JPH1148123A - Polishing device and method for semiconductor substrate, and manufacturing device for semiconductor - Google Patents

Polishing device and method for semiconductor substrate, and manufacturing device for semiconductor

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JPH1148123A
JPH1148123A JP20917597A JP20917597A JPH1148123A JP H1148123 A JPH1148123 A JP H1148123A JP 20917597 A JP20917597 A JP 20917597A JP 20917597 A JP20917597 A JP 20917597A JP H1148123 A JPH1148123 A JP H1148123A
Authority
JP
Japan
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semiconductor substrate
polishing
polishing pad
dresser
pressing means
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Application number
JP20917597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasunori Okubo
安教 大久保
Motoaki Nakamura
元昭 中村
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPH1148123A publication Critical patent/JPH1148123A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To miniaturize a device, and conduct a polishing work in a short time. SOLUTION: In a polishing device 10 for a semiconductor substrate containing a rotationally driven circular polishing pad 12, a pressure plate 13 supported in an upper side of the polishing pad 12 to be movable vertically, capable of moving to a feeding part and discharging part for the semiconductor substrate and provided with a holding part, 13a for holding the semiconductor substrate in its back face, and a polishing abrasive supplying part 14 in an upper surface of the polishing pad 12 for supplying an abrasive, the polishing device 10 for the semiconductor substrate is constituted to dispose the dressor part 17 along a peripheral edge of the back face of the pressure plate 13.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
すべき半導体基板の表面を研磨するための研磨装置及び
研磨方法と、このような研磨装置を備えた半導体製造装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus and a polishing method for polishing a surface of a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus provided with such a polishing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際、半導体
基板の表面の平坦度を良くするために、研磨装置を使用
して、その表面を研磨し、さらに表面を清浄にするため
に洗浄するようにしている。このような半導体基板の研
磨装置は、通常半導体製造装置に組み込まれて使用され
ており、例えば図5に示すように、構成されている。図
5において、研磨装置1は、平坦な円形の上面を有する
定盤2と、定盤2の上面に備えられた研磨パッド3と、
定盤2の上面に対向して、それぞれ上下動可能に配設さ
れた二つのプレッシャープレート4,5と、研磨パッド
3の中心付近に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供給部6と
を含んでいる。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device is manufactured, the surface of a semiconductor substrate is polished using a polishing apparatus in order to improve the flatness of the surface, and further, the surface is cleaned to clean the surface. Like that. Such a polishing apparatus for a semiconductor substrate is usually used by being incorporated in a semiconductor manufacturing apparatus, and is configured, for example, as shown in FIG. In FIG. 5, a polishing apparatus 1 includes a surface plate 2 having a flat circular upper surface, a polishing pad 3 provided on the upper surface of the surface plate 2,
Opposite to the upper surface of the platen 2, the pressure plate includes two pressure plates 4, 5, each of which can be moved up and down, and a polishing grain supply unit 6 that supplies polishing grains near the center of the polishing pad 3. In.

【0003】上記定盤2は、垂直な回転軸2aの周りに
回動可能に支持され且つ図示しない駆動手段によって矢
印Aで示すように回転駆動されるようになっている。上
記研磨パッド3は、その表面に対して後述するように押
圧される半導体基板の表面を研磨するようになってい
る。
The surface plate 2 is rotatably supported around a vertical rotation shaft 2a, and is driven to rotate as indicated by an arrow A by driving means (not shown). The polishing pad 3 is designed to polish the surface of the semiconductor substrate pressed against the surface as described later.

【0004】上記二つのプレッシャープレート4,5の
うち、第一のプレッシャープレート4は、研磨用のもの
であり、また、第二のプレッシャープレート5は、ドレ
ッシング用のものである。
[0004] Of the two pressure plates 4 and 5, the first pressure plate 4 is for polishing, and the second pressure plate 5 is for dressing.

【0005】第一のプレッシャープレート4は、その円
形状の下面に、研磨すべき半導体基板7を保持するため
の保持部4aを備えていると共に、その上面中央付近
に、球面軸受4bを備えている。ここで、上記保持部4
aは、例えば吸着手段等の適宜の手段によって、半導体
基板7を保持できるように構成されている。上記球面軸
受4bは、研磨の際に、上方から加圧軸4cが嵌入する
ことにより、下方に向かって押圧されるようになってい
る。さらに、第一のプレッシャープレート4は、図示し
ない駆動手段によって、半導体基板の供給部及び排出部
に移動されるようになっている。
The first pressure plate 4 has a holding portion 4a for holding a semiconductor substrate 7 to be polished on the lower surface of the circular shape, and a spherical bearing 4b near the center of the upper surface. I have. Here, the holding unit 4
a is configured so that the semiconductor substrate 7 can be held by an appropriate means such as an adsorption means. The spherical bearing 4b is pressed downward by a press shaft 4c fitted from above during polishing. Further, the first pressure plate 4 is moved to a supply portion and a discharge portion of the semiconductor substrate by driving means (not shown).

