JPH11345738A - 電子部品の絶縁抵抗不良選別方法 - Google Patents
電子部品の絶縁抵抗不良選別方法Info
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- JPH11345738A JPH11345738A JP15172698A JP15172698A JPH11345738A JP H11345738 A JPH11345738 A JP H11345738A JP 15172698 A JP15172698 A JP 15172698A JP 15172698 A JP15172698 A JP 15172698A JP H11345738 A JPH11345738 A JP H11345738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 選別時間を長くすることなく、絶縁抵抗不良
の選別をより高精度に行い得る、電子部品の絶縁抵抗不
良選別方法を得る。 【解決手段】 電子部品に少なくとも２種の電圧を印加
し、それぞれ絶縁抵抗を測定し、少なくとも１種の電圧
印加時における絶縁抵抗値が、該電圧印加時の絶縁抵抗
基準値を下回っている場合に該電子部品を不良品と判別
する、電子部品の絶縁抵抗不良選別方法。
の選別をより高精度に行い得る、電子部品の絶縁抵抗不
良選別方法を得る。 【解決手段】 電子部品に少なくとも２種の電圧を印加
し、それぞれ絶縁抵抗を測定し、少なくとも１種の電圧
印加時における絶縁抵抗値が、該電圧印加時の絶縁抵抗
基準値を下回っている場合に該電子部品を不良品と判別
する、電子部品の絶縁抵抗不良選別方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の絶縁抵
抗不良を選別する方法に関し、例えば積層コンデンサな
どの積層セラミック電子部品における不良品選別に好適
に用いられる電子部品の絶縁抵抗不良選別方法に関す
る。
抗不良を選別する方法に関し、例えば積層コンデンサな
どの積層セラミック電子部品における不良品選別に好適
に用いられる電子部品の絶縁抵抗不良選別方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品の出荷に先立って、不良
品を排除するために、様々な選別方法が実施されてい
る。例えば、絶縁抵抗不良を選別する方法としては、電
子部品に所定の１種類の電圧を印加し、絶縁抵抗を測定
し、該絶縁抵抗が所定の絶縁抵抗基準値を下回る場合、
その電子部品を不良品として排除していた。
品を排除するために、様々な選別方法が実施されてい
る。例えば、絶縁抵抗不良を選別する方法としては、電
子部品に所定の１種類の電圧を印加し、絶縁抵抗を測定
し、該絶縁抵抗が所定の絶縁抵抗基準値を下回る場合、
その電子部品を不良品として排除していた。
【０００３】電子部品の絶縁抵抗は、印加電圧によって
も異なるため、印加電圧に応じて上記絶縁抵抗基準値が
定められている。ところが、ある印加電圧においては、
該印加電圧における絶縁抵抗基準値を上回っており、良
品と判断されるが、他の印加電圧で絶縁抵抗を測定した
場合には、該他の印加電圧における絶縁抵抗基準値を下
回るものがある。このような電子部品は不良品であるた
め、絶縁抵抗選別方法により確実に除去されねばならな
い。
も異なるため、印加電圧に応じて上記絶縁抵抗基準値が
定められている。ところが、ある印加電圧においては、
該印加電圧における絶縁抵抗基準値を上回っており、良
品と判断されるが、他の印加電圧で絶縁抵抗を測定した
場合には、該他の印加電圧における絶縁抵抗基準値を下
回るものがある。このような電子部品は不良品であるた
め、絶縁抵抗選別方法により確実に除去されねばならな
い。
【０００４】そこで、従来、上記のような不良品を確実
に除去するために、選別に際しての絶縁抵抗基準値を安
全度を見込んでかなり高めていた。しかしながら、絶縁
抵抗基準値を高めた場合には、上記のような不良品を確
実に除去し得るものの、逆に、安全度を見込んだ分だ
け、良品が不良品として排除されていた。従って、みか
け不良率、すなわち、不良品中に混入される良品の割合
が高くなり、歩留りが低下し、コストを高める原因とな
っていた。
