JPH11204428A - Thermal treating device - Google Patents

Thermal treating device

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JPH11204428A
JPH11204428A JP10018300A JP1830098A JPH11204428A JP H11204428 A JPH11204428 A JP H11204428A JP 10018300 A JP10018300 A JP 10018300A JP 1830098 A JP1830098 A JP 1830098A JP H11204428 A JPH11204428 A JP H11204428A
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heat treatment
heating
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plate
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Kengo Mizosaki
健吾 溝崎
Masaaki Yoshida
正明 吉田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermal treating device wherein, even when a large object is thermally treated in-plane uniformity of processing temperature of the object to be processed is improved. SOLUTION: A thermal treating device comprises a hot plate 32 on which a substrate G is placed, a heater 33 which, being press-fitted to the hot plate 32, heats the substrate G through the hot plate 32, and a reflection plate 60 which, provided on the rear surface and the side surface of the hot plate 32 while facing each other with an interval, reflects the heat radiated from the hot plate 32. In a placement surface 32c of the hot plate 32, an outside frame 62 enclosing the substrate G is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば、LCD基
板等の大型の基板を加熱して処理する熱処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating and processing a large substrate such as an LCD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD)の製造にお
いては、ガラス製のLCD基板にフォトレジスト液を塗
布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレ
ジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術により回路パターンが形成さ
れる。
2. Description of the Related Art In manufacturing a liquid crystal display (LCD), a photoresist liquid is applied to a glass LCD substrate to form a resist film, the resist film is exposed in accordance with a circuit pattern, and developed. That is, a circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique.

【0003】より具体的には、例えば、LCD基板を洗
浄装置で洗浄した後、LCD基板にアドヒージョン処理
装置により疎水化処理を施し、次いで冷却処理処置によ
り冷却した後、レジスト塗布装置によりフォトレジスト
膜をLCD基板の表面に塗布形成する。その後、フォト
レジスト膜を熱処理装置で加熱してベーキング処理を施
し、露光装置で所定のパターンを露光し、そして、露光
後のLCD基板に現像装置で現像液を塗布してこれを現
像した後に、リンス液で現像液を洗い流し、現像処理を
行っている。
More specifically, for example, after cleaning an LCD substrate with a cleaning device, the LCD substrate is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion treatment device, and then cooled by a cooling treatment process, and then a photoresist film is applied by a resist coating device. On the surface of the LCD substrate. After that, the photoresist film is heated by a heat treatment device to perform a baking process, a predetermined pattern is exposed by an exposure device, and a developing solution is applied to the exposed LCD substrate by a developing device and developed. The developing solution is washed away with the rinse solution to perform the developing process.

【0004】上記のような現像処理においてLCD基板
を加熱する熱処理装置としては、例えば、LCD基板を
載置するホットプレートと、このホットプレートを通し
てLCD基板を加熱する加熱ヒータと、ホットプレート
との間に処理空間を形成するように配置され、天井部中
央に排気口を有する排気カバーと、前記処理空間を開閉
可能に遮断するシャッタを備えているものが用いられて
いる。
As a heat treatment apparatus for heating an LCD substrate in the above-described development processing, for example, a hot plate for mounting an LCD substrate, a heater for heating the LCD substrate through the hot plate, and a hot plate And an exhaust cover having an exhaust port at the center of the ceiling, and a shutter for opening and closing the processing space are used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、LCD基板
は最近益々大型化の要求が高まっており、従来の650
×550mmから、例えば840×650mmのような
著しく大型化したものが求められている。このようにL
CD基板が大型化すると、上述のようにLCD基板を加
熱して熱処理を行った際にLCD基板の処理温度の面内
均一性が悪くなりやすい。例えば、LCD基板の大型化
に従ってLCD基板の中央部と周縁部との間の温度差が
大きくなる傾向にある。
Meanwhile, the demand for larger LCD substrates has recently been increasing, and the conventional 650 LCD substrate has been required.
There is a demand for a remarkably large size from 550 mm to 840 mm for example. Thus L
When the size of the CD substrate is increased, the in-plane uniformity of the processing temperature of the LCD substrate tends to deteriorate when the LCD substrate is heated and heat-treated as described above. For example, as the size of the LCD substrate increases, the temperature difference between the center and the periphery of the LCD substrate tends to increase.

【0006】したがって、LCD基板の大型化に伴い、
熱処理装置での処理温度への影響をより厳密に制御する
ことが必要である。LCD基板の温度分布のバラツキの
要因としては種々考えられるが、一つの要因としてホッ
トプレートからの放熱が考えられる。すなわち、ホット
プレートの底面および側壁は処理空間内の雰囲気中に晒
されているので放熱が起きやすいため、ホットプレート
の中央部および周縁部の間に温度差が生じやすい。この
ようなホットプレートの温度差により、最終的にLCD
基板の中央部および周縁部の間に温度差が生じ、LCD
基板の熱均一性が低下する。
Therefore, with the enlargement of the LCD substrate,
It is necessary to more strictly control the influence on the processing temperature in the heat treatment apparatus. There are various possible causes of the variation in the temperature distribution of the LCD substrate, and one of the causes is heat radiation from the hot plate. That is, since the bottom surface and the side wall of the hot plate are exposed to the atmosphere in the processing space, heat is easily generated, so that a temperature difference is easily generated between the central portion and the peripheral portion of the hot plate. Due to the temperature difference of the hot plate, the LCD
A temperature difference occurs between the center and the periphery of the substrate,
The thermal uniformity of the substrate decreases.

【0007】また、熱処理時の排気も一因として挙げら
れる。上述のLCD基板上に形成されたフォトレジスト
膜を加熱するベーキング処理では、加熱によりフォトレ
ジスト膜中の溶媒(例えばシンナー)が揮発するので、
これを処理空間から除去するために、排気カバーに設け
られた排気口から排気を行っている。この排気で発生す
る空気の流れによりホットプレートやLCD基板の外側
の温度が低下する、いわゆる外乱によって、ホットプレ
ートまたはLCD基板の中央部および周縁部の間に温度
差が生じる。
[0007] Exhaust during heat treatment is also a factor. In the above-described baking process for heating the photoresist film formed on the LCD substrate, the solvent (eg, thinner) in the photoresist film is volatilized by heating,
In order to remove this from the processing space, exhaust is performed through an exhaust port provided in the exhaust cover. The temperature of the outside of the hot plate or the LCD substrate decreases due to the flow of air generated by the exhaust, so-called disturbance causes a temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the hot plate or the LCD substrate.

【0008】ところで、従来、ホットプレートは、鋳込
みにより加熱ヒータを内蔵させて成形したものが使用さ
れている。近年、LCD基板の大型化に伴い、ホットプ
レートは、より熱応答性が高く、厚さが薄くかつ軽量で
あることが求められているが、この鋳込みタイプのホッ
トプレートは、製造上の制限から40mm程度までしか
厚さを薄くできないため、熱応答性が悪く、軽量化が困
難でかつ装置高さが高くなる欠点がある。
Heretofore, conventionally, a hot plate has been used in which a heater is built in by casting. In recent years, with the increase in size of LCD substrates, hot plates are required to have higher thermal responsiveness, thinner thickness and lighter weight. Since the thickness can be reduced only up to about 40 mm, there are drawbacks that thermal responsiveness is poor, weight reduction is difficult, and the height of the device is high.