【0006】また、第二のプレッシャープレート5は、
その円形状の下面の周縁に沿って、電着ドレッサー5a
を備えていると共に、その上面中央付近に、球面軸受5
bを備えている。ここで、上記電着ドレッサー5aは、
例えばダイアモンド粒を電着することにより、構成され
ており、前記定盤2の上面に備えられた研磨パッド3の
表面に対して当接することにより、研磨パッド3のドレ
ッシングを行なうようになっている。上記球面軸受5b
は、研磨の際に、上方から加圧軸4cが嵌入することに
より、下方に向かって押圧されるようになっている。
[0006] The second pressure plate 5
Along the periphery of the circular lower surface, the electrodeposition dresser 5a
And a spherical bearing 5 near the center of the upper surface.
b. Here, the electrodeposition dresser 5a
For example, the polishing pad 3 is formed by electrodepositing diamond particles, and the polishing pad 3 is dressed by contacting the surface of the polishing pad 3 provided on the upper surface of the platen 2. . The spherical bearing 5b
During the polishing, the pressing shaft 4c is fitted from above to be pressed downward.

【0007】上記研磨砥粒供給部6は、例えばスラリー
状の研磨砥粒が貯蔵されるタンク6aから、ポンプ6b
により、供給パイプ6cを介して、研磨砥粒8を研磨パ
ッド3の上面中心付近に圧送するように、構成されてい
る。
[0007] The polishing abrasive grain supply section 6 is provided with a pump 6 b from a tank 6 a in which, for example, slurry abrasive grains are stored.
Thus, the polishing abrasive grains 8 are pressure-fed to near the center of the upper surface of the polishing pad 3 via the supply pipe 6c.

【0008】このような構成の半導体基板の研磨装置1
によれば、先づ第一のプレッシャープレート4が半導体
基板の供給部に移動して、その保持部4aが半導体基板
7を保持した後、再び定盤2上の図示位置(待機位置)
に戻る。ここで、第二のプレッシャープレート5が下降
して、その電着ドレッサー5aが研磨パッド3の表面に
当接すると共に、定盤2が回転駆動される。これによっ
て、定盤2上の研磨パッド3のドレッシングが行なわる
ことになる。その後、第二のプレッシャープレート5が
上昇して、図示の待機位置に移動される。
A semiconductor substrate polishing apparatus 1 having such a configuration.
According to the first embodiment, the first pressure plate 4 first moves to the supply portion of the semiconductor substrate, and the holding portion 4a holds the semiconductor substrate 7, and then the illustrated position (standby position) on the surface plate 2 again.
Return to Here, the second pressure plate 5 is lowered, the electrodeposited dresser 5a contacts the surface of the polishing pad 3, and the platen 2 is driven to rotate. Thereby, dressing of the polishing pad 3 on the surface plate 2 is performed. Thereafter, the second pressure plate 5 is raised and moved to the illustrated standby position.

【0009】次に、第一のプレッシャープレート4が下
降して、保持部4aに保持された半導体基板7を、研磨
パッド3の表面に押圧する。そして、定盤2が回転駆動
されると共に、研磨砥粒供給部6によって、研磨パッド
3の上面中心付近に、研磨砥粒8が供給される。これに
より、回転駆動される定盤2及び研磨パッド3と半導体
基板7との間の相対運動と研磨砥粒の存在によって、半
導体基板7の下面が研磨されることになる。
Next, the first pressure plate 4 descends and presses the semiconductor substrate 7 held by the holding portion 4 a against the surface of the polishing pad 3. Then, while the surface plate 2 is driven to rotate, the polishing abrasive grains 8 are supplied to the vicinity of the center of the upper surface of the polishing pad 3 by the polishing abrasive supply unit 6. As a result, the lower surface of the semiconductor substrate 7 is polished by the relative movement between the rotating platen 2 and the polishing pad 3 and the semiconductor substrate 7 and the presence of the abrasive grains.

