JPH11502083A - 線形多出力光伝送システム - Google Patents

線形多出力光伝送システム

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JPH11502083A
JPH11502083A JP8527741A JP52774196A JPH11502083A JP H11502083 A JPH11502083 A JP H11502083A JP 8527741 A JP8527741 A JP 8527741A JP 52774196 A JP52774196 A JP 52774196A JP H11502083 A JPH11502083 A JP H11502083A
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ヌーナン,マイケル・ジエイ
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フアイバー・オプテイツク・ネツトワーク・ソリユーシヨンズ・コーポレーシヨン
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Abstract

(57)【要約】 高忠実性、多出力光伝送システムが、高パワー持続波YAGレーザー、マルチポートスプリッター、及び線形化外部変調器を使用して、構成される。持続波レーザー、パワー分割、及びカプラーと組み合わせた電気光変調器設計は、改良二次及び三次歪み特性を有する多重オクターブ帯域幅送信器を達成する。システムは、伝送信頼性の向上のための全冗長性を有する帯域幅増倍を有効に設ける、多重の個別変調された送信器出力を含む。

Description

【発明の詳細な説明】 線形多出力光伝送システム 関連出願 この出願は、1995年3月6日に提出された米国出願No.08/398、 987の一部継続である、1995年11月28日に提出された米国出願No. 08/563、678の一部継続であり、両出願は、ここで全体として参照され た。 発明の背景 有線テレビ(CATV)産業は、現在、光ファイバー伝送と同軸ケーブルを組 み合わせるネットワーク上で映像信号を伝送する。典型的なネットワーク・アー キテクチャーにおいて、多数の供給源からのベースバンド映像信号は、振幅変調 された残留側波帯映像副搬送波(AM−VSB)として特定RF周波数へ結合さ れ、それから、ヘッドエンドにおいて位置するレーザー送信器へ変調される。C ATV応用に対して使用された光ファイバー伝送方式は、今日、内部変調された ダイオードレーザーを使用する。内部変調は、ダイオードレーザーへの駆動電流 を変化させ、おおよそ10mWの出力パワーを発生させる。一般に、10mW出 力は、3又は4つの出力へ光学的に分割され、第1図に示された如く、3又は4 ノードへのき線ケーブル設備へファイバーで分配される。各ノードは、光信号を 電気信号に変換し、電気信号は、さらに、標準木及び分枝同軸ケーブル網で分配 され、ノード当り約500家庭に到達する。このネットワーク・アーキテクチャ ーは、1500〜2000家庭に単一レーザー送信器の帯域幅を有効に分割し、 こうして、家庭当りの帯域幅を限定 する。 高有料視聴、対話型映像、ビデオ・オンデマンドの如く新サービスを提供する 帯域幅に対する需要の増大は、ノード当り非常に多数のチャンネルを必要とする 。望ましいネットワーク・アーキテクチャーは、次の特性を含む。 ・ 低費用 ・ 目標市場を扱う能力。 ・ 双方向対話型映像サービスのために構成できること ・ 高信頼性。 これら多様な目的を収容する光ファイバー伝送方式における一層の改良の必要 が、絶えず存在する。 発明の要約 各個別加入者を目標にする能力を有する完全対話型アーキテクチャーは、加入 者当り少なくとも一つの専用映像チャンネルを必要とする。専用2mW内部変調 レーザー送信器を使用することができるが、大帯域幅を収容するために必要な多 数の内部変調2mWレーザーは、ひどく高価であるために、これは、加入者当り の費用を増大させる。本発明は、多重オクターブ帯域幅増倍を有する線形多出力 光伝送システムを提供する。発明によって提供された解法は、全帯域幅を伝送可 能にし、その結果、加入者当りの帯域幅は、増大される。システムは、高エネル ギー源の光分割、外部変調、前置補償、及びマルチチップ作製技術を利用し、個 人通信網、電話システム、コンピュータ及び/又は会話型通信網、有線テレビの 如く、光ファイバー通信システムにおいて使用される二次及び三次ひずみ特性を 最小化した多重送信器を提供する。 本発明に対する変調方式への接近方法は、広帯域幅でのひずみを最小化する一 方、多重伝送システムを提供することである。二次及び三次ひずみ積を最小化す るために、発明は、デュアル並列進行波マッハツェンダ干渉計を具備するマルチ チップモジュール配置を使用する。デュアル並列マッハツェンダ変調器は、前置 補償整形を設けるフィードフォワード増幅器設計を有する共配置されたマルチチ ップ電子駆動回路と組み合わされ、二次及び三次ひずみ残余を最小にし、性能を 高める。 従って、二次及び三次ひずみ積を縮小した光伝送システムが、提供され、光搬 送信号を生成するために、約50〜500mWの出力パワー範囲を有し、好まし くは、約100〜350mWの範囲を有する持続波レーザー源(例えば、300 mW YAGレーザー)と、複数のスプリッター出力に光搬送信号を分割するた めに、レーザー源に結合された光スプリッターと、それぞれのスプリッター出力 に結合された複数の送信器とを含む。高パワーレーザー源はまた、少なくとも1 00mW、好ましくは、200mWよりも上の所望の範囲内の光出力を設けるた めの光増幅器を含む。約1320nm又は約1550nmにおいて動作する光増 幅器はまた、長距離での信号を増幅するために、遠隔ノードにおいて使用される 。 各送信器は、単一ニオブ酸リチウム基板において変調器ドライバー、一次及び 二次外部変調器、及びコンバイナを形成してなる。好ましい実施態様において、 一次及び二次外部変調器は、マッハツェンダ変調器である。変調器ドライバーは 、一次及び二次駆動信号を生成し、この場合、一次駆動信号は、基準化及び反転 され、二次駆動信号を生成する。一次外部変調器は、光搬送信号の第1部分を受 信し、一次駆動信号で搬送波 を変調し、第1変調信号を生成する。二次外部変調器は、光搬送信号の第2部分 を受信し、二次駆動信号で搬送波を生成し、第2変調信号を生成する。コンバイ ナは、第1変調信号と第2変調信号を重ね合わせ、線形化送信器出力信号を生成 する。 発明の別の見地により、システムは、さらに、第2持続波レーザー源と、待機 システムとして役立つ、活動レーザー源と第2レーザー源を切り換えるための光 スイッチとを具備する。 本発明の一層の見地により、変調器ドライバーは、前置補償機能に従い、一次 及び二次駆動信号を生成し、外部変調器によって生成された二次積を補償する。 発明のさらに別の見地により、システムは、さらに、を具備する二次及び三次 ひずみ積を検出し、そのような歪み積を補償するための補正信号を発生するため に、コンバイナ出力に結合された比検出器を具備する。 発明のさらに別の見地により、外部変調器と、駆動信号を前置補償するための 歪み網を有する変調ドライバーとを具備する送信器は、変調器のバイアス入力に 結合された監視信号を含む。監視用受光器に結合された第1及び第2補正回路は 、監視信号のひずみを監視することにより、変調器においてそれぞれ奇偶のひず みを指示する第1及び第2の誤差信号を発生する。第1誤差信号は、変調器バイ アス入力に結合され、光バイアス点の周りでバイアスを維持する。第2誤差信号 は、バイアスプロセッサーに結合され、歪み網の非直線ひずみを調整する。 構造及び部品の組合せの多様な新規の詳細を含む、発明の上記及び他の特徴及 び利点は、以下で、添付の図面を参照してさらに詳細に記載され、クレームにお いて指摘される。