JPH11326381A - Contactor - Google Patents

Contactor

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JPH11326381A
JPH11326381A JP15669298A JP15669298A JPH11326381A JP H11326381 A JPH11326381 A JP H11326381A JP 15669298 A JP15669298 A JP 15669298A JP 15669298 A JP15669298 A JP 15669298A JP H11326381 A JPH11326381 A JP H11326381A
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JP
Japan
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contactor
probe terminal
probe
bump
pattern electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP15669298A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Iino
伸治 飯野
Chikahito Yamasaka
力仁 山坂
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a contactor with excellent contacting ability which achieves a simple support structure of a probe terminal and moreover, an absorption of difference in height of electrodes. SOLUTION: This contactor 1 is provided with a pattern electrode 3 formed on the surface of a ceramics substrate 2 and a bump-shaped probe terminal 4 provided on the surface of the pattern electrode 3. An electroconductive tubular elastic member 5 is interposed between the probe terminal 4 and the pattern electrode 3. In this case, the probe terminal 4 has a flat contact surface at the tip thereof while being preferably formed as bump gradually tapered toward the tip thereof from the base end part thereof.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被検査体の電気的
特性検査を行う際に用いられるコンタクタに関し、更に
詳しくは、KGD(Known Good Die)の検査に好適に用
いることができるコンタクタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contactor used for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected, and more particularly, to a contactor which can be suitably used for KGD (Known Good Die) inspection.

【0002】[0002]

【従来の技術】被検査体、例えば半導体ウエハ(以下、
単に「ウエハ」と称す。)に多数形成されたICチップ
の電気的特性検査をする場合にはコンタクタとしてプロ
ーブカードが用いられる。プローブカードは検査時にウ
エハの電極用パッドと接触した時にテスタとICチップ
間で検査用信号の授受を中継する役割を果たしている。
2. Description of the Related Art An object to be inspected, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a semiconductor wafer)
Simply referred to as "wafer". In order to inspect the electrical characteristics of a large number of IC chips formed in (1), a probe card is used as a contactor. The probe card plays a role of relaying the transmission and reception of the test signal between the tester and the IC chip when the probe card comes into contact with the electrode pad of the wafer during the test.

【0003】ところで最近、ICチップの集積度が急激
に高まり、電極パッドの配列が益々狭ピッチ化してい
る。狭ピッチ化に対応したプローブカードとして例えば
図3に示した垂直針を有するプローブカードやメンブレ
ンプローブカードがある。前者のプローブカードは、同
図に示すように、複数のプローブ針11が上下方向に互
いに平行に配置された3枚の案内板12、13、14の
貫通孔12A、13A、14Aで垂直に支持された構造
である。また、後者のメンブレンプローブカードはメン
ブレンに多数のバンプ端子が配列されたものである。
Recently, the degree of integration of IC chips has rapidly increased, and the pitch of electrode pads has been increasingly narrowed. As a probe card corresponding to the narrow pitch, there are a probe card having a vertical needle and a membrane probe card shown in FIG. 3, for example. The former probe card is vertically supported by through holes 12A, 13A, 14A of three guide plates 12, 13, 14 in which a plurality of probe needles 11 are vertically arranged in parallel with each other, as shown in FIG. It is the structure which was done. Further, the latter membrane probe card has a large number of bump terminals arranged on the membrane.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
垂直針タイプのプローブカードの場合には、図3に示す
ように垂直針11を支持するために複数の案内板が必要
で、垂直針11の支持構造が複雑であるという課題があ
った。また、近年、ICチップの実装技術の進歩により
フリップチップ実装技術が開発され、品質保証されたベ
アチップ、即ちKGDの取り引きが行われつつある。し
かも、フリップチップ実装に備えて電極パッドに半田バ
ンプの形成されたKGDが供給されることがある。この
場合には品質保証のために半田バンプのある状態でベア
チップの検査することになるが、この際に従来の垂直針
タイプのプローブカードでは半田バンプの高低差を吸収
することができるが、垂直針の針先で半田バンプを傷つ
け易くコンタクト面で課題があった。また、バンプ端子
タイプのプローブカードの場合にはバンプ端子自体で半
田バンプの高低差をうまく吸収できず、半田バンプとの
コンタクトに課題があった。
However, in the case of the conventional vertical needle type probe card, a plurality of guide plates are required to support the vertical needles 11 as shown in FIG. There was a problem that the support structure was complicated. In recent years, flip chip mounting technology has been developed with the progress of IC chip mounting technology, and the quality of bare chips, that is, KGD, is being traded. In addition, the KGD on which the solder bumps are formed may be supplied to the electrode pads in preparation for flip chip mounting. In this case, the bare chip is inspected with the solder bumps for quality assurance.In this case, the conventional vertical needle type probe card can absorb the height difference of the solder bumps, There is a problem in the contact surface because the solder bump is easily damaged by the tip of the needle. Further, in the case of a bump terminal type probe card, the bump terminals themselves cannot absorb the height difference of the solder bumps well, and there is a problem in contact with the solder bumps.

