JPH11339705A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JPH11339705A JPH11339705A JP14480098A JP14480098A JPH11339705A JP H11339705 A JPH11339705 A JP H11339705A JP 14480098 A JP14480098 A JP 14480098A JP 14480098 A JP14480098 A JP 14480098A JP H11339705 A JPH11339705 A JP H11339705A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットで発生したＸ線の利用効率を向上
させる。 【解決手段】 内部に気密空間を形成するＸ線発生装置
本体１内に熱電子放出用のフィラメント２を設けるとと
もに、該フィラメント２に対向してターゲット３を配設
する。そして、Ｘ線発生装置本体１を貫通してＸ線集光
用キャピラリ１０を配設するとともに、該Ｘ線集光用キ
ャピラリ１０の一端部１０ａをターゲット３のＸ線発生
部３ａに近接して配置する。
させる。 【解決手段】 内部に気密空間を形成するＸ線発生装置
本体１内に熱電子放出用のフィラメント２を設けるとと
もに、該フィラメント２に対向してターゲット３を配設
する。そして、Ｘ線発生装置本体１を貫通してＸ線集光
用キャピラリ１０を配設するとともに、該Ｘ線集光用キ
ャピラリ１０の一端部１０ａをターゲット３のＸ線発生
部３ａに近接して配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フィラメントか
ら放出された熱電子の衝突によりターゲット表面から発
生するＸ線を、Ｘ線集光用キャピラリを介して試料に照
射する構成のＸ線発生装置に関する。
ら放出された熱電子の衝突によりターゲット表面から発
生するＸ線を、Ｘ線集光用キャピラリを介して試料に照
射する構成のＸ線発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィラメントから放出した熱電子を銅
（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）等
の材料からなるターゲットに衝突させると、ターゲット
の表面からＸ線が発生する。この原理を利用して所望の
Ｘ線を取り出すようにしたのがＸ線発生装置である。
（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）等
の材料からなるターゲットに衝突させると、ターゲット
の表面からＸ線が発生する。この原理を利用して所望の
Ｘ線を取り出すようにしたのがＸ線発生装置である。
【０００３】図３は従来のＸ線発生装置を示す構成図で
ある。
ある。
【０００４】同図に示すように、フィラメント２の対向
位置にターゲット３が配設してあり、またフィラメント
２の周囲にはウェネルト４が配置してある。フィラメン
ト２は負の高電圧の印加により加熱され、熱電子ａを放
出する。また、ウェネルト４にも負の高電圧が印加され
ており、フィラメント２から放出された熱電子ａを負の
電位をもって収束させる。収束された熱電子ａは、フィ
ラメント２と対向するターゲット３の表面に照射され、
その照射部分からは、ターゲット３の材料に応じた所定
波長のＸ線ｂが発生する。
位置にターゲット３が配設してあり、またフィラメント
２の周囲にはウェネルト４が配置してある。フィラメン
ト２は負の高電圧の印加により加熱され、熱電子ａを放
出する。また、ウェネルト４にも負の高電圧が印加され
ており、フィラメント２から放出された熱電子ａを負の
電位をもって収束させる。収束された熱電子ａは、フィ
ラメント２と対向するターゲット３の表面に照射され、
その照射部分からは、ターゲット３の材料に応じた所定
波長のＸ線ｂが発生する。
【０００５】従来のＸ線発生装置は、ターゲット３の表
面（熱電子ａの照射部分）で発生したＸ線ｂのうち、Ｘ
線発生装置本体１に形成したＸ線透過窓５へ入射したＸ
線ｂのみを取り出し、同装置本体１の外部に配設したコ
リメータ６を通して試料Ｓへと照射する構造となってい
た。
面（熱電子ａの照射部分）で発生したＸ線ｂのうち、Ｘ
線発生装置本体１に形成したＸ線透過窓５へ入射したＸ
線ｂのみを取り出し、同装置本体１の外部に配設したコ
リメータ６を通して試料Ｓへと照射する構造となってい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、Ｘ線
