP H118212 A JPH118212 A JP H118212A
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JP
Japan
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brush
wafer
cleaning
rotation speed
position information
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JP15707497A
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Japanese (ja)
Inventor
Akikazu Kiyokawa
顕千 清川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer-cleaning method which enables effective cleaning according to the contamination pattern and its device. SOLUTION: In a wafer-cleaning method, wherein a cleaning surface of a wafer 2 arranged on a rotatable wafer-supporting mechanism 5 is cleaned by a brush 10 which can be rotated and whirled, while a cleaning solution 41 is supplied, cleaning conditions corresponding to a whirling position of the brush 10 is set in advance, based on contamination pattern of a wafer cleaning surface and a wafer is cleaned changing wafer cleaning conditions based on whirling position information of the brush 10. Thereby, a wafer can be cleaned effectively according to contamination pattern.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ洗浄装置
に関し、より詳細にはウェーハの汚染位置情報に基づ
き、洗浄条件を設定することにより高効率の洗浄が可能
なウェーハ洗浄装置に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wafer cleaning apparatus, and more particularly to a wafer cleaning apparatus capable of performing high-efficiency cleaning by setting cleaning conditions based on wafer contamination position information.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ
の大口径化と微細化につれて、ウェーハ面上のパターニ
ング工程や成膜工程あるいは化学的機械的研磨(CM
P)による平坦化工程その他各種処理工程が施され、こ
れら処理工程後のウェーハの洗浄プロセスがー層高精度
に要求されている。ウェーハの汚染、特にウェーハ裏面
(素子形成領域面側に対して反対側の面)の汚染は前述
の各種処理工程での処理中にウェーハ裏面がチャックさ
れるためにそのチャック手段により転写されるものが大
部分を占めている。それらの汚染物は例えば、反応ガス
生成物や処理薬剤、あるいはスラリー、研磨パッドのカ
ス(有機物)や研磨された酸化物等がある。この汚染物
はウェーハを保持する吸着ヘッド形状や搬送ユニットの
ハンド形状によって特定の位置にあったり特定の形状を
有し、特定の汚染パターンを有している場合が多い。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, as a wafer becomes larger and smaller in diameter, a patterning step, a film forming step or a chemical mechanical polishing (CM) on a wafer surface is performed.
A flattening step and various other processing steps are performed by P), and a wafer cleaning process after these processing steps is required to have high layer accuracy. Wafer contamination, particularly contamination on the back surface of the wafer (the surface opposite to the surface on which the element is formed) is transferred by the chuck means because the back surface of the wafer is chucked during the above-described various processing steps. Account for the majority. These contaminants include, for example, reaction gas products and processing chemicals, slurries, polishing pad debris (organic substances), and polished oxides. This contaminant is at a specific position or has a specific shape depending on the shape of the suction head holding the wafer or the shape of the hand of the transfer unit, and often has a specific contamination pattern.

【0003】従来のウェーハ洗浄装置には、ウェーハを
保持するための回転可能なチャック機構と、ウェーハ上
方に配置されたウェーハ汚染物を除去するための回転可
能でしかも旋回可能なブラシ及びウェーハの側面上方か
らウェーハ面に洗浄液を塗布する洗浄液供給装置が主要
構成要素として設けられている。
A conventional wafer cleaning apparatus includes a rotatable chuck mechanism for holding a wafer, a rotatable and pivotable brush and a side surface of the wafer for removing wafer contaminants disposed above the wafer. A cleaning liquid supply device for applying a cleaning liquid to a wafer surface from above is provided as a main component.

【0004】このような従来の洗浄装置を用いた従来の
洗浄方法は、1枚のウェーハをチャック機構にチャック
して同じ洗浄条件で汚染物を洗浄する方法である。すな
わち、従来はウェーハ洗浄面に対する負荷(荷重)の程
度を示すブラシ加重、回転スピンドルの回転数に対応す
る洗浄回転数、ブラシをウェーハ上面で旋回させるブラ
シ旋回速度、各旋回位置でのブラシ自体の回転速度およ
び洗浄液供給装置(実質的には供給管)からの洗浄液
(リンス)供給流量等の各洗浄条件をウェーハ面の汚染
物(汚染パターン)に関係なく常に一定の条件で洗浄し
ていた。
A conventional cleaning method using such a conventional cleaning apparatus is a method in which one wafer is chucked by a chuck mechanism to clean contaminants under the same cleaning conditions. That is, conventionally, the brush load indicating the degree of load (load) on the wafer cleaning surface, the cleaning rotation speed corresponding to the rotation speed of the rotating spindle, the brush rotation speed for rotating the brush on the wafer upper surface, and the brush itself at each rotation position Cleaning conditions such as a rotation speed and a flow rate of a cleaning liquid (rinse) supplied from a cleaning liquid supply device (substantially a supply pipe) have always been cleaned under constant conditions irrespective of a contaminant (contamination pattern) on a wafer surface.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従って、上述したよう
に特定の汚染パターンを有するウェーハ裏面を洗浄する
場合、1枚のウェーハ面上の汚染度の高いパターン部分
も、比較的清浄である他の部分も同じ洗浄条件で洗浄す
ることとなる。さらに従来の方法ではウェーハ内周部と
外周部では洗浄条件が実質的に異なるにもかかわらず、
設定条件としては同一の条件しか設定できないという制
約があった。このような洗浄条件では高除去効率の洗浄
を行なうことは困難であった。
Therefore, when cleaning the back surface of a wafer having a specific contaminated pattern as described above, even a highly contaminated pattern portion on one wafer surface can be cleaned by another method. The part is also cleaned under the same cleaning conditions. Further, in the conventional method, although the cleaning conditions are substantially different between the inner peripheral portion and the outer peripheral portion of the wafer,
There is a restriction that only the same condition can be set as the setting condition. Under such cleaning conditions, it has been difficult to perform cleaning with high removal efficiency.