【0005】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プローブ端子の支持構造が簡単で、しかも
電極の高低差を吸収することができるコンタクト性に優
れたコンタクタを提供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a contactor which has a simple structure for supporting a probe terminal and has excellent contact properties capable of absorbing a height difference between electrodes. The purpose is.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のコンタクタは、基板の表面に形成されたパターン電極
と、このパターン電極の表面に設けられたバンプ状のプ
ローブ端子とを備え、被検査体の電気的特性検査を行う
際に用いられるコンタクタであって、上記プローブ端子
とパターン電極との間に導電性の管状弾性部材を介在さ
せたことを特徴とするものである。
A contactor according to a first aspect of the present invention includes a pattern electrode formed on a surface of a substrate, and a bump-like probe terminal provided on the surface of the pattern electrode. A contactor used for inspecting electrical characteristics of a device under test, characterized in that a conductive tubular elastic member is interposed between the probe terminal and the pattern electrode.

【0007】また、本発明の請求項2に記載のコンタク
タは、請求項1に記載の発明において、上記プローブ端
子は、先端に平坦な接触面を有し、且つ、その基端部か
ら先端に向かって徐々に細くなるバンプとして形成され
ていることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the contactor according to the first aspect, the probe terminal has a flat contact surface at a distal end, and has a flat contact surface from a base end to a distal end. It is characterized in that it is formed as a bump that gradually becomes thinner.

【0008】また、本発明の請求項3に記載のコンタク
タは、請求項1または請求項2に記載の発明において、
上記基板がセラミックスにより成形されていることを特
徴とするものである。
The contactor according to a third aspect of the present invention is the contactor according to the first or second aspect,
The substrate is formed of ceramics.

【0009】以下、図1の(a)、(b)及び図2に示
す実施形態に基づいて本発明を説明する。本実施形態の
コンタクタ1は、例えば図1、図2に示すように、複数
層の内部配線パターンが積層されたセラミックス基板2
と、このセラミックス基板2の表面にマトリックス状に
配列された複数の正方形状のパターン電極3と、このパ
ターン電極3上にそれぞれ配設されたバンプ状のプロー
ブ端子4とを備え、必要に応じてプローブ端子4の数を
設定し、複数のチップを同時に検査できるようになって
いる。そして、プローブ端子4とパターン電極3との間
には導電性金属からなる管状弾性部材5が介在し、この
管状弾性部材5が検査時の針圧に即して弾性変形すると
共にパターン電極3とプローブ端子4間を電気的に接続
している。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the embodiments shown in FIGS. 1A and 1B and FIG. The contactor 1 of the present embodiment includes, as shown in FIGS. 1 and 2, a ceramic substrate 2 on which a plurality of internal wiring patterns are laminated.
A plurality of square pattern electrodes 3 arranged in a matrix on the surface of the ceramic substrate 2; and bump-shaped probe terminals 4 provided on the pattern electrodes 3, respectively. The number of probe terminals 4 is set so that a plurality of chips can be inspected simultaneously. A tubular elastic member 5 made of a conductive metal is interposed between the probe terminal 4 and the pattern electrode 3, and this tubular elastic member 5 is elastically deformed in accordance with the needle pressure at the time of inspection, and is connected to the pattern electrode 3 and the pattern electrode 3. The probe terminals 4 are electrically connected.

