JPH11513477A - 超小型スターリング・サイクル・低温クーラーおよびエンジン - Google Patents

超小型スターリング・サイクル・低温クーラーおよびエンジン

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JPH11513477A JP9515023A JP51502397A JPH11513477A JP H11513477 A JPH11513477 A JP H11513477A JP 9515023 A JP9515023 A JP 9515023A JP 51502397 A JP51502397 A JP 51502397A JP H11513477 A JPH11513477 A JP H11513477A
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Abstract

(57)【要約】 半導体のプレーナープロセス技術を用いて超小型スターリング・サイクル・エンジンがつくられる。このようなスターリング・サイクル熱機械的変換器は、シリコンの端板(14、22)および中間にある再生器(50)を有している。端板(14、22)には隔膜(34、44)および背後空間(32、42)がつくられ、一つの端板(14)が膨張端をつくり相対する端板(22)が圧縮端をつくり、その間に再生器(50)が接合されている。隔膜(34、44)には変位の振幅、位相および周波数を制御するための制御回路装置が連結されている。この制御回路装置は変換器を500Hzより高い周波数で動作させるようにつくられており、再生器(50)、膨張空間(30)および圧縮空間(40)の内部のものを含め、通路および作業空間は、作業空間中の作業流体の振動的な流れによって生じる不可逆性に特有なウォルマースレイ数が500Hzより高い動作周波数において実質的に5より小さくなるほど十分に狭くされている。さらに隔膜(34、44)の振動の振幅は500Hzより高い動作周波数において作業流体の最大マッハ数が実質的に0.1より小さくなるほど十分に小さい。

Description

【発明の詳細な説明】 超小型スターリング・サイクル・低温クーラーおよびエンジン 技術的分野 本発明は一般にスターリング・サイクル・エンジンおよび低温クーラーに関し 、特に電子集積回路を低温に冷却し、またマイクロマシンを駆動するためのエン ジンとして特に有用なスターリング熱機械的変換器に関する。 背景となる技術 低温において種々の材料が示す有利な電子的性質のために、低温において動作 させ得るように電子装置を冷却する種々の機械が開発されて来た。このような多 くの冷凍システムはスターリング(Stirling)サイクル・エンジンを用 いた低温クーラーを使用している。しかしこのような現存の機械は比較的大きく 嵩張っており、非効率で、かなりの振動を生じる雑音の多い機械である。電子回 路を著しく小型化させる技術が開発され、これによって複数の電子回路を比較的 小さな容積の中に収納し得るようになったが、このような回路を冷却するのに使 用できる装置は比較的大きく、従って低温電子回路にかなりの量の余分な容積と 重量とを付加する結果となっている。従って大きさと重量とが電子回路に見合っ たものであり、電子回路に余分の容積と重量とを付け加えないように小型化され 、しかも低温を保つのに十分な割合で熱を吸い上げることができるスターリング ・サイクル低温クーラーが必要とされている。 冷却装置の大きさおよび熱エネルギーを吸い上げる効率の目安は、そ の比熱である。比熱は、その機械が吸い上げることができる熱エネルギーの量対 その大きさまたは重量についての定量的な測定量の比である。従って低温クーラ ーは電子装置から十分な熱エネルギーを吸い上げてそれを低温に保つことができ るばかりでなく、出来る限り最小の大きさおよび重量においてこれが可能でなけ ればならない。従って比熱が大きいほどそのクーラーは望ましいものとなる。 従来法において、クーラーを高い周波数で動作させることによりスターリング ・サイクル・クーラーの比熱を増加させ得ること、従って改良し得ることが認め られている。クーラーを小さくすれば熱エネルギーを吸い上げる速度を十分高く 保つことができるが、その操作の周波数が増加し、毎秒当たりの熱エネルギー吸 い上げサイクルが大きくなる。 しかしまた、エントロピー生成過程(即ち不可逆過程)によってスターリング ・サイクル装置の周波数に上限が課せられることも従来法で認められている。操 作周波数が増加すると、作業流体とスターリング低温クーラーの内部通路の壁と の摩擦によって、粘稠性が増加に起因する熱の消費も増加する。その結果高周波 数でスターリング・サイクル装置の通路を通してガスを前後に移動させるには多 くの仕事が要求される。また冷凍機の中の作業流体の見掛けの熱伝導率が増加し 、その結果冷凍機の低温側に多量の熱が伝えられ、熱交換器中の熱の移動が減少 する。熱の移動の減少は、軸方向における物質流の周期的な変動と流れが振動す ることによって生じる半径方向の熱勾配との間に、或る種の位相関係が存在する ために生じる。その結果低温クーラーが吸い上げなければならない熱の量が増加 し、他方熱を周囲と交換する上での低温クーラーの効率が減少する。従って周波 数が増加すると取出し得る熱は減少する。そ のために従来法においては、スターリング・サイクル装置の周波数の上限は50 Hz程度であり、従来つくられたものの中では120Hzで操作されるようにつ くられた装置が最高の周波数をもつスターリング装置であるとされて来た。 従って電子装置を低温に保つのに十分な速度で熱を取り出すことができ、しか もこれらの電子回路を使用する装置に許容できそれに見合った比熱を示す、大き さおよび重量が十分に小さいスターリング低温クーラーが必要とされている。 最近になってマイクロマシンの技術が発達して来た。このような機械は運動変 換リンク機構、機械的前進機構、動力伝達系列、弁、隔膜、カンチレバー・ビー ム等のように形状および動作形態が通常の機械的な装置を使用しており、これら の装置はその形状および動作形態が通常の機械的な装置に似ているが、その大き さは数mmまたはそれ以下の程度である。 スターリング・サイクル・エンジンは機械的な原動機として久しい以前から使 用されて来たが、マイクロマシン技術の発達に伴って使用される超小型化スター リング・サイクル・エンジンが必要とされている。 本発明の簡単な説明 内部通路を含む圧力保持室を有し、圧縮および膨張可能な作業流体を含むスタ ーリング・サイクル装置を用いた熱機械的変換器は従来法において記載されてい る。また作業流体の輸送およびスターリング・サイクル装置に特有な容積の変化 に伴って可撓性の隔膜を使用することも従来法の文献に記載されている。このよ うな隔膜は、制御回路装置と、或いは偏差の形態、振幅、位相および周波数を制 御するために該隔膜に連結 された他の装置と組み合わされている。 本発明においては、隔膜に付属した或る種の質量体とバネ、および500Hz 以上、例えば1000Hzの動作周波数でスターリング・サイクル熱機械的変換 器を制御しながら動作させるために該変換器の内部で発生する圧力と、5より小 さいウォルマースレイ(Wolmersley)数を与えるのに十分な狭さをも つ作業空間中の通路、および該動作周波数において0.1より小さいマッハ(M ach)数を与える程十分小さい隔膜の振幅との組み合わせを用いる。このよう な狭い通路および小さい振幅の隔膜の振動を用いると、流体を輸送する際になさ れる仕事および熱を輸送する際の温度低下のような不可逆性が十分に減少し、許 容できるほど高い比熱をもった機械を提供することができる。その結果従来可能 と考えられたものよりはるかに小さい大きさで実用的な十分に高い比熱を得るこ とができる。 また本発明は、シリコンのスターリング・サイクル装置の熱再生区域、並びに 熱吸収区域および熱放出区域をつくり、写真平板法、エッチング法、酸化法、接 合法および薄膜技術などのようなプレーナープロセス(planar proc ess)を利用して数百のマイクロ冷凍機成分を同時につくるウエファー規模で の製造を行うことを目的としている。本発明はさらにこのような変換器の配列の 製作、並びにクーラーおよびエンジンの両方の機能をもつこのような配列の製作 を目的としている。本発明の他の態様は下記に説明する通りであり、以下の説明 により当業界の専門家には明白になるであろう。 図面の簡単な説明 図1は集積電子回路を冷却する目的で本発明を具体化したスターリン グ・サイクル変換器の配列を示す見取り図および断面図である。 図2は詳細を示すための図1の一部の拡大図である。 図3は詳細を示すための図1の一部の拡大図である。 図4は図1の4−4の線に実質的に沿った水平断面図である。 図5は図1の5−5の線に実質的に沿った垂直断面図である。 図5Aは図5に示した構造物の一部の拡大垂直断面図である。 図6、7および7Aは図4、5および5Aと同様な図であるが、本発明の他の 具体化を示す。 図8および9は図4および5と同様な図であるが、本発明の他の具体化を示す 。 図10および11は図4および5と同様な図であるが、本発明の他の具体化を 示す。 図12は本発明の具体化例の排気および容積の変動を示す四つのグラフである 。 図13〜17は本発明の制御システムを示すブロック図および模式図である。 図18は電子装置および他の装置を冷却するための本発明を具体化したスター リング・サイクル変換器を示す軸方向の断面図である。 図19は流体を吸い上げるためのスターリング・サイクル変換器として本発明 を具体化した他の具体化例を示す軸方向の断面図である。 図20は電子装置および他の装置を冷却するための二重スターリング・サイク ル変換器として本発明を具体化した他の具体化例を示す軸方向の断面図である。 図20Aは図20の線A−A’の線に沿った断面図である。 図20Bは図20Aの線B−B’の線に沿った断面図である。 図21は電子装置および他の装置を冷却するためのヴュルュマイヤー(Vui lleumier)熱ポンプとして本発明を具体化した他の具体化例を示す軸方 向の断面図である。 図22Aは<110>シリコンウエファーの一側面の平面図である。 図22Bは図22Aに示すシリコンウエファーの側面に異方的にエッチングし て得られたキャビティの平面図である。 図22Cは図22Bの線1−1’に沿った垂直断面図である。 図22Dは図22Bの線2−2’に沿った垂直断面図である。 図22Eは図22Aに示したウエファーの側面に異方的にエッチングして得ら れた他のキャビティの平面図である。 図22Fは図22Aに示した<110>シリコンウエファーの他の側面の平面 図である。 図22Gは図22Fに示したウエファーの側面に異方的にエッチングされたキ ャビティの平面図である。 図22Hは図22Bに示したキャビティの斜めから見たである。 図23は再生排気子のチップの好適具体化例の代表的な部分の一側面の見取り 図である。 図24は再生排気子のチップの代表的な部分の反対側の側面の見取り図である 。 図25は再生排気子のチップの他の具体化例の代表的な部分の一側面の見取り 図である。 図26は図25に示す再生排気子のチップの代表的な部分の反対側の側面の見 取り図である。 図27Aはそれぞれ図24および図23の線1A−1A’および線2B−2B ’に沿った垂直断面図である。 図27Bはそれぞれ図24および図23の線1B−1B’および線2B−2B ’に沿った垂直断面図である。 図27Cはそれぞれ図24および図23の線1C−1C’および線2C−2C ’に沿った垂直断面図である。 図28Aはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1A−1A’および2A− 2A’に沿った断面図を示す。 図28Bはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1B−1B’および2B− 2B’に沿った断面図を示す。 図28Cはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1C−1C’および2C− 2C’に沿った断面図を示す。 図29Aはそれぞれ図24および図23の線1D−1D’および2D−2D’ に沿った垂直断面図である。 図29Bはそれぞれ図24および図23の線1E−1E’および2E−2E’ に沿った垂直断面図である。 図29Cはそれぞれ図24および図23の線1F−1F’および2F−2F’ に沿った垂直断面図である。 図29Dはそれぞれ図24および図23の線1G−1G’および2G−2G’ に沿った垂直断面図である。 図30Aはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1D−1D’および2D− 2D’に沿った垂直断面図を示す。 図30Bはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1E−1E’および2E− 2E’に沿った垂直断面図を示す。 図30Cはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1F−1F’および2F− 2F’に沿った垂直断面図を示す。 図30Dはそれぞれ図24および図23に示したディスクの3個を互いに接合 してつくられた再生排気子の一具体化例、およびそれぞれ図24および図23に 示したものの鏡像である3個のディスクのそれぞれ線1G−1G’および2G− 2G’に沿った垂直断面図を示す。 添付図面に示した本発明の好適具体化例を説明する際、明瞭を期すために特殊 な言葉を使用することにする。しかし本発明はこれらの選ばれた特定な言葉に限 定されるものではなく、各々の特定の言葉は同様の目的を達成するのに同様な方 法で使われるすべての技術的同等物を含むも 詳細な説明 本発明の好適具体化例およびその代替具体化例を説明するために本明 細書において使用される言葉の定義は、当業界の専門家には一般に知られている が、以下に使用する若干の言葉について簡単に概説し明確に定義しておくことが 望ましいと考えられる。 