【0009】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、大型の被処理体を熱処理する場合にも被処理体
の処理温度の面内均一性を向上することが可能な熱処理
装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a heat treatment apparatus capable of improving the in-plane uniformity of the processing temperature of a processing target even when a large processing target is subjected to a heat treatment. The purpose is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記加熱プレ
ートを加熱するヒーターと、前記加熱プレートから放射
された熱を反射する反射板とを具備し、前記反射板は、
前記加熱プレートの裏面に対向して配置された底面部
と、前記加熱プレートの側面に対向して設けられた側壁
部を有することを特徴とする熱処理装置を提供する。
According to a first aspect of the present invention, an object to be processed is disposed on or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, and a heating plate for heating the heating plate. Heater, comprising a reflector that reflects the heat radiated from the heating plate, the reflector,
There is provided a heat treatment apparatus, comprising: a bottom surface portion facing the back surface of the heating plate; and a side wall portion facing the side surface of the heating plate.

【0011】第2発明は、第1発明において、前記側壁
部は、前記加熱プレートの側面と、その厚さの1/3な
いし1/2の部分が重なり合っていることを特徴とする
熱処理装置を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the first aspect, wherein the side wall portion overlaps a side surface of the heating plate with a portion that is 1/3 to 1/2 of the thickness thereof. provide.

【0012】第3発明は、その上または上方に被処理体
が配置され、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記
加熱プレートを加熱するヒーターと、前記加熱プレート
の被処理体配置部分に前記被処理体を取り囲むように設
けられた外枠とを具備することを特徴とする熱処理装置
を提供する。
According to a third aspect of the present invention, the object to be processed is disposed above or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and a portion of the heating plate on which the object is disposed. A heat treatment apparatus, comprising: an outer frame provided to surround an object to be processed.

【0013】第4発明は、その上または上方に被処理体
が配置され、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記
加熱プレートを加熱するヒーターと、前記加熱プレート
の上方に処理空間を介して配置されると共に排気口を有
する排気カバーと、前記処理空間を取り囲むように配置
されかつ前記排気カバーに対して進退可能に設けられた
シャッタとを具備し、熱処理時の前記排気カバーおよび
前記シャッタの隙間を、前記排気口を介して排気を行っ
た際に前記隙間を介して前記被処理空間内に供給される
気流により、前記加熱プレートの側面に沿って流れる気
流を抑制して、前記加熱プレートの温度ばらつきが小さ
くなるように設定したことを特徴とする熱処理装置を提
供する。
According to a fourth aspect of the present invention, an object to be processed is disposed on or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and a processing space above the heating plate. An exhaust cover disposed and having an exhaust port, and a shutter disposed so as to surround the processing space and provided to be able to advance and retreat with respect to the exhaust cover, wherein the exhaust cover and the shutter during heat treatment are provided. The gap, when exhausted through the exhaust port, by the airflow supplied into the processing target space through the gap, to suppress the airflow flowing along the side surface of the heating plate, the heating plate A heat treatment apparatus characterized in that the temperature variation is set to be small.

【0014】第5発明は、第4発明において、熱処理時
の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間を15〜2
0mmにしたことを特徴とする熱処理装置を提供する。
In a fifth aspect based on the fourth aspect, the gap between the exhaust cover and the shutter at the time of heat treatment is 15 to 2 times.
A heat treatment apparatus characterized in that the heat treatment apparatus is set to 0 mm.

【0015】第6発明は、その上または上方に被処理体
が配置され、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記
加熱プレートを加熱するヒーターと、前記加熱プレート
から放射された熱を反射する反射板と、前記加熱プレー
トの被処理体配置部分に前記被処理体を取り囲むように
設けられた外枠と、前記加熱プレートの上方に処理空間
を介して配置されると共に排気口を有する排気カバー
と、前記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排
気カバーに対して進退可能に設けられたシャッタとを具
備し、前記反射板は、前記加熱プレートの裏面に対向し
て配置された底面部と、前記加熱プレートの側面に対向
して設けられた側壁部を有し、熱処理時の前記排気カバ
ーおよび前記シャッタの隙間を、前記排気口を介して排
気を行った際に前記隙間を介して前記被処理空間内に供
給される気流により、前記加熱プレートの側面に沿って
流れる気流を抑制して、前記加熱プレートの温度ばらつ
きが小さくなるように設定したことを特徴とする熱処理
装置。することを特徴とする熱処理装置を提供する。
According to a sixth aspect of the present invention, an object to be processed is disposed above or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and reflecting heat radiated from the heating plate. A reflection plate, an outer frame provided at a portion of the heating plate on which the object is disposed so as to surround the object, and an exhaust cover disposed over the heating plate via a processing space and having an exhaust port. And a shutter disposed so as to surround the processing space, and provided so as to be able to advance and retreat with respect to the exhaust cover, wherein the reflection plate has a bottom surface portion facing the back surface of the heating plate. A side wall portion provided opposite to a side surface of the heating plate, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter at the time of heat treatment is exhausted through the exhaust port. A heat treatment, wherein an airflow supplied along the side surface of the heating plate is suppressed by an airflow supplied into the space to be processed through the gap, so that temperature variation of the heating plate is reduced. apparatus. A heat treatment apparatus is provided.

【0016】第7発明は、第6発明において、前記反射
板の側壁部は、前記加熱プレートの側面と、その厚さの
1/3ないし1/2の部分が重なり合っていることを特
徴とする熱処理装置を提供する。
According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, the side wall portion of the reflection plate overlaps a side surface of the heating plate with a portion which is 3 to の of a thickness thereof. A heat treatment apparatus is provided.

【0017】第8発明は、第6発明または第7発明にお
いて、熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの
隙間を15〜20mmにしたことを特徴とする熱処理装
置を提供する。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the heat treatment apparatus according to the sixth or seventh aspect, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter during heat treatment is set to 15 to 20 mm.

【0018】第9発明は、その上または上方に被処理体
が配置され、被処理体を加熱する加熱プレートと、前記
加熱プレート内に設けられたヒーターとを具備し、前記
ヒーターは前記加熱プレートに形成された凹部に圧入さ
れていることを特徴とする熱処理装置を提供する。
According to a ninth aspect of the present invention, an object to be processed is disposed on or above the object, and a heating plate for heating the object to be processed and a heater provided in the heating plate are provided. A heat treatment apparatus characterized in that the heat treatment apparatus is press-fitted into a concave portion formed in the heat treatment apparatus.

【0019】第1発明によれば、加熱プレートから放射
された熱を反射する反射板を備えているので、加熱プレ
ートから放射した熱を加熱プレートに反射させることが
できる。そして、この反射板が、載置台の裏面に対向し
て配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して設
けられた側壁部を有しており、加熱プレートの放熱が多
い部分に対応して反射板が設けられていることとなるの
で、放熱の多い部分に熱を反射させることができる。し
たがって、加熱プレートの熱均一性を高めることができ
る。
According to the first aspect of the invention, since the reflecting plate for reflecting the heat radiated from the heating plate is provided, the heat radiated from the heating plate can be reflected on the heating plate. And this reflection plate has a bottom surface portion arranged opposite to the back surface of the mounting table, and a side wall portion provided opposite to the side surface of the mounting table. Since a reflecting plate is provided correspondingly, heat can be reflected to a portion that dissipates a large amount of heat. Therefore, the heat uniformity of the heating plate can be improved.

