JPH117649A - 変形可能ミラー及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】制御が容易であって、環境温度の影響を受け難
く、高精度にミラー面を変形させ保持することが可能で
あると共に、小型で簡単な構造で、安価に製造可能な変
形可能ミラーを提供する。 【解決手段】入射光を反射する反射面を有する可撓性部
材２と、可撓性部材の裏面に対向して配置され、可撓性
部材２の外周縁部に密着して、これを支持し、可撓性部
材２の弾性変形を許容する空間を形成する凹凸面３を持
つ参照面基板６と、この参照面基板６との間に、可撓性
部材２を挟み込むシリコン基板５０とを備え、可撓性部
材２を凹凸面３に吸い寄せて、この可撓性部材２を変形
させる変形可能ミラーにおいて、参照面基板６の開口部
５３を八角形に形成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、反射面の変形が
可能な変形可能ミラーに関し、詳しくは、異なる厚さの
光ディスクに対する正確な記録再生動作を可能とする変
形可能ミラーに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスクは多量の情報信号を高
密度で記録することができるため、オーディオ、ビテ
オ、コンピュータ等の多くの分野において利用が進めら
れている。図１７は、これらの装置に用いられる光ピッ
クアップの一例を示す構成図である。

【０００３】この図１７に示す光ピックアップ１００に
おいて、半導体レーザー１０１から出射した光はコリメ
ーターレンズ１０２により平行光１０３になる。平行光
１０３はビームスプリッター１０４に入射して直進し、
４分の１波長板１０５を通り、反射ミラー１０６で反射
されて、対物レンズ１０７に入射する。対物レンズ１０
７に入射した光は集光され、回転モーター１１３の駆動
軸によって支持された光ディスク１０８の情報記憶媒体
面上に光スポット１０９を形成する。

【０００４】次に、光ディスク１０８で反射した反射光
１１０は、再び、対物レンズ１０７と反射ミラー１０６
及び４分の１波長板１０５を通って、ビームスプリッタ
ー１０４に入射する。この反射光１１０は４分の１波長
板１０５の作用により、偏光ビームスプリッター１０４
で反射して、絞りレンズ１１１を通り、光検出器１１２
に受光される。光検出器１１２は、反射光線の光強度を
検出することによって再生信号を検出する。

【０００５】このような構成の光ピックアップに用いら
れる対物レンズ１０７は光ディスク１０８の厚みを考慮
して設計されている。しかしながら、この設計値と異な
る厚みの光ディスクに対しては、球面収差が生じて結像
性能が劣化し記録や再生が不可能となる。

【０００６】従来、コンパクトディスクやビデオディス
ク、あるいはデータ用のＩＳＯ規格の光磁気ディスク装
置等に用いられる光ディスクの厚みは、ほぼ同（約１．
２ｍｍ）であった。このため、一つの光ピックアップで
種類の異なる光ディスク（コンパクトディスク、ビデオ
ディスク、光磁気ディスク等）を記録再生することが可
能であった。

【０００７】ところで、近年、光ディスクのより高密度
化を図るために、（１）対物レンズの開口数（ＮＡ）を
大きくして光学的な分解能を向上させる方法や、（２）
記録層を多層に設ける方法が検討されている。

【０００８】上記の（１）のように、対物レンズのＮＡ
を大きくすると、集光ビーム径は反比例して小さくなる
が、ディスクの傾きの許容誤差を通常のＮＡを有する対
物レンズと同程度に収めるためには、ディスクの厚さを
薄くする必要がある。例えば対物レンズのＮＡを０．５
から０．６にすると、ディスクの厚さを１．２ｍｍから
０．６mmに減少させなければ、ディスクの傾きの許容誤
差を同程度に収めることができない。

【０００９】しかしながら、このようにディスクを薄く
した場合、その薄い光ディスクに対応する対物レンズを
使用して、厚い光ディスクを記録再生すると、球面収差
が増大して結像点が広がってしまい、記録再生が困難と
なる。したがって、厚い光ディスクとの間で互換性を保
つことができなくなり、光ピックアップを２個使い薄い
光ディスクと厚い光ディスクを別々の光ピックアップで
記録再生せざるを得なくなる、また、上記（２）のよう
に、複数の記録層をある程度の厚さの透明層を介して設
けた多層ディスクを用いる場合も、１枚のディスクで記
録容量が大幅に増加する。しかしながら、対物レンズか
ら見た各記録層の位置が異なるため、１つの光ピックア
ップでは正確な情報の記録再生ができない。

【００１０】このような問題点を解決する手段として、
変形可能ミラーにより基板厚さを補正する方法が知られ
ている。（特開平５−１５１５９１号公報）。

【００１１】図１８は、この変形可能ミラーを用いた光
学装置の光学系を示している。この図１８において、ビ
ーム１０３は、半導体レーザー１０１から出射され、コ
リメータレンズ１０２、ビームスプリッター１０１、４
分の１波長板１０５を透過し、ビームスプリッター２０
２に到達する。更に、このビーム１０３は、ビームスプ
リッター２０２及び４分の１波長板２０１を透過して変
形可能ミラー２００に達する。

【００１２】変形可能ミラー２００は、そのミラー表面
を変形可能に構成されており、厚いディスクのときに
は、変形可能ミラー駆動回路２０３によって、ミラー表
面を変形し、ビーム１０３に対して、ディスクが厚くな
ったことによって発生する球面収差を打ち消すような球
面収差を与える。このビーム１０３は、４分の１波長板
２０１を通って戻り、ビームスプリッター２０２で反射
されて対物レンズ１０７に達する。対物レンズ１０７に
入射した光は、集光され、光ディスク１０８の情報記録
媒体面上に光スポット１０９を形成する。

【００１３】次に、光ディスク１０８で反射した反射光
は、再び対物レンズ１０７とビームスプリッター２０
２、４分の１波長板２０１、変形可能ミラー２００及
び、４分の１波長板１０５を通って、ビームスプリッタ
ー１０４に入射する。この反射光１１０は、ビームスプ
リッター１０４で反射して、絞りレンズ１１１を通り、
光検出器１１２で受光される。光検出器１１２は、反射
光線の光強度を検出することによって再生信号を検出す
る。

【００１４】図１９は、特開平５−１５１５９１号公報
に記載の変形可能ミラー２００の具体的な構成を示す図
であり、これは「“Adaptive optics for optimization
ofimage resolution”(“Applide Optics”,vol.26,p
p.3772-3777,(1987),J.P.Gaffarel等）」に記載された
ものである。

【００１５】この変形可能ミラー２００は、表面にミラ
ー面３００を形成した変形プレート３０１と、変形プレ
ート３０１の裏側の数箇所を加圧する各圧電アクチュエ
ータ３０２と、変形プレート３０１、各圧電アクチュエ
ータ３０２、変形プレート３０１を固定するベース基板
等から構成され、各圧電アクチュエータ３０２に印加す
る電圧を変えることにより、変形プレート３０１上を所
望の量だけ変位させ、そのミラー面３００を所望の形状
に変形させる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１９
に示す各圧電アクチュエータ３０２を用いた変形可能ミ
ラーでは、圧電アクチュエータ３０２の駆動電圧に誤差
が発生すると、その変位にも誤差が生じる。特に、各圧
電アクチュエータ３０２の駆動電圧にそれぞれの誤差が
あると、変形ミラー３００が所望の面から大きく外れて
しまう。

【００１７】また、環境温度が変化すると、熱膨張の影
響を受け、各圧電アクチュエータ３０２の変位に誤差を
生じ、ミラー面３００が所望のミラー面からずれてしま
うという問題がある。

【００１８】更に、収差補正を行う光ビームの直径は４
mm程度であって、変形可能ミラーの正確な変形を実現す
るには、多数の圧電アクチュエータ３０２を直径４mmの
範囲に設けねばならず、構成が複雑化し、かつ組み立て
が煩雑になり、また変形可能ミラー本体が大型化し、光
ピックアップも大きくなってしまう。

【００１９】そこで、この発明は、上記課題を解決する
ためになされたものであって、制御が容易であって、環
境温度の影響を受け難く、高精度にミラー面を変形させ
保持することが可能であると共に、小型で簡単な構造
で、安価に製造可能な変形可能ミラー及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００２０】また、この発明の他の目的は、変形性を向
上でき、結果的に局部的に大きな応力が発生することが
なく、その寿命を向上できる変形可能ミラー及びその製
造方法を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、入射光を反射する反射面
を表面に有する可撓性部材と、可撓性部材の外周縁部を
縁取る支持枠と、この支持枠の内側で、この可撓性部材
の弾性変形を許容する空間を形成する曲面部とを備え、
支持枠内側の開口部を八角形に形成し、この開口部の領
域で、可撓性部材の反射面を平面に保持し、この開口部
の領域で、可撓性部材を曲面部に吸い寄せて、この可撓
性部材を弾性変形させ、このときに該可撓性部材の反射
面への入射光に予め定められた収差を与えている。