「変換器」とは有用なエネルギーをその一つの有用な形から他の形に変える装 置である。例えばエネルギーを機械的な運動エネルギーから電流へ、或いは熱エ ネルギーから機械的な運動エネルギーへ変えることができる。さらに、一つのモ ードで動作し得る変換器はまた逆のモードで動作させることができる。例えば或 る一つの装置は、エネルギーを電流から機械的な回転または往復運動に変える電 動機として、またこのような機械的運動を電流に変える発電機としての両方の動 作を行わせることができる。同様にスターリング変換器は、高温から低温へと流 れる熱エネルギーを機械的な運動に変えるように動作させるか、或いは機械的な 運動を利用して低温から高温へと熱エネルギーを吸い上げる、即ち加熱するよう に動作させることができる。従って本発明の装置はスターリング・サイクル変換 器と呼ばれる。即ち本発明の大部分の特徴および具体化例はエンジン・モード並 びに冷却または冷凍モードの両方で使用し得るのは明らかであろう。 「接合した」という言葉は、その方法の如何に拘わらず、別々に識別し得る構 造物または層が機械的に連結されていることを示すために一般的な意味で使用さ れる。この言葉は、最初は別々につくられ次いで一緒に連結された物体または層 ばかりではなく、一つが他のものと関連して一体的につくられ、成長させられま たは沈積させられた二つの構造物または層を含んでいる。 図1にはシリコンの基板14に取り付けられ、該基板14の上に取り 付けられた相互連結用の導体のバス16を有する集積回路10および12のよう な6個の電子集積回路が示されている。この集積回路の下方には該集積回路から 熱を除去するためのスターリング・クーラーが数個つくられている。この図には 各集積回路に付属して1個のスターリング冷却装置しか示されていないが、この ような1:1の付属関係は必ずしも必要ではなく、また暗黙裡に包含されてもい ない。クーラー18のようなこれらのスターリング・サイクル・クーラーはそれ ぞれ他のものの複製であり、一緒にして2×3の配列状に配置されている。 最上部のシリコンの基板14の下方には、各スターリング・クーラーの中央に ある冷凍機を支えるための中央の支持板20が間隔を置いて取り付けられている 。単一の支持板が冷凍機の長さに沿って中央に位置するように示されているが、 複数の支持板を用い、図11に示す端の支持板1151および1153のように 、冷凍機の各端を含む冷凍機の長さに沿った任意の場所にこれを配置することも できる。中央の支持板20の下方にそれと平行して、最下部の第2のシリコン基 板22が存在する。 最上部のシリコン基板14、最下部のシリコン基板22およびその間に存在す る各スターリング・サイクル・クーラーの部分は、スターリング・サイクル・ク ーラーの圧力保持容器を構成している。各圧力保持容器は流体通路を含む閉じた 作業空間を規定し、圧縮および膨張可能な流体、典型的にはガスを含んでいるが 、これらすべてはスターリング.サイクル熱機械的変換器をつくるのに必要であ る。特に上部の基板14は各スターリング・サイクル・クーラーの熱を受け取り 流体を膨張させる端板をつくり、下部のシリコン基板22は該クーラーの熱を放 出し流体を圧縮させる端板をなしている。これらの端板の間には熱再生器が配置 され、これはその相対する端で該端板と流体的に連絡した孔開きのマトリックス を含んでいる。 一具体化例に対するこれらの構造は図2、3、4および5に詳細に示されてお り、これらの図を参照して以下に詳細な説明を行う。端板14および22はそれ ぞれ複数の積層化された層を含んでいる。端板14および22の構造は電子集積 回路、およびシリコンセンサーおよびアクチュエータをを製作するのに用いられ るプレーナープロセス技術を使用してつくることが好ましい。 熱を受け取り流体を膨張させる端板(熱吸収端板)14は膨張空間30、膨張 空間30から離れた所にある背後空間32、および膨張空間30と背後空間32 との間にある可撓性をもった膨張隔膜34を規定している。熱を吸収する熱交換 器はほぼ膨張空間30の境界を区切っている。好適具体化例においては、熱を吸 収する熱交換器は熱吸収端板14であり、これは内壁36に沿って作業空間を区 切り且つ隔膜34を含んでいるが、下記に説明するように他のものを用いること もできる。 同様に熱を放出し流体を圧縮する端板(熱放出端板)22は、圧縮空間40、 圧縮空間40から遠い所にある背後空間42、および圧縮空間40と背後空間4 2との間にある壁を形成する可撓性をもった圧縮隔膜40を規定している。この 端板22により熱を放出する熱交換器がつくられ、この端板はほぼ内壁46に沿 った圧縮空間40の境界を区切っている。 隔膜の周波数、位相および振幅を制御するために、それぞれに制御システムの 一部であるアクチュエータが備えられている。膨張隔膜34にはアクチュエータ 35が付属しており、圧縮隔膜44にはアクチュエー タ45が付属している。このアクチュエータは例えばピエゾ電気材料を含み、こ れは制御システムの残りの部分に電気的に連結されている。次ぎにアクチュエー ターについてさらに詳細に説明を行う。 熱吸収端板14と熱放出端板22との間には、中央の支持板20により適切な 位置に支えられた熱再生器50が配置されている。熱再生器50はそれを取り囲 む典型的には円筒形のガス不透過性の壁52を有し、こん壁は作業ガスを含み、 密封されて端板14および端板22に連結されている。周囲を取り囲む壁52の 内部には孔開きのマトリックス54が支持されており、これは流体的に膨張空間 30および圧縮空間40の両方に連絡している。図4に示された孔開きマトリッ クスは、相対する端の所で周囲を取り囲む壁52に連結された複数の空間を置い て配置された平らな壁56を含んでいる。これらの壁の間の通路はその断面のア スペクト比が約8より大きいことが好ましい。 再生器を形成する孔開きマトリックスは多様な形状をもっていることができる 。これは再生器を通り軸方向に膨張空間30から圧縮空間40へと連絡する通路 をもった構造物である。再生器はガスを軸方向に輸送し熱を周期的に貯蔵しまた 周期的に熱を放出し、各サイクル毎に増加させながら再生器を通して熱を軸方向 に吸い上げることができなければならない。通路は材料の層の間で規則的なパタ ーンをなしてつくられるか、或いは一連の泡状の材料の中で均一に分布した互い に連結された細孔であることができる。次にこのような再生器の構造の種々の他 の具体化例を説明する。 再生器は内部表面積が非常に大きく、ガス/再生器の境界面が最大になり、且 つ熱を貯蔵するための熱容量が高いことが望ましい。また軸方 向に沿って再生器の材料を通る端板14と端板22との間の熱伝導度が最小であ ることが望ましい。クーラーにおいては、再生器の材料を通って伝導する熱は冷 却すべき端の方へ戻される方向に伝えられる熱を表し、エンジンにおいては機械 的な出力を与えない脇道にそらされた熱を表す。従ってセラミックスまたはガラ スのような熱伝導率の小さな材料が好適であり、質量体の幾何学的な断面が小さ い構造が好適である。 再生器の孔開きマトリックスを通る通路の直径または他の対応する横方向の寸 法が非常に小さいことが、本発明の極めて重要な特徴である。これらの通路を通 してガスを輸送することに伴う不可逆的な損失を最小にするためには、これらの 寸法は、スターリング熱機械的変換器の動作周波数においてウォルマースレイ数 が5より小さくなる程十分に小さい寸法でなければならない。本発明において上 記の通路を通して作業流体を輸送する際に生じる不可逆的な損失を最小にするた めの他の重要な特徴は、隔膜の振動の振幅が非常に小さいことである。この振幅 は、スターリング熱機械的変換器の動作周波数において最大のマッハ数が実質的 に0.1よりも小さくなる程十分に小さくなければならない。 これらの不可逆性は、作業ガスと通路の壁との間の摩擦により熱が発生するこ とによって生じる寄生的な損失の原因となる。その結果再生器を通る作業ガスに よって伝えられる熱が増加するため、また作業周波数が増加するにつれて熱交換 器の中の伝熱が減少するために粘稠化による熱の損失が起こる。この二つの現象 は、軸方向における物質流の周期的な変動と半径方向の温度勾配との間の或る種 の位相関係によって生じる振動的な流動に特有な現象である。本発明において周 波数の増加を補償するためには、これらの流体通路の横方向の寸法は10〜50 μ程度で あり、隔膜の振動の振幅は10〜100μ程度である。通路と振動の振幅とを子 のように小さくするとこれらの寄生的な損失は減少する。この損失が減少すると それに対応して、熱を吸い上げるかまたは機械的な仕事をするスターリング・サ イクル熱機械的変換器が行い得る有用な仕事量が増加する。 通路の中で流体が振動的に流れることに伴う不可逆性の定量的な目安はウォル マースレイ数によって与えられる。これは式 によって表される。ここで α=ウォルマースレイ数 f=動作周波数 a=通路の直径 ρ=作業流体の密度(これは温度および圧力の関数である) η=作業流体の動的粘度(温度の関数) である。 通路を流体が流れることに伴う不可逆性の他の定量的な目安はマッハ数である 。これは式 II. Ma=2πf・xg/c0 で表される。ここで Ma=マッハ数 xg=振動するガスの軸方向の排気量の振幅 c0=作業流体中の音速 である。 振動する作業流体の軸方向の排気量は式 III. xg=xd・Ad/Ax によって隔膜の振動の振幅と関連している。ここで xd=隔膜の振動の振動 Ad=隔膜の振動の面積 Ax=作業流体が流れるすべての通路の全断面積 である。 作業流体中の音速は良く知られているように ここで γ=一定圧力および一定容積における比熱の比 =ヘリウムに対しては5/3 R=作業流体に対する特定の気体定数 T=ケルビン単位の絶対温度 である。 式II、III、およびIVを組み合わせて次のようにすることができる。 550Hzより高い周波数でスターリング・サイクル変換器を動作させ本発明 における利点を得るためには、ウォルマースレイ数が5より小 さくなる程十分に通路を狭くし、動作周波数において最大マッハ数が実質的に0 .1より小さくなるように隔膜の振動の振幅を十分小さくしなければならない。 好ましくはウォルマースレイ数は1よりも小さくし、最大マッハ数は0.01よ りも小さくする。 本発明を使用するスターリング・サイクル変換器のパラメータを示す一例とし て本発明のこれらの原理を適用した例を示す。この例は下記に説明するような図 8および9に示した型の孔開き熱交換器の使用を目的とした例である。 下記の例は20バールのヘリウムを装入し1kHzで動作させる三つの部分か ら成るマイクロ冷凍機に対するものである。本発明を使用するスターリング・サ イクル冷却器には軸方向に温度勾配が存在するから、温度、従って他のパラメー タは軸方向の異った場所では異っている。下記の表に一組のパラメータの例を示 すが、この場合公知のレイノールズ数は式 VI Re=α2xg/a によって前記の定義した量に関係付けられている。 *再生器の中では、ガスの排気量は両方の隔膜に影響されるから、二つの隔膜 の変位および面積の値の平均を使用した。 [制御システム] 膨張隔膜34および圧縮隔膜44の位相および周波数を制御する動作理論およ び種々の具体化例は従来法の文献に記載されており、従ってここで詳細に説明す ることはしない。このような操作は例えばCooke−Yarboroughの 米国特許3,548,589号に記載されている。隔膜が振動すると、隔膜はそ れぞれの付随した膨張空間の方へ、また圧縮空間から遠去るように交互に動き、 これによって周期的にこれらの空間の実効容積が変化し、それぞれ膨張空間へガ スを導入しまた圧縮空間からガスを取出す動作を交互に行う。 図12のグラフ12Aおよび12Bは再生器の相対する端における隔膜の変位 した位置を時間に関して示したグラフである。これらの隔膜は相対する端で互い に向かい合っているから、反対方向の運動(例えば中心へ向かう運動)は付随し た空間の容積を変化させる上において同じ効果を及ぼす。従って膨張空間および 圧縮空間における容積の時間変化は、図12Aおよび12Bにおいては容積Ve およびVcとして現われる。図 12Cおよび12Dには時間に関する膨張空間の容積Veおよび圧縮空間の容積 Vcの変化が示されている。これらの図に示されているように、制御システムは 、膨張空間の容積が圧縮空間の容積より公称でまたは約90°先行して変化する ように隔膜を制御しなければならない。しかしながら当業界の専門家には公知の ように、位相は必ずしも正確に90°先行させる必要はなく、最適の効率を得る ために最高10°または20°先行させるだけでよい。エンジンおよびクーラー に対しては、好適な容積の位相の先行度は90°よりも大きい。このほぼ90° の位相の先行度はクーラーおよびエンジンの両方に対して保たれなければならな い。 隔膜の周期的な運動に対する適切な位相、振幅および周波数を保つために、制 御システムは上記のアクチュエータ35および45のようなアクチュエータを含 んでいる。好ましくは各アクチュエータは付属した隔膜に機械的に連結された電 気機械的変換器である。適当な変換器には上記Cooke−Yarboroug hの特許に記載されたような磁気的変換器、ピエゾ電気的変換器、磁歪変換器、 容量変換器、または隔膜を駆動できる他の変換器が含まれる。電気機械的変換器 は、これを容易に連結することができ、電気的駆動信号の位相、振幅および周波 数を容易に制御できるために好適である。 アルファ形(alpha configuration)をもったスターリン グ・サイクル変換器の専門家には公知のように、作業流体は膨張空間に付属した 隔膜に対して仕事をし、他方圧縮空間に付属した隔膜は作業流体に対し仕事をす る。