JPH1140552A - Atmospheric pressure cvd equipment - Google Patents

Atmospheric pressure cvd equipment

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Publication number
JPH1140552A
JPH1140552A JP9197591A JP19759197A JPH1140552A JP H1140552 A JPH1140552 A JP H1140552A JP 9197591 A JP9197591 A JP 9197591A JP 19759197 A JP19759197 A JP 19759197A JP H1140552 A JPH1140552 A JP H1140552A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
fitting
pressure cvd
pair
slide blocks
Prior art date
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Application number
JP9197591A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Miyaki
幸雄 宮木
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPH1140552A publication Critical patent/JPH1140552A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an atmospheric pressure CVD equipment which is capable of preventing the generation of dust, and to avoid falling of a wafer pallet. SOLUTION: A silicon wafer is placed on a wafer pallet 4 which is fixedly fitted between a pair of slide blocks 20, 20 and a pair of tap plates 21, 21 which are, respectively, arranged in face-to-face relation. The silicon wafer is conveyed to a reactive gas ejection system, by permitting the slide blocks 20, 20 to be moved in accordance with rotation of a pair of two-row endless conveyor chains 15, 15. Then, temperature is raised by means of hot plates each provided inside the conveyor chains 15, 15 to form a film on the silicon wafer. A bridge 30 is provided between the pair of slide blocks 20, 20 to keep the distance therebetween and to connect the blocks 20, 20 with each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等を製
造する製造工程で使用されている常圧CVD装置に関す
るものであり、詳しくは、その搬送機構に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an atmospheric pressure CVD apparatus used in a manufacturing process for manufacturing a semiconductor device and the like, and more particularly, to a transport mechanism for the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】常圧CVD(Chemical Vapor Depositio
n) 装置は、図11に示すように、長方形状の薄型の各
ウエハーパレット51…に複数枚のウエハー52を乗
せ、このウエハーパレット51…をエンドレス状の搬送
チェーン53にて搬送し、ホットプレート54とCVD
ヘッド55との間を通過させ、加熱雰囲気で反応ガスを
噴出してウエハー52に酸化膜等を堆積させる装置であ
る。
2. Description of the Related Art Atmospheric pressure CVD (Chemical Vapor Depositio)
n) As shown in FIG. 11, the apparatus places a plurality of wafers 52 on each rectangular thin wafer pallet 51..., and conveys the wafer pallets 51. 54 and CVD
This is an apparatus that deposits an oxide film or the like on the wafer 52 by passing the gas through the head 55 and ejecting a reaction gas in a heated atmosphere.

【0003】ところで、上記のウエハー52に酸化膜を
堆積するときには、ウエハーパレット51…の表面にも
酸化膜が堆積する。このため、ウエハーパレット51…
は、酸化膜を複数回堆積後又は1〜2日使用後、ウエハ
ーパレット51における表面上の酸化膜をエッチング除
去するために取外す必要がある。
When an oxide film is deposited on the wafer 52, the oxide film is also deposited on the surface of the wafer pallets 51. Therefore, the wafer pallets 51 ...
After the oxide film is deposited a plurality of times or used for one to two days, it is necessary to remove the oxide film on the surface of the wafer pallet 51 in order to etch away the oxide film.

【0004】そこで、上記の各ウエハーパレット51…
は、図12に示すように、搬送チェーン53・53の両
内側に固定されているスライドブロック56・56に橋
渡し状に取り付けられており、取外しが容易となってい
る。
Therefore, each of the wafer pallets 51 ...
As shown in FIG. 12, are mounted in a bridging manner on slide blocks 56 fixed to both inner sides of the transport chains 53, 53, so that removal is easy.

【0005】また、上記の各ウエハーパレット51…
は、エンドレス状の搬送チェーン53の回転によって、
ウエハー52を取り外した後は、下向きに搬送される。
そこで、ウエハーパレット51…が下向きになっても落
ちないように、スライドブロック56・56に掛けたウ
エハーパレット51の端を4か所、押さえ板57…にて
押さえている。これによって、ウエハーパレット51
は、スライドブロック56・56及び押さえ板57…に
て嵌合係止されるものとなっている。
[0005] Each of the wafer pallets 51 ...
Is rotated by the rotation of the endless transport chain 53,
After the wafer 52 is removed, it is transported downward.
In order to prevent the wafer pallets 51 from falling even when the wafer pallets 51 face downward, the ends of the wafer pallets 51 hung on the slide blocks 56 are held by four holding plates 57. Thereby, the wafer pallet 51
Are fitted and locked by the slide blocks 56 and the pressing plates 57.

【0006】ここで、ウエハーパレット51…が下向き
となっているときには、上記のスライドブロック56・
56には、ウエハーパレット51の自重等により、外側
へ開く方向への作用力が働く。このため、ウエハーパレ
ット51…がスライドブロック56・56から外れて落
下しがちとなる。
Here, when the wafer pallets 51... Face downward, the slide blocks 56.
Due to the weight of the wafer pallet 51 and the like, an acting force acts in the direction of opening outward. Therefore, the wafer pallets 51 tend to fall off the slide blocks 56 and fall.

【0007】そこで、従来の常圧CVD装置には、スラ
イドブロック56・56の横方向への開移動を抑えてウ
エハーパレット51…の落下を防止するために、スライ
ドブロック56・56の両外側には、これらスライドブ
ロック56・56に摺接するガイドローラ58・58が
複数箇所に設けられている。
Therefore, in the conventional atmospheric pressure CVD apparatus, in order to prevent the slide blocks 56, 56 from opening in the horizontal direction and to prevent the wafer pallets 51 from falling, both sides of the slide blocks 56, 56 are required. Are provided at a plurality of locations with guide rollers 58 sliding on the slide blocks 56.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の常圧CVD装置では、ガイドローラ58・58がス
ライドブロック56・56に摺接するので、そのときの
接触摩耗によりダストが発生し、そのダストがガイドロ
ーラ58・58近傍やスライドブロック56・56に堆
積する。
However, in the conventional atmospheric pressure CVD apparatus described above, the guide rollers 58, 58 are in sliding contact with the slide blocks 56, so that dust is generated due to the contact wear at that time, and the dust is generated. It accumulates on the guide rollers 58 and near the slide blocks 56 and 56.

【0009】この結果、ダストのないクリーンな環境を
必要とする当該常圧CVD装置においては、ガイドロー
ラ58・58とスライドブロック56・56との接触摩
耗によるダスト発生は重大な問題となる。
As a result, dust generation due to contact wear between the guide rollers 58 and the slide blocks 56 becomes a serious problem in the normal pressure CVD apparatus requiring a dust-free clean environment.