【0010】その後、第一のプレッシャープレート4が
上昇して待機位置に移動し、さらに半導体基板の排出部
に移動して、半導体基板7を解放する。続いて、第一の
プレッシャープレート4は、新しい半導体基板を保持す
るために、半導体基板の供給部に移動する。以上の動作
を繰り返すことによって、順次に半導体基板の研磨が行
なわれるようになっている。
Thereafter, the first pressure plate 4 moves up to the standby position, and further moves to the discharge portion of the semiconductor substrate to release the semiconductor substrate 7. Subsequently, the first pressure plate 4 moves to a supply section of the semiconductor substrate to hold a new semiconductor substrate. By repeating the above operation, the semiconductor substrate is sequentially polished.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな研磨装置1においては、二つのプレッシャープレー
ト4,5が設けられており、研磨時には、ドレッシング
用の第二のプレッシャープレート5が待機位置にあり、
またドレッシング時には、研磨用の第一のプレッシャー
プレート4が待機位置にある。このため、部品点数が多
くなると共に、これら二つのプレッシャープレート4,
5が占有するスペースが大きくなってしまうという問題
があった。特に、半導体基板7の大口径化に伴って、研
磨装置1全体が大型化してしまい、研磨装置1の設置ス
ペースが大きくなるという問題もある。さらに、各プレ
ッシャープレート4,5に関して、それぞれ駆動機構及
び加圧機構が必要となり、装置全体が複雑化して、コス
トが高くなってしまうという問題があった。
However, in such a polishing apparatus 1, two pressure plates 4 and 5 are provided, and at the time of polishing, the second pressure plate 5 for dressing is in a standby position. ,
At the time of dressing, the first pressure plate 4 for polishing is at the standby position. For this reason, the number of parts increases and these two pressure plates 4
5 occupies a large space. In particular, as the diameter of the semiconductor substrate 7 increases, the overall size of the polishing apparatus 1 increases, and there is a problem that the installation space of the polishing apparatus 1 increases. Further, a drive mechanism and a pressurizing mechanism are required for each of the pressure plates 4 and 5, so that there is a problem that the entire apparatus is complicated and the cost is increased.

【0012】本発明は、以上の点に鑑み、装置を小型化
できると共に、より短時間で研磨作業が行われるように
した、半導体基板の研磨装置及び研磨方法そして半導体
製造装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a semiconductor substrate polishing apparatus, a polishing method, and a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing the size of the apparatus and performing the polishing operation in a shorter time. The purpose is.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、回転駆動される研磨パッドと、研磨パッドの上方
にて、上下動可能に支持され、且つ半導体基板の供給部
及び排出部に移動可能であると共に、下面に半導体基板
を保持するための保持部を備えた押圧手段と、研磨パッ
ドの上面に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供給部と、を含
んでいる、半導体基板の研磨装置であって、前記押圧手
段の下面の周縁に沿って、ドレッサー部が設けられてい
る、半導体基板の研磨装置により、達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, there is provided a polishing pad which is rotatably driven, and which is supported above and below the polishing pad so as to be vertically movable, and which supplies and discharges a semiconductor substrate. And a pressing means provided with a holding section for holding the semiconductor substrate on the lower surface, and a polishing abrasive grain supply section for supplying polishing abrasive grains to the upper surface of the polishing pad. Is achieved by a polishing apparatus for a semiconductor substrate, wherein a dresser portion is provided along a peripheral edge of a lower surface of the pressing means.

【0014】また、上記目的は、本発明によれば、回転
駆動される研磨パッドに対して、押圧手段により保持し
た半導体基板の下面を当接すると共に、研磨パッド上に
研磨砥粒を供給することにより、この半導体基板の下面
を研磨するようにした、半導体基板の研磨方法であっ
て、前記押圧手段の下面の周縁に上下動可能に配設され
たドレッサー部により、前記研磨パッドのドレッシング
を行なうようにした、半導体基板の研磨方法により、達
成される。
Further, according to the present invention, it is an object of the present invention to contact a lower surface of a semiconductor substrate held by a pressing means against a polishing pad which is driven to rotate, and to supply abrasive grains to the polishing pad. A polishing method for polishing a semiconductor substrate, wherein the lower surface of the semiconductor substrate is polished, wherein the polishing pad is dressed by a dresser portion movably disposed on the periphery of the lower surface of the pressing means. This is achieved by the semiconductor substrate polishing method described above.

【0015】さらに、上記目的は、本発明によれば、半
導体基板の表面を研磨部によって研磨すると共に、この
半導体基板に対して各種処理を行なうことにより、半導
体装置を製造するようにした、半導体製造装置であっ
て、前記研磨部が、回転駆動される研磨パッドと、研磨
パッドの上方にて、上下動可能に支持され、且つ半導体
基板の供給部及び排出部に移動可能であると共に、下面
に半導体基板を保持するための保持部を備えた押圧手段
と、研磨パッドの上面に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供
給部と、を含んでおり、前記押圧手段の下面の周縁に沿
って、ドレッサー部が設けられている、半導体製造装置
により、達成される。
Further, according to the present invention, a semiconductor device is manufactured by polishing a surface of a semiconductor substrate by a polishing section and performing various processes on the semiconductor substrate. A manufacturing apparatus, wherein the polishing unit is rotatably driven, and a polishing pad, supported vertically movably above the polishing pad, and movable to a supply unit and a discharge unit of a semiconductor substrate, and a lower surface thereof. Pressing means provided with a holding portion for holding the semiconductor substrate, and a polishing abrasive grain supply section for supplying abrasive grains to the upper surface of the polishing pad, including along the periphery of the lower surface of the pressing means This is achieved by a semiconductor manufacturing apparatus provided with a dresser unit.

