JPH11352197A - Semiconductor testing device - Google Patents

Semiconductor testing device

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JPH11352197A
JPH11352197A JP10158119A JP15811998A JPH11352197A JP H11352197 A JPH11352197 A JP H11352197A JP 10158119 A JP10158119 A JP 10158119A JP 15811998 A JP15811998 A JP 15811998A JP H11352197 A JPH11352197 A JP H11352197A
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JP
Japan
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test
circuit
test pattern
determination
information
Prior art date
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Withdrawn
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JP10158119A
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Japanese (ja)
Inventor
Eisaku Yamashita
栄作 山下
Takashi Omura
隆司 大村
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device capable of coping with test conditions which cannot be assumed at a design step of an IC tester by writing a set condition from the CPU without enlarging a function of the IC tester. SOLUTION: A semiconductor testing device is provided with a test pattern memory circuit 4 storing a test pattern data and generating the test pattern data in every testing period; a test corrugation forming circuit 31 forming a test corrugation based on the test pattern data from the test pattern memory circuit 4; and a test pattern information conversion circuit 30 previously memorizing a control information and controlling a test corrugation forming means based on the control information making the test pattern data as an address.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、IC等の電気的
特性を試験する半導体試験装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor test apparatus for testing electrical characteristics of an IC or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体試験装置、例えばICテス
タは、被試験ICへ任意の電気信号を出力し、被試験I
Cから電気信号を入力して、任意の電圧及び任意の時間
で比較/判定することで、被試験ICの電気的特性を試
験するものである。ICテスタは上記機能を複数チャン
ネル持っているものが一般的であり、複数の入出力端子
を有するICに対して、異なる条件の信号を出力した
り、比較/判定することが可能である。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor test apparatus, for example, an IC tester outputs an arbitrary electric signal to an IC under test and
By inputting an electric signal from C and comparing / determining at an arbitrary voltage and an arbitrary time, the electric characteristics of the IC under test are tested. An IC tester generally has a plurality of channels having the above functions, and can output signals under different conditions to an IC having a plurality of input / output terminals, and can perform comparison / judgment.

【0003】図5は従来の半導体試験装置として複数チ
ャンネル有するICテスタの内の1チャンネルに着目
し、その概略を示す構成図である。図において、1は被
試験IC20の試験仕様に従ってテストフローやテスト
条件がプログラムされているICテスタ制御CPUであ
り、必要に応じてICテスタ制御信号伝送バス13を介
して、ICテスタの各回路にデータを設定する。2はI
Cテスタ制御回路であって、ICテスタの動作基準信号
を形成し、テスト波形の条件変化周期(以下、テスト周
期と云う)を発生すると共に、テスト周期毎に後述の各
記憶回路のアドレス指定信号を発生する。
[0005] FIG. 5 is a configuration diagram schematically showing one channel of an IC tester having a plurality of channels as a conventional semiconductor test apparatus. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an IC tester control CPU in which a test flow and test conditions are programmed in accordance with the test specifications of the IC under test 20, and connected to each circuit of the IC tester via an IC tester control signal transmission bus 13 as necessary. Set the data. 2 is I
A C tester control circuit, which forms an operation reference signal of an IC tester, generates a condition change cycle of a test waveform (hereinafter, referred to as a test cycle), and generates an address designation signal of each storage circuit described later for each test cycle. Occurs.

【0004】3はテスト波形の変化タイミング等を生成
する基準信号遅延回路であり、ICテスタ制御回路2が
発生するテスト周期をプログラマブルに遅延させる機能
を有する。その遅延量はCPU1から基準信号遅延回路
3が持つ記憶回路へ試験に必要な種類だけ予め設定され
ており、ICテスタ制御回路2からテスト周期毎に入力
されるアドレス信号により、各テスト周期に応じて変化
させることができるようになっている。4はテストパタ
ーン記憶回路であり、基準信号遅延回路3と同様に、テ
ストパターンがCPU1から予め設定されており、IC
テスタ制御回路2から入力されるアドレス信号により、
テスト周期毎に必要なテストパターンを出力する。
Reference numeral 3 denotes a reference signal delay circuit for generating a change timing of a test waveform, and has a function of programmably delaying a test cycle generated by the IC tester control circuit 2. The amount of delay is set in advance by the CPU 1 in the storage circuit of the reference signal delay circuit 3 for the type required for the test, and is determined according to each test cycle by an address signal input from the IC tester control circuit 2 for each test cycle. Can be changed. Reference numeral 4 denotes a test pattern storage circuit, similar to the reference signal delay circuit 3, in which a test pattern is set in advance by the CPU 1;
According to the address signal input from the tester control circuit 2,
The required test pattern is output for each test cycle.