【0010】ここで、ガイドローラ58・58とスライ
ドブロック56・56との摺接によるダスト発生を防止
すべく、例えば、ガイドローラ58・58を無くし、か
つ押さえ板57…によるウエハーパレット51…の係合
を確実なものにするために、上記の押さえ板57…を長
く形成することが考えられる。
Here, in order to prevent the generation of dust due to the sliding contact between the guide rollers 58, 58 and the slide blocks 56, for example, the guide rollers 58, 58 are eliminated, and the wafer pallets 51 are formed by the holding plates 57. In order to secure the engagement, it is conceivable to form the pressing plates 57 long.

【0011】しかしながら、そのようにすると、押さえ
板57…とウエハーパレット51との擦れ部分が多くな
り、やはりダストが発生して、このダストがウエハーに
付着する。
However, in this case, the rubbing portion between the pressing plates 57... And the wafer pallet 51 increases, so that dust is also generated, and the dust adheres to the wafer.

【0012】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、ダストの発生を防止し
て、ウエハーパレットの落下を回避し得る常圧CVD装
置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to provide an atmospheric pressure CVD apparatus capable of preventing generation of dust and avoiding falling of a wafer pallet. is there.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明の常
圧CVD装置は、上記課題を解決するために、対向配置
された一対の嵌合係止部材の間に嵌合係止されたウエハ
ーパレットにウエハーを載置し、この嵌合係止部材をエ
ンドレス状の回転搬送帯の回転に伴って移動させること
によりウエハーを反応ガス噴出装置へ搬送し、回転搬送
帯の内側に設けたホットプレートにて高温状態にしてウ
エハーに皮膜形成を行う常圧CVD装置において、上記
一対の嵌合係止部材の間には、これら嵌合係止部材の相
互間距離を保持すべく、両嵌合係止部材を連結する連結
部材が設けられていることを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a normal pressure CVD apparatus in which a pair of fitting and locking members arranged opposite to each other are fitted and locked. The wafer is placed on the wafer pallet, and the fitting and locking member is moved with the rotation of the endless rotary transfer belt to transfer the wafer to the reaction gas ejecting device. In a normal-pressure CVD apparatus in which a film is formed on a wafer in a high-temperature state by a plate, a pair of fitting and locking members are fitted between the pair of fitting and locking members so as to maintain a mutual distance between the fitting and locking members. A connection member for connecting the locking member is provided.

【0014】即ち、ウエハーに皮膜を形成し、このウエ
ハーを取外した後のウエハーパレットは、エンドレス状
の回転搬送帯の回転に伴って、このエンドレス状の回転
搬送帯に懸架された状態で回転移動する。このとき、一
対の嵌合係止部材には、自重により外側に開く方向への
作用力が働くので、嵌合係止部材のウエハーパレットへ
の嵌合係止が外れてウエハーパレットが落下しがちとな
る。
That is, after a film is formed on a wafer and the wafer is removed, the wafer pallet is rotationally moved in a state of being suspended on the endless rotary transport band as the endless rotary transport band rotates. I do. At this time, since a force acting in a direction to open outward due to its own weight acts on the pair of fitting and locking members, the fitting and locking of the fitting and locking members to the wafer pallet is released, and the wafer pallet tends to drop. Becomes

【0015】そこで、従来においては、この外側への開
移動を防止するために嵌合係止部材の外側に摺接するガ
イドローラを設けていたが、これにより、接触摩耗によ
りダストが発生するという問題があった。
Therefore, conventionally, a guide roller that slides on the outside of the fitting / locking member is provided to prevent the outward opening movement, but this causes a problem that dust is generated due to contact wear. was there.

【0016】しかし、上記の発明によれば、一対の嵌合
係止部材は、両嵌合係止部材を連結する連結部材によっ
て、その相互間距離が保持される。
However, according to the above invention, the distance between the pair of fitting and locking members is maintained by the connecting member that connects the two fitting and locking members.

【0017】従って、ガイドローラを無くした状態で、
嵌合係止部材の外側への開移動を防止できるので、接触
摩耗する部分が無くなることになる。このため、ダスト
の発生を防止することができる。
Therefore, with the guide roller removed,
Since the outward movement of the fitting / locking member can be prevented, there is no portion that is worn by contact. For this reason, generation of dust can be prevented.

【0018】この結果、ダストの発生を防止して、ウエ
ハーパレットの落下を回避し得る常圧CVD装置を提供
することができる。
As a result, it is possible to provide a normal-pressure CVD apparatus capable of preventing generation of dust and avoiding falling of a wafer pallet.

【0019】請求項2に係る発明の常圧CVD装置は、
上記課題を解決するために、請求項1記載の常圧CVD
装置において、上記の連結部材は、上記一対の嵌合係止
部材の側面に取り付けられていることを特徴としてい
る。
An atmospheric pressure CVD apparatus according to a second aspect of the present invention comprises:
Atmospheric pressure CVD according to claim 1 for solving the above problem.
In the apparatus, the connecting member is attached to a side surface of the pair of fitting and locking members.

【0020】上記の発明によれば、上記の連結部材は、
一対の嵌合係止部材の側面に取り付けられているので、
ホットプレートの表面との距離が遠くなる。
According to the above invention, the connecting member is
Because it is attached to the side of a pair of mating locking members,
The distance from the surface of the hot plate increases.

【0021】即ち、連結部材を一対の嵌合係止部材の裏
面に取り付けた場合には、ホットプレートの表面との距
離が近いので、連結部材はホットプレートにより温度上
昇し易くなり、これによって、連結部材が容易に撓んで
ホットプレートと接触するおそれがある。
That is, when the connecting member is attached to the back surface of the pair of fitting / locking members, the distance between the connecting member and the front surface of the hot plate is short, and the temperature of the connecting member is easily increased by the hot plate. There is a possibility that the connecting member is easily bent and comes into contact with the hot plate.

【0022】しかし、本発明では、連結部材を一対の嵌
合係止部材の側面に取り付けることにより、連結部材は
ホットプレートの表面との間に距離を隔てることになる
ので、温度上昇の程度が低減し、これによって撓み寸法
も小さくなる。この結果、連結部材のホットプレートへ
の接触を回避し、ダストの発生を防止することができ
る。
However, according to the present invention, since the connecting member is attached to the side surface of the pair of fitting / locking members, the connecting member is spaced apart from the surface of the hot plate. And thus the deflection dimension is also reduced. As a result, contact of the connecting member with the hot plate can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0023】請求項3に係る発明の常圧CVD装置は、
上記課題を解決するために、請求項1又は2記載の常圧
CVD装置において、上記の連結部材は剛性線状部材か
らなり、かつ剛性線状部材の両端が両嵌合係止部材に設
けられた突設ピンに巻回されていることを特徴としてい
る。
The atmospheric pressure CVD apparatus according to the third aspect of the present invention comprises:
In order to solve the above-mentioned problem, in the normal pressure CVD apparatus according to claim 1 or 2, the connecting member is formed of a rigid linear member, and both ends of the rigid linear member are provided on both fitting locking members. It is characterized by being wound around a protruding pin.