透過窓５に入射したＸ線ｂのみを取り出す従来の構造で
は、ターゲット３の表面から発生したＸ線ｂのごく一部
だけが利用されるに過ぎず効率が悪い。
透過窓５に入射したＸ線ｂのみを取り出す従来の構造で
は、ターゲット３の表面から発生したＸ線ｂのごく一部
だけが利用されるに過ぎず効率が悪い。
【０００７】また、コリメータ６は、Ｘ線透過窓５から
取り出されたＸ線ｂのうち、所定の方向に向かうＸ線ｂ
のみを試料に照射させる構造のため、試料Ｓに照射され
るＸ線ｂの強度は一層弱いものとなる。
取り出されたＸ線ｂのうち、所定の方向に向かうＸ線ｂ
のみを試料に照射させる構造のため、試料Ｓに照射され
るＸ線ｂの強度は一層弱いものとなる。
【０００８】そこで、コリメータ６に代えて、Ｘ線透過
窓５から取り出されたＸ線ｂをＸ線集光用キャピラリに
入射させて試料Ｓに導く構造が実用化されている。周知
のとおり、Ｘ線集光用キャピラリは、一端部からＸ線を
取り込み、内面でＸ線を全反射することにより他端部か
らＸ線を集光して導き出す構造の管状部材であり、一端
部から取り込んだＸ線を、内部で減衰させることなく試
料に導くことができる。
窓５から取り出されたＸ線ｂをＸ線集光用キャピラリに
入射させて試料Ｓに導く構造が実用化されている。周知
のとおり、Ｘ線集光用キャピラリは、一端部からＸ線を
取り込み、内面でＸ線を全反射することにより他端部か
らＸ線を集光して導き出す構造の管状部材であり、一端
部から取り込んだＸ線を、内部で減衰させることなく試
料に導くことができる。
【０００９】さて、一般にターゲット３の表面で発生し
たＸ線の総量に対し、Ｘ線集光用キャピラリに入射する
Ｘ線の量は、Ｘ線集光用キャピラリの一端部（Ｘ線の入
射側）とターゲット３のＸ線発生部分との距離の二乗に
比例して減少する。
たＸ線の総量に対し、Ｘ線集光用キャピラリに入射する
Ｘ線の量は、Ｘ線集光用キャピラリの一端部（Ｘ線の入
射側）とターゲット３のＸ線発生部分との距離の二乗に
比例して減少する。
【００１０】しかしながら、上述したように従来のＸ線
発生装置は、Ｘ線透過窓５から取り出されたＸ線ｂを、
Ｘ線発生装置本体１の外部に配設したＸ線集光用キャピ
ラリに入射させる構造となっていたので、少なくともタ
ーゲット３とＸ線透過窓５と間に存在する距離分は、Ｘ
線集光用キャピラリの一端部をＸ線発生部から離間させ
なければならず、その距離に伴うＸ線強度の減少は避け
られなかった。
発生装置は、Ｘ線透過窓５から取り出されたＸ線ｂを、
Ｘ線発生装置本体１の外部に配設したＸ線集光用キャピ
ラリに入射させる構造となっていたので、少なくともタ
ーゲット３とＸ線透過窓５と間に存在する距離分は、Ｘ
線集光用キャピラリの一端部をＸ線発生部から離間させ
なければならず、その距離に伴うＸ線強度の減少は避け
られなかった。
【００１１】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、ターゲットで発生したＸ線の利用効率を一
層向上させることを目的とする。
れたもので、ターゲットで発生したＸ線の利用効率を一
層向上させることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、内部に気密空間を形成するＸ線発生装
置本体と、該Ｘ線発生装置本体内に設けられた熱電子放
出用のフィラメントと、該フィラメントに対向してＸ線
発生装置本体内に設けられ熱電子の衝突によりＸ線を発
生するターゲットと、一端部からＸ線を取り込み内面で
Ｘ線を全反射することにより他端部からＸ線を集光して
導き出すＸ線集光用キャピラリとを備え、Ｘ線発生装置
本体を貫通してＸ線集光用キャピラリを配設するととも
に、該Ｘ線集光用キャピラリの一端部をターゲットのＸ
線発生部に近接して配置したことを特徴としている。
に、この発明は、内部に気密空間を形成するＸ線発生装
置本体と、該Ｘ線発生装置本体内に設けられた熱電子放
出用のフィラメントと、該フィラメントに対向してＸ線
発生装置本体内に設けられ熱電子の衝突によりＸ線を発
生するターゲットと、一端部からＸ線を取り込み内面で
Ｘ線を全反射することにより他端部からＸ線を集光して
導き出すＸ線集光用キャピラリとを備え、Ｘ線発生装置
本体を貫通してＸ線集光用キャピラリを配設するととも
に、該Ｘ線集光用キャピラリの一端部をターゲットのＸ
線発生部に近接して配置したことを特徴としている。
【００１３】Ｘ線集光用キャピラリの一端部をターゲッ
トのＸ線発生部に近接して配置することにより、ターゲ
