JPH1152427A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH1152427A JPH1152427A JP21372097A JP21372097A JPH1152427A JP H1152427 A JPH1152427 A JP H1152427A JP 21372097 A JP21372097 A JP 21372097A JP 21372097 A JP21372097 A JP 21372097A JP H1152427 A JPH1152427 A JP H1152427A
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- liquid crystal
- electrode
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示に寄与す
る表示画素と、該表示画素に備えられるスイッチング素
子の静電気による破壊を防止するダミー画素とを有する
アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device having display pixels contributing to image display and dummy pixels for preventing switching elements provided in the display pixels from being damaged by static electricity.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、アクティブマトリクス型の液
晶表示装置（以下、単に、液晶表示装置と略す）におい
ては、液晶パネルを構成する一対の基板のうち、一方の
基板（アクティブマトリクス基板）上に個々に独立した
複数の表示画素がマトリクス状に配置されてなってい
る。この表示画素は、スイッチング素子としてのスイッ
チング素子と、画像を表示するための画素電極とからな
っている。2. Description of the Related Art Conventionally, in an active matrix type liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a liquid crystal display device), one of a pair of substrates constituting a liquid crystal panel (an active matrix substrate) is provided. A plurality of independent display pixels are arranged in a matrix. The display pixel includes a switching element as a switching element and a pixel electrode for displaying an image.
【０００３】上記液晶表示装置では、スイッチング素子
としては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子がよく
用いられており、このＴＦＴ素子を介して、画素電極に
駆動電圧を印加している。駆動電圧が印加された画素電
極は、対向する位置に配置されている対向電極との電位
差によって、上記画素電極と対向電極との間に介在して
いる液晶を配向させる。この液晶の配向の状態により、
該液晶に入射する光の透過・遮断が決定される。そのた
め、この液晶の配向を制御することで画像表示が可能と
なる。In the above liquid crystal display device, a TFT (Thin Film Transistor) element is often used as a switching element, and a driving voltage is applied to a pixel electrode via the TFT element. The pixel electrode to which the driving voltage has been applied orients the liquid crystal interposed between the pixel electrode and the counter electrode by a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode arranged at a position facing the pixel electrode. Depending on the state of the orientation of the liquid crystal,
Transmission and cutoff of light incident on the liquid crystal are determined. Therefore, an image can be displayed by controlling the orientation of the liquid crystal.
【０００４】上記表示画素について具体的に説明する
と、図１４および図１５に示すように、１つの表示画素
５１には、１つのＴＦＴ素子５２を備えており、このＴ
ＦＴ素子５２におけるゲート電極には走査線５３が、ま
た、ソース電極には信号線５５がそれぞれ接続されてい
る。さらに、ＴＦＴ素子５２のドレイン電極には、付加
容量５８の一方の端子が接続されているとともに、コン
タクトホール５７を介して画素電極５６が接続されてい
る。The above-described display pixel will be described in detail. As shown in FIGS. 14 and 15, one display pixel 51 is provided with one TFT element 52.
In the FT element 52, a scanning line 53 is connected to a gate electrode, and a signal line 55 is connected to a source electrode. Further, one terminal of an additional capacitor 58 is connected to a drain electrode of the TFT element 52, and a pixel electrode 56 is connected via a contact hole 57.
【０００５】上記付加容量５８のもう一方の端子は付加
容量配線５４に接続されている。この付加容量配線５４
は、図示しない対向電極に接続されている。上記走査線
５３と信号線５５とは、画素電極５６の周囲を通り、互
いに直交するように配設されている。The other terminal of the additional capacitance 58 is connected to an additional capacitance wiring 54. This additional capacitance wiring 54
Are connected to a counter electrode (not shown). The scanning lines 53 and the signal lines 55 are arranged so as to pass around the pixel electrodes 56 and to be orthogonal to each other.
【０００６】上記走査線５３によってゲート信号が入力
されることによりＴＦＴ素子５２が駆動制御される。ま
た、上記信号線５５によって、ＴＦＴ素子５２の駆動時
に、該ＴＦＴ素子５２を介してデータ信号（表示信号）
が画素電極５６に入力される。さらに、上記付加容量５
８は、液晶に印加される電圧を保持するために用いられ
る。The driving of the TFT element 52 is controlled by inputting a gate signal through the scanning line 53. When the TFT element 52 is driven by the signal line 55, a data signal (display signal) is transmitted through the TFT element 52.
Is input to the pixel electrode 56. Further, the additional capacity 5
Reference numeral 8 is used to hold a voltage applied to the liquid crystal.
【０００７】上記ＴＦＴ素子５２について具体的に説明
すると、図１６に示すように、透明な絶縁性基板６１上
に、ゲート電極６２が形成され、これを覆うようにゲー
ト絶縁膜６３が形成されている。ゲート電極６２の上部
に、ゲート絶縁膜６３を介して半導体層６４が形成され
ている。この半導体層６４の中央部上にチャネル保護層
６５が形成されている。このチャネル保護層６５と半導
体層６４とのソース部側にｎ+ −シリコン層からなるソ
ース電極６６ａが形成され、ドレイン部側に同じくｎ+
−シリコン層からなるドレイン電極６６ｂが形成されて
いる。The TFT element 52 will be described in detail. As shown in FIG. 16, a gate electrode 62 is formed on a transparent insulating substrate 61, and a gate insulating film 63 is formed so as to cover the same. I have. A semiconductor layer 64 is formed above the gate electrode 62 with a gate insulating film 63 interposed therebetween. A channel protection layer 65 is formed on a central portion of the semiconductor layer 64. The source side of the channel protective layer 65 and the semiconductor layer 64 n + - source electrode 66a made of silicon layer is formed, similarly to the drain side n +
-A drain electrode 66b made of a silicon layer is formed.
【０００８】上記ソース電極６６ａに対してソース配線
となる金属層６７ａが接続されており、ドレイン電極６
６ｂに対してドレイン配線となる金属層６７ｂが接続さ
れている。このＴＦＴ素子５２の表面は、層間絶縁膜６
８によって覆われており、さらに、その上に画素電極５
６となる透明導電層６９が形成されている。この透明導
電層６９は、コンタクトホール５７を介して、上記金属
層６７ｂと接続されている。A metal layer 67a serving as a source wiring is connected to the source electrode 66a.
A metal layer 67b serving as a drain wiring is connected to 6b. The surface of the TFT element 52 is covered with an interlayer insulating film 6.
8 and a pixel electrode 5 thereon.
6, a transparent conductive layer 69 is formed. The transparent conductive layer 69 is connected to the metal layer 67b via the contact hole 57.
【０００９】ところで、上記ＴＦＴ素子５２などのスイ
ッチング素子は、一般に強電界に対して弱い性質を有し
ている。それゆえ、液晶表示装置の製造過程において、
特にラビング工程で発生する静電気のために上記ＴＦＴ
素子５２が破壊されることがある。そこで、液晶表示装
置の有効表示領域となる複数の上記表示画素５１…の周
辺部に、ダミー画素とよばれる画像表示に直接寄与しな
い画素（図示せず）を複数形成する。従来より、このダ
ミー画素によって、外部からの静電気を吸収して、表示
画素５１…の破壊を防止する手法が知られている。By the way, the switching element such as the TFT element 52 generally has a weak property against a strong electric field. Therefore, in the manufacturing process of the liquid crystal display device,
In particular, the above TFT due to static electricity generated in the rubbing process
The element 52 may be destroyed. Therefore, a plurality of pixels (not shown) called dummy pixels which do not directly contribute to image display are formed around the plurality of display pixels 51... Serving as an effective display area of the liquid crystal display device. Conventionally, there has been known a method of absorbing the external static electricity by using the dummy pixels to prevent the display pixels 51 from being destroyed.
【００１０】このようなダミー画素を用いた液晶表示装
置としては、特開平７−３３３６５４号公報に開示され
た液晶表示装置がある。この液晶表示装置では、ダミー
画素となる画素には、スイッチング素子は形成されてい
るが画素電極は欠いた構成となっている。そのため、こ
のダミー画素は、上記スイッチング素子に静電気をチャ
ージすることによって、外部からの静電気を吸収するこ
とができるとともに、画素電極を欠いているため、スイ
ッチング素子の破壊により、ダミー画素が周辺の画素の
表示に悪影響を与えることも回避できる。As a liquid crystal display device using such dummy pixels, there is a liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-333654. In this liquid crystal display device, a switching element is formed in a pixel serving as a dummy pixel, but a pixel electrode is omitted. Therefore, by charging the switching element with static electricity, the dummy pixel can absorb static electricity from the outside, and since the pixel element lacks a pixel electrode, the dummy pixel is damaged due to the destruction of the switching element. Can be prevented from adversely affecting the display of.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記特開平
７−３３３６５４号公報の液晶表示装置など、従来のダ
ミー画素を設けている液晶表示装置では、上記ダミー画
素のスイッチング素子が、有効表示領域の表示画素と同
一の走査線や信号線に接続されている。そのため、ダミ
ー画素のスイッチング素子によって吸収され内部にチャ
ージされた静電気の一部は、上記走査線や信号線を介し
て、有効表示領域の表示画素にまで到達し、該表示画素
の静電気による破壊（静電破壊）を引き起こす。それゆ
え、従来のダミー画素では、液晶表示装置における欠陥
表示画素の発生の防止効果が未だ不十分であるという問
題点を生じている。However, in a conventional liquid crystal display device having a dummy pixel, such as the liquid crystal display device of Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-333654, the switching element of the dummy pixel is provided in the effective display area. They are connected to the same scanning lines and signal lines as the display pixels. Therefore, a part of the static electricity absorbed and charged inside by the switching element of the dummy pixel reaches the display pixel in the effective display area via the scanning line and the signal line, and is destroyed by the static electricity of the display pixel ( (Electrostatic breakdown). Therefore, the conventional dummy pixel has a problem that the effect of preventing the occurrence of defective display pixels in the liquid crystal display device is still insufficient.
【００１２】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、ダミー画素が外部からの静電
気をチャージした際、この静電気を有効表示領域の表示
画素へ到達させないことにより、表示画素の静電破壊を
防止して、欠陥表示画素の発生を効果的に防止すること
ができる液晶表示装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to prevent a static charge from reaching a display pixel in an effective display area when a dummy pixel is charged with external static electricity. It is another object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of effectively preventing occurrence of defective display pixels by preventing electrostatic damage of display pixels.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、互いに
直交するように形成される走査線および信号線と、上記
走査線および信号線の交差部に形成されるスイッチング
素子と、上記スイッチング素子に接続され、上記走査線
および信号線から供給される信号により駆動制御される
画素電極とを備えている表示画素が、有効表示領域に複
数形成されている一方、上記有効表示領域の周辺部に、
上記走査線および信号線から切り離された画素電極を備
えているダミー画素が、複数形成されていることを特徴
としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device, comprising: a scanning line and a signal line which are formed so as to be orthogonal to each other; A display pixel including a switching element formed at an intersection of the signal line and a pixel electrode connected to the switching element and driven and controlled by a signal supplied from the scanning line and the signal line is provided in an effective display area. On the other hand, at the periphery of the effective display area,
A plurality of dummy pixels each including a pixel electrode separated from the scanning line and the signal line are formed.