【0024】上記の発明によれば、連結部材は、剛性線
状部材からなり、かつ剛性線状部材の両端が両嵌合係止
部材に設けられた突設ピンに巻回されている。
According to the above invention, the connecting member is made of a rigid linear member, and both ends of the rigid linear member are wound around the protruding pins provided on both the fitting and locking members.

【0025】このため、連結部材が熱膨張しても、その
伸長はこの巻回部分で曲率伸縮により吸収される。従っ
て、連結部材が熱膨張しても、下向きへの撓みが低減さ
れる。この結果、連結部材のホットプレートへの接触を
回避し、ダストの発生を防止することができる。
For this reason, even if the connecting member thermally expands, its expansion is absorbed by the curvature expansion and contraction at the winding portion. Therefore, even if the connecting member thermally expands, the downward bending is reduced. As a result, contact of the connecting member with the hot plate can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0026】請求項4に係る発明の常圧CVD装置は、
上記課題を解決するために、請求項1又は2記載の常圧
CVD装置において、上記の連結部材は、その中央部が
ホットプレートの表面に対して垂直な立設面となる板状
部材からなっていることを特徴としている。
A normal pressure CVD apparatus according to a fourth aspect of the present invention comprises:
In order to solve the above-mentioned problem, in the atmospheric pressure CVD apparatus according to claim 1 or 2, the connecting member is formed of a plate-like member whose central portion is an upright surface perpendicular to the surface of the hot plate. It is characterized by having.

【0027】上記の発明によれば、連結部材は、その中
央部がホットプレートの表面に対して垂直な立設面とな
る板状部材からなっている。従って、板状部材からなる
連結部材は、温度上昇を受けても、撓みはその中央部に
おいて主として上下方向ではなく曲がりやすい水平方向
に生じる。
According to the above invention, the connecting member is formed of a plate-like member whose central portion is an upright surface perpendicular to the surface of the hot plate. Therefore, even if the connecting member made of a plate-shaped member receives a rise in temperature, the bending occurs in the central portion thereof not in the vertical direction but mainly in the horizontal direction in which it is easy to bend.

【0028】この結果、連結部材のホットプレートへの
接触を回避し、ダストの発生を防止することができる。
As a result, contact of the connecting member with the hot plate can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

〔実施の形態1〕本発明の実施の一形態について図1な
いし図7に基づいて説明すれば、以下の通りである。
[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0030】本実施の形態の常圧CVD(Chemical Vapo
r Deposition) 装置は、例えば半導体装置を製造する製
造工程で使用されているものであり、半導体基体のシリ
コンウエハーに反応ガス及び加熱雰囲気にて常圧気相成
長法により酸化膜やPSG膜等の成膜を施すものであ
る。
The atmospheric pressure CVD (Chemical Vapo
r Deposition apparatus is used, for example, in a manufacturing process of manufacturing a semiconductor device, and forms an oxide film, a PSG film, etc. on a silicon wafer as a semiconductor substrate by a normal pressure vapor deposition method using a reaction gas and a heating atmosphere. A film is applied.

【0031】上記常圧CVD装置は、図2に示すよう
に、反応ガスを噴出するための反応ガス噴出装置1と、
この反応ガス噴出装置1へウエハーとしてのシリコンウ
エハー2を導くための搬送機構10と、シリコンウエハ
ー2を裏側から加熱するためのホットプレート3とを備
えている。
As shown in FIG. 2, the normal pressure CVD apparatus includes a reaction gas ejection device 1 for ejecting a reaction gas,
The apparatus includes a transfer mechanism 10 for guiding the silicon wafer 2 as a wafer to the reaction gas ejecting apparatus 1 and a hot plate 3 for heating the silicon wafer 2 from the back side.

【0032】上記の搬送機構10は、2つの大径駆動ス
プロケット11・12及び2つの小径従動スプロケット
13・14に巻回されたエンドレス状の回転搬送帯とし
ての例えば搬送チェーン15・15を両側面に2列平行
に備えている。これら一対の搬送チェーン15・15は
同期して回転移動するようになっている。尚、上記の搬
送チェーン15は、必ずしもこれに限らず、例えば搬送
ベルトにて構成されていても良い。
The transport mechanism 10 includes, for example, transport chains 15, 15 as endless rotary transport bands wound around two large-diameter drive sprockets 11, 12 and two small-diameter driven sprockets 13, 14. Are provided in two rows in parallel. The pair of transport chains 15 are configured to rotate and move in synchronization. The transport chain 15 is not limited to this, and may be configured by a transport belt, for example.

【0033】そして、図1に示すように、これら搬送チ
ェーン15・15には、各内側に嵌合係止部材としての
スライドブロック20・20が取り付けられている。ま
た、これらスライドブロック20・20の間には、スラ
イドブロック20・20の各内側に形成されたL字状の
載置部25a・25aに、橋渡し状に、上記のシリコン
ウエハー2を載置するためのウエハーパレット4が載置
及び挟持された状態で取外し容易に設けられている。
As shown in FIG. 1, slide blocks 20 as fitting engagement members are attached to the inside of each of the transport chains 15. In addition, the silicon wafer 2 is placed between these slide blocks 20 in a bridging manner on L-shaped mounting portions 25a formed inside each of the slide blocks 20. Pallet 4 is easily mounted and removed in a state where it is placed and sandwiched.

【0034】即ち、上記のシリコンウエハー2に反応ガ
ス噴出装置1にて酸化膜を堆積するときには、ウエハー
パレット4…の表面にも酸化膜が堆積する。このため、
ウエハーパレット4…は、酸化膜を複数回堆積後、又は
1〜2日使用後、ウエハーパレット4の表面上の酸化膜
をエッチング除去するために取外しが必要となる。この
ために、搬送機構10は、ウエハーパレット4がスライ
ドブロック20・20に対して取外し容易な構造となっ
ているものである。
That is, when an oxide film is deposited on the silicon wafer 2 by the reaction gas ejecting apparatus 1, the oxide film is also deposited on the surface of the wafer pallets 4.. For this reason,
The wafer pallets 4 need to be removed after the oxide film is deposited a plurality of times or after one to two days of use in order to etch away the oxide film on the surface of the wafer pallet 4. For this reason, the transport mechanism 10 has a structure in which the wafer pallet 4 can be easily removed from the slide blocks 20.