【００２２】この様な構成によれば、曲面部の断面形状
に倣って可撓性部材の反射面が変形する。このため、曲
面部の形状精度を高く維持しておけば、反射面の変形形
状を精度よく決定することができ、収差補正を精度よく
行うことができる。

【００２３】また、可撓性部材の外周縁部を縁取る支持
枠内側の開口部を八角形に形成しているので、変形時に
は、この可撓性部材に加わる応力を該可撓性部材の全体
に略均等に分布させることができ、この可撓性部材の変
形性が向上し、かつ、その寿命が向上する。また、無変
形時に、この可撓性部材の反射面を平面に保持し易く、
この状態を安定に持続することができる。この支持枠内
側の開口部の形状としては、正八角形が最も望ましい。

【００２４】一方、曲面部の形状は、予め指定された収
差を補正できるものであれば良い。この変形可能ミラー
を搭載した光学装置においては、可撓性部材の反射面を
平面に保持し、この可撓性部材の反射面への入射光に収
差を与えない状態と、可撓性部材を参照面基板の曲面部
に吸い寄せて、この可撓性部材を弾性変形させ、この可
撓性部材の反射面への入射光に予め定められた収差を与
える状態を選択的に設定することができ、これによって
光学的に異なる複数の光を生成することができる。

【００２５】請求項２に記載の様に、支持枠は、｛１０
０｝面、及び〔１１０〕方位のオリエンテーションフラ
ットを有する単結晶Ｓｉ基板から形成されるものが良
い。これによって、各請求項３、８及び１２に記載の変
形ミラーの製造方法が可能となる。

【００２６】請求項３に記載の製造方法においては、支
持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマスクに
よって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッチング
することによって形成され、このエッチングマスクが八
角形であり、このエッチングマスクによって被覆された
単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１１０｝面に沿っ
て、この八角形の４つの辺が存在し、このエッチングマ
スクによって被覆された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直
な｛１００｝面に沿って、この八角形の他の４つの辺が
存在している。

【００２７】この様な条件のもとに、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングすると、支持枠の開口部として、八角形のも
のを得ることができる。

【００２８】請求項４に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部
材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチング
せずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の開
口部を形成しても良い。

【００２９】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板の表面
を平らにしておけば、ここに積層される可撓性部材を平
面状に形成することができ、エッチングを終了した後に
は、支持枠の開口部で、可撓性部材の反射面を平面に保
持することができる。

【００３０】請求項５に記載の様に、エッチングマスク
を形作る八角形の｛１１０｝面に沿う４つの辺が相互に
等しく、かつ該八角形の｛１００｝面に沿う他の４つの
辺が相互に等しいのが良い。

【００３１】これによって、支持枠の開口部を形作る八
角形の｛１１０｝面上の４つの辺が相互に等しく、かつ
該八角形の｛１００｝面上の他の４つの辺が相互に等し
くなり、この八角形の形状が整う。

【００３２】請求項６に記載の様に、エッチングマスク
を形作る八角形の｛１１０｝面に沿う４つの辺の長さを
Ａとし、かつ該八角形の｛１００｝面に沿う他の４つの
辺の長さをＢとすると、Ａ＜Ｂであるのが良い。

【００３３】これによって、支持枠の開口部を形作る八
角形を良好に再現することができる。

【００３４】より好ましくは、請求項７に記載の様に、
支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作る八
角形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＞２＊Ｔ＊（１
／tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッチン
グマスクを形作る八角形の各辺の長さＡ及びＢを次式
（１）及び（２）で表す。 Ａ＝Ｌ−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（１） Ｂ＝Ｌ＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（２） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【００３５】また、請求項８に記載の製造方法において
は、支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマ
スクによって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッ
チングすることによって形成され、このエッチングマス
クが四角形であり、このエッチングマスクによって被覆
された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に
沿って、この四角形の４つの辺が存在している。

【００３６】ここでは、支持枠の開口部がやや小さく、
上記エッチングマスクを形作る八角形の｛１１０｝面に
沿う４つの辺の長さＡが０（Ａ＝０）であることを前提
としており、この請求項８に記載の条件のもとに、単結
晶Ｓｉ基板をエッチングすると、支持枠の開口部とし
て、八角形のものを得ることができる。

【００３７】請求項９に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部
材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチング
せずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の開
口部を形成しても良い。

【００３８】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板に積層
される可撓性部材を平面状に形成することができ、エッ
チングを終了した後には、支持枠の開口部で、可撓性部
材の反射面を平面に保持することができる。

【００３９】請求項１０に記載の様に、エッチングマス
クを形作る四角形は、正方形であるのが良い。

【００４０】より好ましくは、請求項１１に記載の様
に、支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作
る八角形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＝２＊Ｔ＊
（１／tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッ
チングマスクを形作る正方形の一辺の長さＣを次式
（３）で表す。 Ｃ＝４＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））±６％ …（３） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【００４１】更に、請求項１２に記載の製造方法におい
ては、支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチング
マスクによって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエ
ッチングすることによって形成され、このエッチングマ
スクは、四角形の領域と、この四角形の領域の各角から
放射状に延びるそれぞれのくさび形領域からなる形状を
有し、相互に対向する各くさび形領域の頂点を結ぶ一対
の線が該エッチングマスクによって被覆された単結晶Ｓ
ｉ基板の表面とは垂直な｛１１０｝面に沿って存在し、
四角形の領域の各辺が該エッチングマスクによって被覆
された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に
沿って存在する。

【００４２】ここでは、支持枠の開口部が非常に小さい
ことを前提としており、この請求項１０に記載の条件の
もとに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングすると、支持枠の
開口部として、八角形のものを得ることができる。

【００４３】請求項１３に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板
をエッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性
部材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチン
グせずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の
開口部を形成しても良い。

【００４４】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板に積層
される可撓性部材を平面状に形成することができ、支持
枠の開口部で、可撓性部材の反射面を平面に保持するこ
とができる。

【００４５】好ましくは、請求項１４に記載の様に、支
持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作る八角
形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＜２＊Ｔ＊（１／
tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッチング
マスクの形状における相互に対向する各くさび形領域の
頂点を結ぶの線の長さＤ、四角形の領域の各辺の離間距
離Ｅ、及び四角形の領域の各辺上での各くさび形領域間
の距離Ｆを次式（４）、（５）及び（６）で表す。 Ｄ＝Ｌ＊（１＋√（２））＋２＊Ｔ／tan（５４．７°）±６％ …（４） Ｅ＝Ｌ＊（１＋√（２））−２＊Ｔ±６％ …（５） Ｆ＝Ｌ …（６） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面を参照して説明する。図１乃至図４は、この発明の
変形可能ミラーの第１実施形態を示している。図１は、
この第１実施形態の変形可能ミラーを示す平面図、図２
は、図１のＸ−Ｘ線に沿って破断した変形可能ミラーを
示す断面図、図３は、図１の変形可能ミラーを示す底面
図、図４は、図１の変形可能ミラーを分解して示す分解
斜視図である。

【００４７】この変形可能ミラー１は、シリコン基板５
０、このシリコン基板５０の裏面側に取り付けられた可
撓性部材２、及びその下方に配置された参照面基板６を
有している。シリコン基板５０は、その内側が八角形に
開口された開口部５３を有しており、この開口部５３の
中心は、図１上でシリコン基板５０の形状中心から左側
に少し偏位している。

【００４８】可撓性部材２は、図４に示すように、開口
部５３よりも少し大きな正方形をなし、その外周縁部が
シリコン基板５０の平坦な支持面に固着されている。よ
り具体的には、この可撓性部材２の外周縁部をシリコン
熱酸化膜５１ａを介してシリコン基板５０の支持面に固
着している。また、この可撓性部材２は、引張応力を加
えられ、平坦となった状態で、シリコン基板５０に固着
されている。

【００４９】この可撓性部材２は、開口部５３の内側で
変形可能であるため、この可撓性部材２の変形可能な領
域が開口部５３と同じく八角形となる。

【００５０】ここで、図２に示すように、可撓性部材２
は上部電極層８とその上に積層された反射膜１０で構成
されている。上部電極層８は、例えば８μｍ程度の厚み
を有するＮｉ膜で作製されている。また、反射膜１０
は、例えば１μｍ程度の厚みを有するＡｕ、Ａｌ等の薄
膜で作製されている。

【００５１】なお、反射膜１０を無くして上部電極層８
の表面をそのまま反射面として利用することも可能であ
る。この場合は、部品点数を削減でき、製造コストの低
減に寄与できる利点がある。

【００５２】参照面基板６は、図４に示すように円筒状
をなし、例えばガラスモールド法で作製されている。参
照面基板６では、可撓性部材２と対向する側に、下部電
極層１２、配線部５５、配線パッド５６及びスペーサ層
５４を形成し、これらの上に絶縁層９を形成している
（図２を参照）。下部電極層１２、配線部５５及び配線
パッド５６は連続している。