に除去するために、選別に際しての絶縁抵抗基準値を安
全度を見込んでかなり高めていた。しかしながら、絶縁
抵抗基準値を高めた場合には、上記のような不良品を確
実に除去し得るものの、逆に、安全度を見込んだ分だ
け、良品が不良品として排除されていた。従って、みか
け不良率、すなわち、不良品中に混入される良品の割合
が高くなり、歩留りが低下し、コストを高める原因とな
っていた。
【０００５】そこで、みかけ不良率を低めるために、絶
縁抵抗を測定する際の判定時間、すなわち電圧印加時間
を長くし、それによって良品と不良品との差を拡大し、
より正確に絶縁抵抗不良を選別する方法が試みられてい
る。積層コンデンサを例にとると、電圧印加時間すなわ
ち充電時間を延長することにより、良品と不良品との差
を拡大し、それによって、より高精度に不良品を選別す
ることが試みられている。
縁抵抗を測定する際の判定時間、すなわち電圧印加時間
を長くし、それによって良品と不良品との差を拡大し、
より正確に絶縁抵抗不良を選別する方法が試みられてい
る。積層コンデンサを例にとると、電圧印加時間すなわ
ち充電時間を延長することにより、良品と不良品との差
を拡大し、それによって、より高精度に不良品を選別す
ることが試みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、判定時
間を延長する方法では、絶縁抵抗選別に際しての処理時
間が長くなり、生産性が低下するという問題があった。
間を延長する方法では、絶縁抵抗選別に際しての処理時
間が長くなり、生産性が低下するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、選別時間を長くすることなく、かつみかけ不
良率を高めることなく、不良品を確実に排除し得る電子
部品の絶縁抵抗不良選別方法を提供することにある。
を解消し、選別時間を長くすることなく、かつみかけ不
良率を高めることなく、不良品を確実に排除し得る電子
部品の絶縁抵抗不良選別方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、電子部品に少なくとも２種の電圧を印加し、絶縁抵
抗を測定し、少なくとも１種の電圧印加時における絶縁
抵抗が該電圧印加時の絶縁抵抗基準値を下回った場合に
不良品と判別することを特徴とする。
は、電子部品に少なくとも２種の電圧を印加し、絶縁抵
抗を測定し、少なくとも１種の電圧印加時における絶縁
抵抗が該電圧印加時の絶縁抵抗基準値を下回った場合に
不良品と判別することを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明では、上記電子部品
として、積層セラミック電子部品が用いられ、該積層セ
ラミック電子部品の絶縁抵抗不良が確実に選別される。
として、積層セラミック電子部品が用いられ、該積層セ
ラミック電子部品の絶縁抵抗不良が確実に選別される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の絶縁抵抗不良選別
方法を、図面を参照しつつより具体的に説明する。
方法を、図面を参照しつつより具体的に説明する。
【００１１】上述したように、従来の絶縁抵抗不良選別
方法では、１種類の電圧を印加し、絶縁抵抗を測定
し、測定された絶縁抵抗が絶縁抵抗基準値より下回っ
た場合に不良品として選別していた。
方法では、１種類の電圧を印加し、絶縁抵抗を測定
し、測定された絶縁抵抗が絶縁抵抗基準値より下回っ
た場合に不良品として選別していた。
【００１２】これに対して、本発明に係る電子部品の絶
縁抵抗不良選別方法では、少なくとも２種の電圧を印加
し、それぞれ絶縁抵抗を測定する。そして、少なくとも
１種の電圧印加時における測定された絶縁抵抗値が、該
電圧印加時の絶縁抵抗基準値を下回った場合に不良品と
判別する。本発明の絶縁抵抗不良選別方法によれば、処
理速度を低めることなく、かつ前述したみかけ不良率を
高めることなく、不良品を確実に選別し得る。これを、
図１を参照して説明する。
縁抵抗不良選別方法では、少なくとも２種の電圧を印加
し、それぞれ絶縁抵抗を測定する。そして、少なくとも
１種の電圧印加時における測定された絶縁抵抗値が、該
電圧印加時の絶縁抵抗基準値を下回った場合に不良品と
