JPH11316619A - Clock skew control circuit - Google Patents

Clock skew control circuit

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JPH11316619A
JPH11316619A JP10137560A JP13756098A JPH11316619A JP H11316619 A JPH11316619 A JP H11316619A JP 10137560 A JP10137560 A JP 10137560A JP 13756098 A JP13756098 A JP 13756098A JP H11316619 A JPH11316619 A JP H11316619A
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JP
Japan
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memory
clock
skew
reading
writing
Prior art date
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Application number
JP10137560A
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Japanese (ja)
Inventor
Toru Uchimura
徹 内村
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Synchronisation In Digital Transmission Systems (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a clock skew control circuit capable of automatically controlling the timing of access to a memory even after packaging of a device and controlling the dispersion in products, the dispersion in the wiring length of the device and further the dispersion of timing caused by the external factor of the memory or the like. SOLUTION: When the power source of a device 11 is turned on, the write/ read of data to a memory 13 is performed by a semiconductor integrated circuit 12, a control circuit 14 judges whether the data can be normally written/read or not and when the data can not be normally written/read, skew is controlled by delay circuits 15a and 15b. Then, the write/read of data to the memory 13 is performed again. This sequence is repeated until the write/read of the memory 13 can be normally performed, and a skew value is controlled within the range controllable for the control circuit 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スキュー調整回路
に関し、特にメモりへのアクセスタイミングを自動調整
するスキュー調整回路に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a skew adjustment circuit, and more particularly to a skew adjustment circuit for automatically adjusting a memory access timing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の半導体集積回路装置において、一
般に、メモリ装置へのアクセスタイミングは固定的であ
り、装置設計者は、メモリへアクセスする半導体集積回
路について設計時に定められたタイミンング範囲が、メ
モリへのアクセスタイミングに適うように、装置を設計
する必要がある。このため、装置毎個別のタイミングの
ばらつきを吸収することは困難であった。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor integrated circuit device, generally, the access timing to a memory device is fixed, and a device designer must specify a timing range defined at the time of designing a semiconductor integrated circuit for accessing a memory. It is necessary to design the device to meet the timing of access to the device. For this reason, it has been difficult to absorb variations in the timing of each device.

【0003】また、半導体集積回路装置には、タイミング調
整可能なものもあるが、その調整にはディップスイッチ
等を用いるなど、個別に調整する作業工程が必要とさ
れ、煩雑でもあり、さらに装置実装後も経時変化等のよ
るばらつき調整の為の調整作業が必要とされる。
[0003] Some semiconductor integrated circuit devices can adjust the timing, but the adjustment requires an individual adjustment work process such as using a dip switch or the like, which is cumbersome, and furthermore, the mounting of the device. After that, an adjustment operation for adjusting the variation due to a change over time or the like is required.

【0004】なお、人手及び時間をかけずにクロックスキュ
ーを自動的に調整する為の回路として、例えば特開平5
−100768号公報等に記載の構成も参照される。
As a circuit for automatically adjusting the clock skew without using any manpower or time, for example, a circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
Reference is also made to the configuration described in, for example, JP-A-100768.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従
来、装置設計段階において、メモリへの半導体集積回路
個別のアクセスタイミングのばらつきを自動的に吸収す
ることは、困難であった。その理由は、半導体集積回路
の個別の製品ばらつき等を設計段階で自動的に吸収する
ことができない為である。
As described above, it has conventionally been difficult to automatically absorb variations in access timing of individual semiconductor integrated circuits to a memory at the device design stage. The reason is that individual product variations of the semiconductor integrated circuit cannot be automatically absorbed at the design stage.

【0006】また、装置実装後にタイミング調整を行うよう
にした場合でも、人手作業等の作業工数を要するという
問題点がある。
[0006] Further, even when the timing is adjusted after the device is mounted, there is a problem that man-hours such as manual work are required.

