JPH1174188A - Substrate thermal treatment apparatus - Google Patents

Substrate thermal treatment apparatus

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JPH1174188A
JPH1174188A JP24782497A JP24782497A JPH1174188A JP H1174188 A JPH1174188 A JP H1174188A JP 24782497 A JP24782497 A JP 24782497A JP 24782497 A JP24782497 A JP 24782497A JP H1174188 A JPH1174188 A JP H1174188A
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JP
Japan
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chamber
substrate
entrance
cover
bake
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Application number
JP24782497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masami Otani
正美 大谷
Takanori Kawamoto
隆範 川本
Yasushi Sasaki
康司 佐々木
Kazunori Nakano
和徳 中野
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a bake cover from spoiling in temperature uniformity by a method, wherein the bake cover is set higher in heat capacity at its part near the inlet/outlet of a chamber than at its part distant from the inlet/outlet. SOLUTION: A bake cover 16 is so formed as to make its part 24 near the inlet/outlet 20 of a chamber 18 larger in thickness than its part which is distant from the inlet/outlet 20 of a chamber 18. The part 24 of the bake cover 16 near the inlet/outlet 20 of the chamber 18 is set larger in heat capacity than the part of the bake cover 16 distant from the inlet/outlet 20. The bake cover 16 is formed through a manner, wherein a base is formed of stainless steel material, and the surface of the base is coated with a material such as ceramics material which is lower in thermal conductivity than that of stainless steel material. The bake cover is provided with a ceramic coating layer which is located confronting a hot plate 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用あるいはフォトマスク用のガラス基板な
どの基板の表面にフォトレジスト、SOG材やドーパン
ト材のようなシリカ系被膜形成用塗布液などの塗布液を
塗布した後に基板を加熱処理したり、化学増幅型レジス
トが塗布された基板を露光後にベーク処理したり、ある
いは、現像後において基板を加熱処理したりする場合に
使用される基板加熱処理装置に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
After applying a coating solution such as a coating solution for forming a silica-based film such as a photoresist, an SOG material or a dopant material on a surface of a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device or a photomask, the substrate is subjected to heat treatment, The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus used when a substrate coated with a chemically amplified resist is subjected to bake processing after exposure or heat treatment after development.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板に対して複数の処理を順次施す半導
体製造装置等の基板処理装置は、例えば図4に概略平面
図を示すように、複数枚の基板Wを収納可能であるカセ
ット1が載置され、処理しようとする基板Wをカセット
1から1枚ずつ取り出して搬出するとともに、すべての
処理を終えた基板を1枚ずつ受け取って再びカセット1
内に収納するインデクサ部I、基板移載アームを備えた
自走式基板搬送ロボット2が配設された搬送部T、ホッ
トプレート(図示せず)を備えた複数の加熱処理ユニッ
トおよびクールプレート(図示せず)を備えた複数の冷
却処理ユニットが設けられた熱処理部H、スピンコータ
(図示せず)を備えたコーティング処理部C、ならび
に、スピンデベロッパ(図示せず)を備えた現像処理部
Dから構成されている。これらのうち、熱処理部Hの加
熱処理ユニットでは、コーティング処理部Cにおいて表
面にフォトレジストなどの塗布液が塗布された後の基板
を加熱処理したり、化学増幅型レジストが塗布された基
板を外部の露光装置で露光処理した後に露光後ベーク
(PEB)処理したりする熱処理が行われる。
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus for sequentially performing a plurality of processes on a substrate includes a cassette 1 capable of storing a plurality of substrates W as shown in a schematic plan view of FIG. The substrates W to be mounted and processed are taken out of the cassette 1 one by one and carried out. At the same time, all the processed substrates are received one by one and the cassette 1
An indexer unit I housed in the inside, a transfer unit T in which a self-propelled substrate transfer robot 2 having a substrate transfer arm is arranged, a plurality of heat treatment units including a hot plate (not shown), and a cool plate ( (Not shown), a coating section C having a spin coater (not shown), and a developing section D having a spin developer (not shown). It is composed of Among these, in the heat treatment unit of the heat treatment unit H, the substrate after the coating liquid such as a photoresist is applied to the surface in the coating treatment unit C, or the substrate on which the chemically amplified resist is applied is subjected to external heating. After the exposure processing by the exposure apparatus, heat treatment such as post-exposure bake (PEB) processing is performed.