判別する。本発明の絶縁抵抗不良選別方法によれば、処
理速度を低めることなく、かつ前述したみかけ不良率を
高めることなく、不良品を確実に選別し得る。これを、
図１を参照して説明する。
【００１３】図１は、積層コンデンサに種々の電圧を印
加した場合の絶縁抵抗の分布を示す図である。横軸は印
加電圧の値を示し、縦軸は絶縁抵抗を示す。図１におい
て、矢印Ａで示すグループは良品の範囲を示し、矢印Ｂ
で示すグループが不良品の分布を示す。
加した場合の絶縁抵抗の分布を示す図である。横軸は印
加電圧の値を示し、縦軸は絶縁抵抗を示す。図１におい
て、矢印Ａで示すグループは良品の範囲を示し、矢印Ｂ
で示すグループが不良品の分布を示す。
【００１４】図１から明らかなように、積層コンデンサ
の絶縁抵抗は、該絶縁抵抗を測定する際の印加電圧に応
じて変化する。ほとんどの積層コンデンサでは、印加電
圧が高くなるにつれて、絶縁抵抗は低下する。
の絶縁抵抗は、該絶縁抵抗を測定する際の印加電圧に応
じて変化する。ほとんどの積層コンデンサでは、印加電
圧が高くなるにつれて、絶縁抵抗は低下する。
【００１５】従来の絶縁抵抗不良選別方法では、例え
ば、電圧Ｖ1 を印加し、積層コンデンサの絶縁抵抗を測
定する。この場合、絶縁抵抗基準値としては、例えば、
図１に示す抵抗値Ｒａを選定しておき、測定された絶縁
抵抗値が絶縁抵抗基準値Ｒａを下回った場合、不良品と
判別していた。
ば、電圧Ｖ1 を印加し、積層コンデンサの絶縁抵抗を測
定する。この場合、絶縁抵抗基準値としては、例えば、
図１に示す抵抗値Ｒａを選定しておき、測定された絶縁
抵抗値が絶縁抵抗基準値Ｒａを下回った場合、不良品と
判別していた。
【００１６】しかしながら、製造された積層コンデンサ
の中には、印加電圧を高めるにつれて、印加電圧の上昇
分に応じて絶縁抵抗値が低下しないものもあった。例え
ば、図１の矢印Ｃで示す特性の積層コンデンサや、矢印
Ｄで示す特性を示す積層コンデンサも存在した。
の中には、印加電圧を高めるにつれて、印加電圧の上昇
分に応じて絶縁抵抗値が低下しないものもあった。例え
ば、図１の矢印Ｃで示す特性の積層コンデンサや、矢印
Ｄで示す特性を示す積層コンデンサも存在した。
【００１７】上記矢印Ｃで示す特性の積層コンデンサで
は、電圧Ｖ1 を印加した場合、絶縁抵抗値は、絶縁抵抗
基準値Ｒａを上回っているため、良品と判別される。し
かしながら、この積層コンデンサは、定格電圧を印加し
た場合や、電圧Ｖ2 （但し、電圧Ｖ2 ＞Ｖ1 ）を印加し
た場合には、図１から明らかなように不良品グループに
属するものである。従って、このような積層コンデンサ
は、不良品として確実に除去されねばならない。
は、電圧Ｖ1 を印加した場合、絶縁抵抗値は、絶縁抵抗
基準値Ｒａを上回っているため、良品と判別される。し
かしながら、この積層コンデンサは、定格電圧を印加し
た場合や、電圧Ｖ2 （但し、電圧Ｖ2 ＞Ｖ1 ）を印加し
た場合には、図１から明らかなように不良品グループに
属するものである。従って、このような積層コンデンサ
は、不良品として確実に除去されねばならない。
【００１８】そこで、従来は、絶縁抵抗基準値Ｒａを、
図１に示す位置よりも高め、すなわち矢印Ｃで示す特性
の積層コンデンサをも確実に排除するようにして、良品
と不良品とを選別していた。
図１に示す位置よりも高め、すなわち矢印Ｃで示す特性
の積層コンデンサをも確実に排除するようにして、良品
と不良品とを選別していた。
【００１９】その結果、図１の矢印Ｅで示す特性の積層
コンデンサのように、本来良品である積層コンデンサも
不良品として排除されていた。そのため、前述したよう
に、みかけ不良率が高くなっていた。
コンデンサのように、本来良品である積層コンデンサも
不良品として排除されていた。そのため、前述したよう
に、みかけ不良率が高くなっていた。
【００２０】これに対して、本発明の方法では、２種以
上の電圧を印加し、絶縁抵抗値を測定し、少なくとも１
種の電圧印加時に、該電圧における絶縁抵抗基準値を下
回った場合に不良品として選別する。例えば、図１に示
すように、電圧Ｖ1 ，Ｖ2 の２種の電圧を印加した場合
に、それぞれ、絶縁抵抗基準値を、Ｒａ，Ｒｂとして設
定しておく。電圧Ｖ1 を印加した場合には、矢印Ｃで示