【００１４】上記の請求項１記載の構成によれば、ダミ
ー画素における画素電極と走査線および信号線とは切り
離された状態となっているため、上記ダミー画素では、
液晶表示装置の製造過程で発生した静電気を画素電極に
チャージした状態で維持する事が可能となる。そのた
め、上記走査線や信号線を介して有効表示領域の表示画
素に上記静電気の一部が流れることがない。その結果、
表示画素におけるスイッチング素子の静電破壊を確実に
防止することができ、欠陥表示画素の発生を防止する効
果を従来よりも向上させることができる。According to the configuration of the first aspect, the pixel electrode and the scanning line and the signal line in the dummy pixel are separated from each other.
The static electricity generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device can be maintained in a state charged to the pixel electrode. Therefore, part of the static electricity does not flow to the display pixels in the effective display area via the scanning lines and the signal lines. as a result,
The electrostatic breakdown of the switching element in the display pixel can be reliably prevented, and the effect of preventing the occurrence of a defective display pixel can be improved as compared with the related art.
【００１５】本発明の請求項２記載の液晶表示装置は、
上記の課題を解決するために、上記請求項１の構成に加
えて、上記ダミー画素における画素電極が、付加容量配
線に接続されていることを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device.
In order to solve the above problem, in addition to the configuration of the first aspect, a pixel electrode of the dummy pixel is connected to an additional capacitance line.
【００１６】上記の請求項２記載の構成によれば、上記
ダミー画素では、画素電極が走査線および信号線から切
り離されていることに加え、該画素電極が付加容量配線
と接続されている構成となっている。そのため、ラビン
グ処理の際などに発生する静電気をダミー画素の画素電
極にチャージし、さらに、該画素電極から付加容量配線
に流して放電することができる。According to the above configuration, in the dummy pixel, the pixel electrode is separated from the scanning line and the signal line, and the pixel electrode is connected to the additional capacitance line. It has become. Therefore, static electricity generated at the time of rubbing treatment or the like can be charged to the pixel electrode of the dummy pixel, and further, can be discharged from the pixel electrode to the additional capacitance wiring.
【００１７】その結果、従来のダミー画素のように、該
ダミー画素にチャージされた静電気が走査線や信号線を
流れて表示画素まで達することをより確実に回避し、表
示画素が備えるスイッチング素子の静電破壊を防止し
て、欠陥表示画素の発生を防止する効果をより一層向上
させることができる。As a result, unlike a conventional dummy pixel, static electricity charged in the dummy pixel is more reliably prevented from flowing through a scanning line or a signal line to reach a display pixel. The effect of preventing the occurrence of defective display pixels by preventing electrostatic breakdown can be further improved.
【００１８】本発明の請求項３記載の液晶表示装置は、
上記の課題を解決するために、上記請求項１または２記
載の構成に加えて、上記ダミー画素が、上記表示画素か
らスイッチング素子を欠いたものであることを特徴とし
ている。According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising:
In order to solve the above-mentioned problem, in addition to the configuration described in claim 1 or 2, the dummy pixel is characterized in that the display pixel lacks a switching element.
【００１９】上記の請求項３記載の構成によれば、上記
ダミー画素では、スイッチング素子を形成しないことに
より、画素電極と走査線および信号線とが切り離されて
いる。そのため、従来の液晶表示装置に用いられている
表示画素の形成工程の一部を適宜用いることで、上記ダ
ミー画素を容易に製造することができる。その結果、ダ
ミー画素の形成による液晶表示装置の製造工程の煩雑化
は回避され、製造コストの上昇も抑制することができ
る。According to the third aspect of the present invention, in the dummy pixel, the switching element is not formed, so that the pixel electrode is separated from the scanning line and the signal line. Therefore, the dummy pixel can be easily manufactured by appropriately using a part of the process of forming the display pixel used in the conventional liquid crystal display device. As a result, complication of the manufacturing process of the liquid crystal display device due to the formation of the dummy pixels can be avoided, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００２０】本発明の請求項４記載の液晶表示装置は、
上記の課題を解決するために、上記請求項１または２記
載の構成に加えて、上記ダミー画素が、上記表示画素に
おけるスイッチング素子と画素電極との間を断線したも
のであることを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising:
In order to solve the above problem, in addition to the configuration described in claim 1 or 2, the dummy pixel is characterized in that a disconnection is made between a switching element and a pixel electrode in the display pixel. .
【００２１】上記の請求項４記載の構成によれば、上記
ダミー画素では、スイッチング素子と画素電極との間を
断線させることにより、画素電極と走査線および信号線
とが切り離されている。そのため、従来の液晶表示装置
に用いられているスイッチング素子の形成工程を若干変
更させるだけで、上記ダミー画素を容易に製造すること
ができる。その結果、ダミー画素の形成による液晶表示
装置の製造工程の煩雑化は回避され、製造コストの上昇
も抑制することができる。According to the above configuration, in the dummy pixel, the pixel electrode is separated from the scanning line and the signal line by disconnecting the switching element from the pixel electrode. Therefore, the dummy pixel can be easily manufactured by only slightly changing the process of forming the switching element used in the conventional liquid crystal display device. As a result, complication of the manufacturing process of the liquid crystal display device due to the formation of the dummy pixels can be avoided, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００２２】本発明の請求項５記載の液晶表示装置は、
上記の課題を解決するために、上記請求項１から４の何
れか１項に記載の構成に加えて、上記ダミー画素の形成
される位置が、上記有効表示領域の周辺部のうち、表示
画素の上に形成される配向膜へのラビング処理が最後に
なされる領域に最も近い周辺部のみであることを特徴と
している。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising:
In order to solve the above-mentioned problem, in addition to the configuration according to any one of claims 1 to 4, a position where the dummy pixel is formed is a display pixel in a peripheral portion of the effective display area. It is characterized in that only the peripheral portion closest to the region where the rubbing process is finally performed on the alignment film formed thereon.
【００２３】上記の請求項５記載の構成によれば、液晶
表示装置の製造過程における配向膜のラビング処理方向
の際に、最後にラビング処理される領域に存在する表示
画素で、静電気が最も発生し易くなっている。そのた
め、上記領域に最も近傍となる辺にダミー画素を形成す
ることにより、上記ラビング処理の際に発生した静電気
が表示画素へと達することなく、効果的にダミー画素に
チャージすることができる。According to the fifth aspect of the present invention, in the rubbing direction of the alignment film in the manufacturing process of the liquid crystal display device, the most static electricity is generated in the display pixel present in the region to be rubbed last. It is easy to do. Therefore, by forming the dummy pixel on the side closest to the region, the dummy pixel can be effectively charged without the static electricity generated during the rubbing process reaching the display pixel.
【００２４】[0024]
〔実施の形態１〕本発明の実施の一形態を図１ないし図
８を用いて以下に説明する。なお、これによって、本発
明が限定されるものではない。[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that the present invention is not limited by this.
【００２５】本実施の形態のアクティブマトリクス型の
液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置とする）は、図
１に示すように、有効表示領域には、画像を表示するた
めの画素（以下、表示画素とする）１…が形成され、そ
の周辺領域には、ダミー画素２…が形成されている。こ
のダミー画素２…が外部からの静電気をチャージするこ
とにより、表示画素１…の静電気による破壊（以下、静
電破壊とする）が防止される。As shown in FIG. 1, an active matrix type liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a liquid crystal display device) of this embodiment has pixels (hereinafter, referred to as pixels) for displaying an image in an effective display area. Are formed, and dummy pixels 2 are formed in the peripheral area. The dummy pixels 2 are charged with external static electricity, thereby preventing the display pixels 1 from being destroyed by the static electricity (hereinafter referred to as electrostatic breakdown).
【００２６】上記液晶表示装置は、図示しないが、従来
の液晶表示装置と同様に、一対の透光性の基板の間に液
晶を封入してなる液晶パネルを備えている。この液晶パ
ネルを構成する一対の基板のうち、一方の基板であるア
クティブマトリクス基板に、図１に示すような、表示画
素１…とダミー画素２…とが複数形成されている。Although not shown, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel in which liquid crystal is sealed between a pair of translucent substrates, similarly to a conventional liquid crystal display device. As shown in FIG. 1, a plurality of display pixels 1 and a plurality of dummy pixels 2 are formed on an active matrix substrate which is one of a pair of substrates constituting the liquid crystal panel.
【００２７】上記アクティブマトリクス基板上には、互
いに交差している走査線５…および信号線６…が形成さ
れている。また、上記表示電極１…およびダミー画素２
…を構成する画素電極４…が形成されている。また、上
記走査線５と信号線６との交点には、スイッチング素子
としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子３が形成
されており、さらに、後述する付加容量配線８も形成さ
れている。On the active matrix substrate, scanning lines 5 and signal lines 6 that intersect each other are formed. The display electrodes 1 and the dummy pixels 2
Are formed. Pixel electrodes 4 are formed. Further, a TFT (Thin Film Transistor) element 3 as a switching element is formed at an intersection of the scanning line 5 and the signal line 6, and an additional capacitance wiring 8 described later is also formed.
【００２８】なお、対向するもう一方の基板には、表示
画素１の形状に応じたカラーフイルタやブラックマトリ
クスなどが形成され、さらに、対向電極が基板のほぼ全
面に形成されている。A color filter or a black matrix corresponding to the shape of the display pixel 1 is formed on the other opposing substrate, and an opposing electrode is formed on almost the entire surface of the substrate.
【００２９】上記表示画素１は、図２および図３に示す
ように、上記ＴＦＴ素子３、画素電極４、走査線５、信
号線６、付加容量配線８、付加容量９および接続電極２
０を備えている（なお、付加容量９は、図２には図示せ
ず、また、接続電極２０は、図３には図示せず）。上記
ＴＦＴ素子３のゲート電極には走査線５が、また、ソー
ス電極には信号線６がそれぞれ接続されている。さら
に、ＴＦＴ素子３のドレイン電極には、上記付加容量９
の一方の端子が接続されているとともに、コンタクトホ
ール７を介して画素電極４が接続されている。As shown in FIGS. 2 and 3, the display pixel 1 includes the TFT element 3, the pixel electrode 4, the scanning line 5, the signal line 6, the additional capacitance line 8, the additional capacitance 9, and the connection electrode 2.