【0006】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、汚染パターンに対応して効率よく最適
条件でウェーハを洗浄可能な高効率のウェーハ洗浄方法
とその装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-mentioned prior art, and provides a high-efficiency wafer cleaning method and apparatus capable of efficiently cleaning a wafer under optimum conditions according to a contamination pattern. With the goal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明では、回転可能なウェーハ支持機構上に配置
されたウェーハの洗浄面を、洗浄液を供給しながら回転
可能でしかも旋回可能なブラシで洗浄するウェ−洗浄方
法において、前記ウェーハ洗浄面の汚染パターンに基づ
いてブラシの旋回位置に対応した洗浄条件を予め設定
し、前記ブラシの旋回位置情報に基づいてウェーハ洗浄
条件を変えて洗浄することを特徴とするウェーハ洗浄方
法を提供する。
According to the present invention, a cleaning surface of a wafer disposed on a rotatable wafer support mechanism is rotatable and pivotable while supplying a cleaning liquid. In a wafer cleaning method for cleaning with a brush, cleaning conditions corresponding to the turning position of the brush are set in advance based on the contamination pattern on the wafer cleaning surface, and cleaning is performed by changing the wafer cleaning condition based on the turning position information of the brush. A method for cleaning a wafer is provided.

【0008】この構成によれば、ウェーハの汚染位置情
報に基づき最も除去率の高い洗浄条件を設定して極めて
効率の良い洗浄を行なうことができる。
[0010] According to this configuration, it is possible to set a cleaning condition with the highest removal rate based on the contamination position information of the wafer and to perform extremely efficient cleaning.

【0009】さらに上述の目的を達成するため、本発明
では、ウェーハを配置固定するためのウェーハ支持機構
と、前記ウェーハ面上の汚染物を除去するための回転可
能でしかも旋回可能なブラシと、洗浄液供給装置を備え
たウェーハ洗浄装置において、前記ブラシの旋回位置情
報に基づいて、汚染パターンに対応して予め設定した洗
浄条件で洗浄するための制御手段を備えたこと特徴とす
るウェーハ洗浄装置を提供する。
In order to further achieve the above object, the present invention provides a wafer support mechanism for placing and fixing a wafer, a rotatable and pivotable brush for removing contaminants on the wafer surface, In a wafer cleaning apparatus provided with a cleaning liquid supply apparatus, the wafer cleaning apparatus further includes control means for cleaning under predetermined cleaning conditions corresponding to a contamination pattern based on the turning position information of the brush. provide.

【0010】この構成によれば、上記本発明方法を的確
に実施して、ウェーハの汚染位置情報に基づき最も除去
率の高い洗浄条件を設定して極めて効率の良い洗浄を行
なうことができる。
According to this configuration, the above-described method of the present invention can be carried out accurately, and the cleaning conditions with the highest removal rate can be set based on the contamination position information of the wafer, and extremely efficient cleaning can be performed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
前記ウェーハ洗浄条件は、ブラシの回転速度、旋回速
度、ブラシ加重、前記ウェーハ支持機構の回転速度およ
び前記洗浄液の流量のいずれかを含むことを特徴とす
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment,
The wafer cleaning condition includes one of a brush rotation speed, a turning speed, a brush load, a rotation speed of the wafer support mechanism, and a flow rate of the cleaning liquid.

【0012】この方法によれば、ブラシ回転速度や加重
等の洗浄条件を選択してウェーハ面上の汚染物がある部
位の洗浄と汚染物が少ないか全くない部位の洗浄のそれ
ぞれの洗浄条件を適宜変えて洗浄効率を上げることがで
きる。
According to this method, the cleaning conditions such as the rotation speed of the brush and the load are selected, and the cleaning conditions for cleaning the portion having the contaminants on the wafer surface and the portions for cleaning the portions having little or no contaminants are determined. The cleaning efficiency can be increased by appropriately changing the cleaning efficiency.