【００５３】図２に示すように、参照面基板６の表側外
周の支持面は平坦になっており、その内側に凹凸面（曲
面部）３を形成し、ここに下部電極層１２を形成してい
る。また、平坦になった支持面の外周端には面取り部５
９を設け、支持面に配線部５５を形成し、面取り部５９
に配線パッド５６を形成している。この面取り部５９に
は絶縁層９を設けていない。従って、面取り部５９上の
配線パッド５６には絶縁層９が付着していない（図２参
照）。

【００５４】下部電極層１２とスペーサ層５４は、例え
ば０.１μｍ程度の厚みを有するＡｌで作製され、絶縁
層９は、例えば０.５μｍ程度の厚みを有する酸化シリ
コンで作製されている。

【００５５】ここで、配線パッド５６は、下部電極層１
２へ電圧を印加するための配線部５５と後述する下部電
極用パッド５８とを電気的に接続するために設けられて
いる。なお、配線部５５及び配線パッド５６は下部電極
層１２と同じ厚み・材料で形成されている。

【００５６】シリコン基板５０と参照面基板６は、シリ
コン基板５０側の上部電極層８と参照面基板６側の下部
電極層１２が互いに対向するように接着剤で接着されて
いる（図２参照）。より具体的には、平坦な支持面同士
を密着して接着している。可撓性部材２は、スペーサ５
４上の絶縁層９の上面と、配線部５５上の絶縁層９の上
面で同じ高さで接触し、平面性を維持する。

【００５７】前記接着剤には、例えば導電性のエポキシ
系接着剤が用いられ、図２に示すように接着剤５７ａと
接着剤５７ｂによって、シリコン基板５０と参照面基板
６が相互に固定される。また、図２に示すように、接着
剤５７ａは、参照面基板６の面取り部５９上の配線パッ
ド５６と、シリコン基板５０の裏面上に熱酸化膜５１ａ
を介して設けられた下部電極用パッド５８とを電気的に
接続する機能も兼ねている。

【００５８】参照面基板６の面取り部５９は、シリコン
基板５０と参照面基板６が接着された時に配線パッド５
６を外部に露出させるとともに、接着剤５７ａ、５７ｂ
がこの面取り部５９に入り込むことにより、接着の信頼
性を向上させ、かつ配線パッド５６と下部電極用パッド
５８との電気的な接続を確実にする機能を有する。

【００５９】可撓性部材２の露出部分２ｂ（図３参照）
と下部電極用パッド５８は、例えば半田等により駆動回
路７に接続されている。この駆動回路７は、可撓性部材
２の露出部分２ｂと下部電極層１２との間に電圧を印加
したり、印加を中止したりする。

【００６０】具体的には、可撓性部材２の反射膜１０に
入射する光ビームに収差を与えることなく反射させる場
合には、駆動回路７は電圧を印加しない。この結果、可
撓性部材２は、その反射膜１０を平坦のまま維持し、入
射してくる光ビームに収差を与えず、そのまま反射す
る。これに対して、入射する光ビームに収差を与えると
きは、駆動回路７は、上部電極層８と下部電極層１２の
間に電圧を印加する。これにより、上部電極層８と下部
電極層１２間には、静電応力が作用し、可撓性部材２
は、凹凸面３に吸着して、その反射膜１０を変形させ、
入射してくる光ビームに所定の収差を与える。

【００６１】図５は、図１の変形可能ミラーを適用した
光学装置の一例を示している。この光学装置は、相互に
異なる厚みの２種類の光ディスクに対して記録及び再生
を行うものである。

【００６２】なお、ここではディスク厚みが０．６ｍｍ
（例えば、ＤＶＤ）とｌ．２ｍｍ（例えば、ＣＤ）の２
種類の光ディスクに対応できる光学装置を例にとって説
明する。

【００６３】光ピックアップの光源である光源（半導体
レーザー）５００は、光ビーム５０４を出射する。この
光ビーム５０４は、コリメータレンズ５０２、ビームス
プリッター５０３、４分の１波長板５０５を通過して、
ビームスプリッター５０６に到達する。続いて、このビ
ーム５０４は直進してビームスプリッター５０６及び４
分の１波長板５０７を通過し、変形可能ミラー１に達す
る。

【００６４】そして、この変形可能ミラー１で反射され
た光が、４分の１波長板５０７を通過し、ビームスプリ
ッター５０６で反射され、この反射光が対物レンズ５０
８に入射する。そして、この光ビームは、光ディスク５
０９に集光する。この対物レンズ５０８は、ディスクの
厚みが０．６ｍｍの光ディスクに対応するようにその焦
点距離、開口数（ＮＡ）等が設定されている。

【００６５】この光学装置では、厚みが１．２ｍｍの光
ディスクと、厚みが０．６ｍｍの２種類の光ディスクの
いずれに対しても、正確な記録再生動作が可能になって
いる。これは、装着された光ディスク５０９の厚みに応
じて、変形可能ミラー１の状態を変化させることにより
実現される。即ち、変形可能ミラー１の可撓性部材２の
形状を変化させ、これにより対物レンズ５０８から出射
された光ビームの集光スポットを変位させ、この集光ス
ポットを駆動用モータ５１７に支持された光ディスク５
０９に合致させている。

【００６６】より具体的には、ディスクの厚みが１．２
ｍｍのときに、変形可能ミラー１の可撓性部材２を変形
させて、対物レンズ５０８の入射光に収差を与え、これ
によって対物レンズ５０８からの光ビームの集光スポッ
トを光ディスク５０９に合致させ、この状態で光ディス
ク５０９の記録再生動作を行うている。

【００６７】また、ディスク厚みが０．６ｍｍのとき
に、変形可能ミラー１の可撓性部材２を変形させず、平
面ミラ一を形成し、対物レンズ５０８の入射光に収差を
与えず、これによって対物レンズ５０８からの光ビーム
の集光スポットを光ディスク５０９に合致させ、この状
態で光ディスク５０９の記録再生動作を行っている。

【００６８】従って、変形可能ミラー１の可撓性部材２
を変形させる前提として、光ディスク５０９の厚みを検
知する必要がある。この厚み検知は、光ディスク５０９
の上側に設けられた厚み検知装置（基板厚み検知装置）
５１５により行われる。

【００６９】この厚み検知装置５１５は、例えば図６に
示すように構成されており、光源６００の光ビーム６０
２を光ディスク５０９に向けて出射する。光ディスク５
０９の表面で反射された反射光は、光ディスク５０９の
厚みが０．６ｍｍの場合は光路６０４を経て光位置検出
器６０１に入射する。同様に、光ディスク５０９の厚み
が１．２ｍｍの場合は、光路６０３を経て光位置検出器
６０１に入射する。この反射光の位置を光位置検出器６
０１で検出すれば、光ディスク５０９の厚みを検知でき
る。この検知結果、つまり光ディスクの厚み情報は、シ
ステム制御装置５１６に報じられ、これを受けたシステ
ム制御装置５１６は以下のようにして変形可能ミラー１
を変形させる。

【００７０】システム制御装置５１６は、光ディスク５
０９のディスク厚みが０．６ｍｍのときには、収差補償
を行う必要がないので、駆動回路７を駆動しない。この
場合には、変形可能ミラー１の可撓性部材２は変形せ
ず、その反射膜１０が平面ミラーとして機能する。

【００７１】また、ディスク厚みが１．２ｍｍのときに
は、システム制御装置５１６は、駆動回路７を駆動し
て、変形可能ミラー１の可撓性部材２を参照面基板６の
凹凸面３に吸着させ、この可撓性部材２を変形させる。
これにより、変形可能ミラー１によって反射されてた光
ビームには所定の収差が与えられ、対物レンズ５０８か
らの光ビームの集光スポットが厚み１．２ｍｍの光ディ
スク５０９に合致する。

【００７２】なお、ここでは、厚みが１．２ｍｍの光デ
ィスクの場合に変形可能ミラー１を変形させて収差補償
しているが、逆に厚みが０．６ｍｍの光ディスク５０９
の場合に変形可能ミラー１を変形させることも可能であ
る。

【００７３】但し、厚みが０．６ｍｍの光ディスク５０
９は記録容量が大きいため、厚みがｌ．２ｍｍのＣＤ等
の光ディスクを再生する場合よりも、使用する光学部品
に高い精度が要求される。発明者等のシミュレーション
の結果によれば、厚みが１．２ｍｍのディスクを記録再
生するときに、光ビームに収差を与えた方が光学部品の
精度が緩くて済むことが確認された。従って、変形可能
ミラー１の反射膜１０が平面ミラーとなっているとき
に、厚みが０．６ｍｍの光ディスク５０９を記録再生
し、変形可能ミラー１の可撓性部材２を変形させたとき
に、厚みが１．２ｍｍの光ディスク５０９を記録再生す
る方が実施する上で好ましいものになる。