【0005】5はテスト波形形成回路であって、基準信
号遅延回路3が出力するタイミング信号の一部とテスト
パターン記憶回路4が出力するテストパターンの一部を
各テスト周期毎に合成し、テスト波形を形成する。6は
テスト波形形成回路5と同様にタイミング信号の一部と
テストパターンの一部から後述のテスト波形出力回路7
のON/OFF切換信号を形成するテスト波形入力制御
回路である。
Reference numeral 5 denotes a test waveform forming circuit which synthesizes a part of the timing signal output from the reference signal delay circuit 3 and a part of the test pattern output from the test pattern storage circuit 4 for each test cycle, and performs a test. Form a waveform. Reference numeral 6 denotes a test waveform output circuit 7 described later from a part of the timing signal and a part of the test pattern as in the test waveform forming circuit 5.
Is a test waveform input control circuit for forming an ON / OFF switching signal of the test waveform.

【0006】テスト波形出力回路7は、ON(電圧出力
状態)/OFF(高抵抗状態)切換機能を有し、テスト
波形入力制御回路6からのON/OFF切換信号に基づ
き、テスト波形形成回路5が出力するテスト波形を電圧
供給回路8a及び8bが発生する電圧値を元にして電圧
増幅し、コンタクト端子19を介して、被試験IC20
にテスト波形を出力する。電圧供給回路8a及び8b
は、ディジタルデータをアナログ電圧値に変換するD/
A変換回路で構成されており、CPU1が予め設定して
いたディジタル情報に従いアナログ電圧値を発生する。
また、試験にはHi電圧とLo電圧の規定がある為、H
i電圧を発生する電圧供給回路8aとLo電圧を発生す
る電圧供給回路8bが設けられている。これらの構成要
素1〜8の部分が、実質的に被試験ICへ出力するテス
ト波形を形成する部分である。
The test waveform output circuit 7 has an ON (voltage output state) / OFF (high resistance state) switching function. Based on an ON / OFF switching signal from the test waveform input control circuit 6, the test waveform forming circuit 5 Is amplified based on the voltage value generated by the voltage supply circuits 8a and 8b, and the IC under test 20 is
Output the test waveform. Voltage supply circuits 8a and 8b
Is D / which converts digital data into an analog voltage value.
The A / D converter is configured to generate an analog voltage value in accordance with digital information set by the CPU 1 in advance.
In addition, since the test includes the definition of the Hi voltage and the Lo voltage,
A voltage supply circuit 8a for generating i voltage and a voltage supply circuit 8b for generating Lo voltage are provided. These components 1 to 8 are portions that substantially form a test waveform to be output to the IC under test.

【0007】9a及び9bは被試験IC20から入力さ
れる電気信号とD/A変換回路10a及び10bが発生
する基準電圧とを電圧比較する比較回路であり、被試験
IC20の出力する電気信号のHiレベルとLoレベル
を判定する為、Hi電圧比較回路9aとLo電圧比較回
路9bが設けられているのが一般的である。11は電圧
比較回路9a及び9bが出力する比較結果を任意の時間
で判定する判定回路であって、実質的にHi判定回路と
Lo判定回路を含み、Hiレベル判定とLoレベル判定
の個々の信号に対し、テストパターン記憶回路4の出力
するテストパターンの一部と基準信号遅延回路3の出力
する判定用タイミング信号を用いて判定を行い、判定結
果をデータ線14を介してCPU1に送信するものであ
る。
Reference numerals 9a and 9b denote comparison circuits for comparing an electric signal input from the IC under test 20 with a reference voltage generated by the D / A conversion circuits 10a and 10b. In general, a Hi voltage comparison circuit 9a and a Lo voltage comparison circuit 9b are provided to determine the level and the Lo level. Numeral 11 denotes a judgment circuit for judging the comparison result outputted by the voltage comparison circuits 9a and 9b at an arbitrary time, which substantially includes a Hi judgment circuit and a Lo judgment circuit, and each signal of the Hi level judgment and the Lo level judgment. A determination is made using a part of the test pattern output from the test pattern storage circuit 4 and a determination timing signal output from the reference signal delay circuit 3, and the determination result is transmitted to the CPU 1 via the data line 14. It is.

【0008】また、12は電圧比較回路9aおよび9b
が出力する比較結果を使い任意の時間で中間値判定を行
う中間値判定回路であり、つまり、被試験IC20の出
力電圧がHi比較電圧とLo比較電圧との間であること
を判定するもので、ICの高低抗状態を判定するのに用
いられることが多い。中間値判定回路12も判定回路1
1と同様に判定結果をCPU1に送信する。これらの構
成要素9〜15の部分が、実質的に被試験IC20から
入力される信号を比較/判定する部分である。
Reference numeral 12 denotes voltage comparison circuits 9a and 9b
Is an intermediate value determination circuit that performs an intermediate value determination at an arbitrary time using the comparison result output from the IC, that is, determines that the output voltage of the IC under test 20 is between the Hi comparison voltage and the Lo comparison voltage. , Is often used to determine the high or low resistance state of an IC. The intermediate value judgment circuit 12 is also the judgment circuit 1
The determination result is transmitted to the CPU 1 in the same manner as in (1). These components 9 to 15 are portions that substantially compare / determine signals input from the IC under test 20.