【0013】また好ましい実施の形態においては、前記
ブラシの旋回軸に旋回角度検出手段を備えたことを特徴
とする。
In a preferred embodiment, the brush is provided with a turning angle detecting means on a turning axis of the brush.

【0014】この構成によれば、ウェーハ面上の汚染物
がある部位とない部位等の汚染パターンに基づくブラシ
の旋回角度を検出してその旋回角度からブラシ旋回位置
情報を得ることができる。
According to this configuration, it is possible to detect a brush turning angle based on a contamination pattern of a portion on the wafer surface with and without contaminants, and obtain brush turning position information from the turning angle.

【0015】別の好ましい実施の形態においては、前記
ブラシを保持するブラシユニットは、ブラシの回転およ
び/または旋回速度可変機能を有し、前記制御手段はブ
ラシの旋回位置情報に基づきブラシの回転および/また
は旋回速度を設定できることを特徴とする。
In another preferred embodiment, the brush unit for holding the brush has a function of varying the rotation and / or rotation speed of the brush, and the control means controls the rotation and / or rotation of the brush based on the rotation position information of the brush. And / or the turning speed can be set.

【0016】この構成によれば、ウェーハ面上の汚染物
がある部位の洗浄では十分な洗浄ができるようにブラシ
の回転速度を上げ(あるいはブラシの旋回速度を下げ)
一方、汚染物が少ないか全くない部位の洗浄ではブラシ
旋回速度を上げて(あるいは回転速度を下げて)汚染パ
ターンに応じた最適ブラシ駆動条件として洗浄効率を上
げることができる。
According to this configuration, in the cleaning of a portion having contaminants on the wafer surface, the rotation speed of the brush is increased (or the rotation speed of the brush is decreased) so that sufficient cleaning can be performed.
On the other hand, in the cleaning of a portion having little or no contaminants, the brush turning speed is increased (or the rotation speed is reduced), and the cleaning efficiency can be increased as an optimal brush driving condition according to the contamination pattern.

【0017】別の好ましい実施の形態においては、前記
ブラシを保持するブラシユニットは、ブラシ加重可変機
能を有し、前記制御手段はブラシの旋回位置情報に基づ
きブラシ加重を加減設定できることを特徴とする。
In another preferred embodiment, the brush unit holding the brush has a brush weight variable function, and the control means can adjust the brush weight based on the turning position information of the brush. .

【0018】この構成によれば、ウェーハ面上の汚染物
がある部位の洗浄では十分な洗浄ができるようにブラシ
加重を増加させ、汚染物が少ないか全くない部位の洗浄
ではブラシ加重を減少させて洗浄効率を上げることがで
きる。
According to this configuration, the brush load is increased so that sufficient cleaning can be performed in a portion where the contaminant is present on the wafer surface, and the brush load is reduced in a portion where there is little or no contaminant. Cleaning efficiency can be improved.

【0019】別の好ましい実施の形態においては、前記
ウェーハ支持機構は主軸回転数可変機能を有し、前記制
御手段はブラシの旋回位置情報に基づき前記主軸回転数
を増減設定できることを特徴とする。
In another preferred embodiment, the wafer support mechanism has a spindle rotation speed variable function, and the control means can increase or decrease the spindle rotation speed based on the turning position information of the brush.

【0020】この構成によれば、ウェーハ面上の汚染物
がある部位の洗浄では十分な洗浄ができるように前記ウ
ェーハ支持機構の回転数を増加させ、汚染物が少ないか
全くない部位の洗浄では前記ウェーハ支持機構の回転数
を減少させて洗浄効率を上げることができる。
According to this configuration, the number of rotations of the wafer support mechanism is increased so that sufficient cleaning can be performed in a portion where contaminants on the wafer surface are present, and in a portion where there is little or no contaminants, cleaning is performed. The cleaning efficiency can be increased by reducing the number of rotations of the wafer support mechanism.

【0021】別の好ましい実施の形態においては、前記
洗浄液供給装置は洗浄液流量調整機能を有し、前記制御
手段はブラシの旋回位置情報に基づき前記洗浄液流量を
増減設定できることを特徴とする。
In another preferred embodiment, the cleaning liquid supply device has a cleaning liquid flow rate adjusting function, and the control means can increase or decrease the cleaning liquid flow rate based on the turning position information of the brush.