0 (the additional capacitance 9 is not shown in FIG. 2, and the connection electrode 20 is not shown in FIG. 3). The scanning line 5 is connected to the gate electrode of the TFT element 3, and the signal line 6 is connected to the source electrode. Further, the additional capacitance 9 is connected to the drain electrode of the TFT element 3.
And the pixel electrode 4 is connected via the contact hole 7.
【００３０】上記付加容量９のもう一方の端子は、付加
容量配線８に接続されている。この付加容量配線８は、
上記対向電極に接続されている。上記走査線５と信号線
６とは、画素電極４の周囲を通り、互いに直交するよう
に配設されている。また、接続電極２０は、上記付加容
量配線８と接続されているとともに、コンタクトホール
７を介して画素電極４と接続されている。The other terminal of the additional capacitance 9 is connected to the additional capacitance wiring 8. This additional capacitance wiring 8
It is connected to the counter electrode. The scanning line 5 and the signal line 6 are arranged so as to pass around the pixel electrode 4 and to be orthogonal to each other. The connection electrode 20 is connected to the additional capacitance wiring 8 and to the pixel electrode 4 via the contact hole 7.
【００３１】上記走査線５によってゲート信号が入力さ
れることによりＴＦＴ素子３が駆動制御される。また、
上記信号線６によって、ＴＦＴ素子３の駆動時に、該Ｔ
ＦＴ素子３を介してデータ信号（表示信号）が画素電極
４に入力される。さらに、上記付加容量９は、液晶に印
加される電圧を保持するために用いられる。The driving of the TFT element 3 is controlled by inputting a gate signal through the scanning line 5. Also,
When the TFT element 3 is driven by the signal line 6, the T
A data signal (display signal) is input to the pixel electrode 4 via the FT element 3. Further, the additional capacitance 9 is used to hold a voltage applied to the liquid crystal.
【００３２】上記ＴＦＴ素子３は、本実施の形態では、
図４に示すように、透明な絶縁性基板１１上に形成され
ており、その上は層間絶縁膜１８によって覆われてい
る。上記表示画素１は、上記層間絶縁膜１８のさらにそ
の上に形成された画素電極４と、上記ＴＦＴ素子３とが
接続された構成となっている。In the present embodiment, the TFT element 3 is
As shown in FIG. 4, it is formed on a transparent insulating substrate 11, which is covered with an interlayer insulating film 18. The display pixel 1 has a configuration in which a pixel electrode 4 further formed on the interlayer insulating film 18 and the TFT element 3 are connected.
【００３３】このＴＦＴ素子３の構成について具体的に
説明する。上記絶縁性基板１１上にゲート電極１２が形
成され、これを覆うようにゲート絶縁膜１３が形成され
ている。ゲート電極１２の上部に、ゲート絶縁膜１３を
介して半導体層１４が形成されている。この半導体層１
４の中央部上にチャネル保護層１５が形成されている。
このチャネル保護層１５と半導体層１４とのソース部側
にｎ+ −シリコン層からなるソース電極１６ａが形成さ
れ、ドレイン部側に同じくｎ+ −シリコン層からなるド
レイン電極１６ｂが形成されている。The configuration of the TFT element 3 will be specifically described. A gate electrode 12 is formed on the insulating substrate 11, and a gate insulating film 13 is formed to cover the gate electrode 12. A semiconductor layer 14 is formed above the gate electrode 12 with a gate insulating film 13 interposed therebetween. This semiconductor layer 1
The channel protective layer 15 is formed on the central portion of the substrate 4.
A source electrode 16a made of an n + -silicon layer is formed on the source side of the channel protective layer 15 and the semiconductor layer 14, and a drain electrode 16b made of the same n + -silicon layer is formed on the drain side.
【００３４】上記ソース電極１６ａに対して、上層が金
属層１７ａ、下層が透明導電層１９の２層構造となって
いる信号線６が接続されており、ドレイン電極１６ｂに
対してドレイン配線となる金属層１７ｂが接続されてい
る。さらにこの金属層１７ｂの下層には接続電極２０が
形成されている。この接続電極２０は、層間絶縁膜１８
に設けられたコンタクトホール７を介して、画素電極４
と接続されている。The source electrode 16a is connected to the signal line 6 having a two-layer structure of a metal layer 17a as an upper layer and a transparent conductive layer 19 as a lower layer, and serves as a drain wiring with respect to the drain electrode 16b. The metal layer 17b is connected. Further, a connection electrode 20 is formed below the metal layer 17b. This connection electrode 20 is formed of the interlayer insulating film 18.
Pixel electrode 4 via contact hole 7 provided in
Is connected to
【００３５】このような構成を有する表示画素１は、上
記ＴＦＴ素子３を介して、画素電極４に駆動電圧を印加
している。この画素電極４に対向して、前述した対向電
極が配置しており、これら各電極の間に液晶が封入され
ている。駆動電圧が印加された上記画素電極４は、上記
対向電極との間に電位差を形成することによって液晶を
配向させる。この液晶の配向の状態により、該液晶に入
射する光の透過・遮断が決定される。したがって、液晶
配向の制御によって画像表示が可能となる。In the display pixel 1 having such a configuration, a driving voltage is applied to the pixel electrode 4 via the TFT element 3. The above-described counter electrode is disposed to face the pixel electrode 4, and liquid crystal is sealed between these electrodes. The pixel electrode 4 to which the driving voltage has been applied orients the liquid crystal by forming a potential difference between the pixel electrode 4 and the counter electrode. The transmission and blocking of light incident on the liquid crystal is determined by the state of the orientation of the liquid crystal. Therefore, an image can be displayed by controlling the liquid crystal alignment.
【００３６】一方、上記ダミー画素２は、上記表示画素
１とは異なり、画素電極４が走査線５および信号線６と
は接続されていない構成、すなわち、画素電極４と走査
線５および信号線６とが切り離された構成となってい
る。たとえば、図１に示すような本実施の形態のダミー
画素２では、ＴＦＴ素子３が形成されないことにより、
画素電極４と走査線５および信号線６とが切り離されて
いる。On the other hand, the dummy pixel 2 is different from the display pixel 1 in that the pixel electrode 4 is not connected to the scanning line 5 and the signal line 6, that is, the pixel electrode 4 is connected to the scanning line 5 and the signal line. 6 is separated. For example, in the dummy pixel 2 of the present embodiment as shown in FIG. 1, since the TFT element 3 is not formed,
The pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6.
【００３７】このダミー画素２が形成される位置は、前
述したように、複数の上記表示画素１…が形成されてい
る有効表示領域の周辺部、すなわち、画像表示に関与し
ない領域となっている。As described above, the position where the dummy pixel 2 is formed is a peripheral portion of the effective display area in which the plurality of display pixels 1 are formed, that is, an area not involved in image display. .
【００３８】このとき、形成されるダミー画素２の数は
できる限り多いことが好ましい。これは、ダミー画素２
の数が多いほど、静電気をより確実にチャージすること
ができるためである。しかしながら、ダミー画素２の数
が多すぎると表示画面上にて非表示領域となる面積が増
大する。そのため、ダミー画素２…は、図５に示すよう
に、有効表示領域の周辺部に１列ずつ形成されることが
好ましい。At this time, it is preferable that the number of dummy pixels 2 formed is as large as possible. This is dummy pixel 2
This is because the larger the number, the more reliably the static electricity can be charged. However, if the number of the dummy pixels 2 is too large, the area serving as a non-display area on the display screen increases. Therefore, as shown in FIG. 5, it is preferable that the dummy pixels 2 are formed one by one in the peripheral portion of the effective display area.
【００３９】特に、ダミー画素２…の形成される位置と
しては、図６に示すように、液晶表示装置の製造過程に
おいて、配向膜になされるラビング処理の際に、最後に
ラビング処理される表示画素１…のさらに外側となる位
置、すなわち、上記有効表示領域の周辺部のうち、配向
膜へのラビング処理が最後になされる領域に最も近い周
辺部にのみ１列形成されることがより好ましい。In particular, as shown in FIG. 6, the position where the dummy pixels 2 are formed is a display which is finally rubbed when a rubbing process is performed on an alignment film in a process of manufacturing a liquid crystal display device. It is more preferable that one row is formed only at a position further outside the pixels 1, that is, at a peripheral portion closest to the region where the rubbing process on the alignment film is finally performed among the peripheral portions of the effective display region. .
【００４０】上記ラビング処理の工程は、表示画素１…
上に形成される図示しない配向膜に、ラビング布などを
巻き付けたラビングローラを回転させながら一方向に擦
ることによって、上記配向膜に液晶の配向方向を形成す
る工程である。このとき、上記ラビングローラが回転し
て配向膜を擦り、最後に配向膜から離れる領域、すなわ
ち、最後にラビング処理される領域の表示画素１…にお
いて、静電気が最も発生し易くなっている。The rubbing process is performed in the display pixels 1.
This is a step of forming a liquid crystal alignment direction on the alignment film by rubbing in one direction while rotating a rubbing roller around which a rubbing cloth or the like is wound on an alignment film (not shown) formed thereon. At this time, the rubbing roller rotates and rubs the alignment film, and static electricity is most easily generated in the display pixels 1... In the region that is finally separated from the alignment film, that is, in the region that is finally rubbed.
【００４１】そのため、たとえば、上記ラビング処理の
方向が、図６における矢印Ｄのように、長方形状の有効
表示領域に対する対角線方向である場合、上記有効表示
領域においては、上記矢印Ｄの方向と対向する長手方向
の一辺と、この一辺につらなるもう一辺とに１列ずつダ
ミー画素２…が形成されることが好ましい。Therefore, for example, when the direction of the rubbing process is a diagonal direction with respect to the rectangular effective display area as shown by an arrow D in FIG. 6, the rubbing process is opposed to the direction of the arrow D in the effective display area. It is preferable that dummy pixels 2... Are formed one row at a time on one side in the longitudinal direction and on the other side connected to this one side.
【００４２】なお、ラビング処理の方向は、図６の矢印
Ｄに示される方向に限定されるものではない。それゆ
え、ダミー画素２…の形成される位置も、配向膜に対す
るラビング処理が最後になされる領域に最も近傍の辺で
あればよく、図６に示すような位置に限定されるもので
はない。Note that the direction of the rubbing process is not limited to the direction indicated by the arrow D in FIG. Therefore, the position where the dummy pixels 2 are formed is not limited to the position shown in FIG. 6 as long as it is the side closest to the region where the rubbing process is performed on the alignment film last.