ットから発生したＸ線の多くをキャピラリの内部に取り
込むことができるため、Ｘ線の利用効率を向上させるこ
とができる。
トのＸ線発生部に近接して配置することにより、ターゲ
ットから発生したＸ線の多くをキャピラリの内部に取り
込むことができるため、Ｘ線の利用効率を向上させるこ
とができる。
【００１４】ここで、Ｘ線集光用キャピラリの内部でＸ
線を全反射させるためには、一端部から取り込むＸ線
が、キャピラリの内面に対して臨界角より小さな角度で
入射する必要がある。したがって、少なくとも、Ｘ線集
光用キャピラリの一端部から取り込んだＸ線が同キャピ
ラリの内面で全反射するように、すなわち一端部から取
り込んだＸ線が同キャピラリの内面に対して臨界角より
小さい角度で入射するように、ターゲットのＸ線発生部
とＸ線集光用キャピラリの一端部との間隔を設定するこ
とが好ましい。
線を全反射させるためには、一端部から取り込むＸ線
が、キャピラリの内面に対して臨界角より小さな角度で
入射する必要がある。したがって、少なくとも、Ｘ線集
光用キャピラリの一端部から取り込んだＸ線が同キャピ
ラリの内面で全反射するように、すなわち一端部から取
り込んだＸ線が同キャピラリの内面に対して臨界角より
小さい角度で入射するように、ターゲットのＸ線発生部
とＸ線集光用キャピラリの一端部との間隔を設定するこ
とが好ましい。
【００１５】なお、Ｘ線発生装置本体内部の気密状態を
保持するために、同装置本体とＸ線集光用キャピラリの
周面との間は、気密シールすることが好ましい。
保持するために、同装置本体とＸ線集光用キャピラリの
周面との間は、気密シールすることが好ましい。
【００１６】さて、ターゲットに衝突した熱電子は、タ
ーゲットから様々な方向に反射して、Ｘ線発生装置本体
内部の電位差を有する部位へ衝突する。したがって、Ｘ
線発生装置本体内に挿入したＸ線集光用キャピラリが、
ターゲットから反射してきた反跳電子に対し電位差を有
していた場合、該反跳電子の多くがＸ線集光用キャピラ
リに衝突し、同キャピラリの耐久性能が低下する。
ーゲットから様々な方向に反射して、Ｘ線発生装置本体
内部の電位差を有する部位へ衝突する。したがって、Ｘ
線発生装置本体内に挿入したＸ線集光用キャピラリが、
ターゲットから反射してきた反跳電子に対し電位差を有
していた場合、該反跳電子の多くがＸ線集光用キャピラ
リに衝突し、同キャピラリの耐久性能が低下する。
【００１７】そこで、Ｘ線集光用キャピラリをフィラメ
ントと同じ電位とすることにより、反跳電子（フィラメ
ントと同じ電位）のＸ線集光用キャピラリへの衝突を回
避することが可能となる。
ントと同じ電位とすることにより、反跳電子（フィラメ
ントと同じ電位）のＸ線集光用キャピラリへの衝突を回
避することが可能となる。
【００１８】例えば、従来のＸ線発生装置と同じく、フ
ィラメントを負の電位とし、ターゲットをアース電位と
して両者間に電位差を形成するとともに、Ｘ線発生装置
本体をアース電位とする場合は、Ｘ線集光用キャピラリ
をフィラメントと同じく負の電位に設定する。この場
合、Ｘ線発生装置本体（アース電位）とＸ線集光用キャ
ピラリ（負の電位）との間を絶縁する必要がある。
ィラメントを負の電位とし、ターゲットをアース電位と
して両者間に電位差を形成するとともに、Ｘ線発生装置
本体をアース電位とする場合は、Ｘ線集光用キャピラリ
をフィラメントと同じく負の電位に設定する。この場
合、Ｘ線発生装置本体（アース電位）とＸ線集光用キャ
ピラリ（負の電位）との間を絶縁する必要がある。
【００１９】また、フィラメントをアース電位に設定
し、ターゲットを正の電位に設定すれば、Ｘ線集光用キ
ャピラリをＸ線発生装置本体と同じアース電位にするこ
とができ、この場合はＸ線集光用キャピラリとＸ線発生
装置本体との間の絶縁は必要なくなる。
し、ターゲットを正の電位に設定すれば、Ｘ線集光用キ
ャピラリをＸ線発生装置本体と同じアース電位にするこ
とができ、この場合はＸ線集光用キャピラリとＸ線発生
装置本体との間の絶縁は必要なくなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。図１はこの発明の
第１実施形態に係るＸ線発生装置を示す構成図である。
いて図面を参照して詳細に説明する。図１はこの発明の
第１実施形態に係るＸ線発生装置を示す構成図である。
【００２１】同図に示すように、Ｘ線発生装置本体１内
には、熱電子ａを放出するフィラメント２に対向してタ
ーゲット３が配設してある。また、フィラメント２の周
囲にはウェネルト４が配置してある。フィラメント２は