す特性の積層コンデンサの絶縁抵抗値は絶縁抵抗基準値
Ｒａを上回るが、電圧Ｖ2 を印加した際には、絶縁抵抗
値は絶縁抵抗基準値Ｒｂを下回る。従って、矢印Ｃで示
す特性の積層コンデンサは不良品として確実に排除され
る。
上の電圧を印加し、絶縁抵抗値を測定し、少なくとも１
種の電圧印加時に、該電圧における絶縁抵抗基準値を下
回った場合に不良品として選別する。例えば、図１に示
すように、電圧Ｖ1 ，Ｖ2 の２種の電圧を印加した場合
に、それぞれ、絶縁抵抗基準値を、Ｒａ，Ｒｂとして設
定しておく。電圧Ｖ1 を印加した場合には、矢印Ｃで示
す特性の積層コンデンサの絶縁抵抗値は絶縁抵抗基準値
Ｒａを上回るが、電圧Ｖ2 を印加した際には、絶縁抵抗
値は絶縁抵抗基準値Ｒｂを下回る。従って、矢印Ｃで示
す特性の積層コンデンサは不良品として確実に排除され
る。
【００２１】また、矢印Ｄで示す積層コンデンサもま
た、電圧Ｖ2 を印加した場合には、絶縁抵抗基準値Ｒｂ
を上回るが、電圧Ｖ1 を印加した場合には絶縁抵抗値
は、絶縁抵抗基準値Ｒａを下回り、不良品と判断され
る。従って、矢印Ｄで示す積層コンデンサも、不良品と
して確実に排除される。
た、電圧Ｖ2 を印加した場合には、絶縁抵抗基準値Ｒｂ
を上回るが、電圧Ｖ1 を印加した場合には絶縁抵抗値
は、絶縁抵抗基準値Ｒａを下回り、不良品と判断され
る。従って、矢印Ｄで示す積層コンデンサも、不良品と
して確実に排除される。
【００２２】他方、矢印Ｅで示す特性の積層コンデンサ
については、電圧Ｖ1 ，Ｖ2 のいずれを印加した場合
も、それぞれの絶縁抵抗基準値を上回るため、良品と判
断される。
については、電圧Ｖ1 ，Ｖ2 のいずれを印加した場合
も、それぞれの絶縁抵抗基準値を上回るため、良品と判
断される。
【００２３】従って、絶縁抵抗基準値Ｒａ，Ｒｂを従来
法ほど高めずとも（逆に低くしたとしても）、不良品を
確実に排除することができ、それによって、みかけ不良
率を低めることができる。
法ほど高めずとも（逆に低くしたとしても）、不良品を
確実に排除することができ、それによって、みかけ不良
率を低めることができる。
【００２４】本発明の絶縁抵抗不良選別方法のより具体
的な実施例を、以下において説明する。３．２×１．６
×１．６ｍｍの寸法を有し、静電容量が１０μＦ、設計
絶縁抵抗値が６００ＭΩである同じ製造ロットの多数の
積層コンデンサを用意した。この積層コンデンサを用
い、従来法及び本発明の方法に従って絶縁抵抗不良の選
別を行った。
的な実施例を、以下において説明する。３．２×１．６
×１．６ｍｍの寸法を有し、静電容量が１０μＦ、設計
絶縁抵抗値が６００ＭΩである同じ製造ロットの多数の
積層コンデンサを用意した。この積層コンデンサを用
い、従来法及び本発明の方法に従って絶縁抵抗不良の選
別を行った。
【００２５】従来法としては、１種の判定電圧を印加
し、絶縁抵抗を測定し、測定された絶縁抵抗値が、該判
定電圧印加時の絶縁抵抗基準値よりも下回っているか否
かで不良品と良品とを選別した。この判定電圧印加パタ
ーンを図２に示す。図２において、縦軸は電圧を、横軸
は時間を示し、Ｆが判定電圧、Ｇが判定時間を示す。下
記の表１に示すように、判定電圧及び判定時間並びに絶
縁抵抗基準値を種々異ならせ、上記積層コンデンサの絶
縁抵抗不良選別を行った。この従来法１〜６における選
別結果を下記の表１に併せて示す。
し、絶縁抵抗を測定し、測定された絶縁抵抗値が、該判
定電圧印加時の絶縁抵抗基準値よりも下回っているか否
かで不良品と良品とを選別した。この判定電圧印加パタ
ーンを図２に示す。図２において、縦軸は電圧を、横軸
は時間を示し、Ｆが判定電圧、Ｇが判定時間を示す。下
記の表１に示すように、判定電圧及び判定時間並びに絶
縁抵抗基準値を種々異ならせ、上記積層コンデンサの絶
縁抵抗不良選別を行った。この従来法１〜６における選
別結果を下記の表１に併せて示す。
【００２６】なお、表１における良品中に混入する不良
品数とは、図１の良品グループに混入されている不良品
の数であり、例えば、図１のＣ，Ｄで示す特性の積層コ
ンデンサが混入している数を示す。なお、良品、不良品
の判定については、定格電圧で、図１のＡは良品、Ｂは
不良品としている。
品数とは、図１の良品グループに混入されている不良品