【0022】この構成によれば、ウェーハ面上の汚染物
がある部位の洗浄では十分な洗浄ができるように洗浄液
流量を増加させ、汚染物が少ないか全くない部位の洗浄
では洗浄液流量を減少させて洗浄効率を上げることがで
きる。
According to this configuration, the flow rate of the cleaning liquid is increased so that sufficient cleaning can be performed when cleaning is performed on a portion having contaminants on the wafer surface, and the cleaning liquid flow rate is reduced when cleaning is performed on a portion having little or no contaminants. Cleaning efficiency can be improved.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について、図
面を参照しながら説明する。図1は本発明の1実施例の
ウェーハ洗浄装置を説明するための概略側面図である。
図1に示したウェーハ洗浄装置1は、ウェーハ2を回転
するための回転スピンドル3の下方に回転スピンドル3
の回転数を検出するための回転検出器4を取り付け、回
転スピンドル3の上方にはウェーハ2を固定するための
従来と同様のチャック機構5及びチャックピン6が設け
られている。図1ではウェーハ2がチャックピン6にチ
ャックされてチャック機構5上に固定されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view for explaining a wafer cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.
The wafer cleaning apparatus 1 shown in FIG. 1 has a rotating spindle 3 below a rotating spindle 3 for rotating the wafer 2.
A rotation detector 4 for detecting the number of rotations is mounted, and a chuck mechanism 5 and a chuck pin 6 similar to the conventional one for fixing the wafer 2 are provided above the rotation spindle 3. In FIG. 1, the wafer 2 is chucked by the chuck pins 6 and fixed on the chuck mechanism 5.

【0024】ウェーハ2上方にはウェーハ面の汚染物を
除去するためのブラシ10が、回転スピンドル3とウェ
ーハチャック機構5の側方に略垂直に配置された旋回軸
11の上方に取り付けられた水平ブラシユニットベース
12の先端部に下向きに取り付けられている。水平ブラ
シユニットベース12の先端部に対してブラシ10の反
対側、すなわち上方部にはブラシ10を回転させ且つブ
ラシ10のウェーハ面に対する加重を加減できるブラシ
加重ユニット14が設けられている。
Above the wafer 2, a brush 10 for removing contaminants on the wafer surface is mounted on a horizontal shaft 11, which is mounted above a rotating shaft 11 which is arranged substantially vertically on the side of the rotary spindle 3 and the wafer chuck mechanism 5. The brush unit base 12 is attached downward at the tip end. On the opposite side of the tip of the horizontal brush unit base 12, that is, on the upper side, a brush weight unit 14 that rotates the brush 10 and adjusts the weight of the brush 10 against the wafer surface is provided.

【0025】ブラシ加重ユニット14は、ブラシ10の
回転速度を制御するブラシ回転駆動パルスモータ15、
ブラシの加重を加減できるブラシ加重加減用アクチュエ
−タ内蔵リニアガイド16、ブラケット17及び回転軸
18から構成されている。ブラシ加重加減用アクチュエ
ータ内蔵リニアガイド(ブラシ加重加減用ガイド)16
はブラシユニットベース12に取り付けられ、ブラシ加
重加減用ガイド16にはブラケット17が取り付けられ
ている。回転軸18はブラシ10にブラシ回転駆動パル
スモータ15の回転を伝える。ブラシ回転駆動パルスモ
ータ15はブラケット17上に取り付けられ、このブラ
ケット17がブラシ加重加減用ガイド16により上下動
してブラシ10をウェーハ面に対し上下動させてウェー
ハ2に対する荷重を調整する。
The brush weighting unit 14 includes a brush rotation driving pulse motor 15 for controlling the rotation speed of the brush 10,
It is composed of a linear guide 16 with a built-in actuator for adjusting the weight of the brush, which can adjust the weight of the brush, a bracket 17 and a rotating shaft 18. Linear guide with built-in actuator for brush load (brush load control) 16
Is attached to the brush unit base 12, and a bracket 17 is attached to the brush load adjusting guide 16. The rotation shaft 18 transmits the rotation of the brush rotation drive pulse motor 15 to the brush 10. The brush rotation drive pulse motor 15 is mounted on a bracket 17, and the bracket 17 moves up and down by a brush load adjusting guide 16 to move the brush 10 up and down with respect to the wafer surface to adjust the load on the wafer 2.

【0026】旋回軸11の下部には旋回軸11に固定接
続された上下動スライダー20が配置されている。上下
動スライダー20はその側方に配置されたブラシ上下動
駆動シリンダー21によって上下に移動する。これによ
り、ウェーハ交換時等に旋回軸11、ブラシユニットベ
ース12を介してブラシ10を大きく上下に移動させ
る。上下動スライダー20の下には被駆動用タイミング
プーリ23が取り付けられており、駆動用タイミングベ
ルト24、駆動用タイミングプーリ25、カップリング
26を介してブラシ旋回駆動パルスモータ28によりブ
ラシの旋回を行なう。
A vertical slider 20 fixedly connected to the pivot 11 is disposed below the pivot 11. The vertical movement slider 20 is moved up and down by a brush vertical movement drive cylinder 21 arranged on the side. Thereby, the brush 10 is largely moved up and down via the turning shaft 11 and the brush unit base 12 at the time of wafer exchange or the like. A driven timing pulley 23 is attached below the vertical movement slider 20, and the brush is turned by a brush turning drive pulse motor 28 via a driving timing belt 24, a driving timing pulley 25, and a coupling 26. .