【0020】第2発明のように、反射板の側壁部を、加
熱プレートの側面と、その厚さの1/3ないし1/2の
部分が重なり合うようにすることにより、加熱プレート
の周辺部での放熱による温度低下および反射板により温
度が高くなりすぎることの両方を防止することができ、
加熱プレートの熱均一性をさらに高めることができる。
As in the second aspect of the present invention, the side wall of the reflection plate is formed so that the side of the heating plate overlaps with the side surface of the heating plate at a portion of 1/3 to 1/2 of the thickness thereof. It can prevent both the temperature drop due to heat radiation and the fact that the temperature becomes too high due to the reflection plate,
The heat uniformity of the heating plate can be further improved.

【0021】第3発明によれば、加熱プレートの被処理
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、被処理体の周囲に空気が入るのが抑えら
れる。したがって、外乱を抑え、被処理体の処理温度の
面内均一性を高めることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the outer frame provided to surround the object to be processed is provided at the portion of the heating plate where the object to be processed is disposed, it is possible to suppress air from entering the periphery of the object to be processed. Therefore, disturbance can be suppressed, and in-plane uniformity of the processing temperature of the object can be improved.

【0022】第4発明においては、熱処理時、シャッタ
を排気カバーに近づけ、排気カバーおよびシャッタの間
に隙間を残した状態で処理空間を不完全に遮断した、い
わゆるセミクローズド状態で排気を行うが、この際、排
気によって、隙間を介して処理空間内に供給される気流
と、加熱プレートの側面に沿って上方へ流れる気流が生
じる。これらのうち、プレートの側面に沿って流れる気
流が多いと加熱プレートの側面の熱を過度に奪い、載置
台の熱均一性が損なわれる。そこで、排気カバーおよび
シャッタの間の隙間を、そこを介して被処理空間内に供
給される気流により、前記加熱プレートの側面に沿って
流れる気流を抑制して、加熱プレートの温度ばらつきが
小さくなるように設定しているので、加熱プレートの側
面から熱が奪われることが抑制され、加熱プレートの熱
均一性を向上させることができる。この場合に、このよ
うな機能を発揮するためには、装置設計にもよるが、第
5発明のように、排気カバーとシャッタとの間の隙間が
15〜20mmであることが好ましい。
In the fourth invention, during the heat treatment, the exhaust is performed in a so-called semi-closed state in which the shutter is brought close to the exhaust cover, and the processing space is incompletely shut off while leaving a gap between the exhaust cover and the shutter. At this time, the exhaust generates an airflow supplied into the processing space through the gap and an airflow flowing upward along the side surface of the heating plate. Of these, if there is a large amount of airflow flowing along the side surface of the plate, heat on the side surface of the heating plate is excessively taken away, and the thermal uniformity of the mounting table is impaired. Therefore, the airflow flowing along the side surface of the heating plate is suppressed by the airflow supplied into the space to be processed through the gap between the exhaust cover and the shutter, and the temperature variation of the heating plate is reduced. With such a setting, it is possible to prevent heat from being taken away from the side surface of the heating plate, and to improve the heat uniformity of the heating plate. In this case, in order to exhibit such a function, the gap between the exhaust cover and the shutter is preferably 15 to 20 mm as in the fifth invention, although it depends on the device design.

【0023】第6発明によれば、第1発明の加熱プレー
トから放射された熱を反射する反射板と、第3発明の加
熱プレートの被処理体配置部分に前記被処理体を取り囲
むように設けられた外枠とを設け、かつ第4発明のよう
に熱処理時の排気カバーおよびシャッタの隙間を、排気
口を介して排気を行った際にその隙間を介して被処理空
間内に供給される気流により、加熱プレートの側面に沿
って流れる気流を抑制して、前記加熱プレートの温度ば
らつきが小さくなるように設定したので、これらの相乗
効果により、加熱プレートの熱均一性を著しく高めるこ
とができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the reflecting plate for reflecting the heat radiated from the heating plate of the first aspect of the present invention and the object to be processed of the heating plate of the third aspect of the present invention are provided so as to surround the object to be processed. And a gap between the exhaust cover and the shutter at the time of heat treatment is supplied into the space to be processed through the gap when the air is exhausted through the exhaust port as in the fourth invention. Since the airflow suppresses the airflow flowing along the side surface of the heating plate and the temperature variation of the heating plate is set to be small, the heat uniformity of the heating plate can be remarkably enhanced by a synergistic effect of these. .

【0024】第7発明および第8発明によれば、第6発
明に、それぞれ第2発明および第5発明を適用したの
で、加熱プレートの熱均一性をさらに一層高めることが
できる。
According to the seventh and eighth inventions, the second and fifth inventions are applied to the sixth invention, respectively, so that the heat uniformity of the heating plate can be further improved.

【0025】第9発明によれば、ヒーターを加熱プレー
トに形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込みタイプ
のように加熱プレートを厚くする必要がない。したがっ
て、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良くかつ軽
量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造することがで
きる。
According to the ninth aspect, since the heater is press-fitted into the recess formed in the heating plate, it is not necessary to make the heating plate thicker as in the conventional casting type. Therefore, the heating plate can be manufactured to have a better thermal responsiveness, a lighter weight, and a thickness that is more resistant to disturbance than conventional ones.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
されるLCD基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.

【0027】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、カセットステーション1上のカセットCと処理部
2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構3と
を備えている。そして、カセットステーション1におい
てカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構3は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を
移動可能な搬送アーム11とを備え、この搬送アーム1
1によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が
行われる。
This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is placed, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. And a transport mechanism 3 for transporting the LCD substrate between the cassette C on the cassette station 1 and the processing unit 2. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. The transport mechanism 3 includes a transport arm 11 movable along a transport path 12 provided along the direction in which the cassettes are arranged.
1, the substrate G is transported between the cassette C and the processing unit 2.

【0028】処理部2は、前段部2aと後段部2bとに
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット15、1
6を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部17
が設けられている。
The processing section 2 is divided into a front section 2a and a rear section 2b.
6, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. A relay unit 17 is provided between these.
Is provided.

【0029】前段部2aは、搬送路ユニット15に沿っ
て移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路15
の一方側には、上下2段に積層されてなる2組の加熱処
理ユニット21、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット22および冷却ユニッ
ト23が配置されており、他方側には洗浄ユニット24
および現像処理ユニット25が配置されている。
The front section 2a is provided with a main transport unit 18 movable along the transport path unit 15,
On one side, two sets of heating processing units 21 stacked in two layers vertically, and an adhesion processing unit 22 and a cooling unit 23 provided above and below adjacent thereto are arranged, and on the other side, Cleaning unit 24
And a development processing unit 25.