【0009】次に、動作について、図6を参照して説明
する。図6に示す論理表はテストパターンデータのビッ
ト情報(000〜111の8通り)に対するテスト波形
形成回路5、テスト波形入力制御回路6、判定回路11
および中間値判定回路12の制御状態を表しており、テ
ストパターンデータのビット情報の組合せによりテスト
波形を形成したり、判定を行う。テスト波形形成回路5
は、テストパターンデータの0ビット目の情報を基準信
号遅延回路3が出力するタイミング信号(テスト波形の
Hi/Lo切換時間を形成する専用のタイミング信号)
でトリガすることで、テスト波形を形成する。
Next, the operation will be described with reference to FIG. The logic table shown in FIG. 6 shows a test waveform forming circuit 5, a test waveform input control circuit 6, and a decision circuit 11 for the bit information (eight kinds of 000 to 111) of the test pattern data.
And the control state of the intermediate value determination circuit 12, which forms a test waveform or makes a determination by combining bit information of test pattern data. Test waveform forming circuit 5
Is a timing signal (a dedicated timing signal for forming a Hi / Lo switching time of a test waveform) in which the reference signal delay circuit 3 outputs information of the 0th bit of the test pattern data.
A test waveform is formed by triggering on.

【0010】テスト波形入力制御回路6は、テストパタ
ーンデータの1ビット目の情報を基準信号遅延回路3が
出力するタイミング信号(テスト波形出力回路7のON
/OFF切換時間を形成する専用のタイミング信号)で
ラッチすることで、テスト波形のON/OFF制御波形
を形成する。判定回路11のHi判定回路は、テストパ
ターンデータの0ビット目の反転情報と2ビット目の情
報と基準信号遅延回路3が出力するタイミング信号(判
定時問を形成するタイミング信号)との論理積(AN
D)をとることでHi判定タイミング信号を形成し、H
i判定タイミング信号により比較回路9aより入力する
Hi電圧比較結果をトリガすることで、Hi判定結果情
報を形成する。
The test waveform input control circuit 6 outputs a timing signal (ON of the test waveform output circuit 7) for outputting the information of the first bit of the test pattern data from the reference signal delay circuit 3.
An ON / OFF control waveform of the test waveform is formed by latching with a dedicated timing signal for forming an / OFF switching time). The Hi determination circuit of the determination circuit 11 performs a logical product of the inversion information of the 0th bit of the test pattern data, the information of the 2nd bit, and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3 (the timing signal forming the determination time). (AN
D) to form a Hi determination timing signal,
The Hi determination result information is formed by triggering the Hi voltage comparison result input from the comparison circuit 9a by the i determination timing signal.

【0011】判定回路11のLo判定回路は、テストパ
ターンデータの0ビット目の情報と2ビット目の情報と
基準信号遅延回路3が出力するタイミング信号との論理
積をとることでLo判定タイミング信号を形成し、Lo
判定タイミング信号により比較回路9bより入力するL
o電圧比較結果をトリガすることで、Lo判定結果情報
を形成する。
The Lo determination circuit of the determination circuit 11 obtains the logical product of the 0th bit information and the 2nd bit information of the test pattern data and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3 to obtain a Lo determination timing signal. To form Lo
L input from the comparison circuit 9b according to the determination timing signal
Triggering the o voltage comparison result forms Lo determination result information.

【0012】中間値判定回路12は、テストパターンデ
ータの0ビット目と1ビット目の反転情報と2ビット目
の反転情報と基準信号遅延回路3が出力するタイミング
信号との論理積をとることで、Hiz判定タイミング信
号を形成し、Hi電圧比較結果とLo比較結果から作ら
れる中間値判定信号をトリガすることで、Hiz判定結
果情報を形成する。なお、Hizはハイインピーダンス
を意味し、Hiz判定はハイレベル(Hi)とローレベル
(Lo)の中間値であることを判定することが多い。各々
の判定結果情報は、論理和回路15により合成され、ピ
ン単位のエラー情報として、信号線14を介してCPU
1に伝送され、CPU1は被試験IC20の不良情報を
検出することができる。
The intermediate value judging circuit 12 calculates the logical product of the inversion information of the 0th bit and the 1st bit, the inversion information of the 2nd bit of the test pattern data, and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3. , Hiz determination timing signal, and triggering an intermediate value determination signal generated from the Hi voltage comparison result and the Lo comparison result, thereby forming the Hiz determination result information. In addition, Hiz means high impedance, and Hiz judgment is high level (Hi) and low level.
It is often determined that the value is an intermediate value of (Lo). The respective pieces of determination result information are synthesized by the OR circuit 15 and are output as error information in units of pins via the signal line 14 to the CPU.
1 and the CPU 1 can detect the failure information of the IC under test 20.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来装置の
場合、上述のごとくICテスタの内部回路が一旦決定さ
れると、テストパターンデータのデコード情報を変更す
ることが不可能になり、異なった仕様で利用することが
できなくなり、より複雑なテストを行う為には、ICテ
スタの機能を拡張するしか方法がないと云う問題点があ
った。
By the way, in the case of the conventional device, once the internal circuit of the IC tester is determined as described above, it becomes impossible to change the decode information of the test pattern data. However, there is a problem that the only way to perform a more complicated test is to extend the functions of the IC tester.

【0014】この発明は、上述のような問題点を解決す
るためになされたもので、ICテスタの設計段階で想定
できない試験の条件に対して、CPUから設定条件を書
き込むだけで、フレキシブルに対応できる半導体試験装
置を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and can flexibly cope with test conditions that cannot be assumed in the design stage of an IC tester by merely writing setting conditions from a CPU. It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus capable of performing such a test.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る半
導体試験装置は、テストパターンデータを記憶し、テス
ト周期毎にテストパターンデーターを発生するテストパ
ターン記憶手段と、該テストパターン記憶手段からのテ
ストパターンデータに基づいてテスト波形を形成するテ
スト波形形成手段と、予め制御情報を記憶し、上記テス
トパターンデータをアドレスとして該制御情報に基づい
て上記テスト波形形成手段を制御するテストパターン情
報変換回路とを備えたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus which stores test pattern data and generates test pattern data for each test cycle. Test waveform forming means for forming a test waveform based on the test pattern data, and test pattern information conversion for storing control information in advance and controlling the test waveform forming means based on the control information using the test pattern data as an address And a circuit.

【0016】請求項2の発明に係る半導体試験装置は、
請求項1の発明において、上記テストパターン情報変換
回路が、必要に応じてその内容を変更できるものであ
る。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising:
In the invention of claim 1, the test pattern information conversion circuit can change its contents as needed.

【0017】請求項3の発明に係る半導体試験装置は、
請求項1または2の発明において、上記テストパターン
情報変換回路からの制御情報と、上記テストパターン記
憶手段の出力に基づいて被試験素子に関する判定結果情
報を出力する判定手段を備えたものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus comprising:
The invention according to claim 1 or 2, further comprising a judging means for outputting judgment result information on the device under test based on the control information from the test pattern information conversion circuit and the output of the test pattern storage means.

【0018】請求項4の発明に係る半導体試験装置は、
請求項3の発明において、上記判定手段が、上記テスト
パターン情報変換回路からの論理的にハイレベルの制御
情報と上記テストパターン記憶手段からのタイミング信
号との論理積をとることで論理的にハイレベルの判定結
果情報を形成する第1の判定回路と、上記テストパター
ン情報変換回路からの論理的にローレベルの制御情報と
上記テストパターン記憶手段からのタイミング信号との
論理積をとることで論理的にローレベルの判定結果情報
を形成する第2の判定回路とを有するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus comprising:
In the invention according to claim 3, the determination means takes a logical product of the logically high-level control information from the test pattern information conversion circuit and the timing signal from the test pattern storage means, thereby obtaining a logically high level. A first determination circuit forming level determination result information, and a logical product of logically low level control information from the test pattern information conversion circuit and a timing signal from the test pattern storage means. And a second determination circuit for forming low-level determination result information.

【0019】請求項5の発明に係る半導体試験装置は、
請求項4の発明において、上記判定手段が、上記第1の
判定回路の出力と、上記第2の判定回路の出力に基づい
て中間値に関する判定結果情報を形成する第3の判定回
路を有するものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising:
5. The invention according to claim 4, wherein said determination means has a third determination circuit for forming determination result information on an intermediate value based on an output of said first determination circuit and an output of said second determination circuit. It is.

【0020】請求項6の発明に係る半導体試験装置は、
請求項1〜5のいずれかの発明において、上記テストパ
ターン記憶手段が、テスト波形の変化タイミング信号を
生成する基準信号遅延回路と、外部からのアドレス信号
に基づいてテスト周期毎に必要なテストパターンを出力
するテストパターン記憶回路とを有するものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor test apparatus, comprising:
6. The test pattern storage device according to claim 1, wherein said test pattern storage means includes a reference signal delay circuit for generating a test waveform change timing signal, and a test pattern required for each test cycle based on an external address signal. And a test pattern storage circuit that outputs the test pattern.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図を参照して説明する。 実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す構
成図である。図1において、図5と対応する部分には同
一符号を付し、その詳細説明は省略する。図において、
30はテストパターン情報変換回路であって、テストパ
ターンデータをアドレス入力し、予めCPU1から記憶
させている情報を出力することで、後述のテスト波形形
成回路31、テスト波形入力制御回路32、判定回路3
3および中間値判定回路としてのHiz判定回路34へ
制御信号を出力する。テスト波形形成回路31は、テス
トパターン情報変換回路30が出力するテスト波形形成
回路用制御信号を基準信号遅延回路3が出力するタイミ
ング信号でトリガすることでテスト波形を形成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a configuration diagram showing Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, portions corresponding to FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the figure,
Reference numeral 30 denotes a test pattern information conversion circuit, which inputs a test pattern data as an address and outputs information stored in advance from the CPU 1 so that a test waveform forming circuit 31, a test waveform input control circuit 32, and a determination circuit 3
3 and a control signal to an Hiz determination circuit 34 as an intermediate value determination circuit. The test waveform forming circuit 31 forms a test waveform by triggering a test waveform forming circuit control signal output from the test pattern information conversion circuit 30 with a timing signal output from the reference signal delay circuit 3.

【0022】テスト波形入力制御回路32は、テストパ
ターン情報変換回路30が出力するテスト波形入力制御
回路用制御信号を基準信号遅延回路3が出力するタイミ
ング信号でトリガすることで、テスト波形のON/OF
F制御波形を形成する。判定回路33は、第1の判定回
路としてのHi判定回路と第2の判定回路としてのLo
判定回路を含む。
The test waveform input control circuit 32 triggers a control signal for the test waveform input control circuit output from the test pattern information conversion circuit 30 with a timing signal output from the reference signal delay circuit 3 to turn on / off the test waveform. OF
Form an F control waveform. The determination circuit 33 includes a Hi determination circuit as a first determination circuit and a Lo determination circuit as a second determination circuit.
A decision circuit is included.

【0023】Hi判定回路は、テストパターン情報変換
回路30が出力するHi判定回路用制御信号と基準信号
遅延回路3が出力するタイミング信号との論理積(AN
D)をとることでHi判定タイミング信号を形成し、H
i判定タイミング信号により比較回路9aより入力する
Hi電圧比較結果をトリガすることで、Hi判定結果情
報を形成する。また、Lo判定回路は、テストパターン
情報変換回路30が出力するLo判定回路用制御信号と
基準信号遅延回路3が出力するタイミング信号との論理
積をとることでLo判定タイミング信号を形成し、Lo
判定タイミング信号により比較回路9bより入力するL
o電圧比較結果をトリガすることで、Lo判定結果情報
を形成する。
The Hi determination circuit performs a logical product (AN) of the control signal for the Hi determination circuit output from the test pattern information conversion circuit 30 and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3.
D) to form a Hi determination timing signal,
The Hi determination result information is formed by triggering the Hi voltage comparison result input from the comparison circuit 9a by the i determination timing signal. The Lo determination circuit forms a Lo determination timing signal by calculating the logical product of the control signal for the Lo determination circuit output from the test pattern information conversion circuit 30 and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3.
L input from the comparison circuit 9b according to the determination timing signal
Triggering the o voltage comparison result forms Lo determination result information.

【0024】第3の判定回路としてのHiz判定回路3
4は、テストパターン情報変換回路30が出力する中間
値判定回路用制御信号と基準信号遅延回路3が出力する
タイミング信号との論理積をとることで、Hiz判定タ
イミング信号を形成し、Hi電圧比較結果とLo比較結
果から作られる中間値判定信号をトリガすることで、H
iz判定結果情報を形成する。なお、基準信号遅延回路
3とテストパターン記憶回路4はテストパターン記憶手
段を構成し、テスト波形形成回路31とテスト波形入力
制御回路32はテスト波形形成手段を構成する。また、
Hi判定回路とLo判定回路を含む判定回路33とHi
z判定回路34は判定手段を構成する。
Hiz determination circuit 3 as third determination circuit
Reference numeral 4 denotes a logical product of the control signal for the intermediate value determination circuit output from the test pattern information conversion circuit 30 and the timing signal output from the reference signal delay circuit 3, thereby forming a Hiz determination timing signal and comparing the Hi voltage. By triggering the intermediate value judgment signal generated from the result and the Lo comparison result, H
iz determination result information is formed. The reference signal delay circuit 3 and the test pattern storage circuit 4 constitute a test pattern storage unit, and the test waveform forming circuit 31 and the test waveform input control circuit 32 constitute a test waveform forming unit. Also,
The judgment circuit 33 including the Hi judgment circuit and the Lo judgment circuit and Hi
The z determination circuit 34 forms a determination unit.

【0025】次に、動作について、図2〜図4を参照し
て説明する。ここでは、テストパターン情報変換回路3
0に、データバス13を介しCPU1から必要に応じた
内容を試験の前に設定することで、テストパターンデー
タのデコード条件をコントロールすることができる。例
えば、図2および図3に示す情報を記憶させることで、
上述した場合と同様の動作が可能なICテスタを得るこ
とができる。つまり、テストパターンデータのビット情
報が“000”ならテスト波形形成回路31へはLo出
力制御信号を出力し、テスト波形入力制御回路32、判
定回路33およびHiz判定回路34へはOFF制御信
号を出力する。これにより、テスト波形出力はOFFと
なり、Hi/Lo/Hiz判定はOFFを実現する。
Next, the operation will be described with reference to FIGS. Here, the test pattern information conversion circuit 3
By setting the contents to 0 as necessary from the CPU 1 via the data bus 13 before the test, the decoding condition of the test pattern data can be controlled. For example, by storing the information shown in FIGS. 2 and 3,
An IC tester capable of performing the same operation as that described above can be obtained. That is, if the bit information of the test pattern data is “000”, a Lo output control signal is output to the test waveform forming circuit 31, and an OFF control signal is output to the test waveform input control circuit 32, the determination circuit 33, and the Hiz determination circuit 34. I do. As a result, the test waveform output is turned off, and the Hi / Lo / Hiz determination is realized as OFF.

【0026】また、同一テスト周期内で、被試験IC2
0(図5参照)にHiレベルのテスト波形を入力した
後、テスト波形出力回路7を0FFし、Lo判定を行っ
たり、被試験IC20にLoレベルのテスト波形を入力
した後、Hiレベル判定を行う等特殊なテストが要求さ
れた場合、図3に示す内容を記憶させることで、ICテ
スタの回路構成を変更することなく、テストを実現する
ことが可能となる。
In the same test cycle, the IC under test 2
After inputting the Hi-level test waveform to 0 (see FIG. 5), the test waveform output circuit 7 is turned off by 0FF to perform Lo determination, or after inputting the Lo-level test waveform to the IC under test 20, the Hi-level determination is performed. When a special test such as a test is required, the contents shown in FIG. 3 are stored, so that the test can be realized without changing the circuit configuration of the IC tester.

【0027】図3で示すテストパターンデータ“6”の
場合とデータ“7”が上記条件に対応しており、データ
“6”を使用した場合に於ける動作を説明すると、図4
に示すテスト波形を形成するために、N−1周期目でデ
ータ“2”又はデータ“3”(実施の形態ではデータ
“3”を使い、Hiレベルにしている)を使い、テスト
波形出力回路7をON状態にして、N周期目で、Lo出
力状態に変化させる。その後、テスト波形出力回路7を
OFF状態こ変化させて、Hi判定回路により判定を行
い、被試験IC20の出力電圧を比較・判定することが
できる。つまり、N−1周期目では、テスト波形変化タ
イミング(CLKIN)が、テスト波形形成回路制御情
報(1)をラッチし、テスト波形出力回路7のHi状態
を決定し、テスト波形出力制御タイミング(IOCI
N)がテスト波形出力回路制御情報(1)をラッチし
て、テスト波形出力回路7がHi電圧の出力を開始す
る。
The operation when the test pattern data "6" shown in FIG. 3 and the data "7" correspond to the above conditions and the data "6" is used will be described.
In order to form the test waveform shown in (1), data "2" or data "3" (in the embodiment, data "3" is used and set to the Hi level) in the (N-1) th cycle, and the test waveform output circuit is used. 7 is turned on to change to the Lo output state in the Nth cycle. Thereafter, the test waveform output circuit 7 is changed to the OFF state, and a judgment is made by the Hi judgment circuit, so that the output voltage of the IC under test 20 can be compared and judged. That is, in the (N-1) th cycle, the test waveform change timing (CLKIN) latches the test waveform forming circuit control information (1), determines the Hi state of the test waveform output circuit 7, and sets the test waveform output control timing (IOCI).
N) latches the test waveform output circuit control information (1), and the test waveform output circuit 7 starts outputting the Hi voltage.

【0028】N周期目では、CLKINが、0情報をラ
ッチして、テスト波形出力回路7をLoレベルに変化さ
せ、IOCINが、0情報をラッチして、テスト波形出
力回路7をOFFする。その後、判定タイミング(ST
BIN)とHi判定回路制御情報の論理積をとった信号
がHi比較結果をトリガし、被試験IC20の出力電圧
レベルを判定することになる。これは、被試験IC20
のテスト端子が信号入力状態から出力状態に変化する場
合のテストに適用することができる。かくして、本実施
の形態では、ICテスタの設計段階で想定できない試験
の条件に対して、CPUから設定条件を書き込むだけ
で、フレキシブルに対応できる半導体試験装置が得られ
る。
In the Nth cycle, CLKIN latches 0 information and changes the test waveform output circuit 7 to Lo level, and IOCIN latches 0 information and turns off the test waveform output circuit 7. Thereafter, the determination timing (ST
A signal that is the logical product of the BIN) and the Hi determination circuit control information triggers the Hi comparison result, and determines the output voltage level of the IC under test 20. This is the IC under test 20
Can be applied to a test when the test terminal changes from a signal input state to an output state. Thus, according to the present embodiment, a semiconductor test apparatus that can flexibly cope with test conditions that cannot be assumed in the design stage of the IC tester by simply writing the setting conditions from the CPU can be obtained.