の数であり、例えば、図１のＣ，Ｄで示す特性の積層コ
ンデンサが混入している数を示す。なお、良品、不良品
の判定については、定格電圧で、図１のＡは良品、Ｂは
不良品としている。
【００２７】また、表１に、併せてみかけ不良率、すな
わち図１の矢印Ｅで示す特性の積層コンデンサのよう
に、良品でありながら不良品として分類されたものの割
合を示す。
わち図１の矢印Ｅで示す特性の積層コンデンサのよう
に、良品でありながら不良品として分類されたものの割
合を示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】次に、本発明の方法に従って、図３〜図７
の各印加電圧パターンに従って２種以上の電圧を印加
し、上記積層コンデンサの絶縁抵抗不良の選別を行っ
た。すなわち、図３に示す本発明例１では、判定電圧Ｈ
1 ＝５０Ｖと、判定電圧Ｈ 2 ＝２０Ｖの２種の判定電圧
を、それぞれ、１０秒及び５秒印加し、それぞれの判定
電圧で絶縁抵抗を測定した。また、本発明例１では、図
３中に記入したように、判定電圧Ｈ1 ＝５０Ｖを印加し
た場合には、絶縁抵抗基準値は５ＭΩとし、判定電圧Ｈ
2 ＝２０Ｖを印加した場合には、絶縁抵抗基準値は５０
ＭΩとした。そして、少なくとも一方の判定電圧を印加
した場合、絶縁抵抗値が絶縁抵抗基準値を下回った場合
に不良品とした。
の各印加電圧パターンに従って２種以上の電圧を印加
し、上記積層コンデンサの絶縁抵抗不良の選別を行っ
た。すなわち、図３に示す本発明例１では、判定電圧Ｈ
1 ＝５０Ｖと、判定電圧Ｈ 2 ＝２０Ｖの２種の判定電圧
を、それぞれ、１０秒及び５秒印加し、それぞれの判定
電圧で絶縁抵抗を測定した。また、本発明例１では、図
３中に記入したように、判定電圧Ｈ1 ＝５０Ｖを印加し
た場合には、絶縁抵抗基準値は５ＭΩとし、判定電圧Ｈ
2 ＝２０Ｖを印加した場合には、絶縁抵抗基準値は５０
ＭΩとした。そして、少なくとも一方の判定電圧を印加
した場合、絶縁抵抗値が絶縁抵抗基準値を下回った場合
に不良品とした。
【００３０】下記の表２に、本発明例１における上記判
定電圧、判定時間、絶縁抵抗基準値を示す。併せて、本
発明例１において、良品中に混入した不良品数及びみか
け不良率を示す。
定電圧、判定時間、絶縁抵抗基準値を示す。併せて、本
発明例１において、良品中に混入した不良品数及びみか
け不良率を示す。
【００３１】同様に、本発明例２〜５についても、図３
〜図７に示す各判定電圧、判定時間、絶縁抵抗基準値
と、選別結果を下記の表２に示す。
〜図７に示す各判定電圧、判定時間、絶縁抵抗基準値
と、選別結果を下記の表２に示す。
【００３２】
【表２】
【００３３】表１及び表２を比較すれば明らかなよう
に、従来法１〜６では、良品中に混入する不良品を避け
ることができなかった。また、従来法１と従来法２とを
比較すれば、判定電圧が５０Ｖと同じ場合、絶縁抵抗基
準値を５ＭΩから１０ＭΩに高めれば、良品中に混入す
る不良品数を低減し得るものの、みかけ不良率が５％か
ら４２％と非常に大きくなることがわかる。
に、従来法１〜６では、良品中に混入する不良品を避け
ることができなかった。また、従来法１と従来法２とを
比較すれば、判定電圧が５０Ｖと同じ場合、絶縁抵抗基
準値を５ＭΩから１０ＭΩに高めれば、良品中に混入す
る不良品数を低減し得るものの、みかけ不良率が５％か
ら４２％と非常に大きくなることがわかる。
【００３４】同様に、従来法１と従来法３とを比較すれ
ば、判定時間を１５秒から３０秒に延長することによ
り、良品に混入する不良品数を低減すると共に、みかけ
不良率をさほど高めずに、選別を行い得ることがわか
る。しかしながら、従来法３では、従来法１に比べて、
選別時間が２倍必要であり、従って高速処理を行い得な
いことがわかる。
ば、判定時間を１５秒から３０秒に延長することによ
り、良品に混入する不良品数を低減すると共に、みかけ
不良率をさほど高めずに、選別を行い得ることがわか
る。しかしながら、従来法３では、従来法１に比べて、
選別時間が２倍必要であり、従って高速処理を行い得な
いことがわかる。
【００３５】これに対して、本発明例１〜５では、表２
から明らかなように、良品中に混入する不良品数は皆無
であり、みかけ不良率は７％以下と非常に低かった。こ
れは、複数種の判定電圧を印加し、少なくとも１種の判