【0010】上記管状弾性部材5は、例えばベリリウム
−銅合金、銅等の導電性金属によって外径が100〜1
50μm、肉厚が2〜3μm、長さが100〜150μ
mの大きさに形成されている。その平面形状は図2から
も明かなように略正方形状を呈している。そして、管状
弾性部材5の肉厚によって検査時の針圧を適宜調整する
ようにしてある。この管状弾性部材5はパターン電極3
の表面に溶着されている。また、管状弾性部材5の上端
部中央にはベリリウム−銅合金、ニッケル−金合金等の
導電性金属からなるメッキ部6が形成され、このメッキ
部6にプローブ端子4が設けられている。このプローブ
端子4は図2に示すように管状弾性部材5の中心に設け
られているが、チップの電極パッドの配置に応じてプロ
ーブ端子4を管状弾性部材5の中心から適宜偏倚させて
設けることもできる。
The tubular elastic member 5 is made of a conductive metal such as beryllium-copper alloy or copper and has an outer diameter of 100 to 1 mm.
50 μm, wall thickness 2-3 μm, length 100-150 μ
m. The plane shape is substantially square as is clear from FIG. The needle pressure at the time of inspection is appropriately adjusted by the thickness of the tubular elastic member 5. This tubular elastic member 5 is a pattern electrode 3
It is welded to the surface. A plated portion 6 made of a conductive metal such as a beryllium-copper alloy or a nickel-gold alloy is formed at the center of the upper end of the tubular elastic member 5, and the probe terminal 4 is provided on the plated portion 6. Although the probe terminal 4 is provided at the center of the tubular elastic member 5 as shown in FIG. 2, the probe terminal 4 is provided so as to be appropriately deviated from the center of the tubular elastic member 5 according to the arrangement of the electrode pads of the chip. Can also.

【0011】上記バンプ状のプローブ端子4は、例えば
図1に示すように、基端部から先端部に渡って徐々に細
くなり、しかもその先端にほぼ正方形の平坦面を有す
る、四角錐台状に形成されている。図示してないが、プ
ローブ端子4は、電極パッドより硬度の高い材料、例え
ばダイヤモンド、サファイヤ、石英等の鉱石によって四
角錐台状に形成されたコア部と、その外面に例えば金、
ロジウムあるいはこれらの合金等の良導性金属によって
コーティングされた導電膜とからなっている。そして、
導電膜の基端部がメッキ部6と接続され、導電膜を介し
てチップの電極パッドとの導通を図っている。プローブ
端子4はパターン電極3表面からの高さが例えば50〜
100μmに形成され、その先端の平坦面の辺長は例え
ば5〜200μmに形成されている。平坦面の辺長が5
μm未満ではプローブ端子4が電極パッド内に食い込ん
でもプローブ端子4の周面と電極パッドとの接触抵抗を
十分確保することが難しく、200μmを超えると電極
パッドに対する食い込みが難しくなる虞がある。バンプ
状のプローブ端子4は、例えば化学的気相成長法等のプ
ロセス技術を適用することにより形成することができ
る。また、プローブ端子4は四角錐台状に限らず、円錐
台形状に形成したものであっても良い。
As shown in FIG. 1, for example, the bump-shaped probe terminal 4 gradually becomes narrower from the base end to the tip end, and has a substantially square flat surface at the end. Is formed. Although not shown, the probe terminal 4 has a core portion formed of a material having a higher hardness than the electrode pad, for example, diamond, sapphire, ore such as quartz, in a truncated quadrangular pyramid shape, and gold,
It is composed of a conductive film coated with a highly conductive metal such as rhodium or an alloy thereof. And
The base end of the conductive film is connected to the plating portion 6 to achieve conduction with the electrode pad of the chip via the conductive film. The height of the probe terminal 4 from the surface of the pattern electrode 3 is, for example, 50 to
The flat surface at the tip has a side length of, for example, 5 to 200 μm. Side length of flat surface is 5
If it is less than μm, it is difficult to ensure sufficient contact resistance between the peripheral surface of the probe terminal 4 and the electrode pad even if the probe terminal 4 bites into the electrode pad, and if it exceeds 200 μm, it may be difficult to dig into the electrode pad. The bump-shaped probe terminals 4 can be formed by applying a process technique such as a chemical vapor deposition method. Further, the probe terminal 4 is not limited to the truncated quadrangular pyramid, but may be a truncated cone.