【0027】ブラシ旋回速度を制御する手段としては旋
回駆動できるものであれば、例えば、速度制御付シリン
ダー、スピードコントロールモータ等があるが、本実施
例では上記のようにパルスモータが効果的である。被駆
動用タイミングプーリ23の下で旋回軸11の先端部に
カップリング30を介してブラシユニット旋回角度検出
エンコーダ32が設けられている。ブラシユニット旋回
角度検出エンコーダ32は、ブラシユニット旋回角度を
検出するための手段であるが、エンコーダの代わりに例
えばポテンショメータ等でもよいが制御し易いために本
実施例のエンコ−ダが好ましい。
As means for controlling the brush turning speed, there are, for example, a cylinder with a speed control and a speed control motor as long as it can turn the brush. In this embodiment, the pulse motor is effective as described above. . A brush unit turning angle detection encoder 32 is provided below the driven timing pulley 23 at the end of the turning shaft 11 via a coupling 30. The brush unit turning angle detection encoder 32 is a means for detecting the brush unit turning angle. For example, a potentiometer or the like may be used instead of the encoder, but the encoder of this embodiment is preferable because it is easy to control.

【0028】ウェーハチャック機構5の周縁上方部には
ウェーハ2面に純水等の洗浄液(リンス)41を供給す
るための洗浄液(リンス)供給管40が配置されてお
り、洗浄液供給管40は、図示されてはいないが洗浄液
流量を制御する手段としての電子式マスフローコントロ
ーラに接続されている。
A cleaning liquid (rinse) supply pipe 40 for supplying a cleaning liquid (rinse) 41 such as pure water to the surface of the wafer 2 is disposed above the peripheral edge of the wafer chuck mechanism 5. Although not shown, it is connected to an electronic mass flow controller as a means for controlling the flow rate of the cleaning liquid.

【0029】以下図1、図2および図3を用いて本ウェ
ーハ洗浄装置の動作を説明する。図3は本発明の洗浄処
理のフローチャートである。
The operation of the present wafer cleaning apparatus will be described below with reference to FIGS. 1, 2 and 3. FIG. 3 is a flowchart of the cleaning process of the present invention.

【0030】図1および図2に示すようにウェーハ2を
ウェーハチャック機構5のチャックピン6で通常通り固
定する。ブラシ10は図2に示したようにブラシ旋回中
心50を中心に円弧状のブラシ旋回軌跡51に沿って
→→・・・→nのように旋回移動する。汚染物(汚
染パターン)45は前工程で特定されるのでブラシ旋回
位置に対して汚染パターン45がどの位置にあるかを予
め計算して汚染パターンの位置データを作成しておく。
その位置データに基づき、ブラシ旋回動作に合わせてウ
ェーハ回転数、ブラシの回転速度、旋回速度、ブラシ加
重、洗浄液(リンス)供給流量等を位置データ毎に設定
して、一連の洗浄をおこなう。本実施例では汚染物(汚
染パターン)45は図2に示すようにウェーハ裏面上の
略中央部に形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer 2 is fixed as usual by the chuck pins 6 of the wafer chuck mechanism 5. As shown in FIG. 2, the brush 10 turns around the brush turning center 50 along an arc-shaped brush turning locus 51 in the order of →→... → n. Since the contaminant (contamination pattern) 45 is specified in the previous process, the position of the contamination pattern 45 with respect to the brush turning position is calculated in advance, and position data of the contamination pattern is created.
Based on the position data, a series of cleaning is performed by setting a wafer rotation number, a rotation speed of the brush, a rotation speed, a brush load, a cleaning liquid (rinse) supply flow rate, and the like for each position data in accordance with the brush rotation operation. In this embodiment, the contaminant (contamination pattern) 45 is formed substantially at the center on the back surface of the wafer as shown in FIG.