【００７４】次に、図７を参照して、変形可能ミラー１
の反射面（可撓性部材２の反射膜１０）を所定形状に変
形させるための参照面基板６の凹凸面３の具体的な断面
形状（曲面形状）について説明する。

【００７５】この凹凸面３の断面形状は、この凹凸面３
の断面形状に倣って変形する可撓性部材２の反射面が上
述した所定の収差を発生するものであれば良い。

【００７６】図７は、所定の収差を発生する凹凸面３の
断面形状をシミュレーションで求めた結果を示す。変形
可能ミラー１の反射膜１０が平面ミラーとして作用する
ときには、深さｄ＝０（μｍ）の位置に沿った伏態であ
り、収差を補償するミラーとして作用するときには、反
射膜１０が各曲線で示すような凹凸面３に沿った断面形
状に沿う。この凹凸面３の断面形状は、その中心を通る
軸に対して軸対称となる。

【００７７】ここで、本来は、変形可能ミラーの反射面
が軸対称に変形し得る様に、この反射面を円形にするこ
とが望ましい。一方、上記光学装置に適用される変形可
能ミラーとして、全体の直径が１０ｍｍ以下、望ましく
は５ｍｍ程度のものが適当であり、これに伴いシリコン
基板５０の開口部５３としては、その直径が８ｍｍ、望
ましくは４〜３ｍｍ程度が適当である。この様にシリコ
ン基板５０の開口部５３を小さく良好な精度で円形に加
工するならば、次の様な３つの加工方法がある。

【００７８】（１）放電加工等による精密機械加工 （２）ウェットエッチング （３）ドライエッチング しかしながら、これらの加工方法には、次の様な各問題
点がある。

【００７９】上記（１）の場合、大量生産に向かない。
また、変形可能ミラーが平面ミラーとして働くときに、
安定性を向上させるため、可撓性部材２に一定のテンシ
ョンを加えておく必要があるものの、テンションを加え
つつ、この可撓性部材２を保持して固着することが困難
である。

【００８０】上記（２）の場合、円形の開口部を形成す
ることができない。すなわち、シリコン基板５０は、可
撓性部材２を支持するという目的のため、ある程度の強
度を要する。開口部５３周辺の寸法を大きくすれば良い
が、変形可能ミラーの直径が前述のように制限される。
このため、シリコン基板５０にある程度の厚みを持たせ
ることにより、強度を確保する必要がある。その厚み
は、通常０．３〜１ｍｍ程度である。この場合、ウェッ
トエッチングではサイドエッチングが入るため基本的に
前述の寸法の開口部５０を得ることは不可能である。

【００８１】上記（３）の場合、単結晶Ｓｉ基板をシリ
コン基板５０に用いて、トレンチエッチングを行えば不
可能ではない。しかしながら、量産技術として現時点で
未確立であるうえ、装置が高価で生産性もよくない。即
ち、生産コストが高くついてしまう。

【００８２】そこで、後に述べるこの発明の製造方法の
一実施形態では、バルクマイクロマシニングと呼ばれる
結晶方位依存性を利用した異方性ウェットエッチングを
適用して、シリコン基板５０の開口部５３を形成する。

【００８３】この異方性ウェットエッチングには、例え
ば（１００）面、（１１０）面の単結晶Ｓｉ基板や、水
晶基板等を用いる。ただし、結晶面に応じて異なるエッ
チング速度でエッチングを行う異方性ウェットエッチン
グであるため、円形の貫通口は得られず、通常、単結晶
Ｓｉ基板４０１には、図８（ａ）に示す様な四角形の開
口部４０２が形成される。なお、図８（ｂ）のハッチン
グ領域は、四角形の開口部４０２を形成するためのエッ
チングマスクの平面視形状を示し、図８（ｃ）のハッチ
ング領域は、四角形の開口部４０２を形成したときの変
形可能ミラーの平面視形状を示す。

【００８４】仮に、シリコン基板５０の開口部が四角形
の場合は、可撓性部材２が接触する参照面基板６の凹凸
面３が円形であるので、この可撓性部材２の変形時、応
カ分布や変位量の分布が発生してしまう。また、シリコ
ン基板５０の強度の観点からも問題がある。さらには、
開口部の面積が大きくなり、可撓性部材２の変形分部の
面積が大きくなるので、この可撓性部材２の反射面を平
面ミラーとして使用するときに、この反射面の安定性に
問題がある。

【００８５】したがって、異方性ウェットエッチングを
適用するにしても、シリコン基板５０の開口部の形状と
して、四角形を採用することはできず、この発明の変形
可能ミラーの様に、シリコン基板５０の開口部５３の形
状として、八角形を実現せねばならない。

【００８６】図９（ａ）は、単結晶Ｓｉ基板からなるシ
リコン基板５０を示す。このシリコン基板５０は、前述
の四角形の開口部を有するものと同様に、結晶方位依存
性を利用した異方性ウェットエッチングを適用して製造
したものである。前述の四角形の開口部を有するものの
場合、エッチングによって、エッチングレートの最も遅
い面を出現させているのに対し、シリコン基板５０の開
口部５３が八角形の場合は、エッチングレートの最も遅
い面と２番目に遅い面を出現させて多角形化を図り、平
面形状をより円形に近づけており、これによって四角形
の開口部について発生した問題点を解決している。

【００８７】また、シリコン基板５０の開口部５３を八
角形にすることにより、可撓性部材２を支持するシリコ
ン基板５０の支持部分が大きくなり、このシリコン基板
５０の強度が増す。更に、可撓性部材２の変形分部の面
積が小さくなるので、この可撓性部材２の反射面を平面
ミラーとして使用するときには、この反射面の安定性が
増す。

【００８８】図１０（ａ）は、開口部が四角形の場合
に、可撓性部材２を同図（ｃ）に示す様な深さ５μｍ程
度の参照面基板６の凹凸面３に強制的に接触させたとき
の該可撓性部材２の変位の状態を示し、また図１０
（ｂ）は、開口部が八角形の場合に、可撓性部材２を同
図（ｃ）に示す様な参照面基板６の凹凸面３に強制的に
接触させたときの該可撓性部材２の変位の状態を示す。

【００８９】これらの図１０（ａ），（ｂ）を比較すれ
ば明らかな様に、開口部が四角形の場合は、可撓性部材
２が円状に変形しないものの、開口部が八角形の場合
は、可撓性部材２が円状に変形する。

【００９０】なお、可撓性部材２の変位の状態は、ＦＥ
Ｍ（Ｆｉｎｉｔ ＥｌｅｍｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）のシミ
ュレーションで求めたものである。また、図示はされて
いないが、可撓性部材２に作用する応カの分布も同様の
傾向を示す。

【００９１】次に、この発明の製造方法の一実施形態で
あって、図１のシリコン基板５０を製造するための方法
を図１１を参照しつつ説明する。このシリコン基板５０
は、図１１（ａ）に示す様な｛１００｝面（通常（１０
０）面）、及び［１００］方位（通常＜０１１＞方位）
のオリエンテーションフラットを有する単結晶Ｓｉ基板
７１を用いる。この単結晶Ｓｉ基板７１の厚みは、０．
３〜１ｍｍ程度がよい。

【００９２】図１１（ｂ）に示す様に、この単結晶Ｓｉ
基板７１を酸化して、エッチングマスクとなる各ＳｉＯ
₂層５１ａ、５１ｂを形成する。

【００９３】なお、後述する異方性ウェットエッチング
の精度を向上させるため、エッチャントによる選択性の
良いＳｉ₃Ｎ₄層を減圧ＣＶＤによって形成し、これをエ
ッチングマスクとして使用するとより好ましい。

【００９４】次に、図１１（ｃ）に示す様に、フォトリ
ソグラフィーとＲＩＥによって、単結晶Ｓｉ基板７１の
裏面、つまり可撓性部材２を形成する表面とは反対側の
裏面に形成されたＳｉＯ₂層５１ｂをパターニングし、
開口部５３を形成するためのエッチングマスク６０を形
成する。

【００９５】次に、図１１（ｄ）に示す様に、単結晶Ｓ
ｉ基板７１の表面に、例えばＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等の密着
層６１をスパッタ法やＥＢ蒸着法で形成し、この後に、
可撓性部材２を後述する電気メッキ法で形成するための
シード層６２を形成する。通常、密着層６１とシード層
６２は連続的に成膜される。

【００９６】次に、図１１（ｅ）に示す様に、電気メッ
キ法によって、可撓性部材２の基材となる例えば８μｍ
厚のＮｉ層６３を形成する。

【００９７】次に、図１１（ｆ）に示す様に、静電力に
よって駆動される可撓性部材２に電圧を印加するための
上部電極５８等をパターニングする。

【００９８】なお、この実施形態では、電気メッキ法を
用いているが、無電界メッキ法を用いても良いし、また
単結晶Ｓｉ基板７１の表面にＰ型不純物のドーピングを
行い、エッチストップとなる層を形成して、後に形成さ
れる可撓性部材２のエッチングを阻止しても良い。