圧縮空間に付属した隔膜を駆動し、膨張空間に付属した隔膜からエネルギー を消費させ各隔膜の運動の振幅、周波数および位相を制御するためには、両方の 隔膜に対して変換器が必要 である。さらにこれらの変換器は機械的または電気的に連結され、膨張空間に付 属した隔膜によって吸収されたエネルギーが所望の振幅、周波数および位相で圧 縮空間に付属した隔膜を駆動することによって消費される。従って「アクチュエ ータ」という言葉は広い意味において、隔膜の方へまたは隔膜から機械的エネル ギーを付与しまたは吸収することができる装置を含むのに使用され、機械的仕事 の出力だけを与えるものに限定されるものではない。従ってアクチュエータを含 む制御システムの目的は、所望の位相関係、振幅および周波数で隔膜を振動させ ることである。 隔膜の振動の位相、振幅および周波数を所望の値に保つ代表的な制御システム を図13に示す。ディジタル・カウンター1301、デコーダー1302、マル チプレクサー1303、および分割器1304および1305によって、共鳴周 波数の倍数Nf0の単一のディジタル・パルス系列から、マイクロ冷凍機の共鳴 周波数f0のディジタル・パルス系列から成る制御信号Sc、SEAおよびSEBが導 かれる。SCに関するSEAの位相の先行値は、ディジタル・カウンター1301 、デコーダー1302、およびマルチプレクサー1303のデータ経路によって 決定される任意の精度に対しマルチプレクサー1303の選択入力によって選ば れる。制御信号SCの基本的な正弦波成分SCOはフィルター1306によって抽 出され、図15に示す圧縮隔膜のモーター・アクチュエーターに付加される。制 御信号SEAおよびその逆信号SEBはそれぞれ図14に示すトランジスターQ 1〜Q4のH−ブリッジの制御端子AおよびA’およびBおよびB’に加えられ る。このH−ブリッジが制御信号SEAおよびSEBによって励起されると、膨張隔 膜の発電アクチュエータ1 308によってつくられ端子1308aおよび1308bの所に現われる交流電 圧VEGを効果的に整流し、H−ブリッジに逆バイアス電圧をかける直流電源13 09を充電する。図16および17は、制御信号SEAおよびSEBが交互に位相を 変える際H−ブリッジを通る膨張隔膜の発電アクチュエータ1308によって生 じる電流の方向を示している。この配置によれば、電気エネルギーは電源130 9から圧縮隔膜のモーター・アクチュエータ1307へと流れ、また膨張隔膜の 発電アクチュエータ1308から電源1309へと流れる。電源1309から流 れ出しまたその中に流れ込む電気エネルギーの量の差がマイクロ冷凍機の正味の 電力消費量である。トランジスターQ1〜Q4は二極トランジスターとして示さ れいるが、回路を少し変更すればMOSまたはJFETトランジスターによって 同じ機能を行うことができる。 [集積端板の種々の態様] 端板14および22をつくるのにシリコンを使用すると、スターリング・サイ クル熱機械的変換器をつくる上で独特且つ重要な状況が得られる。端板の一つの 重要な機能は熱を伝達することであるから、シリコンは高い熱伝導率を示すので 有利な結果を与える。第2に、シリコンを選ぶと、過去に集積電子回路およびシ リコン変換器をつくるのに使用されて来た従来法のシリコンプレーナープロセス 技術を用いてスターリング・サイクル変換器の最終機素をつくることができる。 第3に、シリコンを用いると、構造物に対し熱的な履歴サイクルがかけられるに も拘わらず、このような集積電子回路を高度の信頼性をもって膨張端板14と連 結することができる。何故なら集積回路と低温の端板との間の熱機械的応力は、 その熱膨張係数が同じであるために除去されるからである。第4に、 シリコンを使用すると、膨張端板14と共にまたはその内部で電子回路を一体的 につくり、電子回路から熱を吸い取って除去するための熱伝導度を最大にするこ とができる。 例えば図5を参照すると、端板14は2枚のシリコンの層、内部層60および 被覆層62から成っていることができる。隔膜34は、従来のプレーナープロセ スのエッチング法で膨張空間30を作り隔膜34を残すことにより製作される。 被覆層62を内部層60に接合し、従来法、例えばシリコン融合接合法、または ガラスまたは金属の中間フィルムをつくる方法、或いはアノード接合法により平 面内で2枚のケイ素ウエファーを接合することにより背後空間32を閉鎖する。 また同様な或いは関連した技術を使用し、内部層64および被覆層66および6 8から成る圧縮端板22の中に背後空間42および作業空間42をつくる。 膨張隔膜および圧縮隔膜の面積は図5に示すものと同一であることも異ってい ることもできる。 [熱交換器の種々の態様] 本発明の具体化例において、熱は膨張端板14を通って伝わって膨張空間30 へと移動し、また圧縮空間40から出て圧縮端板22へと伝えられる。上記のよ うに、これらの端板の所およびその内部における作業空間の部分の内表面の壁は 、それぞれ膨張空間および圧縮空間並びにそれに付属した端板の中にある作業ガ スの間に熱を伝える熱交換器の役割をする。 しかし図9には別に熱交換器の構造をもつ他の構造が示されている。図9の具 体化例は膨張端板914および圧縮端板922を有しており、また図5の対応す る部材と同様な膨張隔膜934および圧縮隔膜980 をもっている。しかし別のシリコンの熱交換器の層980がシリコンの層960 に接合され、このシリコン層960と再生器950との間に配置されている。こ の熱交換器の層980には、膨張空間930を再生器950の内部と連絡してい る複数の軸方向の孔982が備えられている。好ましくは、これらの孔は一連の 平行なフィンによって隔てられた長い溝孔の形をしている。同様な熱交換器の層 984が圧縮端板の層964にも接合され、再生器950を圧縮空間942と連 絡している。これにも複数の横方向の孔986が備えられている。 [隔膜の種々の態様] プレーナープロセス技術を用いると、図5に示した平らなシートの形状とは異 った形のシリコンの隔膜をつくることができる。例えば図7には環状の波状突起 をもった膨張隔膜734および圧縮隔膜744が示されている。膨張隔膜734 は環状の波状突起784を有し、圧縮隔膜744は環状の波状突起786をもっ ている。この波状突起隔膜はエッチング法によりノッチを切り込むことによって つくることができる。低圧のセンサー、例えば気圧計に使用される隔膜を作る技 術においては公知のように、これらの波状突起によって隔膜の圧力対排気量の特 性は殆ど線形に近くなる。 設計者が振動する隔膜934の質量を制御するために、プレーナープロセス技 術によって隔膜934の上につくられた質量の増加したボスの区域、例えば円形 のボス988を図9に示す。これは、振動隔膜をつくる際隔膜が共鳴モードで振 動するような設計を行う助けになるであろう。 隔膜の排気量対隔膜にかけられる力の比は、動作周波数で隔膜が共鳴するよう に隔膜をつくることによって増加させることができる。基本的 な物理学から公知のように、或る機械的システムの振動の自然周波数は、振動す る物体の質量と、エネルギーを交互に吸収および放出する取り付けられたエネル ギー保存装置、例えばバネのバネ定数との良く知られた関数である。本発明の具 体化例における隔膜の質量、並びに隔膜に作用するすべてのバネのバネ定数を、 隔膜が動作周波数で共鳴するように選び、そのように設計することができる。質 量は隔膜の寸法によって選ぶことができ、上記のようにボスを取り付けることに より増加させることができる。隔膜に作用するバネは原理的にはシリコンの隔膜 自身の弾性から生じるバネ、背後空間に閉じ込められたガスから生じるガスのバ ネ、および作業空間に閉じ込められたガスから生じるガスのバネであり、これら のガスのバネは各隔膜に隣接している。従ってガスのバネ、および特に背後空間 の容積は、動作周波数において隔膜が振動の自然周波数、即ち共鳴周波数をもつ ように設計することができる。勿論別法として背後空間の容積を非常に大きくし 、それが無視し得るバネ定数をもち、その結果共鳴周波数が原理的には作業空間 のガスのバネおよびシリコンの隔膜自身のバネ定数、および質量の関数になるよ うにすることができる。シリコンの弾性が主要なバネ定数として使用される場合 、例えば180°ずれた位相で隔膜が振動する隣接したマイクロ冷凍機ユニット の背後空間へ排気を行うことにより背後空間10を完全に除去することができる 。 隔膜のバネ定数は隔膜を非常に薄くすることによって減少させることができる 。隔膜のバネ定数はまた隔膜の上に酸化物または金属の層をつくるか、または他 の材料をその中に拡散させることにより設計者が調節することができ、その結果 多層の隔膜を使用することもできる。 [隔膜のアクチュエータ] 制御システムの一部をなす電気機械的アクチュエータは各隔膜に機械的に連結 されている。本発明で使用できる非常に多様な種類の電気機械的アクチュエータ は当業界の専門家にとっては公知であり、例えば静電気的、電磁的、ピエゾ電気 的、または磁歪的な原理を使用することができる。 図5は導線47および49に加えられた電気信号によって動作するピエゾ電気 的アクチュエータを示す。 図5Aはこのアクチュエータをもっと詳細に示している。このアクチュエータ は単一または複数の金属または伝導性フィルムの電極510、512および51 4を含み、これらの電極は互いに電気的に連結され、また導線49、および他の 単一または複数の金属または伝導性フィルムの電極516、518および520 に連結されている。後者の電極516、518および520は例えば酸化亜鉛の ようなピエゾ電気層522の反対側にあり、互いに導線47に連結されている。 この変換器は、シリコンの隔膜526の上に絶縁性の酸化物層524をつくり、 次いで通常の方法で金属または伝導性フィルム片510、512および514を つくり、この金属または伝導性フィルム片および酸化物層524の上に酸化亜鉛 または他のピエゾ電気層522を沈積させ、次いで再び従来法を用いピエゾ電気 層522の上に金属または伝導性フィルム片516、518および520を沈積 させることによってつくることができる。必要に応じさらに他の酸化物の絶縁層 528をその上に沈積させ、保護障壁層および電気絶縁層をつくることができる 。 操作を行う場合、制御システムは動作周波数において導線47および 49に周期的な信号を付加し、ピエゾ電気層522に応力をかけ、それによって ピエゾ電気層522を歪ませ、隔膜526を動かす。 図7および7Aは隔膜734および744の各々に付属させて蓄電器760お よび762をつくることにより静電力を用いるアクチュエータを示す。 図7Aは蓄電器762をさらに詳細に示している。この蓄電器は酸化物層の上 につくられた蓄電器板764を有し、該酸化物層は図7Aに示されているように 隔膜734の上に沈積され、電気導線766に連結されている。蓄電器はまた絶 縁用の酸化物層768の上に同様につくられた第2の蓄電器板767を有し、該 絶縁用の酸化物層は端板769の上に沈積され、電気伝導性の導線770に電気 的に連結されている。 周期的な電気制御信号をかけると、これにより動作周波数において同じ電荷お よび反対の電荷が蓄電器板764および767に帯電し、周期的な引力により隔 膜734を駆動し機械的に振動させる。 図9は隔膜944を駆動するさらに他のアクチュエータを示す。このアクチュ エータは一対の薄いフィルムのコイル972および974を含み、このコイルは それぞれ端板922および隔膜944の上に平らな伝導性の螺旋としてつくられ ている。この平らなコイル974は電気伝導性の導線978および979に連結 され、平らなコイル972は制御用の電流を伝えるために電気伝導性の導線99 1および993に連結されている。片方の電流は直流であることができるが、他 の電流(第1の電流が直流でない場合はそれぞれの電流)は動作周波数の交流で あり、時間的に変動する磁場をつくり、交互に隔膜を静止したコイル972の方 へ引き付け、また該コイルから引き離し、隔膜に機械的な応力をかけ、 これを適切な位相、適切な周波数で振動させる。 [再生器の種々の態様] 図7は外側の圧力保持容器の壁752の内部に含まれた網状構造の海綿体75 4を有する再生器750を示す。網状構造の海綿体754は再生器の全長に沿っ て連続的に連結された開放気孔または開放キャビティをもち、この中を作業流体 が流れる。このような再生器はセラミックス・フィルターの分野で現在使用され ている技術をもちいてつくることができる。 図8および9は外側の円形の圧力保持容器の壁952の内部に含まれる複数の 平行な管954によってつくられた他の再生器を示す。この再生器の通路は各管 の中心を通る通路並びに管の間の通路の両方から成っている。 図11は、周囲を取り囲む円形の圧力保持容器の壁1152の内部に、それと 同軸をなして含まれた複数の間隔を置いて配置された同心の管1154から成る さらに他の再生器を示す。 再生器は、螺旋状に巻かれた熱伝導率の低い緻密なフィルム、例えば厚さ3ミ ルのガラスの箔としてつくられ、該フィルムの中に変形した突起を有し、このフ ィルムを螺旋状に巻き上げ自分自身の周りに巻ぎ付けた場合、層が互いに間隔を 置いて配置され、軸方向に通路が生じるようにすることができる。 [電子回路の種々の態様] 本発明の以上の説明から判るように、本発明の主要な利点の一つは、プレーナ ープロセス技術、薄層技術および半導体の集積電子回路の製作に通常使用されて いる他の技術を用いて本発明を具体化したスターリン グ・サイクル・クーラーをつくることができるために、物理的にも熱的にも電子 回路と極めて緊密に連携させて本発明を具体化したクーラーを非常に便利に製作 することができることである。本発明のクーラーは電子回路の製作の延長工程の 一部として製作することができる。