【0007】したがって、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的は、メモリへのアクセス
タイミングを装置実装後にも自動調整可能とし、半導体
集積回路の製品ばらつき、装置の配線長のばらつき、さ
らにメモリ等の外部要因によるタイミングばらつきを調
整可能とする回路を提供することにある。
[0007] Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to make it possible to automatically adjust the access timing to a memory even after the device is mounted. An object of the present invention is to provide a circuit capable of adjusting a variation in wiring length and a variation in timing due to an external factor such as a memory.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、メモリへデータの書込み・読出しを自動
で行い、正常に書込み・読出しできたか否かを判断する
手段と、スキュー調整対象パスに挿入された遅延可変手
段の遅延時間を可変させてスキューを調整する手段と、
を備え、前記メモリに正常に書込み・読出しできない場
合には、スキュー調整後、再度、前記メモリへのデータ
の書込み・読出しを行ない前記メモリの書込み・読出し
が正常にできるまで、上記シーケンスを繰り返すことで
スキュー値の調整を行なう、ことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for automatically writing / reading data to / from a memory and determining whether or not the writing / reading has been normally performed, and a skew adjustment target. Means for adjusting the skew by varying the delay time of the variable delay means inserted in the path,
If it is not possible to write / read the memory normally, after adjusting the skew, write / read data to / from the memory again, and repeat the above sequence until writing / reading to the memory can be performed normally. To adjust the skew value.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明のクロックスキュー調整回路は、自
動的にメモリへのアクセスタイミング調整を可能とし、
半導体集積回路そのもののばらつきのみならず、メモリ
など外部の要因によるばらつきも吸収することを可能と
したものである。
Embodiments of the present invention will be described below. The clock skew adjustment circuit of the present invention automatically enables access timing adjustment to a memory,
This makes it possible to absorb not only variations in the semiconductor integrated circuit itself but also variations due to external factors such as a memory.

【0010】本発明のクロックスキュー調整回路は、その好
ましい実施の形態において、図1を参照すると、装置
(11)の電源投入時、半導体集積回路(12)がメモ
リ(13)へデータの書込み・読出し(例えばライトア
フターリード試験等)を行い、正常に書込み・読出しで
きたかを調整回路(14)にて判断し、メモリ(13)
の書込み・読出しが正常にできない場合には、遅延回路
(15a、15b)にてスキューを調整し、再度、メモ
リ13へのデータの書込み・読出しを行なう。そしてメ
モリ(13)の書込み・読出しが正常にできるまで、こ
のシーケンスを繰り返し、調整回路(14)で調整可能
な範囲でスキュー値の調整を行なう。
In a clock skew adjusting circuit according to a preferred embodiment of the present invention, referring to FIG. 1, when a power supply of a device (11) is turned on, a semiconductor integrated circuit (12) writes data into a memory (13). Reading (for example, a write-after-read test) is performed, and it is determined by the adjustment circuit (14) whether or not writing / reading has been normally performed.
If writing / reading cannot be performed normally, the skew is adjusted by the delay circuits (15a, 15b), and data writing / reading to / from the memory 13 is performed again. This sequence is repeated until the writing / reading of the memory (13) can be performed normally, and the skew value is adjusted within a range adjustable by the adjusting circuit (14).

【0011】本発明は、その好ましい実施の形態において、
図1を参照すると、クロック同期型メモリ(13)への
クロック供給パスと、前記クロック同期型メモリにアド
レス/データを供給する内部ロジック手段(17)にク
ロックを供給するパスにそれぞれ挿入された遅延時間が
可変に設定可能な第1、第2の前記遅延手段(15a、
15b)と、電源投入時又はリセット等を契機として、
前記メモリへデータの書込み・読出しを自動で行い、メ
モリ(13)に正常に書込み・読出しできたか否かを判
断し、正常に書込み・読出しできない場合には前記第1
及び/又は第2の遅延手段の遅延時間を可変させてスキ
ューを調整する調整手段(14)と、を備え、正常に書
込み・読出しできない場合には、調整手段(14)でス
キュー調整後、再度、前記メモリへのデータの書込み・
読出しを行ない前記メモリの書込み・読出しが正常にで
きるまで、上記シーケンスを繰り返すことでスキュー値
の調整を行なうように構成される。
[0011] The present invention, in a preferred embodiment thereof,
Referring to FIG. 1, a delay inserted in a clock supply path to a clock synchronous memory (13) and a delay inserted in a path supplying a clock to an internal logic means (17) for supplying an address / data to the clock synchronous memory, respectively. The first and second delay means (15a, 15a,
15b) and upon power-on or reset, etc.,
Data writing / reading to / from the memory is automatically performed, and it is determined whether or not writing / reading to / from the memory (13) has been normally performed.
And / or an adjusting means (14) for adjusting the skew by varying the delay time of the second delay means. If the writing and reading cannot be performed normally, the skew is adjusted by the adjusting means (14) and then again. , Writing data to the memory
The skew value is adjusted by repeating the above sequence until reading and writing / reading of the memory can be performed normally.

