JPH11347499A - Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor wafer - Google Patents
Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor waferInfo
- Publication number
- JPH11347499A JPH11347499A JP10157097A JP15709798A JPH11347499A JP H11347499 A JPH11347499 A JP H11347499A JP 10157097 A JP10157097 A JP 10157097A JP 15709798 A JP15709798 A JP 15709798A JP H11347499 A JPH11347499 A JP H11347499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- wafer
- cleaning tool
- semiconductor wafer
- cleaning apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 229920005594 polymer fiber Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 abstract description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000003813 thin hair Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願発明は、ウェーハ研磨後
のウェーハ洗浄装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for cleaning a wafer after polishing the wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程におけるＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）工程やＣＭＰ（Chemical Mec
hanical Polishing ）工程等では、エッチング残さ（反
応生成物等）やポリッシングでの研磨粒子等がウェーハ
の凹部パターンに残ってしまうことがある。2. Description of the Related Art RIE in a manufacturing process of a semiconductor device
(Reactive Ion Etching) process and CMP (Chemical Mec
In the hanical polishing step, etching residues (reaction products and the like), polishing particles in polishing, and the like may remain in the concave portion pattern of the wafer.
【０００３】ここで、従来から用いられているウェーハ
の洗浄器具について図面（図１、図２）を参酌して説明
する。まず、図１に示したような、円柱状のポリビニル
アルコール製ロールブラシ１が利用されている。ここ
で、図１の拡大図に示したように、このポリビニルアル
コール製ロールブラシ１の表面には、発泡状の突起物が
形成されている。Here, a conventionally used wafer cleaning tool will be described with reference to the drawings (FIGS. 1 and 2). First, a cylindrical polyvinyl alcohol roll brush 1 as shown in FIG. 1 is used. Here, as shown in the enlarged view of FIG. 1, foamed protrusions are formed on the surface of the roll brush 1 made of polyvinyl alcohol.
【０００４】また、図２に示したような、円柱状のナイ
ロン製ロールブラシ２も利用されている。ここで、図２
の拡大図に示したように、このナイロン製ロールブラシ
２の表面には、突起物が形成されている。また、超音波
洗浄により洗浄する方法も利用されている。[0004] Further, a cylindrical roll brush 2 made of nylon as shown in FIG. 2 is also used. Here, FIG.
As shown in the enlarged view of FIG. 1, a projection is formed on the surface of the nylon roll brush 2. A method of cleaning by ultrasonic cleaning is also used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来の
洗浄器具によると、幅１００ｎｍから５０００ｎｍ程度
で深さ数十ｎｍから数百ｎｍ程度の凹部パターンにエッ
チング残さ（反応生成物等）やポリッシングでの研磨粒
子等が残ってしまうと、十分な除去効果を得ることがで
きなかった。上記のような従来の洗浄器具では、洗浄器
具の表面の発泡状の突起物を長くできないことから、深
い凹部に対しては十分な深さまで届かないのである。ま
た、この突起物を長くしようとすると突起物が壊れてし
まったり、長さが不均一になってしまうという技術的な
問題があったのである。However, according to these conventional cleaning tools, etching residues (reaction products, etc.) and polishing are performed in a concave pattern having a width of about 100 nm to 5000 nm and a depth of about several tens to several hundreds of nm. When the abrasive particles and the like remained, a sufficient removal effect could not be obtained. In the conventional cleaning device as described above, since the foamy projection on the surface of the cleaning device cannot be lengthened, it cannot reach a deep recess to a sufficient depth. In addition, there is a technical problem that if the projection is to be lengthened, the projection is broken or the length becomes uneven.
