JPH11399A - 脳活性化用の口蓋振動装置 - Google Patents

脳活性化用の口蓋振動装置

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JPH11399A
JPH11399A JP9170995A JP17099597A JPH11399A JP H11399 A JPH11399 A JP H11399A JP 9170995 A JP9170995 A JP 9170995A JP 17099597 A JP17099597 A JP 17099597A JP H11399 A JPH11399 A JP H11399A
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JP
Japan
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brain
baseplate
vibration
palate
cover plate
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Application number
JP9170995A
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English (en)
Inventor
Takemitsu Tarusawa
武充 樽沢
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Abstract

(57)【要約】 【課題】口蓋に振動を加えることにより脳幹部に刺激を
与え、脳の血流量を増大せしめることにより、脳の活性
化を図る。 【解決手段】側縁に上顎の歯列へ固定するためのクラス
プ6を備えるベースプレート2に振動発生体4を設け、
この振動発生体4をカバープレート3で覆い、前記ベー
スプレートおよびカバープレートに電磁波遮蔽材14、
15を設けて前記振動発生体まわりを囲んだ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は口蓋に振動を与える
ことにより脳を刺激して活性化させるための装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術とその問題点】頭部に振動を与えたり電流
を流したりすることにより、脳に刺激を与えて活性化を
図る装置は従来から各種ある。従来の装置では単に頭部
に刺激を与えるだけで脳まで刺激が届かなかったり、届
いたとしても脳のごく表面部を刺激するに過ぎず、さほ
どの効果は期待できなかった。
【0003】脳の中心部たる脳幹部に刺激を与えるに
は、この脳幹部に最も近い口蓋に振動を加えるのが望ま
しいが、このように口蓋に刺激を与える装置は従来はな
かった。
【0004】
【発明の目的】本発明は口蓋に振動を加えることにより
脳幹部に刺激を与え、脳の血流量を増大せしめることに
より、脳の活性化を図ることを目的としている。
【0005】
【手段】上記目的を達成するために、請求項1に係る本
発明の脳活性化用の口蓋振動装置は側縁に上顎の歯列へ
固定するためのクラスプを備えるベースプレートに振動
発生体を設け、この振動発生体をカバープレートで覆っ
た構造のものとしてある。
【0006】請求項2に係る本発明の脳活性化用の口蓋
振動装置は前記振動発生体が偏心軸を有する扁平状の振
動モータである構造のものとしてある。請求項3に係る
本発明の脳活性化用の口蓋振動装置は前記ベースプレー
トおよびカバープレートに電磁波遮蔽材を設けて前記振
動発生体まわりを囲んだものとしてある。
【0007】
【実施例】以下本発明に係る口蓋振動装置の実施例を添
付図面に示す具体例に基づいて詳細に説明する。口蓋振
動装置1は合成樹脂材製のベースプレート2とカバープ
レート3の間に振動発生体4を備え、カバープレート3
はベースプレート2に例えば合成樹脂系の接着剤5で接
着固定してあって、内部に唾液等の水分が入らないよう
に密閉してある。
【0008】ベースプレート2は義歯の床と同様の素
材、方法により作成するのが望ましく、その素材は例え
ば加熱重合タイプのアクリル系レジンや超速硬性常温重
合タイプのメタクリレート系レジンが好適である。ベー
スプレートの上面は使用者の口蓋に密着するように成形
しなければならず、成形が不十分であると口蓋に炎症を
引き起こすおそれがあるので、例えば歯科医師等の義歯
の作成技術を有する者が使用者の口蓋から印象を採取し
て義歯を作成する場合と同様の技術により成形する必要
がある。また、ベースプレートは義歯と同様に側縁にク
ラスプ6を備えていて、上顎の歯7に固定できるように
なっている。
【0009】振動発生体4は例えば偏心軸を備える扁平
円柱状の薄型の振動モータを使用し、その振動周波数は
例えば40Hz程度が望ましく、ベースプレートの前後
方向中央部もしくは中央部よりも前方寄りに接着剤等で
固定してあり、使用者の上顎骨9の直下に位置せしめ
る。振動発生体の位置が後方(奥側)であると振動が上
顎骨に十分伝わらず、しかも嘔気を誘発するおそれがあ
る。
【0010】振動発生体4への電力供給線8はカバープ
レート3にあけた小孔から外部へ導出されていて、電力
