JPH1141792A - Temperature protective circuit - Google Patents
Temperature protective circuitInfo
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- JPH1141792A JPH1141792A JP9207359A JP20735997A JPH1141792A JP H1141792 A JPH1141792 A JP H1141792A JP 9207359 A JP9207359 A JP 9207359A JP 20735997 A JP20735997 A JP 20735997A JP H1141792 A JPH1141792 A JP H1141792A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電源装置に用いら
れるメイン素子（バイポーラ・トランジスタ、ＭＯＳＦ
ＥＴなど）の温度保護回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a main element (bipolar transistor, MOSF
ET etc.).
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電源装置に用いられているメイン
素子の温度保護回路は、サーミスタや温度ヒューズを用
いた回路より構成されている。このメイン素子の保護温
度は、メイン素子の接合部温度が１５０℃であることか
ら、通常、１２５℃で保護をしている。2. Description of the Related Art Conventionally, a temperature protection circuit of a main element used in a power supply device is constituted by a circuit using a thermistor or a temperature fuse. The protection temperature of the main element is usually 125 ° C. since the junction temperature of the main element is 150 ° C.
【０００３】図２に、サーミスタを用いた例を示す（サ
ーミスタは、メイン素子と密着させて実装する）。サー
ミスタＴＨ１に２５℃時、１００ＫΩとなるものを用い
た場合〔例えば、石塚電子（株）製の１０４ＧＴ〕、１
２５℃では、２．７ＫΩとなるので、抵抗Ｒ１＝Ｒ３＝
１００ＫΩ、抵抗Ｒ２＝２．７ＫΩとすれば、増幅器Ｚ
１の出力は、メイン素子の温度が１２５℃以下では、高
く（ＨＩＧＨ）なり、１２５℃を超えると、低く（ＬＯ
Ｗ）なる。FIG. 2 shows an example using a thermistor (the thermistor is mounted in close contact with a main element). When using a thermistor TH1 which becomes 100 KΩ at 25 ° C. [for example, 104GT manufactured by Ishizuka Electronics Co., Ltd.], 1
At 25 ° C., the resistance becomes 2.7 KΩ, so that the resistance R1 = R3 =
If 100KΩ and the resistance R2 = 2.7KΩ, the amplifier Z
1 becomes high (HIGH) when the temperature of the main element is 125 ° C. or less, and becomes low (LO) when the temperature exceeds 125 ° C.
W)
【０００４】すなわち、１２５℃以下では、バイポーラ
・トランジスタＱ２がオン（ＯＮ）し、バイポーラトラ
ンジスタＱ１がオン（ＯＮ）することにより入力を供給
する。一方、１２５℃を超えると、バイポーラ・トラン
ジスタＱ２がオフ（ＯＦＦ）し、バイポーラ・トランジ
スタＱ１がオフ（ＯＦＦ）することにより入力を遮断す
る。図３は、温度ヒューズを用いた例を示す（温度ヒュ
ーズは、メイン素子と密着させて実装する）。温度ヒュ
ーズＦ１に１２５℃で切断するものを用いることによ
り、メイン素子が１２５℃を超えた場合には、入力を遮
断する。That is, at 125 ° C. or lower, the bipolar transistor Q2 is turned on (ON), and the bipolar transistor Q1 is turned on (ON) to supply an input. On the other hand, when the temperature exceeds 125 ° C., the bipolar transistor Q2 is turned off (OFF), and the input is cut off by turning off (OFF) the bipolar transistor Q1. FIG. 3 shows an example using a thermal fuse (the thermal fuse is mounted in close contact with the main element). By using a fuse that cuts at 125 ° C. as the thermal fuse F1, the input is cut off when the temperature of the main element exceeds 125 ° C.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のサーミスタ
を用いたものは、価格が高いことや部品点数が多くなる
などの問題があり、温度ヒューズを用いたものは、価格
が高いことやハンダ付けの時の温度で切断してしまうな
どの問題があった。本発明は、これらの問題を解消すべ
くなされたものであり、価格が安く、部品点数が少な
く、かつ、簡単な回路で、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護を計り得る温度保護回路を提供すること
にある。The one using the above-mentioned conventional thermistor has problems such as a high price and a large number of parts, and the one using a thermal fuse has a high price and a problem of soldering. There was a problem such as cutting at the temperature at the time. The present invention has been made in order to solve these problems, and has a temperature protection circuit that can measure the temperature protection of a main element used in a power supply device with a low price, a small number of parts, and a simple circuit. To provide.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決し得る