【0012】また、本発明は、その好ましい別の実施の形態
において、図2を参照すると、クロック非同期型メモリ
(33)への制御信号を発生して供給する制御信号発生
手段(42)へのクロック供給パスと、前記クロック非
同期型メモリにアドレス/データを供給するロジック手
段(37)にクロックを供給するパスにそれぞれ挿入さ
れた遅延時間が可変に設定可能な第1、第2の前記遅延
手段(35a、35b)と、電源投入時又はリセット等
を契機として、前記メモリ(33)へデータの書込み読
出しを自動で行い、正常に書込み・読出しできたか否か
を判断し、正常に書込み読出しできない場合には前記第
1及び/又は第2の遅延手段の遅延時間を可変させてス
キューを調整する調整手段(34)と、を備え、正常に
書込み読出しできない場合には、スキュー調整後、再
度、前記メモリへのデータの書込み読出しを行ない前記
メモリの書込み・読出しが正常にできるまで、上記シー
ケンスを繰り返すことでスキュー値の調整を行なうよう
に構成される。
In another preferred embodiment of the present invention, referring to FIG. 2, a control signal generating means (42) for generating and supplying a control signal to a clock asynchronous memory (33) is provided. First and second delay means which can variably set delay times inserted in a clock supply path and a path which supplies a clock to a logic means (37) for supplying an address / data to the clock asynchronous memory, respectively. (35a, 35b), when the power is turned on or at the time of reset, etc., the data is automatically written and read to and from the memory (33), and it is determined whether or not the writing and reading have been normally performed. Adjusting means (34) for adjusting the skew by varying the delay time of the first and / or second delay means in such a case. In this case, after the skew adjustment, the data is read and written to the memory again, and the skew value is adjusted by repeating the above sequence until the writing and reading of the memory can be performed normally. .

【0013】本発明の実施の形態においては、図1、図2を
参照すると、発振器(19、39)からのクロックを入
力し前記第1、第2の遅延手段へクロックを分配して供
給するクロック分割手段(18、38)を備える。
In the embodiment of the present invention, referring to FIG. 1 and FIG. 2, a clock from an oscillator (19, 39) is inputted, and a clock is distributed to the first and second delay means and supplied. Clock division means (18, 38) are provided.

【0014】本発明の実施の形態においては、クロックスキ
ュー調整回路は、半導体集積回路に組み込まれ、クロッ
ク生成用の発振器、メモリと共に装置実装後にもスキュ
ーの自動調整可能とされる。またクロックスキュー調整
回路をCPU内に備える構成としてもよい。
In the embodiment of the present invention, the clock skew adjustment circuit is incorporated in a semiconductor integrated circuit, and can automatically adjust the skew after mounting the device together with a clock generation oscillator and a memory. Further, the clock skew adjustment circuit may be provided in the CPU.

【0015】[0015]

【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention;

【0016】図1は、本発明の一実施例の構成を示す図であ
る。図1を参照すると、装置11は、半導体集積回路1
2、クロック同期型メモリ13、及び、クロック生成用
のOSC(発振器)19を含む。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a device 11 includes a semiconductor integrated circuit 1
2, a clock synchronous memory 13 and an OSC (oscillator) 19 for generating a clock.