【0003】加熱処理ユニットを構成する基板加熱処理
装置は、図5に概略縦断面図を示すように、フォトレジ
ストなどの塗布液が塗布された基板Wを上面に直接に、
あるいは、例えば1mm以下の微小球体を基板Wの下面
との間に介在させるなどして上面と僅かな間隔を設けて
載置するホットプレート10を有している。ホットプレ
ート10には、複数個、例えば3個の貫通孔12が穿設
されており、その各貫通孔12にリフトピン14がそれ
ぞれ上下方向へ摺動自在に挿通されている。また、図示
していないが、3本のリフトピン14は昇降板に固着さ
れており、昇降板は、それを上下方向へ往復移動させる
アクチュエータに連結されている。そして、アクチュエ
ータによって昇降板を上昇させることにより、3本のリ
フトピン14の上端部をホットプレート10の上面より
上方へ突出させ、3本のリフトピン14によって基板W
をホットプレート10の上面から離間させた状態で支持
するようになっている。また、3本のリフトピン14に
よって基板Wを支持した状態で、アクチュエータによっ
て昇降板を下降させることにより、図5に示すように3
本のリフトピン14をホットプレート10の上面より下
方へ引き入れ、これに伴って基板Wがリフトピン14上
からホットプレート10の上面へ移載されるようになっ
ている。このようなリフトピン14上の昇降動作は、装
置外への基板Wの搬出および装置内への基板Wの搬入に
際して行われる。
As shown in a schematic vertical sectional view of FIG. 5, a substrate heat treatment apparatus constituting a heat treatment unit directly places a substrate W coated with a coating liquid such as a photoresist on an upper surface thereof.
Alternatively, there is provided a hot plate 10 on which a minute sphere having a size of 1 mm or less is placed with a small space between the upper surface and the lower surface of the substrate W, for example. A plurality of, for example, three, through holes 12 are formed in the hot plate 10, and lift pins 14 are respectively slidably inserted in the respective through holes 12 in a vertical direction. Although not shown, the three lift pins 14 are fixed to an elevating plate, and the elevating plate is connected to an actuator that reciprocates it vertically. Then, the lift plate is raised by the actuator, so that the upper ends of the three lift pins 14 protrude upward from the upper surface of the hot plate 10, and the substrate W is lifted by the three lift pins 14.
Is supported while being separated from the upper surface of the hot plate 10. Further, by lowering the elevating plate by the actuator while the substrate W is supported by the three lift pins 14, as shown in FIG.
The lift pins 14 are pulled downward from the upper surface of the hot plate 10, so that the substrate W is transferred from above the lift pins 14 to the upper surface of the hot plate 10. Such lifting operation on the lift pins 14 is performed when the substrate W is carried out of the apparatus and when the substrate W is carried in the apparatus.

【0004】ホットプレート10の上方には、ホットプ
レート10上に載置される基板Wを覆うようにベークカ
バー36が配設されていて、ベークカバー36とホット
プレート10との間に熱処理空間が形成されるようにな
っている。ベークカバー36は、図示しない支持機構に
よってホットプレート10の上面と平行に支持され、図
示しない昇降機構によって上下方向へ往復移動させられ
るようになっている。そして、ベークカバー36は、基
板Wの搬出入時には図示した位置に保持され、基板Wの
熱処理時には下方へ移動させられてホットプレート10
との間に熱処理空間を形成する。
A bake cover 36 is disposed above the hot plate 10 so as to cover the substrate W placed on the hot plate 10, and a heat treatment space is provided between the bake cover 36 and the hot plate 10. Is formed. The bake cover 36 is supported in parallel with the upper surface of the hot plate 10 by a support mechanism (not shown), and is reciprocated vertically by a lifting mechanism (not shown). The bake cover 36 is held at the illustrated position when the substrate W is carried in and out, and is moved downward during the heat treatment of the substrate W so that the hot plate 10
Is formed between them.

【0005】ホットプレート10およびベークカバー3
6は、筐体状のチャンバ18内に配設されている。チャ
ンバ18の側面には、基板Wを搬入および搬出するため
の出入口20が形設されており、出入口20は、シャッ
タ22によって開放および閉塞されるようになってい
る。この基板加熱処理装置は、チャンバ18の出入口2
0が基板処理装置の搬送部Tに臨むように配置される。
また、図示していないが、ホットプレート10の周囲か
ら下方への弱い排気を行うための排気手段が設けられて
おり、装置の裏側(基板処理装置の搬送部Tと対向する
面の反対側)へ排気されている。
[0005] Hot plate 10 and bake cover 3
6 is disposed in a chamber 18 having a housing shape. An entrance / exit 20 for carrying in / out the substrate W is formed on a side surface of the chamber 18, and the entrance / exit 20 is opened and closed by a shutter 22. This substrate heat treatment apparatus is provided with an entrance 2
0 is disposed so as to face the transport unit T of the substrate processing apparatus.
Further, although not shown, an exhaust unit for performing a weak exhaust from the periphery of the hot plate 10 downward is provided, and is provided on the back side of the apparatus (opposite the surface facing the transfer unit T of the substrate processing apparatus). Has been exhausted.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図4に示したような基
板処理装置はクリーンルーム内に設置されており、基板
処理装置内の清浄度を高く保つために、基板処理装置の
設置区域では、クリーンエアーのダウンフローが強くさ
れている。このため、基板処理装置の設置空間は、その
周囲に比べて気圧が高くなっており、基板処理装置の設
置空間からその外方へ向かう気流が生じている。この結
果、図5に示した基板加熱処理装置において基板Wの出
し入れが行われる際に、基板処理装置の搬送部Tからチ
ャンバ18の出入口20を通ってチャンバ18内へ空気
が流れ込み、その空気がホットプレート10とベークカ
バー36との間の高温雰囲気を装置の裏側へ押しやる。
また、開放された出入口20を通してチャンバ18内へ
基板Wを搬入する際に、基板搬送ロボット2の基板移載
アームの動きに伴って基板Wと一緒に空気がチャンバ1
8内へ持ち込まれ、その空気がホットプレート10とベ
ークカバー36との間の高温雰囲気を装置の裏側へ押し
込む。
The substrate processing apparatus as shown in FIG. 4 is installed in a clean room. In order to maintain a high degree of cleanliness in the substrate processing apparatus, the area where the substrate processing apparatus is installed must be clean. The downflow of air is strengthened. For this reason, the installation space of the substrate processing apparatus has a higher atmospheric pressure than its surroundings, and an airflow is generated from the installation space of the substrate processing apparatus to the outside. As a result, when the substrate W is loaded and unloaded in the substrate heating apparatus shown in FIG. 5, air flows into the chamber 18 from the transfer section T of the substrate processing apparatus through the entrance 20 of the chamber 18, and the air is discharged. The high temperature atmosphere between the hot plate 10 and the bake cover 36 is pushed to the back side of the apparatus.
Further, when the substrate W is loaded into the chamber 18 through the opened entrance 20, air is moved together with the substrate W along with the movement of the substrate transfer arm of the substrate transfer robot 2.
8, and the air pushes the high-temperature atmosphere between the hot plate 10 and the bake cover 36 to the back side of the apparatus.