【0030】一方、後段部2bは、搬送路ユニット16
に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送
路ユニット16の一方側には、二段積層されてなる3組
の加熱処理ユニット28が配置されており、搬送路ユニ
ット16の他方側には、レジスト塗布ユニット26およ
び基板Gの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット27が配置されている。加熱処理ユニット2
8は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部2bの後端
には、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェース部30が設けられてい
る。
On the other hand, the rear stage 2b is
The main transport device 19 that can move along the path is provided, and on one side of the transport path unit 16, three sets of heat treatment units 28 that are stacked in two stages are arranged, and the other of the transport path unit 16 is On the side, a resist coating unit 26 and a peripheral resist removing unit 27 for removing the resist in the peripheral portion of the substrate G are arranged. Heating unit 2
Reference numeral 8 denotes pre-baking for stabilizing the resist, post-exposure baking after exposure, and post-baking after development. Note that an interface unit 30 for transferring the substrate G to and from an exposure apparatus (not shown) is provided at the rear end of the rear stage unit 2b.

【0031】中継部17には、加熱処理ユニット28に
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
29が設けられており、冷却処理ユニット29に対向す
る位置に、薬液供給ユニット81および搬送装置進入路
82が設けられている。
The relay unit 17 is provided with a cooling processing unit 29 which is two-tiered at a position adjacent to the heating processing unit 28, and at a position facing the cooling processing unit 29, A transfer device approach path 82 is provided.

【0032】上記主搬送装置18は、搬送機構3のアー
ム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段
部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、
さらには中継部17との間で基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置19は中継部17と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
インターフェース部30との間の基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。
The main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the arm 11 of the transfer mechanism 3, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the former stage 2a.
Further, it has a function of transferring the board G to and from the relay section 17. The main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 17, and loads and unloads the substrate G to and from each of the processing units in the subsequent unit 2 b, and further transfers the substrate G to and from the interface unit 30. Has the function of performing

【0033】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
By consolidating and integrating the processing units in this manner, space can be saved and processing efficiency can be improved.

【0034】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、洗浄ユニット24によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット21の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット22にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット23で冷却後、レジスト塗布ユニット26でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット27で基板G
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板G
は、加熱処理ユニット28の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット29で冷却された後、インターフェー
ス部30を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
30を介して搬入され、加熱処理ユニット28の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット29で冷却された基板Gは、現像処理
ユニット25で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Gは、主搬送装置18お
よび搬送機構3によってカセットステーション1上の所
定のカセットに収容される。
In the coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, where the substrate G is first cleaned by the cleaning unit 24, After being heated and dried in one of the components 21, it is subjected to hydrophobic treatment in an adhesion processing unit 22 in order to enhance the fixability of the resist, cooled in a cooling unit 23, and then coated with a resist in a resist coating unit 26 to remove peripheral resist. Substrate G in unit 27
Excess resist on the periphery of the substrate is removed. Then, the substrate G
Is subjected to a pre-baking process in one of the heat treatment units 28, cooled in a cooling unit 29, and then conveyed to an exposure device via an interface unit 30, where a predetermined pattern is exposed. Then, it is carried in again via the interface unit 30 and subjected to post-exposure bake processing in one of the heat processing units 28. After that, the substrate G cooled by the cooling unit 29 is developed by the developing unit 25 to form a predetermined circuit pattern. The developed substrate G is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the main transfer device 18 and the transfer mechanism 3.

【0035】次に、上述の塗布・現像処理システムに使
用される、本実施の形態に係る熱処理装置としての加熱
処理ユニット21,28について説明する。加熱処理ユ
ニット21,28は、図2に示すように、搬送路16側
に面して開口部31aを有するケース31と、ケース3
1内に収容された基板Gを加熱するホットプレート32
と、ホットプレート32との間に処理空間40が形成さ
れた状態で、ケース31の上部を覆うように配置された
排気カバー41と、処理空間40を取り囲むように配置
されかつ排気カバー41に対して進退可能に設けられた
シャッタ50とを具備する。そして、排気カバー41の
天井部中央には、排気口42が設けられている。
Next, the heat treatment units 21 and 28 used as the heat treatment apparatus according to the present embodiment, which are used in the above-described coating and developing system, will be described. As shown in FIG. 2, the heat processing units 21 and 28 include a case 31 having an opening 31a facing the transport path 16 side, and a case 3
A hot plate 32 for heating a substrate G accommodated in the hot plate 1
And an exhaust cover 41 disposed so as to cover the upper part of the case 31 in a state where the processing space 40 is formed between the processing space 40 and the hot plate 32. And a shutter 50 that can be moved forward and backward. An exhaust port 42 is provided at the center of the ceiling of the exhaust cover 41.

【0036】ホットプレート32は、例えばアルミニウ
ム合金等で形成されている。この例では、ホットプレー
ト32の厚さは30mmである。ホットプレート32の
裏面側には、ホットプレート32を加熱するヒーター3
3が設けられている。ヒーター33パイプ状をなし、図
3(a)に示すように、ホットプレート32の裏面32
d側に形成された複数の凹部32aに圧入されることに
より、図3(b)に示すように、ホットプレート32に
埋設されている。
The hot plate 32 is made of, for example, an aluminum alloy. In this example, the thickness of the hot plate 32 is 30 mm. On the back side of the hot plate 32, a heater 3 for heating the hot plate 32 is provided.
3 are provided. The heater 33 has a pipe shape, and as shown in FIG.
By being press-fitted into the plurality of recesses 32a formed on the d side, as shown in FIG.

【0037】さらに、ホットプレート32には、図示し
ない温度センサが設けられ、処理温度を図示しない制御
部にフィードバックし、例えば120〜150℃の所定
の処理温度に設定可能になっている。
Further, a temperature sensor (not shown) is provided on the hot plate 32, and the processing temperature is fed back to a control unit (not shown) so that the processing temperature can be set to a predetermined processing temperature of, for example, 120 to 150 ° C.

【0038】ホットプレート32には、例えば4つの貫
通孔32bが設けられている。これらの貫通孔32bに
は、それぞれ基板受け渡し時に基板Gを支持するための
支持ピン34が貫挿されている。支持ピン34は、ホッ
トプレート32の下方に設けられた保持部材35により
保持されている。保持部材35は、昇降機構(図示せ
ず)に連結されている。したがって、昇降機構により保
持部材35を昇降させることにより、支持ピン34は、
ホットプレート32の表面32cに対して出没可能とな
っている。
The hot plate 32 is provided with, for example, four through holes 32b. Support pins 34 for supporting the substrate G at the time of substrate transfer are inserted through these through holes 32b. The support pin 34 is held by a holding member 35 provided below the hot plate 32. The holding member 35 is connected to a lifting mechanism (not shown). Therefore, by raising and lowering the holding member 35 by the lifting mechanism, the support pin 34
The hot plate 32 can come and go with respect to the surface 32c.

【0039】なお、基板Gはホットプレート32に載置
されてもよいし、また、支持ピン34またはスペーサー
(図示せず)によりホットプレート32に接触せずにそ
の上方に保持されるプロキシミティータイプであっても
よい。
The substrate G may be placed on the hot plate 32, or a proximity type which is held above the hot plate 32 without being in contact with the hot plate 32 by support pins 34 or spacers (not shown). It may be.