【0017】半導体集積回路12は、クロック分割回路1
2、遅延回路15a、15b、内部ロジック17、及び
調整回路14を含んで構成されている。
The semiconductor integrated circuit 12 includes the clock division circuit 1
2. It includes delay circuits 15a and 15b, internal logic 17, and adjustment circuit 14.

【0018】OSC19が生成するクロックは、半導体集積
回路12に入力され、クロック分割回路18にて分割さ
れ、遅延時間が可変に設定可能な遅延回路15a及び遅
延回路15bを経由して、それぞれ内部ロジック17及
びクロック同期型メモリ13へと伝達される。
The clock generated by the OSC 19 is input to the semiconductor integrated circuit 12, is divided by the clock dividing circuit 18, passes through a delay circuit 15a and a delay circuit 15b whose delay time can be set variably, and outputs an internal logic signal. 17 and the clock synchronous memory 13.

【0019】調整回路14において、装置11の電源投入時
(又はリセット時)、クロック同期型メモリ13へのデ
ータの読み書き(例えばメモりへのデータ書込後の読み
出し試験)が自動に行われ、データが正常に読み書きで
きたかを判別し、その結果に基づき遅延回路15a、1
5bの制御を行なう。
When the power of the device 11 is turned on (or reset), the adjustment circuit 14 automatically reads and writes data from / to the clock synchronous memory 13 (for example, a read test after writing data to a memory). It is determined whether the data has been read or written normally, and the delay circuits 15a, 15a,
5b is performed.

【0020】内部ロジック17とクロック同期型メモリ13
は、データバス/アドレスバス20で接続され、クロッ
ク同期型メモリ13遅延回路は15bよりクロック同期
型メモリ13に出力されるクロック信号21に同期して
半導体集積回路12との間でデータの授受を行なう。
[0020] Internal logic 17 and clock synchronous memory 13
Are connected by a data bus / address bus 20, and a clock synchronous memory 13 delay circuit exchanges data with the semiconductor integrated circuit 12 in synchronization with a clock signal 21 output to the clock synchronous memory 13 from 15b. Do.

【0021】図1を参照して、本発明の一実施例の動作につ
いて説明する。図1において、装置11の電源投入時、
調整回路14は内部ロジック17を経由してクロック同
期型メモリ13にデータの読み書きを行なう。データが
正常に読み書きできたかを調整回路14で判断し、正常
な場合は遅延回路15a、15bは初期状態のまま以降
のシーケンスに移る。
The operation of one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 1, when the power of the device 11 is turned on,
The adjustment circuit 14 reads and writes data from and to the clock synchronous memory 13 via the internal logic 17. The adjustment circuit 14 determines whether data has been read or written normally. If the data is normal, the delay circuits 15a and 15b shift to the subsequent sequence in the initial state.

【0022】データが正常に読み書きできない場合は、遅延
回路15aまたは遅延回路15bを制御し、内部ロジッ
ク17へのクロック信号とクロック同期型メモリ13へ
のクロック信号のスキューを変化させ、再び、クロック
同期型メモリ13へのデータの読み書きを行なう。この
操作をデータが正常に読み書きできるまで、もしくは遅
延回路15a及び15bで調整可能な範囲まで続ける。
If the data cannot be read and written normally, the delay circuit 15a or the delay circuit 15b is controlled to change the skew between the clock signal to the internal logic 17 and the clock signal to the clock synchronous memory 13, and then, again to the clock synchronization. Data is read from and written to the type memory 13. This operation is continued until data can be read and written normally, or until the data can be adjusted by the delay circuits 15a and 15b.