【0016】上記構成によれば、押圧手段の保持部によ
って、半導体基板を保持して、回転駆動される研磨パッ
ドに押圧すると共に、研磨砥粒供給部により研磨砥粒を
研磨パッドの上面中心付近に供給することによって、半
導体基板の下面が研磨されることになる。さらに、同一
の押圧手段の下面周縁に沿って設けられたドレッサー部
を、回転駆動される研磨パッドに押圧することにより、
この研磨パッドのドレッシングが行われる。
According to the above construction, the semiconductor substrate is held by the holding portion of the pressing means and pressed against the rotationally driven polishing pad, and the polishing abrasive grains are supplied by the polishing abrasive grain supply section near the center of the upper surface of the polishing pad. , The lower surface of the semiconductor substrate is polished. Furthermore, by pressing the dresser portion provided along the lower peripheral edge of the same pressing means against the rotatingly driven polishing pad,
The dressing of the polishing pad is performed.

【0017】上記ドレッサー部が、押圧手段の保持部に
保持された半導体基板の下面に対して、下方に突出した
作業位置と上方に退避した待機位置との間で上下動可能
に支持されている場合には、ドレッサー部が下方に突出
した作業位置にあるとき、ドレッサー部が研磨パッドの
表面に当接することになり、研磨パッドのドレッシング
が行なわれると共に、ドレッサー部が待機位置にあると
き、半導体基板の下面が研磨パッドの表面に当接して、
半導体基板の研磨が行なわれる。従って、ドレッサー部
の上下動によって、半導体基板の研磨と研磨パッドのド
レッシングが選択的に交互に行われることになる。
The dresser portion is supported on the lower surface of the semiconductor substrate held by the holding portion of the pressing means so as to be vertically movable between a working position protruding downward and a standby position retracted upward. In the case, when the dresser portion is in the working position protruding downward, the dresser portion comes into contact with the surface of the polishing pad, and while the dressing of the polishing pad is performed, and when the dresser portion is in the standby position, the semiconductor The lower surface of the substrate contacts the surface of the polishing pad,
Polishing of the semiconductor substrate is performed. Therefore, the polishing of the semiconductor substrate and the dressing of the polishing pad are selectively performed alternately by the vertical movement of the dresser portion.

【0018】上記ドレッサー部が、押圧手段の保持部に
保持された半導体基板の下面に対して、半導体基板の下
面の研磨と研磨パッドのドレッシングが同時に行われる
ように、位置調整されている場合には、ドレッサー部の
上下位置の適宜の調整によって、半導体基板の研磨と研
磨パッドのドレッシングが同時に行われることになる。
In the case where the position of the dresser is adjusted so that polishing of the lower surface of the semiconductor substrate and dressing of the polishing pad are performed simultaneously with respect to the lower surface of the semiconductor substrate held by the holding portion of the pressing means. By appropriately adjusting the vertical position of the dresser, polishing of the semiconductor substrate and dressing of the polishing pad are performed simultaneously.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図1乃至図4を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. still,
Since the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, various technically preferred limitations are added.
The scope of the present invention is not limited to these embodiments unless otherwise specified in the following description.

【0020】図1及び図2は、本発明を適用した半導体
基板の研磨装置の一実施形態の構成を示している。図1
において、研磨装置10は、半導体製造装置に組み込ま
れた研磨装置であって、平坦な円形の上面を有する定盤
11と、定盤11の上面に備えられた研磨パッド12
と、定盤11の上面に対向して上下動可能に配設された
押圧手段としてのプレッシャープレート13と、研磨パ
ッド12の中心付近に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供給
部14と、を含んでいる。
FIGS. 1 and 2 show the configuration of an embodiment of a semiconductor substrate polishing apparatus to which the present invention is applied. FIG.
In the above, the polishing apparatus 10 is a polishing apparatus incorporated in a semiconductor manufacturing apparatus, and comprises a surface plate 11 having a flat circular upper surface, and a polishing pad 12 provided on the upper surface of the surface plate 11.
A pressure plate 13 serving as a pressing means that is vertically movably disposed facing the upper surface of the surface plate 11, and a polishing abrasive grain supply unit 14 that supplies polishing abrasive grains near the center of the polishing pad 12. Contains.

【0021】上記定盤11は、垂直な回転軸11aの周
りに回動可能に支持され且つモータ等の駆動手段Mによ
って矢印Aで示すように回転駆動されるようになってい
る。上記研磨パッド12は、その表面に対して後述する
ように押圧される半導体基板の表面を研磨するようにな
っている。
The surface plate 11 is rotatably supported around a vertical rotation shaft 11a and is driven to rotate as indicated by an arrow A by a driving means M such as a motor. The polishing pad 12 is designed to polish the surface of a semiconductor substrate pressed against the surface as described later.