【0035】また、この搬送機構10においては、シリ
コンウエハー2は、下流側の大径駆動スプロケット12
近傍でシリコンウエハー2を取り外した後も、搬送チェ
ーン15・15の回転に伴って、下向きの状態で搬送さ
れる。従って、スライドブロック20・20には、シリ
コンウエハー2の落下を防止するために、図1及び図3
に示すように、嵌合係止部材としての押さえ板21…が
ウエハーパレット4の四隅を押さえるために設けられて
いる。この押さえ板21…は、例えば、略半円形状にて
なり、回転軸21aを中心に回転させることにより、押
さえ状態と非押さえ状態とに切り換え可能となってい
る。尚、このスライドブロック20・20と押さえ板2
1…とによって、ウエハーパレット4は嵌合係止された
状態となっている。
In the transfer mechanism 10, the silicon wafer 2 is transferred to the large-diameter drive sprocket 12 on the downstream side.
Even after the silicon wafer 2 is detached in the vicinity, it is transported downward with the rotation of the transport chains 15. Therefore, in order to prevent the silicon wafer 2 from dropping, the slide blocks 20, 20 shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, pressing plates 21 as fitting engagement members are provided to press the four corners of the wafer pallet 4. The holding plates 21 have, for example, a substantially semicircular shape, and can be switched between a holding state and a non-holding state by being rotated about a rotation shaft 21a. The slide blocks 20 and the holding plate 2
The wafer pallet 4 is engaged and locked by the steps 1.

【0036】次に、上記のスライドブロック20は、図
4及び図5に示すように、断面コの字状のガイドホルダ
ー22と、このガイドホルダー22の内側に設けられた
樹脂製のレール受け23と、上記ガイドホルダー22の
上側に設けられるスペーサ24と、さらにその上に設け
られるトレイステージ25とからなっている。尚、上記
のトレイステージ25の内側先端部は、ウエハーパレッ
ト4を嵌合係止するために、上述したL字状の載置部2
5a・25aとなっている。
Next, as shown in FIGS. 4 and 5, the slide block 20 includes a guide holder 22 having a U-shaped cross section, and a resin rail receiver 23 provided inside the guide holder 22. And a spacer 24 provided above the guide holder 22, and a tray stage 25 further provided thereon. Note that the inner end of the tray stage 25 is provided with the above-mentioned L-shaped mounting portion 2 for fitting and locking the wafer pallet 4.
5a and 25a.

【0037】また、上記スライドブロック20のガイド
ホルダー22は、搬送チェーン15に立設された取り付
けステー15aにて図示しないビスにて取り付け固定さ
れている。そして、これによって、スライドブロック2
0・20は、搬送チェーン15の回転に伴って、回転移
動するものとなっている。
The guide holder 22 of the slide block 20 is mounted and fixed by a not-shown screw on a mounting stay 15a erected on the transport chain 15. And by this, slide block 2
Reference numerals 0 and 20 rotate and move with the rotation of the transport chain 15.

【0038】さらに、図2にも示すように、搬送機構1
0における大径駆動スプロケット11と大径駆動スプロ
ケット12との間には、搬送チェーン15に沿って内側
に一対のガイドレール16が設けられている。
Further, as shown in FIG.
A pair of guide rails 16 are provided between the large-diameter drive sprocket 11 and the large-diameter drive sprocket 12 along the transport chain 15 at the inside.

【0039】従って、上記のスライドブロック20・2
0は、レール受け23がガイドレール16に案内される
ことにより、搬送チェーン15の上側で、安定して搬送
されるものとなっている。
Therefore, the slide blocks 20 and 2
The reference numeral 0 indicates that the rail receiver 23 is guided by the guide rail 16 so that it is stably transported above the transport chain 15.

【0040】ここで、図1に示すように、ウエハーパレ
ット4が搬送チェーン15にて搬送されて下向きとなる
ときには、スライドブロック20・20には、ウエハー
パレット4…の自重等により、外側へ開く方向への作用
力が働く。このため、ウエハーパレット4…がスライド
ブロック20・20から外れて落下しがちとなる。
Here, as shown in FIG. 1, when the wafer pallet 4 is transported by the transport chain 15 and turned downward, the slide blocks 20 are opened outward due to the weight of the wafer pallet 4. Acting force acts in the direction. For this reason, the wafer pallets 4 tend to fall off the slide blocks 20, 20.

【0041】そこで、本実施の形態の常圧CVD装置で
は、この外側へ開く方向への作用力に対向し得るよう
に、左右のスライドブロック20・20間に連結部材と
してのブリッジバネ30が張架されている。これによっ
て、スライドブロック20・20が開移動するときに
は、内側への引っ張り力が作用するので、ウエハーパレ
ット4…の落下が回避し得るものとなっている。
Therefore, in the atmospheric pressure CVD apparatus of the present embodiment, a bridge spring 30 as a connecting member is stretched between the left and right slide blocks 20 so as to be able to oppose the acting force in the outward opening direction. It is suspended. Thus, when the slide blocks 20 are opened, a pulling force acts inward, so that the wafer pallets 4 can be prevented from falling.

【0042】上記のブリッジバネ30は、本実施の形態
では、図6(a)(b)に示すように、小径の直線状の
剛性を有する例えばステンレスからなっており、図5に
も示すように、スライドブロック20・20におけるト
レイステージ25の裏面に下向きに設けられた突設ピン
25bに、このブリッジバネ30の端部が巻回されて取
り付けられている。尚、上記のブリッジバネ30の材質
は、接触によるダスト発生防止をも考慮してステンレス
を選択したものである。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 6A and 6B, the bridge spring 30 is made of, for example, stainless steel having a small-diameter linear rigidity, as shown in FIG. Further, an end of the bridge spring 30 is wound and attached to a protruding pin 25b provided on the slide block 20/20 on the back surface of the tray stage 25 downward. The material of the bridge spring 30 is selected from stainless steel in consideration of prevention of dust generation due to contact.

【0043】ここで、ブリッジバネ30は、図6(a)
に示すように、その端部で円形状部を設けて略90°に
折曲したものとなっている。
Here, the bridge spring 30 is shown in FIG.
As shown in FIG. 7, a circular portion is provided at the end and bent at approximately 90 °.

【0044】即ち、このブリッジバネ30は、例えば約
700°Cとなるホットプレート3の加熱により、熱膨
張して撓むことになる。このとき、ホットプレート3と
ウエハーパレット4との隙間は例えば約5mmであるの
で、ダストの発生を防止するために、この撓みによるブ
リッジバネ30のホットプレート3への接触を回避する
必要がある。
That is, the bridge spring 30 is thermally expanded and bent by the heating of the hot plate 3 at about 700 ° C., for example. At this time, since the gap between the hot plate 3 and the wafer pallet 4 is, for example, about 5 mm, it is necessary to avoid contact of the bridge spring 30 with the hot plate 3 due to this bending in order to prevent generation of dust.

【0045】そこで、ブリッジバネ30は、上述したよ
うに、ブリッジバネ30の両端部を突設ピン25bに巻
回して略90°に折曲した構造、即ち、その端部で円形
状部を設けた曲率伸縮構造を採用している。従って、こ
の曲率伸縮構造により、ブリッジバネ30が熱膨張によ
り伸長しても、温度上昇による線材の熱膨張を吸収し
て、ブリッジバネ30が撓むのを防止し得るものとなっ
ている。
Therefore, as described above, the bridge spring 30 has a structure in which both ends of the bridge spring 30 are wound around the protruding pins 25b and bent at approximately 90 °, that is, a circular portion is provided at the end. It adopts a curvature expansion and contraction structure. Therefore, even if the bridge spring 30 expands due to thermal expansion, the curvature expansion and contraction structure can absorb the thermal expansion of the wire rod due to the temperature rise and prevent the bridge spring 30 from bending.