【0023】次に本発明の他の実施例について図面を参照し
て説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0024】本発明において、メモリはクロック同期型メモ
リにのみ限定されるものではない。図2は、本発明の第
二の実施例の構成を示す図である。図2を参照すると、
本発明の第二の実施例においては、前記実施例と相違し
て、クロック同期型メモリの代わりに、クロック非同期
型メモリ33を使用し、内部ロジック37と制御信号発
生ロジック42へのクロック信号に遅延回路35a、3
5bを挿入することにより、クロック非同期型メモリ3
3へのタイミングを変化させる、ようにしたものであ
る。
In the present invention, the memory is not limited to a clock synchronous memory. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention. Referring to FIG.
In the second embodiment of the present invention, unlike the above embodiment, a clock asynchronous memory 33 is used instead of a clock synchronous memory, and a clock signal to an internal logic 37 and a control signal generation logic 42 is used. Delay circuits 35a, 3
5b, the clock asynchronous memory 3
3 is changed.

【0025】図3は、本発明の第三の実施例の構成を示す図
である。図3を参照すると、本発明の第三の実施例にお
いては、OSC(発振器)52と、中央処理装置(CP
U)51と、クロックスキュー回路54と、メモリ52
を備え、クロックスキュー回路54のスキュー調整期間
は、CPU51のメモリ53へのアクセスを禁止し、ス
キュー調整後、メモリアクセスを許可する。本発明の第
三の実施例におけるクロックスキュー調整回路54は、
図1又は図2を参照して説明した前記実施例の回路12
又は32の構成と同一とされており、その構成及び動作
説明は省略する。
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the third embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, in a third embodiment of the present invention, an OSC (oscillator) 52 and a central processing unit (CP)
U) 51, clock skew circuit 54, memory 52
During the skew adjustment period of the clock skew circuit 54, the CPU 51 prohibits the access to the memory 53, and permits the memory access after the skew adjustment. The clock skew adjustment circuit 54 according to the third embodiment of the present invention
The circuit 12 of the embodiment described with reference to FIG. 1 or FIG.
Or 32, and the description of the configuration and operation is omitted.

【0026】図4は、本発明の第四の実施例の構成を示す図
である。図4を参照すると、本発明の第四の実施例にお
いては、図3に示した前記第三の実施例における中央処
理装置61内にクロックスキュー回路64を組み込んだ
ものである。本発明の第四の実施例におけるクロックス
キュー調整回路64は、図1又は図2を参照して説明し
た前記実施例の回路12又は32の構成と同一とされて
おり、その構成及び動作説明は省略する。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the fourth embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, in a fourth embodiment of the present invention, a clock skew circuit 64 is incorporated in the central processing unit 61 in the third embodiment shown in FIG. The clock skew adjusting circuit 64 according to the fourth embodiment of the present invention has the same configuration as the circuit 12 or 32 of the above-described embodiment described with reference to FIG. 1 or FIG. Omitted.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0028】本発明の第一の効果は、半導体集積回路個別の
タイミングのばらつきを自動的に吸収することができ
る、ということである。
A first effect of the present invention is that a variation in timing of each semiconductor integrated circuit can be automatically absorbed.

【0029】その理由は、本発明においては、クロック分割
回路で分割した後のクロック信号各々に遅延回路が挿入
されているため、個別のばらつきによるタイミングの早
遅いずれにも対応ができる為である。
The reason is that, in the present invention, since a delay circuit is inserted in each clock signal after being divided by the clock dividing circuit, it is possible to cope with either early or late timing due to individual variations. .

【0030】本発明の第二の効果は、半導体集積回路とメモ
リとの間の配線長によるタイミングのばらつき及びメモ
リ個別のばらつきを吸収することができるということで
ある。
A second effect of the present invention is that variations in timing due to the wiring length between the semiconductor integrated circuit and the memory and variations in individual memories can be absorbed.