【0040】熱処理装置26のケース31内には、ホッ
トプレート32から放射された熱を反射する反射板60
が設けられている。この反射板60は、例えば図4に示
すように、ホットプレート32の裏面32dに対向しか
つ所定の間隔を隔てて配置された底面部60aと、ホッ
トプレート32の側面32eに対向しかつ所定の間隔を
隔てて配置された側壁部60bとを有する。
In the case 31 of the heat treatment apparatus 26, there is provided a reflecting plate 60 for reflecting heat radiated from the hot plate 32.
Is provided. As shown in FIG. 4, for example, the reflecting plate 60 faces a back surface 32d of the hot plate 32 and is disposed at a predetermined distance from a bottom surface portion 60a, and faces a side surface 32e of the hot plate 32 and has a predetermined surface. And a side wall portion 60b arranged at an interval.

【0041】反射板60は、図2に示すように、ケース
31の底面上に載置されたベース部材63の上に載置さ
れる。さらに、図4に示すように、反射板60の底面部
60a上には、スペーサ61を介してホットプレート3
2が載置される。これにより、ホットプレート32およ
び反射板60の底面部60aの間が離間されている。ホ
ットプレート32および反射板60の間の間隔は特に限
定されないが、ホットプレート32の熱均一性が最も高
くなるように適宜選択することが好ましい。
The reflection plate 60 is mounted on a base member 63 mounted on the bottom of the case 31, as shown in FIG. Furthermore, as shown in FIG. 4, the hot plate 3
2 is placed. Thereby, the space between the hot plate 32 and the bottom surface portion 60a of the reflection plate 60 is separated. The distance between the hot plate 32 and the reflector 60 is not particularly limited, but is preferably selected as appropriate so that the hot plate 32 has the highest thermal uniformity.

【0042】ホットプレート32の表面32cには、基
板Gの周囲を、若干の間隔をおいて取り囲むように外枠
62が設けられている。外枠62の高さは、特に限定さ
れないが、基板Gの表面の高さよりも高ければ良く、例
えば5mmである。
An outer frame 62 is provided on the surface 32c of the hot plate 32 so as to surround the periphery of the substrate G at a slight interval. The height of the outer frame 62 is not particularly limited, but may be higher than the height of the surface of the substrate G, and is, for example, 5 mm.

【0043】シャッタ50は、図5に示すように、角形
筒状の本体50aの上端に内向き水平片50bを設けた
形状からなる。この本体50aの両側中央の下端部に
は、ブランケット51がそれぞれ突設されている。ブラ
ンケット51は、図6に示すように、ケース31の底面
に立設されたガイド部材52により昇降自在に保持され
ている。さらに、ブランケット51は、昇降手段として
のエアシリンダ53のピストンロッド54に連結され、
エアシリンダ53の駆動により昇降移動が可能に構成さ
れている。したがって、エアシリンダ53により、シャ
ッタ50を昇降させ、排気カバー40に対して進退させ
ることができる。
As shown in FIG. 5, the shutter 50 has a shape in which an inward horizontal piece 50b is provided at the upper end of a rectangular cylindrical main body 50a. Blankets 51 are protrudingly provided at the lower ends at the center on both sides of the main body 50a. As shown in FIG. 6, the blanket 51 is held up and down by a guide member 52 erected on the bottom surface of the case 31. Further, the blanket 51 is connected to a piston rod 54 of an air cylinder 53 as a lifting / lowering means,
The air cylinder 53 is configured to be able to move up and down by being driven. Therefore, the shutter 50 can be moved up and down by the air cylinder 53 so as to move forward and backward with respect to the exhaust cover 40.

【0044】ガイド部材52の上端部には、ストッパー
55が取り付けられている。このストッパー55は、ブ
ランケット51を上昇させた場合にブランケット51を
係止し、シャッタ50を所定の位置で停止するようにな
っている。シャッタ50の上昇停止位置は、図7に示す
ように、シャッタ50および排気カバー41の間に、隙
間Dが設けられるように設定されている。
A stopper 55 is attached to the upper end of the guide member 52. The stopper 55 locks the blanket 51 when the blanket 51 is raised, and stops the shutter 50 at a predetermined position. The rising stop position of the shutter 50 is set such that a gap D is provided between the shutter 50 and the exhaust cover 41, as shown in FIG.

【0045】この加熱処理ユニット26を用いた熱処理
では、シャッタ50を最も上昇させて、処理空間40
を、排気カバー41およびシャッタ50の間に隙間Dを
残して不完全に遮断された、いわゆるセミクローズド状
態として排気を行う。この際、図7に示すように、排気
によって、隙間Dを介して処理空間40内に供給される
気流(以下、供給気流Aという)と、ホットプレート3
2の側面32eに沿って流れる気流(以下、側面気流B
という)が生じる。これらのうち、側面気流Bが多いと
ホットプレート32の側面32eの熱を過度に奪い、ホ
ットプレート32の中心部と周辺部との間の温度差が大
きくなって熱均一性が損なわれ、結果として、基板Gの
処理温度の面内均一性が悪化する。
In the heat treatment using the heat treatment unit 26, the shutter 50 is raised most and the processing space 40
Is exhausted in a so-called semi-closed state, in which the gap D is left incompletely between the exhaust cover 41 and the shutter 50 and the shutter is incompletely blocked. At this time, as shown in FIG. 7, an air flow (hereinafter referred to as a supply air flow A) supplied into the processing space 40 through the gap D by the exhaust gas and the hot plate 3
2 (hereinafter, referred to as a side airflow B)
) Occurs. Of these, when the side airflow B is large, the heat of the side surface 32e of the hot plate 32 is excessively deprived, and the temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the hot plate 32 is increased, thereby deteriorating the heat uniformity. As a result, the in-plane uniformity of the processing temperature of the substrate G deteriorates.

【0046】ところで、供給気流Aおよび側面気流Bは
上述のように排気によって生じるので、排気が一定であ
れば、供給気流Aを多くすると側面気流Bが少なくな
り、反対に、供給気流Aを少なくすると側面気流Bが多
くなる関係にある。供給気流Aの量は、排気カバー41
およびシャッタ50の間の隙間Dを変更することにより
増減できる。したがって、供給気流Aを相対的に多くし
て、隙間Dを、この供給気流Aにより側面気流Bを抑制
して、ホットプレート32内の温度差が小さくなるよう
に設定する。具体的には、隙間Dを15〜20mmに設
定する。
Since the supply airflow A and the side airflow B are generated by the exhaust gas as described above, if the exhaust gas is constant, the supply airflow A is increased and the side airflow B is reduced. Then, there is a relation that the side airflow B increases. The amount of the supply air flow A
It can be increased or decreased by changing the gap D between the shutter 50 and the shutter 50. Accordingly, the supply airflow A is relatively increased, and the gap D is set such that the side airflow B is suppressed by the supply airflow A so that the temperature difference in the hot plate 32 is reduced. Specifically, the gap D is set to 15 to 20 mm.

【0047】なお、排気口42には、図示しない排気手
段が接続され、処理空間40内の雰囲気を外部に排気で
きるように構成されている。
An exhaust means (not shown) is connected to the exhaust port 42 so that the atmosphere in the processing space 40 can be exhausted to the outside.