【００４３】上記ダミー画素２においては、前述したよ
うに、画素電極４と走査線５および信号線６とが、画素
電極４から切り離された構成となっている。この構成に
よって、ダミー画素２では、静電気を画素電極４にチャ
ージした際に、走査線５および信号線６に静電気が流れ
て表示画素１に達し、表示画素１におけるＴＦＴ素子３
を静電破壊することがない。その結果、表示画素１にお
ける欠陥の発生を効果的に防止することができる。As described above, the dummy pixel 2 has a configuration in which the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6 from the pixel electrode 4. With this configuration, in the dummy pixel 2, when static electricity is charged to the pixel electrode 4, static electricity flows to the scanning line 5 and the signal line 6 to reach the display pixel 1, and the TFT element 3 in the display pixel 1
Is not electrostatically damaged. As a result, the occurrence of defects in the display pixels 1 can be effectively prevented.
【００４４】上記構成を有するダミー画素２としては、
たとえば、図１に示すように、有効表示領域周辺の層間
絶縁膜１８上に画素電極４をとなる透明導電層を形成す
る構成、すなわち、ＴＦＴ素子３を欠いた構成のダミー
画素２ａを挙げることができる。As the dummy pixel 2 having the above configuration,
For example, as shown in FIG. 1, a dummy pixel 2a having a configuration in which a transparent conductive layer serving as a pixel electrode 4 is formed on an interlayer insulating film 18 around an effective display area, that is, a configuration lacking the TFT element 3 is given. Can be.
【００４５】また、上記ダミー画素２としては、図７に
示すように、絶縁性基板１１上にて、表示画素１におけ
る半導体層１４、チャネル保護層１５、ソース電極１６
ａおよびドレイン電極１６ｂを欠いたダミー画素２ｂで
あってもよい。As shown in FIG. 7, the dummy pixel 2 includes a semiconductor layer 14, a channel protection layer 15, and a source electrode 16 of the display pixel 1 on an insulating substrate 11.
a and the dummy pixel 2b lacking the drain electrode 16b.
【００４６】つまり、本実施の形態のダミー画素２とし
ては、上記表示画素２からスイッチング素子であるＴＦ
Ｔ素子３を欠いたものであれば、その構成は特に限定さ
れるものではない。That is, as the dummy pixel 2 of this embodiment, the switching element TF
The configuration is not particularly limited as long as the T element 3 is missing.
【００４７】上記ダミー画素２ａの形成方法としては、
有効表示領域にＴＦＴ素子３…が形成された後、このＴ
ＦＴ素子３…を覆うように層間絶縁膜１８が形成された
その上に、表示画素１…とダミー画素２ａとを形成する
領域全体に、画素電極４となる透明導電層を形成してパ
ターニングすればよい。この状態では、表示画素１…
は、ＴＦＴ素子３と画素電極４とを備えているが、ダミ
ー画素２ａは、ＴＦＴ素子３を全く備えていない画素電
極４のみの構成となる。このように、表示画素１の形成
方法を適宜用いることによって、容易にダミー画素２ａ
を形成することができる。The method of forming the dummy pixel 2a is as follows.
After the TFT elements 3 are formed in the effective display area,
On the interlayer insulating film 18 formed so as to cover the FT elements 3, a transparent conductive layer serving as the pixel electrode 4 is formed and patterned over the entire area where the display pixels 1... And the dummy pixels 2 a are formed. I just need. In this state, the display pixels 1 ...
Has the TFT element 3 and the pixel electrode 4, but the dummy pixel 2 a has only the pixel electrode 4 without the TFT element 3 at all. As described above, by appropriately using the method of forming the display pixel 1, the dummy pixel 2a can be easily formed.
Can be formed.
【００４８】また、ダミー画素２ｂの形成方法として
は、有効表示領域にＴＦＴ素子３…が形成される過程
で、半導体層１４などを形成する工程を除いて、ゲート
電極１２、ゲート絶縁膜１３、透明導電層１９、接続電
極２０および金属層１７ａ・１７ｂを形成する工程につ
いては、ダミー画素２ｂを形成する領域でも表示画素１
を形成する領域と同様に行えばよい。その後、層間絶縁
膜１８の上に画素電極４を形成することで、ダミー画素
２ｂを容易に形成することができる。As a method of forming the dummy pixel 2b, the gate electrode 12, the gate insulating film 13, the gate electrode 12, the gate insulating film 13, and the like are formed except for the step of forming the semiconductor layer 14 in the process of forming the TFT elements 3 in the effective display area. Regarding the step of forming the transparent conductive layer 19, the connection electrode 20, and the metal layers 17a and 17b, the display pixel 1 is formed even in the area where the dummy pixel 2b is formed.
May be performed in the same manner as in the region where Thereafter, the dummy pixel 2b can be easily formed by forming the pixel electrode 4 on the interlayer insulating film 18.
【００４９】以上のように、本実施の形態のダミー画素
２ａまたはダミー画素２ｂには、ＴＦＴ素子３が形成さ
れていないため、画素電極４と走査線５および信号線６
とは切り離された状態となっている。そのため、上記ダ
ミー画素２ａまたはダミー画素２ｂは、上記ラビング処
理などにおいて発生した静電気を画素電極４にチャージ
した状態で維持する事が可能となる。その結果、表示画
素１…が形成されている有効表示領域に静電気の一部が
流れることがない。したがって、上記ダミー画素２ａま
たはダミー画素２ｂは、表示画素１におけるスイッチン
グ素子の静電破壊を確実に防止することができる。As described above, since the TFT element 3 is not formed in the dummy pixel 2a or the dummy pixel 2b of the present embodiment, the pixel electrode 4 and the scanning line 5 and the signal line 6
Is in a state of being separated. Therefore, the dummy pixel 2 a or the dummy pixel 2 b can maintain the state in which the static electricity generated in the rubbing process or the like is charged in the pixel electrode 4. As a result, part of the static electricity does not flow into the effective display area where the display pixels 1 are formed. Therefore, the dummy pixel 2a or the dummy pixel 2b can reliably prevent the electrostatic breakdown of the switching element in the display pixel 1.
【００５０】また、上記ダミー画素２ａまたはダミー画
素２ｂは、従来の液晶表示装置の製造過程において、表
示画素１の形成工程を適宜用いることで容易に製造する
ことができる。その結果、液晶表示装置の製造工程が煩
雑化することはなく、製造コストの上昇も抑制すること
ができる。The dummy pixel 2a or the dummy pixel 2b can be easily manufactured by appropriately using the process of forming the display pixel 1 in the process of manufacturing a conventional liquid crystal display device. As a result, the manufacturing process of the liquid crystal display device does not become complicated, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００５１】ここで、上記ダミー画素２ａ…を図５に示
す位置に形成した液晶パネルと、従来のダミー画素を図
５に示す位置に形成した液晶パネルとをそれぞれ作成
し、これら液晶パネルにおけるＥＳＤ（electrostatic
discharge ）発生率について調査した。その結果を表１
に示す。なお、ＥＳＤ発生率とは、試作した液晶パネル
の総数に対するＥＳＤ不良の発生した液晶パネルの割合
を示すものである。Here, a liquid crystal panel in which the dummy pixels 2a... Are formed at the positions shown in FIG. 5 and a liquid crystal panel in which conventional dummy pixels 2a are formed in the positions shown in FIG. (Electrostatic
discharge) The incidence was investigated. Table 1 shows the results.
Shown in Note that the ESD occurrence rate indicates a ratio of a liquid crystal panel in which an ESD failure has occurred to the total number of liquid crystal panels manufactured as prototypes.
【００５２】[0052]
【表１】 [Table 1]
【００５３】このように、従来のダミー画素を備える液
晶パネルでは、ＥＳＤ発生率は平均値で 13.80％、最大
値では 21.62％となり、作成される液晶パネルの１割以
上にＥＳＤ不良が発生したことになる。これに対して、
本実施の形態のダミー画素２ａ…を備える液晶パネルで
は、ＥＳＤ発生率は平均値および最大値ともに１％未満
となり、表示画素１…の静電破壊を効果的に防止する大
きな効果が得られた。As described above, in the liquid crystal panel having the conventional dummy pixels, the ESD occurrence rate was 13.80% on average and 21.62% on the maximum, and ESD failure occurred in more than 10% of the liquid crystal panel to be manufactured. become. On the contrary,
In the liquid crystal panel including the dummy pixels 2a of the present embodiment, the ESD occurrence rate is less than 1% in both the average value and the maximum value, and a great effect of effectively preventing the electrostatic breakdown of the display pixels 1 is obtained. .
【００５４】なお、本実施の形態におけるダミー画素、
すなわち、ＴＦＴ素子３を形成しないことによって、画
素電極４と走査線５および信号線６とを切り離した構成
を有するダミー画素２の構成は、層間絶縁膜１８を形成
しない表示画素１ａに対して適用することも可能であ
る。Note that the dummy pixels in this embodiment
That is, the configuration of the dummy pixel 2 having the configuration in which the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6 by not forming the TFT element 3 is applied to the display pixel 1 a in which the interlayer insulating film 18 is not formed. It is also possible.
【００５５】上記層間絶縁膜１８を形成しない表示画素
１ａは、たとえば、図８（ａ）に示すように、絶縁性基
板１１上に、ＴＦＴ素子３、画素電極４、信号線６、図
示しない走査線などが形成されている。The display pixel 1a on which the interlayer insulating film 18 is not formed is, for example, as shown in FIG. 8A, a TFT element 3, a pixel electrode 4, a signal line 6, and a scan (not shown) on an insulating substrate 11. Lines and the like are formed.
【００５６】上記ＴＦＴ素子３の構成は、図４に示すよ
うな表示画素１と同様の構成である。すなわち、上記絶
縁性基板１１上に形成されたゲート電極１２を覆うよう
にゲート絶縁膜１３が形成されている。そして、このゲ
ート電極１２の上部に、ゲート絶縁膜１３を介して半導
体層１４、チャネル保護層１５が形成されている。さら
に、ソース部側にソース電極１６ａが、ドレイン部側に
ドレイン電極１６ｂが形成されている。The structure of the TFT element 3 is the same as that of the display pixel 1 as shown in FIG. That is, the gate insulating film 13 is formed so as to cover the gate electrode 12 formed on the insulating substrate 11. A semiconductor layer 14 and a channel protection layer 15 are formed above the gate electrode 12 with a gate insulating film 13 interposed therebetween. Further, a source electrode 16a is formed on the source side and a drain electrode 16b is formed on the drain side.
【００５７】上記ソース電極１６ａに対して、上層が金
属層１７ａ、下層が透明導電層１９の２層構造となって
いる信号線６が接続されている点、および、ゲート電極
１２に図示しない走査線が接続されている点も、上記表
示画素１と同様である。しかしながら、上記ドレイン電
極１６ｂに対しては、画素電極４が直接接続されてい
る。The source electrode 16a is connected to the signal line 6 having a two-layer structure of a metal layer 17a as an upper layer and a transparent conductive layer 19 as a lower layer. The point where the lines are connected is the same as in the display pixel 1 described above. However, the pixel electrode 4 is directly connected to the drain electrode 16b.