【0031】その理由は、本発明においては、装置として半
導体集積回路が実装された後でスキューが自動的に調整
ができるので、実装状態でのス調整が可能である為であ
る。
The reason is that, in the present invention, the skew can be automatically adjusted after the semiconductor integrated circuit is mounted as a device, so that the skew can be adjusted in a mounted state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a second exemplary embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第三の実施例の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a third exemplary embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第四の実施例の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a fourth exemplary embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,31 装置 12,32 半導体集積回路 12 クロック同期型メモリ 32 クロック非同期型メモリ 14、34 調整回路 15a、15b、35a、35b 遅延回路 17、37 内部ロジック 18、28 クロック分割回路 19、52、62 発振器(OSC) 42 制御信号発生回路 51、61 CPU 52、64 クロックスキュー調整回路 53、63 メモリ 11, 31 device 12, 32 semiconductor integrated circuit 12 clock synchronous memory 32 clock asynchronous memory 14, 34 adjustment circuit 15a, 15b, 35a, 35b delay circuit 17, 37 internal logic 18, 28 clock division circuit 19, 52, 62 Oscillator (OSC) 42 Control signal generation circuit 51, 61 CPU 52, 64 Clock skew adjustment circuit 53, 63 Memory

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H04L 7/00 G11C 11/34 354C 362S ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H04L 7/00 G11C 11/34 354C 362S