【0046】さらに、このようにブリッジバネ30の端
部に円形状部を設けて突設ピン25bに取り付けること
により、このブリッジバネ30を突設ピン25bから脱
着するときには、図6(b)に示すように、ブリッジバ
ネ30を鋭角θとなるように手操作にて力を加えること
により、ブリッジバネ30の円形状部には、突設ピン2
5bとの間に隙間ΔLができるので、ブリッジバネ30
を突設ピン25bから容易に脱着して取り外すことがで
きる。
Further, by providing a circular portion at the end of the bridge spring 30 and attaching it to the projecting pin 25b, when the bridge spring 30 is detached from the projecting pin 25b, as shown in FIG. As shown in the figure, by manually applying a force to the bridge spring 30 so that the bridge spring 30 has an acute angle θ, the projecting pins 2
5b, a gap ΔL is formed between the bridge spring 30
Can be easily attached to and detached from the protruding pin 25b.

【0047】尚、上記のブリッジバネ30は、小径の直
線状に形成されたものからなっているので、ホットプレ
ート3からの熱を遮断することがないものとなってい
る。尚、このブリッジバネ30は線状に形成されている
が、その太さは棒状と言えるものを含む概念である。
Since the bridge spring 30 is made of a small-diameter linear member, the bridge spring 30 does not block heat from the hot plate 3. Although the bridge spring 30 is formed in a linear shape, the thickness of the bridge spring 30 includes a rod shape.

【0048】また、上記の例では、ブリッジバネ30
は、スライドブロック20・20におけるトレイステー
ジ25に下向きに設けられた突設ピン25bに巻回され
ており、その結果、スライドブロック20・20の裏面
に取り付けられたものとなっている。しかし、必ずしも
これに限らず、例えば、図7に示すように、スペースに
余裕があれば、トレイステージ25の側面に設けた突設
ピン25cに巻回することも可能である。
In the above example, the bridge spring 30
Are wound around projecting pins 25b provided downward on the tray stage 25 of the slide blocks 20. As a result, they are attached to the back surfaces of the slide blocks 20. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, if there is enough space, it can be wound around the projecting pin 25 c provided on the side surface of the tray stage 25.

【0049】次に、上記の常圧CVD装置の動作につい
て説明する。
Next, the operation of the normal pressure CVD apparatus will be described.

【0050】先ず、図2に示すように、搬送機構10に
おける大径駆動スプロケット11の近傍には、多数のシ
リコンウエハー2…を収容したウエハーカセット17が
設けられている。従って、このウエハーカセット17か
ら順次1枚毎にシリコンウエハー2が取り出され、自動
移載機18にて、ウエハーパレット4に1枚或いは複数
枚のシリコンウエハー2が載置される。
First, as shown in FIG. 2, a wafer cassette 17 accommodating a large number of silicon wafers 2 is provided near the large-diameter drive sprocket 11 in the transfer mechanism 10. Accordingly, the silicon wafers 2 are sequentially taken out of the wafer cassette 17 one by one, and one or more silicon wafers 2 are placed on the wafer pallet 4 by the automatic transfer machine 18.

【0051】このウエハーパレット4に載置されたシリ
コンウエハー2は、搬送機構10における搬送チェーン
15にてガイドレール16に沿って矢印A方向に水平に
搬送される。また、搬送途中においては、ホットプレー
ト3がウエハーパレット4の下側に設けられているの
で、シリコンウエハー2は徐々に加熱され、最終的には
例えば約400°Cに加熱される。
The silicon wafer 2 placed on the wafer pallet 4 is horizontally transferred in the direction of arrow A along the guide rail 16 by the transfer chain 15 of the transfer mechanism 10. In addition, since the hot plate 3 is provided below the wafer pallet 4 during the transfer, the silicon wafer 2 is gradually heated and finally heated to, for example, about 400 ° C.

【0052】次いで、反応ガス噴出装置1の直下まで搬
送されると、反応ガス噴出装置1から反応ガスが噴射さ
れてシリコンウエハー2に酸化膜が堆積される。その
後、反応ガス噴出装置1を過ぎて搬送機構10における
大径駆動スプロケット12の近傍位置に到達すると、ガ
イドレール16から離れると共に、その近傍に設けた自
動移載機19にて、シリコンウエハー2はウエハーパレ
ット4から取り外される。
Next, when the wafer is conveyed to a position immediately below the reaction gas ejection device 1, the reaction gas is ejected from the reaction gas ejection device 1 and an oxide film is deposited on the silicon wafer 2. After that, when the silicon wafer 2 reaches the position near the large-diameter drive sprocket 12 in the transfer mechanism 10 after passing through the reaction gas ejection device 1, the silicon wafer 2 is separated from the guide rail 16 by the automatic transfer machine 19 provided in the vicinity. The wafer is removed from the wafer pallet 4.

【0053】次いで、搬送機構10では、ウエハーパレ
ット4は、大径駆動スプロケット12により、回転リタ
ーンし、懸架状態で移動する。
Next, in the transfer mechanism 10, the wafer pallet 4 is rotated and returned by the large-diameter drive sprocket 12, and moves in a suspended state.

【0054】このとき、図1に示すように、スライドブ
ロック20・20には、矢印Bで示すように、外側に開
こうとする力が作用する。しかし、本実施の形態では、
ブリッジバネ30が設けられており、スライドブロック
20・20には常に引っ張り力が作用しているので、ス
ライドブロック20・20は開くことがない。
At this time, as shown by an arrow B, a force to open outward is applied to the slide blocks 20 as shown in FIG. However, in the present embodiment,
Since the bridge spring 30 is provided and the pulling force is constantly applied to the slide blocks 20, the slide blocks 20 do not open.

【0055】従って、ウエハーパレット4がスライドブ
ロック20・20から外れて落下することがない。
Therefore, the wafer pallet 4 does not fall off the slide blocks 20.

【0056】一方、反応ガス噴出装置1にてシリコンウ
エハー2の表面に酸化膜を堆積しているときには、ウエ
ハーパレット4…の表面にも酸化膜が堆積する。このた
め、ウエハーパレット4…は、酸化膜を複数回堆積後、
又は1〜2日使用後、ウエハーパレット4の表面上の酸
化膜をエッチング除去するために取り外される。
On the other hand, when an oxide film is deposited on the surface of the silicon wafer 2 by the reactive gas injection device 1, the oxide film is also deposited on the surface of the wafer pallets 4.. For this reason, the wafer pallets 4...
Alternatively, after one or two days of use, the wafer pallet 4 is removed by etching to remove an oxide film on the surface thereof.