【００５８】このような構成の表示画素１ａにおいて、
図７に示すようなダミー画素２ｂのように、半導体層１
４などを形成する工程を除くことによって、図８（ｂ）
に示すような、本実施の形態のダミー画素２ｇが得られ
る。In the display pixel 1a having such a configuration,
As shown in a dummy pixel 2b shown in FIG.
8 (b) by eliminating the process of forming
Thus, a dummy pixel 2g of the present embodiment as shown in FIG.
【００５９】このダミー画素２ｇには、上記ダミー画素
２ａ・２ｂと同様に、ＴＦＴ素子３が形成されていない
ため、画素電極４は信号線６などとは切り離された状態
となっている。そのため、上記ダミー画素２ｇは、ラビ
ング処理などにおいて発生した静電気を画素電極４にチ
ャージした状態で維持する事が可能となり、表示画素１
ａにおけるスイッチング素子の静電破壊を確実に防止す
ることができる。Since the TFT element 3 is not formed in the dummy pixel 2g, like the dummy pixels 2a and 2b, the pixel electrode 4 is separated from the signal line 6 and the like. Therefore, the dummy pixel 2g can maintain the state in which the static electricity generated in the rubbing process or the like is charged to the pixel electrode 4, and the display pixel 1g can be maintained.
The electrostatic breakdown of the switching element in a can be reliably prevented.
【００６０】加えて、上記ダミー画素２ｇも従来の液晶
表示装置の製造過程において、表示画素１ａの形成工程
を適宜用いることで容易に製造することができる。その
結果、液晶表示装置における製造工程の煩雑化と製造コ
ストの上昇とを抑制することができる。In addition, the dummy pixel 2g can be easily manufactured by appropriately using the process of forming the display pixel 1a in the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device. As a result, it is possible to suppress a complicated manufacturing process and an increase in manufacturing cost of the liquid crystal display device.
【００６１】〔実施の形態２〕本発明の実施の他の形態
について、図５、図６、図９および図１０に基づいて説
明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前
記実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有す
る部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略す
る。[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 5, 6, 9 and 10. For the sake of convenience, members having the same functions as those shown in the drawings of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００６２】本実施の形態の液晶表示装置は、ダミー画
素２として、前記ダミー画素２ａまたはダミー画素２ｂ
に代えて、画素電極４が付加容量配線８に接続されたダ
ミー画素２ｃを用いた以外は前記実施の形態１に示した
液晶表示装置と同一の構成となっている。In the liquid crystal display device of the present embodiment, the dummy pixel 2a or the dummy pixel 2b
Instead of using the dummy pixel 2c in which the pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance wiring 8, the configuration is the same as that of the liquid crystal display device described in the first embodiment.
【００６３】本実施の形態の液晶表示装置に備えられて
いるダミー画素２ｃは、図９に示すように、走査線５お
よび信号線６で囲まれた領域に、画素電極４および付加
容量配線８を備えている。このダミー画素２ｃは、前記
ダミー画素２ａ・２ｂと同様に、ＴＦＴ素子３を形成し
ないことにより画素電極４と走査線５および信号線６と
を切り離している。加えて、このダミー画素２ｃでは、
画素電極４がコンタクトホール２７を介して付加容量配
線８と接続されている。As shown in FIG. 9, a dummy pixel 2c provided in the liquid crystal display device of the present embodiment has a pixel electrode 4 and an additional capacitance line 8 in a region surrounded by a scanning line 5 and a signal line 6. It has. The dummy pixel 2c separates the pixel electrode 4 from the scanning line 5 and the signal line 6 by not forming the TFT element 3, similarly to the dummy pixels 2a and 2b. In addition, in this dummy pixel 2c,
The pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance line 8 via the contact hole 27.
【００６４】上記画素電極４と付加容量配線８とが接続
されている状態について具体的に説明する。図１０に示
すように、絶縁性基板１１上に上記付加容量配線８が形
成されている。この付加容量配線８上を覆うようにゲー
ト絶縁膜１３が形成され、その上に形成されている透明
導電膜２６が、コンタクトホール２１を介して、付加容
量配線８と接続されている。上記透明導電膜２６のさら
にその上には、金属層２８、層間絶縁膜１８が形成さ
れ、この金属層２８は、コンタクトホール２７を介して
画素電極４と接続されている。The state in which the pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance line 8 will be specifically described. As shown in FIG. 10, the additional capacitance wiring 8 is formed on an insulating substrate 11. The gate insulating film 13 is formed so as to cover the additional capacitance wiring 8, and the transparent conductive film 26 formed thereon is connected to the additional capacitance wiring 8 via the contact hole 21. Further on the transparent conductive film 26, a metal layer 28 and an interlayer insulating film 18 are formed, and the metal layer 28 is connected to the pixel electrode 4 via a contact hole 27.
【００６５】上記の構成を有するダミー画素２ｃの形成
工程について説明する。まず、絶縁性基板１１上に、付
加容量配線８を形成し、この付加容量配線８を覆うよう
に、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材からなる
ゲート絶縁膜１３を形成する。その後、パターニングな
どによりゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール
２１を形成し、その上に、透明導電膜２６、金属層２
８、層間絶縁膜１８が形成される。この層間絶縁膜１８
に対して、パターニングなどによりコンタクトホール２
７が形成され、さらにその上に画素電極４が形成され
る。The process of forming the dummy pixel 2c having the above configuration will be described. First, an additional capacitance wiring 8 is formed on an insulating substrate 11, and a gate insulating film 13 made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride is formed so as to cover the additional capacitance wiring 8. Thereafter, a contact hole 21 penetrating the gate insulating film 13 is formed by patterning or the like, and the transparent conductive film 26 and the metal layer 2 are formed thereon.
8. An interlayer insulating film 18 is formed. This interlayer insulating film 18
Contact hole 2 by patterning
7 is formed thereon, and the pixel electrode 4 is further formed thereon.
【００６６】ここで、上記ダミー画素２ｃが形成される
位置としては、前記実施の形態１と同様に、有効表示領
域の周辺部である。たとえば、図５に示すように、ダミ
ー画素２ｃ…は、有効表示領域の周辺部に１列ずつ形成
されることが好ましく、図６に示すように、配向膜への
ラビング処理が最後になされる領域に最も近い周辺部に
１列形成されることがより好ましい。Here, the position where the dummy pixel 2c is formed is the peripheral portion of the effective display area as in the first embodiment. For example, as shown in FIG. 5, it is preferable that the dummy pixels 2c... Are formed one by one in the peripheral portion of the effective display area, and as shown in FIG. 6, a rubbing process on the alignment film is performed last. More preferably, one row is formed in the peripheral portion closest to the region.
【００６７】これは、前記実施の形態１と同様に、最後
にラビング処理される領域の表示画素１…において静電
気が最も発生し易くなっていること、および、ダミー画
素２ｃ…の数が多すぎると表示画面上にて非表示領域と
なる面積が増大することによる。なお、ダミー画素２ｃ
…の形成される位置は、図５や図６に示すような位置に
限定されるものではない。This is because, as in the first embodiment, static electricity is most likely to be generated in the display pixels 1... In the region to be rubbed last, and the number of dummy pixels 2c is too large. This is because the area which becomes the non-display area on the display screen increases. Note that the dummy pixel 2c
Are not limited to the positions shown in FIG. 5 and FIG.
【００６８】以上のように、本実施の形態のダミー画素
２ｃは、前記実施の形態１のダミー画素２ａ・２ｂと同
様、通常の表示画素１と異なりＴＦＴ素子３が形成され
ないことにより、画素電極４と走査線５および信号線６
とが切り離された構成となっている。しかも、上記ダミ
ー画素２ｃは、上記構成に加えて、画素電極４が付加容
量配線８と接続されている構成となっているため、ラビ
ング処理の際などに発生する静電気をダミー画素２ｃの
画素電極４にチャージし、さらに、該画素電極４から付
加容量配線８に流して放電することができる。As described above, similar to the dummy pixels 2a and 2b of the first embodiment, the dummy pixel 2c of the present embodiment is different from the normal display pixel 1 in that the TFT element 3 is not formed, so that the pixel electrode 4 and scanning line 5 and signal line 6
And is separated. In addition, since the dummy pixel 2c has a configuration in which the pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance wiring 8 in addition to the above configuration, static electricity generated during a rubbing process or the like is removed by the pixel electrode of the dummy pixel 2c. 4 and then flow from the pixel electrode 4 to the additional capacitance line 8 to discharge.
【００６９】その結果、従来のダミー画素のように、該
ダミー画素にチャージされた静電気が走査線や信号線を
流れて表示画素まで達することがなく、表示画素が備え
るスイッチング素子の静電破壊を防止して、欠陥表示画
素の発生をより効果的に回避することができる。As a result, unlike the conventional dummy pixel, the static electricity charged in the dummy pixel does not flow to the display pixel through the scanning line or the signal line, and the switching element provided in the display pixel is not damaged. Thus, generation of defective display pixels can be more effectively avoided.
【００７０】なお、上記のダミー画素２ｃには、ダミー
画素２ａやダミー画素２ｂのようにＴＦＴ素子３が形成
されていない。しかしながら、上記ダミー画素２ｃは、
画素電極４が走査線５および信号線６と切り離されてい
れば、ＴＦＴ素子３が形成されていてもよい。すなわ
ち、本実施の形態では、画素電極４と走査線５および信
号線６とが切り離されているとともに、画素電極４と付
加容量配線８とが接続されていれば、ダミー画素２ｃの
構成は特に限定されるものではない。The TFT element 3 is not formed in the dummy pixel 2c unlike the dummy pixel 2a and the dummy pixel 2b. However, the dummy pixel 2c is
As long as the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6, the TFT element 3 may be formed. That is, in the present embodiment, if the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6 and the pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance wiring 8, the configuration of the dummy pixel 2c is particularly It is not limited.
【００７１】〔実施の形態３〕本発明の実施のさらに他
の形態について、図５、図６、図１１ないし図１３に基
づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便
宜上、前記実施の形態１の図面に示した部材と同一の機
能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を
省略する。Third Embodiment Still another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 5, 6, and 11 to 13. For the sake of convenience, members having the same functions as those shown in the drawings of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【００７２】本実施の形態の液晶表示装置は、ダミー画
素２として、前記ダミー画素２ａに代えて、表示画素１
におけるＴＦＴ素子３と画素電極４との間を断線した構
成を有するダミー画素２ｄ・２ｅ・２ｆを用いた以外
は、前記実施の形態１に示した液晶表示装置と同一の構
成となっている。In the liquid crystal display device according to the present embodiment, the dummy pixel 2 is replaced by the display pixel 1 instead of the dummy pixel 2a.