【0048】上記のように構成される加熱処理ユニット
26は、ホットプレート32から放射された熱を反射す
る反射板60を有しているので、基板Gに対して熱処理
を施した際に、放射された熱はホットプレート32に向
かって反射される。そして、反射板60は、ホットプレ
ート32の底面32dおよび側面32eにそれぞれ対向
して離間して設けられているので、熱の放射が多い底面
32dおよび側面32eに向かって熱を反射させること
ができる。これにより、ホットプレート32の局所的な
温度低下、特にホットプレート32の周辺部の温度低下
を抑制することができる。この結果、ホットプレート3
2の熱均一性を高めることができる。
Since the heat treatment unit 26 having the above-described structure has the reflecting plate 60 for reflecting the heat radiated from the hot plate 32, when the substrate G is subjected to the heat treatment, The generated heat is reflected toward the hot plate 32. Since the reflecting plate 60 is provided to be spaced apart from the bottom surface 32d and the side surface 32e of the hot plate 32, heat can be reflected toward the bottom surface 32d and the side surface 32e where much heat is radiated. . This can suppress a local temperature drop of the hot plate 32, particularly, a temperature drop in a peripheral portion of the hot plate 32. As a result, hot plate 3
2 can improve the heat uniformity.

【0049】反射板60の側壁部60bおよびホットプ
レート32の側面32bは、図4に示すように、互いに
一部が重なり合うように配置することが、ホットプレー
ト32の側面32bからの放熱を適度に行わせることが
できるので好ましい。この場合に、両者の重なり合う高
さ(以下、重なり高さHという)を、ホットプレート2
2の厚さ(この例では30mm)の1/3〜1/2(こ
の例では10〜15mm)とすることが好ましい。重な
り高さHが高すぎると、ホットプレート32から放射さ
れた熱の反射によってホットプレート32の周辺部の温
度が過度に高くなり、かえってホットプレート32の熱
均一性が損ねられるからである。
As shown in FIG. 4, the side wall portion 60b of the reflection plate 60 and the side surface 32b of the hot plate 32 may be arranged so as to partially overlap each other, so that heat radiation from the side surface 32b of the hot plate 32 can be moderately performed. This is preferable because it can be performed. In this case, the overlapping height of the two (hereinafter referred to as the overlapping height H) is
The thickness is preferably 1/3 to 1/2 (10 to 15 mm in this example) of the thickness of 2 (30 mm in this example). If the overlapping height H is too high, the temperature of the peripheral portion of the hot plate 32 becomes excessively high due to the reflection of the heat radiated from the hot plate 32, and the thermal uniformity of the hot plate 32 is rather deteriorated.

【0050】また、加熱処理ユニット26では、ホット
プレート32の表面32c内に、基板Gを取り囲むよう
に設けられた外枠62が、基板Gの周囲に空気が入るの
を抑えるので、排気によって発生する空気の流れ、いわ
ゆる外乱によって基板Gの外側の温度が低下することを
防止することができ、この結果、基板Gの処理温度の面
内均一性を向上させることができる。
In the heat treatment unit 26, the outer frame 62 provided to surround the substrate G in the surface 32c of the hot plate 32 suppresses air from entering the periphery of the substrate G. The temperature outside the substrate G can be prevented from lowering due to the flow of air, that is, so-called disturbance, and as a result, the in-plane uniformity of the processing temperature of the substrate G can be improved.

【0051】また、加熱処理ユニット26では、熱処理
時にシャッタ50を最も上昇させた場合の、排気カバー
41およびシャッタ50の間の隙間Dが、供給気流Aに
より側面気流Bを抑制してホットプレート32内の温度
差が小さくなるように設定されているので、急激な側面
気流Bによりホットプレート32の側面32eから急激
に熱が奪われることを防止し、ホットプレート32の中
央部および周辺部の間の温度差を小さくすることができ
る。したがって、ホットプレート32の熱均一性が向上
し、結果として、基板Gの処理温度の面内均一性が向上
する。この場合に、このような機能を発揮させるため
に、排気カバー41とシャッタ50との隙間を15〜2
0mmに設定することが好ましい。
In the heat treatment unit 26, the gap D between the exhaust cover 41 and the shutter 50 when the shutter 50 is raised most during the heat treatment reduces the side airflow B by the supply airflow A and the hot plate 32. Since the temperature difference inside the hot plate 32 is set to be small, it is possible to prevent sudden heat from being taken away from the side surface 32e of the hot plate 32 due to the sudden side airflow B, and to prevent the heat from flowing between the central portion and the peripheral portion of the hot plate 32 Can be reduced. Therefore, the thermal uniformity of the hot plate 32 is improved, and as a result, the in-plane uniformity of the processing temperature of the substrate G is improved. In this case, in order to exert such a function, the gap between the exhaust cover 41 and the shutter 50 is set to 15 to 2
Preferably, it is set to 0 mm.

【0052】さらに、ホットプレート32は、ヒータ3
3を圧入により埋設させた、いわゆる圧入タイプである
ので、鋳込みタイプのように製造上の厚さの制約(40
mm以上)がなく、より薄く製造することができる。し
たがって、ホットプレート32を薄くして、熱応答性を
良くすることができるとともに、軽量化を達成すること
ができ、さらに加熱処理ユニット26の高さを低減する
ことができる。このようにホットプレート32の厚さ
は、装置小型化および熱応答性の観点からみると薄けれ
ば薄いほど好ましい。しかし、25mm以下では外乱の
影響を受けやすくなるので、装置の小型化および熱均一
性の両方からみると、例えば30mm程度の厚さが最適
である。
Further, the hot plate 32 is
3 is buried by press-fitting, which is a so-called press-fit type.
mm or more) and can be manufactured thinner. Therefore, the thickness of the hot plate 32 can be reduced to improve the thermal responsiveness, the weight can be reduced, and the height of the heat treatment unit 26 can be reduced. As described above, the thickness of the hot plate 32 is preferably as thin as possible from the viewpoint of miniaturization of the apparatus and thermal responsiveness. However, when the thickness is 25 mm or less, the influence of disturbance is liable to occur. Therefore, from the viewpoint of both miniaturization and thermal uniformity of the apparatus, a thickness of, for example, about 30 mm is optimal.

【0053】なお、従来、圧入タイプのホットプレート
は、プレートに設けられた凹部とヒータとの間に生じる
空気の層によって熱伝導が悪くなると考えられていた
が、実際にはそれ程の影響は認められず十分に実用可能
であることが判明した。
Conventionally, it has been considered that a press-fit type hot plate deteriorates heat conduction due to a layer of air generated between a recess provided in the plate and a heater. It turned out to be practically feasible.

【0054】以上説明した通り、本実施の形態に係る加
熱処理ユニット26は上記種々の技術を組み合わせるこ
とにより、基板Gの処理温度の面内均一性を総合的に向
上させることができる。具体的には、840×650m
mの著しく大型な基板Gについて、1.5℃のレンジで
熱均一性を達成することができる。しかしながら、上記
個々の技術またはこれらのうち少なくとも2以上の組み
合わせによっても、基板Gの処理温度の面内均一性の向
上を達成できることは言うまでもない。
As described above, in the heat treatment unit 26 according to the present embodiment, the in-plane uniformity of the processing temperature of the substrate G can be generally improved by combining the above various techniques. Specifically, 840 x 650m
For a substrate G having a significantly large m, thermal uniformity can be achieved in the range of 1.5 ° C. However, it is needless to say that the in-plane uniformity of the processing temperature of the substrate G can be improved by each of the above techniques or a combination of at least two of them.