【０００６】また、超音波洗浄によると、凹部パターン
に残ったエッチング残さ（反応生成物）やポリッシング
での研磨粒子を除去できても、同時に凹部パターンも壊
してしまう欠点があった。本願発明は、上記欠点に鑑み
てなされたものであり、ウェーハの凹部パターンに残っ
た反応生成物や研磨粒子等の除去性を向上させることを
目的とする。In addition, ultrasonic cleaning has the disadvantage that even if the etching residue (reaction product) remaining in the recess pattern and the abrasive particles during polishing can be removed, the recess pattern is also destroyed at the same time. The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object to improve the removability of reaction products, abrasive particles, and the like remaining in a concave pattern of a wafer.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本願発明は、少なくとも
表面が高分子繊維からなり、かつ、表面に所定の溝を有
することを特徴とする。本願発明は、上記構成を採用す
ることにより、ウェーハの凹部パターンに残った反応生
成物等の除去性を向上させることを可能とする。The present invention is characterized in that at least the surface is made of a polymer fiber and has a predetermined groove on the surface. ADVANTAGE OF THE INVENTION This invention makes it possible to improve the removability of the reaction product etc. which remained in the concave part pattern of a wafer by employ | adopting the said structure.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本願発明の第一の実施の形態につ
いて図面（図３〜図６）を参酌して説明する。本願発明
の第一の実施の形態は、本願発明にかかる洗浄器具につ
いてである。まず、図３に示したように、この洗浄器具
１１を、例えば円柱体とする。また、この洗浄器具１１
の表面は、高分子繊維１２により構成されている。高分
子繊維１２としては、例えばポリエチレンを利用する。
このように、表面に高分子繊維１２を用いると、物理的
にも耐久性が高く、壊れにくい利点がある。また、耐薬
品性に優れている利点がある。ここで、高分子繊維１２
を全面に巻き付けただけでは、ウェーハの洗浄時に水を
供給したとしても、ウェーハと洗浄器具１１との摩擦抵
抗が高くなってしまう。この摩擦抵抗を抑えようとする
と、洗浄器具１１をウェーハに十分に押し付けることが
できなくなる。そこで、洗浄器具１１の表面に溝１３を
形成する。ここでは、図３に示したように、溝１３を斜
めの二方向に形成する。この溝１３により、実際にウェ
ーハと接触する面積を低減することができる。そのた
め、ウェーハと洗浄器具１１との摩擦抵抗を抑えること
が可能となる。ここで、洗浄器具１１の表面のうちに溝
１３の占める割合を大きくしすぎると、洗浄効果が低減
してしまうので、摩擦抵抗と洗浄効果のバランスをとっ
て溝１３を形成しなければならない。そこで、洗浄器具
１１の表面積のうち溝１３の占める割合を１５％から９
５％程度に抑える方がより効率的であると思われる。溝
１３を形成すると、摩擦抵抗を低減できるだけでなく、
ウェーハの洗浄時に供給される水を外に流れやすくする
効果を得ることもできる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 3 to 6). The first embodiment of the present invention relates to a cleaning tool according to the present invention. First, as shown in FIG. 3, the cleaning tool 11 is, for example, a cylindrical body. In addition, this cleaning tool 11
Is composed of polymer fibers 12. As the polymer fiber 12, for example, polyethylene is used.
As described above, when the polymer fiber 12 is used for the surface, there is an advantage that the physical durability is high and the fiber is hardly broken. In addition, there is an advantage of being excellent in chemical resistance. Here, the polymer fiber 12
By simply winding over the entire surface, even if water is supplied at the time of cleaning the wafer, the frictional resistance between the wafer and the cleaning tool 11 increases. If the frictional resistance is to be suppressed, the cleaning tool 11 cannot be sufficiently pressed against the wafer. Therefore, a groove 13 is formed on the surface of the cleaning tool 11. Here, as shown in FIG. 3, the grooves 13 are formed in two oblique directions. The grooves 13 can reduce the area that actually contacts the wafer. Therefore, the frictional resistance between the wafer and the cleaning tool 11 can be suppressed. Here, if the ratio of the groove 13 in the surface of the cleaning tool 11 is too large, the cleaning effect is reduced. Therefore, the groove 13 must be formed while balancing the frictional resistance and the cleaning effect. Therefore, the ratio of the groove 13 to the surface area of the cleaning tool 11 is changed from 15% to 9%.