【0012】次に、図3を参照しながら動作について説
明する。複数のベアチップTが収納されたキャリア(図
示せず)をプローブ装置のX、Y、Z及びθ方向に移動
可能な載置台(図示せず)上に載置した後、載置台がプ
ローブ装置に装着されたコンタクタ1の真下まで移動す
る。次いで、載置台が上昇すると半田バンプBがプロー
ブ端子4と接触する。更に、載置台がオーバドライブす
るとプローブ端子4に針圧が作用する。この際、ベアチ
ップTの複数の半田バンプB間で高低差があってもそれ
ぞれの半田バンプBの高さに応じて管状弾性部材6が図
3の一点鎖線で示す状態から実線で示す状態まで弾性変
形して各半田バンプB間の高低差を吸収して各プローブ
端子4がそれぞれの半田バンプB内に確実に食い込んで
確実にコンタクトでき、テスタとベアチップT間を導通
できる状態にする。この状態でテスタから所定の検査用
信号を送信するとパターン電極3、プローブ端子4を介
してベアチップTで検査用信号を受信し、検査結果信号
を逆の経路を辿ってテスタへ送信する。その後、キャリ
アが下降して半田バンプBがプローブ端子4から離れる
と、プローブ端子4は図3の実線で示す状態から元の一
点鎖線で示す状態まで戻り、ベアチップTの検査を終了
し、ベアチップTをインデックス送りして次のベアチッ
プTの検査へと移る。
Next, the operation will be described with reference to FIG. After mounting a carrier (not shown) containing a plurality of bare chips T on a mounting table (not shown) movable in the X, Y, Z and θ directions of the probe device, the mounting table is mounted on the probe device. It moves to just below the mounted contactor 1. Next, when the mounting table rises, the solder bumps B come into contact with the probe terminals 4. Further, when the mounting table is overdriven, a stylus pressure acts on the probe terminal 4. At this time, even if there is a height difference between the plurality of solder bumps B of the bare chip T, the tubular elastic member 6 is elastically changed from the state shown by the dashed line in FIG. 3 to the state shown by the solid line according to the height of each solder bump B. By deforming, the height difference between the solder bumps B is absorbed, and the probe terminals 4 can reliably bite into the respective solder bumps B to make reliable contact, so that the tester and the bare chip T can be electrically connected. In this state, when a predetermined test signal is transmitted from the tester, the test signal is received by the bare chip T via the pattern electrode 3 and the probe terminal 4, and the test result signal is transmitted to the tester along the reverse path. Thereafter, when the carrier descends and the solder bump B separates from the probe terminal 4, the probe terminal 4 returns from the state shown by the solid line in FIG. 3 to the original state shown by the one-dot chain line, and the inspection of the bare chip T is completed. To the inspection of the next bare chip T.