さらにこれらの方法を用いると、数百個のマ イクロ冷凍機を同時に且つ数百個の電子集積回路と緊密に連携させてつくること ができる。各電子回路は容易に且つ便利に製作できるので、回路を膨張端板に熱 的に緊密に連結させ、電子装置から効率的に熱を吸い上げ、電子装置を低温にお いて動作させることができる。電子装置は膨張端板またはフィルムの中に直接一 体化して組み込むことができ、別々の機素または集積回路を膨張端板に取り付け 熱的に連結することができる。 さらに例えば図9に示すような冷凍機の機素は、電子回路921または冷却す べき他の物体を収納するための周囲を取り囲む壁926を取り付け、取外し可能 な蓋928を備えることにより端板914に付属させてつくることができる。こ れによって真空室929がつくられ、圧縮端板922を経由する以外その内容物 を周囲から熱的に絶縁し、電子回路921のような物体を収納し冷却する。冷凍 機という言葉は熱エネルギーの吸い上げ、即ち熱エネルギーを膨張端板の所にお ける低温側から圧縮端板の所における高温側へ吸い上げる操作を意味するものと する。冷凍機という言葉は冷却された部屋へ対して使用する場合だけに限定され てはいない。 [エンジンの装着] 本発明を具体化したスターリング・サイクル熱機械的変換器は機械的なエネル ギーを機械的な負荷に供給するエンジンとしても設計し動作さ せることができる。これを行うには、熱エネルギー源を膨張端板に熱的に連結し 、制御システムには圧縮端の隔膜から負荷へ至るエネルギー輸送用のリンク機構 を含ませる。負荷は制御システムの一部でなければならない。何故なら複雑な負 荷インピーダンスは、上記の隔膜の振動の大きさ、位相および周波数を決定する 動的システムの一部になっているからである。 図11は連結棒1114を通じて機械的負荷1112に連結されたエネルギー 輸送要のリンク機構として動作する圧縮端の隔膜1110を示す。負荷1112 は例えば発電機、二重マイクロ冷凍器または流体ポンプであることができる。 電力を発生させる目的でエンジンとして動作する本発明の具体化例においては 、図9のコイルを用いることができる。 入射太陽光の輻射、燃焼、放射性同位元素の放射または産業廃熱を含む熱エネ ルギーをスターリング・サイクル・エンジンに供給する任意の通常の方法で、熱 エネルギーを膨張端板1116に与える。 本発明によれば、太陽エネルギーまたは他の熱エネルギーを電気エネルギーま たは機械エネルギーに効率的に変換するのに利用できるマイクロエンジンを製作 する可能性が与えられる。現在得られる光電池は、光電効果と呼ばれる光−電子 過程により、太陽の輻射エネルギーを直接電気エネルギーに変えるが、光電池は 本発明と比較していくつかの欠点をもっている。第1に、スターリング・エンジ ンによる熱機械的なエネルギー変換効率は光電効果による太陽電池の光−電子的 な変換効率よりも優れている。さらに、光電池に比べスターリング・エンジンの 方が多くの太陽エネルギーを変換に利用することができる。太陽光のスペクトル のエネルギーのわずかに約25%だけが光電効果を励起する波長帯の中に存在す るに過ぎないが、太陽光の全スペクトルのエネルギーをスターリング・サイクル を駆動するための熱に変えることができる。さらに、光電池を用いる場合、変換 に利用できるエネルギーの量は太陽光を集中させることによって増加させること はできない。何故ならこれによって光電池の温度が極めて適切な温度より遥かに 高い温度に上昇し、半導体の必要な電子的性質が失われるからである。これとは 対照的に、スターリング・マイクロエンジンのシリコンの受光部に対しては太陽 光を集中させることができる。スターリング・エンジンはシリコンの熱機械的な 特性を利用しており、電子的な特性を利用してはいないからである。 [製作方法] 本発明の具体化例はこれらの具体化例の製作に現代のプレーナープロセス技術 による集積回路の製作技術を適用することによりつくることが好ましい。これら の方法には、マイクロ平板法、種々の酸化法、沈積法、ドーピング法、エッチン グ法、および集積回路並びにシリコンのセンサーおよびアクチュエータの産業に 使用されている他の技術が含まれる。周囲温度以下に冷却すべき電気的な集積回 路のチップは、本発明を具体化した低温クーラーと同じウエファーの一部として 製造することができる。低温クーラーのシリコンの表面はその内部または上に電 子回路が構築される基質であることができる。 本発明の構造物は、単一のウエファーの上に極めて複数の複製をつくり、次い でウエファーを切り離して個々の具体化例または複数の具体化例の群を得る方法 を適用してつくることができる。例えば複数のスターリング変換器の圧力保持容 器の複数の間隔を置いて配置された熱を吸収 す流体膨張端の各々に対して、共同作用をする隔膜、背後空間、膨張空間および 熱交換器をつくることにより具体化例を構築することができる。これは、シリコ ンのウエファーの選ばれた部分をエッチングして除去し、次いで一体となった膨 張端板としてウエファーを一平面内において位置合わせし、一緒に連結すること によって行うことができる。また同様に共同作用をする隔膜、背後空間、圧縮空 間および熱交換器は、複数のスターリング変換器の圧力容器の複数の間隔をおい て配置された熱を放出する流体圧縮端の各々と共に、シリコンのウエファーの選 ばれた部分をエッチングして除去し、次いで一体となった圧縮端板としてウエフ ァーを一平面内において位置合わせし、一緒に連結することによってつくること ができる。 複数の熱再生器は一体となった再生器の板としてつくり一緒に連結することが できるが、この場合各再生器は再生器の板の相対する側に流体の開口部をもって いる。次いでこの再生器の板を米国特許3,397,278号に記載されている Malloryの接合法のような方法で膨張端板と圧縮端板との間に配置し、こ れらの端板に対して位置合わせを行って接合し、複数のスターリング・サイクル 熱機械的変換器から成る統合構造物をつくる。次ぎにこの統合構造物を切り離し て個々の変換器か、または複数の変換器を含む配列にする。 一体となった再生器の板をつくる一つの方法は、別々の実質的に同一の再生器 の複数から成る群をつくり、次いで1枚またはそれ以上の前述の支持板の孔の中 にこの再生器を接合する方法である。この場合孔は、端板と合わせられている、 平行な横方向に間隔を置いて配置された配列をなして配置されている。次ぎに個 々の再生器の配列を機械的に一緒に 連結し、再生器の板をつくる。次いでこの再生器の板を二つの端板の間で連結す る。 [結論] 以上の説明から明らかなように、本発明の具体化例においては、振動的な流れ の中におけるエントロピー生成過程が著しく減少し、これによって本発明の具体 化例をスターリング装置に対して従来可能と考えられていたよりもはるかに高い 周波数で動作させることができ、実用的な熱吸い上げ能力と非常に望ましい比熱 とをもつ小型の装置をつくることができる。従来のスターリング・サイクル装置 は恐らくはウォルマースレイ数が5より小さい通常の低い周波数で操作されて来 たが、通路の大きさとウォルマースレイ数との関係および排気量とマッハ数との 関係の重要性が、高周波数で動作する小型の装置の製作と関連させて考られるこ とは、従来は決してなかったことである。 本発明の広義の概念は特性ウォルマースレイ数が5より小さくマッハ数が0. 1よりも小さい通路と約500Hz以上の動作周波数とを組み合わせることであ る。 温度が下がるとシリコンの熱伝導率は劇的に増加するから、シリコンは低温に おける熱交換器および熱伝導性機素に対する例外的に望ましい材料になっている 。同時に、基質とチップとの間で熱膨張係数には差がないから、シリコンのチッ プの取り付けまたは製作上シリコンは理想的な材料である。もしこのような差が あると、低温クーラーの中で起こる極端な温度の上下変化の下では剥離および分 離が起こる可能性がある。シリコンは電子回路を製作する際の最も普通の材料で あるから、シリコンは冷凍器の熱交換器自身の中に回路を組み込める可能性を提 供する。 冷却端の熱交換器の中に組み込まれた回路は装置が冷却を行うように設計された 回路、または装置の操作を制御する回路であろう。 従来の大型の高周波数で動作する装置がエネルギー効率の低い断熱条件下で動 作するのとは異り、この装置は小型であり、また高周波数で動作するため、殆ど 等温条件下で動作することができる。 改良法 本発明の好適および代替具体化例を説明するために使用されている本明細書記 載の術語の定義は当業界の専門家には一般に公知であるが、その他の以下に使用 するような言葉について簡単に概説し、明確に定義しておくことが望ましいであ ろう。 熱機械的変換器に関し、「ピストン」という言葉は、圧力差が維持される往復 運動を行う機素を意味し、「排気子(displacer)」という言葉は温度 差が維持される往復運動を行う機素を意味するものとする。 再生器を含む熱機械的変換器は再生変換器と呼ばれる。再生変換器の1種はス ターリング・サイクル変換器である。良く知られているように、スターリング熱 力学的サイクルは種々の形態のの内部機素をもつ変換器によって実現することが できる。アルファ形のスターリング・サイクル変換器においては、往復運動を行 う二つの内部機素は両方とも圧縮および膨張、並びに作業流体の排気に実質的に 寄与している。従ってこれらの機素は圧縮ピストンおよび膨張ピストンとして知 られている。これらの両方のピストンの運動の周波数、振幅および位相は機械的 なリンク機構か、制御回路装置に電気的に連結された電気機械的なアクチュエー タによって制御される。 これとは対照的に、ベータ形のスターリング・サイクル変換器は1個のピスト ンと1個の排気子を使用する。ベータ形は、ピストンおよび排気子の運動の周波 数、振幅および位相がこれらの機素の質量の配置、該機素に連結されたバネ、お よび該機素に作用する圧力によって制御されるような自由ピストン型のスターリ ング・サイクル変換器に特に適している。その結果ベータ形がアルファ形に優る 一つの利点は、ベータ形では制御システムから少なくとも一つの電気機械的変換 器を取り除くことができることである。 熱エネルギーをピストンの機械的エネルギーに変換するように動作するベータ 形のスターリング・サイクル変換器を、この運動を利用して低温から高温へと熱 エネルギーを吸い上げるように動作する他のスターリング・サイクル変換器に連 結できることは公知である。この型の装置は二重スターリング・サイクル変換器 と呼ばれ、補助的な始動システムに置いては電気機械的変換器を用いることもで きるが、エネルギーの変換には電気機械的変換器を必要としない。 他の型の再生変換器はヴュリュマイヤー熱ポンプである。二重スターリング・ サイクル変換器と同様に、ヴュリュマイヤー熱ポンプも高温から中間の温度へと 流れる熱エネルギーを変換し、低温から中間温度へと熱エネルギーを吸い上げる ように動作させることができる。しかしヴュリュマイヤー熱ポンプは圧縮ピスト ンの機械的運動を含むことなく熱エネルギーによりこの効果を達成することがで きる。従って概念的にはヴュリュマイヤー熱ポンプは機械的な圧縮ピストンのな い二重スターリング・サイクル変換器に似ている。 マイクロエレクトロニックの分野において、「集積」という言葉は、 その構成部材が単一の機械的な対象物の一部として構成され、従って電気回路と しての機能を行うために製作後ハンダ付けのような方法で機械的に互いに連結し なくてもよい電気回路を意味する。これらの集積回路は一体化されたシリコンの ウエファーの中で同時に複数が製作され、次いで個々の機能的な回路チップに切 り離される。マイクロセンサーおよびマイクロアクチュエータの分野において「 集積」と言う言葉は、成分部材がやはり単一の機械的の対象物の一部として構成 され、従って製作後変換器としてのその機能を行わせるために、熔接またはボル ト留めのような方法で機械的に連結しなくてもよい変換器を意味する。これらの 集積変換器は一体化されたシリコンのウエファーの中で同時に複数が製作され、 次いで個々の機能的な変換器チップに分離される。マイクロセンサーおよびマイ クロアクチュエータの分野においては、ウエファーをチップに分離する前に一平 面内でウエファーを接合して積層構造物にする工程は集積変換器の製作工程の一 部と考えられ、変換器の成分部材を互いに連結する次の工程の一部とは考えられ ない。従って「集積圧力センサー」という言葉は圧力センサーの機能を果たすガ ラスおよびシリコンのチップを意味するが、その成分部材はシリコンおよびガラ スのウエファーの中でこのような多くの他の変換器と同時に製作され、このウエ ファーを一緒に接合した後分離して別々の機能的な変換器がつくられる。 [スターリング・クーラー] 図18は、熱吸収用のシリコンの板1803の上に取り付けられ、この板18 03の上につくられた相互連結用の導体104を有する2個の電子装置1801 および1802を示す。この電子装置の下には、電子装置から熱を取り除きその 温度を下げる二つの自由ピストン型スターリ ング・クーラーがつくられている。この図はそれぞれの集積回路に付属した1個 のスターリング・クーラーを示しているが、このような1:1の付属関係は必ず しも必要がなくあるいはそれが暗黙裡に含まれていることもない。クーラー18 05のようなこれらの各クーラーは互いに複製になっており、これらは一括して 1×2の配列で示されているが、もっと大きな二次元の配列の形で製作すること ができる。 熱吸収用のシリコン板1803の下方に間隔を置いて且つそれと平行に熱放出 用のシリコン板1806が存在している。これらの板の間には再生排気子180 7が配置されている。再生排気子1807は、熱吸収用の板1803および熱放 出用の板1806と相対する端の所で流体により連絡した孔開きマトリックスを 有する熱再生器1810を含んでいる。 