供給線8と小孔の隙間から唾液等の水分が入らないよう
に接着剤等でシールしてある。前記電力供給線8は使用
者の口から外部へ導出され、同供給線8の先端プラグ8
aが制御装置11へ着脱可能に接続されており、この制
御装置から前記振動発生体4に電流が供給され、制御装
置のスイッチ12で電流のオン・オフを行ったり、つま
み13の操作で電流の供給量等を調節することで振動の
強弱や周波数を適宜制御できるようにしてある。
【0011】ベースプレート2の内面(下面)とカバー
プレート3の内面(上面)には電磁波遮蔽材14、15
を設けてあって、この遮蔽材により振動発生体4まわり
に等電位面を構成してある。この電磁波遮蔽材は人体に
無害で導電性のものであればよく、例えば金や白金より
なる薄板、金属箔または網などで構成することができ
る。
【0012】次に上述のように構成した本発明の口蓋振
動装置の作用を説明する。クラスプ6を上顎の歯7に取
り付けてベースプレート2を口蓋に密着せしめ、電力供
給線8を口の外に導出してプラグ8aを制御装置11に
接続し、同制御装置のスイッチ12つまみ13を操作し
て振動発生体4を駆動させる。振動発生体4が駆動する
と、振動が上顎骨9やその他の頭蓋底の骨を介して脳幹
部10に達し、脳幹部が刺激されて脳全体への血流量が
増加し、血液中の酸素および栄養たるブドウ糖が脳細胞
へ十分に供給されて脳が活性化される。
【0013】近年、電磁波による脳への悪影響が懸念さ
れており、特に本発明の装置は脳に近い口腔内で使用す
るので、電磁波が放出されないようにする必要がある
が、振動発生体は電磁波遮蔽材により囲まれているの
で、振動発生体からの電磁波が外部に放射されるおそれ
は殆どなく、安全に使用することができる。
【0014】上述した実施例では振動発生体4へ外部の
制御装置から電流を供給するようにしてあるが、例えば
小型のリチウム電池とスイッチを振動発生体とともに内
蔵せしめることもできる。
【0015】
【発明の効果】本発明の振動装置は口蓋に取り付けて使
用するので、振動発生体からの振動を上顎骨やその他の
頭蓋底の骨を介して脳幹部へ十分に到達せしめることが
できる。この振動により脳幹部が刺激されて脳全体への
血流量が増加し、脳細胞へ血液中の酸素および栄養たる
ブドウ糖を十分に供給することができ、脳を活性化する
ことができる。
【0016】したがって、老人性痴呆症等の各種の疾病
や障害により脳の機能が低下した場合の機能回復に極め
て有効であり、健常者においても記憶力の増強など脳の
機能を高める効果が得られる。また、振動により脳波が
α波となり、リラクゼーション効果を得ることができ、
ストレスの解消や疲労回復も期せる。
【0017】さらに、振動発生体は電磁波遮蔽材により
囲まれていて振動発生体からの電磁波は電磁波遮蔽材に
よりシールドされるので、電磁波の外部への放射を防止
することができ、電磁波の脳への悪影響のおそれは殆ど
なく安全に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る口蓋振動装置の実施例を示す平面
図。
【図2】同上のII-II 線縦断面図。
【図3】本発明に係る口蓋振動装置の使用状態の一例を
示す縦断面図。
【符号の説明】
1 口蓋振動装置 2 ベースプレート 3 カバープレート 4 振動発生体 5 接着剤 6 クラスプ 7 歯 8 電力供給線 9 上顎骨 10 脳幹部 11 制御装置 12 スイッチ 13 電流調節用のつまみ 14、15 電磁波遮蔽材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】側縁に上顎の歯へ固定するためのクラスプ
    を備えるベースプレートに振動発生体を設け、この振動
    発生体をカバープレートで覆ってなる脳活性化用の口蓋
    振動装置。
  2. 【請求項2】前記振動発生体は偏心軸を有する扁平状の
    振動モータである請求項1に記載の脳活性化用の口蓋振
    動装置。
  3. 【請求項3】前記ベースプレートおよびカバープレート
    に電磁波遮蔽材を設けて前記振動発生体まわりを囲んで
    なる請求項1に記載の脳活性化用の口蓋振動装置。
JP9170995A 1997-06-12 1997-06-12 脳活性化用の口蓋振動装置 Pending JPH11399A (ja)

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JPH11399A true JPH11399A (ja) 1999-01-06

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002306604A (ja) * 2001-04-10 2002-10-22 Ya Man Ltd リラクゼーション装置
US6710383B2 (en) 2000-12-11 2004-03-23 Renesas Technology Corporation MISFET semiconductor device having a high dielectric constant insulating film with tapered end portions

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