【0013】プローブ端子1が半田バンプBに食い込む
際に、プローブ端子4の先端の平坦面周囲のエッジから
半田バンプBに対してせん断力が作用し、半田バンプB
の表面をエッジで切断し、プローブ端子4が半田バンプ
Bに食い込み始める。その後のベアチップTの上昇で、
プローブ端子4の周面で半田バンプBを周囲へ押し広げ
ながら徐々に食い込み、半田バンプBとの良好な導通を
確保する。この状態で検査を実施すれば、プローブ端子
4と半田バンプBとの間で確実に信号の授受を行うこと
ができ信頼性の高い検査を行うことができる。
When the probe terminal 1 bites into the solder bump B, a shearing force acts on the solder bump B from the edge around the flat surface at the tip of the probe terminal 4, and the solder bump B
Is cut at the edge, and the probe terminal 4 starts to bite into the solder bump B. After the rise of the bare chip T,
The solder bumps B are gradually penetrated and spread around the peripheral surface of the probe terminal 4 while being spread to the surroundings, thereby ensuring good conduction with the solder bumps B. If the inspection is performed in this state, signals can be reliably transmitted and received between the probe terminals 4 and the solder bumps B, and a highly reliable inspection can be performed.

【0014】以上説明したように本実施形態によれば、
セラミックス基板2の表面に形成されたパターン電極3
と、このパターン電極3の表面に設けられたバンプ状の
プローブ端子4とを備え、ベアチップTの電気的特性検
査を行う際に用いられるコンタクタ1であって、プロー
ブ端子4とパターン電極3との間に導電性の管状弾性部
材5を介在させたため、プローブ端子4の支持構造が簡
単で、しかも半田バンプBの高低差を吸収して半田バン
プBに対して確実にコンタクトすることができる。ま
た、本実施形態によれば、プローブ端子4を配線構造を
介することなくセラミックス基板1に接続しているた
め、電気抵抗が小さく高周波特性に優れ、しかも高速検
査を確実に行うことができる。また、プローブ端子4が
バンプ状に形成されているため、狭ピッチ化したベアチ
ップTに対しても何等問題なく対応することができ、し
かもベアチップTの電極パッドPの配列に即してプロー
ブ端子4を配列することができ、その配列自由度を高め
ることができる。また、上記プローブ端子4は四角錐台
状のバンプとして形成したため、先端の平坦面周囲のエ
ッジから半田バンプBに対してせん断力を付与して半田
バンプB内に確実に食い込み、半田バンプBとのコンタ
クト性を更に高めることができる。
As described above, according to this embodiment,
Pattern electrode 3 formed on the surface of ceramic substrate 2
And a bump-shaped probe terminal 4 provided on the surface of the pattern electrode 3. The contactor 1 is used when an electrical characteristic test of the bare chip T is performed. Since the conductive tubular elastic member 5 is interposed therebetween, the support structure of the probe terminal 4 is simple, and the height difference of the solder bump B can be absorbed and the solder bump B can be reliably contacted. Further, according to the present embodiment, since the probe terminals 4 are connected to the ceramic substrate 1 without interposing the wiring structure, the electric resistance is small, the high frequency characteristics are excellent, and the high-speed inspection can be reliably performed. Further, since the probe terminals 4 are formed in a bump shape, the probe terminals 4 can cope with a bare chip T having a narrow pitch without any problem. Can be arranged, and the degree of freedom of the arrangement can be increased. In addition, since the probe terminal 4 is formed as a truncated quadrangular pyramid-shaped bump, a shear force is applied to the solder bump B from the edge around the flat surface at the tip to securely bite into the solder bump B, and Can be further improved.