【0007】ところで、ベークカバー36は、従来、温
度均一性の保持と軽量化に主眼を置いて装置に組み込ま
れており、従って熱容量が比較的小さかった。このた
め、上記したように、基板Wの出し入れに際してチャン
バ18の出入口20から室温の空気が流れ込み、その空
気によりホットプレート10とベークカバー36との間
の高温雰囲気が装置の裏側へ押しやられ、ベークカバー
36の、チャンバ18の出入口20に近い部分の熱が奪
われると、その部分の温度が出入口20から遠い部分の
温度に比べて容易に降下することとなる。この結果、ベ
ークカバー36の表面に、チャンバ18の出入口20に
近い側からチャンバ18の奥側へ向かって温度勾配が生
じる。このように、ベークカバー36に温度勾配が生じ
てベークカバー36の温度均一性が損なわれると、加熱
処理を開始した直後において基板Wの面内温度が不均一
となる。この結果、基板Wの加熱処理がその面内におい
て不均一となり、処理品質の低下を来たすこととなる。
[0007] The bake cover 36 has conventionally been incorporated into the apparatus with an emphasis on maintaining temperature uniformity and reducing the weight, and therefore has a relatively small heat capacity. For this reason, as described above, when the substrate W is taken in and out, air at room temperature flows through the entrance 20 of the chamber 18, and the high temperature atmosphere between the hot plate 10 and the bake cover 36 is pushed to the back side of the apparatus by the air. When the heat of the portion of the cover 36 near the entrance 20 of the chamber 18 is removed, the temperature of that portion easily falls as compared with the temperature of the portion far from the entrance 20. As a result, a temperature gradient is generated on the surface of the bake cover 36 from the side closer to the entrance 20 of the chamber 18 toward the inner side of the chamber 18. As described above, when the temperature gradient occurs in the bake cover 36 and the temperature uniformity of the bake cover 36 is impaired, the in-plane temperature of the substrate W becomes non-uniform immediately after the start of the heat treatment. As a result, the heat treatment of the substrate W becomes non-uniform in the plane, resulting in a decrease in treatment quality.

【0008】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の出し入れに際し、ベークカバ
ーの、チャンバの出入口に近い部分の温度降下を抑え
て、ベークカバーの温度均一性が損なわれないように
し、もって、加熱処理時の基板の面内温度を均一にし
て、基板の加熱処理が均一に行われるようにし、処理品
質の低下を防ぐことができる基板加熱処理装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and when a substrate is taken in and out, a temperature drop in a portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber is suppressed, and the temperature uniformity of the bake cover is reduced. Provided is a substrate heat treatment apparatus capable of preventing damage to the substrate, making the in-plane temperature of the substrate uniform during the heat treatment, performing the heat treatment of the substrate uniformly, and preventing a decrease in the processing quality. The purpose is to:

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
側面に、基板を搬入および搬出するための開閉自在の出
入口が形設されたチャンバと、このチャンバ内に配設さ
れ、上面に基板を直接にまたは近接させて載置するホッ
トプレートと、前記チャンバ内に配設され、前記ホット
プレート上に載置された基板の上方を覆うように配置さ
れるベークカバーとを備えた基板加熱処理装置におい
て、前記ベークカバーの、前記チャンバの出入口に近い
部分の熱容量を、その部分よりチャンバの出入口から遠
い部分の熱容量より大きくしたことを特徴とする。
The invention according to claim 1 is
A chamber having a side face formed with an openable and closable entrance for loading and unloading a substrate, a hot plate disposed in the chamber, and placing the substrate directly or close to the upper surface, and the chamber And a bake cover arranged to cover above the substrate placed on the hot plate, wherein the bake cover has a portion close to an entrance of the chamber. The heat capacity is made larger than the heat capacity of a portion farther from the entrance of the chamber than that portion.