It seems that it is more efficient to keep it to around 5%. When the groove 13 is formed, not only can the frictional resistance be reduced,
The effect of facilitating the flow of the water supplied during the cleaning of the wafer to the outside can also be obtained.
【０００９】さらに、やすりなどで擦ることにより、高
分子繊維１２の表面を起毛処理することも考えられる。
このようにして、毛先の細い高分子繊維１２を起毛する
ことにより、深い溝に対しても洗浄効果を発揮すること
が可能となる。Further, it may be considered that the surface of the polymer fiber 12 is raised by rubbing with a file or the like.
In this manner, by raising the polymer fiber 12 having a thin hair tip, it is possible to exert a cleaning effect even on a deep groove.
【００１０】ここで、図４に示したように、溝１３の代
わりに、斜めの一方向の溝１４を有する洗浄器具１５と
しても構わない。図４に示した洗浄器具１５は、溝１４
の形状以外については図３における洗浄器具と同様であ
る。Here, as shown in FIG. 4, instead of the groove 13, a cleaning tool 15 having an oblique one-way groove 14 may be used. The cleaning tool 15 shown in FIG.
Except for the shape, the cleaning tool is the same as the cleaning tool in FIG.
【００１１】また、図５に示したように、溝１３の代わ
りに、互いに垂直に交わる水平方向と垂直方向の溝１６
を有する洗浄器具１７としてもよい。図５に示した洗浄
器具１７は、溝１６の形状以外については図３における
洗浄器具と同様である。Further, as shown in FIG. 5, instead of the groove 13, a groove 16 in a horizontal direction and a vertical direction
May be used as the cleaning tool 17. The cleaning tool 17 shown in FIG. 5 is the same as the cleaning tool in FIG. 3 except for the shape of the groove 16.
【００１２】そして、図６に示したように、上記図３か
ら図５に示したような洗浄器具１９を用いてウェーハ１
８を洗浄することとなる。これには、まず、所定の回転
軸、即ち、ウェーハ１８の上面の中心点を通り、ウェー
ハ１８の上面と垂直方向の回転軸を中心にしてウェーハ
１８を回転させる（図６の矢印Ａ方向）。次に、２つの
洗浄器具１９によりウェーハ１８の上面と底面を挟み込
む。そして、洗浄器具１９をウェーハ１８の回転軸と垂
直な回転軸を中心にして回転させる。即ち、洗浄器具１
９をそれぞれ矢印Ｂ，矢印Ｃの方向に回転させる。それ
ぞれの回転数は、２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍが適当であ
る。このようにして、ウェーハ１８は洗浄される。Then, as shown in FIG. 6, the wafer 1 is cleaned by using the cleaning tool 19 as shown in FIGS.
8 will be washed. For this, first, the wafer 18 is rotated about a predetermined rotation axis, that is, a center point of the upper surface of the wafer 18 and a rotation axis perpendicular to the upper surface of the wafer 18 (the direction of arrow A in FIG. 6). . Next, the upper and lower surfaces of the wafer 18 are sandwiched between the two cleaning tools 19. Then, the cleaning tool 19 is rotated about a rotation axis perpendicular to the rotation axis of the wafer 18. That is, cleaning tool 1
9 is rotated in the directions of arrows B and C, respectively. An appropriate rotation speed is from 20 rpm to 500 rpm. Thus, the wafer 18 is cleaned.