熱吸収用のシリコン板1803、熱放出用のシリコン板1806および介在す る再生排気子1807は、スターリング・サイクル・クーラーの圧力保持容器を 構成している。各圧力保持容器は流体の通路を含み且つ典型的にはガスの圧縮お よび膨張可能な流体を含んだ閉じた作業空間を規定しており、これらすべてはス ターリング・サイクル熱機械的変換器を作るために必要である。 板1803および1806はそれぞれ多重の積層化された層を含んでいる。シ リコン板1803および1806の構造および再生排気子1807の構造は、集 積電子回路およびシリコンのセンサーおよびアクチュエータを製造するのに使用 される型のプレーナープロセス技術を用いてつくることが好ましい。 好適具体化例においては熱吸収用の熱交換器は内部壁1813であり、 これは排気子の隔膜1808と一緒になり膨張空間1814の境界をなしている が、下記に示すような別の方法を用いることもできる。同様に熱放出用の熱交換 器はピストン隔膜1811であり、これは排気子の隔膜1809と一緒になり圧 縮空間1815の境界を規定しているが、下記に示すような別の方法を用いるこ ともできる。 熱放出用の板はまたボス1817および可撓性の隔膜1811を含むピストン 1816を含んでいることができる。このピストンの周波数および振幅を制御す るために、ピストンはエネルギー輸送用のリンク機構1818を介して動力装置 1819に連結されている。このような動力装置の例には電気機械的アクチュエ ータ、例えば電磁的、静電的および磁歪的変換器、並びに熱機械的変換器、例え ばスターリング、オットー(Otto)およびディーゼル(Diesel)サイ クル・エンジンが含まれる。スターリング・サイクルエンジンについては下記に 詳細に説明する。 熱吸収用の板1803および熱放出用の板1806の間には、可撓性の排気子 の隔膜1808および1809、および再生排気子を間隔を置いて配置された熱 吸収用および熱放出用の板1803および1806に連結するための複数の壁1 820によって適切な位置に支持された再生器1810を含んでいる。好適な具 体化例においては、再生器1810は実質的に作業流体を含む周囲を取り囲む壁 1821を有している。この周囲を取り囲む壁1821の内部には膨張空間18 14および圧縮空間1815と流体により連絡した孔開きのマトリックス182 2がある。好適な具体化例においては、この孔開きのマトリックスは複数の間隔 を置いて配置された平らな壁から成り、これは相対する側面の所で周囲を 取り囲む壁1821に連結されているか、他の具体化例を用いることもできる。 好ましくはこれらの壁の間の通路はアスペクト比が約8より大きい。 熱放出用の板1806と熱吸収用の板1803との間の内部的な熱の伝導を減 少させるためには、熱吸収用の板1803と熱放出用の板1806との間の軸方 向に沿った再生排気子の材料を通る熱伝導率を低くし、この材料の断面積を小さ くすることが望ましい。これとは対照的に、片方では熱源と熱吸収点との間で、 他方では熱源と作業流体との間で温度低下を減少させるためには、熱放出用の板 1806の熱伝導率および熱吸収用の板の熱伝導率をすべての方向において高く することが望ましい。実際には、約1W/m・Kの熱伝導率は再生排気子材料に 対しては十分に低く、約10W/m・Kの熱伝導率は熱吸収用の板および熱放出 用の板の材料に対しては十分に高い。二酸化シリコンは再生排気子の目的に対し ては熱伝導率が低い材料であり、その熱伝導率は約1.4W/m・Kである。熱 吸収用の板および熱放出用の板の目的に対してシリコンは高い熱伝導率をもつ材 料であり、その熱伝導率は温度1000Kと50Kとの間で25〜1000W/ m・Kの範囲にある。この温度範囲でさらに高い熱伝導率をもつ他の高熱伝導率 材料は炭化シリコンである。 さらに、変換器の熱吸収用および熱放出用の板を機械的に一体化された構造物 として製造するのに使用されているのと同様な工業的方法により、再生排気子の 三つの機能部分(再生器、排気子および連結用の壁)を、単一の機械的に一体化 された構造物の一部として同時に製作することが望ましい。本発明の改善された 具体化例においてこれらすべての目的は、三次元の形をした再生排気子の単位構 造物の中に異方的なエッチ ング法によりシリコンを導入し、該再生排気子の単位構造物を酸化して熱伝導率 がシリコンの程度かまたはそれよりも低い二酸化シリコンにし、これらの単位構 造物を一緒にして機械的に一体化された排気子成分の中に接合することにより達 成される。再生排気子の一具体化例に対するこれらの構造を図22および23に 詳細に示し、これらの図を参照して下記に説明を行う。 [制御システム] ベータ形の自由ピストン型スターリング・サイクル変換器においては、ピスト ンおよび排気子の質量、該ピストンおよび排気子に作用するバネ、排気子および ピストンの運動の減衰は、ピストンおよび排気子の周期的な運動に対する適切な 位相、振幅および周波数を制御する機械的な制御システムをなしている。ベータ 形のスターリング・サイクル変換器のピストンおよび排気子の周波数、振幅およ び位相を制御する動作の理論および具体化例は従来法の文献に記載されており、 従ってここで詳細な説明は行わない。エンジンとして動作するベータ形のスター リング変換器の動作は例えばBerchowitzおよびRedlichの文献 (「自由ピストン型スターリング・エンジンの線形力学」、Proc.Inst n.Mech.Engrs.誌、199巻、No,A3、203〜213頁)に 記載されており、クーラーとして動作するベータ形のスターリング変換器の動作 はBerchowitzの文献(「自由ピストン型スターリング・クーラー」、 Proc.International Refrigeration Con ference − Energy Efficiency and New Refrigerant、Perdue University、1992年7 月14 〜17日)に記載されている。 ベータ形のスターリング変換器において作業流体の圧力が交互に変化すると、 変化する圧力と作業流体に露出されるピストンの面積との積に等しい力がピスト ンに作用する。排気子は、変換器の熱吸収区域において作業流体に露出されるそ の面積の部分Ad1が熱放出区域において作業流体に露出されるその面積の部分 Ad2よりも大きくなるようにつくられる。その面積の第3の部分Ad3=Ad 1−Ad2は1サイクル中作業流体の圧力よりも遥かに変動が少ない異った参照 圧力を受ける。この配置の結果、交互に変動する力が排気子にもかかり、ピスト ンおよび排気子の交互に変化する運動の共通の周波数、これらの運動の振幅の比 、およびこれらの運動の間の位相角は、Ad3、排気子に作用するバネの定数、 排気子のQ(即ち各サイクルにおいて保存された排気子のエネルギー対排気子に よって消費されたエネルギーの比)、排気子およびピストンの減衰しない自然周 波数、および種々の消費過程による排気子の運動の減衰のような因子によって決 定される。このバネの定数は隔膜のバネの特性およびガスのバネとして働く作業 流体のバネの特性を利用することによって得られる。 ピストンおよび排気子の隔膜の振動の所望の位相、振幅および周波数を保持す るための代表的な制御システムを図18に示す。再生排気子1807の質量およ び排気子の隔膜1808および1809のバネの定数が減衰のない自然周波数を 決定する。再生器1810を通る作業流体の粘稠流によりエネルギーが消費され ることによって排気子の運動の減衰が決定される。同時にこの質量、これらのバ ネの定数、およびこの減衰によって排気子のQが決定される。排気子の隔膜18 08の面積は排気 子の隔膜1809の面積よりも大きい。何故なら隔膜1808の固定された縁の 間の直径は隔膜1809の固定された縁の間の直径よりも大きいからである。作 業空間の作業流体の圧力と排気子の隔膜の間にある流体の圧力との間の交互に変 化する圧力差は、排気子の隔膜の面積の差に対して作用し、再生排気子に作用す る正味の力を生じる。ピストン1810の質量、およびピストンの隔膜1811 および閉じ込められた作業空間の中の作業流体のバネの定数によって、その減衰 のない自然周波数が決定される。 或る具体化例においては、再生器の周囲を取り囲む壁または一つまたはそれ以 上の排気子の隔膜が1個又はそれ以上の孔を含んでおり、これによって作業流体 が排気子の隔膜の間の部屋を満たし得ることが便利であるが、これらの孔は、変 換器の動作中作業空間の内部において、作業流体の振動的な流れおよび圧力を乱 さないほど十分に小さい孔でなければならない。このような具体化例においては 、相互連結用の壁1820は作業流体を含んでいなければならない。排気子の隔 膜の間の部屋が作業空間からの流体で満たされていない他の具体化例においては 、これらの部屋の中の参照圧力は相互連結用の壁1820の中に小さい孔と大き な孔をつくることによって得ることができる。 [スターリング・エンジン] 本発明を具体化したスターリング・サイクル熱機械的変換器は、またエンジン として設計し動作させ、機械的エネルギーを機械的負荷に与えることができる。 これを達成するためには、熱源を熱吸収区域に熱的に連結し、機械的負荷を機械 的にピストンに連結する。機械的負荷のエネルギー消費効果およびエネルギー保 存効果は、ピストンおよび排気子の 運動の振幅、位相および周波数を決定する機械的制御システムの一部となってい る。 図19を参照すれば、熱エネルギーをスターリング・サイクル・エンジンに与 える通常の方法、例えば太陽光の照射、燃焼、放射性同位元素による照射、また は産業廃熱の利用などの方法で熱エネルギーを熱吸収板1902に付与する。図 19に示す熱源は熱吸収シリコン板1902に熱的に連結された電気抵抗体19 01である。熱源の上には開放ループまたは閉鎖ループをなす通路を通って流体 を圧入するための自由ピストン型スターリング・サイクル・エンジン1903が つくられている。この図には1個の熱源に付属した1個のスターリング・エンジ ンが示されているが、このような1:1の付属関係は必ずしも必要ではないか、 それが暗黙裡に包含されていることもない。 熱吸収シリコン板1902の下方に間隔を置いて且つそれと閉口に熱放出シリ コン板1904が存在している。これらの板の間には再生排気子1905が配置 されている。この再生排気子1905は、熱吸収板1902および熱放出板19 04と相対する端の所で流体により連絡した孔開きのマトリックスをもつ熱再生 器1906を含んでいる。 熱吸収シリコン板1902、熱放出シリコン板1904、およびその間に介在 する再生排気子1905は、スターリング・サイクル・エンジンの圧力保持容器 をなしている。この圧力保持容器は、流体通路を含み、且つ典型的には1種のガ スである圧縮および膨張可能な流体を含んだ閉鎖した作業空間を規定しているが 、これらすべてがスターリング・サイクル熱機械的変換器を作るために必要であ る。 図19に示した具体化例においては、熱吸収板1902は熱源基板層 1938および延長された表面1908から成る熱吸収熱交換器層1907を含 んでいる。好ましくは害延長された表面1908は複数の間隔を置いて配置され た平らな壁1939を含み、これは相対する側において熱交換器層に連結されて いるが、他の具体化例も使用することができる。これらの壁の間の通路はアスペ クト比が約8以上であることが好ましい。 図19に示した具体化例においては、熱放出板1904は熱放出熱交換器層1 909、2枚のピストン層1910aおよび1910b、および一体となったバ ルブ・ヘッド1911を含んでいる。熱吸収熱交換器層1907と同様に、熱放 出熱交換器層1909は延長された表面1912を有し、この表面は好ましくは 複数の間隔を置いて配置された平らな壁1913を含み、この壁の間にはアスペ クト比が約8以上の通路がある。このピストン層1910aおよび1910bは ボス1914および2枚の可撓性の隔膜1915および1916を含んでいるが 、他の数の層および隔膜を用いることもできる。ピストンの隔膜1915は熱放 出熱交換器層1909と共に、圧縮空間1917の境界を区切っている。図2に 示した具体化例においては、ピストン層1910aおよび1910bは金属また はガラスのフィルムで結合されている。他の層の間にもこの方法を用いることが できる。 熱吸収板1902と熱放出板1904の間には再生排気子1905があり、こ れは排気子の隔膜1918、1919および1920によって適切な位置に支え られた再生器1903、および該再生排気子1905を間隔を置いて配置された 熱吸収板および熱放出板1902および1904に連結するための複数の壁19 21から成っている。再生器190 3は好適な具体化例においては作業流体を含む周囲を取り囲んだ壁1922を有 している。この周囲を取り囲んだ壁1922の内部には、膨張空間1924およ び圧縮空間1917と流体で連絡した孔開きのマトリックス1923がある。膨 張空間1924は熱吸収熱交換器1907および排気子の隔膜1920によって 境界を区切られている。好適具体化例においては、この孔開きのマトリックス1 923は複数の間隔を置いて配置された平らな壁1925を含み、これはその相 対する側の所で周囲を取り囲む壁1922に連結されているが、他の具体化例を 用いることができる。好ましくはこれらの壁の間の通路のアスペクト比は約8以 上である。 図19に示す具体化例においては、流体のバルブ・ヘッドは、取り付けられた 通路の開放または閉鎖ループを通し、流体流から成る機械的な負荷に対しピスト ンを圧入される流体を介して機械的に連結するエネルギー輸送リンク機構である 。一般にシリコンのバルブはシリコンアクチュエータ工業においては公知である 。図19に示される一体となったバルブ・ヘッドは入口および出口ポート、内部 通路、および吸引および放出バルブ成分を含んだ3枚の接合されたシリコン層か ら成っている。