定電圧印加時における絶縁抵抗基準値を下回った積層コ
ンデンサのみを不良品として排除することにより、図１
に示した不良品グループに属する積層コンデンサだけで
なく、Ｃ，Ｄで示すような特性の積層コンデンサ（不良
品）をも確実に排除し得ることによる。
から明らかなように、良品中に混入する不良品数は皆無
であり、みかけ不良率は７％以下と非常に低かった。こ
れは、複数種の判定電圧を印加し、少なくとも１種の判
定電圧印加時における絶縁抵抗基準値を下回った積層コ
ンデンサのみを不良品として排除することにより、図１
に示した不良品グループに属する積層コンデンサだけで
なく、Ｃ，Ｄで示すような特性の積層コンデンサ（不良
品）をも確実に排除し得ることによる。
【００３６】しかも、表２から明らかなように、本発明
例１〜５では、複数種の判定電圧を印加するものの、判
定時間については、長くする必要はない。すなわち、例
えば、本発明例４のように、４種類の判定電圧Ｈ1 〜Ｈ
4 を印加する場合であっても、各判定電圧を印加する判
定時間Ｔ1 〜Ｔ4 は、それぞれ、３秒とすればよいた
め、全体としての判定時間が長くなることもない。
例１〜５では、複数種の判定電圧を印加するものの、判
定時間については、長くする必要はない。すなわち、例
えば、本発明例４のように、４種類の判定電圧Ｈ1 〜Ｈ
4 を印加する場合であっても、各判定電圧を印加する判
定時間Ｔ1 〜Ｔ4 は、それぞれ、３秒とすればよいた
め、全体としての判定時間が長くなることもない。
【００３７】なお、上述した電子部品の絶縁抵抗不良選
別方法では、直流電圧を印加したが、本発明における選
別方法では、直流電圧に限らず、交流電圧を印加しても
よい。
別方法では、直流電圧を印加したが、本発明における選
別方法では、直流電圧に限らず、交流電圧を印加しても
よい。
【００３８】また、本発明に係る電子部品の絶縁抵抗不
良選別方法は、積層コンデンサに限らず、他の積層セラ
ミック電子部品、例えば、積層バリスタ、積層圧電共振
部品、積層型サーミスタなどの様々な積層セラミック電
子部品を含む電子部品一般に好適に用いることができ
る。
良選別方法は、積層コンデンサに限らず、他の積層セラ
ミック電子部品、例えば、積層バリスタ、積層圧電共振
部品、積層型サーミスタなどの様々な積層セラミック電
子部品を含む電子部品一般に好適に用いることができ
る。
【００３９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る電子部品の
絶縁抵抗不良選別方法では、電子部品に少なくとも２種
の電圧を印加して絶縁抵抗値を測定し、少なくとも１種
の電圧印加時における絶縁抵抗値が、該電圧印加時の絶
縁抵抗基準値を下回った場合に不良品と判別するため、
絶縁抵抗不良の電子部品を確実に選別することができ
る。
絶縁抵抗不良選別方法では、電子部品に少なくとも２種
の電圧を印加して絶縁抵抗値を測定し、少なくとも１種
の電圧印加時における絶縁抵抗値が、該電圧印加時の絶
縁抵抗基準値を下回った場合に不良品と判別するため、
絶縁抵抗不良の電子部品を確実に選別することができ
る。
【００４０】すなわち、複数種の電圧を印加して絶縁抵
抗値を測定し、選別しているため、各絶縁抵抗基準値を
さほど高めずとも、かつ電圧印加時間をさほど長くせず
とも、絶縁抵抗不良品を確実に選別することができると
共に、上述したみかけ不良率を低下させることができ
る。すなわち、良品と不良品との選別をより確実にかつ
短時間で行い得る。
抗値を測定し、選別しているため、各絶縁抵抗基準値を
さほど高めずとも、かつ電圧印加時間をさほど長くせず
とも、絶縁抵抗不良品を確実に選別することができると
共に、上述したみかけ不良率を低下させることができ
る。すなわち、良品と不良品との選別をより確実にかつ
短時間で行い得る。
【００４１】従って、良品である電子部品を、より確実
にかつ安価に提供することが可能となる。請求項２に記
載の発明によれば、上記本発明に係る絶縁抵抗不良選別
方法に従って、絶縁抵抗不良の積層セラミック電子部品
が確実に排除され、安価であつ信頼性に優れた積層セラ
ミック電子部品を提供することが可能となる。
にかつ安価に提供することが可能となる。請求項２に記
載の発明によれば、上記本発明に係る絶縁抵抗不良選別