【0010】請求項2に係る発明は、請求項1記載の装
置において、前記ベークカバーの、前記チャンバの出入
口に近い部分の板厚を、その部分よりチャンバの出入口
から遠い部分の板厚より大きくして、ベークカバーの、
チャンバの出入口に近い部分の熱容量が、その部分より
チャンバの出入口から遠い部分の熱容量より大きくなる
ようにしたことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the apparatus according to the first aspect, the plate thickness of a portion of the bake cover near the entrance of the chamber is larger than that of a portion farther from the entrance of the chamber than that portion. Then, of the bake cover,
The heat capacity of a portion near the entrance of the chamber is larger than the heat capacity of a portion farther from the entrance of the chamber than that portion.

【0011】請求項3に係る発明は、請求項1記載の装
置において、前記ベークカバーの、前記チャンバの出入
口に近い部分に熱容量の大きい部材を固着して、ベーク
カバーの、チャンバの出入口に近い部分の熱容量が、そ
の部分よりチャンバの出入口から遠い部分の熱容量より
大きくなるようにしたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the apparatus according to the first aspect, a member having a large heat capacity is fixed to a portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber, and the bake cover is located near the entrance and exit of the chamber. The heat capacity of the portion is larger than the heat capacity of the portion farther from the entrance of the chamber than the portion.

【0012】請求項4に係る発明は、側面に、基板を搬
入および搬出するための開閉自在の出入口が形設された
チャンバと、このチャンバ内に配設され、上面に基板を
直接にまたは近接させて載置するホットプレートと、前
記チャンバ内に配設され、前記ホットプレート上に載置
された基板の上方を覆うように配置されるベークカバー
とを備えた基板加熱処理装置において、前記ベークカバ
ーの、少なくとも前記チャンバの出入口に近い部分を、
ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料で形成したこと
を特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a chamber having, on a side surface, an openable / closable entrance for carrying in / out a substrate, and a chamber disposed in the chamber, wherein the substrate is directly or close to an upper surface. A substrate heating processing apparatus, comprising: a hot plate to be placed on the hot plate; and a bake cover disposed in the chamber and disposed above the substrate placed on the hot plate. At least a portion of the cover near the entrance to the chamber,
It is characterized by being formed of a material that is less likely to conduct heat than stainless steel.

【0013】請求項5に係る発明は、側面に、基板を搬
入および搬出するための開閉自在の出入口が形設された
チャンバと、このチャンバ内に配設され、上面に基板を
直接にまたは近接させて載置するホットプレートと、前
記チャンバ内に配設され、前記ホットプレート上に載置
された基板の上方を覆うように配置されるベークカバー
とを備えた基板加熱処理装置において、前記ベークカバ
ーの、少なくとも前記チャンバの出入口に近い部分にお
ける前記ホットプレートとの対向面側の表面に、ステン
レス鋼材より熱伝達しにくい材料でコーティング処理を
施したことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a chamber having an openable and closable entrance formed on a side surface for loading and unloading a substrate, and a chamber disposed in the chamber and directly or in close proximity to the upper surface. A substrate heating processing apparatus, comprising: a hot plate to be placed on the hot plate; and a bake cover disposed in the chamber and disposed above the substrate placed on the hot plate. A coating process is performed on a surface of at least a portion of the cover close to the entrance of the chamber facing the hot plate with a material that is less likely to conduct heat than a stainless steel material.

【0014】請求項1に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分の熱
容量が、その部分よりチャンバの出入口から遠い部分の
熱容量より大きくされているので、基板の出し入れに際
してチャンバの出入口から室温の空気が流れ込み、その
空気によりホットプレートとベークカバーとの間の高温
雰囲気が装置の裏側へ押しやられ、ベークカバーの、チ
ャンバの出入口に近い部分の熱が奪われても、その部分
の温度降下が抑えられる。このため、ベークカバーの温
度均一性が損なわれることがない。
[0014] In the substrate heating apparatus according to the first aspect of the present invention, the heat capacity of the portion of the bake cover near the entrance of the chamber is made larger than the heat capacity of the portion farther from the entrance of the chamber than that portion. At the time of in / out, air at room temperature flows in from the entrance / exit of the chamber, and the air pushes a high-temperature atmosphere between the hot plate and the bake cover to the back side of the apparatus, so that the heat of the bake cover near the entrance / exit of the chamber is removed. Also, the temperature drop in that part can be suppressed. Therefore, the temperature uniformity of the bake cover is not impaired.

【0015】請求項2に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分の板
厚が、その部分よりチャンバの出入口から遠い部分の板
厚より大きくされていることにより、前者の部分の熱容
量が後者の部分の熱容量より大きくなり、請求項1に係
る発明の上記作用が奏される。
In the substrate heating apparatus according to the second aspect of the present invention, the plate thickness of the portion of the bake cover near the entrance of the chamber is made larger than that of the portion farther from the entrance of the chamber than that portion. The heat capacity of the former part is larger than the heat capacity of the latter part, so that the above-mentioned effect of the invention according to claim 1 is achieved.

【0016】請求項3に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分に熱
容量の大きい部材が固着されていることにより、その部
分の熱容量が、その部分よりチャンバの出入口から遠い
部分の熱容量より大きくなり、請求項1に係る発明の上
記作用が奏される。
In the substrate heating apparatus according to the third aspect of the present invention, since a member having a large heat capacity is fixed to a portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber, the heat capacity of the portion is more than that of the chamber. The heat capacity is larger than the heat capacity of the portion far from the entrance, and the above-described effect of the invention according to claim 1 is exerted.