【００９９】次に、図１１（ｇ）に示す様に、例えは４
０ｗｔ％、６０℃のＫＯＨ水溶液を用いて、単結晶Ｓｉ
基板７１に対して異方性ウェットエッチングを行った
後、ＳｉＯ₂５１ａの不要な部分を例えばＲＩＥ等で除
去してシリコン基板５０並びに開口部５３を形成する。
これに伴い、密着層６１、シード層６２及びＮｉ層６３
の一部分が可撓性部材２となって、この可撓性部材２が
開口部５３で平面状に保持される。

【０１００】この際、図９（ａ）に示す様に、エッチン
グによって｛１１１｝面が第１番目に出現して、この
｛１１１｝面が単結晶Ｓｉ基板７１の（１００）面に対
して５４．７°の角度をなす。また、（０１０）面及び
（００１）面が第２番目に出現して、これらの（０１
０）面及び（００１）面が（１００）面に対して直角と
なる。

【０１０１】｛１１１｝面のエッチングレートは、非常
に小さくエッチングマスク６０に略忠実に現れる。ま
た、（０１０）面及び（００１）面は、エッチングマス
ク６０によって被覆されている単結晶Ｓｉ基板７１の
（１００）面と同一方位であるから、この（１００）面
と同一のエッチングレートでエッチングされる。

【０１０２】エッチングマスク６０の寸法並びに形状を
適宜に設定すれば、開口部５３が貫通した時点での、
（０１０）面及び（００１）面の寸法をコントロールす
ることが可能となる。また、｛１１１｝面と、（０１
０）面及び（００１）面は、（１００）面に射影して平
面的に見ると、相互に４５°（１３５°）の角度をな
す。このことを利用すれば、｛１１１｝、｛１００｝両
面によって、八角形の開口部５３を形成することがで
き、さらに精度をあげれば正八角形の開口部５３が得ら
れる。

【０１０３】なお、以上で変形可能ミラーのシリコン基
板５０及び可撓性部材２は完成するが、必要に応じて、
図１１（ｈ）に示す様に、可撓性部材２の表面ににＡ
ｌ，Ａｕ等の反射膜１０を成膜すると良い。

【０１０４】次に、八角形の開口部５３を良好に再現す
るための、エッチングマスクの具体的な形状を述べる。

【０１０５】まず、仮に、先に述べた図８（ａ）の四角
形の開口部４０２の場合は、（１００）面、＜０１１＞
方位のオリエンテーションフラットを有する単結晶Ｓｉ
基板４０１を適用し、オリエンテーションフラットに対
して水平及び垂直な各辺からなる四角形のエッチングマ
スクによって該単結晶Ｓｉ基板４０１をマスクしてか
ら、この単結晶Ｓｉ基板４０１をパターニングする。こ
のエッチングマスクによって、（１１１）面及び（１−
１−１）面がオリエンテーションフラットの（０１１）
面に対して水平に現れ、また（１−１１）面及び（１１
−１）面が（０１１）面に対して垂直に現れる。｛１１
１｝面は、単結晶Ｓｉ基板４０１の（１００）面に対し
て５４．７°でそれぞれ交わるが、（１００）面に射影
して平面的に見た形状は、表面から見ても、裏面から見
ても、 図８（ｂ）及び（ｃ）から明らかな様に、四角
形となる。

【０１０６】一方、この発明の八角形の開口部５３の場
合は、先にも述べた様に単結晶Ｓｉ基板７１の＜０１１
＞方位のオリエンテーションフラットに対しては４５°
をなし、単結晶Ｓｉ基板５１の表面である（１００）面
に対しては垂直な４つの｛１００｝面と、先の｛１１
１｝面を出現させて組み合わせる。

【０１０７】上記実施形態の製造方法においては、エッ
チングマスクのＳｉＯ₂層５１ａ(又はＳｉ₃Ｎ₄層)及び
単結晶Ｓｉ基板７１の｛１１１｝面のエッチングレート
は、開口部５３が貫通する（１００）面のエッチングレ
ートの２００〜４００分の１以下である。八角形の開口
部５３を形成するには、｛１１１｝面と共に、（０１
０）面及び（００１）面を出現させる。これらの（０１
０）面及び（００１）面は、（１００）面と同じく、約
２０μｍ／時間のエッチングレートでエッチングされる
が、それでも他の高次の面、例えば｛１１０｝面や｛２
１０｝面等よりはエッチングレートが遅い。

【０１０８】そこで、図１２（ａ）に示す様なハッチン
グ領域を覆うエッチングマスク６０を形成してからエッ
チングを行う。このエッチングマスク６０の形状によっ
て、｛１１１｝面が出現するまでは、（０１０）面及び
（００１）面が優先して出現され、オーバーエッチング
がかなり進み、この結果として開口部５３が八角形とな
る。

【０１０９】以上の原理で八角形の開口部５３を形成す
るので、八角形を構成する｛１１１｝面、（０１０）面
及び（００１）面がエッチングマスク６０の形状や寸法
をそのまま反映するわけでなく、このためエッチングマ
スク６０の形状や寸法を適宜調整する必要がある。

【０１１０】次に、エッチングマスク６０に対するシリ
コン基板５０の開口部５３の形状並びに寸法を図９
（ｂ）及び（ｃ）を参照して説明する。図９（ｂ）は、
図９（ａ）のＸ1−Ｘ1’に沿う断面を示し、図９（ｃ）
は、図９（ａ）のＸ2−Ｘ2’に沿う断面を示す。

【０１１１】図９（ｂ）に示す様に、（０１０）面及び
（００１）面については、シリコン基板５０の厚さを
Ｔ、エッチングによるサイドエッチ（アンダーカット）
量をＷとすると、サイドエッチ量Ｗはシリコン基板５０
の厚さＴに略相当する。よって、Ｗ＝Ｔとなり、開口部
５３を形作る八角形の対向する各辺間の離間距離がエッ
チングマスク６０を形作る各辺間の離間距離よりも２＊
Ｔ分だけ大きくなる。

【０１１２】また、図９（ｃ）に示す様に、｛１１１｝
面については、面がエッチングマスク６０の内側に出て
しまう。その量をＶとすると、Ｖ＝Ｔ／tan（５４．７
°）となる。開口部５３を形作る八角形の対向する各辺
間の離間距離は、エッチングマスク６０を形作る各辺間
の離間距離よりも２＊Ｔ／tan（５４．７°）だけ小さ
くなる。

【０１１３】図１２は、開口部５３を形作る八角形とエ
ッチングマスク６０を判り易く示すものであり、シリコ
ン基板５０を裏面側から見て示す概略斜視図である。図
１２（ａ）のハッチング領域は、エッチングマスク６０
の形状を示し、図１２（ｂ）のハッチング領域は、変形
可能ミラーの平面形状を示し、図１２（ｃ）のハッチン
グ領域は、開口部５３の裏面側の形状を示す。この開口
部５３の形状を単結晶Ｓｉ基板５１の（１００）面に射
影して平面的に見ると、図１２（ｂ）に示す様な八角形
となる。

【０１１４】次に、エッチングマスク６０と、シリコン
基板５０の開口部５３を平面的にみたときの形状並びに
寸法の関係について、図１３を参照して説明する。

【０１１５】これまでに述べてきた様に、シリコン基板
５０の開口部５３を八角形にするためには、エッチング
マスク６０を八角形とし、このエッチングマスク６０の
４つの辺をシリコン基板５０（単結晶Ｓｉ基板７１）の
｛１１０｝に沿わせ、残りの他の４つの辺をシリコン基
板５０の｛１００｝面に沿わせれば良い。

【０１１６】また、開口部５３を正八角形に近づけるた
めには、エッチングマスク６０の各辺のうちの対向する
もの同士の長さを等しくする。つまり、＜０１１＞方位
のオリエンテーションフラットに対して水平あるいは垂
直なエッチングマスク６０の各辺の長さを等しくし、＜
０１１＞方位のオリエンテーションフラットに対して４
５°をなす各辺も長さを等しくする。

【０１１７】ここで、＜０１１＞方位のオリエンテーシ
ョンフラットに対して水平あるいは垂直なエッチングマ
スク６０の各辺の長さをＡとし、＜０１１＞方位のオリ
エンテーションフラットに対して４５°をなす各辺の長
さをＢとする。また、開口部５３を（１００）面に射影
して平面的にみたときの八角形の各辺については、＜０
１１＞方位のオリエンテーションフラットに対して水平
あるいは垂直な各辺の長さをＬ1とし、＜０１１＞方位
のオリエンテーションフラットに対して４５°をなす各
辺の長さをＬ2とする。更に、先に述べたことから明ら
かな様に、長さＬ1の各辺の離間距離が長さＡの各辺間
の離間距離よりも２＊Ｔ／tan（５４．７°）だけ小さ
く、長さＬ2の各辺の離間距離が長さＢの各辺間の離間
距離よりも２＊Ｔ分だけ大きくなる。