【００１３】ここで、本願発明の第一の実施の形態にお
ける洗浄器具による洗浄効果を示すものとして、従来の
洗浄器具と比較して実験した洗浄効果テストの結果表を
示す。この洗浄効果テストとしては、まず、ウェーハ
に、横幅２μｍ、縦幅４μｍ、深さ１μｍの凹部パター
ンＡと、横幅４μｍ、縦幅６μｍ、深さ１μｍの凹部パ
ターンＢの２種類の凹部パターンを形成する。次に、Ｃ
ＶＤ法により全面にタングステン膜を厚さ０．５μｍ形
成する。そして、ＣＭＰ法を用いて、このタングステン
膜をウェーハの上面まで除去した。このときの凹部パタ
ーンに残った研磨剤等を測定したものである。洗浄器具
として、ポリビニルアルコール製ロールブラシ、超音波
洗浄、溝が形成されていないポリエチレン製ロールブラ
シ、溝を形成したポリエチレン製ロールブラシ（起毛処
理有り）の４つを使用した。そして、結果は○、△、×
で示した。○は、ほぼ全ての研磨剤等が除去されている
ことを示す。△は、大きなものは除去されているもの
の、小さいものは残っていることを示す。×は、大きな
ものも除去されていないことを示す。Here, as a table showing the cleaning effect of the cleaning device according to the first embodiment of the present invention, a result table of a cleaning effect test which was conducted in comparison with a conventional cleaning device is shown. In this cleaning effect test, first, two types of concave pattern, a concave pattern A having a horizontal width of 2 μm, a vertical width of 4 μm and a depth of 1 μm, and a concave pattern B having a horizontal width of 4 μm, a vertical width of 6 μm and a depth of 1 μm are formed. I do. Next, C
A tungsten film having a thickness of 0.5 μm is formed on the entire surface by the VD method. Then, the tungsten film was removed to the upper surface of the wafer by using the CMP method. The abrasive and the like remaining in the concave pattern at this time were measured. Four cleaning tools were used: a polyvinyl alcohol roll brush, ultrasonic cleaning, a polyethylene roll brush with no grooves formed, and a polyethylene roll brush with grooves formed (with brushing treatment). And the result is ○, △, ×
Indicated by ○ indicates that almost all abrasives and the like have been removed. Δ indicates that large ones have been removed but small ones remain. X indicates that neither large ones were removed.
【００１４】[0014]
【表１】 [Table 1]
【００１５】このように、ポリビニルアルコール製ロー
ルブラシでは、２種類の凹部パターンのそれぞれに対し
て、洗浄効果は見られなかった。また、超音波洗浄で
は、比較的大きなパターンである横幅４μｍ、縦幅６μ
ｍ、深さ１μｍの凹部パターンＢでは、少しだけ洗浄効
果が見られた。しかし、比較的小さなパターンである横
幅２μｍ、縦幅４μｍ、深さ１μｍの凹部パターンＡに
対しては、洗浄効果は見られなかった。さらに、ポリエ
チレン製ロールブラシでは、２種類の凹部パターンに対
して、少しだけ洗浄効果が見られた。これに対して、溝
を形成したポリエチレン製ロールブラシ（起毛処理有
り）では、２種類の凹部パターン双方に対して明確な洗
浄効果が見られた。As described above, with the roll brush made of polyvinyl alcohol, no cleaning effect was observed for each of the two types of concave patterns. In ultrasonic cleaning, a relatively large pattern of 4 μm in width and 6 μm in height is used.
In the concave pattern B having a depth of m and a depth of 1 μm, a slight cleaning effect was observed. However, the cleaning effect was not observed for the relatively small pattern of the concave pattern A having a width of 2 μm, a height of 4 μm and a depth of 1 μm. Further, with the polyethylene roll brush, a slight cleaning effect was observed for the two types of concave patterns. On the other hand, in the case of the polyethylene roll brush having a groove (having a raising process), a clear cleaning effect was observed for both of the two types of recess patterns.
【００１６】以上が本願発明の第一の実施の形態であ
る。この第一の実施の形態によると、ウェーハ１８の図
示せぬ凹部パターンに残った反応生成物等の除去性を向
上させることが可能となる。また、高分子繊維１２を用
いることから、耐久性や耐薬品性に優れた洗浄器具を提
供することが可能となる。さらに、洗浄器具１１の表面
に溝１３を形成することにより、ウェーハとの摩擦抵抗
を低減させることを可能とすると同時に、洗浄時に供給
される水を外へ流しやすくさせることも可能となる。ま
た、高分子繊維１２を起毛処理することにより、ウェー
ハの凹部パターンが深い溝であっても除去効果を保持す
ることが可能となる。The above is the first embodiment of the present invention. According to the first embodiment, it is possible to improve the removability of a reaction product or the like remaining on a concave pattern (not shown) of the wafer 18. Further, since the polymer fibers 12 are used, it is possible to provide a cleaning device having excellent durability and chemical resistance. Further, by forming the groove 13 on the surface of the cleaning tool 11, it is possible to reduce the frictional resistance with the wafer, and at the same time, it is possible to easily flow the water supplied at the time of cleaning. In addition, by raising the polymer fibers 12, it is possible to maintain the removal effect even if the concave pattern of the wafer is a deep groove.