【0017】請求項4に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーがステンレス鋼材より熱伝達しにくい
材料で形成されているので、基板の出し入れに際してチ
ャンバの出入口から室温の空気が流れ込み、その空気に
よりホットプレートとベークカバーとの間の高温雰囲気
が装置の裏側へ押しやられても、ベークカバーの熱が室
温の空気によって大きく奪われることがなく、ベークカ
バーの、チャンバの出入口に近い部分を含めて全体の温
度降下が抑えられ、ベークカバーの温度降下が抑えられ
る。このため、ベークカバーの、チャンバの出入口に近
い部分が他の部分に比べて大きく温度降下する、といっ
たことがなくなるので、ベークカバーの温度均一性が損
なわれることが防止される。
In the substrate heating apparatus according to the fourth aspect of the present invention, since the bake cover is formed of a material that is less likely to conduct heat than the stainless steel material, room temperature air flows from the chamber entrance and exit when the substrate is taken in and out. Therefore, even if the high-temperature atmosphere between the hot plate and the bake cover is pushed to the back side of the apparatus, the heat of the bake cover is not largely taken away by the room temperature air. As a result, the temperature drop of the whole is suppressed, and the temperature drop of the bake cover is suppressed. For this reason, the portion of the bake cover close to the entrance of the chamber does not drop in temperature as compared with the other portions, so that the temperature uniformity of the bake cover is prevented from being impaired.

【0018】請求項5に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーにおけるホットプレートとの対向面側
の表面に、ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料でコ
ーティング処理が施されているので、基板の出し入れに
際してチャンバの出入口から室温の空気が流れ込み、そ
の空気によりホットプレートとベークカバーとの間の高
温雰囲気が装置の裏側へ押しやられても、ベークカバー
の熱が室温の空気によって大きく奪われることがなく、
ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分を含めて
全体の温度降下が抑えられる。このため、ベークカバー
の、チャンバの出入口に近い部分が他の部分に比べて大
きく温度降下する、といったことがなくなるので、ベー
クカバーの温度均一性が損なわれることが防止される。
In the substrate heating apparatus according to the fifth aspect of the present invention, since the surface of the bake cover on the side facing the hot plate is coated with a material that is less heat-transferable than stainless steel, the baking cover is coated. Even when room temperature air flows into and out of the chamber at the entrance and exit, and the air pushes the high-temperature atmosphere between the hot plate and the bake cover to the back side of the device, the heat of the bake cover can be largely taken away by the room temperature air. Not
The entire temperature drop of the bake cover including the portion near the entrance and exit of the chamber is suppressed. For this reason, the portion of the bake cover close to the entrance of the chamber does not drop in temperature as compared with the other portions, so that the temperature uniformity of the bake cover is prevented from being impaired.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図3を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0020】図1は、この発明の実施形態の1例を示
し、基板加熱処理装置の要部の構成を示す概略縦断面図
である。この装置において、ベークカバー以外の構成
は、図5により上記説明した従来の基板加熱処理装置と
何ら変わるところが無いので、図1においても図5で使
用した符号と同一符号をそれぞれの構成要素に付して、
それらの説明を省略する。また、装置における動作も、
従来の装置と同じであるので、その説明を省略する。従
って、以下では、ベークカバーについてのみ説明するこ
ととする。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing an example of an embodiment of the present invention and showing a configuration of a main part of a substrate heating apparatus. In this apparatus, the configuration other than the bake cover is the same as that of the conventional substrate heating apparatus described above with reference to FIG. 5, and therefore, in FIG. 1, the same reference numerals as those used in FIG. do it,
A description thereof will be omitted. Also, the operation of the device
Since it is the same as the conventional device, the description is omitted. Therefore, only the bake cover will be described below.

【0021】図1に示した装置のベークカバー16は、
チャンバ18の出入口20に近い部分24の板厚が、そ
の部分24よりチャンバ18の出入口20から遠い部分
の板厚より大きくなるように形成されている。ベークカ
バー16は、全体が、例えばステンレス鋼材で形成され
ており、従って板厚の大きいチャンバ18の出入口20
に近い部分24の熱容量は、板厚の小さいチャンバ18
の出入口20から遠い部分の熱容量より大きい。このた
め、チャンバ18内からの処理済み基板Wの搬出および
チャンバ18内への未処理基板の搬入に際し、チャンバ
18の出入口20を通って室温の空気が流れ込み、その
空気によりホットプレート10とベークカバー16との
間の高温雰囲気がチャンバ18の奥側へ押しやられるこ
とにより、ベークカバー16の、チャンバ18の出入口
20に近い部分24の熱が奪われても、その部分24の
温度が、それより奥側の部分に比べて大きく降下する、
といったことが抑えられる。従って、ベークカバー16
の温度均一性が保たれるので、基板Wをホットプレート
10上に載置した後ベークカバー16を下降させて基板
Wを加熱処理したときに、基板Wの面内温度が均一にな
って、基板Wの加熱処理がその面内において均一に行わ
れることとなる。
The bake cover 16 of the apparatus shown in FIG.
The plate thickness of a portion 24 near the entrance 20 of the chamber 18 is formed to be larger than that of a portion farther from the entrance 20 of the chamber 18 than that portion 24. The bake cover 16 is entirely formed of, for example, stainless steel material, and thus has a large entrance / exit 20 of the chamber 18.
The heat capacity of the portion 24 close to the
Greater than the heat capacity of the portion remote from the entrance 20 of the vehicle. Therefore, when the processed substrate W is unloaded from the chamber 18 and the unprocessed substrate is loaded into the chamber 18, room temperature air flows through the entrance 20 of the chamber 18, and the air causes the hot plate 10 and the bake cover to flow. When the high-temperature atmosphere between the bake cover 16 and the portion 16 near the entrance 20 of the chamber 18 is deprived of heat by pushing the high-temperature atmosphere between the bake cover 16 and the interior of the chamber 18, the temperature of the portion 24 increases. It descends greatly compared to the part on the back side,
Such is suppressed. Therefore, the bake cover 16
When the substrate W is placed on the hot plate 10 and then the bake cover 16 is lowered to heat the substrate W, the in-plane temperature of the substrate W becomes uniform. The heat treatment of the substrate W is performed uniformly in the plane.