動作を行う場合、ピストンのボス1914がバルブ・ヘッド19 11から遠去かって動く際、流体ポンプの圧縮空間1926の中の圧力は低下し 、可撓性のある吸引バルブの隔膜1928の上に垂れ下がった吸引バルブのボス 1927を引き込み、吸引バルブのシート1929から遠去かり、流体を入口ポ ート1930を通して流し、吸引バルブのシートの所を過ぎ、他の内部通路19 31および1932を通って流体ポンプの圧縮空間1926へと流し込む。同時 に、流体圧縮空間1926の圧力が低下 すると、放出バルブの隔膜1934の上に垂れ下がった放出バルブのボス193 3を放出バルブのシートに抗して引っ張り、これによって流体が放出ポート19 35から流体ポンプ圧縮空間の中に流れ込むのを防ぐ。 ピストンのボス1914がバルブ・ヘッド1911から動くと、流体ポンプ圧 縮空間1926中の圧力が上昇し、吸引バルブのボス1927を吸引バルブのシ ート1929の方へ押し付け、流体ポンプ圧縮空間中の流体が入口ポート193 0から流れ出すのを防ぐ。同時に、流体ポンプ圧縮空間中の圧力が上昇すると、 放出バルブのボス1933を押して放出バルブのシートから遠去け、流体を流体 ポンプ圧縮空間から放出バルブのシートを過ぎ、内部通路1935および193 6を通り放出ポート1937から流し出す。 [二重スターリング・クーラー] 図20は、共通の熱放出シリコン板2002が2枚の熱放出熱交換器層200 9および2020と2枚のピストン層2011および2012を含んでいる自由 ピストン型スターリング・サイクル変換器の一具体化例を示す。即ちベータ形の スターリング・エンジン2001は、共通のピストン2013を介してベータ形 のスターリング・クーラー2003に機械的に連結され、エネルギー変換のため に電気機械的な変換器を必要とすることなく、二重スターリング・サイクル変換 器を構成している。エンジンの膨張空間2014の中の流体とエンジンの圧縮空 間2015の中の流体との間に十分な温度差が生じると、スターリング・エンジ ン2001の再生異動子2006および共通のピストン2013の往復運動が起 こる。上記のように、共通のピストン2013の往復運動によってスターリング ・サイクル・クーラー2003の再生異動子2016が 往復運動し、熱吸収シリコン板2017によって熱が吸収されてその温度が低下 し、従ってスターリング・サイクル・クーラーの膨張空間2018の中の作業流 体の温度がスターリング・サイクル・クーラーの圧縮空間2019の中の作業流 体の温度よりも低くなる。 図20の軸方向の断面図に示されている熱源2004は内部電気抵抗体であり 、これはスターリング・サイクル・エンジンの再生異動子2006の再生器のフ ィン2005に熱的に連結されている。図20Aは断面A−A’を通る平面図で あり、電気抵抗体2004が、再生器のフィン2005の上にある連続した屈曲 した経路に沿って電気導線2007および2008の間に分布した電気抵抗材料 のリボンとして示されている。種々の電気伝導性の多重材料から成る他の平行な 、並びに直列になった経路を使用することもできよう。スターリング・サイクル ・エンジンの高温端の電気伝導体に適した材料の性質には、融点が高いこと、熱 拡散係数が小さいこと、および化学反応性が低いことが含まれる。このような材 料の例としては難熔性の金属(例えばモリブデン、チタン、タングステン、およ びジルコニウム)、これらの金属の窒化物、アルミニウム化物および珪化物、お よび貴金属(例えば白金、ロジウムおよびニオブ)が含まれる。 電気伝導体をスターリング・サイクル・エンジンの圧力容器の中に通す一つの 方法を図20Bに示す。図20Bにおいては、導線2007および2008は電 気絶縁性材料(例えば二酸化シリコン、窒化シリコン、または高融点のガラス) の薄いフィルムの間で密封されている。これらの絶縁フィルムの一つ2011を 高温側のシリコン端板2009に取り付け、他の絶縁フィルム2012を再生異 動子の端板2020の高温端 に取り付ける。絶縁フィルム2013は電気導線2007および2008の間お よびその周りの空間を埋め、フィルム2011および2012の間の境界面を平 らにし、容易に密封を行うことができる。本出願人は現在、ニオブに白金を組み 合わせるとことが好適であると考えている。何故なら白金の針金を使用して白金 のフィルムへ電気的な連結を行うことができ、またニオブのフィルムは熱拡散係 数が小さいために高温における拡散障壁として作用するからである。 熱源2004から作業流体への熱の伝達を容易にするために、再生器の高温端 は酸化しないでも良いが、この場合には再生器の酸化されていない部分は、作業 流体の流れの方向に依存して熱を二方向へ伝達する強い軸方向の温度勾配をもっ た再生器としてではなく、フィン2005の酸化されていない部分からガスへと 一方向へ熱を伝達するほぼ等温的な熱吸収熱交換器として機能するであろう。 [ヴュリュマイヤー熱ポンプ] ヴュリュマイヤー熱ポンプの動作原理は熱機械的装置の専門家には公知である 。二重スターリング・サイクル変換器と同様に、ヴュリュマイヤー熱ポンプはエ ネルギーの変換には電気機械的変換器を必要としない。或る種の用途においてヴ ュリュマイヤー熱ポンプが二重スターリング・サイクル変換器に優る利点の一つ は、ヴュリュマイヤー熱ポンプでは二重スターリング・サイクル変換器の比較的 重い部分が除去されているため振動が少ないことである。これに関連して他の用 途の場合、二重スターリング・サイクル変換器に対しヴュリュマイヤー熱ポンプ のもつ欠点は、比熱が小さいことである。何故ならヴュリュマイヤー熱ポンプは 、二重スターリング・サイクル変換器のピストンによって与えられるよう な容積の圧縮および膨張によって得られる利点を利用していないからである。 スターリング・サイクル変換器と同様に、ヴュリュマイヤー熱ポンプにおける 往復運動機素(この場合は二つの排気子)の周波数、振幅および位相は機械的な 連結と電気機械的な変換器を用いるか、或いは往復運動機素自身の質量、それに 取り付けられたバネ、および装置の内部に起こる減衰力および圧力のいずれかに よって制御することができる。ヴュリュマイヤー熱ポンプの前者の(機械的な) 型の動作はWalkerによって記載されている(「ヴュリュマイヤー低温クー ラー」、Cryocoolers,第1部、Fundamentals、米国ニ ューヨーク、Prenum Press1983年出版、185〜236頁、特 に212〜220ページ)。後者の(自由ピストン)型のヴュリュマイヤー熱ポ ンプの動作はSchultzおよびTohomasによって記載されている(「 プロトタイプの実験結果と比較した自由ピストン・ヴュリュマイヤー装置の線型 モデル」、第27回 Intersociety Energy Conver sion Conference Proceedings、IECEC 19 92、米国カルフォルニア州、San Diego、1992年8月3〜7日、 第5巻、5.75〜5.80頁)。SchultzおよびTohomasによれ ば、自由ピストン・ヴュリュマイヤー熱ポンプはケースと低温側の排気子との間 のバネ、および二つの排気子の間のバネがなくても安定な振動を行うことができ るが、ケースの運動が排気子の運動に比べて大きくない限り高温側の排気子とケ ースとの間にバネがなくては安定な振動が得られないことが示された。 図21は、高温の熱吸収シリコン板2101、高温の再生排気子2102、温 暖な熱放出シリコン板2103、低温の再生排気子板2104、および低温の熱 吸収シリコン板2105から成る自由ピストン・ヴュリュマイヤー熱ポンプの一 具体化例を示す。高温の再生排気子は可撓性の排気子隔膜2106および210 7を含み、これは高温再生排気子の質量をケース2108に連結するバネとして 作用する。ケース2108はすべての熱吸収板および熱放出板、並びにこれらの 板を互いに連結する再生排気子の壁を含んでいる。同様に、低温の再生排気子は 可撓性の排気子隔膜2109および2110を含み、これは低温再生排気子の質 量をケース2108に連結するバネとして作用する。 スターリング・サイクル変換器におけると同様に、軸方向における再生排気子 の熱伝導率を最小にし、この材料の熱断面積を最小にすることが望ましい。また スターリング・サイクル変換器におけると同様に、熱吸収区域に最も近い排気子 の隔膜2106および2110の面積を、熱放出区域に最も近い排気子の隔膜2 107および2109の面積よりも大きくし、排気子の運動を駆動するための交 互に変化する力を生じるのに必要な圧力差をつくる。また上記のスターリング・ サイクル変換器におけると同様に、各再生排気子の制御を行う際の参照圧力は、 排気子の隔膜の間の部屋2111および2112の中の流体の圧力である。 [再生排気子の詳細] 公知のように、シリコンの結晶は切断してウエファーにし、これらのウエファ ーの面に垂直なベクトルがシリコンの結晶の或る選ばれた結晶学的な方向になる ようにすることができる。これらの結晶学的な方向は<XYZ>の形のいわゆる ミラーの指数によって表される。ここでXe rox 、YおよびZは結晶学的な構造に合わされた直交座標におけるベクトル の長さである。また良く知られているように、シリコンの結晶は多くの性質に関 し異方性をもっている。即ちこれらの性質は異った結晶学的な方向において異っ ている。マイクロ電子回路の目的に対しては、例えば結晶学的方向の<100> の群の中の一つに対して垂直な面をもったウエファーは、この方向における或る 種の電子的性質の値のために好適なウエファーである。シリコンの異方的な性質 の中に或る種の化学物質に対するシリコン結晶の溶解度がある。例えば水酸化カ リウムの水溶液中においては、<100>および<110>の群の方向の方が、 <111>の群の方向におけるよりもシリコンの結晶は速くエッチングされる。 さらにシリコンは<100>および<110>の方向において二酸化シリコンよ りも遥かに速くエッチングされる。この化学的な異方性および選択性は集積回路 のセンサーおよびアクチュエータの複雑な三次元構造をつくるのに広く使用され ている。 超小型再生変換器の再生器は構造が高度の異方性をもち(好ましくは複数の間 隔を置いて配置された平行な壁から成り)、これらの壁の材料の熱伝導率が小さ いことが望ましい。しかし高度の異方性をもった構造を生成する材料は結晶性で あり、結晶性材料は比較的高い熱伝導率をもっている。逆に、熱伝導率が小さい 材料は無定形であるから、これから高度の異方性をもった構造をつくることは困 難である。本発明は、シリコンの化学的性質を利用し、異方性をもったシリコン のウエファーの中に再生排気子の高度に異方性をもった構造をつくり、得られた 構造を酸化して熱伝導率が遥かに小さい無定形の二酸化シリコンにすることによ りこの問題を克服している。 図22Aはシリコンのウエファー2201の<110>の一つの面を示す。< 110>ウエファーの結晶学的な方向は該ウエファーの縁を研磨してつくった或 る平らな面2202および2203の位置によって一意的に指定することができ る。図22Aに示す具体化例においては、この方向は70.53°離して配置さ れた<111>面に合わせた平らな面により示される 図22Bは、図22Aに示されたような<110>のシリコンウエファーを覆 う二酸化シリコンフィルムの中の孔を通してエッチングをした不整形ではあるが 対称的な6角形のキャビティ2204を示す。<111>面まで達するように十 分エッチングの時間をかけた後、6本の線(AB、BC、CD、DE、EFおよ びFA)に縁が接したすべての孔から図22Bに示すキャビティ2204が生じ るであろう。ここでキャビティ2204の辺を構成する6個の<111>面はウ エファーの表面と交わっている。6個の<111>面の中で4個の面2205、 2206、2207および2208はウエファーの<110>面に垂直であり、 2個の面2209および2210は該面から35.29°の角度で下方に傾いて いる。二つの傾斜面2209および2210はキャビティの底部で線GHにおい て出会っており、垂直な<111>面によって区切られている。一般に、点Gお よびHはそれぞれ点AおよびDから下方へ傾いた垂直の線の底部にはない。ここ で垂直な<111>面2205と2206、および垂直な<111>面2207 と2208はそれぞれ出会っている。 図22Hはシリコンのウエファーの中の6角形のキャビティ2204を斜めに 見た図である。この図には垂直の辺2207および2208および斜めの面22 09および2210が見える。 図22Cは図22Bの線1−1’を通る断面図あり、線ABから下方へ傾いた 垂直な<111>面2207および図5Bの線FAから下方へ傾いた垂直な面2 208の一部、および図22Bの線BCから下方へ傾斜した斜めの<111>面 の一部を示している。図22Dは図22Bの線2−2’を通る断面図である。線 2−2’は線GHに垂直であり、この線に沿って斜めの<111>面2209お よび2210が交わっている。図2Dは図22Bの線ABから下方へ傾いた全体 の垂直な<111>面2207、および線FAから下方へ傾いた全体の垂直な面 2208を示す。これらの面は図22Bにおいてそれぞれ線BCおよび線EFか ら下方へ傾斜した斜めの<111>面2209および2210により作られるV 字形の溝孔の終端となっている。 図22Eは図22Aに示されたような<110>シリコンウエファーの中につ くり得る型の不整形の斜方キャビティ2211の拡大図である。図22Bの6角 形のキャビティがウエファーの表面と交叉する6本の線の位置も参考のために示 されている。キャビティ2211は、斜方キャビティの4個の<111>面がシ リコンのウエファーと交叉する4本の線IJ、JK、KLおよびLIと合同な辺 を有する二酸化シリコンフィルムの中の孔を通してしか生じない。