【0015】特に、ベアチップTで取り引きする場合、
KGDとして市場に出す必要があり、しかもフリップチ
ップ実装に備えて電極パッドに半田バンプBを設けた状
態で市場に出すこともある。このような場合に本実施形
態のコンタクタ1を用いれば、半田バンプBとプローブ
端子4とのコンタクトが良好で、半田バンプBを損なう
ことないため、KGD用のコンタクタとして好適に用い
ることができる。しかも、ウエハ状態でKGDを供給す
る場合には、ウエハ状態で複数のチップを同時に検査す
るコンタクタを作るのも容易である。
In particular, when dealing with bare chips T,
KGD needs to be put on the market, and may be put on the market with solder bumps B provided on the electrode pads in preparation for flip chip mounting. In such a case, if the contactor 1 of the present embodiment is used, the contact between the solder bumps B and the probe terminals 4 is good, and the solder bumps B are not damaged, so that they can be suitably used as a contactor for KGD. In addition, when supplying KGD in a wafer state, it is easy to make a contactor for simultaneously inspecting a plurality of chips in a wafer state.

【0016】尚、上記実施形態では、プローブ端子4を
半田バンプBにコンタクトさせて検査する場合について
説明したが、アルミニウム等の電極パッドに接触させる
場合についても同様に検査することができる。また、
In the above embodiment, the case where the probe terminals 4 are brought into contact with the solder bumps B for inspection is described. However, the case where the probe terminals 4 are brought into contact with electrode pads made of aluminum or the like can be inspected in the same manner. Also,

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項3に記載の発
明によれば、プローブ端子の支持構造が簡単で、しかも
電極の高低差を吸収することができるコンタクト性に優
れたコンタクタを提供することができる。
According to the first to third aspects of the present invention, there is provided a contactor which has a simple structure for supporting a probe terminal and is excellent in contact property which can absorb a difference in height between electrodes. Can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のコンタクタの要部を拡大して示す斜視
図である。
FIG. 1 is an enlarged perspective view showing a main part of a contactor of the present invention.

【図2】図1に示すコンタクタの一部を示す平面図であ
る。
FIG. 2 is a plan view showing a part of the contactor shown in FIG.

【図3】図1に示すコンタクタのプローブ端子の動作説
明図である。
FIG. 3 is an operation explanatory view of a probe terminal of the contactor shown in FIG. 1;

【図4】従来の垂直針タイプのプローブカードの要部を
示す縦方向の断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a main part of a conventional vertical needle type probe card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンタクタ 2 セラミックス基板 3 パターン電極 4 プローブ端子 5 管状弾性部材 T ベアチップ B 半田バンプ Reference Signs List 1 contactor 2 ceramic substrate 3 pattern electrode 4 probe terminal 5 tubular elastic member T bare chip B solder bump

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に形成されたパターン電極
と、このパターン電極の表面に設けられたバンプ状のプ
ローブ端子とを備え、被検査体の電気的特性検査を行う
際に用いられるコンタクタであって、上記プローブ端子
とパターン電極との間に導電性の管状弾性部材を介在さ
せたことを特徴とするコンタクタ。
1. A contactor, comprising: a pattern electrode formed on a surface of a substrate; and a bump-shaped probe terminal provided on the surface of the pattern electrode. A contactor, wherein a conductive tubular elastic member is interposed between the probe terminal and the pattern electrode.
【請求項2】 上記プローブ端子は、先端に平坦な接触
面を有し、且つ、その基端部から先端に向かって徐々に
細くなるバンプとして形成されていることを特徴とする
請求項1に記載のコンタクタ。
2. The probe terminal according to claim 1, wherein the probe terminal has a flat contact surface at a distal end, and is formed as a bump that gradually narrows from a base end to a distal end. The contactor described.
【請求項3】 上記基板がセラミックスにより成形され
ていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載
のコンタクタ。
3. The contactor according to claim 1, wherein said substrate is formed of ceramics.
JP15669298A 1998-05-20 1998-05-20 Contactor Pending JPH11326381A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100606225B1 (en) * 2003-11-07 2006-07-31 니혼 덴시자이료 가부시키가이샤 Probe card

Cited By (2)

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