負の高電圧の印加により加熱され、熱電子ａを放出す
る。一方、ターゲット３はアース電位に設定してあり、
フィラメント２との間に電位差を有している。
には、熱電子ａを放出するフィラメント２に対向してタ
ーゲット３が配設してある。また、フィラメント２の周
囲にはウェネルト４が配置してある。フィラメント２は
負の高電圧の印加により加熱され、熱電子ａを放出す
る。一方、ターゲット３はアース電位に設定してあり、
フィラメント２との間に電位差を有している。
【００２２】また、ウェネルト４にも負の高電圧が印加
され、フィラメント２から放出された熱電子ａを負の電
位をもって収束させる。収束された熱電子ａは、フィラ
メント２と対向するターゲット３の表面に照射され、そ
の照射部分からターゲット３の材料に応じた所定波長の
Ｘ線ｂが発生する。ターゲット３の表面材料としては、
銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）
等が用いられる。
され、フィラメント２から放出された熱電子ａを負の電
位をもって収束させる。収束された熱電子ａは、フィラ
メント２と対向するターゲット３の表面に照射され、そ
の照射部分からターゲット３の材料に応じた所定波長の
Ｘ線ｂが発生する。ターゲット３の表面材料としては、
銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）
等が用いられる。
【００２３】Ｘ線発生装置本体１の内部は気密状態を保
持しており、図示しない真空ポンプにより真空吸引され
て真空雰囲気を形成する。
持しており、図示しない真空ポンプにより真空吸引され
て真空雰囲気を形成する。
【００２４】Ｘ線発生装置本体１には、Ｘ線集光用キャ
ピラリ１０が貫通して設けてある。ここで、Ｘ線集光用
キャピラリ１０とＸ線発生装置本体１との間には絶縁層
１１が形成してあり、両者間の絶縁状態を保持する構造
としてある。さらに、Ｘ線発生装置本体１の内部の気密
性を保つために、Ｘ線集光用キャピラリ１０の貫通部は
気密シール１２が施してある。
ピラリ１０が貫通して設けてある。ここで、Ｘ線集光用
キャピラリ１０とＸ線発生装置本体１との間には絶縁層
１１が形成してあり、両者間の絶縁状態を保持する構造
としてある。さらに、Ｘ線発生装置本体１の内部の気密
性を保つために、Ｘ線集光用キャピラリ１０の貫通部は
気密シール１２が施してある。
【００２５】Ｘ線集光用キャピラリ１０は、フィラメン
ト２と同じ負の高電圧を印加することにより、フィラメ
ント２と同じ電位に調整する。これにより、Ｘ線集光用
キャピラリ１０はＸ線発生装置本体１内で飛散する反跳
電子と同じ電位となり、それら反跳電子の衝突を回避す
ることが可能となる。
ト２と同じ負の高電圧を印加することにより、フィラメ
ント２と同じ電位に調整する。これにより、Ｘ線集光用
キャピラリ１０はＸ線発生装置本体１内で飛散する反跳
電子と同じ電位となり、それら反跳電子の衝突を回避す
ることが可能となる。
【００２６】Ｘ線集光用キャピラリとしては、一端部か
らＸ線を取り込み内面でＸ線を全反射することにより他
端部からＸ線を集光して導き出す各種構成のものを利用
することができる。なお、Ｘ線集光用キャピラリに関す
る従来技術には、例えば、特開平９−５４９６号公報や
特開平９−２６５００号公報に開示されたものがある。
らＸ線を取り込み内面でＸ線を全反射することにより他
端部からＸ線を集光して導き出す各種構成のものを利用
することができる。なお、Ｘ線集光用キャピラリに関す
る従来技術には、例えば、特開平９−５４９６号公報や
特開平９−２６５００号公報に開示されたものがある。
【００２７】Ｘ線集光用キャピラリ１０の一端部１０ａ
は、ターゲット３のＸ線発生部３ａ（すなわち、熱電子
の照射部分）に近接して配置してある。ここで、Ｘ線集
光用キャピラリ１０の一端部１０ａとターゲット３のＸ
線発生部３ａとの間隔は、一端部１０ａから取り込むＸ
線が、Ｘ線集光用キャピラリ１０の内面に対して臨界角
より小さな角度で入射することを条件に、なるべく近接
させることが好ましい。また、Ｘ線集光用キャピラリ１
０の他端部１０ｂは、試料Ｓに対向して配置する。
は、ターゲット３のＸ線発生部３ａ（すなわち、熱電子
の照射部分）に近接して配置してある。ここで、Ｘ線集
光用キャピラリ１０の一端部１０ａとターゲット３のＸ
線発生部３ａとの間隔は、一端部１０ａから取り込むＸ
線が、Ｘ線集光用キャピラリ１０の内面に対して臨界角
より小さな角度で入射することを条件に、なるべく近接