【0022】上記押圧手段は、この実施形態では平板状
のプレッシャープレートとして構成されている。しかし
ながら、後述するように下面に半導体基板を保持し、か
つその周縁にドレッサー部を備えた部材と、下方に押圧
力を付与する部材を兼ねる構成であればこれ以外の構造
のものでもよい。この押圧手段としてのプレッシャープ
レート13は、図5に示した従来の研磨装置1における
第一のプレッシャープレート4とほぼ同様の構成であ
り、図2に詳細に示すように、その円形状の下面に、研
磨すべき半導体基板15を保持するための保持部13a
を備えていると共に、その上面中央付近に、球面軸受1
3bを備えている。
The pressing means is configured as a flat pressure plate in this embodiment. However, as will be described later, any other structure may be used as long as the structure serves as a member that holds the semiconductor substrate on the lower surface and has a dresser portion on its periphery and a member that applies a pressing force downward. The pressure plate 13 as the pressing means has substantially the same configuration as the first pressure plate 4 in the conventional polishing apparatus 1 shown in FIG. 5, and as shown in detail in FIG. Holding portion 13a for holding semiconductor substrate 15 to be polished
And a spherical bearing 1 near the center of the upper surface.
3b.

【0023】ここで、上記保持部13aは、例えば真空
吸着手段としての吸着手段等によって、半導体基板15
を吸着保持できるように構成されている。上記球面軸受
13bは、研磨の際に、上方から加圧軸13cが嵌入す
ることにより、下方に向かって押圧されるようになって
いる。さらに、このプレッシャープレート13は、図示
しない駆動手段によって、図3に関連して説明するよう
に、半導体基板の供給部及び排出部に移動されるように
なっている。
Here, the holding portion 13a is connected to the semiconductor substrate 15 by, for example, suction means as vacuum suction means.
Is configured to be able to be held by suction. The spherical bearing 13b is pressed downward by a press shaft 13c fitted from above during polishing. Further, the pressure plate 13 is moved by a driving means (not shown) to a supply portion and a discharge portion of the semiconductor substrate as described with reference to FIG.

【0024】上記研磨砥粒供給部14は、例えばスラリ
ー状の研磨砥粒が貯蔵されるタンク14aから、ポンプ
14bにより、供給パイプ14cを介して、研磨砥粒1
6を研磨パッド12の上面中心付近に圧送するように、
構成されている。
The polishing abrasive grain supply section 14 is provided with a polishing abrasive grain 1 from a tank 14a in which, for example, slurry abrasive grains are stored by a pump 14b via a supply pipe 14c.
6 so as to be fed near the center of the upper surface of the polishing pad 12,
It is configured.

【0025】ここで、図2に詳細に示すように、プレッ
シャープレート13は、さらに、その下面の周縁に沿っ
て、環状のドレッサー部17を備えている。ここで、上
記ドレッサー17は、その下面に例えばダイアモンド粒
17aを電着することにより、電着ドレッサー部として
構成されており、前記定盤11の上面に備えられた研磨
パッド12の表面に対して当接することにより、研磨パ
ッド12のドレッシングを行なうようになっている。
Here, as shown in detail in FIG. 2, the pressure plate 13 further has an annular dresser portion 17 along the periphery of the lower surface thereof. Here, the dresser 17 is configured as an electrodeposited dresser portion by electrodepositing, for example, diamond grains 17a on the lower surface thereof, and is configured to be in contact with the surface of the polishing pad 12 provided on the upper surface of the surface plate 11. By contacting, the polishing pad 12 is dressed.

【0026】そして、上記ドレッサー部17は、駆動手
段18により、プレッシャープレート13に対して上下
方向に駆動されるようになっている。この駆動手段18
は、例えばパルスモータ及び精密送りネジの組合せによ
って構成されていると共に、環状のドレッサー部17に
対して、等角度間隔に複数個設けられており、ドレッサ
ー部17が円周方向に関してバランスよく上下動される
ようになっている。そして、駆動手段18によって、ド
レッサー部17は、図1及び図2に示すように下方に突
出した作業位置と、図4に示すように上方に退避した待
機位置との間を移動するようになっている。ここで、上
記作業位置は、例えばプレッシャープレート13の保持
部13aに保持された半導体基板15の下面から5mm
程度下方の位置に選定される。
The dresser section 17 is driven by a driving means 18 in the vertical direction with respect to the pressure plate 13. This driving means 18
Are formed, for example, by a combination of a pulse motor and a precision feed screw, and are provided at equal angular intervals with respect to the annular dresser portion 17 so that the dresser portion 17 moves up and down with good balance in the circumferential direction. It is supposed to be. The driving unit 18 causes the dresser unit 17 to move between a working position protruding downward as shown in FIGS. 1 and 2 and a standby position retracted upward as shown in FIG. ing. Here, the working position is, for example, 5 mm from the lower surface of the semiconductor substrate 15 held by the holding portion 13a of the pressure plate 13.
It is selected at a position about below.