【0055】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形
態では、図6に示すように、ガイド部材42にストッパ
ー45を設けて、熱処理時における排気カバー41およ
びシャッタ50の間の隙間Dを調節しているが、図8に
示すように、シャッタ50の内向き水平片50bの上面
の四隅に、隙間設定用突起80を突設して、この高さで
隙間Dを決定するようにしても良い。もちろん、隙間設
定用突起は、排気カバー41の表面に設けても良い。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, as shown in FIG. 6, a stopper 45 is provided on the guide member 42 to adjust the gap D between the exhaust cover 41 and the shutter 50 during heat treatment. As described above, the gap setting protrusions 80 may be provided at the four corners of the upper surface of the inward horizontal piece 50b of the shutter 50, and the gap D may be determined based on this height. Of course, the gap setting projection may be provided on the surface of the exhaust cover 41.

【0056】さらに、本実施の形態では、本発明を、レ
ジスト塗布・現像ユニットに用いられる熱処理装置に適
用した例を示したが、これに限らず他の処理に適用して
も良い。また、上記実施の形態においては、基板として
LCD基板を用いた場合について示したが、これに限ら
ず他の基板の処理の場合にも適用可能であることはいう
までもない。
Further, in the present embodiment, an example is shown in which the present invention is applied to a heat treatment apparatus used in a resist coating / developing unit, but the present invention is not limited to this and may be applied to other processing. Further, in the above embodiment, the case where the LCD substrate is used as the substrate has been described, but it is needless to say that the present invention is not limited to this and can be applied to the case of processing other substrates.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、第1発明によれ
ば、加熱プレートから放射した熱を加熱プレートに反射
させることができ、この反射板が、載置台の裏面に対向
して配置された底面部と、前記載置台の側面に対向して
設けられた側壁部を有しているので、放熱の多い部分に
熱を反射させることができる。したがって、加熱プレー
トの熱均一性を高めることができる。
As described above, according to the first aspect, the heat radiated from the heating plate can be reflected on the heating plate, and this reflection plate is arranged opposite to the back surface of the mounting table. Since it has the bottom portion and the side wall portion provided opposite to the side surface of the mounting table, heat can be reflected to a portion where heat radiation is large. Therefore, the heat uniformity of the heating plate can be improved.

【0058】この場合に、第2発明のように、反射板の
側壁部を、加熱プレートの側面と、その厚さの1/3な
いし1/2の部分が重なり合うようにすることにより、
加熱プレートの周辺部での放熱による温度低下および反
射板により温度が高くなりすぎることの両方を防止する
ことができ、加熱プレートの熱均一性をさらに高めるこ
とができる。
In this case, as in the second aspect of the invention, the side wall of the reflecting plate is formed so that the side of the heating plate and the portion of 1/3 to 1/2 of the thickness thereof overlap with each other.
It is possible to prevent both a decrease in temperature due to heat radiation at the peripheral portion of the heating plate and an excessive increase in temperature due to the reflection plate, and it is possible to further enhance the heat uniformity of the heating plate.

【0059】第3発明によれば、加熱プレートの被処理
体配置部分に被処理体を取り囲むように設けられた外枠
を有するので、被処理体の周囲に空気が入るのが抑えら
れ、被処理体の処理温度の面内均一性を高めることがで
きる。
According to the third aspect of the present invention, since the outer frame is provided so as to surround the object to be processed at the portion of the heating plate on which the object is disposed, air is prevented from entering around the object to be processed. The in-plane uniformity of the processing temperature of the processing body can be improved.

【0060】第4発明によれば、排気カバーおよびシャ
ッタの間の隙間を、そこを介して被処理空間内に供給さ
れる気流により、前記加熱プレートの側面に沿って流れ
る気流を抑制して、加熱プレートの温度ばらつきが小さ
くなるように設定しているので、加熱プレートの側面か
ら熱が奪われることが抑制され、加熱プレートの熱均一
性を向上させることができる。具体的には、装置設計に
もよるが、第5発明のように、排気カバーとシャッタと
の間の隙間を15〜20mmに設定することが好まし
い。
According to the fourth aspect, the airflow flowing along the side surface of the heating plate is suppressed by the airflow supplied into the space to be processed through the gap between the exhaust cover and the shutter. Since the temperature variation of the heating plate is set to be small, it is possible to prevent the heat from being taken away from the side surface of the heating plate, and to improve the heat uniformity of the heating plate. Specifically, it is preferable to set the gap between the exhaust cover and the shutter to 15 to 20 mm as in the fifth invention, though it depends on the device design.

【0061】第6発明によれば、第1発明の加熱プレー
トから放射された熱を反射する反射板と、第3発明の加
熱プレートの被処理体配置部分に前記被処理体を取り囲
むように設けられた外枠とを設け、かつ第4発明のよう
に熱処理時の排気カバーおよびシャッタの隙間を、排気
口を介して排気を行った際にその隙間を介して被処理空
間内に供給される気流により、加熱プレートの側面に沿
って流れる気流を抑制して、前記加熱プレートの温度ば
らつきが小さくなるように設定したので、これらの相乗
効果により、加熱プレートの熱均一性を著しく高めるこ
とができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the reflecting plate for reflecting the heat radiated from the heating plate of the first aspect of the present invention and the object to be processed of the heating plate of the third aspect of the present invention are provided so as to surround the object to be processed. And a gap between the exhaust cover and the shutter at the time of heat treatment is supplied into the space to be processed through the gap when the air is exhausted through the exhaust port as in the fourth invention. Since the airflow suppresses the airflow flowing along the side surface of the heating plate and the temperature variation of the heating plate is set to be small, the heat uniformity of the heating plate can be remarkably enhanced by a synergistic effect of these. .

【0062】第7発明および第8発明によれば、第6発
明に、それぞれ第2発明および第5発明を適用したの
で、加熱プレートの熱均一性をさらに一層高めることが
できる。
According to the seventh and eighth inventions, the second and fifth inventions are applied to the sixth invention, respectively, so that the heat uniformity of the heating plate can be further improved.

【0063】第9発明によれば、ヒーターを加熱プレー
トに形成した凹部に圧入するので、従来の鋳込みタイプ
のように加熱プレートを厚くする必要がない。したがっ
て、加熱プレートを、従来よりも熱応答性が良くかつ軽
量化が可能で、かつ外乱に強い厚さに製造することがで
きる。
According to the ninth aspect, since the heater is press-fitted into the recess formed in the heating plate, there is no need to make the heating plate thicker as in the conventional casting type. Therefore, the heating plate can be manufactured to have a better thermal responsiveness, a lighter weight, and a thickness that is more resistant to disturbance than conventional ones.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像処
理システムを示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.

【図2】本発明の実施の形態に係る熱処理装置を示す断
面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】ホットプレートに加熱ヒータを圧入する前後の
状態を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state before and after press-fitting a heater into a hot plate.