させることが好ましい。また、Ｘ線集光用キャピラリ１
０の他端部１０ｂは、試料Ｓに対向して配置する。
【００２８】上述した構造のＸ線発生装置は、フィラメ
ント２から放出された熱電子ａの衝突により、ターゲッ
ト３の表面から発生したＸ線ｂを、そのＸ線発生部３ａ
に近接して配置したＸ線集光用キャピラリ１０の一端部
に取り込み、減衰させることなく試料Ｓに照射すること
ができるため、少ない消費電力で大きな強度のＸ線ｂを
取り出すことができる。
ント２から放出された熱電子ａの衝突により、ターゲッ
ト３の表面から発生したＸ線ｂを、そのＸ線発生部３ａ
に近接して配置したＸ線集光用キャピラリ１０の一端部
に取り込み、減衰させることなく試料Ｓに照射すること
ができるため、少ない消費電力で大きな強度のＸ線ｂを
取り出すことができる。
【００２９】図２はこの発明の第２実施形態に係るＸ線
発生装置を示す構成図である。
発生装置を示す構成図である。
【００３０】この実施形態では、フィラメント２をアー
ス電位とするとともに、ターゲット３に正の高電圧を印
可することによりそれらの部材間２，３に電位差を設け
ている。この電位差により、既述した第１実施形態と同
様に、フィラメント２からターゲット３に向かい熱電子
ａが放出される。
ス電位とするとともに、ターゲット３に正の高電圧を印
可することによりそれらの部材間２，３に電位差を設け
ている。この電位差により、既述した第１実施形態と同
様に、フィラメント２からターゲット３に向かい熱電子
ａが放出される。
【００３１】Ｘ線集光用キャピラリ１０は、Ｘ線発生装
置本体１を貫通して配設するとともに、Ｘ線発生装置本
体１との間に気密シール１２が施してある。この実施形
態では、Ｘ線集光用キャピラリ１０をフィラメント２と
同じくアース電位に設定する。したがって、Ｘ線発生装
置本体１（アース電位）との間に絶縁層を設ける必要が
なく、構造が簡単になる。Ｘ線集光用キャピラリ１０の
一端部１０ａは、ターゲット３のＸ線発生部３ａに近接
して配置することは、既述した第１実施形態と同様であ
る。
置本体１を貫通して配設するとともに、Ｘ線発生装置本
体１との間に気密シール１２が施してある。この実施形
態では、Ｘ線集光用キャピラリ１０をフィラメント２と
同じくアース電位に設定する。したがって、Ｘ線発生装
置本体１（アース電位）との間に絶縁層を設ける必要が
なく、構造が簡単になる。Ｘ線集光用キャピラリ１０の
一端部１０ａは、ターゲット３のＸ線発生部３ａに近接
して配置することは、既述した第１実施形態と同様であ
る。
【００３２】この実施形態では、ターゲット３に正の高
電圧を印可することから、ターゲット３の冷却には、絶
縁性の冷却オイルを用いることが好ましい。
電圧を印可することから、ターゲット３の冷却には、絶
縁性の冷却オイルを用いることが好ましい。
【００３３】なお、この発明は上述した実施形態に限定
されるものではない。例えば、試料へのＸ線照射面積に
応じて、複数本のＸ線集光用キャピラリを束ね、Ｘ線発
生装置本体に貫通して配設することもできる。
されるものではない。例えば、試料へのＸ線照射面積に
応じて、複数本のＸ線集光用キャピラリを束ね、Ｘ線発
生装置本体に貫通して配設することもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、Ｘ線集光用キャピラリの一端部をターゲットのＸ線
発生部に近接して配置したので、ターゲットから発生し
たＸ線の多くをキャピラリの内部に取り込むことがで
き、Ｘ線の利用効率を向上させることができる。
ば、Ｘ線集光用キャピラリの一端部をターゲットのＸ線
発生部に近接して配置したので、ターゲットから発生し
たＸ線の多くをキャピラリの内部に取り込むことがで
き、Ｘ線の利用効率を向上させることができる。
【図１】この発明の第１実施形態に係るＸ線発生装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】この発明の第２実施形態に係るＸ線発生装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】従来のＸ線発生装置を示す構成図である。
１：Ｘ線発生装置本体 ２：フィラメント ３：ターゲット ４：ウェネルト ５：Ｘ線透過窓 ６：コリメータ １０：Ｘ線集光用キャピラリ １１：絶縁層 １２：気密シール Ｓ：試料
Claims (4)
- 【請求項１】 内部に気密空間を形成するＸ線発生装置
本体と、該Ｘ線発生装置本体内に設けられた熱電子放出
用のフィラメントと、該フィラメントに対向して前記Ｘ