Has the same configuration as that of the liquid crystal display device described in the first embodiment except that dummy pixels 2d, 2e, and 2f having a configuration in which the TFT element 3 and the pixel electrode 4 are disconnected are used.
【００７３】上記ダミー画素２ｄ・２ｅ・２ｆは、前記
表示画素１と同様の構成を有しており、該ダミー画素２
ｄ・２ｅ・２ｆが備えるＴＦＴ素子３のゲート電極には
走査線５が、また、ソース電極には信号線６がそれぞれ
接続されている。また、上記ＴＦＴ素子３も、前記表示
画素１におけるＴＦＴ素子３とほとんど同一の構成とな
っている。Each of the dummy pixels 2d, 2e, and 2f has the same configuration as that of the display pixel 1.
The scanning line 5 is connected to the gate electrode of the TFT element 3 included in d, 2e, and 2f, and the signal line 6 is connected to the source electrode. The TFT element 3 has almost the same configuration as the TFT element 3 in the display pixel 1.
【００７４】まず、ダミー画素２ｄの構成について説明
する。ダミー画素２ｄが備えるＴＦＴ素子３は、図１１
に示すように、絶縁性基板１１上にゲート電極１２が形
成され、これを覆うようにゲート絶縁膜１３を介して半
導体層１４が形成されている。この半導体層１４の中央
部上にチャネル保護層１５が形成され、このチャネル保
護層１５と半導体層１４とのソース部側にソース電極１
６ａが、ドレイン部側にドレイン電極１６ｂが形成され
ている。上記ソース電極１６ａに対して、上層が金属層
１７ａ、下層が透明導電層１９の２層構造となっている
信号線６が接続されており、ドレイン電極１６ｂに対し
てドレイン配線となる金属層１７ｂが接続されている。First, the configuration of the dummy pixel 2d will be described. The TFT element 3 included in the dummy pixel 2d is shown in FIG.
As shown in FIG. 2, a gate electrode 12 is formed on an insulating substrate 11, and a semiconductor layer 14 is formed via a gate insulating film 13 so as to cover the gate electrode 12. A channel protection layer 15 is formed on the central portion of the semiconductor layer 14, and the source electrode 1 is formed on the source side of the channel protection layer 15 and the semiconductor layer 14.
6a, a drain electrode 16b is formed on the drain portion side. The source electrode 16a is connected to the signal line 6 having an upper layer of a metal layer 17a and the lower layer having a two-layer structure of a transparent conductive layer 19, and the drain electrode 16b is connected to the metal layer 17b serving as a drain wiring. Is connected.
【００７５】ここで、前記表示画素１では、画素電極４
は、コンタクトホール７を介して上記ドレイン電極１６
ｂと接続しているが、上記ダミー画素２ｄでは、画素電
極４は、コンタクトホール７を介して、図１１に示すよ
うに、ゲート絶縁膜１３と接触している。すなわち、前
記表示画素１に形成されていた接続電極２０が形成され
ておらず、そのため、画素電極４とドレイン電極１６ｂ
とが断線された状態となっている。Here, in the display pixel 1, the pixel electrode 4
Is connected to the drain electrode 16 through the contact hole 7.
In the dummy pixel 2d, the pixel electrode 4 is in contact with the gate insulating film 13 through the contact hole 7 as shown in FIG. That is, the connection electrode 20 formed in the display pixel 1 is not formed, and therefore, the pixel electrode 4 and the drain electrode 16b are not formed.
Is disconnected.
【００７６】上記のような構成を有するダミー画素２ｄ
では、接続電極２０が形成されず、ＴＦＴ素子３のドレ
イン電極１６ｂと画素電極４とが断線した状態となるこ
とによって、画素電極４と走査線５および信号線６とが
切り離された状態となっている。Dummy pixel 2d having the above configuration
In this case, the connection electrode 20 is not formed, and the drain electrode 16b of the TFT element 3 is disconnected from the pixel electrode 4, so that the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6. ing.
【００７７】また、本実施の形態のダミー画素２は、表
示画素１にコンタクトホール７が形成されていないダミ
ー画素２ｅであってもよい。Further, the dummy pixel 2 of the present embodiment may be a dummy pixel 2e in which the contact hole 7 is not formed in the display pixel 1.
【００７８】上記ダミー画素２ｅは、図１２に示すよう
に、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極１２、ゲ
ート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層１５、
ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂからなるＴ
ＦＴ素子３を備えている構成と、このＴＦＴ素子３のソ
ース電極１６ａに、金属層１７ａおよび透明導電層１９
の２層構造となる信号線６が接続されているとともに、
ドレイン電極１６ｂに金属層１７ｂと接続電極２０とが
接続されている構成とを有している。As shown in FIG. 12, the dummy pixel 2e includes a gate electrode 12, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14, a channel protective layer 15, and a gate electrode 12 formed on an insulating substrate 11.
T composed of a source electrode 16a and a drain electrode 16b
A configuration including the FT element 3 and a metal layer 17 a and a transparent conductive layer 19
And the signal line 6 having a two-layer structure of
A configuration in which the metal layer 17b and the connection electrode 20 are connected to the drain electrode 16b.
【００７９】上記構成は、前記表示画素１の構成とほと
んど同一である。しかしながら、上記ダミー画素２ｅで
は、上記接続電極２０上の層間絶縁膜１８にコンタクト
ホール７が形成されていない。それゆえ、画素電極４
は、ドレイン電極１６ｂと、すなわちＴＦＴ素子３と接
続していないことになり、画素電極４と走査線５および
信号線６とが切り離された状態となる。The above configuration is almost the same as the configuration of the display pixel 1. However, in the dummy pixel 2e, the contact hole 7 is not formed in the interlayer insulating film 18 on the connection electrode 20. Therefore, the pixel electrode 4
Is not connected to the drain electrode 16b, that is, the TFT element 3, and the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6.
【００８０】さらに、本実施の形態のダミー画素２は、
コンタクトホール７周辺に画素電極４の一部を形成しな
いダミー画素２ｆであってもよい。Further, the dummy pixel 2 of the present embodiment is
A dummy pixel 2f which does not form a part of the pixel electrode 4 around the contact hole 7 may be used.
【００８１】上記ダミー画素２ｆは、図１３に示すよう
に、絶縁性基板１１上に形成されたゲート電極１２、ゲ
ート絶縁膜１３、半導体層１４、チャネル保護層１５、
ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂからなって
いるＴＦＴ素子３を備えている構成と、このＴＦＴ素子
３のソース電極１６ａに、金属層１７ａおよび透明導電
層１９の２層構造となる信号線６が接続されているとと
もに、ドレイン電極１６ｂに金属層１７ｂと接続電極２
０とが接続されている構成とを有している。As shown in FIG. 13, the dummy pixel 2f includes a gate electrode 12, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14, a channel protective layer 15, and a gate electrode 12 formed on an insulating substrate 11.
A configuration including a TFT element 3 including a source electrode 16a and a drain electrode 16b, and a signal line 6 having a two-layer structure of a metal layer 17a and a transparent conductive layer 19 are connected to the source electrode 16a of the TFT element 3. In addition, the metal layer 17b and the connection electrode 2 are formed on the drain electrode 16b.
0 is connected.
【００８２】上記構成は、前記表示画素１の構成とほと
んど同一である。しかしながら、上記ダミー画素２ｆで
は、層間絶縁膜１８に形成されているコンタクトホール
７の周辺に画素電極４が形成されていない。それゆえ、
画素電極４は、ドレイン電極１６ｂと、すなわちＴＦＴ
素子３と接続していないことになり、画素電極４と走査
線５および信号線６とが切り離された状態となる。The above configuration is almost the same as the configuration of the display pixel 1. However, in the dummy pixel 2f, the pixel electrode 4 is not formed around the contact hole 7 formed in the interlayer insulating film 18. therefore,
The pixel electrode 4 is connected to the drain electrode 16b, that is, the TFT
Since the pixel electrode 4 is not connected to the element 3, the pixel electrode 4 is separated from the scanning line 5 and the signal line 6.
【００８３】このように、本実施の形態のダミー画素２
ｄ・２ｅ・２ｆでは、ＴＦＴ素子３と画素電極４とが断
線した状態となることにより、画素電極４と走査線５お
よび信号線６とが切り離されることになる。それゆえ、
液晶表示装置の製造過程において発生した静電気が、上
記ダミー画素２ｄ・２ｅ・２ｆにチャージされても、従
来のダミー画素のように、静電気が走査線や信号線を流
れて表示画素にまで達することがない。その結果、表示
画素のスイッチング素子が静電破壊されることによる欠
陥表示画素の発生を有効に防止することができる。As described above, the dummy pixel 2 of the present embodiment is
In d · 2e · 2f, the pixel element 4 is disconnected from the scanning line 5 and the signal line 6 because the TFT element 3 and the pixel electrode 4 are disconnected. therefore,
Even if the static electricity generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device is charged in the dummy pixels 2d, 2e, and 2f, the static electricity flows through the scanning lines and signal lines and reaches the display pixels as in the conventional dummy pixel. There is no. As a result, it is possible to effectively prevent the occurrence of defective display pixels due to electrostatic breakdown of the switching elements of the display pixels.
【００８４】上述したダミー画素２ｄ・２ｅ・２ｆは、
前記表示画素１の形成方法のうち、ＴＦＴ素子３と画素
電極４との間を断線させるように工程を省略する、ある
いは、別の工程に代えることによって、容易に形成する
ことができる。The above-mentioned dummy pixels 2d, 2e and 2f are:
In the method of forming the display pixel 1, the display pixel 1 can be easily formed by omitting a step of disconnecting the TFT element 3 and the pixel electrode 4, or by replacing the step with another step.
【００８５】前記表示画素１の形成方法について説明す
ると、まず、絶縁性基板１１上に、ゲート電極１２とな
る金属膜が形成される。その上に、酸化シリコンや窒化
シリコンなど無機材からなるゲート絶縁膜１３が形成さ
れる。さらにその上に、半導体層１４が形成され、さら
にその上に、チャネル保護層１５と、ｎ+ −シリコン層
からなるソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂと
が形成される。The method for forming the display pixel 1 will be described. First, a metal film to be the gate electrode 12 is formed on the insulating substrate 11. A gate insulating film 13 made of an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride is formed thereon. Further thereon, a semiconductor layer 14 is formed, and further thereon, a channel protection layer 15 and a source electrode 16a and a drain electrode 16b made of an n + -silicon layer are formed.