発明を具現する特定の光伝送システ ムは、実例として示され、発明を限定するものではないことが理解される。 図面の簡単な説明 第1図は、先行技術CATV分散配置の表現図である。 第2A図は、本発明の好ましい実施態様の概略ブロック図である。 第2B図は、第2A図のシステムにおいて使用される不等パワースプリッター 配置のブロック図である。 第2C図は、液晶偏光子が使用される可変パワースプリッター配置のブロック 図である。 第3図は、第2A図におけるシステムの外部変調ブロックのブロック図である 。 第4a〜4c図は、第3図における外部変調ブロックによって達成されたひず み消去を概略的に示すグラフである。 第5図は、外部変調器の伝達関数を概略的に示すグラフである。 第6図は、第2A図におけるシステムのRF変調器ドライバーブロックのブロ ック図である。 第7図は、第6図における変調器ドライバーブロックのRF変調器駆動回路の 概略ブロック図である。 第8図は、本発明を使用するネットワークトポロジーを例証する。 第9図は、個人通信網における発明の使用を例証する。 第10図は、発明によるマルチチップモジュールを製作するためのプロセス流 れ図である。 第11図は、第3図の外部変調ブロックの区分を例証する。 第12図は、第2A図のシステムのための代替RF変調器ドライバー のブロック図である。 第13図は、本発明の別の好ましい実施態様の概略ブロック図である。 第14図は、第13図の歪み網として使用される並列ダイオード構成の概略的 回線図である。 第15図は、第13図の歪み網において使用されるマルチチップダイオードレ イアウトの構成を図示する。 第16図は、第13図の実施態様において使用される自動バイアス制御回路の 概略ブロック図である。 第17a図は、本発明を具体化するラック取付け可能モジュールの頂面図であ る。 第17b図は、第17a図のモジュールの側面図である。 第18図は、本発明を具体化するシステム構成の正面図である。 第19図は、上り伝送のためのCATVネットワークにおける発明の使用を例 証する。 第20図は、マルチモードレーザー源によって設けられた多重波長が別々に変 調される実施態様のブロック図である。 発明の詳細な説明 本発明は、多重オクターブ帯域幅増倍による線形多出力光伝送システムを提供 する。システムは、光分割、外部変調、前置補償及びマルチチップ作製技術を利 用す、二次及び三次ひずみ特性を最小化した多重送信器を提供する。 第2A図を参照すると、本発明の好ましい実施態様が、示される。持続波(C W)レーザー源12は、光分割スプリッター18の入力17に光スイッチ16を 通して結合される。光スプリッター18は、1×N偏 波面保存平面光導波路であり、好ましい実施態様において、N=32の個別出力 を設けるように構成される。他の実施態様において、N=16、又は応用による 別の数の出力を設ける。N=32に対して、1〜32の出力20a〜20nが、 個別に変調された送信器22a〜22nに結合される。送信器22a〜22nは 、総数32のデュアルチャンネル又は64の個別出力に対して、デュアル出力3 2a、32n〜34a、34nを設ける。こうして、システム10は、単一cw レーザー源12の光搬送信号S1を分割及び変調し、最大64の下流レシーバノ ードに供給する。 待機cwレーザー源14は、光スイッチ16に光学的に結合され、システムに 対して待機レーザー源を設ける。cwレーザー源12と14の各々は、好ましく は、300mWイットリウムアルミニウムガーネット(YAG)レーザーである 。線15の光信号は、線36を通して結合された光検出器37によって監視され る。活動レーザー源12からのパワーが最小しきい値レベルよりも下降する場合 に、光スイッチ16は、許可信号39を介して切り換えられ、待機レーザー源1 4を線15における使用に切り換える。 送信器22aは、外部変調ブロック24a、RF変調器ドライバーブロック3 0a、及び比検出器35aを含み、これらの各々は、以下でさらに記載される。 外部変調ブロック24aは、並列構成におけるデュアル外部変調器26a、28 aを含む。外部変調器26a、28aは、RF変調器ドライバーブロック30a によって並列に駆動される。比検出器35aは、歪み積を検波し、それに応答し て補正信号を生成し、RF変調器ドライバーブロック30aに入力する。 光スプリッター18は、N個の個別出力20a〜20nの間で等パワー分割を 設ける。CATVネットワーク・アーキテクチャーは、ネットワークノードに通 ずる個々の伝送路で異なる経路損失予算を有する。本発明のシステムは、不等パ ワー出力の範囲を設けるように構成される。一実施態様において、光スプリッタ ー18は、第2B図において示された不等パワースプリッター18’と置き換え られる。 スプリッター18’は、レーザー源12からの光パワーの異なる割合を送信器 22a〜22nに結合するために、種々の分割比の組合せを有する。例えば、ス プリッター出力20a’は、光パワーの5%を収容し、出力20b’は、10% を収容し、そして出力20n’は、出力パワーの20%を収容する。残余出力は 、さらに異なるパーセントの分割比に応じてパワーを収容する。これらのパーセ ントは、例として与えられ、決して発明を限定するものではない。 別の接近方法において、電子パワーコントローラが、多重送信器に可変パワー を供給するために使用される。電子パワーコントローラは、プリズムと組み合わ せて分極を変化させるためのバイアス制御を含むツイステッドネマチック液晶偏 光子である。第2C図は、レーザー源12の出力17に結合された液晶偏光子2 1a〜21nを含む可変スプリッター配置18"を有する本発明のシステムを示 す。液晶偏光子は、マイクロコントローラに結合されたバイアス制御19a〜1 9nを含み、出力に結合された送信器22へのパワー分割を制御する。この配置 では、偏光子分割比は、所与のネットワーク分布レイアウトに対して必要なパワ ーを設ける値に遠隔的にプログラムされる。ツイステッドネマチック液晶偏光子 21a〜21nは、例えば、米国特許No.4、917、45 2において開示された形式であり、この内容は、ここで参照された。 第3図を参照すると、外部変調ブロック24aが、詳細に示される。光スプリ ッター18(第2A図)からの出力経路20aにおける光搬送信号は、経路66 が信号の80%を搬送し、経路68が20%を搬送する如く、経路66と68に 光信号を比例分割する比例カプラ64に結合される。経路66と68における比 例出力は、デュアル外部変調器26a、28aの入力63、65にそれぞれ結合 される。 デュアル外部変調器26a、28aは、好ましくは、マッハツェンダ干渉計で ある。外部変調器26aは、中心電極54と外側電極52、56を含む個別制御 部分を有する。外部変調器26aのデュアル導波路72は、電極の間の空間にお いて配設される。外部変調器28aは、中心電極60、外側電極58、62及び デュアル導波路74と同様に構成される。外部変調器の外側電極52、56、5 8、62は、大地電位に結合される。外部変調器26aの中心電極54は、RF 変調器ドライバーブロック30aからの主駆動信号に接続される(第2A図)。 外部変調器28aの中心電極60は、RF変調器ドライバーブロック30aから の基準化反転駆動信号に接続される(第2A図)。それぞれのマッハツェンダ変 調器26a、28aの変調出力67、69は、コンバイナ70において重ね合わ され、合成デュアル出力32a、34aを生成する。 外部変調についての先行の研究は、単一オクターブ帯域幅と単一周波数におけ る特別の応用に集中された。最近、サブオクターブ帯域幅直列変調器構成におけ る雑音指数に集中されたデュアル変調器を用いる研究があり、この場合、二次歪 みは問題ではなく、信号対雑音改良が取り組まれる。 