【0027】本実施形態による研磨装置10は、以上の
ように構成されており、半導体基板の研磨を行なう場
合、以下のようにして行なわれる。即ち、先づ、プレッ
シャープレート13が、図3に示す半導体基板の供給部
19に移動して、その保持部13aが供給部19内の半
導体基板15を保持した後、定盤11上の待機位置に戻
る。ここで、プレッシャープレート13が下降すると共
に、そのドレッサー部17が駆動手段18により作業位
置まで下降される。これにより、ドレッサー部17が研
磨パッド12の上面に当接すると共に、定盤11が回転
駆動される。かくして、定盤11上の研磨パッド12の
ドレッシングが行なわる。その後、ドレッサー部17が
上昇して、待機位置に移動されると共に、プレッシャー
プレート13がさらに下降して、保持部13aに保持さ
れた半導体基板15を、研磨パッド12の表面に押圧す
る。そして、定盤11が回転駆動されると共に、研磨砥
粒供給部14によって、研磨パッド12の上面中心付近
に、研磨砥粒16が供給される。これにより、回転駆動
される定盤11及び研磨パッド12と半導体基板15と
の間の相対運動と研磨砥粒の存在によって、半導体基板
15の下面が研磨されることになる。
The polishing apparatus 10 according to the present embodiment is configured as described above. When polishing a semiconductor substrate, the polishing is performed as follows. That is, first, the pressure plate 13 moves to the semiconductor substrate supply unit 19 shown in FIG. 3, and the holding unit 13 a holds the semiconductor substrate 15 in the supply unit 19, and then the standby position on the surface plate 11. Return to Here, the pressure plate 13 is lowered, and the dresser portion 17 is lowered by the driving means 18 to the working position. As a result, the dresser unit 17 comes into contact with the upper surface of the polishing pad 12, and the platen 11 is driven to rotate. Thus, dressing of the polishing pad 12 on the surface plate 11 is performed. Thereafter, the dresser unit 17 is raised and moved to the standby position, and the pressure plate 13 is further lowered to press the semiconductor substrate 15 held by the holding unit 13 a against the surface of the polishing pad 12. Then, while the surface plate 11 is driven to rotate, the polishing abrasive grains 16 are supplied to the vicinity of the center of the upper surface of the polishing pad 12 by the polishing abrasive supply unit 14. As a result, the lower surface of the semiconductor substrate 15 is polished by the relative movement between the rotating platen 11 and the polishing pad 12 and the semiconductor substrate 15 and the presence of the abrasive grains.

【0028】その後、プレッシャープレート13が上昇
して待機位置に移動し、図3に示す半導体基板の排出部
20に移動して、研磨済みの半導体基板15を解放す
る。続いて、プレッシャープレート13は、新しい半導
体基板15を保持するために、半導体基板の供給部19
に移動する。以上の動作を繰り返すことによって、順次
に半導体基板の研磨が行なわれるようになっている。
尚、半導体基板の排出部20に移動された研磨済みの半
導体基板は、例えば図3に示すように、さらに洗浄さ
れ、通常の半導体装置の製造工程を介して、半導体装置
に仕上げられるようになっている。
Thereafter, the pressure plate 13 moves up to the standby position, moves to the semiconductor substrate discharge section 20 shown in FIG. 3, and releases the polished semiconductor substrate 15. Subsequently, the pressure plate 13 is provided with a semiconductor substrate supply unit 19 for holding a new semiconductor substrate 15.
Go to By repeating the above operation, the semiconductor substrate is sequentially polished.
The polished semiconductor substrate moved to the semiconductor substrate discharge unit 20 is further cleaned, for example, as shown in FIG. 3, and finished into a semiconductor device through a normal semiconductor device manufacturing process. ing.

【0029】ここで、上記研磨装置10においては、上
記プレッシャープレート13が保持部13a及びドレッ
サー部17を備えることにより、一つのプレッシャープ
レートが研磨用及びドレッシング用として使用される。
従って、研磨装置10全体が小型に構成されることにな
り、部品コスト及び組立コストが低減されると共に、省
スペース化が可能となる。また、研磨の際にはドレッサ
ー部17がプレッシャープレート13に対して上方に移
動するだけで、研磨が行われることから、ドレッシング
から研磨への切換え時間が短縮されることになる。
Here, in the polishing apparatus 10, since the pressure plate 13 includes the holding portion 13a and the dresser portion 17, one pressure plate is used for polishing and for dressing.
Therefore, the entire polishing apparatus 10 is configured to be small, and the cost of parts and assembly is reduced, and the space can be saved. In addition, at the time of polishing, the dresser portion 17 simply moves upward with respect to the pressure plate 13 to perform polishing, so that the time required for switching from dressing to polishing is reduced.