【０１１８】これらの関係から、エッチングマスク６０
の各辺の長さＡ及びＢは、次の各式（７）及び（８）に
よって表される。 Ａ＝Ｌ1−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …（７） Ｂ＝Ｌ2＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …（８） 開口部５３を略正八角形に近づけるためには、Ａ＜Ｂで
あって、かつＬ1＝Ｌ2＝Ｌ、Ｌ＝（Ｌ1＋Ｌ2）／２Ｌで
ある。したがって、上記各式（７）及び（８）から次の
各（９）及び（１０）が導かれる。

【０１１９】 Ａ＝Ｌ−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …（９） Ｂ＝Ｌ＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …（１０） これらの式（９）及び（１０）から、各辺の長さＡ及び
Ｂを求めて、これらの辺からなるエッチングマスク６０
を採用して、シリコン基板５０の開口部５３を形成すれ
ば、この開口部５３を略正八角形にすることができる。

【０１２０】ただし、シリコン基板５０の開口部５３を
正八角形に成形することが極めて困難なため、略正八角
形と表現せざるを得ない。その理由としては、シリコン
基板５０の｛１１１｝面はほとんど後退しないが、｛１
００｝面はオーバーエッチング等で、約２０μｍ／時間
の割合で後退するので、シリコン基板５０の開口部５３
の各辺の長さの誤差を避け難いと言うこと、またエッチ
ングマスク６０を高精度で単結晶Ｓｉ基板７１上にアラ
イメントするのは困難であって、若干のずれが生ずると
言うこと、更には単結晶Ｓｉ基板７１の厚みも規格に対
して多少のばらつきを有すると言うこと等がある。

【０１２１】実際に試作すると、前者の２つの理由によ
るばらつきが約３％、後者の１つの理由によるばらつき
が３％で、計６％のばらつきがあることが判明した。し
たがって、シリコン基板５０の開口部５３の形状とし
て、完全な正八角形を実現するには、これらのばらつき
を考慮したうえで、逆算を行い、次の各式（１）及び
（２）に基づいて、エッチングマスク６０の各辺の長さ
Ａ及びＢを設定する必要がある。 Ａ＝Ｌ−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（１） Ｂ＝Ｌ＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（２） 図１４は、この発明の製造方法の第２実施形態における
エッチングマスクの概略形状を示している。

【０１２２】この第２実施形態では、変形可能ミラーの
小型化に伴って、シリコン基板５０及び開口部５３を小
型化する場合を想定している。

【０１２３】これに対して、第１実施形態の変形可能ミ
ラーにおいては、変形可能ミラーが比較的大きく、単結
晶Ｓｉ基板７１のエッチングに用いられるエッチングマ
スク６０が八角形であって、長さＡの４つの辺と、長さ
Ｂの４つの辺が存在し、Ａ＞０と言う条件を満たしてい
る。このＡ＞０と言う条件を上記式（１）に代入すれ
ば、次の式（１１）を求めることができ、エッチングマ
スク６０が八角形である限り、この式（１１）を満たさ
なければ、シリコン基板５０の開口部５３を八角形に形
成することはできない。 Ｌ＞２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …(１１) ところが、シリコン基板５０の開口部５３が小さくな
り、これに伴ってエッチングマスクも小さくなると、Ａ
＝０となるので、エッチングマスクの形状は、八角形で
なく、図１４に示す様な四角形のエッチングマスク８１
となる。

【０１２４】このエッチングマスク８１によって単結晶
Ｓｉ基板７１を被覆し、この単結晶Ｓｉ基板７１をエッ
チングした場合、エッチングマスク８１を形作る四角形
の頂点から、｛１１１｝面が出現し、この四角形の各辺
から｛１００｝面が出現する。

【０１２５】したがって、エッチングマスク８１形作る
四角形の各辺は、単結晶Ｓｉ基板７１の表面である（１
００）面に対して垂直な｛１００｝面上に沿って存在す
る必要がある。

【０１２６】この様にエッチングマスク８１の四角形の
各辺の方向を決めた場合、エッチングマスク８１の四角
形は長方形となる。但し、この長方形の隣り合う辺の長
さが異なると、図１４に示す開口部５３を形作る八角形
の各辺９１，９５と９３，９７、及び９０，９４と９
２，９６の長さが異なってしまう。より正八角形に近づ
けるには、この長方形の各辺の長さが等しい、つまり正
方形であらねばならない。

【０１２７】ここで、上記式（１）にＡ＝０を代入する
と、次の式（１２）が導かれる。 Ｌ＝２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …（１２） 更に、この式（１２）を上記式（２）に代入し、Ｂ＝Ｃ
と置き換えると、次の式（１３）が導かれる。

【０１２８】 Ｃ＝４＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２）） …（１３） この式（１３）によって求められるＣは、エッチングマ
スク８１の正方形の一辺の長さであり、この正方形のエ
ッチングマスク８１によって単結晶Ｓｉ基板７１を被覆
し、この単結晶Ｓｉ基板７１をエッチングすると、シリ
コン基板５０の開口部５３が略正八角形となり、この略
正八角形の各辺の長さがＬとなる。

【０１２９】ここで、第１実施形態のエッチングマスク
６０と同様に、６％のばらつきを考慮して、シリコン基
板５０の開口部５３を完全に正八角形とするには、これ
らのばらつきを考慮したうえで、逆算を行い、次の
（３）に基づいて、エッチングマスク８１の各辺の長さ
Ａ及びＢを設定する必要がある。 Ｃ＝４＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））±６％ …（３） 図１５は、この発明の製造方法の第３実施形態における
エッチングマスクの概略形状を示している。

【０１３０】この第３実施形態では、変形可能ミラーの
更なる小型化に伴って、シリコン基板５０及び開口部５
３を更に小型化する場合を想定している。

【０１３１】これに対して、第２実施形態の変形可能ミ
ラーにおいては、上記式（１２）の条件を満たすことを
前提としており、この条件が満たされず、次の式（１
４）が成立するとき、つまり単結晶Ｓｉ基板７１の厚さ
Ｔと比較して、シリコン基板５０の開口部５３形作る八
角形の一辺の長さＬが短く、小さな八角形のときには、
八角形を作成することができても、図１６（ａ），
（ｂ）に示す様にエッチングマスク８１形作る四角形の
頂点から開口部５３形作る八角形の一辺までの距離Ｖ、
及びエッチングマスク８１を形作る四角形の一辺から開
口部５３を形作る八角形の一辺までの距離Ｗを別々に調
整することができず、どうしても開口部５３を形作る八
角形の各辺の長さＬ1，Ｌ2の関係がＬ1＞Ｌ2となってし
まうため、正八角形を形作ることはできない。

【０１３２】 Ｌ＜２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ） …(１４) ところで、図９（ｂ），（ｃ）の先の説明からも明らか
な様に、シリコン基板５０の｛１１１｝面はエッチング
マスクパターンより小さくなり、｛１００｝面はエッチ
ングマスクパターンより大きくなる（サイドエッチング
が入る）。そこで、エッチング完了後の八角形の形状よ
り逆算し、｛１１１｝面が小さくなる分だけ、この｛１
１１｝面にサイドエッチングが入る様に、四角形のエッ
チングマスクを予め変形させると、この結果として、図
１５に示す形状のエッチングマスク８２が得られる。こ
のエッチングマスク８２を用いれば、シリコン基板５０
の開口部５３を略正八角形に形成することができる。

【０１３３】このエッチングマスク８２の形状は、四角
形の領域８３と、この四角形の領域８３の各角から放射
状に延びるそれぞれのくさび形領域８４からなる形状を
有している。相互に対向する各くさび形領域８４の頂点
を結ぶ一対の線が単結晶Ｓｉ基板７１の表面とは垂直な
｛１１０｝面に沿って存在し、四角形の領域８３の各辺
が単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に沿っ
て存在する様に、このエッチングマスク８２によって単
結晶Ｓｉ基板７１を被覆し、この単結晶Ｓｉ基板７１を
エッチングする。これによって、単結晶Ｓｉ基板７１の
厚さＴと比較して、シリコン基板５０の開口部５３を形
作る八角形の一辺の長さＬが短く、小さな八角形のとき
でも、この八角形を略正八角形に近づけることができ
る。

【０１３４】さらに、シリコン基板５０の開口部５３を
より正八角形に近づけるには、エッチングマスク８２の
相互に対向する各くさび形領域８４の頂点を結ぶ一対の
線の長さをＤ、四角形の領域８３の各辺の離間距離を
Ｅ、及び四角形の領域８３の各辺上での各くさび形領域
８４間の距離をＦとすると、次の各式（１５）、（１
６）及び（１７）を満たせば良い。