【0057】このときには、スライドブロック20・2
0に設けられた押さえ板21…を回転軸21aを中心に
回転させることにより、非押さえ状態にして、容易にウ
エハーパレット4をスライドブロック20・20から外
すことができる。
At this time, the slide blocks 20 and 2
The wafer pallet 4 can be easily detached from the slide blocks 20 by rotating the pressing plates 21 provided on the rotation axis 21 around the rotation shaft 21a.

【0058】このように、本実施の形態の常圧CVD装
置では、一対のスライドブロック20・20及び押さえ
板21…の間には、これらスライドブロック20・20
及び押さえ板21…の相互間距離を保持すべく、両スラ
イドブロック20・20及び押さえ板21…を連結する
連結部材が設けられている。
As described above, in the normal pressure CVD apparatus according to the present embodiment, between the pair of slide blocks 20 and the pressing plates 21.
In order to maintain the mutual distance between the slide blocks 20 and the holding plates 21, a connecting member for connecting the slide blocks 20 and the holding plates 21 is provided.

【0059】即ち、シリコンウエハー2に皮膜を形成
し、このシリコンウエハー2を取外した後のウエハーパ
レット4は、エンドレス状の搬送チェーン15の回転に
伴って、このエンドレス状の搬送チェーン15に懸架さ
れた状態で回転移動する。このとき、一対のスライドブ
ロック20・20及び押さえ板21…には、自重により
外側に開く方向への作用力が働くので、スライドブロッ
ク20・20及び押さえ板21…のウエハーパレット4
への嵌合係止が外れてウエハーパレット4が落下しがち
となる。
That is, a film is formed on the silicon wafer 2, and the wafer pallet 4 after removing the silicon wafer 2 is suspended on the endless transfer chain 15 with the rotation of the endless transfer chain 15. Rotate and move in the state. At this time, the pair of slide blocks 20 and 20 and the pressing plates 21... Act on the pair of slide blocks 20 and 20 and the pressing plates 21.
The wafer pallet 4 is apt to fall off due to the engagement lock.

【0060】そこで、従来においては、この外側への開
移動を防止するために一対のスライドブロック20・2
0及び押さえ板21…の外側に摺接するガイドローラを
設けていたが、これにより、接触摩耗によりダストが発
生するという問題があった。
Therefore, conventionally, in order to prevent the outward opening movement, a pair of slide blocks 20 and 2 are used.
Although the guide rollers are provided so as to be in sliding contact with the outer sides of the pressing plates 21 and the pressing plates 21, there is a problem that dust is generated due to contact wear.

【0061】しかし、本実施の形態では、一対のスライ
ドブロック20・20及び押さえ板21…は、両スライ
ドブロック20・20及び押さえ板21…を連結するブ
リッジバネ30によって、その相互間距離が保持され
る。
However, in the present embodiment, the distance between the pair of slide blocks 20 and the holding plate 21 is maintained by the bridge spring 30 connecting the slide blocks 20 and the holding plate 21. Is done.

【0062】従って、ガイドローラを無くした状態で、
スライドブロック20・20及び押さえ板21…の外側
への開移動を防止できるので、接触摩耗する部分が無く
なることになる。このため、ダストの発生を防止するこ
とができる。
Therefore, with the guide roller removed,
Since the outward movement of the slide blocks 20 and the holding plates 21... Can be prevented, there is no contact wear portion. For this reason, generation of dust can be prevented.

【0063】この結果、ダストの発生を防止して、ウエ
ハーパレット4の落下を回避し得る常圧CVD装置を提
供することができる。
As a result, it is possible to provide a normal-pressure CVD apparatus capable of preventing generation of dust and avoiding falling of the wafer pallet 4.

【0064】また、本実施の形態の常圧CVD装置で
は、ブリッジバネ30を、一対のスライドブロック20
・20の側面に取り付けることが可能である。
In the atmospheric pressure CVD apparatus of the present embodiment, the bridge spring 30 is connected to the pair of slide blocks 20.
-It can be attached to the side of 20.

【0065】これにより、ブリッジバネ30は、ホット
プレート3の表面との距離が遠くなる。
As a result, the distance between the bridge spring 30 and the surface of the hot plate 3 increases.

【0066】即ち、ブリッジバネ30を一対のスライド
ブロック20・20の裏面に取り付けた場合には、ホッ
トプレート3の表面との距離が近いので、ブリッジバネ
30はホットプレート3により温度上昇し易くなり、こ
れによって、ブリッジバネ30が容易に撓んでホットプ
レート3と接触するおそれがある。
That is, when the bridge spring 30 is attached to the back surfaces of the pair of slide blocks 20, the temperature of the bridge spring 30 is easily increased by the hot plate 3 because the distance from the surface of the hot plate 3 is short. This may cause the bridge spring 30 to be easily bent and come into contact with the hot plate 3.

【0067】しかし、本実施の形態では、ブリッジバネ
30を一対のスライドブロック20・20の側面に取り
付けることにより、ブリッジバネ30はホットプレート
3の表面との間に距離を隔てることになるので、温度上
昇の程度が低減し、これによって撓み寸法も小さくな
る。この結果、ブリッジバネ30のホットプレート3へ
の接触を回避し、ダストの発生を防止することができ
る。
However, in this embodiment, the bridge spring 30 is attached to the side surfaces of the pair of slide blocks 20, so that the bridge spring 30 is separated from the surface of the hot plate 3. The degree of temperature rise is reduced, which also reduces the flex dimension. As a result, contact of the bridge spring 30 with the hot plate 3 can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0068】また、本実施の形態の常圧CVD装置で
は、ブリッジバネ30は、剛性線状部材からなり、かつ
剛性線状部材の両端が両スライドブロック20・20に
設けられた突設ピン25bに巻回されている。
In the atmospheric pressure CVD apparatus according to the present embodiment, the bridge spring 30 is formed of a rigid linear member, and both ends of the rigid linear member are provided on the projecting pins 25b provided on both slide blocks 20. It is wound around.

【0069】このため、ブリッジバネ30が熱膨張して
も、その伸長はこの巻回部分で曲率伸縮により吸収され
る。従って、ブリッジバネ30が熱膨張しても、下向き
への撓みが低減される。この結果、ブリッジバネ30の
ホットプレート3への接触を回避し、ダストの発生を防
止することができる。
For this reason, even if the bridge spring 30 thermally expands, its expansion is absorbed by the expansion and contraction of the curvature at this winding portion. Therefore, even if the bridge spring 30 thermally expands, the downward bending is reduced. As a result, contact of the bridge spring 30 with the hot plate 3 can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0070】〔実施の形態2〕本発明の他の実施の形態
について図8ないし図10に基づいて説明すれば、以下
の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態1
の図面に示した部材と同一の機能を有する部材について
は、同一の符号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. For convenience of explanation, the first embodiment is described.
Members having the same functions as the members shown in the drawings are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0071】前記実施の形態1においては、スライドブ
ロック20・20の相互間距離を保持するために、ブリ
ッジバネ30が設けられていた。
In the first embodiment, the bridge spring 30 is provided to maintain the distance between the slide blocks 20.