【0029】[0029]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、テストパター
ンデータを記憶し、テスト周期毎にテストパターンデー
ターを発生するテストパターン記憶手段と、該テストパ
ターン記憶手段からのテストパターンデータに基づいて
テスト波形を形成するテスト波形形成手段と、予め制御
情報を記憶し、上記テストパターンデータをアドレスと
して該制御情報に基づいて上記テスト波形形成手段を制
御するテストパターン情報変換回路と備えたので、IC
テスタの設計段階で想定できない試験の条件に対して、
CPUから設定条件を書き込むだけで、ICテスタの機
能を拡張することなくフレキシブルに対応でき、汎用性
のある安価な半導体試験装置が得られるという効果があ
る。
According to the first aspect of the present invention, test pattern storage means for storing test pattern data and generating test pattern data for each test cycle, and based on the test pattern data from the test pattern storage means. A test waveform forming means for forming a test waveform; and a test pattern information converting circuit for storing control information in advance and controlling the test waveform forming means based on the control information using the test pattern data as an address.
For test conditions that cannot be assumed at the tester design stage,
By simply writing the setting conditions from the CPU, the function of the IC tester can be flexibly supported without extending the function, and there is an effect that a versatile and inexpensive semiconductor test apparatus can be obtained.

【0030】請求項2の発明によれば、上記テストパタ
ーン情報変換回路が、必要に応じてその内容を変更でき
るので、テスト目的に応じて容易に対応できるという効
果がある。
According to the second aspect of the present invention, the contents of the test pattern information conversion circuit can be changed as needed, so that there is an effect that the test pattern information conversion circuit can easily cope with the test purpose.

【0031】請求項3の発明によれば、上記テストパタ
ーン情報変換回路からの制御情報と、上記テストパター
ン記憶手段の出力に基づいて被試験素子に関する判定結
果情報を出力する判定手段を備えたので、さまざまな試
験条件の中から必要な判定条件を選択でき、フレキシブ
ルな半導体試験が可能になるという効果がある。
According to the third aspect of the present invention, there is provided the determination means for outputting the determination result information on the device under test based on the control information from the test pattern information conversion circuit and the output of the test pattern storage means. Thus, it is possible to select a necessary judgment condition from various test conditions, and it is possible to perform a flexible semiconductor test.

【0032】請求項4の発明によれば、上記判定手段
が、上記テストパターン情報変換回路からの論理的にハ
イレベルの制御情報と上記テストパターン記憶手段から
のタイミング信号との論理積をとることで論理的にハイ
レベルの判定結果情報を形成する第1の判定回路と、上
記テストパターン情報変換回路からの論理的にローレベ
ルの制御情報と上記テストパターン記憶手段からのタイ
ミング信号との論理積をとることで論理的にローレベル
の判定結果情報を形成する第2の判定回路とを有するの
で、さまざまな試験条件の中から必要な判定条件を選択
でき、フレキシブルな半導体試験が可能になるという効
果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, the determining means calculates the logical product of the logically high level control information from the test pattern information conversion circuit and the timing signal from the test pattern storage means. And a first determination circuit for forming logically high-level determination result information, and a logical product of the logically low-level control information from the test pattern information conversion circuit and the timing signal from the test pattern storage means. And a second determination circuit that logically forms low-level determination result information, so that necessary determination conditions can be selected from various test conditions, and a flexible semiconductor test can be performed. effective.

【0033】請求項5の発明によれば、上記判定手段
が、上記第1の判定回路の出力と、上記第2の判定回路
の出力に基づいて中間値に関する判定結果情報を形成す
る第3の判定回路を有するので、さまざまな試験条件の
中から必要な判定条件を選択でき、フレキシブルな半導
体試験が可能になるという効果がある。
According to the fifth aspect of the present invention, the determination means forms the determination result information on the intermediate value based on the output of the first determination circuit and the output of the second determination circuit. Since the determination circuit is provided, a necessary determination condition can be selected from various test conditions, and there is an effect that a flexible semiconductor test can be performed.

【0034】請求項6の発明によれば、上記テストパタ
ーン記憶手段が、テスト波形の変化タイミング信号を生
成する基準信号遅延回路と、外部からのアドレス信号に
基づいてテスト周期毎に必要なテストパターンを出力す
るテストパターン記憶回路とを有するので、効率よく半
導体試験が可能になるという効果がある。
According to the present invention, the test pattern storage means includes a reference signal delay circuit for generating a test waveform change timing signal, and a test pattern required for each test cycle based on an external address signal. And a test pattern storage circuit that outputs the test data, so that the semiconductor test can be efficiently performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1を示す構成図であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態1におけるテストパタ
ーンデータ情報変換回路の記憶情報の一例を示す図であ
る。
FIG. 2 is a diagram showing an example of information stored in a test pattern data information conversion circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態1におけるテストパタ
ーンデータ情報変換回路の記憶情報の他の例を示す図で
ある。
FIG. 3 is a diagram showing another example of the storage information of the test pattern data information conversion circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の実施の形態1におけるテスト波形
の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a test waveform according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 従来の半導体試験装置を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional semiconductor test apparatus.