これらの4個 の<111>面の中で2個の<111>面2212および2213はウエファー の面に垂直であり、2個の<111>面2214および2215はウエファーの <110>面に関して35.29°の角度でウエファーから下方へ傾いている。 二つの斜めの面2214および2215はキャビティの底の所で線2216の中 で出会っており、垂直な<111>面により区切られている。一般に垂直な<1 11>面2212および2213は二等辺三角 形の形をしている。 図22Fは図22Aに示した<110>シリコンウエファーの相対する辺を示 す。図22Gは不整形の斜方キャビティ2217の拡大図である。これは図22 Eに示したものの鏡像であり、従って図22Eに示す<110>面と図22Gに 示す<110>面とを接触させた場合、点IおよびN、JおよびM、KおよびP 、およびLおよびOが合わさる。 図23および図24は、図5Aおよび図5Fに示したような<110>シリコ ンウエファーの中の集積再生排気子の好適具体化例の代表的な部分の相対する側 を示す見取り図である。図23の点線2301および図24の点線2401は、 このチップをこの線に沿って平行に任意の距離だけ延長し得ることを示している 。図23および24に示したチップは、チップが製作された<110>シリコン ウエファーに垂直な<111>面の中にある間隔を置いて配置された平行な壁を 有する再生器2302および2402、該チップが製作されたウエファーの<1 10>面に平行な<110>面の中にある排気子の隔膜2303および2403 、該チップが製作されたウエファー<110>面に垂直で且つその面に関し35 .29°の角度で傾いた<111>面内にある壁の網状構造2304および24 04、および排気子の隔膜の周辺延長部2305および2405から成っている 。動作時においては、連結用の壁2304および2404の中の網状構造は排気 子の隔膜2303および2403を変換器の残りの部分に対して固定し、これに よって作業流体は再生器2302および2402の間隔をおいて配置された平行 なフィンの間に圧入される。 <111>壁の網状構造2304は排気子の隔膜2303およびその 延長部2305をチップの反対側の<110>面2306に連結する斜めの<1 11>壁2307aおよび2307bを含んでいる。チップの面に垂直な軸方向 において再生排気子の熱断面積を減らすために、もともと斜めの<111>壁2 307aおよび2307bの間にあったシリコンは除去され、間隔を置いて配置 された平行で垂直な<111>壁2407だけが残されている。同様な壁の網状 構造2308および2408により再生器2302および2402のいずれの側 においても熱断面積が減少する。 図25および26には集積再生排気子チップの他の具体化例を示す。図25お よび図26に示した具体化例においては、連結用の垂直および斜めの<111> の壁の網状構造2501および2502は横方向においては連結用の垂直および 斜めの<111>の壁の網状構造2502および2602、並びに連結用の垂直 および斜めの<111>の壁の網状構造2503および2603とは連結されて いない。 図27A、27Bおよび27Cは図23および24に示した再生排気子のチッ プの好適具体化例の断面図、および該チップの鏡像の断面図である。この再生排 気子およびその鏡像は両方とも上記のシリコンの対称的な結晶学的性質を利用し て<111>シリコンウエファーの相対する側からつくることができる。連結用 の壁の網状構造の図27Aの断面図は、斜めの<111>面2701および27 02がチップの相対する側において<110>面2703および2704を連結 し、その結果生じた<110>面2705および2706は互いに合わさり、こ れを境界面として互いに接合していることを示している。 図27Bの断面図は再生器から横方向に間隔を置いて配置された排気 子の隔膜2707の一部の断面図であり、図27Cの断面図は排気子の隔膜27 08および再生器の平行なフィンの間の空間2709を通る断面図である。 図28Aは、図23および図24に示したような三つの再生排気子チップ28 01、2802および2803、および互いに接合されて機械的に一体化された 構造物になっているこのようなチップの三つの鏡像2804、2805および2 806を示す。連結用の<281>の壁の網状構造を通る図28Aの断面は、得 られた構造物が再生排気子を隣接したシリコンのチップ2807および2808 にしっかりと連結していることを示している。他の下図の再生排気子のウエファ ーを使用して再生排気子を構成することもできる。これらの小室のいくつかまた は全部を真空に引くとこの構造物の熱伝導率が減少する。 図28Bは再生排気子の好適な具体化例の排気子の隔膜を通る他の垂直断面図 である。この断面図は、シリコンの熱吸収板2810と排気子の隔膜2811と で区切られた再生熱機械的変換器の膨張空間2809、および熱放射板2813 と排気子の隔膜2814とで区切られた変換器の圧縮空間2812を示す。排気 子の隔膜2811の面積は排気子の隔膜2814の面積より大きい。図28Cは 再生排気子の好適な具体化例の再生器および排気子の隔膜を通る他の垂直断面図 である。この断面図は、熱放出板2819と熱吸収板2820との間の熱伝導経 路の一部を構成する斜めの<111>の壁の4個の網状構造を示す。 図29A、29B、29Cおよび29Dは、図23および24に示した再生排 気子チップの具体化例、およびこのようなチップの鏡像を通る垂直断面図である 。連結用の壁の網状構造を通る図29Aに示した断面 図は、垂直の<111>面2901および2902がチップの相対する側におい て<110>面2903および2904を連結し、これによって生じる<110 >面2905および2906は互いに合わさり、これを境界面として互いに接合 していることを示している。 図29Bの断面図は、再生器から横方向に間隔を置いて配置された排気子の隔 膜2907の一部を通る断面図であり、図29Cの断面図は、排気子の隔膜29 08、および再生器に隣接した壁の網状構造2909を通る断面図である。図2 9Dの断面図は、排気子の隔膜2909および再生器2910の平行なフィンを 通る断面図である。 図29Aの延長された<110>面2903、図29Bの面2911、図29 Cの面2909および2912、並びに図29Dの面2913および2914は 隣接したウエファーに接合する平らな面を与える。 図30Aは、図23および24に示したような3個の再生排気子チップ300 1、3002および3003、および互いに接合されて機械的一体化された構造 物になっているこのようなチップの3個の鏡像3004、3005および300 6を示す。連結用の<111>の壁の網状構造を通って採られた図30Aの断面 図は、これによって得られる構造物が再生排気子を隣接したシリコンのチップ3 007および3008にしっかりと連結していることを示している。 図30Bは再生排気子の好適な具体化例の排気子隔膜を通る他の垂直断面図で ある。この断面図は、シリコンの熱吸収板3010と排気子の隔膜3011とで 区切られた再生熱機械的変換器の膨張空間3009、および熱放出板3013と 排気子の隔膜3014とで区切られた該変換器の圧縮空間3012を示している 。図30Cは排気子の隔膜3015 および再生器3016に隣接した壁の網状構造を通る他の垂直断面図である。 図30Dは、再生排気子の好適具体化例の再生器および排気子の隔膜を通る他 の垂直断面図である。この断面図は、熱放出板3021と熱吸収板3022との 間の熱伝導経路の一部を構成する斜めの<111>壁3017、3018、30 19および3020の網状構造を示している。また図30Dには、再生器302 3、熱放出熱交換器3024、および熱吸収熱交換器3025の間隔を置いて配 置された平行なフィンが示されている。 [製作方法] 本発明の具体化例は現行のプレーナープロセス技術による集積回路の製作法を これらの具体化例の製造に適用することにより製作することが好ましい。特に再 生排気子チップに関しては、集積構造物は単一の<110>シリコンウエファー の中の一体となった構造物として複数の多重複製の製造に極めて適合している。 例えば熱再生器、排気子の隔膜、および連結用の壁の網状構造を<110>シリ コンウエファーを適切にエッチングすることにより集積構造物としてつくること により具体化することができる。これらの<110>ウエファーの複数の鏡像を 互いに位置合わせして配置し、緊密に境界面で接触させ、熔融接合または共融接 合法により接合することができる。この集積構造物において軸方向の伝熱経路の 熱伝導率は、軸方向の伝熱経路を高圧酸化炉の中で全体的に酸化することにより 最大二桁程度の大きさ減少させることができる。1枚またはそれ以上の得られた 接合再生排気子板を次に同様な方法で一平面内において熱吸収熱交換器板および 熱放出熱交換器板に接合し、完全なス ターリング・サイクル変換器またはヴュリュマイヤー変換器を作る。この方法の 利点は、熱吸収板および熱放出板と同様に、再生熱機械的変換器の再生排気子を 作ることができること、また再生器、排気子、および変換器板を連結する壁を、 後で一緒にしなければならない別々の材料片の形の別々の機素としてではなく一 体となった構造物として作ることができること、および再生排気子の構造物を作 った後に、再生排気子構造物の軸方向の熱伝導率を減少させることができること である。 内部熱源への導線に対する密封は、接合すべきシリコンウエファーを酸化し、 これらのウエファーの少なくとも一つの上に電気伝導体を沈積させて写真製版法 によりその形をつくり、メッキした表面の上に電気絶材料を沈積させ、得られた 表面を平滑にし、次いで二つのウエファーの位置合わせを行ってこれを高温で緊 密に接触させ境界面を互いに接合することによってつくることができる。 [結論] 以上の説明から本発明の具体化例においては、振動的な流れの中のエントロピ ー生成過程を著しく減少させ、それによって本発明の具体化例を再生熱機械的変 換器により従来得られるよりもはるかに高い周波数で動作させ、実用的な熱的ポ ンピング能力と非常に望ましい比熱とを有する小型の装置を作り得ることは明ら かである。従来法の再生熱機械的変換器は恐らく5より低いウォルマースレイ数 をもつ通常の低い周波数でしか動作しないが、従来は排気の振幅とマッハ数との 間の関係の重要さと小型の高周波数の装置をつくる可能性とは決して結ぶ付けら れてはいなかった。 本発明の広義の概念は特性ウォルマースレイ数が5より小さく、マッ ハ数が0.1よりも小さい通路を500Hzより高い動作周波数と結び付けたこ とである。 温度が下がるとシリコンの熱伝導率は劇的に増加するから、シリコンは低温 における熱交換器および熱伝導性機素に対する例外的に望ましい材料になってい る。同時に、基質とチップとの間で熱膨張係数には差がないので、シリコンはチ ップの取り付けまたは製作上理想的な材料である。もしこのような差があると、 低温クーラーの中で起こる極端な温度の上下変化の下で剥離および分離が起こる 可能性があろう。シリコンは電子回路を製作する際の最も普通の材料であるから 、冷凍器の熱交換器自身の中に回路を組み込める可能性が生じる。さらにシリコ ンは酸化して熱伝導率がシリコンよりかなり低い二酸化シリコンにすることがで きるから、複雑な構造物の中に組み込んだ後には、再生排気子を作る理想的な材 料である。次にこれらの再生排気子を用い、エネルギー変換のための電気機械的 変換器を少ししか或る場合には全く必要としない自由ピストン型熱機械的変換器 をつくることができる。 この装置は小型であり高周波数で動作するため、従来の大型の高周波数で動作 する装置がエネルギー効率の低い断熱条件下で動作するのとは異り、殆ど等温条 件下で動作することができる。 以上本発明の具体化例を詳細に説明したが、本発明の精神および下記の請求の 範囲を逸脱することなく種々の変形を行い得るものと了解されたい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,S Z,UG),UA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD ,RU,TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ ,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU, CZ,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GE,H U,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ ,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG, MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,TJ,TM ,TR,TT,UA,UG,UZ,VN 【要約の続き】 数が実質的に0.1より小さくなるほど十分に小さい。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.(a)流体通路および圧縮可能且つ膨張可能な流体を含む閉鎖された作 業空間を規定し、少なくとも一つの熱吸収区域、少なくとも一つの熱放出区域、 および該熱吸収区域と熱放出区域との間にある少なくとも一つの熱再生区域を含 む圧力保持容器、および (b)該熱吸収区域と熱放出区域との間にある該熱再生区域を通して作業流体 を交互に輸送する排気子を有する熱機械的変換器において、 作業空間中の通路は作業空間中の作業流体の振動的な流れによって生じる不可 逆性に特有なウォルマースレイ数が5より実質的に小さくなる程十分に狭く、作 業流体の振動的な流れの振幅は500Hzより高い動作周波数において最高マッ ハ数が実質的に0.1よりも小さくなる程十分に小さいことを特徴とする熱機械 的変換器。 [一体化された熱吸収板および熱放出板] 2.該圧力保持容器の該熱吸収区域および該熱放出区域の少なくとも一つは 高い熱伝導率をもった材料から成る一体となった板であることを特徴とする請求 項1記載の変換器。 3.該圧力保持容器の熱吸収区域は高い熱伝導率をもった材料から成る一体 となった板であり、圧力保持容器の熱放出区域は高い熱伝導率をもった材料から から成る間隔を置いて配置された平行な一体となった板であることを特徴とする 請求項2記載の変換器。 [配列] 4.二次元の平行な配列をなすように配置された複数の該圧力保持容器を含 み、圧力保持容器の熱吸収区域は1枚の板の一部として一体と なってつくられており、熱放出区域は他の板の一部として一体となってつくられ ていることを特徴とする請求項3記載の変換器。 [シリコン] 5.該熱伝導率の高い材料はシリコンであることを特徴とする請求項2記載 の変換器。 6.該熱伝導率の高い材料は炭化シリコンであることを特徴とする請求項2 記載の変換器。 [シリコンのウエファー連結構造物] 7.該シリコンの板は一平面内で一緒に連結された、積層化されエッチング された複数のシリコンウエファーから成ることを特徴とする請求項6記載の変換 器。 8.該炭化シリコンの板は一平面内で一緒に連結された、積層化されエッチ ングされた複数のシリコンウエファーから成ることを特徴とする請求項6記載の 変換器。 9.該ウエファーは融合接合法により連結されていることを特徴とする請求 項7または8記載の変換器。 10.該ウエファーは中間的なガラス・フィルムにより連結されていることを 特徴とする請求項8記載の変換器。 11.該ウエファーは中間的な金属フィルムにより連結されていることを特徴 とする請求項8記載の変換器。 [一体化された熱再生板] 12.圧力保持容器の熱再生区域は熱伝導率の低い材料から成る一体化された 板であることを特徴とする請求項1記載の変換器。 [二酸化シリコン] 13.該熱伝導率の低い材料は二酸化シリコンであることを特徴とする請求項 12記載の変換器。 [二酸化シリコンのウエファーの連結構造物] 14.該二酸化シリコン板は一平面内で一緒に連結された、積層化されエッチ ングされ且つ酸化された複数のシリコンウエファーから成ることを特徴とする請 求項13記載の変換器。 15.該ウエファーは融合接合法により連結されていることを特徴とする請求 項14記載の変換器。 16.該ウエファーは中間的なガラス・フィルムにより連結されていることを 特徴とする請求項14記載の変換器。 17.該ウエファーは中間的な金属フィルムにより連結されていることを特徴 とする請求項14記載の変換器。 [変換器連結構造物] 18.一体化された熱吸収板、熱再生板および熱放出板が互いに連結されて一 体化された構造物になっていることを特徴とする請求項3記載の変換器。 19.該ウエファーはシリコンの融合接合法により連結されていることを特徴 とする請求項18記載の変換器。 20.該ウエファーは中間的なガラス・フィルムにより連結されていることを 特徴とする請求項18記載の変換器。 21.該ウエファーは中間的な金属フィルムにより連結されていることを特徴 とする請求項18記載の変換器。 [装着] [ベータ形の自由ピストン型スターリング・エンジン] 22.(a)熱エネルギー源が圧力保持容器の高温の熱吸収区域に熱的に連結 され、 (b)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体(boss mass)の中で熱再生器をつくる一体化 された本体、および作業流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換 器の他の部材に連結する作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱機 械的変換器のための高温再生排気子が、圧力保持容器の高温の熱吸収区域と該圧 力保持容器の熱放出区域との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間で 作業流体が交互に輸送される際作業流体を再生的に加熱および冷却するように動 作し、 (c)圧力保持容器の熱放出区域は作業流体を交互に圧縮しまた膨張させるピ ストンを含み、 (d)該ピストンから負荷に対してエネルギーを運ぶリンク機構が存在し、該 変換器を負荷を駆動するエンジンとして動作させることを特徴とする請求項2ま たは3記載の変換器。 23.該負荷は流体ポンプであることを特徴とする請求項22記載の変換器。 24.熱エネルギー源は圧力保持容器の高温の熱吸収区域の外側にある電気抵 抗体のフィルムであることを特徴とする請求項22記載の変換器。 25.熱エネルギー源は圧力保持容器の高温の熱吸収区域に近い方の熱再生器 の端にある電気抵抗体のフィルムであることを特徴とする請求項22記載の変換 器。 [ベータ形の自由ピストン型スターリング熱ポンプ] 26.(a)熱エネルギー源が圧力保持容器の低温の熱吸収区域に熱的に連結 され、 (b)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換器の他の部材に連結する 作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱機械的変換器のための低温 再生排気子が、圧力保持容器の低温の熱吸収区域と該圧力保持容器の熱放出区域 との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間で作業流体が交互に輸送さ れる際、作業流体を再生的に加熱および冷却するように動作し、 (c)圧力保持容器の熱放出区域は作業流体を交互に圧縮しまた膨張させるピ ストンを含み、 (d)該ピストンから動力装置に対してエネルギーを運ぶリンク機構が存在し 、該変換器を圧力保持容器の低温の熱吸収区域の温度を下げるクーラーとして動 作させることを特徴とする請求項2または3記載の変換器。 27.該動力装置は電動機であることを特徴とする請求項26記載の変換器。 [ベータ形の2重自由ピストン型スターリング・クーラー] 28.(a)熱エネルギー源が圧力保持容器の高温の熱吸収区域に熱的に連結 され、 (b)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変 換器の他の部材に連結する作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱 機械的変換器のための高温再生排気子が、圧力保持容器の低温の熱吸収区域と該 圧力保持容器の熱放出区域との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間 で作業流体が交互に輸送される際、作業流体を再生的に加熱および冷却するよう に動作し、 (c)圧力保持容器の熱放出区域は作業流体を交互に圧縮しまた膨張させるピ ストンを含み、 (d)該ピストンから負荷に対してエネルギーを運ぶリンク機構が存在し、該 変換器を負荷を駆動するエンジンとして動作させ、ここで該負荷は請求項101 または102または103記載の第2の変換器であって、該第2の変換器は i)熱エネルギー源が圧力保持容器の低温の熱吸収区域に熱的に連結され、 ii)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換器の他の部材に連結する 作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱機械的変換器のための低温 再生排気子が、圧力保持容器の低温の熱吸収区域と該圧力保持容器の熱放出区域 との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間で作業流体が交互に輸送さ れる際、作業流体を再生的に加熱および冷却するように動作し、 iii)圧力保持容器の熱放出区域は作業流体を交互に圧縮しまた膨張させる ピストンを含み、 iv)該ピストンからエンジンに対してエネルギーを運ぶリンク機構 が存在し、該変換器を圧力保持容器の低温の熱吸収区域の温度を下げるクーラー として動作させる変換器であることを特徴とする請求項2または3記載の変換器 。 [自由ピストン・ヴュリュマイヤー熱ポンプ] 29.(a)熱エネルギー源が圧力保持容器の高温の熱吸収区域に熱的に連結 され、 (b)熱エネルギー源が圧力保持容器の低温の熱吸収区域に熱的に連結され、 (c)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換器の他の部材に連結する 作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱機械的変換器のための高温 再生排気子が、圧力保持容器の高温の熱吸収区域と該圧力保持容器の熱放出区域 との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間で作業流体が交互に輸送さ れる際、作業流体を再生的に加熱および冷却するように動作し、 (d)熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換器の他の部材に連結する 作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成る熱機械的変換器のための低温 再生排気子が、圧力保持容器の低温の熱吸収区域と該圧力保持容器の熱放出区域 との間に配置され、該熱吸収区域と熱放出区域との間で作業流体が交互に輸送さ れる際、作業流体を再生的に加熱および冷却するように動作することを特徴とす る請求項 2または3記載の変換器。 [再生排気子] 30.熱再生器を通して作業流体を交互に輸送するように往復運動する作業流 体の排気子のボス質量体の中で熱再生器をつくる一体化された本体、および作業 流体の排気子を支え該作業流体の排気子を熱機械的変換器の他の部材に連結する 作業流体の排気子を取り囲む壁の網状構造から成ることを特徴とする熱機械的変 換器のための再生排気子。 31.一体化された本体は熱伝導率の低い材料から成ることを特徴とする請求 項30記載の再生排気子。 [二酸化シリコン] 32.該熱伝導率の低い材料は二酸化シリコンであることを特徴とする請求項 31記載の変換器。 [排気子] 33.作業流体の排気子は中央がボス質量体に、周辺部が壁に連結された複数 の平行な軸方向に間隔を置いて配置された環状の隔膜から成ることを特徴とする 請求項30記載の再生排気子。 34.該環状の隔膜が平らなシートであることを特徴とする請求項33記載の 作業流体排気子。 35.該環状の隔膜が環状の波状突起であることを特徴とする請求項33記載 の作業流体排気子。 [再生器] 36.中央のボス質量体は再生器を構成し該再生器を通り作業流体を軸方向に 流す経路を与える連続的に連結された空隙を有する軸方向の孔開きマトリックス から成ることを特徴とする請求項33記載の再生排気 子。 37.該孔開きマトリックスは断面のアスペクト比が実質的に8より大きい壁 の間の通路を規定する複数の平行な間隔を置いて配置された壁から成ることを特 徴とする請求項34記載の再生排気子。 [共鳴] 38.該排気子はそれが一部を構成する熱機械的変換器の実質的な動作周波数 において機械的に共鳴していることを特徴とする請求項33記載の再生排気子。 39.壁が変換器の作業空間を規定し、該作業空間は該排気子に作用する特性 バネ定数をもつガスのバネであり、排気子のボス質量体および排気子の隔膜のバ ネ定数はガスのバネ定数と共に、排気子が実質的な変換器の動作周波数において 共鳴するように選ばれることを特徴とする請求項38記載の再生排気子。 [圧力保持容器] 40.該壁は小室の網状構造から成っていることを特徴とする請求項30記載 の再生排気子。 41.小室の網状構造は密封された圧力保持容器をつくっていることを特徴と する請求項40記載の再生排気子。 42.該小室の網状構造の少なくともいくつかは真空に引かれていることを特 徴とする請求項40記載の再生排気子。 43.再生器の横方向の表面は密封された圧力保持容器をつくっていることを 特徴とする請求項30記載に再生排気子。 [熱機械的変換器の製造法] 44.(a)シリコンのウエファーの選ばれた部分をエッチングによ り除去し、一体化された熱吸収板の中に統合された複数の熱吸収区域をつくり、 (b)シリコンのウエファーの選ばれた部分をエッチングにより除去し、一体 化された熱放出板の中に統合された複数の熱放出区域をつくり、 (c)複数の一体化された再生排気子成分を有する統合された再生排気子板を つくり、 (d)熱吸収板と熱放出板との間に該再生排気子板を配置し、位置合わせをを 行い、連結して複数の一体化された熱機械的変換器から成る統合された構造物を 作ることを特徴とする熱機械的変換器の製造法。 45.さらに、選ばれた変換器の間で統合された構造物を分離し、変換器の配 列を作ることを特徴とする請求項44記載の方法。 46.さらに、選ばれた変換器の間で統合された構造物を分離し、複数の個別 的な変換器を作ることを特徴とする請求項44記載の方法。 [再生排気子の製造法] 47.(a)シリコンのウエファーの選ばれた部分をエッチングにより除去し て複数の再生器のフィン、排気子のフィンに取り付けられた排気子の隔膜、およ び該隔膜を取り囲む壁をつくり、 (b)エッチングをして得られたウエファーを酸化し、 (c)エッチングし酸化して得られたウエファーを一平面内において位置合わ せを行い、このような機素の複数から成る統合された構造物を作ることを特徴と する熱伝導率が低い材料の統合された板として複数の集積された再生排気子を製 造する方法。
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