【0022】次に、図2は、ベークカバーの別の構成例
を示す縦断面図である。図2に示したベークカバー26
は、チャンバ18の出入口20(図1参照)に近い部分
に熱容量の大きい部材、例えばセラミック材で形成され
た板状部材28を貼着した構造を有している。従って、
このベークカバー18は、板状部材28が貼着された部
分、すなわちチャンバ18の出入口20に近い部分の熱
容量が、チャンバ18の出入口20から遠い部分の熱容
量より大きくなる。このため、図1に示したベークカバ
ー16と同様の作用効果が得られる。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing another example of the structure of the bake cover. Bake cover 26 shown in FIG.
Has a structure in which a member having a large heat capacity, for example, a plate member 28 made of a ceramic material is adhered to a portion near the entrance 20 (see FIG. 1) of the chamber 18. Therefore,
In the bake cover 18, the heat capacity of the portion to which the plate member 28 is adhered, that is, the heat capacity of the portion near the entrance 20 of the chamber 18 is larger than the heat capacity of the portion far from the entrance 20 of the chamber 18. Therefore, the same operation and effect as those of the bake cover 16 shown in FIG. 1 can be obtained.

【0023】また、図3は、ベークカバーのさらに別の
構成例を示す縦断面図である。図3に示したベークカバ
ー30は、例えばステンレス鋼材で形成された基体32
の表面に、ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料、例
えばセラミック材でコーティング処理を施した構造を有
している。そして、このベークカバー30は、セラミッ
クコーティング層34がホットプレート10(図1参
照)との対向面側となるように配置される。このベーク
カバー30が配設された基板加熱処理装置では、基板W
の出し入れに際してチャンバ18の出入口20から室温
の空気が流れ込んで、その空気によりホットプレート1
0とベークカバー30との間の高温雰囲気がチャンバ1
8の奥側へ押しやられても、ベークカバー30から空気
へ熱伝達しにくいので、ベークカバー30の熱が空気に
よって大きく奪われることがない。このため、ベークカ
バー30の温度降下が抑えられるので、チャンバ18の
出入口20に近い部分だけが奥側の部分に比べて温度降
下する、といったことがない。従って、ベークカバー3
0の温度均一性が保たれるので、基板Wの加熱処理時に
基板Wの面内温度が均一になって、基板Wの加熱処理が
その面内において均一に行われることとなる。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing still another example of the configuration of the bake cover. The bake cover 30 shown in FIG. 3 includes a base 32 made of, for example, a stainless steel material.
Has a structure in which a coating process is performed on a surface of the substrate with a material that is less likely to conduct heat than a stainless steel material, for example, a ceramic material. The bake cover 30 is arranged such that the ceramic coating layer 34 is on the side facing the hot plate 10 (see FIG. 1). In the substrate heating apparatus provided with the bake cover 30, the substrate W
At the time of loading and unloading, air at room temperature flows in through the entrance 20 of the chamber 18 and the hot plate 1
0 and the high temperature atmosphere between the bake cover 30
Even when the bake cover 8 is pushed to the rear side, heat is hardly transmitted from the bake cover 30 to the air, so that the heat of the bake cover 30 is not largely taken away by the air. For this reason, since the temperature drop of the bake cover 30 is suppressed, the temperature of only the portion near the entrance 20 of the chamber 18 does not drop as compared with the portion on the back side. Therefore, bake cover 3
Since the temperature uniformity of 0 is maintained, the in-plane temperature of the substrate W becomes uniform at the time of the heat treatment of the substrate W, and the heat treatment of the substrate W is performed uniformly in the surface.