【００８６】さらに、上記ソース電極１６ａおよびドレ
イン電極１６ｂに接続するように、透明導電層１９およ
び接続電極２０となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が
それぞれ形成され、その上に金属層１７ａおよび金属層
１７ｂとなる金属膜が形成される。これら各膜は、スパ
ッタ法などにより形成され、さらにパターニングされる
ことにより、所定の形状に形成される。Further, an ITO (Indium Tin Oxide) film serving as a transparent conductive layer 19 and a connection electrode 20 is formed so as to be connected to the source electrode 16a and the drain electrode 16b, respectively, and a metal layer 17a and a metal layer A metal film to be 17b is formed. Each of these films is formed by a sputtering method or the like, and is further formed into a predetermined shape by patterning.
【００８７】このようにして形成されたＴＦＴ素子３上
に層間絶縁膜１８が形成され、さらに、この層間絶縁膜
１８を貫通するコンタクトホール７が形成される。そし
て、このコンタクトホール７を介して画素電極４とＴＦ
Ｔ素子３のドレイン電極１６ｂとが接続するように、画
素電極４が形成されて、表示画素１が完成する。An interlayer insulating film 18 is formed on the TFT element 3 thus formed, and a contact hole 7 penetrating the interlayer insulating film 18 is formed. Then, the pixel electrode 4 and the TF are connected through the contact hole 7.
The pixel electrode 4 is formed so as to be connected to the drain electrode 16b of the T element 3, and the display pixel 1 is completed.
【００８８】次に、上記表示画素１の形成方法を参照し
て、上記ダミー画素２ｄ・２ｅ・２ｆの形成方法を説明
する。まず、ダミー画素２ｄの場合では、表示画素１の
形成過程にうち、接続電極２０を形成する工程を除けば
よい。また、ダミー画素２ｅの場合では、表示画素１の
形成過程のうち、コンタクトホール７を形成する工程を
除けばよい。さらに、ダミー画素２ｆの場合では、画素
電極４を形成する工程において、コンタクトホール７の
周囲のみ画素電極４が形成されないような工程、すなわ
ち、画素電極４を形成する際のパターンを、ダミー画素
２ｆを形成する領域だけ代えればよい。Next, a method for forming the dummy pixels 2d, 2e, and 2f will be described with reference to the method for forming the display pixel 1. First, in the case of the dummy pixel 2d, the step of forming the connection electrode 20 in the process of forming the display pixel 1 may be omitted. In the case of the dummy pixel 2e, the step of forming the contact hole 7 in the process of forming the display pixel 1 may be omitted. Further, in the case of the dummy pixel 2f, in the step of forming the pixel electrode 4, a step in which the pixel electrode 4 is not formed only around the contact hole 7, that is, the pattern in forming the pixel electrode 4 is changed to the dummy pixel 2f. Need only be changed in the region where is formed.
【００８９】ここで、上記ダミー画素２ｄ、ダミー画素
２ｅ、またはダミー画素２ｆが形成される位置として
は、前記実施の形態１および２と同様に、有効表示領域
の周辺部である。たとえば、図５に示すように、ダミー
画素２ｄ…は、有効表示領域の周辺部に１列ずつ形成さ
れることが好ましく、図６に示すように、配向膜へのラ
ビング処理が最後になされる領域に最も近い周辺部に１
列形成されることがより好ましい。Here, the position where the dummy pixel 2d, the dummy pixel 2e, or the dummy pixel 2f is formed is the peripheral portion of the effective display area as in the first and second embodiments. For example, as shown in FIG. 5, the dummy pixels 2d are preferably formed one row at a time in the peripheral portion of the effective display area. As shown in FIG. 6, rubbing processing on the alignment film is performed last. 1 on the perimeter nearest the area
More preferably, they are formed in rows.
【００９０】これは、前記実施の形態１と同様に、最後
にラビング処理される領域の表示画素１…において、静
電気が最も発生し易くなっていること、および、ダミー
画素２ｄ…の数が多すぎると表示画面上にて非表示領域
となる面積が増大することによる。なお、ダミー画素２
ｄ…・２ｅ…・２ｆ…の形成される位置は、図５や図６
に示すような位置に限定されるものではない。As in the first embodiment, this is because static electricity is most likely to be generated in the display pixels 1... In the region to be rubbed last, and the number of dummy pixels 2 d. If it is too long, the area serving as a non-display area on the display screen increases. Note that the dummy pixel 2
The positions where d... 2e... 2f.
However, the position is not limited to the position shown in FIG.
【００９１】以上のように、本実施の形態のダミー画素
２であるダミー画素２ｄ、ダミー画素２ｅ、またはダミ
ー画素２ｆでは、液晶表示装置の製造過程において発生
した静電気が上記画素電極４にチャージされても、画素
電極４と走査線５および信号線６とが、従来のダミー画
素のように、静電気が走査線や信号線を流れて表示画素
にまで達することがない。その結果、表示画素１のスイ
ッチング素子（ＴＦＴ素子３）が静電破壊されることに
よる欠陥表示画素の発生を効果的に防止することができ
る。As described above, in the dummy pixel 2d, the dummy pixel 2e, or the dummy pixel 2f which is the dummy pixel 2 of the present embodiment, the static electricity generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device is charged to the pixel electrode 4. However, unlike the conventional dummy pixel, the pixel electrode 4, the scanning line 5, and the signal line 6 do not reach the display pixel by static electricity flowing through the scanning line or the signal line. As a result, it is possible to effectively prevent the occurrence of defective display pixels due to electrostatic breakdown of the switching elements (TFT elements 3) of the display pixels 1.
【００９２】また、上記ダミー画素２ｄ、ダミー画素２
ｅ、またはダミー画素２ｆは、従来の液晶表示装置の製
造工程を若干変更させるだけで容易に製造することがで
きる。その結果、液晶表示装置の製造工程が煩雑化する
ことはなく、製造コストの上昇も抑制することができ
る。The dummy pixel 2d and the dummy pixel 2
e or the dummy pixel 2f can be easily manufactured by slightly changing the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device. As a result, the manufacturing process of the liquid crystal display device does not become complicated, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【００９３】なお、上記ダミー画素２ｄ、ダミー画素２
ｅ、またはダミー画素２ｆでは、画素電極４が付加容量
配線８と接続されていないが、前記実施の形態２のダミ
ー画素２ｃのように、画素電極４が付加容量配線８と接
続されていてもよい。このような構成のダミー画素２を
備えている液晶表示装置は、表示画素１におけるＴＦＴ
素子３の静電破壊をより効果的に防止することができ
る。The dummy pixel 2d and the dummy pixel 2
e or the dummy pixel 2f, the pixel electrode 4 is not connected to the additional capacitance line 8, but the pixel electrode 4 is connected to the additional capacitance line 8 as in the dummy pixel 2c of the second embodiment. Good. The liquid crystal display device including the dummy pixel 2 having such a configuration is a TFT in the display pixel 1.
The electrostatic breakdown of the element 3 can be more effectively prevented.
【００９４】また、本実施の形態のダミー画素２として
は、表示画素１におけるＴＦＴ素子３と画素電極４との
間を断線したものであれば、その構成は特に限定される
ものではない。The configuration of the dummy pixel 2 of the present embodiment is not particularly limited as long as the dummy pixel 2 has a disconnection between the TFT element 3 and the pixel electrode 4 in the display pixel 1.
【００９５】以上のように、本発明にかかる液晶表示装
置は、上述した各構成のダミー画素を備えているため、
液晶表示装置の製造過程、特に、配向膜のラビング処理
の工程において発生する静電気が、走査線および信号線
を流れて表示画素に達し、該表示画素のスイッチング素
子を静電破壊することが防止される。そのため、有効表
示領域において、欠陥表示画素の発生が抑制された高品
位の液晶表示装置を低コスト、かつ、容易に製造するこ
とができる。As described above, the liquid crystal display device according to the present invention includes the above-described dummy pixels of the respective configurations.
Static electricity generated in the manufacturing process of the liquid crystal display device, particularly in the step of rubbing the alignment film, is prevented from flowing through the scanning lines and the signal lines to reach the display pixels, and electrostatically destroying the switching elements of the display pixels. You. Therefore, a high-quality liquid crystal display device in which generation of defective display pixels is suppressed in the effective display region can be easily manufactured at low cost.
【００９６】[0096]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の液晶表示装置
は、以上のように、互いに直交するように形成される走
査線および信号線と、上記走査線および信号線の交差部
に形成されるスイッチング素子と、上記スイッチング素
子に接続され、上記走査線および信号線から供給される
信号により駆動制御される画素電極とを備えている表示
画素が、有効表示領域に複数形成されている一方、上記
有効表示領域の周辺部に、上記走査線および信号線から
切り離された画素電極を備えているダミー画素が、複数
形成されている構成である。As described above, the liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention is formed at the intersection of the scanning line and the signal line, which are formed so as to be orthogonal to each other, and the scanning line and the signal line. A plurality of display pixels each including a switching element and a pixel electrode connected to the switching element and driven and controlled by a signal supplied from the scanning line and the signal line are formed in the effective display area, A plurality of dummy pixels each including a pixel electrode separated from the scanning line and the signal line are formed in a peripheral portion of the effective display area.
【００９７】それゆえ、上記構成では、ダミー画素にお
ける画素電極と走査線および信号線とが切り離された状
態となっているため、上記ダミー画素は、液晶表示装置
の製造過程で発生した静電気を画素電極にチャージした
状態で維持する事が可能となる。そのため、上記走査線
や信号線を介して有効表示領域の表示画素に上記静電気
の一部が流れることがない。その結果、表示画素におけ
るスイッチング素子の静電破壊を確実に防止することが
でき、欠陥表示画素の発生を防止する効果を従来よりも
向上させることができるという効果を奏する。Therefore, in the above configuration, since the pixel electrodes and the scanning lines and the signal lines in the dummy pixels are separated from each other, the dummy pixels generate static electricity generated during the manufacturing process of the liquid crystal display device. It is possible to maintain the electrode charged. Therefore, part of the static electricity does not flow to the display pixels in the effective display area via the scanning lines and the signal lines. As a result, the electrostatic breakdown of the switching element in the display pixel can be reliably prevented, and the effect of preventing the occurrence of a defective display pixel can be improved as compared with the related art.
【００９８】本発明の請求項２記載の液晶表示装置は、
以上のように、上記請求項１の構成に加えて、上記ダミ
ー画素における画素電極が、付加容量配線に接続されて
いる構成である。A liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention is
As described above, in addition to the configuration of the first aspect, the pixel electrode of the dummy pixel is connected to the additional capacitance wiring.