【0072】しかし、ブリッジバネ30は、線状部材に
て構成されるので、強度的に不足することが考えられ
る。
However, since the bridge spring 30 is formed of a linear member, it may be insufficient in strength.

【0073】そこで、本実施の形態では、図8(a)
(b)に示すように、スライドブロック20・20の間
に例えばビスにて板状の連結部材としてのブリッジ板4
0を張架したものとなっている。これによって、線状部
材よりも強度的に強いものが得られる。尚、ブリッジ板
40も、例えばSUS304等のステンレスからなって
いる。
Therefore, in the present embodiment, FIG.
As shown in (b), a bridge plate 4 as a plate-like connecting member is provided between the slide blocks 20 by, for example, screws.
0 is stretched. As a result, a member that is stronger in strength than the linear member is obtained. The bridge plate 40 is also made of stainless steel such as SUS304.

【0074】ところで、ブリッジ板40は、前述したよ
うに、ホットプレート3により加熱され、撓むことにな
る。そして、この撓みが下向きに生じるとホットプレー
ト3に接触して問題となる。
As described above, the bridge plate 40 is heated by the hot plate 3 and bends. If this bending occurs downward, it comes into contact with the hot plate 3 and poses a problem.

【0075】そこで、本実施の形態では、この加熱によ
ってブリッジ板40が撓んだとしてもホットプレート3
に接触しないように、図9(a)(b)(c)に示すよ
うに、ブリッジ板40の中央部40aは、直角に捩じら
れることにより、板面がホットプレート3に対して垂直
となるように形成されている。
Therefore, in this embodiment, even if the bridge plate 40 is bent by this heating, the hot plate 3
9 (a), 9 (b) and 9 (c), the central portion 40a of the bridge plate 40 is twisted at a right angle so that the plate surface is perpendicular to the hot plate 3. It is formed so that it becomes.

【0076】これによって、図10に示すように、ブリ
ッジ板40の中央部40aは、曲がりやすい水平方向に
撓む。このため、上下方向の撓みは小さく、ブリッジ板
40が熱膨張してもホットプレート3に接触することは
ない。
As a result, as shown in FIG. 10, the central portion 40a of the bridge plate 40 bends in the horizontal direction, which is easy to bend. Therefore, the bending in the vertical direction is small, and the bridge plate 40 does not come into contact with the hot plate 3 even when thermally expanded.

【0077】このように、本実施の形態の常圧CVD装
置では、ブリッジ板40は、その中央部40aがホット
プレート3の表面に対して垂直な立設面となる板状部材
からなっている。従って、板状部材からなるブリッジ板
40は、温度上昇を受けても、撓みはその中央部40a
において主として上下方向ではなく曲がりやすい水平方
向に生じる。
As described above, in the normal pressure CVD apparatus of the present embodiment, the bridge plate 40 is formed of a plate-like member whose central portion 40a is an upright surface perpendicular to the surface of the hot plate 3. . Therefore, even if the bridge plate 40 made of a plate-like member is subjected to a temperature rise, its bending is reduced at its central portion 40a.
Occurs mainly in the horizontal direction that is easy to bend, not in the vertical direction.

【0078】この結果、ブリッジ板40のホットプレー
ト3への接触を回避し、ダストの発生を防止することが
できる。
As a result, contact of the bridge plate 40 with the hot plate 3 can be avoided, and generation of dust can be prevented.

【0079】[0079]

【発明の効果】請求項1に係る発明の常圧CVD装置
は、以上のように、一対の嵌合係止部材の間には、これ
ら嵌合係止部材の相互間距離を保持すべく、両嵌合係止
部材を連結する連結部材が設けられているものである。
As described above, the atmospheric pressure CVD apparatus according to the first aspect of the present invention is arranged such that the distance between the fitting and locking members is maintained between the pair of fitting and locking members. A connecting member for connecting the two fitting and locking members is provided.

【0080】それゆえ、一対の嵌合係止部材は、両嵌合
係止部材を連結する連結部材によって、その相互間距離
が保持される。
Therefore, the distance between the pair of fitting and locking members is maintained by the connecting member that connects the two fitting and locking members.

【0081】従って、ガイドローラを無くした状態で、
嵌合係止部材の外側への開移動を防止できるので、接触
摩耗する部分が無くなることになる。このため、ダスト
の発生を防止することができる。
Therefore, with the guide roller removed,
Since the outward movement of the fitting / locking member can be prevented, there is no portion that is worn by contact. For this reason, generation of dust can be prevented.

【0082】この結果、ダストの発生を防止して、ウエ
ハーパレットの落下を回避し得る常圧CVD装置を提供
することができるという効果を奏する。
As a result, it is possible to provide a normal-pressure CVD apparatus capable of preventing generation of dust and avoiding falling of a wafer pallet.

【0083】請求項2に係る発明の常圧CVD装置は、
以上のように、請求項1記載の常圧CVD装置におい
て、上記の連結部材は、上記一対の嵌合係止部材の側面
に取り付けられているものである。
The atmospheric pressure CVD apparatus according to the second aspect of the present invention
As described above, in the atmospheric pressure CVD apparatus according to the first aspect, the connecting member is attached to a side surface of the pair of fitting and locking members.

【0084】それゆえ、連結部材を一対の嵌合係止部材
の側面に取り付けることにより、連結部材はホットプレ
ートの表面との間に距離を隔てることになるので、温度
上昇の程度が低減し、これによって撓み寸法も小さくな
る。この結果、連結部材のホットプレートへの接触を回
避し、ダストの発生を防止することができるという効果
を奏する。
Therefore, by attaching the connecting member to the side surface of the pair of fitting and locking members, the connecting member is separated from the surface of the hot plate, so that the degree of temperature rise is reduced. This also reduces the flex dimension. As a result, there is an effect that the contact of the connecting member with the hot plate can be avoided and generation of dust can be prevented.

【0085】請求項3に係る発明の常圧CVD装置は、
以上のように、請求項1又は2記載の常圧CVD装置に
おいて、上記の連結部材は剛性線状部材からなり、かつ
剛性線状部材の両端が両嵌合係止部材に設けられた突設
ピンに巻回されているものである。
The atmospheric pressure CVD apparatus of the invention according to claim 3 is:
As described above, in the normal pressure CVD apparatus according to claim 1 or 2, the connecting member is formed of a rigid linear member, and both ends of the rigid linear member are provided on both fitting locking members. It is wound around a pin.

【0086】それゆえ、連結部材が熱膨張しても、その
伸長はこの巻回部分で曲率伸縮により吸収される。従っ
て、連結部材が熱膨張しても、下向きへの撓みが低減さ
れる。この結果、連結部材のホットプレートへの接触を
回避し、ダストの発生を防止することができるという効
果を奏する。
Therefore, even if the connecting member thermally expands, its extension is absorbed by the curvature expansion and contraction at the winding portion. Therefore, even if the connecting member thermally expands, the downward bending is reduced. As a result, there is an effect that the contact of the connecting member with the hot plate can be avoided and generation of dust can be prevented.