本発明の温度保護回路は、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護回路中に、設定温度を超えると、ショー
トモードで破壊するショットキーバリアダイオード（Ｄ
１）を配設させている。このように、電源装置に用いら
れるメイン素子の温度保護回路中に、設定温度を超える
と、ショートモードで破壊するショットキーバリアダイ
オード（Ｄ１）を配設させると、ショットキーバリアダ
イオード（Ｄ１）の接合部温度が１２５℃を超えると、
ショートモードで破壊し、温度保護回路への電力の入力
を遮断する。A temperature protection circuit according to the present invention, which can solve the above-mentioned problems, is provided in a temperature protection circuit of a main element used in a power supply device, when a temperature exceeding a set temperature is destroyed in a short mode. Key barrier diode (D
1) is provided. As described above, when the Schottky barrier diode (D1) that breaks down in the short mode when the set temperature is exceeded is provided in the temperature protection circuit of the main element used in the power supply device, the Schottky barrier diode (D1) If the junction temperature exceeds 125 ° C,
Breaks down in short mode and cuts off power input to the temperature protection circuit.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施の
形態を説明する。図１に示すように、抵抗Ｒ７およびシ
ョットキーバリアダイオードＤ１は、互いに、直列に接
続されているが、これらの器材Ｒ７，Ｄ１は、電源装置
１０に対して並列に接続されている。すなわち、ショッ
トキーバリアダイオードＤ１に接続していない方の抵抗
Ｒ７の接続端２３は、電源装置１０に接続している一方
の配線２１に接続し、抵抗Ｒ７に接続していない方のシ
ョットキーバリアダイオードＤ１の接続端２４は、電源
装置１０に接続している他の一方の配線２２に接続して
いる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the resistor R7 and the Schottky barrier diode D1 are connected in series with each other, but these devices R7 and D1 are connected in parallel to the power supply device 10. That is, the connection end 23 of the resistor R7 that is not connected to the Schottky barrier diode D1 is connected to the one wiring 21 that is connected to the power supply device 10, and the Schottky barrier that is not connected to the resistor R7 is connected. The connection end 24 of the diode D1 is connected to the other wiring 22 connected to the power supply device 10.
【０００８】さらに、抵抗Ｒ７の接続端２３と電源装置
１０との間には、電源装置１０に対してバイポーラ・ト
ランジスタＱ３が直列に接続されている。そして、この
バイポーラ・トランジスタＱ３のベースＢに抵抗Ｒ６を
介してバイポーラ・トランジスタＱ４のコレクタＣが接
続されている。このバイポーラ・トランジスタＱ４は、
そのベースＢが、抵抗Ｒ７とショットキーバリアダイオ
ードＤ１との間に接続し、エミッタＥが上記配線２２に
接続している。上記のショットキーバリアダイオードＤ
１は、電源装置１０のメイン素子と密着させて実装され
ている。Further, a bipolar transistor Q3 is connected in series with the power supply 10 between the connection terminal 23 of the resistor R7 and the power supply 10. The collector B of the bipolar transistor Q4 is connected to the base B of the bipolar transistor Q3 via the resistor R6. This bipolar transistor Q4
The base B is connected between the resistor R7 and the Schottky barrier diode D1, and the emitter E is connected to the wiring 22. The above Schottky barrier diode D
1 is mounted in close contact with the main element of the power supply device 10.
【０００９】しかして、メイン素子が１２５℃以下で
は、ショットキーバリアダイオードＤ１は、正常なの
で、バイポーラ・トランジスタＱ４がオン（ＯＮ）し、
バイポーラ・トランジスタＱ３がオン（ＯＮ）すること
により入力を供給する。メイン素子が１２５℃を超える
と、ショットキーバリアダイオードＤ１がショートする
ため、バイポーラ・トランジスタＱ４がオフ（ＯＦＦ）
し、バイポーラ・トランジスタＱ３がオフ（ＯＦＦ）す
ることにより入力を遮断する。When the temperature of the main element is lower than 125 ° C., the Schottky barrier diode D1 is normal, and the bipolar transistor Q4 is turned on.
The input is supplied by turning on the bipolar transistor Q3. When the temperature of the main element exceeds 125 ° C., the Schottky barrier diode D1 is short-circuited, so that the bipolar transistor Q4 is turned off.