【００９９】それゆえ、上記構成では、上記ダミー画素
の画素電極が付加容量配線と接続されているため、ラビ
ング処理の際などに発生する静電気をダミー画素の画素
電極にチャージし、さらに、該画素電極から付加容量配
線に流して放電することができる。その結果、従来のダ
ミー画素のように、該ダミー画素にチャージされた静電
気が走査線や信号線を流れて表示画素まで達することを
より確実に回避し、表示画素が備えるスイッチング素子
の静電破壊を防止して、欠陥表示画素の発生を防止する
効果をより一層向上させることができるという効果を奏
する。Therefore, in the above configuration, since the pixel electrode of the dummy pixel is connected to the additional capacitance line, the static electricity generated during the rubbing process is charged to the pixel electrode of the dummy pixel. Discharge can be caused to flow from the electrode to the additional capacitance wiring. As a result, unlike a conventional dummy pixel, static electricity charged in the dummy pixel can more reliably be prevented from flowing through a scanning line or a signal line to reach a display pixel, and electrostatic breakdown of a switching element provided in the display pixel can be prevented. And the effect of preventing the occurrence of defective display pixels can be further improved.
【０１００】本発明の請求項３記載の液晶表示装置は、
以上のように、上記請求項１または２記載の構成に加え
て、上記ダミー画素が、上記表示画素からスイッチング
素子を欠いたものである構成である。A liquid crystal display device according to a third aspect of the present invention is
As described above, in addition to the configuration described in claim 1 or 2, the dummy pixel has a configuration in which a switching element is missing from the display pixel.
【０１０１】それゆえ、上記構成では、上記ダミー画素
は、スイッチング素子を形成しないことにより、画素電
極と走査線および信号線とを切り離している。そのた
め、従来の液晶表示装置に用いられている表示画素の形
成工程の一部を適宜用いることで、上記ダミー画素を容
易に製造することができる。その結果、ダミー画素の形
成による液晶表示装置の製造工程の煩雑化は回避され、
製造コストの上昇も抑制することができるという効果を
奏する。Therefore, in the above configuration, the dummy pixel does not form the switching element, thereby separating the pixel electrode from the scanning line and the signal line. Therefore, the dummy pixel can be easily manufactured by appropriately using a part of the process of forming the display pixel used in the conventional liquid crystal display device. As a result, complication of the manufacturing process of the liquid crystal display device due to the formation of the dummy pixels is avoided,
There is an effect that an increase in manufacturing cost can be suppressed.
【０１０２】本発明の請求項４記載の液晶表示装置は、
以上のように、上記請求項１または２記載の構成に加え
て、上記ダミー画素が、上記表示画素におけるスイッチ
ング素子と画素電極との間を断線したものである構成で
ある。A liquid crystal display device according to a fourth aspect of the present invention comprises:
As described above, in addition to the configuration described in claim 1 or 2, the dummy pixel has a configuration in which the switching element and the pixel electrode in the display pixel are disconnected.
【０１０３】それゆえ、上記構成では、上記ダミー画素
は、スイッチング素子と画素電極との間を断線させるこ
とにより、画素電極と走査線および信号線とを切り離し
ている。そのため、従来の液晶表示装置に用いられてい
るスイッチング素子の形成工程を若干変更させるだけ
で、上記ダミー画素を容易に製造することができる。そ
の結果、ダミー画素の形成による液晶表示装置の製造工
程の煩雑化は回避され、製造コストの上昇も抑制するこ
とができるという効果を奏する。Therefore, in the above configuration, the dummy pixel disconnects the pixel electrode from the scanning line and the signal line by disconnecting the switching element from the pixel electrode. Therefore, the dummy pixel can be easily manufactured by only slightly changing the process of forming the switching element used in the conventional liquid crystal display device. As a result, it is possible to avoid complication of the manufacturing process of the liquid crystal display device due to the formation of the dummy pixels, and to suppress an increase in manufacturing cost.
【０１０４】本発明の請求項５記載の液晶表示装置は、
以上のように、上記請求項１から４の何れか１項に記載
の構成に加えて、上記ダミー画素の形成される位置が、
上記有効表示領域の周辺部のうち、表示画素の上に形成
される配向膜へのラビング処理が最後になされる領域に
最も近い周辺部のみである構成である。A liquid crystal display device according to a fifth aspect of the present invention is
As described above, in addition to the configuration according to any one of claims 1 to 4, the position where the dummy pixel is formed is
The configuration is such that, of the peripheral portion of the effective display region, only the peripheral portion closest to the region where the rubbing process is finally performed on the alignment film formed on the display pixel.
【０１０５】それゆえ、上記構成では、液晶表示装置の
製造過程における配向膜のラビング処理方向の際に、最
後にラビング処理される領域に存在する表示画素で、静
電気が最も発生し易くなっている。そのため、上記領域
に最も近傍となる辺にダミー画素を形成することによ
り、上記ラビング処理の際に発生した静電気が表示画素
へ達することなく、効果的にダミー画素にチャージする
ことができるという効果を奏する。Therefore, in the above configuration, in the rubbing direction of the alignment film in the manufacturing process of the liquid crystal display device, static electricity is most easily generated in the display pixel present in the region to be rubbed last. . Therefore, by forming a dummy pixel on the side closest to the above-described region, the static electricity generated during the rubbing process can be effectively charged to the dummy pixel without reaching the display pixel. Play.
【図１】本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置に
おける表示画素とダミー画素との構成を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a display pixel and a dummy pixel in a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記液晶表示装置における表示画素の構成を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a display pixel in the liquid crystal display device.
【図３】上記液晶表示装置における表示画素の等価回路
図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a display pixel in the liquid crystal display device.
【図４】図２の表示画素のＡ−Ａ線矢視断面図である。4 is a cross-sectional view of the display pixel of FIG. 2 taken along line AA.
【図５】上記液晶表示装置におけるダミー画素の形成位
置を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing formation positions of dummy pixels in the liquid crystal display device.
【図６】上記液晶表示装置におけるダミー画素の他の形
成位置を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing another formation position of a dummy pixel in the liquid crystal display device.
【図７】図１のダミー画素の他の構成を示す断面図であ
る。FIG. 7 is a sectional view showing another configuration of the dummy pixel of FIG. 1;
【図８】（ａ）は、図２の表示画素の他の構成を示す断
面図であり、（ｂ）は、図１のダミー画素のさらに他の
構成を示す断面図である。8A is a cross-sectional view showing another configuration of the display pixel of FIG. 2, and FIG. 8B is a cross-sectional view showing still another configuration of the dummy pixel of FIG.
【図９】本発明の実施の他の形態にかかる液晶表示装置
におけるダミー画素の構成を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a configuration of a dummy pixel in a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
【図１０】図９のダミー画素のＢ−Ｂ線矢視断面図であ
る。10 is a cross-sectional view of the dummy pixel of FIG. 9 taken along line BB.
【図１１】本発明の実施のさらに他の形態にかかる液晶
表示装置におけるダミー画素の構成を示す断面図であ
る。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a dummy pixel in a liquid crystal display device according to still another embodiment of the present invention.
【図１２】図１１のダミー画素の他の構成を示す断面図
である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating another configuration of the dummy pixel in FIG. 11;
【図１３】図１１のダミー画素のさらに他の構成を示す
断面図である。FIG. 13 is a sectional view showing still another configuration of the dummy pixel in FIG. 11;
【図１４】従来の液晶表示装置における表示画素の構成
を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a configuration of a display pixel in a conventional liquid crystal display device.
【図１５】従来の液晶表示装置における表示画素の等価
回路図である。FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of a display pixel in a conventional liquid crystal display device.
【図１６】図１４の表示画素のＣ−Ｃ線矢視断面図であ
る。16 is a cross-sectional view of the display pixel of FIG. 14 taken along line CC.
１ 表示画素 １ａ 表示画素 ２ ダミー画素 ２ａ ダミー画素 ２ｂ ダミー画素 ２ｃ ダミー画素 ２ｄ ダミー画素 ２ｅ ダミー画素 ２ｆ ダミー画素 ２ｇ ダミー画素 ３ ＴＦＴ素子（スイッチング素子） ４ 画素電極 ５ 走査線 ６ 信号線 ８ 付加容量配線 ９ 付加容量 Reference Signs List 1 display pixel 1a display pixel 2 dummy pixel 2a dummy pixel 2b dummy pixel 2c dummy pixel 2d dummy pixel 2e dummy pixel 2f dummy pixel 2g dummy pixel 3 TFT element (switching element) 4 pixel electrode 5 scanning line 6 signal line 8 additional capacitance wiring 9 Additional capacity
Claims (5)
よび信号線と、 上記走査線および信号線の交差部に形成されるスイッチ
ング素子と、 上記スイッチング素子に接続され、上記走査線および信
号線から供給される信号により駆動制御される画素電極
とを備えている表示画素が、有効表示領域に複数形成さ
れている一方、 上記有効表示領域の周辺部に、上記走査線および信号線
から切り離された画素電極を備えているダミー画素が、
複数形成されていることを特徴とする液晶表示装置。A scanning line and a signal line which are formed so as to be orthogonal to each other; a switching element which is formed at an intersection of the scanning line and the signal line; and the scanning line and the signal line which are connected to the switching element. A plurality of display pixels each including a pixel electrode that is driven and controlled by a signal supplied from the scanning line and the signal line are separated from the scanning line and the signal line around the effective display region. Dummy pixel having a pixel electrode
A liquid crystal display device comprising a plurality of liquid crystal display devices.
容量配線に接続されていることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a pixel electrode of said dummy pixel is connected to an additional capacitance line.
ッチング素子を欠いたものであることを特徴とする請求
項１または２記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said dummy pixel is obtained by removing a switching element from said display pixel.
スイッチング素子と画素電極との間を断線したものであ
ることを特徴とする請求項１または２記載の液晶表示装
置。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the dummy pixel has a disconnection between a switching element and a pixel electrode in the display pixel.
有効表示領域の周辺部のうち、表示画素の上に形成され
る配向膜へのラビング処理が最後になされる領域に最も
近い周辺部のみであることを特徴とする請求項１から４
の何れか１項に記載の液晶表示装置。5. A position where the dummy pixel is formed is a peripheral portion closest to a region where a rubbing process is finally performed on an alignment film formed on a display pixel in a peripheral portion of the effective display region. 5. The method according to claim 1, wherein only
The liquid crystal display device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21372097A JP3302625B2 (en) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21372097A JP3302625B2 (en) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152427A true JPH1152427A (en) | 1999-02-26 |
| JP3302625B2 JP3302625B2 (en) | 2002-07-15 |
Family
ID=16643887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21372097A Expired - Fee Related JP3302625B2 (en) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3302625B2 (en) |
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