デュアル並列変調の接近方法は、Korotky他、”Dual Paral lel Modulation Schemes for Low−Disto rtion Analog Optical Transmission"、I EEE Journal Selected Areas in Commun ications、Vol.8、No.7、1990年9月において記載される 。デュアル並列変調は、一次変調器によって生じたひずみを取り消すために、二 次変調器によって生成されたひずみを用いることにより、線形化を達成する。本 発明は、一次及び二次変調器信号の間に直角位相を維持するために、2つの変調 器出力経路のいずれにおいても付加的な位相変調を必要とすることなく、コヒー レントなデュアル並列線形化を設けることにより、公知のデュアル並列線形化機 構を改良する。 好ましい実施態様において、外部変調器26a、28aは、一次及び二次変調 器としてそれぞれ機能し、第4a〜4c図に示された如く、出力32a、34a において生じた変調光信号における三次成分の取り消しを達成する。基本波は、 小さなパワー損失を生ずるが、これは、実際的な実現である。一次及び二次変調 器信号の間に直角位相を維持するために、2つの変調器出力経路のいずれかにお ける付加的な位相変調の必要は、非常に制御された写真製版プロセスと拡散を有 する単一ニオブ酸リチウムダイを製作するために利用された処理技術によって、 本発明の機構において除去される。初期チタン拡散相に続いて、湿式酸素浴にお いて低温でこのマルチチップダイを焼なましするプロセスは、装置を安定化させ る。この安定化プロセスは、実際に、操作環境における相変化を除去する。外部 変調器は、正弦伝達関数を有し、変調出力信号におい て二次及び三次ひずみ積を生ずる。伝達関数は、第5図に例示される。直角位相 点、即ち、π/2のDCバイアスにおける変調器の動作は、偶数次歪み積を除去 する。しかし、実際、完全対称な正弦関数は、達成されない。正弦波対称性の欠 如は、動作帯域幅で二次剰余を生成する。 マッハツェンダ変調器26a、28aは、各々、直角位相点π/2において動 作される。それぞれの直角位相点において変調器26a、28aを維持すること は、RF変調器ドライバーブロック30aと組み合わせて比検出器35aによっ て達成される(第2A図)。比検出器35aは、二次及び三次ひずみを監視し、 変調器ドライバーブロック30aへのフィードバック補正信号を生成し、以下に さらに議論される如く、変調曲線においてDCバイアスを再び位置付ける。比検 出器35aは、出力信号34aの小部分(例えば、5%)を受光器に結合する。 受光器によって検出された信号は、フィードバック補正信号を生成するために使 用される。 比検出器35aの理論は、外部変調ブロック24aへの光場信号入力が、 Ein=Acoswt Eout=Acos[wt−w/c(no−n03/2rEmsinwmt)l] の如く変化することに最初に注目することにより理解される。ここで、lは、ニ オブ酸リチウム結晶を通った光路長である。 Eout=Acos[wt+δsinwmt] と書き直される。ここで、δは、位相変調指数であり、 δ=wn0 3rEml/2c=πn0 3rEml/λである。ベッセル関数同 一性を用いて、 cos(δsinwmt)=Jo(δ)+2J2(δ)coswmt... sin(δsinwmt)=2J1(δ)sinwmt+2J3(δ)sin3wm t Eout=A[J0(δ)coswt+J1(δ)cos(w+wm)t−J1(δ) cos(w−wm)t+J2(δ)cos(w+2wm)t]と書き換えられる。 J2/J1の比率を検出し、フィードバック補正信号を生成すると、二次歪みを 補償することができる。さらに、J3/J1の比率は、π/2においてDCバイア スを保持するための補正信号を生成するために使用される。 一般産業標準は、運用CATV分散システムにおける全歪み積が、個々の加入 者によって予期された忠実度を満たすために、全帯域幅で−60dbよりも下に 維持されることを必要とする。多重オクターブ帯域幅で振幅変調を制限する因子 は、ドライバー電子回路の雑音指数、動的範囲及び帯域幅である。外部光変調器 は、非常に大きな変調帯域幅を有するために、マルチチップRF変調器駆動回路 構成が、第6図に示された如く、多重オクターブ帯域幅での性能を満たすために 使用される。マルチチップ変調方式で可能な広帯域幅を覆うために、個々のRF 変調器駆動回路100が、受動広帯域等化器コンバイナ102に結合される。等 化器コンバイナ102は、単一出力31aから光変調器を駆動する。好ましい実 施態様において、個々のRF変調器駆動回路100は、5MHz〜1GHz、1 GHz〜2.5GHz、2.5GHz〜5GHz、及び5GHz〜10GHzの 4つの帯域に分割される。これらの帯域は、 例示の目的のみのために注目され、本発明を限定するものではない。等化器コン バイナ102は、直列の低域フィルター104と並列の高域フィルター106の 構成を具備する。 第7図は、RF変調器ドライバーブロック30aのRF変調器駆動回路100 を示す。RF変調器駆動回路100は、フィードフォワード取り消しを使用する 。フィードフォワード取り消しは、無歪み入力信号のサンプルを反転させ、入力 信号と幹線路増幅器自体内で生成された歪み積の両方を含む幹線路増幅器出力の 信号にそれを加算する。合成出力は、高線形ひずみ増幅器A4によって反転増幅 され、歪み積を取り消すためにベクトル的に結合する幹線路増幅器出力信号と直 線的に合計される。 RF変調器駆動回路100のより多くの詳細を提供するために、第7図を参照 すると、ベースバンド入力信号105は、入力減衰器R1を用いて、レベル設定 される。入力信号105へのレベルは、ダウンコンバージョンされた信号からの 外部源から供給される。減衰器R1は、内部増幅器が内部ひずみを発生する飽和 レベルに接近する点よりも入力レベルが低いことを保証する。入力信号105は 、増幅器A1、A2とMAIN LINE増幅器A3を通して増幅され、相互に 関して180度位相がずれた出力信号108a、108bを生成する。出力信号 108a、108bは、外部変調ブロック24aにおいて光搬送信号を変調する RF入力を設ける(第2A図)。 RF駆動信号におけるひずみは、ひずみ検出器ダイオードD1によって検出さ れる。ひずみ信号は、MAIN LINE増幅器A3にカプラX1を通して結合 され、ひずみ成分180は、電圧変動移相器PSによりAUX LINEにおい てカプラX1を通して同時に結合された信号 に関して180度位相がずれる。MAIN LINEにおいてひずみを有する信 号の部分は、180度位相はずれにおいてカプラX2、X3を通して結合され、 AUX LINE信号に加算される。この組合せ信号は、ひずみ増幅器A4によ って増幅され、カプラX5、X4を通して、180度の移相においてMAIN LINE信号に結合される。 さらに、トーン源110は、MAIN LINE増幅器A3を通してRF駆動 回路に結合され、比検出器35aを通して外部変調ブロック24aにおけるひず みを検出する目的のために、トーン信号を供給する(第2A図と第3図)。好ま しくは、運用帯域幅外の周波数、例えば、50MHzよりも低い周波数における トーン信号は、RF駆動と比例し、下記の如く、歪み側波帯を生成する。比検出 器35a(第2A図)からの出力38aaは、増幅器A2へ入力され、二次歪み を補正する。比検出器35aからの出力38abは、増幅器A5へ入力され、直 角位相点が維持される如く、外部変調ブロック24aへのDCバイアスを補正す る。増幅器A5の出力は、低域フィルタF1を通過し、電圧変動減衰器R2に給 電する。 演算増幅器A5とA6は、AGC補正ループのための総和接合部を形成する。 この接合部は、増幅器からの誤差フィードバックと光変調を加算する。二次ルー プであるAGCループは、増幅器A5とA6を通して確立され、移相器PSと減 衰器R2を通して閉じられる。