【0031】この場合、先ずブラシ10がウェーハ2の
中心部に配置されるようにブラシ旋回駆動パルスモータ
28を駆動させる。ブラシ旋回駆動パルスモータ28の
旋回力はカップリング26、駆動用タイミングプーリ2
5、駆動用タイミングベルト24、被駆動用タイミング
プーリ23を介して旋回軸11、そして水平ブラシユニ
ットベース12に伝わりブラシをウェーハ2上方の所定
位置に、従って初めはウェーハ2の中央部上方に配置す
ることができる。
In this case, first, the brush turning drive pulse motor 28 is driven so that the brush 10 is arranged at the center of the wafer 2. The turning force of the brush turning drive pulse motor 28 is controlled by the coupling 26 and the drive timing pulley 2.
5. The brush is transmitted to the rotating shaft 11 and the horizontal brush unit base 12 via the driving timing belt 24 and the driven timing pulley 23, and the brush is disposed at a predetermined position above the wafer 2, and thus is initially disposed above the central portion of the wafer 2. can do.

【0032】このようにブラシ10をウェーハ2の中央
部上方位置に、すなわち図2のブラシ旋回位置の位置
に配置した後、ブラシの回転を開始する(ステップS
1)。この位置はエンコーダ32(図1)を介して検
出される(ステップS2)。このでの初めの洗浄条件
としてウェーハ回転速度をN1rpm、ブラシ回転速度
をn1rpm、ブラシ加重をw1g、洗浄液(リンス)
流量R1ml/分として予め設定されている。図示しな
い制御装置より各モ−タ等をこの洗浄条件になるように
駆動させてウェーハを洗浄する(ステップS3)。ウェ
ーハ2の回転速度はスピンドル回転数検出器4により所
定の回転速度が得られ、ブラシ回転速度はブラシ回転駆
動パルスモータ15によって所定の回転速度が得られ、
ブラシ加重はブラシ加重加減用ガイド16によって所定
の加重が得られる。なお、ウェーハ交換やメンテナンス
等のためのブラシの大きな上下は、従来と同様にブラシ
上下駆動シリンダー21によって行なわれる。
After the brush 10 is positioned above the central portion of the wafer 2, that is, at the position of the brush turning position in FIG. 2, the rotation of the brush is started (step S).
1). This position is detected via the encoder 32 (FIG. 1) (step S2). As the first cleaning conditions, the wafer rotation speed is N1 rpm, the brush rotation speed is n1 rpm, the brush weight is w1 g, and the cleaning liquid (rinse) is used.
The flow rate is set in advance as R1 ml / min. The motors are driven by a control device (not shown) so as to satisfy the cleaning conditions to clean the wafer (step S3). The rotation speed of the wafer 2 is obtained at a predetermined rotation speed by the spindle rotation speed detector 4, and the brush rotation speed is obtained at a predetermined rotation speed by the brush rotation drive pulse motor 15.
A predetermined weight is obtained by the brush weight guide 16 for brush weight. A large vertical movement of the brush for wafer replacement or maintenance is performed by a brush vertical drive cylinder 21 as in the conventional case.

【0033】このようにして上記での洗浄条件でブラ
シの回転および旋回による洗浄を続け、ブラシをから
へ移動する(ステップS4)。図2のの位置に到達
した時点でこれを検出し(ステップS5)、洗浄条件を
変えて洗浄する(ステップS6)。このの位置での洗
浄条件は予め設定された通りウェーハ回転速度をN2r
pm、ブラシ回転速度をn2rpm、ブラシ加重をw2
g、洗浄液(リンス)流量R2ml/分とする。
In this manner, the cleaning by the rotation and the rotation of the brush is continued under the above-described cleaning conditions, and the brush is moved from the position (step S4). This is detected at the time when it reaches the position shown in FIG. 2 (step S5), and cleaning is performed by changing the cleaning conditions (step S6). The cleaning condition at this position is set to N2r as the wafer rotation speed as set in advance.
pm, brush rotation speed n2 rpm, brush weight w2
g, washing fluid (rinse) flow rate R2 ml / min.

【0034】この洗浄条件で洗浄を続け、図2のの位
置に達した時点で洗浄条件を変えて洗浄する(ステップ
S7〜S9)。このの位置は汚染パターン45が図の
状態でブラシの略半分にかかるものである(実際にはウ
ェーハが回転するため、この半径位置での円周に沿った
汚染パターン軌跡の平均化された汚染量となる)。の
位置では、ブラシ加重等の洗浄条件を上記及びの位
置の時の洗浄条件より落とす。また汚染パターン45に
ブラシの位置がかからない場合は更に洗浄条件をかなり
低下させて洗浄を行なうことができる。
Washing is continued under these washing conditions, and when the position shown in FIG. 2 is reached, washing is performed under different washing conditions (steps S7 to S9). This position is such that the contamination pattern 45 occupies approximately half of the brush in the state shown in the figure (actually, since the wafer is rotated, the averaged contamination of the contamination pattern trajectory along the circumference at this radial position). Amount). In the position (3), the cleaning conditions such as the weight of the brush are lowered from those described above. When the position of the brush is not applied to the contamination pattern 45, the cleaning condition can be further reduced to perform the cleaning.