【0024】図3に示したベークカバー30は、ホット
プレート10との対向面側の全面にセラミックコーティ
ング層34を形成しているが、チャンバ18の出入口2
0に近い部分だけにセラミックコーティング処理を施す
ようにしてもよい。また、ベークカバーの全体を、ある
いは、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分
を、ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料、例えばセ
ラミック材で形成するようにしても、図3に示したベー
クカバー30と同等の作用効果が得られる。
The bake cover 30 shown in FIG. 3 has a ceramic coating layer 34 formed on the entire surface facing the hot plate 10.
The ceramic coating may be applied only to the portion near zero. Further, even if the entire bake cover or the portion of the bake cover close to the entrance of the chamber is made of a material that is less likely to conduct heat than stainless steel, for example, a ceramic material, the bake cover 30 shown in FIG. The same operation and effect can be obtained.

【0025】[0025]

【発明の効果】請求項1に係る発明の基板加熱処理装置
を使用すると、基板の出し入れに際し、ベークカバー
の、チャンバの出入口に近い部分の温度降下が抑えら
れ、ベークカバーの温度均一性が損なわれることがない
ので、加熱処理時の基板の面内温度が均一になって、基
板の加熱処理が均一に行われ、このため、処理品質の低
下を防ぐことができる。
When the substrate heating apparatus according to the first aspect of the present invention is used, when the substrate is taken in and out, the temperature drop of the portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber is suppressed, and the temperature uniformity of the bake cover is impaired. Therefore, the in-plane temperature of the substrate at the time of the heat treatment becomes uniform, and the heat treatment of the substrate is performed uniformly, so that a decrease in the processing quality can be prevented.

【0026】請求項2に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分の板
厚が、その部分よりチャンバの出入口から遠い部分の板
厚より大きくされていることにより、前者の部分の熱容
量が後者の部分の熱容量より大きくなって、基板の出し
入れに際し、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い
部分の温度降下が抑えられ、ベークカバーの温度均一性
が損なわれることがないので、請求項1に係る発明の上
記効果が得られることとなる。
In the substrate heating apparatus according to the second aspect of the present invention, the plate thickness of the portion of the bake cover near the entrance of the chamber is made larger than that of the portion farther from the entrance of the chamber than that portion. The heat capacity of the former part is larger than the heat capacity of the latter part, so that when the substrate is taken in and out, the temperature drop in the part of the bake cover near the entrance and exit of the chamber is suppressed, and the temperature uniformity of the bake cover may be impaired. Therefore, the above effect of the invention according to claim 1 can be obtained.

【0027】請求項3に係る発明の基板加熱処理装置で
は、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分に熱
容量の大きい部材が固着されていることにより、その部
分の熱容量が、その部分よりチャンバの出入口から遠い
部分の熱容量より大きくなって、基板の出し入れに際
し、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分の温
度降下が抑えられ、ベークカバーの温度均一性が損なわ
れることがないので、請求項1に係る発明の上記効果が
得られることとなる。
In the substrate heating apparatus according to the third aspect of the present invention, since a member having a large heat capacity is fixed to a portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber, the heat capacity of the portion is larger than that of the chamber. The heat capacity becomes larger than the heat capacity of the portion far from the entrance and exit, and the temperature drop of the portion of the bake cover near the entrance and exit of the chamber is suppressed when the substrate is taken in and out, so that the temperature uniformity of the bake cover is not impaired. The above effects of the invention according to the above are obtained.

【0028】請求項4および請求項5に係る各発明の基
板加熱処理装置を使用するとそれぞれ、基板の出し入れ
に際し、ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分
を含めて全体の温度降下が抑えられ、ベークカバーの温
度均一性が損なわれることがないので、加熱処理時の基
板の面内温度が均一になって、基板の加熱処理が均一に
行われ、このため、処理品質の低下を防ぐことができ
る。
The use of the substrate heating apparatus according to each of the fourth and fifth aspects of the present invention makes it possible to reduce the overall temperature drop of the bake cover including the portion near the entrance and exit of the chamber when the substrate is taken in and out. Since the temperature uniformity of the bake cover is not impaired, the in-plane temperature of the substrate at the time of the heat treatment becomes uniform, and the heat treatment of the substrate is performed uniformly. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施形態の1例を示し、基板加熱処
理装置の要部の構成を示す概略縦断面図である。
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view illustrating an example of an embodiment of the present invention and illustrating a configuration of a main part of a substrate heating apparatus.

【図2】図1とは異なるベークカバーの構成例を示す縦
断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view illustrating a configuration example of a bake cover different from FIG.

【図3】図1および図2とは異なるベークカバーの構成
例を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration example of a bake cover different from FIGS. 1 and 2;

【図4】基板処理装置の構成例を示す概略平面図であ
る。
FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a configuration example of a substrate processing apparatus.