【０１３５】 Ｄ＝Ｌ＊（１＋√（２））＋２＊Ｔ／tan（５４．７°） …（１５） Ｅ＝Ｌ＊（１＋√（２））−２＊Ｔ …（１６） Ｆ＝Ｌ …（１７） ここで、第１実施形態のエッチングマスク６０と同様
に、６％のばらつきを考慮して、シリコン基板５０の開
口部５３を完全に正八角形とするには、これらのばらつ
きを考慮したうえで、逆算を行い、次の各式（４）、
（５）及び（６）に基づいて、Ｄ，Ｅ，Ｆを設定する必
要がある。 Ｄ＝Ｌ＊（１＋√（２））＋２＊Ｔ／tan（５４．７°）±６％ …（４） Ｅ＝Ｌ＊（１＋√（２））−２＊Ｔ±６％ …（５） Ｆ＝Ｌ …（６）

【０１３６】

【発明の効果】以上説明した様に、この発明によれば、
曲面部の断面形状に倣って可撓性部材の反射面が変形す
る。このため、曲面部の形状精度を高く維持しておけ
ば、反射面の変形形状を精度よく決定することができ、
収差補正を精度よく行うことができる。

【０１３７】また、可撓性部材の外周縁部を縁取る支持
枠内側の開口部を八角形に形成しているので、変形時に
は、この可撓性部材に加わる応力を該可撓性部材の全体
に略均等に分布させることができ、この可撓性部材の変
形性が向上し、かつ、その寿命が向上する。また、無変
形時に、この可撓性部材の反射面を平面に保持し易く、
この状態を安定に持続することができる。この支持枠内
側の開口部の形状としては、正八角形が最も望ましい。

【０１３８】一方、曲面部の形状は、予め指定された収
差を補正できるものであれば良い。この変形可能ミラー
を搭載した光学装置においては、可撓性部材の反射面を
平面に保持し、この可撓性部材の反射面への入射光に収
差を与えない状態と、可撓性部材を参照面基板の曲面部
に吸い寄せて、この可撓性部材を弾性変形させ、この可
撓性部材の反射面への入射光に予め定められた収差を与
える状態を選択的に設定することができ、これによって
光学的に異なる複数の光を生成することができる。

【０１３９】請求項２に記載の様に、支持枠は、｛１０
０｝面、及び〔１１０〕方位のオリエンテーションフラ
ットを有する単結晶Ｓｉ基板から形成されるものが良
く、これによって、各請求項３、８及び１２に記載の変
形ミラーの製造方法が可能となる。

【０１４０】請求項３に記載の製造方法によれば、支持
枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマスクによ
って被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッチングす
ることによって形成され、このエッチングマスクが八角
形であり、このエッチングマスクによって被覆された単
結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１１０｝面に沿って、
この八角形の４つの辺が存在し、このエッチングマスク
によって被覆された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な
｛１００｝面に沿って、この八角形の他の４つの辺が存
在している。

【０１４１】この様な条件のもとに、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングすると、支持枠の開口部として、八角形のも
のを得ることができる。

【０１４２】請求項４に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部
材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチング
せずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の開
口部を形成しても良い。

【０１４３】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板の表面
を平らにしておけば、ここに積層される可撓性部材を平
面状に形成することができ、エッチングを終了した後に
は、支持枠の開口部で、可撓性部材の反射面を平面に保
持することができる。

【０１４４】請求項５に記載の様に、エッチングマスク
を形作る八角形の｛１１０｝面に沿う４つの辺が相互に
等しく、かつ該八角形の｛１００｝面に沿う他の４つの
辺が相互に等しいのが良い。

【０１４５】これによって、支持枠の開口部を形作る八
角形の｛１１０｝面上の４つの辺が相互に等しく、かつ
該八角形の｛１００｝面上の他の４つの辺が相互に等し
くなり、この八角形の形状が整う。

【０１４６】請求項６に記載の様に、エッチングマスク
を形作る八角形の｛１１０｝面に沿う４つの辺の長さを
Ａとし、かつ該八角形の｛１００｝面に沿う他の４つの
辺の長さをＢとすると、Ａ＜Ｂであるのが良い。

【０１４７】これによって、支持枠の開口部を形作る八
角形を良好に再現することができる。

【０１４８】より好ましくは、請求項７に記載の様に、
支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作る八
角形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＞２＊Ｔ＊（１
／tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッチン
グマスクを形作る八角形の各辺の長さＡ及びＢを次式
（１）及び（２）で表す。 Ａ＝Ｌ−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（１） Ｂ＝Ｌ＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（２） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【０１４９】また、請求項８に記載の製造方法によれ
ば、支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマ
スクによって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッ
チングすることによって形成され、このエッチングマス
クが四角形であり、このエッチングマスクによって被覆
された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に
沿って、この四角形の４つの辺が存在している。

【０１５０】ここでは、支持枠の開口部がやや小さく、
上記エッチングマスクを形作る八角形の｛１１０｝面に
沿う４つの辺の長さＡが０（Ａ＝０）であることを前提
としており、この請求項８に記載の条件のもとに、単結
晶Ｓｉ基板をエッチングすると、支持枠の開口部とし
て、八角形のものを得ることができる。

【０１５１】請求項９に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板を
エッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部
材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチング
せずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の開
口部を形成しても良い。

【０１５２】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板に積層
される可撓性部材を平面状に形成することができ、エッ
チングを終了した後には、支持枠の開口部で、可撓性部
材の反射面を平面に保持することができる。

【０１５３】請求項１０に記載の様に、エッチングマス
クを形作る四角形は、正方形であるのが良い。

【０１５４】より好ましくは、請求項１１に記載の様
に、支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作
る八角形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＝２＊Ｔ＊
（１／tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッ
チングマスクを形作る正方形の一辺の長さＣを次式
（３）で表す。 Ｃ＝４＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））±６％ …（３） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【０１５５】更に、請求項１２に記載の製造方法によれ
ば、支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマ
スクによって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッ
チングすることによって形成され、このエッチングマス
クは、四角形の領域と、この四角形の領域の各角から放
射状に延びるそれぞれのくさび形領域からなる形状を有
し、相互に対向する各くさび形領域の頂点を結ぶ一対の
線が該エッチングマスクによって被覆された単結晶Ｓｉ
基板の表面とは垂直な｛１１０｝面に沿って存在し、四
角形の領域の各辺が該エッチングマスクによって被覆さ
れた単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に沿
って存在する。

【０１５６】ここでは、支持枠の開口部が非常に小さい
ことを前提としており、この請求項１０に記載の条件の
もとに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングすると、支持枠の
開口部として、八角形のものを得ることができる。

【０１５７】請求項１３に記載の様に、単結晶Ｓｉ基板
をエッチングする以前に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性
部材を積層しておき、この後に、可撓性部材をエッチン
グせずに、単結晶Ｓｉ基板をエッチングして、支持枠の
開口部を形成しても良い。

【０１５８】これによって、支持枠と可撓性部材を同時
に形成することができる。また、単結晶Ｓｉ基板に積層
される可撓性部材を平面状に形成することができ、支持
枠の開口部で、可撓性部材の反射面を平面に保持するこ
とができる。

【０１５９】好ましくは、請求項１４に記載の様に、支
持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開口部を形作る八角
形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ＜２＊Ｔ＊（１／
tan（５４．７°）＋√（２））とすると、エッチング
マスクの形状における相互に対向する各くさび形領域の
頂点を結ぶの線の長さをＤ、四角形の領域の各辺の離間
距離をＥ、及び四角形の領域の各辺上での各くさび形領
域間の距離をＦを次式（４）、（５）及び（６）で表
す。 Ｄ＝Ｌ＊（１＋√（２））＋２＊Ｔ／tan（５４．７°）±６％ …（４） Ｅ＝Ｌ＊（１＋√（２））−２＊Ｔ±６％ …（５） Ｆ＝Ｌ …（６） この場合は、支持枠の開口部を形作る八角形が正八角形
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の変形可能ミラーの第１実施形態を示
す平面図

【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿って破断した変形可能ミラ
ーを示す断面図

【図３】図１の変形可能ミラーを示す底面図

【図４】図１の変形可能ミラーを分解して示す分解斜視
図

【図５】図１の変形可能ミラーを適用した光学装置の一
例を示すブロック図

【図６】図５における厚み検知装置を示す概略構成図

【図７】図１の変形可能ミラーの凹凸面の断面形状を示
すグラフ

【図８】（ａ）は四角形の開口部を形成し単結晶Ｓｉ基
板を示す斜視図、（ｂ）は該単結晶Ｓｉ基板上にエッチ
ングマスクの平面視形状を示し、（ｃ）は該単結晶Ｓｉ
基板を用いて形成した変形可能ミラーの平面視形状を示
す図