【図4】図1の熱処理装置のホットプレートを示す断面
斜視図。
FIG. 4 is a sectional perspective view showing a hot plate of the heat treatment apparatus of FIG. 1;

【図5】図1の熱処理装置のシャッタを示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a shutter of the heat treatment apparatus of FIG. 1;

【図6】図1の熱処理装置のシャッタの昇降機構を示す
断面図。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an elevating mechanism of a shutter of the heat treatment apparatus of FIG. 1;

【図7】図1の熱処理装置での熱処理時のシャッタの状
態を示す断面図。
FIG. 7 is a sectional view showing a state of a shutter at the time of heat treatment in the heat treatment apparatus of FIG. 1;

【図8】排気カバーおよびシャッタ間の間隔調整手段の
変形例を示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a modification of the gap adjusting means between the exhaust cover and the shutter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21,28…加熱処理ユニット 31…ケース 32…ホットプレート 33…加熱ヒータ 34…支持ピン 35…保持部材 40…処理空間 41…排気カバー 42…排気口 50…シャッタ 51…ブランケット 52…ガイド部材 53…エアシリンダ 54…ピストンロッド 55…ストッパー 60…反射板 61…スペーサ 62…外枠 21, 28 ... Heat treatment unit 31 ... Case 32 ... Hot plate 33 ... Heater 34 ... Support pin 35 ... Holding member 40 ... Processing space 41 ... Exhaust cover 42 ... Exhaust port 50 ... Shutter 51 ... Blanket 52 ... Guide member 53 ... Air cylinder 54 ... Piston rod 55 ... Stopper 60 ... Reflector 61 ... Spacer 62 ... Outer frame

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレートを加熱するヒーターと、 前記加熱プレートから放射された熱を反射する反射板と
を具備し、 前記反射板は、前記加熱プレートの裏面に対向して配置
された底面部と、前記加熱プレートの側面に対向して設
けられた側壁部を有することを特徴とする熱処理装置。
An object to be processed is disposed on or above the object, a heating plate for heating the object, a heater for heating the heating plate, and a reflecting plate for reflecting heat radiated from the heating plate. A heat treatment apparatus, wherein the reflection plate has a bottom surface portion facing the back surface of the heating plate and a side wall portion facing the side surface of the heating plate.
【請求項2】 前記側壁部は、前記加熱プレートの側面
と、その厚さの1/3ないし1/2の部分が重なり合っ
ていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the side wall portion overlaps a side surface of the heating plate with a portion having a thickness of な い し to 1 /.
【請求項3】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレートを加熱するヒーターと、 前記加熱プレートの被処理体配置部分に前記被処理体を
取り囲むように設けられた外枠とを具備することを特徴
とする熱処理装置。
3. An object to be processed is disposed on or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and the object to be processed on a portion of the heating plate on which the object is to be processed. And an outer frame provided so as to surround the heat treatment apparatus.
【請求項4】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレートを加熱するヒーターと、 前記加熱プレートの上方に処理空間を介して配置される
と共に排気口を有する排気カバーと、 前記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排気カ
バーに対して進退可能に設けられたシャッタとを具備
し、 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間
を、前記排気口を介して排気を行った際に前記隙間を介
して前記被処理空間内に供給される気流により前記加熱
プレートの側面に沿って流れる気流を抑制して、前記加
熱プレートの温度ばらつきが小さくなるように設定した
ことを特徴とする熱処理装置。
4. An object to be processed is disposed above or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and an object disposed above the heating plate via a processing space. And an exhaust cover having an exhaust port, and a shutter disposed so as to surround the processing space and provided so as to be able to advance and retreat with respect to the exhaust cover, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter during heat treatment is provided. When air is exhausted through the exhaust port, the airflow supplied along the side surface of the heating plate by the airflow supplied into the space to be processed through the gap is suppressed, and the temperature variation of the heating plate is reduced. A heat treatment apparatus characterized by being set to be small.
【請求項5】 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シ
ャッタの隙間を15〜20mmにしたことを特徴とする
請求項4に記載の熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 4, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter during the heat treatment is set to 15 to 20 mm.
【請求項6】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレートを加熱するヒーターと、 前記加熱プレートから放射された熱を反射する反射板
と、 前記加熱プレートの被処理体配置部分に前記被処理体を
取り囲むように設けられた外枠と、 前記加熱プレートの上方に処理空間を介して配置される
と共に排気口を有する排気カバーと、 前記処理空間を取り囲むように配置されかつ前記排気カ
バーに対して進退可能に設けられたシャッタとを具備
し、 前記反射板は、前記加熱プレートの裏面に対向して配置
された底面部と、前記加熱プレートの側面に対向して設
けられた側壁部を具備し、 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シャッタの隙間
を、前記排気口を介して排気を行った際に前記隙間を介
して前記被処理空間内に供給される気流により前記加熱
プレートの側面に沿って流れる気流を抑制して、前記加
熱プレートの温度ばらつきが小さくなるように設定した
ことを特徴とする熱処理装置。することを特徴とする熱
処理装置。
6. An object to be processed is disposed on or above the object, a heating plate for heating the object to be processed, a heater for heating the heating plate, and a reflector for reflecting heat radiated from the heating plate. An outer frame provided on the object-to-be-processed portion of the heating plate so as to surround the object to be processed; an exhaust cover disposed above the heating plate via a processing space and having an exhaust port; A shutter disposed to surround the processing space and provided so as to be able to advance and retreat with respect to the exhaust cover, wherein the reflection plate has a bottom surface portion facing a back surface of the heating plate; A side wall provided opposite to a side surface of the plate, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter during heat treatment is formed when the air is exhausted through the exhaust port. Through said suppressing airflow flowing along the side surface of the heating plate by a gas stream supplied to the processing space, a heat treatment apparatus being characterized in that set so that the temperature variation of the heating plate is reduced. A heat treatment apparatus.
【請求項7】 前記反射板の側壁部は、前記加熱プレー
トの側面と、その厚さの1/3ないし1/3の部分が重
なり合っていることを特徴とする請求項6に記載の熱処
理装置。
7. The heat treatment apparatus according to claim 6, wherein the side wall portion of the reflection plate overlaps a side surface of the heating plate with a portion that is 1/3 to 1/3 of the thickness thereof. .
【請求項8】 熱処理時の前記排気カバーおよび前記シ
ャッタの隙間を15〜20mmにしたことを特徴とする
請求項6または請求項7に記載の熱処理装置。
8. The heat treatment apparatus according to claim 6, wherein a gap between the exhaust cover and the shutter during the heat treatment is set to 15 to 20 mm.
【請求項9】 その上または上方に被処理体が配置さ
れ、被処理体を加熱する加熱プレートと、 前記加熱プレート内に設けられたヒーターとを具備し、 前記ヒーターは前記加熱プレートに形成された凹部に圧
入されていることを特徴とする熱処理装置。
9. An object to be processed is disposed on or above the heating object, comprising: a heating plate for heating the object to be processed; and a heater provided in the heating plate, wherein the heater is formed on the heating plate. A heat treatment apparatus, wherein the heat treatment apparatus is press-fitted into the recessed portion.
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