Then, the input is shut off by turning off the bipolar transistor Q3.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上のごとく、本発明によれば、サーミ
スタを用いた従来の温度保護回路に比べて部品点数がほ
ぼ半減する。その結果、回路も非常に簡単なものにな
る。そして、回路が簡単になったことと、安価なショッ
トキーバリアダイオードを用いることとが相まって価格
の安い温度保護回路を提供することができる。As described above, according to the present invention, the number of components is reduced by almost half as compared with the conventional temperature protection circuit using a thermistor. The result is a very simple circuit. In addition, the simplification of the circuit and the use of an inexpensive Schottky barrier diode combine to provide an inexpensive temperature protection circuit.
【図１】ショットキーバリアダイオードを用いた本発明
にかかる温度保護回路である。FIG. 1 is a temperature protection circuit according to the present invention using a Schottky barrier diode.
【図２】サーミスタを用いた従来の温度保護回路であ
る。FIG. 2 is a conventional temperature protection circuit using a thermistor.
【図３】温度ヒューズを用いた従来の温度保護回路であ
る。FIG. 3 is a conventional temperature protection circuit using a temperature fuse.
１０ 電源装置 Ｄ１ ショットキーバリアダイオード 10 Power supply D1 Schottky barrier diode
Claims (2)
保護回路において、この回路中に、設定温度を超える
と、ショートモードで破壊するショットキーバリアダイ
オード（Ｄ１）を配設させたことを特徴とする温度保護
回路。1. A temperature protection circuit for a main element used in a power supply device, wherein a Schottky barrier diode (D1), which breaks down in a short mode when a set temperature is exceeded, is provided in the circuit. Temperature protection circuit.
およびショットキーバリアダイオード（Ｄ１）が並列に
接続され、電源装置（１０）の一方の配線（２２）に接
続する抵抗（Ｒ７）の接続端（２３）と電源装置（１
０）との間には、電源装置（１０）に対してバイポーラ
・トランジスタ（Ｑ３）が直列に接続され、このバイポ
ーラ・トランジスタ（Ｑ３）のベース（Ｂ）に抵抗（Ｒ
６）を介してバイポーラ・トランジスタ（Ｑ４）のコレ
クタ（Ｃ）が接続され、さらに、バイポーラ・トランジ
スタ（Ｑ４）は、そのベース（Ｂ）が抵抗（Ｒ７）とシ
ョットキーバリアダイオード（Ｄ１）との間に接続し、
バイポーラ・トランジスタ（Ｑ４）のエミッタ（Ｅ）が
電源装置（１０）の他の一方の配線（２２）に接続して
いる請求項１記載の温度保護回路。2. A resistor (R7) for a power supply (10).
And a Schottky barrier diode (D1) connected in parallel, a connection end (23) of a resistor (R7) connected to one wiring (22) of the power supply (10) and the power supply (1).
0), a bipolar transistor (Q3) is connected in series to the power supply device (10), and a resistance (R) is connected to the base (B) of the bipolar transistor (Q3).
6), the collector (C) of the bipolar transistor (Q4) is connected, and the base (B) of the bipolar transistor (Q4) is connected to the resistor (R7) and the Schottky barrier diode (D1). Connect between,
The temperature protection circuit according to claim 1, wherein the emitter (E) of the bipolar transistor (Q4) is connected to the other wiring (22) of the power supply (10).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207359A JPH1141792A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Temperature protective circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207359A JPH1141792A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Temperature protective circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141792A true JPH1141792A (en) | 1999-02-12 |
Family
ID=16538435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9207359A Pending JPH1141792A (en) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Temperature protective circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1141792A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006033970A1 (en) * | 2006-07-22 | 2008-01-24 | Braun Gmbh | Temperature protection circuit for e.g. power transistor, has schottky diode connected using electronic circuit, which controls power transistor based on current, which flows in reverse direction through schottky diode |
| JP2018517600A (en) * | 2015-04-29 | 2018-07-05 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉｎｅｎｔａｌ Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ＧｍｂＨ | Method for monitoring electronic control device and control device for automobile |
| CN112234057A (en) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙) | SiC MOSFET device with protection structure |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP9207359A patent/JPH1141792A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006033970A1 (en) * | 2006-07-22 | 2008-01-24 | Braun Gmbh | Temperature protection circuit for e.g. power transistor, has schottky diode connected using electronic circuit, which controls power transistor based on current, which flows in reverse direction through schottky diode |
| JP2018517600A (en) * | 2015-04-29 | 2018-07-05 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉｎｅｎｔａｌ Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ＧｍｂＨ | Method for monitoring electronic control device and control device for automobile |
| US10691117B2 (en) | 2015-04-29 | 2020-06-23 | Vitesco Technologies GmbH | Method for monitoring an electronic control unit and control unit for a motor vehicle |
| CN112234057A (en) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙) | SiC MOSFET device with protection structure |
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