【0087】請求項4に係る発明の常圧CVD装置は、
以上のように、請求項1又は2記載の常圧CVD装置に
おいて、上記の連結部材は、その中央部がホットプレー
トの表面に対して垂直な立設面となる板状部材からなっ
ているものである。
A normal pressure CVD apparatus according to a fourth aspect of the present invention is:
As described above, in the atmospheric pressure CVD apparatus according to claim 1 or 2, the connecting member is formed of a plate-like member whose central portion is an upright surface perpendicular to the surface of the hot plate. It is.

【0088】それゆえ、板状部材からなる連結部材は、
温度上昇を受けても、撓みはその中央部において主とし
て上下方向ではなく曲がりやすい水平方向に生じる。
Therefore, the connecting member made of a plate-like member is
Even if the temperature rises, the bending occurs at the center mainly not in the vertical direction but in the horizontal direction that is easy to bend.

【0089】この結果、連結部材のホットプレートへの
接触を回避し、ダストの発生を防止することができると
いう効果を奏する。
As a result, there is an effect that the contact of the connecting member with the hot plate can be avoided and the generation of dust can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明における常圧CVD装置を示すものであ
り、図2のX−X線矢視図である。
FIG. 1 is a view showing a normal pressure CVD apparatus according to the present invention, and is a view taken along line XX of FIG. 2;

【図2】上記常圧CVD装置を示す概要図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the normal pressure CVD apparatus.

【図3】上記常圧CVD装置のウエハーパレットとスラ
イドブロックの構成を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a configuration of a wafer pallet and a slide block of the normal pressure CVD apparatus.

【図4】上記常圧CVD装置におけるスライドブロック
の構成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a slide block in the normal pressure CVD apparatus.

【図5】上記常圧CVD装置におけるスライドブロック
の構成を示す正面図てある。
FIG. 5 is a front view showing a configuration of a slide block in the normal pressure CVD apparatus.

【図6】上記常圧CVD装置におけるブリッジバネの構
成を示す底面図であり、(a)は突設ピンに装着された
状態、(b)はブリッジバネを突設ピンから外す状態を
示すものである。
FIGS. 6A and 6B are bottom views showing a configuration of a bridge spring in the normal pressure CVD apparatus, wherein FIG. 6A shows a state where the bridge spring is mounted on a protruding pin, and FIG. It is.

【図7】上記常圧CVD装置におけるブリッジバネがス
ライドブロックの側面に取り付けられた状態を示す要部
正面図である。
FIG. 7 is a front view of an essential part showing a state in which a bridge spring in the normal pressure CVD apparatus is attached to a side surface of a slide block.

【図8】本発明における常圧CVD装置の他の実施の形
態を示すものであり、(a)はブリッジ板をスライドブ
ロックに取り付けた状態を示す底面図、(b)はブリッ
ジ板をスライドブロックに取り付けた状態を示す正面図
である。
FIGS. 8A and 8B show another embodiment of the atmospheric pressure CVD apparatus according to the present invention, wherein FIG. 8A is a bottom view showing a state in which a bridge plate is attached to a slide block, and FIG. It is a front view which shows the state attached to.

【図9】上記ブリッジ板の構成を示すものであり、
(a)は正面図、(b)は側面図、(c)は底面図であ
る。
FIG. 9 shows the structure of the bridge plate.
(A) is a front view, (b) is a side view, and (c) is a bottom view.

【図10】上記ブリッジ板が水平に撓む状態を示す底面
図である。
FIG. 10 is a bottom view showing a state in which the bridge plate bends horizontally.

【図11】従来の常圧CVD装置を示す概要図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a conventional atmospheric pressure CVD apparatus.

【図12】図11のY−Y線矢視図である。FIG. 12 is a view taken along line YY of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 シリコンウエハー(ウエハー) 3 ホットプレート 4 ウエハーパレット 15 搬送チェーン(回転搬送帯) 20 スライドブロック(嵌合係止部材) 21 押さえ板(嵌合係止部材) 25b 突設ピン 30 ブリッジバネ(連結部材) 40 ブリッジ板(連結部材) 40a 中央部 2 Silicon wafer (wafer) 3 Hot plate 4 Wafer pallet 15 Transport chain (rotational transport band) 20 Slide block (fitting and locking member) 21 Holding plate (fitting and locking member) 25b Projecting pin 30 Bridge spring (connecting member) ) 40 Bridge plate (connection member) 40a Central part

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】対向配置された一対の嵌合係止部材の間に
嵌合係止されたウエハーパレットにウエハーを載置し、
この嵌合係止部材をエンドレス状の回転搬送帯の回転に
伴って移動させることによりウエハーを反応ガス噴出装
置へ搬送し、回転搬送帯の内側に設けたホットプレート
にて高温状態にしてウエハーに皮膜形成を行う常圧CV
D装置において、 上記一対の嵌合係止部材の間には、これら嵌合係止部材
の相互間距離を保持すべく、両嵌合係止部材を連結する
連結部材が設けられていることを特徴とする常圧CVD
装置。
1. A wafer is placed on a wafer pallet fitted and locked between a pair of fitting and locking members arranged opposite to each other,
The wafer is transferred to the reaction gas ejecting device by moving the fitting and locking member with the rotation of the endless rotary transfer band, and is heated to a high temperature state by a hot plate provided inside the rotary transfer band to form a wafer. Normal pressure CV for film formation
In the D apparatus, a connecting member that connects the two fitting and locking members is provided between the pair of fitting and locking members so as to maintain a distance between the fitting and locking members. Features of atmospheric pressure CVD
apparatus.
【請求項2】上記の連結部材は、上記一対の嵌合係止部
材の側面に取り付けられていることを特徴とする請求項
1記載の常圧CVD装置。
2. The atmospheric pressure CVD apparatus according to claim 1, wherein said connecting member is attached to a side surface of said pair of fitting and locking members.
【請求項3】上記の連結部材は剛性線状部材からなり、
かつ剛性線状部材の両端が両嵌合係止部材に設けられた
突設ピンに巻回されていることを特徴とする請求項1又
は2記載の常圧CVD装置。
3. The connecting member comprises a rigid linear member,
3. The normal pressure CVD apparatus according to claim 1, wherein both ends of the rigid linear member are wound around protruding pins provided on both of the engagement locking members.
【請求項4】上記の連結部材は、その中央部がホットプ
レートの表面に対して垂直な立設面となる板状部材から
なっていることを特徴とする請求項1又は2記載の常圧
CVD装置。
4. The normal pressure as set forth in claim 1, wherein said connecting member is a plate-like member whose central portion is an upright surface perpendicular to the surface of said hot plate. CVD equipment.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100346447C (en) * 2002-03-22 2007-10-31 三星电子株式会社 Lamp, method of fabricating the same and liquid crystal display apparatus having the same

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