線発生装置本体内に設けられ熱電子の衝突によりＸ線を
発生するターゲットと、一端部からＸ線を取り込み内面
で前記Ｘ線を全反射することにより他端部からＸ線を集
光して導き出すＸ線集光用キャピラリとを備え、 前記Ｘ線発生装置本体を貫通して前記Ｘ線集光用キャピ
ラリを配設するとともに、該Ｘ線集光用キャピラリの一
端部を前記ターゲットのＸ線発生部に近接して配置した
ことを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線発生装置において、 少なくとも、前記Ｘ線集光用キャピラリの一端部から取
り込んだＸ線が同キャピラリの内面で全反射するよう
に、前記ターゲットのＸ線発生部と前記Ｘ線集光用キャ
ピラリの一端部との間隔を設定することを特徴とするＸ
線発生装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のＸ線発生装置に
おいて、 前記Ｘ線集光用キャピラリを、前記フィラメントと同じ
電位とすることを特徴とするＸ線発生装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のＸ線発生装置において、 前記フィラメントおよび前記Ｘ線集光用キャピラリをア
ース電位とするとするとともに、前記ターゲットに正の
電圧を印加することを特徴とするＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14480098A JPH11339705A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14480098A JPH11339705A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339705A true JPH11339705A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15370764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14480098A Pending JPH11339705A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11339705A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006125881A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyoto Univ | Ｘ線発生器 |
| JP2008022991A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Institute Of Physical & Chemical Research | エネルギー付与用キャピラリー、エネルギー付与装置、およびエネルギー付与用キャピラリーの製造方法 |
| JP2008078132A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Bruker Axs Inc | 回転アノードｘ線源のｘ線束と輝度を増加させるための方法及び装置 |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14480098A patent/JPH11339705A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006125881A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyoto Univ | Ｘ線発生器 |
| JP2008022991A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Institute Of Physical & Chemical Research | エネルギー付与用キャピラリー、エネルギー付与装置、およびエネルギー付与用キャピラリーの製造方法 |
| JP2008078132A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Bruker Axs Inc | 回転アノードｘ線源のｘ線束と輝度を増加させるための方法及び装置 |
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