【図９】（ａ）は図１の変形可能ミラーのシリコン基板
を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ1−Ｘ1’に沿う断面
を示し、（ｃ）は（ａ）のＸ2−Ｘ2’に沿う断面を示す
図

【図１０】（ａ）はシリコン基板の開口部が四角形の場
合に、可撓性部材を凹凸面に強制的に接触させたときの
該可撓性部材の変位の状態を示すグラフ、（ｂ）は開口
部が八角形の場合に、可撓性部材を凹凸面に強制的に接
触させたときの該可撓性部材の変位の状態を示すグラ
フ、（ｃ）は可撓性部材を凹凸面に強制的に接触させて
いる状態を示す図

【図１１】図２の変形ミラーのシリコン基板を製造する
手順を示しており、（ａ）は単結晶Ｓｉ基板を示し、
（ｂ）はＳｉＯ₂層の形成工程を示し、（ｃ）はエッチ
ングマスクの形成工程を示し、（ｄ）は密着層とシード
層の形成工程を示し、（ｅ）はＮｉ層の形成工程を示
し、（ｆ）は上部電極等のパターニング工程を示し、
（ｇ）は異方性ウェットエッチング工程を示し、（ｈ）
は反射膜の成膜工程を示す図

【図１２】（ａ）は図１の変形可能ミラーのシリコン基
板を覆うエッチングマスクの形状を示し、（ｂ）は変形
可能ミラーの平面形状を示し、（ｃ）はシリコン基板の
開口部の裏面側の形状を示す図

【図１３】図１の変形可能ミラーのシリコン基板の開口
部とエッチングマスクの形状を示す平面図

【図１４】この発明の製造方法の第２実施形態における
エッチングマスクの概略形状を示す平面図

【図１５】この発明の製造方法の第３実施形態における
エッチングマスクの概略形状を示す平面図

【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、エッチングマスクと開
口部の形状及び寸法の関係を示す図

【図１７】従来の光ピックアップの構成を示すブロック
図

【図１８】従来の変形可能ミラーを使用した光ピックア
ップの構成を示す図

【図１９】従来の変形可能ミラーの構成を示す図

【符号の説明】

１ 変形可能ミラー ２ 可撓性部材 ３ 凹凸面 ７ 駆動回路 ８ 上部電極層 ９ 絶縁層 １０ 反射膜 １２ 下部電極層 ５０ シリコン基板 ５３ 開口部 ５４ スペーサ層 ５５ 配線部 ５６ 配線パッド ５９ 面取り部 ６０，８１，８２ エッチングマスク ７１ 単結晶Ｓｉ基板 ５００ 光源 ５０２ コリメータレンズ ５０３，５０６ ビームスプリッター ５０５，５０７ ４分の１波長板 ５０８ 対物レンズ ５０９ 光ディスク ５１５ 厚み検知装置 ５１７ 駆動用モータ ６０１ 光位置検出装置

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射光を反射する反射面を表面に有する
   可撓性部材と、可撓性部材の外周部を縁取る支持枠と、
   この支持枠の内側で、この可撓性部材の弾性変形を許容
   する空間を形成する曲面部とを備え、 支持枠内側の開口部を八角形に形成し、この開口部の領
   域で、可撓性部材の反射面を平面に保持し、この開口部
   の領域で、可撓性部材を曲面部に吸い寄せて、この可撓
   性部材を弾性変形させ、このときに該可撓性部材の反射
   面への入射光に予め定められた収差を与える変形可能ミ
   ラー。
2. 【請求項２】 支持枠は、｛１００｝面、及び〔１１
   ０〕方位のオリエンテーションフラットを有する単結晶
   Ｓｉ基板から形成された請求項１に記載の変形可能ミラ
   ー。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の変形可能ミラーを製造
   するための変形ミラーの製造方法において、 支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマスク
   によって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッチン
   グすることによって形成され、 このエッチングマスクが八角形であり、このエッチング
   マスクによって被覆された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂
   直な｛１１０｝面に沿って、この八角形の４つの辺が存
   在し、このエッチングマスクによって被覆された単結晶
   Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に沿って、この
   八角形の他の４つの辺が存在する変形可能ミラーの製造
   方法。
4. 【請求項４】 単結晶Ｓｉ基板をエッチングする以前
   に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部材を積層しておき、
   この後に、可撓性部材をエッチングせずに、単結晶Ｓｉ
   基板をエッチングして、支持枠の開口部を形成する請求
   項３に記載の変形可能ミラーの製造方法。
5. 【請求項５】 エッチングマスクを形作る八角形の｛１
   １０｝面に沿う４つの辺が相互に等しく、かつ該八角形
   の｛１００｝面に沿う他の４つの辺が相互に等しい請求
   項４に記載の変形可能ミラーの製造方法。
6. 【請求項６】 エッチングマスクを形作る八角形の｛１
   １０｝面に沿う４つの辺の長さをＡとし、かつ該八角形
   の｛１００｝面に沿う他の４つの辺の長さをＢとする
   と、Ａ＜Ｂである請求項４に記載の変形可能ミラーの製
   造方法。
7. 【請求項７】 支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の開
   口部を形作る八角形の各辺の長さの平均値をＬとし、Ｌ
   ＞２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））とす
   ると、 エッチングマスクを形作る八角形の各辺の長さＡ及びＢ
   は、次式（１）及び（２）で表される請求項５に記載の
   変形可能ミラーの製造方法。 Ａ＝Ｌ−２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（１） Ｂ＝Ｌ＋２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２） ）±６％ …（２）
8. 【請求項８】 請求項２に記載の変形可能ミラーを製造
   するための変形ミラーの製造方法において、 支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマスク
   によって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッチン
   グすることによって形成され、 このエッチングマスクが四角形であり、このエッチング
   マスクによって被覆された単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂
   直な｛１００｝面に沿って、この四角形の４つの辺が存
   在する変形可能ミラーの製造方法。
9. 【請求項９】 単結晶Ｓｉ基板をエッチングする以前
   に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部材を積層しておき、
   この後に、可撓性部材をエッチングせずに、単結晶Ｓｉ
   基板をエッチングして、支持枠の開口部を形成する請求
   項８に記載の変形可能ミラーの製造方法。
10. 【請求項１０】 エッチングマスクを形作る四角形は、
    正方形である請求項８に記載の変形可能ミラーの製造方
    法。
11. 【請求項１１】 支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の
    開口部を形作る八角形の各辺の長さの平均値をＬとし、
    Ｌ＝２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））と
    すると、 エッチングマスクを形作る正方形の一辺の長さＣは、次
    式（３）で表される請求項１０に記載の変形可能ミラー
    の製造方法。 Ｃ＝４＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））±６％ …（３）
12. 【請求項１２】 請求項２に記載の変形可能ミラーを製
    造するための変形ミラーの製造方法において、 支持枠の開口部は、単結晶Ｓｉ基板をエッチングマスク
    によって被覆してから、この単結晶Ｓｉ基板をエッチン
    グすることによって形成され、 このエッチングマスクは、四角形の領域と、この四角形
    の領域の各角から放射状に延びるそれぞれのくさび形領
    域からなる形状を有し、 相互に対向する各くさび形領域の頂点を結ぶ一対の線が
    該エッチングマスクによって被覆された単結晶Ｓｉ基板
    の表面とは垂直な｛１１０｝面に沿って存在し、四角形
    の領域の各辺が該エッチングマスクによって被覆された
    単結晶Ｓｉ基板の表面とは垂直な｛１００｝面に沿って
    存在する変形ミラーの製造方法。
13. 【請求項１３】 単結晶Ｓｉ基板をエッチングする以前
    に、この単結晶Ｓｉ基板に可撓性部材を積層しておき、
    この後に、可撓性部材をエッチングせずに、単結晶Ｓｉ
    基板をエッチングして、支持枠の開口部を形成する請求
    項１２に記載の変形可能ミラーの製造方法。
14. 【請求項１４】 支持枠の厚みをＴとし、この支持枠の
    開口部を形作る八角形の各辺の長さの平均値をＬとし、
    Ｌ＜２＊Ｔ＊（１／tan（５４．７°）＋√（２））と
    すると、 エッチングマスクの形状における相互に対向する各くさ
    び形領域の頂点を結ぶ一対の線の長さＤ、四角形の領域
    の各辺の離間距離Ｅ、及び四角形の領域の各辺上での各
    くさび形領域間の距離Ｆは、次式（４）、（５）及び
    （６）で表される請求項１２に記載の変形可能ミラーの
    製造方法。 Ｄ＝Ｌ＊（１＋√（２））＋２＊Ｔ／tan（５４．７°）±６％ …（４） Ｅ＝Ｌ＊（１＋√（２））−２＊Ｔ±６％ …（５） Ｆ＝Ｌ …（６）