【００１７】なお、本願発明の第一の実施の形態では、
洗浄器具を円柱体としたが、これに限るものではない。
従って、本願発明を、例えば円盤状の洗浄器具としても
同様の効果を得ることができる。In the first embodiment of the present invention,
Although the cleaning device was a cylindrical body, it is not limited to this.
Therefore, the same effect can be obtained when the present invention is applied to, for example, a disc-shaped cleaning tool.
【００１８】次に、本願発明の第二の実施の形態につい
て図面（図７及び図８）を参酌して説明する。本願発明
の第二の実施の形態は、本願発明の第一の実施の形態で
説明した洗浄器具を用いたウェーハの洗浄装置に関する
ものである。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 7 and 8). The second embodiment of the present invention relates to a wafer cleaning apparatus using the cleaning tool described in the first embodiment of the present invention.
【００１９】図７に示したように、ウェーハ２０を回転
させるウェーハ回転装置２２が付いている。このウェー
ハ回転装置２２により、ウェーハ２０は、所定の回転
軸、即ち、ウェーハ２０の上面の中心点を通り、ウェー
ハ２０の上面と垂直方向の回転軸を中心にして回転され
る（図７の矢印Ｄ方向）。そして、２つの洗浄器具２１
によりウェーハ２０の上面と底面を挟み込む。そして、
２つの洗浄器具２１をウェーハ２０の回転軸と垂直な回
転軸を中心にして回転させる。洗浄器具２１を回転させ
るには、洗浄器具回転装置２３を用いる。また、洗浄器
具２１としては、本願発明の第一の実施の形態で説明し
たような洗浄器具を利用する。ウェーハ２０及び洗浄器
具２１の回転数は、それぞれ２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ
が適当である。図７のＡ−Ａ’における断面図を図８に
示す。As shown in FIG. 7, a wafer rotating device 22 for rotating the wafer 20 is provided. The wafer rotating device 22 rotates the wafer 20 around a predetermined rotation axis, that is, a rotation axis perpendicular to the upper surface of the wafer 20 through a center point of the upper surface of the wafer 20 (arrow in FIG. 7). D direction). And two cleaning tools 21
Sandwiches the top and bottom surfaces of wafer 20. And
The two cleaning tools 21 are rotated around a rotation axis perpendicular to the rotation axis of the wafer 20. To rotate the cleaning tool 21, a cleaning tool rotating device 23 is used. Further, as the cleaning tool 21, a cleaning tool as described in the first embodiment of the present invention is used. The number of rotations of the wafer 20 and the cleaning tool 21 is 20 rpm to 500 rpm, respectively.
Is appropriate. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
【００２０】以上が本願発明の第二の実施の形態であ
る。この第二の実施の形態によると、ウェーハ２０の図
示せぬ凹部パターンに残った反応生成物等の除去性を向
上させることが可能となる。また、洗浄器具２１の表面
に高分子繊維を用いることから、耐久性や耐薬品性に優
れた洗浄器具を提供することが可能となる。さらに、洗
浄器具２１の表面に溝を形成することにより、ウェーハ
２０との摩擦抵抗を低減させることを可能とすると同時
に、洗浄時に供給される水を外へ流しやすくさせること
も可能となる。また、高分子繊維を起毛処理することに
より、ウェーハの凹部パターンが深い溝であっても除去
効果を保持することが可能となる。The above is the second embodiment of the present invention. According to the second embodiment, it is possible to improve the removability of a reaction product or the like remaining on a concave pattern (not shown) of the wafer 20. Further, since polymer fibers are used for the surface of the cleaning tool 21, it is possible to provide a cleaning tool excellent in durability and chemical resistance. Further, by forming grooves on the surface of the cleaning tool 21, it is possible to reduce the frictional resistance with the wafer 20, and at the same time, it is possible to easily flow the water supplied at the time of cleaning to the outside. In addition, by raising the polymer fibers, the removal effect can be maintained even if the concave pattern of the wafer is a deep groove.