【図6】 従来の半導体試験装置におけるテストパター
ンデータのデコード論理表を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a decode logic table of test pattern data in a conventional semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICテスタ制御CPU、 2 ICテスタ制御回
路、 3 基準信号遅延回路、 4 テストパターン記憶
回路、 7 テスト波形出力回路、 8a,8b電圧供給
回路、 9a Hi電圧比較回路、 9b Lo電圧比較
回路、 10a,10b A/D変換回路、 30 テス
トパターン情報変換回路、 31 テスト波形形成回
路、 32 テスト波形入力制御回路、 33 Hi/
Lo判定回路、 34 Hiz判定回路。
Reference Signs List 1 IC tester control CPU, 2 IC tester control circuit, 3 reference signal delay circuit, 4 test pattern storage circuit, 7 test waveform output circuit, 8a, 8b voltage supply circuit, 9a Hi voltage comparison circuit, 9b Lo voltage comparison circuit, 10a , 10b A / D conversion circuit, 30 test pattern information conversion circuit, 31 test waveform formation circuit, 32 test waveform input control circuit, 33 Hi /
Lo judgment circuit, 34 Hiz judgment circuit.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テストパターンデータを記憶し、テスト
周期毎にテストパターンデーターを発生するテストパタ
ーン記憶手段と、 該テストパターン記憶手段からのテストパターンデータ
に基づいてテスト波形を形成するテスト波形形成手段
と、 予め制御情報を記憶し、上記テストパターンデータをア
ドレスとして該制御情報に基づいて上記テスト波形形成
手段を制御するテストパターン情報変換回路とを備えた
ことを特徴とする半導体試験装置。
1. Test pattern storage means for storing test pattern data and generating test pattern data for each test cycle, and test waveform forming means for forming a test waveform based on the test pattern data from the test pattern storage means And a test pattern information conversion circuit for storing control information in advance and using the test pattern data as an address to control the test waveform forming means based on the control information.
【請求項2】 上記テストパターン情報変換回路は、必
要に応じてその内容を変更できることを特徴とする請求
項1記載の半導体試験装置。
2. The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the content of the test pattern information conversion circuit can be changed as needed.
【請求項3】 上記テストパターン情報変換回路からの
制御情報と、上記テストパターン記憶手段の出力に基づ
いて被試験素子に関する判定結果情報を出力する判定手
段を備えたことを特徴とする請求項1または2記載の半
導体試験装置。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising: determination means for outputting determination result information on the device under test based on control information from the test pattern information conversion circuit and an output of the test pattern storage means. Or the semiconductor test apparatus according to 2.
【請求項4】 上記判定手段は、上記テストパターン情
報変換回路からの論理的にハイレベルの制御情報と上記
テストパターン記憶手段からのタイミング信号との論理
積をとることで論理的にハイレベルの判定結果情報を形
成する第1の判定回路と、上記テストパターン情報変換
回路からの論理的にローレベルの制御情報と上記テスト
パターン記憶手段からのタイミング信号との論理積をと
ることで論理的にローレベルの判定結果情報を形成する
第2の判定回路とを有することを特徴とする請求項3記
載の半導体試験装置。
4. The logic circuit according to claim 1, wherein the determination means calculates a logical product of the logically high level control information from the test pattern information conversion circuit and the timing signal from the test pattern storage means. The first determination circuit forming the determination result information, and the logical product of the logically low level control information from the test pattern information conversion circuit and the timing signal from the test pattern storage means are logically obtained. 4. The semiconductor test apparatus according to claim 3, further comprising a second determination circuit for forming low-level determination result information.
【請求項5】 上記判定手段は、上記第1の判定回路の
出力と、上記第2の判定回路の出力に基づいて中間値に
関する判定結果情報を形成する第3の判定回路を有する
ことを特徴とする請求項4記載の半導体試験装置。
5. The method according to claim 1, wherein the determining means includes a third determining circuit that forms determination result information on an intermediate value based on an output of the first determining circuit and an output of the second determining circuit. The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein
【請求項6】 上記テストパターン記憶手段は、テスト
波形の変化タイミング信号を生成する基準信号遅延回路
と、外部からのアドレス信号に基づいてテスト周期毎に
必要なテストパターンを出力するテストパターン記憶回
路とを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか
に記載の半導体試験装置。
6. The test pattern storage means includes: a reference signal delay circuit for generating a test waveform change timing signal; and a test pattern storage circuit for outputting a required test pattern for each test cycle based on an external address signal. The semiconductor test apparatus according to any one of claims 1 to 5, comprising:
JP10158119A 1998-06-05 1998-06-05 Semiconductor testing device Withdrawn JPH11352197A (en)

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