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】メモリへデータの書込み・読出しを自動で
行い、正常に書込み・読出しできたか否かを判断する手
段と、 スキュー調整対象パスに挿入された、遅延時間が可変に
設定可能な遅延手段の遅延時間を可変させてスキューを
調整する手段と、 を備え、 前記メモリへのデータの書込み・読出しが正常に行えな
い場合には、スキューを調整した後、再度、前記メモリ
へのデータの書込み・読出しを行ない、前記メモリの書
込み・読出しが正常にできるまで、このシーケンスを繰
り返すことでスキュー値の調整を行なう、ことを特徴と
するクロックスキュー調整回路。
Claims: 1. A means for automatically writing / reading data to / from a memory to determine whether writing / reading has been performed normally, and a delay which can be variably set and inserted into a skew adjustment target path Means for adjusting the skew by varying the delay time of the means.If writing / reading of data to / from the memory cannot be performed normally, after adjusting the skew, the data is again transferred to the memory. A clock skew adjustment circuit which performs writing / reading and adjusts a skew value by repeating this sequence until writing / reading of the memory can be performed normally.
【請求項2】クロック信号の伝達パスに挿入された、遅
延時間が可変に設定可能な遅延手段と、 電源投入時又はリセット等を契機として、メモリへデー
タの書込み・読出しを自動で行い、正常に書込み・読出
しできたか否かを判断し、正常に書込み・読出しできな
い場合には前記遅延手段の遅延時間を可変させてスキュ
ーを調整する手段と、 を備え、 前記メモリに正常に書込み・読出しできない場合には、
スキューを調整した後、再度、前記メモリへのデータの
書込み・読出しを行ない、前記メモリの書込み・読出し
が正常にできるまで、このシーケンスを繰り返すことで
スキュー値の調整を行なうこと特徴とするクロックスキ
ュー調整回路。
2. A delay means inserted into a transmission path of a clock signal, the delay time of which can be variably set, and automatically writing / reading data to / from a memory at power-on or at a reset or the like. Means for judging whether or not writing / reading has been successfully performed, and, if writing / reading cannot be performed normally, means for adjusting the skew by varying the delay time of the delay means. in case of,
After adjusting the skew, writing and reading data to and from the memory are performed again, and the skew value is adjusted by repeating this sequence until writing and reading to and from the memory can be performed normally. Adjustment circuit.
【請求項3】クロック同期型メモリへのクロック供給パ
スと、前記クロック同期型メモリにアドレス/データを
供給する論理回路手段にクロックを供給するパスにそれ
ぞれ挿入された、遅延時間が可変に設定可能な第1、及
び第2の前記遅延手段と、 電源投入時又はリセット等を契機として、前記メモリへ
データの書込み・読出しを自動で行い、正常に書込み・
読出しできたか否かを判断し、正常に書込み・読出しで
きない場合には前記第1及び/又は第2の遅延手段の遅
延時間を可変させてスキューを調整する調整手段と、 を備え、 前記メモリに正常に書込み・読出しできない場合には、
前記調整手段でスキューを調整した後、再度、前記メモ
リへのデータの書込み・読出しを行ない、前記メモリの
書込み・読出しが正常にできるまで、上記シーケンスを
繰り返すことで、スキュー値の調整を行なうこと特徴と
するクロックスキュー調整回路。
3. A delay time variably settable to a clock supply path to a clock synchronous memory and a path to supply a clock to a logic circuit means for supplying an address / data to the clock synchronous memory. The first and second delay means automatically write and read data to and from the memory when power is turned on or when a reset or the like is performed.
Adjusting means for judging whether or not reading is possible, and adjusting the skew by varying the delay time of the first and / or second delay means when writing and reading cannot be performed normally; If you cannot write / read normally,
After adjusting the skew by the adjusting means, the data is written / read from / to the memory again, and the above sequence is repeated until the writing / reading to / from the memory can be performed normally, thereby adjusting the skew value. Characteristic clock skew adjustment circuit.
【請求項4】クロック非同期型メモリへの制御信号を発
生して供給する制御信号発生手段へのクロック供給パス
と、前記クロック非同期型メモリにアドレス/データを
供給する論理回路手段にクロックを供給するパスにそれ
ぞれ挿入された遅延時間が可変に設定可能な第1、第2
の前記遅延手段と、 電源投入時又はリセット等を契機として、前記メモリへ
データの書込み読出しを自動で行い、正常に書込み読出
しできたか否かを判断し、正常に書込み読出しできない
場合には前記第1及び/又は第2の遅延手段の遅延時間
を可変させてスキューを調整する調整手段と、 を備え、 前記メモリに正常に書込み読出しできない場合には、前
記調整手段でスキューを調整した後、再度、前記メモリ
へのデータの書込み読出しを行ない、前記メモリの書込
み・読出しが正常にできるまで、上記シーケンスを繰り
返すことで、スキュー値の調整を行なうこと特徴とする
クロックスキュー調整回路。
4. A clock supply path to a control signal generating means for generating and supplying a control signal to a clock asynchronous memory, and a clock to a logic circuit means for supplying an address / data to the clock asynchronous memory. First and second delay times that can be variably set respectively inserted in the path
The delay means of the present invention automatically performs writing and reading of data to and from the memory at the time of power-on or at the time of reset, etc., and determines whether or not writing and reading can be performed normally. Adjusting means for adjusting the skew by varying the delay time of the first and / or second delay means. If the memory cannot be written and read normally, the skew is adjusted by the adjusting means and then re-adjusted. A clock skew adjustment circuit for writing and reading data to and from the memory and adjusting the skew value by repeating the above sequence until writing and reading to and from the memory can be performed normally.
【請求項5】発振器からのクロックを入力し前記第1、
第2の遅延手段へクロックを分配して供給するクロック
分割手段を備えたこと特徴とする請求項3または4記載
のクロックスキュー調整回路。
5. The method according to claim 1, wherein a clock from an oscillator is input and said first,
5. The clock skew adjustment circuit according to claim 3, further comprising a clock dividing unit that distributes and supplies a clock to the second delay unit.
【請求項6】請求項1乃至5のいずれか一に記載のクロ
ックスキュー調整回路が、半導体集積回路に組み込ま
れ、クロック生成用の発振器、メモリと共に装置を実装
した後にもスキューの自動調整を可能とした電子装置。
6. The clock skew adjustment circuit according to claim 1 is incorporated in a semiconductor integrated circuit, and can automatically adjust skew even after mounting the device together with a clock generation oscillator and a memory. Electronic devices.
【請求項7】請求項1乃至5のいずれか一に記載のクロ
ックスキュー調整回路と、クロック生成用の発振器と、
メモリと、CPUとを備えた電子装置。
7. A clock skew adjustment circuit according to claim 1, an oscillator for generating a clock,
An electronic device including a memory and a CPU.
【請求項8】請求項1乃至5のいずれか一に記載のクロ
ックスキュー調整回路を、メモリに接続するCPU内に
備えた中央処理装置。
8. A central processing unit provided with the clock skew adjustment circuit according to claim 1 in a CPU connected to a memory.
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