方法に従って、絶縁抵抗不良の積層セラミック電子部品
が確実に排除され、安価であつ信頼性に優れた積層セラ
ミック電子部品を提供することが可能となる。
【図１】本発明に係る電子部品の絶縁抵抗不良選別方法
の原理を説明するための図。
の原理を説明するための図。
【図２】従来の電子部品の絶縁抵抗不良選別方法におけ
る電圧印加パターンを示す図。
る電圧印加パターンを示す図。
【図３】本発明例１における電圧印加パターンを示す
図。
図。
【図４】本発明例２における電圧印加パターンを示す
図。
図。
【図５】本発明例３における電圧印加パターンを示す
図。
図。
【図６】本発明例４における電圧印加パターンを示す
図。
図。
【図７】本発明例５における電圧印加パターンを示す
図。
図。
Claims (2)
- 【請求項１】 電子部品に少なくとも２種の電圧を印加
し、絶縁抵抗を測定し、少なくとも１種の電圧印加時に
おける絶縁抵抗が該電圧印加時の絶縁抵抗基準値を下回
った場合に不良品と判別することを特徴とする、電子部
品の絶縁抵抗不良選別方法。 - 【請求項２】 前記電子部品が、積層セラミック電子部
品である、請求項１に記載の電子部品の絶縁抵抗不良選
別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15172698A JP3653987B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗不良選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15172698A JP3653987B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗不良選別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345738A true JPH11345738A (ja) | 1999-12-14 |
| JP3653987B2 JP3653987B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=15524954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15172698A Expired - Lifetime JP3653987B2 (ja) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | 積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗不良選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3653987B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016561A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Produce:Kk | コンデンサの減圧による急速放電方法 |
| CN100460884C (zh) * | 2003-09-25 | 2009-02-11 | Tdk株式会社 | 层叠陶瓷电容的筛选方法 |
-
1998
- 1998-06-01 JP JP15172698A patent/JP3653987B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100460884C (zh) * | 2003-09-25 | 2009-02-11 | Tdk株式会社 | 层叠陶瓷电容的筛选方法 |
| JP2008016561A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Produce:Kk | コンデンサの減圧による急速放電方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3653987B2 (ja) | 2005-06-02 |
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