【００２１】次に、本願発明の第三の実施の形態につい
て図面（図９、図３〜図５）を参酌して説明する。本願
発明の第三の実施の形態は、本願発明の第一の実施の形
態で説明した洗浄器具を用いたウェーハの洗浄装置に関
するものである。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings (FIGS. 9 and 3 to 5). The third embodiment of the present invention relates to a wafer cleaning apparatus using the cleaning tool described in the first embodiment of the present invention.
【００２２】図９に示したように、ウェーハ２４を回転
させるウェーハ回転装置２５が付いている。このウェー
ハ回転装置２５により、ウェーハ２４は、所定の回転
軸、即ち、ウェーハ２４の上面の中心点を通り、ウェー
ハ２４の上面と垂直方向の回転軸を中心にして回転され
る（図９の矢印Ｅ方向）。一方、洗浄器具２７をウェー
ハ２４の回転軸と同じ回転軸を中心にして、ウェーハ２
４とは逆方向に回転させる（図９の矢印Ｆ方向）。洗浄
器具２７を回転させるには、洗浄器具回転装置２６を用
いる。また、洗浄器具２７としては、円盤状のものであ
って、その洗浄面２９が本願発明の第一の実施の形態で
説明したような形状をした高分子繊維で形成されたもの
を利用する。ウェーハ２４及び洗浄器具２７の回転数
は、それぞれ２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍが適当である。
このようにして、洗浄器具２７によりウェーハ２４の表
面２８を洗浄する。As shown in FIG. 9, a wafer rotating device 25 for rotating the wafer 24 is provided. The wafer rotation device 25 rotates the wafer 24 about a predetermined rotation axis, that is, a rotation axis in a direction perpendicular to the upper surface of the wafer 24 through a center point of the upper surface of the wafer 24 (arrow in FIG. 9). E direction). On the other hand, the cleaning tool 27 is rotated around the same rotation axis as the rotation axis of the wafer 24 so that the wafer 2
4 (in the direction of arrow F in FIG. 9). To rotate the cleaning tool 27, a cleaning tool rotating device 26 is used. Further, as the cleaning tool 27, a disk-shaped cleaning tool whose cleaning surface 29 is formed of a polymer fiber having the shape described in the first embodiment of the present invention is used. The rotation speeds of the wafer 24 and the cleaning tool 27 are suitably 20 rpm to 500 rpm, respectively.
Thus, the surface 28 of the wafer 24 is cleaned by the cleaning tool 27.
【００２３】以上が本願発明の第三の実施の形態であ
る。この第三の実施の形態によると、ウェーハ２４の図
示せぬ凹部パターンに残った反応生成物等の除去性を向
上させることが可能となる。また、洗浄器具２７の表面
に高分子繊維を用いることから、耐久性や耐薬品性に優
れた洗浄器具を提供することが可能となる。さらに、洗
浄器具２７の表面に溝を形成することにより、ウェーハ
との摩擦抵抗を低減させることを可能とすると同時に、
洗浄時に供給される水を外へ流しやすくさせることも可
能となる。また、高分子繊維を起毛処理することによ
り、ウェーハの凹部パターンが深い溝であっても除去効
果を保持することが可能となる。The above is the third embodiment of the present invention. According to the third embodiment, it is possible to improve the removability of a reaction product or the like remaining on a concave pattern (not shown) of the wafer 24. Further, since polymer fibers are used for the surface of the cleaning tool 27, a cleaning tool having excellent durability and chemical resistance can be provided. Furthermore, by forming grooves on the surface of the cleaning tool 27, it is possible to reduce frictional resistance with the wafer, and at the same time,
It is also possible to make the water supplied at the time of washing easier to flow outside. In addition, by raising the polymer fibers, the removal effect can be maintained even if the concave pattern of the wafer is a deep groove.