【0035】さらにブラシを旋回移動させ予め定めた所
定位置ごとに洗浄条件を変えて洗浄動作を続行する。最
終位置nに達すると(ステップS10)、この位置nが
検出され(ステップS11)、この位置での洗浄条件で
洗浄が行われ(ステップS12)、ブラシ旋回が終了し
て(ステップS13)、ウェーハを取外して洗浄プロセ
スの終了となる。
Further, the brush is swirled to change the cleaning conditions for each predetermined position, and the cleaning operation is continued. When the final position n is reached (step S10), the position n is detected (step S11), cleaning is performed under the cleaning conditions at this position (step S12), and the brush rotation is completed (step S13), and the wafer is removed. Remove to end the cleaning process.

【0036】このように本実施例では汚染パターンに対
応するブラシ旋回位置情報により、洗浄条件を必要な回
数(n回)設定して行なう。従って、ブラシ旋回開始か
らブラシ旋回終了までの処理フローとしては図3のよう
に示される。
As described above, in this embodiment, the cleaning condition is set a necessary number of times (n times) based on the brush turning position information corresponding to the contamination pattern. Therefore, the processing flow from the start of brush rotation to the end of brush rotation is shown in FIG.

【0037】上記実施例では汚染パターン45は特に形
状に留意して洗浄条件が設定されたが、汚染の度合いに
よっても適宜洗浄条件を変えることもできる。
In the above embodiment, the cleaning conditions are set by paying particular attention to the shape of the contamination pattern 45. However, the cleaning conditions can be appropriately changed depending on the degree of contamination.

【0038】また本実施例は特定の汚染パターンが特に
形成され易いウェーハ裏面について行なったが、ウェー
ハ表面についても可能である。なお上記実施例では洗浄
条件としてモータ15によるブラシ自体の回転速度を変
えたがモータ28による旋回速度を変えてもよい。
Although the present embodiment has been performed on the back surface of the wafer where a specific contamination pattern is particularly easily formed, the present invention is also applicable to the front surface of the wafer. In the above embodiment, the rotation speed of the brush itself by the motor 15 is changed as the cleaning condition, but the turning speed by the motor 28 may be changed.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ面上の汚染物(汚染パターン)位置情報に基づ
いて除去率の高い洗浄条件を設定することができるた
め、極めて効率の良い洗浄を実現することができる。
As described above, according to the present invention,
Since cleaning conditions with a high removal rate can be set based on the contaminant (contamination pattern) position information on the wafer surface, extremely efficient cleaning can be realized.

【0040】また、汚染パターンに応じた洗浄条件を部
分的に実現できるため、無駄な洗浄がなくなり洗浄ブラ
シの寿命が高まり、洗浄液(リンス)消費量も削減する
ことができると共に、洗浄能率も向上する。
Further, since cleaning conditions according to the contamination pattern can be partially realized, unnecessary cleaning is eliminated, the life of the cleaning brush is extended, the consumption of cleaning liquid (rinse) can be reduced, and the cleaning efficiency is improved. I do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係る洗浄装置の実施例を説明するた
めの概略側面図。
FIG. 1 is a schematic side view for explaining an embodiment of a cleaning device according to the present invention.

【図2】 汚染パターンとブラシ旋回位置との関係を説
明するための模式平面図。
FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a relationship between a contamination pattern and a brush turning position.