【0030】尚、上述した実施形態においては、半導体
基板15の研磨と研磨パッド12のドレッシングは、ド
レッサー部17のプレッシャープレート13に対する上
下動によって、選択的に交互に行なわれるようになって
いるが、プレッシャープレート13の保持部13aによ
り保持された半導体基板15の下面位置と、この下面位
置に対するドレッサー部17の突出量が適宜に調整され
ることにより、プレッシャープレート13の研磨パッド
12に対する押圧によって、半導体基板15の下面の研
磨及び研磨パッド12の上面のドレッシングが同時に行
われるようにしてもよい。この場合、半導体基板15の
研磨に要する時間がより一層短縮されることになる。
In the above-described embodiment, the polishing of the semiconductor substrate 15 and the dressing of the polishing pad 12 are selectively performed alternately by the vertical movement of the dresser portion 17 with respect to the pressure plate 13. By appropriately adjusting the lower surface position of the semiconductor substrate 15 held by the holding portion 13a of the pressure plate 13 and the protrusion amount of the dresser portion 17 with respect to this lower surface position, the pressure plate 13 is pressed against the polishing pad 12 by The polishing of the lower surface of the semiconductor substrate 15 and the dressing of the upper surface of the polishing pad 12 may be performed simultaneously. In this case, the time required for polishing the semiconductor substrate 15 is further reduced.

【0031】また、上述した実施形態においては、ドレ
ッサー部17を上下動するための駆動手段18は、例え
ばパルスモータと精密送りネジとの組合せによって構成
されているが、これに限らず、エアシリンダ等の他の駆
動手段が使用されてもよいことは明らかである。
In the above-described embodiment, the driving means 18 for vertically moving the dresser section 17 is constituted by a combination of a pulse motor and a precision feed screw, for example. Obviously, other driving means may be used.

【0032】さらに、上述した実施形態においては、プ
レッシャープレート13の保持部13aは、半導体基板
15を吸着保持するようになっているが、これに限ら
ず、他の保持手段、例えばバッキングパッド方式,真空
吸着方式あるいは接着方式等の保持手段が使用される。
Further, in the above-described embodiment, the holding portion 13a of the pressure plate 13 is adapted to hold the semiconductor substrate 15 by suction. However, the present invention is not limited to this, and other holding means, such as a backing pad system, may be used. A holding means such as a vacuum suction method or an adhesion method is used.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、装
置を小型化できると共に、より短時間で研磨作業が行わ
れるようにした、半導体基板の研磨装置及び研磨方法そ
して半導体製造装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a semiconductor substrate polishing apparatus, a polishing method and a semiconductor manufacturing apparatus which can reduce the size of the apparatus and perform the polishing operation in a shorter time. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体基板の研磨装置の一実施形
態の研磨状態を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a polishing state of an embodiment of a semiconductor substrate polishing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の半導体基板の研磨装置におけるプレッシ
ャープレートの構成を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a pressure plate in the semiconductor substrate polishing apparatus of FIG. 1;

【図3】図1の半導体基板の研磨装置の全体構成を示す
ブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing the overall configuration of the semiconductor substrate polishing apparatus of FIG. 1;

【図4】図1の半導体基板の研磨装置による研磨状態を
示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing a state of polishing the semiconductor substrate of FIG. 1 by the polishing apparatus.

【図5】従来の半導体基板の研磨装置の一例による研磨
状態を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a state of polishing by an example of a conventional semiconductor substrate polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10・・・半導体基板の研磨装置、11・・・定盤、1
2・・・研磨パッド、13・・・プレッシャープレー
ト、13a・・・保持部、14・・・研磨砥粒供給部、
15・・・半導体基板、16・・・研磨砥粒、17・・
・ドレッサー部、18・・・駆動手段、19・・・半導
体基板の供給部、20・・・半導体基板の排出部。
10 Polishing device for semiconductor substrate, 11 Platen, 1
2 ... polishing pad, 13 ... pressure plate, 13a ... holding unit, 14 ... polishing abrasive grain supply unit,
15: semiconductor substrate, 16: abrasive grains, 17 ...
A dresser section, 18 driving means, 19 a semiconductor substrate supply section, 20 a semiconductor substrate discharge section;