【図5】従来の基板加熱処理装置の構成の1例を示す要
部の概略縦断面図である。
FIG. 5 is a schematic longitudinal sectional view of a main part showing an example of a configuration of a conventional substrate heating apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ホットプレート10 14 リフトピン 16、26、30 ベークカバー 18 チャンバ 20 チャンバの出入口 22 シャッタ 24 ベークカバーの、チャンバの出入口に近い部分 28 セラミック材で形成された板状部材 32 ステンレス鋼材で形成された基体 34 セラミックコーティング層 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Hot plate 10 14 Lift pin 16, 26, 30 Bake cover 18 Chamber 20 Chamber entrance / exit 22 Shutter 24 Portion of bake cover near entrance / exit of chamber 28 Plate member made of ceramic material 32 Substrate made of stainless steel material 34 ceramic coating layer W substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川本 隆範 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 佐々木 康司 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 中野 和徳 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takanori Kawamoto 322 Hainashishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Kazunori Nakano 4 chome Tenjin Kitamachi 1-1-1 Kita-machi 1 Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 側面に、基板を搬入および搬出するため
の開閉自在の出入口が形設されたチャンバと、 このチャンバ内に配設され、上面に基板を直接にまたは
近接させて載置するホットプレートと、 前記チャンバ内に配設され、前記ホットプレート上に載
置された基板の上方を覆うように配置されるベークカバ
ーとを備えた基板加熱処理装置において、 前記ベークカバーの、前記チャンバの出入口に近い部分
の熱容量を、その部分よりチャンバの出入口から遠い部
分の熱容量より大きくしたことを特徴とする基板加熱処
理装置。
1. A chamber having, on its side surface, an openable / closable entrance for carrying in and out a substrate, a hot / cooling chamber disposed in the chamber and having the substrate placed directly or close to the upper surface. A plate, and a bake cover disposed in the chamber and disposed so as to cover above a substrate placed on the hot plate. A heat treatment apparatus for a substrate, wherein a heat capacity of a portion near the entrance is larger than a heat capacity of a portion far from the entrance of the chamber than that portion.
【請求項2】 前記ベークカバーの、前記チャンバの出
入口に近い部分の板厚を、その部分よりチャンバの出入
口から遠い部分の板厚より大きくして、ベークカバー
の、チャンバの出入口に近い部分の熱容量が、その部分
よりチャンバの出入口から遠い部分の熱容量より大きく
された請求項1記載の基板加熱処理装置。
2. A plate thickness of a portion of the bake cover closer to an entrance of the chamber is made larger than a plate thickness of a portion farther from the entrance of the chamber than that portion, and a thickness of a portion of the bake cover near the entrance of the chamber is increased. 2. The substrate heating apparatus according to claim 1, wherein the heat capacity is made larger than the heat capacity of a portion farther from the entrance of the chamber than that portion.
【請求項3】 前記ベークカバーの、前記チャンバの出
入口に近い部分に熱容量の大きい部材を固着して、ベー
クカバーの、チャンバの出入口に近い部分の熱容量が、
その部分よりチャンバの出入口から遠い部分の熱容量よ
り大きくされた請求項1記載の基板加熱処理装置。
3. A member having a large heat capacity is fixed to a portion of the bake cover near the entrance of the chamber, and a heat capacity of a portion of the bake cover near the entrance of the chamber is:
2. The substrate heating apparatus according to claim 1, wherein the heat capacity of the portion farther from the entrance of the chamber than the portion is larger.
【請求項4】 側面に、基板を搬入および搬出するため
の開閉自在の出入口が形設されたチャンバと、 このチャンバ内に配設され、上面に基板を直接にまたは
近接させて載置するホットプレートと、 前記チャンバ内に配設され、前記ホットプレート上に載
置された基板の上方を覆うように配置されるベークカバ
ーとを備えた基板加熱処理装置において、 前記ベークカバーの、少なくとも前記チャンバの出入口
に近い部分を、ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料
で形成したことを特徴とする基板加熱処理装置。
4. A chamber provided on a side surface thereof with an openable / closable entrance for loading and unloading a substrate, and a hot-hole provided in the chamber and for placing the substrate directly or close to the upper surface. A substrate heating processing apparatus, comprising: a plate; and a bake cover disposed in the chamber and disposed so as to cover above a substrate placed on the hot plate, wherein at least the chamber of the bake cover is provided. A substrate heat treatment apparatus characterized in that a portion near an entrance of a substrate is formed of a material that is less likely to conduct heat than a stainless steel material.
【請求項5】 側面に、基板を搬入および搬出するため
の開閉自在の出入口が形設されたチャンバと、 このチャンバ内に配設され、上面に基板を直接にまたは
近接させて載置するホットプレートと、 前記チャンバ内に配設され、前記ホットプレート上に載
置された基板の上方を覆うように配置されるベークカバ
ーとを備えた基板加熱処理装置において、 前記ベークカバーの、少なくとも前記チャンバの出入口
に近い部分における前記ホットプレートとの対向面側の
表面に、ステンレス鋼材より熱伝達しにくい材料でコー
ティング処理を施したことを特徴とする基板加熱処理装
置。
5. A chamber provided on a side surface thereof with an openable / closable entrance for loading / unloading a substrate, and a hot / cooling unit disposed in the chamber and for placing the substrate directly or close to the upper surface. A substrate heating processing apparatus, comprising: a plate; and a bake cover disposed in the chamber and disposed so as to cover above a substrate placed on the hot plate, wherein at least the chamber of the bake cover is provided. A substrate heat treatment apparatus characterized in that a coating process is performed on a surface of a portion close to an entrance of the device on a side facing the hot plate with a material that is less likely to conduct heat than a stainless steel material.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475737B1 (en) * 2002-09-11 2005-03-10 삼성전자주식회사 Bake apparatus for manufacturing semiconductor
WO2013174107A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Prebaking device and exhaust method thereof

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