【図3】 本発明に係る洗浄方法を説明するための処理
フローを示す図。
FIG. 3 is a view showing a processing flow for explaining a cleaning method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:ウェーハ洗浄装置、2:ウェーハ、3:回転スピン
ドル、5:チャック機構、6:チャックピン、10:ブ
ラシ、11:旋回軸、12:ブラシユニットベース、1
5:ブラシ回転駆動パルスモータ、16:ブラシ加重加
減用アクチュエータ内蔵リニアガイド20:上下動スラ
イダー、21:ブラシ上下動駆動シリンダー、28:ブ
ラシ旋回駆動パルスモータ、32:旋回角度検出エンコ
ーダ、40:洗浄液(リンス)供給管、 45:汚染物
(汚染パターン)、50:ブラシ旋回中心、51:ブラ
シ旋回位置。
1: Wafer cleaning device, 2: Wafer, 3: Rotary spindle, 5: Chuck mechanism, 6: Chuck pin, 10: Brush, 11: Rotating axis, 12: Brush unit base, 1
5: Brush rotation drive pulse motor, 16: Linear guide with built-in actuator for brush weight addition / reduction, 20: Vertical movement slider, 21: Brush vertical movement drive cylinder, 28: Brush rotation drive pulse motor, 32: Rotation angle detection encoder, 40: Cleaning liquid (Rinse) supply pipe, 45: contaminant (contamination pattern), 50: brush turning center, 51: brush turning position.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】回転可能なウェーハ支持機構上に配置され
たウェーハの洗浄面を、洗浄液を供給しながら回転可能
でしかも旋回可能なブラシで洗浄するウェーハ洗浄方法
において、 前記ウェーハ洗浄面の汚染パターンに基づいてブラシの
旋回位置に対応した洗浄条件を予め設定し、前記ブラシ
の旋回位置情報に基づいてウェーハ洗浄条件を変えて洗
浄することを特徴とするウェーハ洗浄方法。
1. A wafer cleaning method for cleaning a cleaning surface of a wafer placed on a rotatable wafer support mechanism with a rotatable and rotatable brush while supplying a cleaning liquid, wherein a contamination pattern on the wafer cleaning surface is provided. A cleaning condition corresponding to the turning position of the brush is set in advance based on the information of the brush, and cleaning is performed while changing the wafer cleaning condition based on the turning position information of the brush.
【請求項2】前記ウェーハ洗浄条件は、ブラシの回転速
度、旋回速度、ブラシ加重、前記ウェーハ支持機構の回
転速度および前記洗浄液の流量のいずれかを含むことを
特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄方法。
2. The cleaning method according to claim 1, wherein the wafer cleaning condition includes any one of a rotation speed of a brush, a rotation speed, a brush load, a rotation speed of the wafer support mechanism, and a flow rate of the cleaning liquid. Wafer cleaning method.
【請求項3】ウェーハを配置固定するためのウェーハ支
持機構と、 前記ウェーハ面上の汚染物を除去するための回転可能で
しかも旋回可能なブラシと、 洗浄液供給装置を備えたウェーハ洗浄装置において、 前記ブラシの旋回位置情報に基づいて、汚染パターンに
対応して予め設定した洗浄条件で洗浄するための制御手
段を備えたことを特徴とするウェーハ洗浄装置。
3. A wafer cleaning apparatus comprising: a wafer support mechanism for arranging and fixing a wafer; a rotatable and pivotable brush for removing contaminants on the wafer surface; and a cleaning liquid supply device. A wafer cleaning apparatus comprising: a control unit configured to perform cleaning under a predetermined cleaning condition corresponding to a contamination pattern based on the turning position information of the brush.
【請求項4】前記ブラシの旋回軸に旋回角度検出手段を
備えたことを特徴とする請求項3に記載のウェーハ洗浄
装置。
4. The wafer cleaning apparatus according to claim 3, wherein a turning angle detecting means is provided on a turning axis of the brush.
【請求項5】前記ブラシを保持するブラシユニットは、
ブラシの回転および/または旋回速度可変機能を有し、 前記制御手段はブラシの旋回位置情報に基づきブラシの
回転および/または旋回速度を設定できることを特徴と
する請求項4に記載のウェーハ洗浄装置。
5. A brush unit for holding the brush,
The wafer cleaning apparatus according to claim 4, further comprising a brush rotation and / or rotation speed variable function, wherein the control unit can set the rotation and / or rotation speed of the brush based on the rotation position information of the brush.
【請求項6】前記ブラシを保持するブラシユニットは、
ブラシ加重可変機能を有し、 前記制御手段はブラシの旋回位置情報に基づきブラシ加
重を加減設定できることを特徴とする請求項4に記載の
ウェーハ洗浄装置。
6. A brush unit for holding the brush,
5. The wafer cleaning apparatus according to claim 4, further comprising a brush weight variable function, wherein the control unit can increase or decrease the brush weight based on brush turning position information.
【請求項7】前記ウェーハ支持機構は主軸回転数可変機
能を有し、 前記制御手段はブラシの旋回位置情報に基づき前記主軸
回転数を増減設定できることを特徴とする請求項4に記
載のウェーハ洗浄装置。
7. The wafer cleaning apparatus according to claim 4, wherein said wafer support mechanism has a spindle rotation speed variable function, and said control means can increase or decrease said spindle rotation speed based on brush turning position information. apparatus.
【請求項8】前記洗浄液供給装置は洗浄液流量調整機能
を有し、前記制御手段はブラシの旋回位置情報に基づき
前記洗浄液流量を増減設定できることを特徴とする請求
項4に記載のウェーハ洗浄装置。
8. The wafer cleaning apparatus according to claim 4, wherein said cleaning liquid supply device has a cleaning liquid flow rate adjusting function, and said control means can increase or decrease said cleaning liquid flow rate based on the turning position information of the brush.
JP15707497A 1997-06-13 1997-06-13 Wafer-cleaning method and its device Pending JPH118212A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018046108A (en) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
WO2018056328A1 (en) * 2016-09-26 2018-03-29 株式会社Screenホールディングス Substrate processing method, substrate processing device, and recording medium

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