フィルターF1とF2は、ループ応答のための雑 音排除及び時間帯域幅積を確立するループ回数制約を設定する。歪み補正及びD Cバイアスは、AGCループを通して維持される。増幅器へのDCバイアスは、 バッファに入れられ、増幅器A7を通して基準化され、光変調器に送られ、変調 曲線にお いてπ/2バイアス条件を維持する。 本発明の線形多出力光伝送システムは、非常に多数の送信器を一つの高パワー レーザーから駆動することを可能にする。第8図を参照すると、本発明のシステ ム10がヘッドエンド地点200において位置するレイアウトが、例示される。 各個別被変調送信器は、それぞれ光ファイバー201、203により冗長出力3 2a、34aを有する単一ノード202を支持する。さらに、ノード202は、 デイジー・チェーン204を通して連結され、一層の冗長性を設ける。この冗長 な構成は、ネットワーク信頼性と加入者帯域幅を増大させる。代替的に、冗長出 力32a、34aは、各々、単一ノードを支持し、これにより、扱われた加入者 の数を増大させる。好ましい実施態様において、32の冗長ノード又は64の個 別ノードが、こうして支持される。本発明を使用するいずれの構成でも、サービ ス提供業者は、同一ケーブル設備でより多くのサービスを分配し、送信器費用は 、今日の費用よりもずっと低い。 本発明の範囲は、RF変調が、例えば、両側波帯直交振幅変調(QAM)と多 重振幅残留側波帯(VSB)変調等のディジタルTV伝送のために適切なディジ タル変調技術の一つである実施態様を含むことに注目することは重要である。そ のようなディジタル変調は、ここで記載されたマッハツェンダ変調器26a、2 8aの代わりに適切なディジタル外部変調器を用いることにより、第2A図の好 ましい実施態様において適応される。 本通信網のほかに、本発明の送信器システムは、新生する個人通信網(PCN )を取り扱うために適切である。PCNは、2GHzと4GHzにおいて動作す るように構成された無線網である。PCN伝送のため に有利な方法は、スペクトル拡散技術を使用し、これにより、広周波数範囲を有 する非常に低いパワーのRF信号が、送信される。この機構での動作に対して重 大な欠点がある。まず、高搬送周波数(例えば、2GHz)は、障害物を透過す ることができず、代わりに吸収される。こうして、PCN伝送は、視程である。 第2に、スペクトル拡散は、広帯域幅を必要とする。 PCNの比較的大きな帯域幅と高周波数は、本発明のために適切である。第9 図を参照すると、本発明のシステム10がセル地点300において位置するレイ アウトが、概略的に例示される。障害物308、例えば、建物は、別のセル地点 320からセル地点300を分離する。システム10の電子ドライバーと光変調 器の多重オクターブ帯域幅能力は、RF受信器310からのRF入力信号により 、直接変調を可能にする。システム10からの出力は、光ファイバケーブル31 2を介して視線障害物308を通して搬送され、セル地点320において受信さ れ、再送信される。信号は、受光器314によって受信され、RF送信器316 によって再送信される。この配置における本発明の利点は、それぞれのセル地点 300、320におけるダウンコンバージョンとアップコンバージョンが除去さ れることである。 送信器システムの重要な特徴は、そのモジュール実装である。モジュール化構 成は、構成部分の個別検査とアクセスと交換の容易さを可能にし、システムは、 操作環境において産業によって必要とされる性能及び大きさ上の制約を満たすこ とができる。特に、各ドライバーと変調器は、共通モジュール本体において搭載 される。こうして、好ましい実施態様において、全送信器組立体は、32のデュ アル又は64の単一送信器を、 今日存在する等価の送信器よりも2桁分小さい領域において実装してなる。例え ば、送信器組立体は、14インチパネルにおいて据付けられるが、現技術による 等価伝送システムは、3つの全84インチラックを占有する。 上記の如く、送信器モジュールは、マルチチップ電子ドライバーとデュアル並 列マルチチップ変調器を含む。デュアル並列マルチチップ変調器は、基本フェー ズ及び伝搬遅延パラメータの制御を保証するニオブ酸リチウムの単一基板におい て製作される。第3図を再び参照すると、外部変調ブロック24aは、マルチチ ップ構成を形成するために、共通ニオブ酸リチウム基板上に製作される。デュア ルチップは、全環境範囲で小さい膨張特性係数を有するKovar又はセラミッ クパッケージにおいて実装される。線路長及び幅は、性能のために決定的なフェ ーズと振幅を維持するように制御される。マッハツェンダ変調器26aと28a は、進行波干渉計であり、低駆動電圧、例えば、50オームへの+/−1.5ボ ルトを許容するという利点を提供する。これは、上記のRF変調器駆動回路構成 における負荷を縮小する。光変調器と光デバイダは、同様の処理技術−蒸着、分 子線エピタキシ、拡散、及び浴金属乾式食刻を使用する。完成したパッケージは 、電気光学マルチチップモジュールにおいて構成された平面導波路デバイダ、変 調器、及び電子ドライバーを含む。 ドライバーは、低誘電体キャリヤとして共通テフロンガラス基板上に搭載した チップにおいて形成される。この構成は、差動伝搬遅延を除去し、入力及び出力 インピーダンスを変調器に整合させる。マルチチップ技術は、基板上に搭載され 、堆積及び光学リソグラフィープロセスを用 いて適用された導体によって相互連結された非実装集積回路を使用する。ニオブ 酸リチウム光変調器の入力変調帯域幅は、10GHz以上である。この装置への RF電気駆動の供給は、幾つかの技術の詳しい検討を必要とする。下端帯域は、 シリコン装置とテフロンガラス基板を必要とする。ガリウム砒素デバイスとマイ クロ・ストリップ伝送線路が、高端において使用される。このため、5MHz〜 10GHzの周波数の範囲で性能を達成する鍵の一つは、各範囲に対するモジュ ール化マルチチップ構成である。別の重要な成分は、パス長と差動伝搬遅延が、 「キャリヤにおける埋め込みチップ」の接近方法を使用することにより、最小化 されることである。埋め込みマルチチップ設計は、光学リソグラフィープロセス を使用し、整合構造を設ける正確な線路幅及び長さを創成する。活動シリコン構 成部分でなされた低帯域幅構成におけるカプラと遅延線は、キャリアとして実現 された集中定数及び低誘電体テフロンガラス基板から形成される。 第10図は、発明によるマルチチップモジュールを製作するプロセスを図示す る。この特別の応用において、高及び低周波数ドライバー350、352が、そ れぞれ、ガリウムひ素及びシリコンウェーハ上に別々に作製される。変調器要素 354もまた、別々に作製され、これらのすべての要素は、356において共通 モジュール本体に搭載される。光及び電気相互接続が、選択された線路幅及び長 さパラメータを用いて、モジュール要素の間に形成され、改良動作特性を設ける 。 ここで記載された如く、第3図に示された好ましい実施態様の外部変調ブロッ ク24aは、比例カプラ64、デュアル外部変調器26a、28aとコンバイナ 70を単一基板上に形成してなる。デュアル並列変調 取り消し技術を用いて有効な線形化を達成することは、比例カプラ64とコンバ イナ70において正確な比率を必要とする。これらの分割比率を最適化するため の方法が、発見された。初期的に、外部変調ブロック24aが、第11図に示さ れた如く単一基板上に作製される。それから、デバイスは、それぞれ、線X−X と線Y−Yに沿って切断される。線X−Xは、カプラ64の出力と変調器26a 、28aへの入力を分割する。線Y−Yは、変調器26a、28aの出力とコン バイナ70の入力を分割する。これらの線に沿ってデバイスを切断した後、合成 カプラ区分64’、70’は、研磨される。それから、カプラ区分64’、70 ’は、個別に試験され、最適分割比率を達成するために、必要に応じて、付加的 後焼付又は拡散による微同調を有する。最適化カプラ区分64’、70’は、そ れから整列され、中央変調器区分に再び取り付けられる。カプラ区分は同一の原 デバイスから切断されるために、導波路は、実質的に整列されることに注意せよ 。 外部変調器に対して、帯域幅とVπで測定された変調効率は、反比例すること に注意せよ。このため、変調器設計は、対象の帯域幅に対して最適化されるべき である。例えば、5.0ボルトのVπと30Ghzの帯域幅(3dB電気帯域幅 )を有する変調器が、すでに立証された。(例えば、75Ghz Ti:LiN b03光変調器、”K.Noguchi et al.、OFC ’94 Te chnical Digest、Paper no.WB3.ページ76を参照 せよ)。このため、我々は、1ボルトのVπを有するCATVシステムに対して 、1GHzの帯域幅を有する変調器を設計した。これは、RFパワーと駆動電子 回路の費用をかなり削減した。大帯域幅上でのシステム性能を最適化する ために、第6図のドライバーに対する次の代替物がまた、第12図に示された如 く実現される。 第12図に示された配置において、RF変調器ドライバー回路370は、それ ぞれの光変調器372に結合される。第1実施態様と同様に、単一の変調器を駆 動するために、RF駆動回路出力を組み合わせる代わりに、この配置において、 RFドライバー370は、帯域幅最適化変調器372を個別に駆動する。それか ら、変調器372の出力は、光コンバイナ376を通して組み合わされる。 第13〜16図を参照すると、発明の代替態様が、以下に記載される。前記の 如く、好ましい実施態様の目的は、広帯域幅にわたって二次及び三次ひずみ積を 最小化することである。 第13図に例示された代替態様は、自動バイアス制御回路428によってバイ アス制御された電子ドライバー402によって駆動される単一の外部光変調器4 22を具備するシステム400を提供する。電子ドライバー402は、変調器4 22によって発生した三次歪みを補償するために、RF入力において前置補償機 能を実行する歪み網418を含む。持続波(cw)レーザー源420は、好まし くはマッハツェンダ変調器である、変調器422に結合される。 自動バイアス制御回路428は、変調器422からの光出力信号を監視し、バ イアス補正信号を発生し、歪み網418を制御し、直角位相点において変調器4 22を維持する。自動バイアス制御回路428は、変調器422のDCバイアス 電極429において監視トーン信号を注入する。監視トーン信号の周波数は、C ATV RF帯域幅の下限よりも下に、即ち、50MHzよりも下になるように 選択される。 第13図を参照して、ドライバー402の動作が、以下に記載される。RF入 力信号は、主増幅器406に結合される。主増幅器406の出力の部分は、RF 検出器412と帰還増幅器413を具備する帰還検出回路を通して結合され、全 RF帯域幅上で一定振幅においてRF駆動信号411を維持するために、利得制 御403へのフィードバック信号を設ける。RF入力信号の標本信号405は、 減衰器414と誤差増幅器416を通して歪み網418に適用される。以下でさ らに記載される歪み網418は、た、変調器422によって発生された非線形性 を補償する信号419の奇数次歪み積を生成する。その後、これらの歪み積は、 カプラ408によって主増幅器406の出力407と再び結合され、変調器42 2を駆動するための複合信号411を生成する。変調器422の非線形変調は、 適用された複合信号411とは逆位相の奇数次歪み積を有効に発生する。変調器 422によって発生された奇数次積の振幅は、信号419の歪み積の振幅と整合 するために、変調器422の奇数次歪みは、有効に取り消される。 負荷検出器478は、RF入力信号の部分を標本し、RF入力信号において存 在するチャンネル負荷の尺度を設ける。負荷検出器478は、能動フィルタを使 用し、チャンネル負荷を指示する周波数弁別を実行する。負荷検出器出力信号4 79は、歪み網418に対して粗バイアス最適化を生ずるように信号を処理する バイアスプロセッサー476に結合される。細密バイアス最適化は、ここでさら に記載された自動バイアス制御回路428から受信されたバイアス最適化信号4 73に基づいて、バイアスプロセッサー476によって決定される。 バイアスプロセッサー476は、Hitachi製のHD6802 MPUの如く、単一チップマイクロプロセッサーである。バイアスプロセッサー 476は、メモリにおいて索引テーブル(LUT)を記憶している。プロセッサ ーは、チャンネル負荷に基づいて、バイアスLUTをアクセスし、歪み網418 をプリセットする。細密バイアス調整は、奇数次ひずみの受光器サンプリングに 基づいてプログラムされ、モンテカルロ又は最小自乗プロセスにおいて反復プロ セスを提供し、個別ダイオードにおけるバイアスの調整により、ひずみを最小化 する。バイアスプロセッサーはまた、変調器直角位相点を微同調するために、任 意の非対称の場合に使用される。 第14図を参照すると、歪み網418において使用される並列ダイオード構成 が、示される。変調器422の非線形性を補償する逆正弦関数は、ダイオードか ら近似されることが認識された。第13図のダイオード構成は、好ましい配置で ある。歪み網418は、第1列のダイオード430を、第2列のダイオード43 2に逆並列の様式において結合してなる。ダイオードシリーズ430、432は 、それぞれ、電源V−とV+を通して順バイアスされる。12のダイオードが、 各ダイオードシリーズにおいて示されたが、ダイオードの実際数は、所望のV0 の大きさにより、2〜12ダイオードの範囲であり、ここで、V0は、歪み網4 18における歪み積の振幅であり、チャンネル負荷と変調指数に比例する。 非線形積を発生するためにダイオードを使用するための処理は、”Theor y of Nonlinear Distortion Produced i n a Semiconductor Diode"、K.V.Lotsch、 IEEE Transactions on Electron Devices、May、1968において報告された。L otschの処理は、小信号近似を規定し、これらのひずみに対して普遍曲線を 提供する。実現を設けるために、必要な歪み補正の量を考慮に入れなければなら ない。このため、一般的見地が、考察されなければならない。1)回路において 極めて低い群遅延を設けること、2)振幅対フェーズ変換(AM対PM)を最小 化すること、3)チャンネル負荷と変調指数対ひずみの振幅の効果を補償するこ と。 群遅延とAM対PM変換は、反応成分を最小化するためにダイオードレイアウ トによって使用される実装技術によって取り組まれた。チャンネル負荷の効果は 、ダイオードの数によって取り扱われる。鍵は、各ダイオードの小信号特性を整 合させる一方、チャンネル負荷によって必要とされたひずみ振幅を発生すること である。これは、各ダイオードに対して必要なレベルをセットするために、ダイ オードの数とバイアスプロセッサーを用いるバイアス技術によって解決される。 寄生を最小にするために、Hewlett Packard製のHSMS−28 12 Schottky Series Diodeデバイスの如くダイオード アレイが、第15図のマルチチップダイオード構成に示された如く、好ましい。 この構成において、第1列の6ダイオードデバイス430’は、第2列のダイオ ード432’に逆並列の様式で結合される。入力電極431と出力電極433は 、アルミナ基板上に作製された金属ストリップ線路である。 第16図を参照すると、自動バイアス制御回路428が、図示される。監視ト ーン信号447は、24MHz発振器440によって発生され、その出力は、デ バイダ442によって、2MHz搬送信号f0と4MH zと6MHz参照信号2f0、3f0にそれぞれ分割される。方形波ジェネレータ 452によって生成された1KHz方形波信号は、AM変調器444において2 MHz搬送信号を変調し、そして変調出力は、監視トーン信号447を生ずるた めに、帯域フィルター446によって濾波される。前記した如く、監視トーン信 号447は、外部光変調器422(第13図)のDCバイアス入力に注入される 。信号をRF入力411(第13図)と混合する代わりに、DCバイアス入力に おいて監視トーン信号447を注入すると、隔離性を向上させ、こうして、2つ の信号の間の混変調によって発生される非所望の相互変調積を縮小させることが 判明した。 前置補償線形化技術は、非線形装置を利用し、光変調器によって発生された非 線形積の振幅と等しく、反対の位相の歪み積を発生する。CATV応用における 相補歪み積は、光変調指数とチャンネル負荷に従属する。変調指数は、搬送波に おける変調のパーセントであり、光変調器における換算された駆動電圧に比例す る。電圧は、非線形正弦曲線の角部分を横断する。即ち、負荷が大きいほど、曲 線の見込まれた角度は大きい。チャンネル負荷を監視し、バイアスプロセッサー 476により前置補償網に対してバイアスを調整すると、日毎及び施設毎の取り 扱いを最適化する。 変調器422によって発生された歪み積を含むモニタ信号461は、受光器4 26(第13図)から出力され、RFスプリッター462によって分割され、偶 数次補正回路463と奇数次補正回路455への入力を形成し、歪み監視パイロ ット信号447の直角位相検出に基づいて、相互変調ひずみを補正する。補正回 路463、465は、他のバイアス制 御機構によって暗示された位相はずれ制御を使用しない。 補正回路463、465は、対象の通過帯域においてのみ異なる、同一の要素 を具備する。偶数次補正回路463の動作が、以下にさらに記載される。モニタ 信号の部分は、2MHzにおける監視トーン信号に対して、4MHzに中心を置 く通過帯域である、二次歪み積を含む通過帯域の周りの帯域フィルター464を 通して濾波される。奇数次補正回路465に対して、通過帯域は、6MHzに中 心を置く。 濾波されたモニタ信号は、プリアンプ468を通して位相同期トーン復調器4 56に送られ、移相器454と関連して、モニター信号において位相同期ループ 検出機能を行い、カッド誤差信号457を生成する。カッド誤差信号457は、 ディジタル補正論理474へ入力され、バイアス制御信号475を生成し、変調 器422のDCバイアス入力へ入力される。 奇数次補正回路465は、カッド誤差信号459を生成する位相同期トーン復 調器460を含む。誤差信号459は、ディジタル補正論理472に入力され、 歪み網418の微バイアスを調整するためのバイアスプロセッサー476(第1 3図)に結合された三次バイアス最適化信号473を生ずる。 補正回路463の直角位相同期ループは、二次積を最小化するために、光変調 器422のDCバイアス入力に印加されたバイアスを検知し、維持する。補正回 路465の直角位相同期ループは、歪み網418へのバイアスを検知し、維持す る。動的バイアス制御は、情報帯域幅が拡大する時、歪み網418を調整する。 例えば、CATVシステムにおける代替態様400の応用を考察せよ。この場合 、CATV提供業者は、初期 的に、60のアナログチャンネルにより50MHz〜450MHzの帯域幅で運 営する。例えば、50MHz〜1GHzの帯域幅への拡大は、変調器422にお いて歪み積の異なる組を発生させる。バイアスプロセッサー476(第13図) に関連して自動バイアス制御回路428によって設けられる動的バイアス制御は 、歪み網418のバイアスを自動的に調整し、帯域幅上でRF入力信号を線形化 する。 好ましい動作形態において、変調器422の直角位相点は、変調器伝達関数の 直線領域が、第5図に示された如く、正の傾きを有する如く、Vπ/2において 維持される。 光変調器422のRF整合は、振幅と位相において平坦であり、−20dBの 反射減衰量を有し、最小群遅延による広帯域動作を許容する。 第13図の代替態様は、他の実施態様の構成部分で使用されることが注目され る。例えば、第13図のドライバー/変調器構成が、第2A図の送信器22aの 代わりに用いられる。 第17a図、第17b図及び第18図を参照して、本発明を具体化するシステ ム構成が、以下に記載される。ラック取付け可能モジュール500は、それぞれ 、第17a図と第17b図の側面及び正面図において例示される。モジュール5 00は、外部光変調器副組立体501と電子ドライバーパッケージ504を含む 。光変調器副組立体501は、発明の他の実施態様において開示された形式の変 調器502を組み込み、さらに、受光器506を含む。同様に、ドライバーパッ ケージ504は、他の実施態様において記載された形式の電子ドライバーを組み 込む。変調器502は、光入力及び出力ポート505、507と駆動電極503 を含む。ドライバーパッケージ504と変調器副組立体501は、両方 共、共通プレート511に取り付けられる。モジュールに取り付けられた面板5 10は、第18図に示された如くシステム構成においてモジュールのラック取付 けを容易にするために、取手512を含む。 第18図のシステム構成は、さらに、14インチ×26インチ取付けパネル又 はハウジング520に取り付けるように構成されたデュアルレーザー源514、 デュアルレーザーパワー供給518、スプリッター516、及び8つの変調器/ ドライバーモジュール500を含む本発明の構成要素を組み込む。他の実施態様 に関して記載された如く、この構成において、レーザー源514は、8:1スプ リッター516によって分割されたcwYAGレーザーである。スプリッター5 16の個別出力は、各変調器/ドライバーモジュール500に結合される。第1 8図の構成は、本発明で可能な高密度実装を図示する。 本発明の送信器システムは、新生のCATVアーキテクチャーにおいて使用さ れる遠隔変調器構成を扱うために適切である。第19図は、「エコーバック」と も呼ばれる遠隔変調器構成を示し、電話、インターネットアクセスと映像の如く サービスに対して上り伝送能力を提供する。ファイバーノード600において、 遠隔送信器から下り信号616を送信する光ファイバーケーブル614は、RF 出力を生成する従来の受光器606に結合される。下り信号616の部分618 は、スプリッター604によって分割され、外部光変調器610の光入力に結合 される。スプリッター604と変調器610の間に結合された減極子608は、 信号618を減極させ、変調器610の変調動作を向上させる。ドライバー61 2は、ノード600におけるRF入力に基づいて、RF駆動信号620で変調器 610を駆動する。変調器610の出力は、それから、 被変調搬送信号622の上り伝送のために、カプラ602を通して光ファイバー ケーブル614に結合される。代替的に、変調器610の出力は、分離上流光フ ァイバーケーブルに結合される。第19図の構成に対する上り伝送は、5MHz 〜40MHz通過帯域を使用する。下流通過帯域の上の通過帯域を含む他の通過 帯域も、使用される。 CATV、電話、セルラーとPCSに対する上記の光ファイバー通信応用にお いて、誘導ブリルアン散乱(SBS)の抑圧が、望ましい。SBSを抑圧するた めに幾つかの縦方向モードで動作可能な固体レーザーは、米国特許No.5、4 61、637において開示され、この全内容は、ここで参照された。そのような 半導体レーザー、又は電気又は光学式にポンピングされて複数の波長を生ずる他 のレーザーシステムが、ここで記載されたシステム10において、少なくとも1 00mW、好ましくは、200mWを超過する出力パワーを有するレーザー源1 2として設けられる。レーザー源12は、代わりに、Micracor、Inc によって製造されるモデル番号MC−HM−12−00−FONSの如く、Mi craChip Nd:YAG CWレーザー源である。 第20図に示された別の実施態様において、複合通信サービスを提供するため に、上記の外部変調システムを用いて、個別に変調される少なくとも2つの波長 を用意する上記の固体レーザーのマルチモード動作を利用するシステム700が 、提供される。システム700は、中央地点702において、レーザー源712 、光増幅器713、スプリッター18、波長分割マルチプレクサー(WDM)7 14と716、及び外部変調器722、723、724と725を含む。中央地 点702から遠隔に、光増幅器720、WDM718、光検出器730、無線基 地局72 6、728、無線端末732と移動体装置734がある。 公称的に100〜300mWのレーザー源712の出力は、光増幅器713に よって増幅され、光信号510を設ける。光増幅器713は、Galileo Electro−Optics Corporation製のFluorola se Fiber Gainモジュールの如く、プラセオジムをドープされたフ ッ化物ファイバー利得モジュール、ラマン増幅器、又は他の適切な利得モジュー ルである。マルチモード動作におけるレーザー源712は、波長λ1−λmにおい て多重縦方向モードを有する光信号S10を設ける。提供されたモードの数は、 レーザーの幾何形状に従属し、例えば、4、8又は16モードである。4〜8の 範囲において多数のモードを有することが、好ましい。一実施態様において、波 長は、公称的に1319nmであり、ほぼ1Å程度の間隔を有する。光増幅器7 13に結合された1×Nスプリッター18は、光信号S10をN個の出力SA1 〜SANに分割する。出力SA1は、WDM714に結合され、その成分波長λ1 −λmに従い、光信号を分割し、m個の出力において波長を分離する。WDM7 14の出力は、外部変調器722、723に結合される。スプリッター18から の出力SAN-1、SANは、それぞれ、外部変調器724、725に結合される。 WDMは、密な間隔の波長において動作する形式である。ここで参照された米 国特許No.4、715、027は、ほぼ1Å程度のチャンネル・セパレーショ ンを扱うために適切なエシュロン格子装置を開示する。代替的に、WDMは、リ ング共振器形式である。 外部変調器722は、WDM714から波長λ1において光搬送信号を受信し 、CATV又は電話信号の如くRF情報信号で搬送信号を変調 し、変調出力信号727を設ける。外部変調器723は、同様に、波長λmにお ける光搬送信号に作用し、変調出力信号729を設ける。変調出力信号727、 729は、WDM716からの他のそれぞれの波長出力に関連した変調出力信号 と共に、WDM716に結合され、遠隔加入者位置704への光ファイバーリン ク738において搬送された波長分割多重化光信号を設ける。加入者位置704 において、光増幅器720は、リンク738において受信された光信号を増幅す る。光増幅器720の出力に結合されたWDM718は、結合光信号を多重分離 する。その後、波長λ1−λmにおいて多重分離された光信号は、検出器730に よって別々に検出される。分離波長を変調するこの接近方法により、加入者位置 は、単一ファイバーにより単一レーザー源から多重サービスを提供される。 外部変調器724は、スプリッター18から光搬送信号SAN-1を受信し、セ ルラー又は個人通信サービス(PCS)信号の如く、RF情報信号により搬送信 号を変調し、変調出力信号740を設ける。外部変調器725は、同様にして、 光搬送信号SANに作用し、変調出力信号742を設ける。変調出力信号740 、742は、中央地点702から遠隔の位置において、それぞれ、個々の無線基 地局726、728への光ファイバーリンク上を搬送される。基地局は、無線端 末732と移動体装置734への伝送のために、RF信号に光信号を変換する光 検出器を含む。遠隔基地局726、728と加入者位置704から中央地点70 2への情報信号の上り伝送のために、第19図に例示された実施態様が使用でき ることが注目される。 従来の伝送の実施は、電気/光変換が中央地点702において行われ る前に、RF搬送周波数から中間周波数(IF)への情報信号のダウンコンバー ジョンを要求する。ダウンコンバージョンプロセスは、帯域幅を限定し、非コヒ ーレントな伝送機構を生成する。ダウンコンバージョンはまた、システム雑音を 付加し、信号雑音から信号の再相関を必要とするスペクトル拡散伝送を抑制する 。本発明のシステムは、ダウンコンバージョンを行う必要を回避し、代わりに、 RF情報信号を、外部変調器を通して光信号に直接に変換させた。 システム700の他の実施態様において、レーザー源は、MicraChip レーザーモデルMC−HM−12−00−FONSであり、4つ以上の縦方向モ ードを設ける。レーザー源は、代わりに、公称1550nmにおいて作用し、こ の場合、エルビウムドープされた増幅器が、光増幅器713、720に対して使 用される。 等価物 この発明が、好ましい実施態様を参照して詳細に示され記載されたが、技術に おける当業者には、形態と詳細における多様な変化が、添付のクレイムによって 記載された如く、発明の精神と範囲に反することなく行われることが理解される であろう。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年3月14日 【補正内容】 請求の範囲 1.光搬送信号を生成するレーザー源、 光搬送信号を複数の分割搬送信号に分割する、レーザーに結合された入力を有す る光スプリッター、 スプリッター出力に結合された送信器であり、 駆動信号を生成するための変調器ドライバーと、 駆動信号を受信するための駆動入力と、分割搬送信号を受信するための光入力と を有し、駆動信号で分割搬送信号を変調し、変調出力信号を生成する外部変調器 と、 外部変調器によって分割搬送信号の歪みを補正する歪み補正サブシステムとを具 備する送信器及び、 変調出力信号を受信する送信器に結合された光ファイバー伝送システムを具備す る光伝送システム。 2.光スプリッターへ光結合された第2レーザー源をさらに具備する請求の範 囲1に記載のシステム。 3.レーザー源と光スプリッターの間に結合された光増幅器をさらに具備し、 この場合、レーザー源は、少なくとも50mWの出力パワーを有するNd:YA Gレーザーである請求の範囲1に記載のシステム。 4.歪み補正サブシステムが、複数のダイオード対を逆並列回路において接続 した駆動信号の非線形前置補償を設けるために、駆動信号入力へ結合された歪み 網を具備する請求の範囲1に記載のシステム。 5.変調器が、さらに、変調器のバイアス点を調整するバイアス入力を具備し 、そして歪み補正サブシステムが、さらに、変調出力信号を受信する監視用受光 器と、監視用受光器及び外部変調器に結合されたバイ アス制御回路と、歪み網及びバイアス制御回路へ結合されたバイアスプロセッサ とを具備する請求の範囲4に記載のシステム。 6.歪み補正サブシステムが、さらに、 外部変調器における偶数次歪みを指示する第1誤差信号を発生する監視用受光器 に結合された第1補正回路であり、第1誤差信号は、バイアス点の周りにバイア スを維持するために、変調バイアス入力に結合された第1補正回路と、 外部変調器における奇数次歪みを指示する第2誤差信号を発生する監視用受光器 に結合された第2補正回路であり、第2誤差信号は、変調光信号における歪み積 が縮小される如く、歪み網の非線形歪みを調整するためのバイアスプロセッサに 結合される第2補正回路とを具備する請求の範囲5に記載のシステム。 7.複数の共通モジュール本体をさらに具備し、各モジュールは、外部変調器 と変調器ドライバーを搭載している請求の範囲1に記載のシステム。 8.外部変調器が、マッハツェンダ変調器である請求の範囲1に記載のシステ ム。 9.レーザー源が、N個の縦方向モードを有するマルチモード光搬送信号を生 成し、各モードは、各分割搬送信号がマルチモードである如く、異なる波長であ り、この場合、システムは、さらに、マルチモード分割搬送信号を、N個の個別 波長分割搬送信号に多重分離するために、スプリッター出力に結合された少なく とも一つの波長分割マルチプレクサを具備する請求の範囲1に記載のシステム。 10.光スプリッターが、不等パワーレベルを有する複数の分割搬送 信号へ光搬送信号を分割するための複数のツイステッドネマチック液晶偏光子を 具備する請求の範囲1に記載のシステム。 11.駆動信号が、セルラ−RF信号を具備し、この場合、光ファイバー伝送 システムは、遠隔位置においてセルラー基地局に結合される請求の範囲1に記載 のシステム。 12.光スプリッターが、1×32スプリッターである請求の範囲1に記載の システム。 13.変調器ドライバーに結合された第1駆動信号を受信するための第1地点 における無線信号受信器と、 光ファイバー伝送システムから受信された変調出力信号を第2駆動信号へ変換す るための第2地点における受光器と、 第2駆動信号を送信するために、受光器に結合された第2地点における無線送信 器とをさらに具備する請求の範囲1に記載のシステム。 14.システムが、個人通信網を具備する請求の範囲13に記載の光伝送シス テム。 15.受信器が、RF受信器であり、送信器が、RF送信器である請求の範囲 13に記載の光伝送システム。 16.複数のRF駆動信号を供給する段階と、 光搬送信号を供給する段階と、 光搬送信号を複数の分割搬送信号に分割する段階と、 各分割搬送信号に対して、 変調光信号を生成するために、RF駆動信号で分割搬送信号を変調する段階と、 外部変調器により、分割搬送信号の歪みを補正する段階と、 変調光信号を光ファイバー伝送システムに結合する段階とを具備する光伝送方法 。 17.変調の段階が、マッハツェンダ変調器によって行われる請求の範囲16 に記載の方法。 18.分割の段階が、不等パワーレベルを有する複数の分割搬送信号に光搬送 信号を分割することを具備する請求の範囲16に記載の方法。 19.光搬送信号を供給する段階が、N個の縦方向モードを有するマルチモー ド光搬送信号を供給することを含み、各モードは、各分割搬送信号がマルチモー ドである如く、異なる波長である請求の範囲16に記載の方法。 20.少なくとも一つのマルチモード分割搬送信号を、N個の波長分割搬送信 号に多重分離する段階をさらに具備する請求の範囲19に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04B 10/142 H04B 9/00 C H04J 3/00 14/00 14/02 H04N 7/22 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),CA,JP,KR,U S (72)発明者 マハパトラ,アマレシユ アメリカ合衆国マサチユセツツ州アクト ン・ノースブライアーロード10 【要約の続き】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.光搬送信号を生成するレーザー源と、 光搬送信号を複数の光信号に分割する、レーザーに結合された入力を有する光ス プリッターと、 スプリッター出力に結合された送信器であり、 駆動信号を生成するための変調器ドライバーと、 駆動信号を受信するための駆動入力と、分割搬送信号を受信するための光入力と を有し、駆動信号で分割搬送信号を変調し、変調出力信号を生成する外部変調器 とを具備する送信器と、 変調出力信号を受信する送信器に結合された光ファイバー伝送システムとを具備 する光伝送システム。 2.光スプリッターへ光結合された第2レーザー源をさらに具備する請求の範 囲1に記載のシステム。 3.レーザー源と光スプリッターの間に結合された光増幅器をさらに具備し、 この場合、レーザー源は、少なくとも50mWの出力パワーを有するNd:YA Gレーザーである請求の範囲1に記載のシステム。 4.変調器ドライバーが、さらに、複数のダイオード対を逆並列回路において 接続した駆動信号の非線形前置補償を設けるために、駆動信号入力へ結合された 歪み網を具備する請求の範囲1に記載のシステム。 5.変調器が、さらに、変調器のバイアス点を調整するバイアス入力を具備し 、そしてシステムが、さらに、変調出力信号を受信する監視用受光器と、受光器 及び変調器に結合されたバイアス制御回路と、歪み網及びバイアス制御回路へ結 合されたバイアスプロセッサとを具備する請求の範囲4に記載のシステム。 6.変調器における偶数次歪みを指示する第1誤差信号を発生する監視用受光 器に結合された第1補正回路であり、第1誤差信号は、バイアス点の周りにバイ アスを維持するために、変調バイアス入力に結合された第1補正回路と、 変調器における奇数次歪みを指示する第2誤差信号を発生する監視用受光器に結 合された第2補正回路であり、第2誤差信号は、変調光信号における歪み積が縮 小される如く、歪み網の非線形歪みを調整するためのバイアスプロセッサに結合 される第2補正回路とを具備する請求の範囲5に記載のシステム。 7.複数の共通モジュール本体をさらに具備し、各モジュールは、変調器と変 調器ドライバーを搭載している請求の範囲1に記載のシステム。 8.外部変調器が、マッハツェンダ変調器である請求の範囲1に記載の送信器 。 9.レーザー源が、N個の縦方向モードを有するマルチモード光搬送信号を生 成し、各モードは、各分割搬送信号がマルチモードである如く、異なる波長であ り、この場合、システムは、さらに、マルチモード分割搬送信号を、N個の個別 波長分割搬送信号に多重分離するために、スプリッター出力に結合された少なく とも一つの波長分割マルチプレクサを具備する請求の範囲1に記載のシステム。 10.光スプリッターが、不等パワーレベルを有する複数の分割搬送信号へ光 搬送信号を分割するための複数のツイステッドネマチック液晶偏光子を具備する 請求の範囲1に記載のシステム。 11.駆動信号が、セルラーRF信号を具備し、この場合、光ファイバー伝送 システムは、遠隔位置においてセルラー基地局に結合される請 求の範囲1に記載のシステム。 12.光スプリッターが、1×32スプリッターである請求の範囲1に記載の システム。 13.第1駆動信号を受信するための第1地点における無線信号受信器と、 光搬送信号を生成するための第1地点におけるレーザー源と、 駆動信号を受信するための駆動信号入力と、光搬送信号を受信するための光入力 を有するレーザー源に結合された外部変調器であり、変調光信号を生成するため に、駆動信号で搬送信号を変調する外部変調器と、 変調信号を搬送するために変調器に結合された光ファイバーケーブルと、 光ファイバーケーブルにおいて受信された変調信号を第2駆動信号に変換するた めの第2地点における受光器と、 第2駆動信号を搬送するための受光器に結合された第2地点における無線送信器 とを具備する光伝送システム。 14.システムが、個人通信網を具備する請求の範囲13に記載の光伝送シス テム。 15.受信器が、RF受信器であり、送信器が、RF送信器である請求の範囲 13に記載の光伝送システム。 16.複数のRF駆動信号を供給する段階と、 光搬送信号を供給する段階と、 光搬送信号を複数の分割搬送信号に分割する段階と、 各分割搬送信号に対して、 変調光信号を生成するために、RF駆動信号で分割搬送信号を変調する段階と、 変調光信号を光ファイバー伝送システムに結合する段階とを具備する光伝送方法 。 17.変調の段階が、マッハツェンダ変調器によって行われる請求の範囲16 に記載の方法。 18.分割の段階が、不等パワーレベルを有する複数の分割搬送信号に光搬送 信号を分割することを具備する請求の範囲16に記載の方法。 19.光搬送信号を供給する段階が、N個の縦方向モードを有するマルチモー ド光搬送信号を供給することを含み、各モードは、各分割搬送信号がマルチモー ドである如く、異なる波長である請求の範囲16に記載の方法。 20.少なくとも一つのマルチモード分割搬送信号を、N個の波長分割搬送信 号に多重分離する段階をさらに具備する請求の範囲19に記載の方法。
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