【００２４】なお、本願発明の第二の実施の形態では洗
浄器具２１を円柱体とし、第三の実施の形態では洗浄器
具２７を円盤状としたが、これに限るものではない。洗
浄器具の洗浄面を第一の実施の形態で示したような形状
にすれば、上記効果を得ることが可能となる。In the second embodiment of the present invention, the cleaning tool 21 is a cylindrical body, and in the third embodiment, the cleaning tool 27 is a disk. However, the present invention is not limited to this. If the cleaning surface of the cleaning tool is shaped as shown in the first embodiment, the above-described effects can be obtained.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本願発明は、ウェーハの凹部パターンに
残った反応生成物等の除去性を向上させることを可能と
する。The present invention makes it possible to improve the removability of reaction products and the like remaining in the concave pattern of the wafer.
【図１】従来の洗浄器具の斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a conventional cleaning tool.
【図２】従来の洗浄器具の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of a conventional cleaning tool.
【図３】本願発明の第一の実施の形態にかかる洗浄器具
の側面図。FIG. 3 is a side view of the cleaning tool according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本願発明の第一の実施の形態にかかる洗浄器具
の側面図。FIG. 4 is a side view of the cleaning tool according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本願発明の第一の実施の形態にかかる洗浄器具
の側面図。FIG. 5 is a side view of the cleaning tool according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本願発明の第一の実施の形態にかかる洗浄器具
を用いたときのウェーハ洗浄の状態を示した斜視図。FIG. 6 is a perspective view showing a state of wafer cleaning when the cleaning tool according to the first embodiment of the present invention is used.
【図７】本願発明の第二の実施の形態にかかるウェーハ
洗浄装置の上面図。FIG. 7 is a top view of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本願発明の第二の実施の形態にかかるウェーハ
洗浄装置の断面図。FIG. 8 is a sectional view of a wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図９】本願発明の第三の実施の形態にかかるウェーハ
洗浄装置の断面図。FIG. 9 is a sectional view of a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【表１】本願発明の第一の実施の形態による洗浄効果テ
ストの結果表。Table 1 is a table showing the results of a cleaning effect test according to the first embodiment of the present invention.
１・・・・ポリビニルアルコール製ロールブラシ ２・・・・ナイロン製ロールブラシ １１・・・・洗浄器具 １２・・・・高分子繊維 １３・・・・溝 １４・・・・溝 １５・・・・洗浄器具 １６・・・・溝 １７・・・・洗浄器具 １８・・・・ウェーハ １９・・・・洗浄器具 ２０・・・・ウェーハ ２１・・・・洗浄器具 ２２・・・・ウェーハ回転装置 ２３・・・・洗浄器具回転装置 ２４・・・・ウェーハ ２５・・・・ウェーハ回転装置 ２６・・・・洗浄器具回転装置 ２７・・・・洗浄器具 ２８・・・・ウェーハ２４の表面 ２９・・・・洗浄面 1 ··· Roll roll made of polyvinyl alcohol 2 ··· Roll brush made of nylon 11 ··· Cleaning tool 12 ··· Polymer fiber 13 ··· Groove 14 ··· Groove 15 ··· Cleaning device 16 Groove 17 Cleaning device 18 Wafer 19 Cleaning device 20 Wafer 21 Cleaning device 22 Wafer rotating device 23 ··· Cleaning device rotation device 24 ··· Wafer 25 ··· Wafer rotation device 26 ··· Cleaning device rotation device 27 ··· Cleaning device 28 · · · Surface of wafer 24 29 · ... Washing surface
Claims (5)
に所定の溝を有する洗浄器具。1. A cleaning tool having a surface made of a polymer fiber and having a predetermined groove on the surface.