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転駆動される研磨パッドと、 研磨パッドの上方にて、上下動可能に支持され、且つ半
導体基板の供給部及び排出部に移動可能であると共に、
下面に半導体基板を保持するための保持部を備えた押圧
手段と、 研磨パッドの上面に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供給部
と、を含んでいる、半導体基板の研磨装置であって、 前記押圧手段の下面の周縁に沿って、ドレッサー部が設
けられていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
A polishing pad that is driven to rotate; a polishing pad that is vertically movably supported above the polishing pad, and is movable to a supply unit and a discharge unit of a semiconductor substrate;
Pressing means provided with a holding portion for holding the semiconductor substrate on the lower surface, and a polishing abrasive grain supply unit for supplying abrasive grains to the upper surface of the polishing pad, a semiconductor substrate polishing apparatus, An apparatus for polishing a semiconductor substrate, wherein a dresser portion is provided along a peripheral edge of a lower surface of the pressing means.
【請求項2】 前記ドレッサー部が、押圧手段の保持部
に保持された半導体基板の下面に対して、下方に突出し
た作業位置と上方に退避した待機位置との間で上下動可
能に支持されていることを特徴とする請求項1に記載の
半導体基板の研磨装置。
2. The dresser unit is supported on a lower surface of a semiconductor substrate held by a holding unit of a pressing means so as to be vertically movable between a working position protruding downward and a standby position retracted upward. The apparatus for polishing a semiconductor substrate according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記ドレッサー部が、押圧手段の保持部
に保持された半導体基板の下面に対して、半導体基板の
下面の研磨と研磨パッドのドレッシングが同時に行われ
るように、位置調整されていることを特徴とする、請求
項1に記載の半導体基板の研磨装置。
3. The position of the dresser portion is adjusted with respect to the lower surface of the semiconductor substrate held by the holding portion of the pressing means so that polishing of the lower surface of the semiconductor substrate and dressing of the polishing pad are simultaneously performed. The apparatus for polishing a semiconductor substrate according to claim 1, wherein:
【請求項4】 回転駆動される研磨パッドに対して、押
圧手段により保持した半導体基板の下面を当接すると共
に、研磨パッド上に研磨砥粒を供給することにより、こ
の半導体基板の下面を研磨するようにした、半導体基板
の研磨方法であって、 前記押圧手段の下面の周縁に上下動可能に配設されたド
レッサー部により、前記研磨パッドのドレッシングを行
なうようにしたことを特徴とする、半導体基板の研磨方
法。
4. The lower surface of the semiconductor substrate is polished by bringing the lower surface of the semiconductor substrate held by the pressing means into contact with the polishing pad that is driven to rotate, and supplying abrasive grains to the polishing pad. A method of polishing a semiconductor substrate as described above, wherein the dressing of the polishing pad is performed by a dresser portion movably arranged on a peripheral edge of a lower surface of the pressing means. Substrate polishing method.
【請求項5】 前記ドレッサー部による研磨パッドのド
レッシングが、前記ドレッサー部の上下動により、半導
体基板の研磨と交互に行なわれることを特徴とする、請
求項4に記載の半導体基板の研磨方法。
5. The method for polishing a semiconductor substrate according to claim 4, wherein the dressing of the polishing pad by the dresser portion is performed alternately with the polishing of the semiconductor substrate by the vertical movement of the dresser portion.
【請求項6】 前記ドレッサー部による研磨パッドのド
レッシングが、前記ドレッサー部の上下位置調整によ
り、半導体基板の研磨と同時に行なわれることを特徴と
する、請求項4に記載の半導体基板の研磨方法。
6. The method of polishing a semiconductor substrate according to claim 4, wherein dressing of the polishing pad by the dresser is performed simultaneously with polishing of the semiconductor substrate by adjusting the vertical position of the dresser.
【請求項7】 半導体基板の表面を研磨部によって研磨
すると共に、この半導体基板に対して所定の処理を行な
うことにより、半導体装置を製造するようにした、半導
体製造装置であって、 前記研磨部が、回転駆動される研磨パッドと、研磨パッ
ドの上方にて、上下動可能に支持され、且つ半導体基板
の供給部及び排出部に移動可能であると共に、下面に半
導体基板を保持するための保持部を備えた押圧手段と、
研磨パッドの上面に研磨砥粒を供給する研磨砥粒供給部
とを含んでおり、 前記押圧手段の下面の周縁に沿って、ドレッサー部が設
けられていることを特徴とする、半導体製造装置。
7. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a surface of a semiconductor substrate is polished by a polishing unit and a predetermined process is performed on the semiconductor substrate to manufacture a semiconductor device. Is a polishing pad that is rotationally driven, and is supported movably up and down above the polishing pad, and is movable to a supply unit and a discharge unit of the semiconductor substrate, and is also configured to hold the semiconductor substrate on the lower surface. Pressing means having a portion,
A polishing abrasive grain supply unit for supplying abrasive grains to an upper surface of a polishing pad; and a dresser unit is provided along a peripheral edge of a lower surface of the pressing unit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009095952A (en) * 2007-10-18 2009-05-07 Denso Corp Manufacturing method of wafer

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