徴とする請求項１記載の洗浄器具。2. The cleaning device according to claim 1, wherein the polymer fibers are raised.
回転させる装置と、 前記半導体ウェーハの表面を洗浄するものであって、表
面が高分子繊維からなり、かつ、表面に所定の溝を有す
る洗浄器具と、 前記洗浄器具を第二の回転軸を中心に回転させる装置と
を具備することを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。3. An apparatus for rotating a semiconductor wafer about a first rotation axis, for cleaning a surface of the semiconductor wafer, wherein the surface is made of polymer fibers, and a predetermined groove is formed on the surface. A semiconductor wafer cleaning apparatus comprising: a cleaning tool having the cleaning tool; and a device configured to rotate the cleaning tool about a second rotation axis.
徴とする請求項３記載の半導体ウェーハ洗浄装置。4. The semiconductor wafer cleaning apparatus according to claim 3, wherein said polymer fibers are raised.
に所定の溝を有する洗浄器具により半導体ウェーハの表
面を洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方
法。5. A method for cleaning a semiconductor wafer, comprising cleaning the surface of the semiconductor wafer with a cleaning tool having a surface made of polymer fibers and having predetermined grooves on the surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157097A JPH11347499A (en) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157097A JPH11347499A (en) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11347499A true JPH11347499A (en) | 1999-12-21 |
Family
ID=15642190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10157097A Pending JPH11347499A (en) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11347499A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196339A (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Ind Technol Res Inst | Method for on-line cleaning after cmp |
| US8752228B2 (en) | 2005-04-20 | 2014-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for cleaning of circuit substrates |
| CN112974324A (en) * | 2021-03-01 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | Wafer cleaning brush and wafer cleaning device |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP10157097A patent/JPH11347499A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196339A (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Ind Technol Res Inst | Method for on-line cleaning after cmp |
| US8752228B2 (en) | 2005-04-20 | 2014-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for cleaning of circuit substrates |
| CN112974324A (en) * | 2021-03-01 | 2021-06-18 | 长江存储科技有限责任公司 | Wafer cleaning brush and wafer cleaning device |
| CN112974324B (en) * | 2021-03-01 | 2022-04-12 | 长江存储科技有限责任公司 | Wafer cleaning brush and wafer cleaning device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6193587B1 (en) | Apparatus and method for cleansing a polishing pad | |
| KR100824362B1 (en) | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate | |
| TW444241B (en) | Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc | |
| JP3778594B2 (en) | Dressing method | |
| KR101379570B1 (en) | Method and apparatus for isolated bevel edge clean | |
| TWI272646B (en) | Method of processing a substrate | |
| US8496758B2 (en) | Cleaning apparatus and cleaning method for wafer | |
| JP5035405B2 (en) | Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium | |
| JP2006196907A (en) | Chemical mechanical polishing pad for adjusting distribution of polishing slurry | |
| JP6377758B2 (en) | Substrate cleaning roll, substrate cleaning apparatus, and substrate cleaning method | |
| US10471481B2 (en) | Roll-type processing member, pencil-type processing member, and substrate processing apparatus including any one of these | |
| TWI808227B (en) | Substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
| US6560809B1 (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| JP4586660B2 (en) | Cleaning method for disk-shaped glass substrate | |
| US20020129834A1 (en) | Pad for use in a critical environment | |
| JPH11347499A (en) | Cleaning apparatus, cleaning device of semiconductor wafer and cleaning method of semiconductor wafer | |
| JP2002079190A (en) | Substrate cleaning member, and device and method for cleaning substrate using the same | |
| JP2003513443A (en) | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer | |
| JP3680185B2 (en) | Cleaning roller | |
| JP3668640B2 (en) | Substrate cleaning device | |
| TW504733B (en) | Method and apparatus for cleaning workpieces with uniform relative velocity | |
| JPH10261605A (en) | Semiconductor processor | |
| WO2001063656A1 (en) | Method for wafer processing | |
| JP2006332386A (en) | Device and method for washing substrate | |
| JP2000237700A (en) | Substrate washing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |