JPH11316248A - Peak detecting circuit - Google Patents

Peak detecting circuit

Info

Publication number
JPH11316248A
JPH11316248A JP12146298A JP12146298A JPH11316248A JP H11316248 A JPH11316248 A JP H11316248A JP 12146298 A JP12146298 A JP 12146298A JP 12146298 A JP12146298 A JP 12146298A JP H11316248 A JPH11316248 A JP H11316248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hold
voltage
circuit
terminal
operational amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12146298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Tachimori
央 日月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP12146298A priority Critical patent/JPH11316248A/en
Publication of JPH11316248A publication Critical patent/JPH11316248A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a peak detecting circuit for facilitating a countermeasure to a low input signal with several Hz to dozens of Hz without providing any outside capacitive element for holding a hold voltage, to manufacture this peak detecting circuit in a semiconductor integrated circuit in a simple process, and to attain the miniaturization of this system, the reduction of the number of parts, and the cost reduction of the device. SOLUTION: This peak detecting circuit is provided with a peak hold circuit 100 having a capacitive element connected with a peak hold node for holding the peak value of an input signal, capacitive element 210 connected with a voltage source in a prescribed level, and switched capacitor 200 having a switch circuit 220 for switching the connected state of the capacitive element 210 and the hold node of the peak hold circuit 100.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、入力信号のピーク
電圧を検出するピーク検出回路に関するものである。
The present invention relates to a peak detection circuit for detecting a peak voltage of an input signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】ピーク検出回路は、アナログ入力信号の
ピーク電圧を検出することにより、入力信号のエンベロ
ープを検出できたり、増幅ステージの最適なゲインの制
御や最適な比較電圧の制御が可能になることから、入力
振幅が一定しないアナログ信号の処理系において有用な
回路である。このため、ピーク検出回路として、通信用
やサーボ制御用、記録媒体からの再生用など、各種セン
サで読み取ったアナログ信号の処理回路に使用されてい
る。
2. Description of the Related Art A peak detection circuit can detect an envelope of an input signal by detecting a peak voltage of an analog input signal, and can control an optimum gain of an amplification stage and an optimum comparison voltage. Therefore, the circuit is useful in a processing system for an analog signal having an input amplitude that is not constant. For this reason, it is used as a peak detection circuit for processing analog signals read by various sensors, such as for communication, servo control, and reproduction from a recording medium.

【0003】ピーク検出回路としては、図22に示すよ
うに、基本的にはピークホールド回路10で構成される
回路PD10、あるいは、図23に示すように、ピーク
ホールド回路10の出力にバッファBUF10を介して
サンプルホールド回路20が接続されて構成される回路
PD10aが知られている。
As a peak detection circuit, as shown in FIG. 22, a circuit PD10 which basically comprises a peak hold circuit 10, or as shown in FIG. 23, a buffer BUF10 is provided at an output of the peak hold circuit 10. A circuit PD10a configured by connecting a sample-and-hold circuit 20 through the circuit is known.

【0004】これらのピーク検出回路PD10,PD1
0aに用いられるピークホールド回路10は、演算増幅
器(以下、オペアンプという)と整流素子と容量素子を
主構成要素として構成されている。整流素子は、たとえ
ば半導体基板中に形成されたダイオードあるいはMOS
トランジスタにより構成される。
These peak detecting circuits PD10 and PD1
The peak hold circuit 10 used for Oa includes an operational amplifier (hereinafter, referred to as an operational amplifier), a rectifying element, and a capacitive element as main components. The rectifying element is, for example, a diode or a MOS formed in a semiconductor substrate.
It is composed of transistors.

【0005】また、ピークホールド回路は、入力信号の
振幅が次第に大きくなっていくときは、新しいピーク値
を次々とホールドしていくが、入力信号の振幅が次第に
小さくなっていくときは、次のピーク値よりも一旦ホー
ルド電圧を小さくしないと新しいピーク値をホールドで
きない。このため、自動的にホールド電圧を減衰させる
ための高抵抗(Rrst )や、あるいは、リセット信号で
制御されるMOSトランジスタ(NTrst 、PTrst )
などのリセット回路が必要である。高抵抗でホールド電
圧を減衰させる場合、Chold・Rrst の時定数の設定で
減衰の度合いを決めるが、入力信号の周期と振幅の変動
を考慮して設定する必要がある。リセット回路でホール
ド電圧を減衰させる場合は、入力信号に同期させて次の
ピークが入力する前にリセット信号を発生させる手段が
必要である。また、電源投入時あるいはノイズ入力時
は、入力信号のピーク値よりも大きな振幅がホールドさ
れて誤動作が発生することもあるため、リセット回路が
必要である。ディスクリート素子でピークホールド回路
を構成する場合は、容量素子の容量値Choldと高抵抗の
抵抗値Rrst の選択可能範囲が広いため、信号周波数に
あった設計が容易である。
[0005] The peak hold circuit holds new peak values one after another when the amplitude of the input signal gradually increases. However, when the amplitude of the input signal gradually decreases, the following holds. The new peak value cannot be held unless the hold voltage is once smaller than the peak value. Therefore, a high resistance (Rrst) for automatically attenuating the hold voltage or a MOS transistor (NTrst, PTrst) controlled by a reset signal
Such a reset circuit is required. When the hold voltage is attenuated with a high resistance, the degree of attenuation is determined by setting the time constant of Chold · Rrst. However, it is necessary to set it in consideration of the fluctuation of the cycle and amplitude of the input signal. In the case where the hold voltage is attenuated by the reset circuit, means for synchronizing with the input signal and generating a reset signal before the next peak is input is required. Further, when the power is turned on or noise is input, an amplitude larger than the peak value of the input signal may be held and a malfunction may occur. Therefore, a reset circuit is required. When a peak hold circuit is formed by discrete elements, the design range for the signal frequency is easy because the selectable range of the capacitance value Chold of the capacitive element and the high resistance value Rrst is wide.

【0006】図24および図25は、一般的に用いられ
ているピークホールド回路の構成例を示す回路図であっ
て、図24は整流素子にpチャネルMOS(PMOS)
トランジスタPMOSを用いた上限値用のピークホール
ド回路の回路図、図25は整流素子にnチャネルMOS
(NMOS)トランジスタを用いた下限値用のピークホ
ールド回路の回路図である。
FIGS. 24 and 25 are circuit diagrams showing a configuration example of a generally used peak hold circuit. FIG. 24 shows a rectifying element as a p-channel MOS (PMOS).
FIG. 25 is a circuit diagram of an upper limit peak hold circuit using a transistor PMOS, and FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram of a peak hold circuit for a lower limit using an (NMOS) transistor.

【0007】具体的には、上限値用ピークホールド回路
10aは、アナログ入力信号INが非反転入力端子
(+)が供給され、ホールドノードND11aの電圧が
反転入力端子(−)に帰還されるオペアンプAMP11
aと、オペアンプAMP11aの出力側とホールドノー
ドND11aとの間に接続され、ゲートとドレインが接
続され、基板が電源電圧VDDの供給ラインに接続された
整流素子としてのPMOSトランジスタPT11aと、
ホールドノードND11aと接地GNDとの間に接続さ
れた容量素子C11aとを主構成要素として構成されて
いる。この上限値用ピークホールド回路10aのPMO
SトランジスタPT11aからなる整流素子は、オペア
ンプAMP11aの出力側からホールドノードND11
aに向かって順方向となるように接続されている。
More specifically, the upper limit peak hold circuit 10a is an operational amplifier in which an analog input signal IN is supplied to a non-inverting input terminal (+) and the voltage of the hold node ND11a is fed back to the inverting input terminal (-). AMP11
a, a PMOS transistor PT11a as a rectifying element, which is connected between the output side of the operational amplifier AMP11a and the hold node ND11a, has a gate and a drain connected, and has a substrate connected to a supply line of the power supply voltage V DD ;
The capacitor C11a connected between the hold node ND11a and the ground GND is configured as a main component. The PMO of the peak hold circuit 10a for the upper limit value
The rectifying element including the S transistor PT11a is connected to the hold node ND11 from the output side of the operational amplifier AMP11a.
It is connected so that it may become a forward direction toward a.

【0008】同様に、下限値用ピークホールド回路10
bは、アナログ入力信号INが非反転入力端子(+)に
供給され、ホールドノードND11bの電圧が反転入力
端子(−)に帰還されるオペアンプAMP11bと、オ
ペアンプAMP11bの出力側とホールドノードND1
1bとの間に接続され、ゲートとドレインが接続され、
基板が電源電圧VSS(接地レベル)の供給ラインに接続
された整流素子としてのNMOSトランジスタNT11
bと、ホールドノードND11bと接地GNDとの間に
接続された容量素子C11bとを主構成要素として構成
されている。この下限値用ピークホールド回路10bの
NMOSトランジスタNT11bからなる整流素子は、
ホールドノードND11bからオペアンプAMP11b
の出力側に向かって順方向となるように接続されてい
る。
Similarly, the lower limit peak hold circuit 10
b denotes an operational amplifier AMP11b in which the analog input signal IN is supplied to the non-inverting input terminal (+) and the voltage of the hold node ND11b is fed back to the inverting input terminal (-), the output side of the operational amplifier AMP11b, and the hold node ND1.
1b, the gate and the drain are connected,
NMOS transistor NT11 as a rectifier whose substrate is connected to a supply line of power supply voltage V SS (ground level)
and a capacitive element C11b connected between the hold node ND11b and the ground GND as main components. The rectifying element composed of the NMOS transistor NT11b of the lower limit peak hold circuit 10b is
From the hold node ND11b to the operational amplifier AMP11b
Are connected in a forward direction toward the output side.

【0009】また、図24および図25のピークホール
ド回路においては、電源投入時あるいはノイズ入力時
に、一旦、真の入力信号のピーク値よりも大きな振幅が
ホールドされると、すぐには正しいピーク値まで戻らな
いため誤動作が発生する可能性がある。このため、上限
値側のピークホールド回路10aにはホールド電圧を電
圧VRSTに引き下げるためのスイッチとしてのNMO
SトランジスタNT11a(基板は接地電圧VSSまたは
電圧VRSTの供給ラインに接続)、下限値側のピーク
ホールド回路10bにはホールド電圧を電圧VRSTま
で引き上げるためのスイッチとしてのPMOSトランジ
スタPT11b(基板は電源電圧VDDまたは電圧VRS
Tの供給ラインに接続)が設けられている。なお、電圧
VRSTは、たとえば入力信号が無信号状態のときにノ
イズ成分を検出しない電圧に設定される。
Further, in the peak hold circuits of FIGS. 24 and 25, once the amplitude larger than the peak value of the true input signal is held at power-on or when noise is input, the correct peak value is immediately obtained. Because it does not return, malfunction may occur. Therefore, the NMO as a switch for lowering the hold voltage to the voltage VRST is provided in the peak hold circuit 10a on the upper limit value side.
S transistor NT11a (substrate connected to the supply line of the ground voltage V SS or the voltage VRST), PMOS transistor PT11b (substrate supply voltage as a switch for the peak hold circuit 10b of the lower limit side to increase the hold voltage to the voltage VRST V DD or voltage VRS
(Connected to the T supply line). The voltage VRST is set to a voltage that does not detect a noise component when the input signal is in a no-signal state, for example.

【0010】上限値側のピークホールド回路10aの場
合、入力信号INがホールド電圧よりも大きくなるとオ
ペアンプAMP11aの出力は、入力信号INよりもP
MOSトランジスタPT11aからなる整流素子のしき
い値程度高い電圧付近で発振しながら、入力信号INに
追従するようにホールド電圧を引き上げていく。入力信
号INがピーク値を過ぎるとオペアンプAMP11aは
そのダイナミックレンジの下限付近の電圧を出力する。
なお、図24の上限値側のピークホールド回路の動作例
であるが、下限値側のピークホールド回路の動作は、極
性を上下反転したものとなる。
In the case of the peak hold circuit 10a on the upper limit value side, when the input signal IN becomes larger than the hold voltage, the output of the operational amplifier AMP11a becomes P higher than the input signal IN.
While oscillating around a voltage approximately as high as the threshold value of the rectifier element including the MOS transistor PT11a, the hold voltage is increased so as to follow the input signal IN. When the input signal IN exceeds the peak value, the operational amplifier AMP11a outputs a voltage near the lower limit of the dynamic range.
Although the operation of the peak hold circuit on the upper limit value side in FIG. 24 is an example, the polarity of the operation of the peak hold circuit on the lower limit value side is inverted.

【0011】また、サンプルホールド回路20は、サン
プリングクロックでオン/オフ制御されるスイッチ回路
と、容量素子とにより構成される。
The sample-and-hold circuit 20 includes a switch circuit that is turned on / off by a sampling clock, and a capacitor.

【0012】図26は、サンプルホールド回路20の構
成例を示す回路図であって、スイッチ回路としてCMO
S型アナログスイッチを用いた回路である。
FIG. 26 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the sample hold circuit 20.
This is a circuit using an S-type analog switch.

【0013】に、スイッチ回路21は、ゲートがインバ
ータINV21を介してサンプリングクロック信号SC
Kの入力ラインに接続され、基板が電源電圧VDDの供給
ラインに接続されたPMOSトランジスタPT21、ゲ
ートがサンプリングクロック信号SCKの入力ラインに
接続され、基板が接地されたNMOSトランジスタNT
21とのソース・ドレイン同士を接続して構成されてい
る。このスイッチ回路21は、信号SINの入力ライン
とホールドノードND21との間に接続され、このホー
ルドノードND21と接地ラインとの間に容量素子22
が接続されている。
The switch circuit 21 has a gate connected to the sampling clock signal SC via the inverter INV21.
An NMOS transistor NT21 connected to the input line of K, a substrate connected to the supply line of the power supply voltage V DD , a gate connected to the input line of the sampling clock signal SCK, and a substrate grounded.
21 is connected to the source / drain. The switch circuit 21 is connected between the input line of the signal SIN and the hold node ND21, and a capacitor 22 is connected between the hold node ND21 and the ground line.
Is connected.

【0014】図27および図28は、ホールド電圧を高
抵抗で減衰させるピークホールド回路で構成されたピー
ク検出回路PD10の動作例を示す波形図で、図27
は、Chold・Rrst の時定数を小さ目に設定して個々の
ピークを検出するようにしてエンベロープを検出する回
路の動作例を示している。図28は、Chold・Rrst の
時定数を大き目に設定して全体のピーク値を検出するよ
うにしたピーク検出回路の動作例を示している。
FIGS. 27 and 28 are waveform diagrams showing an operation example of a peak detection circuit PD10 constituted by a peak hold circuit for attenuating the hold voltage with high resistance.
9 shows an operation example of a circuit for detecting the envelope by setting the time constant of Chold · Rrst to a small value and detecting individual peaks. FIG. 28 shows an operation example of a peak detection circuit in which the time constant of Chold · Rrst is set to a large value so as to detect the entire peak value.

【0015】また、図29は、リセット信号RSTで制
御されピークホールド回路10と、サンプリングクロッ
ク信号SCKで制御されるサンプルホールド回路20と
で構成されたピーク検出回路PD10aの動作例を示す
波形図である。図29に示すように、このピーク検出回
路PD10aでは、ピークが入力するごとにサンプリン
グクロック信号SCKとリセット信号RSTを発生させ
ることでエンベロープの検出を行っている。ディスクリ
ート素子でサンプルホールド回路を構成する場合は、容
量素子の容量値Choldを大きめに設定できるので、要求
されるホールド電圧保持特性も得るのが容易である。
FIG. 29 is a waveform diagram showing an operation example of a peak detection circuit PD10a composed of a peak hold circuit 10 controlled by a reset signal RST and a sample hold circuit 20 controlled by a sampling clock signal SCK. is there. As shown in FIG. 29, the peak detection circuit PD10a detects the envelope by generating a sampling clock signal SCK and a reset signal RST each time a peak is input. When the sample-hold circuit is formed by discrete elements, the capacitance value Chold of the capacitance element can be set to a relatively large value, so that it is easy to obtain required hold voltage holding characteristics.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近のシス
テムの小型軽量化に伴い、アナログ信号処理用の回路も
半導体集積回路の一部として取り込まれるようになって
きている。しかしながら、大きな容量素子を形成するこ
との困難な半導体集積回路では、ピーク検出回路を構成
するピークホールド回路やサンプルホールド回路の電圧
保持に用いられる容量素子も数pFから大きくても数百
pFと制限されてしまう。半導体集積回路において、取
り扱う信号周波数の高い通信用のアナログ信号処理回路
にピークホールド回路を使用することは、従来の回路技
術でも可能であったが、取り扱う信号周波数の低いたと
えばサーボ制御用のアナログ信号処理回路にピークホー
ルド回路を使用することは、ホールド電圧保持特性が信
号周波数に反比例して厳しくなるので非常に困難であっ
た。
With the recent reduction in size and weight of systems, analog signal processing circuits have also been incorporated as part of semiconductor integrated circuits. However, in a semiconductor integrated circuit in which it is difficult to form a large capacitance element, the capacitance element used to hold the voltage of the peak hold circuit and the sample hold circuit constituting the peak detection circuit is limited to several pF to several hundred pF at most. Will be done. In a semiconductor integrated circuit, it is possible to use a peak hold circuit for a communication analog signal processing circuit having a high signal frequency to be handled by a conventional circuit technology. It is very difficult to use a peak hold circuit for the processing circuit because the hold voltage holding characteristic becomes strict in inverse proportion to the signal frequency.

【0017】すなわち、半導体集積回路では、ディスク
リートのコンデンサのような容量値を半導体チップ上に
形成しようとすると、広いレイアウト面積や、あるい
は、高容量素子専用の加工工程が必要となってしまい、
半導体チップの製造コストが見合わないものになってし
まう。このため、半導体チップの製造コストが見合う範
囲の容量素子の容量値で設計することになり、ディスク
リートの素子で回路を組んだ場合に比較して、非常に小
さい容量素子の容量値でピーク検出回路を設計しなけれ
ばならない。高い信号周波数を取り扱う場合は、ホール
ド電圧を保持しなければならない時間は短くて良いた
め、半導体集積回路化が容易であった。しかしながら、
半導体集積回路で数Hzから数十Hzの低い信号周波数
を取り扱おうとしても、周波数に反比例して保持時間が
長くなるため、従来の回路技術では困難であった。たと
えば、高抵抗でホールド電圧の減衰を行おうとするとギ
ガオーダーの高抵抗が必要であるが、その位のオーダー
の高抵抗になるとばらつきが大きくなるため、必要な特
性を安定して得ることが困難である。また、高抵抗を使
わない回路においても、ホールドノードに接続した整流
素子やリセット用のMOSトランジスタに発生するリー
ク電流によって、ホールドした電圧が経時的に変化して
しまい、要求されるホールド電圧保持特性を実現するの
が困難であった。
That is, in a semiconductor integrated circuit, when a capacitance value such as a discrete capacitor is to be formed on a semiconductor chip, a large layout area or a processing step dedicated to a high-capacity element is required.
The production cost of the semiconductor chip is not worth it. For this reason, the design is performed with the capacitance value of the capacitance element within a range where the manufacturing cost of the semiconductor chip is commensurate, and the peak detection circuit is extremely small in capacitance value of the capacitance element as compared with a case where the circuit is formed by discrete elements. Must be designed. When handling a high signal frequency, the time during which the hold voltage must be held may be short, so that it has been easy to implement a semiconductor integrated circuit. However,
Even if a semiconductor integrated circuit attempts to handle a low signal frequency of several Hz to several tens of Hz, it has been difficult with conventional circuit technology because the holding time becomes long in inverse proportion to the frequency. For example, when trying to attenuate the hold voltage with a high resistance, a high resistance on the order of giga is required, but if the resistance becomes high on that order, the dispersion increases, making it difficult to obtain the required characteristics stably. It is. Further, even in a circuit that does not use a high resistance, the held voltage changes with time due to a leak current generated in a rectifying element and a reset MOS transistor connected to the hold node, and a required hold voltage holding characteristic is required. Was difficult to achieve.

【0018】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、ホールド電圧保持用の容量素子
を外付けとしないで、数Hzから数十Hzの低い入力信
号に対応でき、しかも簡単なプロセスで半導体集積回路
中に作製でき、システムの小型化、部品点数の削減がで
き、ひいては装置のコスト削減を図れるピーク検出回路
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to be able to cope with a low input signal of several Hz to several tens of Hz without externally providing a capacitor for holding a hold voltage. In addition, it is an object of the present invention to provide a peak detection circuit which can be manufactured in a semiconductor integrated circuit by a simple process, can reduce the size of the system, reduce the number of components, and can reduce the cost of the apparatus.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のピーク検出回路は、ホールドノードに接続
された容量素子を有し、入力信号のピーク値をホールド
するピークホールド回路と、所定レベルの電圧源と接続
される減衰用容量素子と、当該減衰用容量素子と上記ピ
ークホールド回路のホールドノードとの接続、非接続状
態を切り換えるスイッチ回路とを備えたスイッチドキャ
パシタとを有する。
To achieve the above object, a peak detection circuit according to the present invention has a peak hold circuit having a capacitance element connected to a hold node and holding a peak value of an input signal, A switched capacitor including an attenuating capacitive element connected to the level voltage source, and a switch circuit for switching a connection / disconnection state between the attenuating capacitive element and the hold node of the peak hold circuit.

【0020】また、本発明のピーク検出回路は、2つの
入力端子を有し、一方の入力端子に信号が入力され、他
方の入力端子にホールドノードの電位が帰還される信号
入力用演算増幅器と、一端子側が上記信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され他端子側に上記ホールドノード
が接続されたホールド用整流素子と、上記ホールドノー
ドに接続されたホールド用容量素子とを備えたピークホ
ールド回路と、所定レベルの電圧源と接続される減衰用
容量素子と、当該減衰用容量素子と上記ピークホールド
回路のホールドノードとの接続、非接続状態を切り換え
るスイッチ回路とを備えたスイッチドキャパシタとを有
する。
The peak detection circuit of the present invention has two input terminals, a signal input operational amplifier in which a signal is input to one input terminal and the potential of the hold node is fed back to the other input terminal. A peak rectifier comprising: a rectifying element for hold having one terminal connected to the output side of the operational amplifier for signal input and the other end connected to the hold node; and a capacitive element for hold connected to the hold node. A switched capacitor including a circuit, an attenuating capacitive element connected to a voltage source of a predetermined level, and a switch circuit for switching a connection / disconnection state between the attenuating capacitive element and the hold node of the peak hold circuit. Having.

【0021】また、本発明では、上記減衰用容量素子の
容量値は、上記ホールド用容量素子の容量値より小さい
値に設定され、上記スイッチ回路の切り換え動作が繰り
返し行われる。
Further, in the present invention, the capacitance value of the attenuation capacitance element is set to a value smaller than the capacitance value of the hold capacitance element, and the switching operation of the switch circuit is repeatedly performed.

【0022】また、本発明では、上記電圧源は、上記ピ
ークホールド回路のホールド電圧から一定電圧を減算し
た電圧を供給する。
In the present invention, the voltage source supplies a voltage obtained by subtracting a fixed voltage from the hold voltage of the peak hold circuit.

【0023】また、本発明では、上記スイッチドキャパ
シタは、上記減衰用容量素子と上記電圧源との接続、非
接続状態を切り換える第2のスイッチ回路を有する。
Further, in the present invention, the switched capacitor has a second switch circuit for switching a connection / disconnection state between the attenuation capacitor and the voltage source.

【0024】また、本発明では、上記整流素子の上記信
号入力用演算増幅器の出力側ノードの電圧をアナロググ
ランドからホールド電圧の間の電圧、もしくは、ホール
ド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電
圧よりもアナロググランドよりの電圧に調整する電圧調
整手段を有する。
In the present invention, the voltage of the output node of the operational amplifier for signal input of the rectifier element may be a voltage between analog ground and a hold voltage or an output of the operational amplifier for signal input during a hold period. There is provided a voltage adjusting means for adjusting the voltage which has passed over to an analog ground voltage.

【0025】また、本発明では、上記電圧調整手段は、
アナロググランドからホールド電圧の間の電圧、もしく
は、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振
り切れた電圧よりもアナロググランドよりの電圧に対応
する基準電圧を受けて、上記信号入力用演算増幅器の出
力側ノードの電圧を当該基準電圧にクランプするクラン
プ回路により構成されている。
In the present invention, the voltage adjusting means includes:
A voltage between the analog ground and the hold voltage, or a reference voltage corresponding to a voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the signal input operational amplifier has fallen during the hold period, receives the reference voltage corresponding to the voltage from the analog ground. It is constituted by a clamp circuit that clamps the voltage of the output side node to the reference voltage.

【0026】また、本発明では、上記クランプ回路は、
2つの入力端子を有し、一方の入力端子に上記基準電圧
が供給され、他方の入力端子に上記信号入力用演算増幅
器の出力側ノードの電圧が供給されるクランプ用演算増
幅器と、一端子側が上記クランプ用演算増幅器の出力側
に接続され他端子側が上記信号入力用演算増幅器の出力
側ノードと当該クランプ用演算増幅器の他方の入力端子
との接続点に接続された整流素子と有する。また、上記
クランプ回路は、上記信号入力用演算増幅器の出力側と
上記クランプ用演算増幅器の他方の入力端子との間に接
続された抵抗素子を有する。また、上記クランプ回路の
抵抗素子は、ゲートに制御信号が供給された絶縁ゲート
型電界効果トランジスタにより構成されている。
According to the present invention, the clamp circuit includes:
A clamping operational amplifier having two input terminals, one input terminal receiving the reference voltage and the other input terminal receiving the voltage of the output node of the signal input operational amplifier; It has a rectifying element connected to the output side of the operational amplifier for clamping and the other terminal connected to a connection point between the output side node of the operational amplifier for signal input and the other input terminal of the operational amplifier for clamping. Further, the clamp circuit has a resistance element connected between the output side of the signal input operational amplifier and the other input terminal of the clamp operational amplifier. The resistance element of the clamp circuit is constituted by an insulated gate field effect transistor having a gate supplied with a control signal.

【0027】また、本発明では、上記制御信号は、ホー
ルド期間中は上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを
導通状態に保持させ、上記ホールドノードのリセット時
に上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを非導通状態
に保持させる信号である。
Further, in the present invention, the control signal causes the insulated gate field effect transistor to be held in a conductive state during a hold period, and turns off the insulated gate field effect transistor when the hold node is reset. This is a signal to be held.

【0028】また、本発明では、上記整流素子は、上記
信号入力用演算増幅器の出力ノード側からホールドノー
ドに向かって順方向となるように接続され、かつ、上記
信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルアップ回路が
接続されている。
In the present invention, the rectifying element is connected so as to be in a forward direction from an output node side of the signal input operational amplifier toward a hold node, and is connected to an output node of the signal input operational amplifier. Is connected to a pull-up circuit.

【0029】また、本発明では、上記整流素子は、ホー
ルドノードから上記信号入力用演算増幅器の出力ノード
側に向かって順方向となるように接続され、かつ、上記
信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルダウン回路が
接続されている。
In the present invention, the rectifying element is connected so as to be in a forward direction from the hold node toward the output node of the signal input operational amplifier, and is connected to the output node of the signal input operational amplifier. Is connected to a pull-down circuit.

【0030】また、本発明では、上記整流素子は、一端
子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側に接続され、
他端子側に上記ホールドノードが接続され、当該一端子
側または他端子側のいずれかとゲートとが接続された絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、上記
整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
バルク端子にアナロググランドからホールド電圧の間の
中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算
増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路を有する。
In the present invention, one terminal of the rectifier is connected to the output of the operational amplifier for signal input.
The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to any one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected.The insulated gate field effect transistor is used as the rectifying element. The bulk terminal has an intermediate voltage generating circuit for supplying an intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage or an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off.

【0031】また、本発明では、上記整流素子は、一端
子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側に接続され、
他端子側に上記ホールドノードが接続され、当該一端子
側または他端子側のいずれかとゲートとが接続された絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、上記
整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
バルク端子にアナロググランドからホールド電圧の間の
中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算
増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧を供給するとともに、当該中間電圧を上
記クランプ回路へ上記基準電圧として供給する中間電圧
発生回路を有する。
In the present invention, one terminal of the rectifier is connected to the output of the operational amplifier for signal input.
The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to any one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected.The insulated gate field effect transistor is used as the rectifying element. An intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage, or an intermediate voltage from the analog ground that is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has run out during the hold period, and clamps the intermediate voltage to the bulk terminal. And an intermediate voltage generating circuit for supplying the reference voltage to the circuit.

【0032】また、本発明では、上記スイッチドキャパ
シタの上記ホールドノードとの接続状態を切り換えるス
イッチ回路が絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより
構成され、上記スイッチ回路の絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタのバルク端子にアナロググランドからホール
ド電圧の間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信
号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナ
ロググランドよりの中間電圧を供給する中間電圧発生回
路を有する。
In the present invention, the switch circuit for switching the connection state of the switched capacitor with the hold node is constituted by an insulated gate field effect transistor, and is connected to a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of the switch circuit. An intermediate voltage generating circuit is provided which supplies an intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage or an intermediate voltage from the analog ground which is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off.

【0033】また、本発明では、上記整流素子は、一端
子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側に接続され、
他端子側に上記ホールドノードが接続され、当該一端子
側または他端子側のいずれかとゲートとが接続された絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、か
つ、上記スイッチドキャパシタの上記ホールドノードと
の接続状態を切り換えるスイッチ回路が絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、上記整流素子とし
ての絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子お
よび上記スイッチ回路の絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧
の間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力
用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググ
ランドよりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路とを
有する。
In the present invention, one terminal of the rectifier is connected to the output of the operational amplifier for signal input.
The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected to the switch node. A switch circuit for switching a connection state is constituted by an insulated gate field effect transistor. The bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifier element and the bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of the switch circuit are held from analog ground. An intermediate voltage generating circuit for supplying an intermediate voltage between the voltages or an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off.

【0034】また、本発明では、上記整流素子は、一端
子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側に接続され、
他端子側に上記ホールドノードが接続され、当該一端子
側または他端子側のいずれかとゲートとが接続された絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、か
つ、上記スイッチドキャパシタの上記ホールドノードと
の接続状態を切り換えるスイッチ回路が絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、上記整流素子とし
ての絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子お
よび上記リセット回路の絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧
の間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力
用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググ
ランドよりの中間電圧を供給するとともに、当該中間電
圧を上記クランプ回路へ上記基準電圧として供給する中
間電圧発生回路とを有する。
In the present invention, one terminal of the rectifier is connected to the output of the operational amplifier for signal input.
The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected to the switch node. A switch circuit for switching a connection state is constituted by an insulated gate field effect transistor. The bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element and the bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of the reset circuit are held from analog ground. An intermediate voltage between the voltages, or an intermediate voltage from the analog ground which is higher than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has been cut off, and the intermediate voltage is supplied to the clamp circuit as the reference voltage. And the intermediate voltage generation circuit To.

【0035】また、本発明のピーク検出回路は、2つの
入力端子を有し、一方の入力端子に信号が入力され、他
方の入力端子に第1のホールドノードの電位が帰還され
る第1の信号入力用演算増幅器と、一端子側が上記第1
の信号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側
に上記第1のホールドノードが接続された第1のホール
ド用整流素子と、上記第1のホールドノードに接続され
た第1のホールド用容量素子と、リセット時にホールド
電圧を減衰させるための減衰手段とを備えた第1のピー
クホールド回路と、2つの入力端子を有し、一方の入力
端子に上記信号が入力され、他方の入力端子に第2のホ
ールドノードの電位が帰還される第2の信号入力用演算
増幅器と、一端子側が上記第2の信号入力用演算増幅器
の出力側に接続され、他端子側に上記第2のホールドノ
ードが接続された第2のホールド用整流素子と、上記第
2のホールドノードに接続された第2のホールド用容量
素子と、少なくとも上記第1のピークホールド回路でピ
ーク値がホールドされた当該第1のピークホールド回路
の第1のホールドノードの電位を当該第2のホールドノ
ードに伝達するロード手段とを備えた第2のピークホー
ルド回路とを有する。
Further, the peak detection circuit of the present invention has two input terminals, a signal is input to one input terminal, and a potential of the first hold node is fed back to the other input terminal. An operational amplifier for signal input, and one terminal
A first hold rectifying element connected to the output side of the operational amplifier for signal input and the other terminal side connected to the first hold node; and a first hold connected to the first hold node. A first peak hold circuit including a capacitive element for use and an attenuating means for attenuating a hold voltage at the time of reset; and two input terminals. The input signal is input to one input terminal, and the other input terminal. A second signal input operational amplifier having a terminal to which the potential of the second hold node is fed back, one terminal connected to the output side of the second signal input operational amplifier, and the other terminal connected to the second signal input operational amplifier. A second hold rectifier connected to the hold node; a second hold capacitor connected to the second hold node; and a peak value held by at least the first peak hold circuit. The potentials of the first holding node of the first peak hold circuit and a second peak hold circuit comprising a load means for transmitting to the second hold node.

【0036】また、本発明では、上記減衰手段は、リセ
ット時に上記第1のホールドノードをリセット電位に接
続する第1のスイッチにより構成され、上記ロード手段
は、ロード時に、上記第2のホールドノードを上記第1
のピークホールド回路の第1のホールドノードに接続す
る第2のスイッチにより構成されている。
In the present invention, the attenuating means is constituted by a first switch connecting the first hold node to a reset potential at the time of reset, and the load means is provided at the time of loading by the second hold node. Is the first
And a second switch connected to the first hold node of the peak hold circuit.

【0037】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路の第1の整流素子は、一端子側が上記第1の信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記第1のホールドノードが接続され、当該一端子側また
は他端子側のいずれかとゲートが接続されると整流素子
として機能する第1の絶縁ゲート型電界効果トランジス
タにより構成され、かつ、上記第2のピークホールド回
路の第2の整流素子は、一端子側が上記第2の信号入力
用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記第2
のホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートが接続されると整流素子として
機能する第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタによ
り構成され、上記減衰手段は、ホールド期間中は、上記
第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一端子側ま
たは他端子側のいずれかとゲートとを接続させて第1の
整流素子として機能させ、上記第1のホールドノードの
リセット時には、当該一端子側または他端子側のいずれ
かとゲートとを非接続状態に保持させて、当該第1の絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状態に保持させ
るリセット・ホールド切換回路により構成され、上記ロ
ード手段は、ホールド期間中は、上記第2の絶縁ゲート
型電界効果トランジスタの一端子側または他端子側のい
ずれかとゲートとを接続させて第2の整流素子として機
能させ、ロード時には、当該一端子側または他端子側の
いずれかとゲートとを非接続状態に保持させて、当該第
2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状態に保
持させるとともに、上記第1のピークホールド回路の第
1のホールドノードを上記第2の絶縁ゲート型電界効果
トランジスタの一端子側に接続させるロード・ホールド
切換回路により構成されている。
In the present invention, the first rectifying element of the first peak hold circuit has one terminal connected to the output of the first signal input operational amplifier and the other terminal connected to the first terminal. And a first insulated gate field effect transistor that functions as a rectifying element when the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and the second peak hold The second rectifier element of the circuit has one terminal connected to the output of the second signal input operational amplifier and the other terminal connected to the second terminal.
And a second insulated gate field effect transistor that functions as a rectifying element when the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side. Connects the gate of either one terminal or the other terminal of the first insulated gate type field effect transistor to function as a first rectifier element, and resets the first hold node when the first hold node is reset. The load means is constituted by a reset / hold switching circuit for holding either the terminal side or the other terminal side and the gate in a non-connected state and holding the first insulated gate type field effect transistor in a conductive state. During the hold period, the gate is connected to either one terminal or the other terminal of the second insulated gate field effect transistor. Connected to function as a second rectifying element, and at the time of loading, one of the one terminal side or the other terminal side and the gate are kept in a non-connected state, so that the second insulated gate field effect transistor is turned on. And a load / hold switching circuit for connecting the first hold node of the first peak hold circuit to one terminal of the second insulated gate field effect transistor.

【0038】本発明では、上記減衰手段は、リセット時
に上記第1のホールドノードをリセット電位に接続する
第1のスイッチにより構成され、上記第2のピークホー
ルド回路の第2の整流素子は、一端子側が上記第2の信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記第2のホールドノードが接続され、当該一端子側また
は他端子側のいずれかとゲートが接続されると整流素子
として機能する絶縁ゲート型電界効果トランジスタによ
り構成され、上記ロード手段は、ホールド期間中は、上
記絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一端子側または
他端子側のいずれかとゲートとを接続させて第2の整流
素子として機能させ、ロード時には、当該一端子側また
は他端子側のいずれかとゲートとを非接続状態に保持さ
せて、当該絶縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状
態に保持させるとともに、上記第1のピークホールド回
路の第1のホールドノードを上記絶縁ゲート型電界効果
トランジスタの一端子側に接続させるロード・ホールド
切換回路により構成されている。
In the present invention, the attenuating means is constituted by a first switch for connecting the first hold node to a reset potential at the time of reset, and the second rectifying element of the second peak hold circuit comprises one switch. The terminal side is connected to the output side of the second signal input operational amplifier, the other terminal side is connected to the second hold node, and the rectification is performed when the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side. The load means comprises an insulated gate type field effect transistor functioning as an element, and the load means connects the gate to either one terminal side or the other terminal side of the insulated gate type field effect transistor during a hold period to form a second element. During loading, either the one terminal side or the other terminal side and the gate are kept in a non-connected state, and the insulating gate is connected. And a load / hold switching circuit for connecting the first hold node of the first peak hold circuit to one terminal of the insulated gate field effect transistor while keeping the transistor in a conductive state. I have.

【0039】本発明では、上記第1のピークホールド回
路の第1の整流素子は、一端子側が上記第1の信号入力
用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記第1
のホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートが接続されると整流素子として
機能する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成
され、かつ、上記減衰手段は、ホールド期間中は、上記
第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一端子側ま
たは他端子側のいずれかとゲートとを接続させて第1の
整流素子として機能させ、上記第1のホールドノードの
リセット時には、当該一端子側または他端子側のいずれ
かとゲートとを非接続状態に保持させて、当該絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタを導通状態に保持させるリセ
ット・ホールド切換回路により構成され、上記ロード手
段は、ロード時に、上記第2のホールドノードを上記第
1のピークホールド回路の第1のホールドノードに接続
する第2のスイッチにより構成されている。
In the present invention, the first rectifying element of the first peak hold circuit has one terminal connected to the output of the first signal input operational amplifier and the other terminal connected to the first terminal.
Is connected, and the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and is constituted by an insulated gate type field effect transistor which functions as a rectifying element, and the attenuating means is provided during a hold period. Connecting the gate to either the one terminal side or the other terminal side of the first insulated gate field effect transistor to function as a first rectifying element, and resetting the one terminal when resetting the first hold node. And a reset / hold switching circuit for holding the gate in a non-connected state with either the side or the other terminal side and holding the insulated gate field effect transistor in a conductive state. A second switch for connecting the second hold node to the first hold node of the first peak hold circuit; And it is made of.

【0040】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子の上記信号入力用演算
増幅器の出力側ノードの電圧をアナロググランドからホ
ールド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期間中の信
号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナ
ロググランドよりの電圧に調整する電圧調整手段を有す
る。
According to the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, a voltage at an output node of the operational amplifier for signal input of the rectifier element is held from analog ground. There is provided a voltage adjusting means for adjusting a voltage between the voltages or a voltage from the analog ground to a voltage from which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has swung off.

【0041】また、本発明では、上記電圧調整手段は、
アナロググランドからホールド電圧の間の電圧、もしく
は、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振
り切れた電圧よりもアナロググランドよりの電圧に対応
する基準電圧を受けて、上記信号入力用演算増幅器の出
力側ノードの電圧を当該基準電圧にクランプするクラン
プ回路により構成されている。
Further, according to the present invention, the voltage adjusting means includes:
A voltage between the analog ground and the hold voltage, or a reference voltage corresponding to a voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the signal input operational amplifier has fallen during the hold period, receives the reference voltage corresponding to the voltage from the analog ground. It is constituted by a clamp circuit that clamps the voltage of the output side node to the reference voltage.

【0042】また、本発明では、上記クランプ回路は、
2つの入力端子を有し、一方の入力端子に上記基準電圧
が供給され、他方の入力端子に上記信号入力用演算増幅
器の出力側ノードの電圧が供給されるクランプ用演算増
幅器と、一端子側が上記クランプ用演算増幅器の出力側
に接続され、他端子側が上記信号入力用演算増幅器の出
力側ノードと当該クランプ用演算増幅器の他方の入力端
子との接続点に接続された整流素子とを有する。また、
上記クランプ回路は、上記信号入力用演算増幅器の出力
側と上記クランプ用演算増幅器の他方の入力端子との間
に接続された抵抗素子を有する。また、上記クランプ回
路の抵抗素子は、ゲートに制御信号が供給された絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタにより構成されている。
Further, according to the present invention, the clamp circuit includes:
A clamping operational amplifier having two input terminals, one input terminal receiving the reference voltage and the other input terminal receiving the voltage of the output node of the signal input operational amplifier; A rectifying element is connected to the output side of the operational amplifier for clamping and has another terminal connected to a connection point between the output node of the operational amplifier for signal input and the other input terminal of the operational amplifier for clamping. Also,
The clamp circuit has a resistance element connected between the output side of the signal input operational amplifier and the other input terminal of the clamp operational amplifier. The resistance element of the clamp circuit is constituted by an insulated gate field effect transistor having a gate supplied with a control signal.

【0043】また、本発明では、上記制御信号は、ホー
ルド期間中は上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを
導通状態に保持させ、上記ホールドノードのリセット時
に上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを非導通状態
に保持させる信号である。
Further, in the present invention, the control signal causes the insulated gate field effect transistor to be held in a conductive state during a hold period, and turns off the insulated gate field effect transistor when the hold node is reset. This is a signal to be held.

【0044】また、本発明では、上記制御信号は、上記
クランプ用演算増幅器の出力電圧に応じて設定されたク
ランプアシスト電圧信号である。
In the present invention, the control signal is a clamp assist voltage signal set according to the output voltage of the clamp operational amplifier.

【0045】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、上記信号入力用演
算増幅器の出力ノード側からホールドノードに向かって
順方向となるように接続され、かつ、上記信号入力用演
算増幅器の出力ノードにプルアップ回路が接続されてい
る。
Further, in the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifying element is arranged from the output node side of the signal input operational amplifier toward the hold node. The pull-up circuit is connected so as to be in a forward direction, and is connected to an output node of the operational amplifier for signal input.

【0046】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、ホールドノードか
ら上記信号入力用演算増幅器の出力ノード側に向かって
順方向となるように接続され、かつ、上記信号入力用演
算増幅器の出力ノードにプルダウン回路が接続されてい
る。
Further, in the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier element is arranged from a hold node toward an output node of the signal input operational amplifier. The pull-down circuit is connected so as to be in the forward direction, and is connected to the output node of the operational amplifier for signal input.

【0047】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、一端子側が上記信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、上記整流素子とし
ての絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子に
アナロググランドからホールド電圧の間の中間電圧、も
しくは、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力
が振り切れた電圧よりもアナロググランドよりの中間電
圧を供給する中間電圧発生回路を有する。
According to the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifying element has one terminal connected to the output side of the signal input operational amplifier, The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to any one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected.The insulated gate field effect transistor is used as the rectifying element. The bulk terminal has an intermediate voltage generating circuit for supplying an intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage or an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off.

【0048】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、一端子側が上記信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、上記整流素子とし
ての絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子に
アナロググランドからホールド電圧の間の中間電圧、も
しくは、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力
が振り切れた電圧よりもアナロググランドよりの中間電
圧を供給するとともに、当該中間電圧を上記クランプ回
路へ上記基準電圧として供給する中間電圧発生回路を有
する。
Further, in the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifying element has one terminal connected to the output side of the signal input operational amplifier, The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to any one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected.The insulated gate field effect transistor is used as the rectifying element. An intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage, or an intermediate voltage from the analog ground that is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has run out during the hold period, and clamps the intermediate voltage to the bulk terminal. And an intermediate voltage generating circuit for supplying the reference voltage to the circuit.

【0049】また、本発明では、上記減衰手段は、リセ
ット時に上記第1のホールドノードをリセット電位に接
続する第1のスイッチからなる絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタにより構成され、上記ロード手段は、ロード
時に、上記第2のホールドノードを上記第1のピークホ
ールド回路の第1のホールドノードに接続する第2のス
イッチからなる絶縁ゲート型電界効果トランジスタによ
り構成され、上記減衰手段またはロード手段の少なくと
も一方の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端
子にアナロググランドからホールド電圧の間の中間電
圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器
の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランドよりの
中間電圧を供給する中間電圧発生回路を有する。
Further, in the present invention, the attenuating means is constituted by an insulated gate type field effect transistor comprising a first switch connecting the first hold node to a reset potential at the time of resetting, and the loading means comprises a load. Occasionally, the second hold node is constituted by an insulated gate type field effect transistor comprising a second switch connecting the second hold node to the first hold node of the first peak hold circuit, and at least one of the attenuation means or the load means Supply the intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage to the bulk terminal of the insulated gate type field effect transistor, or the intermediate voltage from the analog ground that is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off It has an intermediate voltage generation circuit.

【0050】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、一端子側が上記信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、かつ、上記減衰手
段は、リセット時に上記第1のホールドノードをリセッ
ト電位に接続する第1のスイッチからなる絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成され、上記ロード手段
は、ロード時に、上記第2のホールドノードを上記第1
のピークホールド回路の第1のホールドノードに接続す
る第2のスイッチからなる絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタにより構成され、上記整流素子としての絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタのバルク端子および上記減衰
手段またはロード手段の少なくとも一方の絶縁ゲート型
電界効果トランジスタのバルク端子にアナロググランド
からホールド電圧の間の中間電圧、もしくは、ホールド
期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧
よりもアナロググランドよりの中間電圧を供給する中間
電圧発生回路とを有する。
In the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, one terminal of the rectifier is connected to the output of the operational amplifier for signal input. The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected to the other. Is connected to a reset potential, the insulated gate type field effect transistor comprising a first switch, and the load means connects the second hold node to the first node during loading.
, And a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element and the attenuating means or the loading means. The intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage at the bulk terminal of at least one of the insulated gate type field effect transistors, or the intermediate voltage from the analog ground which is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off And an intermediate voltage generating circuit for supplying the same.

【0051】また、本発明では、上記第1のピークホー
ルド回路または上記第2のピークホールド回路の少なく
とも一方において、上記整流素子は、一端子側が上記信
号入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上
記ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電
界効果トランジスタにより構成され、かつ、上記減衰手
段は、リセット時に上記第1のホールドノードをリセッ
ト電位に接続する第1のスイッチからなる絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成され、上記ロード手段
は、ロード時に、上記第2のホールドノードを上記第1
のピークホールド回路の第1のホールドノードに接続す
る第2のスイッチからなる絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタにより構成され、上記整流素子としての絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタのバルク端子および上記減衰
手段またはロード手段の少なくとも一方の絶縁ゲート型
電界効果トランジスタのバルク端子にアナロググランド
からホールド電圧の間の中間電圧、もしくは、ホールド
期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧
よりもアナロググランドよりの中間電圧を供給するとと
もに、当該中間電圧を上記クランプ回路へ上記基準電圧
として供給する中間電圧発生回路とを有する。
Further, in the present invention, in at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifying element has one terminal connected to the output side of the signal input operational amplifier, The hold node is connected to the other terminal side, the gate is connected to one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected to the other. Is connected to a reset potential, the insulated gate type field effect transistor comprising a first switch, and the load means connects the second hold node to the first node during loading.
, And a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element and the attenuating means or the loading means. The intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage at the bulk terminal of at least one of the insulated gate type field effect transistors, or the intermediate voltage from the analog ground which is lower than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off And an intermediate voltage generating circuit for supplying the intermediate voltage to the clamp circuit as the reference voltage.

【0052】本発明によれば、ピークホールド回路が、
入力信号の振幅が次第に大きくなっていくときは、新し
いピーク値を次々とホールドしていくが、入力信号の振
幅が次第に小さくなっていくときは、次のピーク値より
も一旦ホールド電圧を小さくしないと新しいピーク値を
ホールドできないことから、ピークホールド回路のホー
ルドノードにおけるホールド電圧を減衰させるスイッチ
ドキャパシタが当該ホールドノードに接続され、これに
より、ホールド電圧が減衰され、ピーク検出が確実に行
われる。
According to the present invention, the peak hold circuit
When the amplitude of the input signal gradually increases, the new peak value is held one after another, but when the amplitude of the input signal gradually decreases, the hold voltage is not once reduced below the next peak value. Since a new peak value cannot be held, a switched capacitor for attenuating the hold voltage at the hold node of the peak hold circuit is connected to the hold node, whereby the hold voltage is attenuated and peak detection is reliably performed.

【0053】また、本発明によれば、たとえば第1のピ
ークホールド回路では、入力信号のパルスが入力するご
とに減衰手段により第1のホールドノードの電位が減衰
され、入力信号のパルスのピーク値が振幅の増大、減少
にかかわらず次々と検出される。一方、第2のピークホ
ールド回路では、ロード手段により第1のピークホール
ド回路のホールド電圧出力が第2のホールドノードに伝
達される。そして、入力信号の振幅が次第に大きくなる
ときは第2のピークホールド回路を構成する演算増幅器
を通して速やかにピーク値がホールドされる。これに対
して、入力信号の振幅が次第に小さくなるときは、ロー
ド手段により第1のピークホールド回路のホールド電圧
出力が第2のピークホールド回路の第2のホールドノー
ドに伝達される。
Further, according to the present invention, for example, in the first peak hold circuit, the potential of the first hold node is attenuated by the attenuating means every time a pulse of the input signal is input, and the peak value of the pulse of the input signal is reduced. Are detected one after another regardless of the increase or decrease in the amplitude. On the other hand, in the second peak hold circuit, the load voltage output of the first peak hold circuit is transmitted to the second hold node by the load means. Then, when the amplitude of the input signal gradually increases, the peak value is quickly held through the operational amplifier constituting the second peak hold circuit. On the other hand, when the amplitude of the input signal gradually decreases, the load voltage output of the first peak hold circuit is transmitted to the second hold node of the second peak hold circuit by the load means.

【0054】本発明によれば、電圧調整手段が設けられ
ることにより、演算増幅器の出力は電圧調整手段でアナ
ロググランドからホールド電圧の間の中間電圧、もしく
は、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振
り切れた電圧よりもアナロググランドよりの電圧に対応
した基準電圧に調整されることから、入力信号がピーク
値を過ぎると演算増幅器の出力からは、基準電圧付近の
電圧が出力される。これにより、整流素子の演算増幅器
側のノードとホールドノードの電圧差がクランプ回路等
の電圧調整手段を設けていない従来回路に比べて小さく
なり、ひいては整流素子のおけるリーク電流が減少し、
良好な保持特性が得られる。
According to the present invention, the provision of the voltage adjustment means allows the output of the operational amplifier to output the intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage by the voltage adjustment means, or the output of the operational amplifier for signal input during the hold period. Since the output voltage is adjusted to the reference voltage corresponding to the voltage from the analog ground rather than the voltage at which the output has been swung, a voltage near the reference voltage is output from the output of the operational amplifier when the input signal exceeds the peak value. As a result, the voltage difference between the node on the operational amplifier side of the rectifying element and the hold node is smaller than that of a conventional circuit that does not include voltage adjusting means such as a clamp circuit, and the leakage current in the rectifying element is reduced,
Good holding characteristics are obtained.

【0055】また、本発明によれば、クランプ回路の抵
抗素子が、ゲートに制御信号が供給された絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成された場合、ホールド
期間中は絶縁ゲート型電界効果トランジスタが導通状態
に保持され、リセット時に絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタが非導通状態に保持される。これにより、リセッ
トが確実に行われ、また、リセット解除直後に演算増幅
器の出力が中間電位に戻るのに時間がかかった場合であ
ってもホールド電圧が逆方向に変化することが防止され
る。
According to the present invention, when the resistance element of the clamp circuit is constituted by an insulated gate field effect transistor having a gate supplied with a control signal, the insulated gate field effect transistor is turned on during the hold period. State, and the insulated gate field effect transistor is held in a non-conductive state at the time of reset. This ensures that the reset is performed, and prevents the hold voltage from changing in the reverse direction even when it takes time for the output of the operational amplifier to return to the intermediate potential immediately after the reset is released.

【0056】また、本発明によれば、クランプ回路の抵
抗素子が、ゲートに制御信号が供給された絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成された場合で、制御信
号は、上記クランプ用演算増幅器の出力電圧に応じて設
定されたクランプアシスト電圧信号である場合には、信
号入力用演算増幅器の出力が大きく振れるとき、クラン
プ動作中、抵抗素子和の電流能力が小さくなるようにク
ランプアシスト電圧信号で制御される。
According to the present invention, when the resistance element of the clamp circuit is constituted by an insulated gate type field effect transistor having a gate supplied with a control signal, the control signal is output from the clamp operational amplifier. When the clamp assist voltage signal is set according to the voltage, when the output of the operational amplifier for signal input swings greatly, the clamp assist voltage signal is used to reduce the current capability of the sum of the resistance elements during the clamp operation. Is done.

【0057】また、本発明によれば、ピークホールド回
路の整流素子が、絶縁ゲート型電界効果トランジスタに
より構成され、および/または、ホールド電圧をリセッ
トするため、リセット時に上記ホールドノードをリセッ
ト電位に接続するスイッチとしての絶縁ゲート型電界効
果トランジスタからなる減衰手段並びにロード手段が設
けられている場合、整流素子としての絶縁ゲート型電界
効果トランジスタのバルク端子および上記リセット回路
の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子にア
ナロググランドからホールド電圧の間の中間電圧、もし
くは、ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が
振り切れた電圧よりもアナロググランドよりの中間電圧
が供給され、また、クランプ回路あるいはコンパレータ
へ基準電圧として供給される。これにより、整流素子や
リセット回路におけるリーク電流が減少する。
According to the present invention, the rectifying element of the peak hold circuit is constituted by an insulated gate field effect transistor and / or resets the hold voltage. In the case where the attenuating means and the load means comprising an insulated gate type field effect transistor as a switch to be provided are provided, the bulk terminal of the insulated gate type field effect transistor as a rectifying element and the bulk of the insulated gate type field effect transistor of the reset circuit The terminal is supplied with an intermediate voltage between the analog ground and the hold voltage, or an intermediate voltage from the analog ground that is higher than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off. As voltage It is fed. Thereby, the leak current in the rectifier and the reset circuit is reduced.

【0058】[0058]

【発明の実施の形態】第1実施形態 図1は、本発明に係るピーク検出回路の第1の実施形態
を示すブロック構成図で、図2はピーク検出回路の具体
的な構成例を示す回路図である。なお、本第1の実施形
態に係る図2に示す具体的な回路は上限値用である。本
第1の実施形態に係るピーク検出回路PD100は、図
1および図2に示すように、ピークホールド回路100
と、ホールド電圧を減衰させるためのスイッチドキャパ
シタ200により構成された減衰機能付ピーク検出回路
である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a peak detection circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit showing a specific configuration example of the peak detection circuit. FIG. The specific circuit shown in FIG. 2 according to the first embodiment is for the upper limit value. The peak detection circuit PD100 according to the first embodiment includes a peak hold circuit 100, as shown in FIGS.
And a peak detection circuit with an attenuation function configured by a switched capacitor 200 for attenuating the hold voltage.

【0059】ピークホールド回路100は、図2に示す
ように、オペアンプ110、整流素子120、およびホ
ールド用容量素子130により構成されている。
As shown in FIG. 2, the peak hold circuit 100 includes an operational amplifier 110, a rectifying element 120, and a holding capacitive element 130.

【0060】オペアンプ110は、非反転入力端子
(+)に入力信号INが入力され、反転入力端子(−)
にホールドノードND101の電圧が帰還される。
In the operational amplifier 110, the input signal IN is input to the non-inverting input terminal (+), and the inverting input terminal (-)
, The voltage of the hold node ND101 is fed back.

【0061】整流素子120は、オペアンプ110の出
力とホールドノードND101との間に接続されてい
る。整流素子120は、オペアンプ110の出力からホ
ールドノードND101に向かって順方向となるように
接続された、たとえば半導体基板中に形成されたダイオ
ードにより構成されている。
The rectifier 120 is connected between the output of the operational amplifier 110 and the hold node ND101. Rectifier 120 is formed of, for example, a diode formed in a semiconductor substrate and connected in a forward direction from the output of operational amplifier 110 toward hold node ND101.

【0062】ホールド用容量素子130は、一方の電極
がホールドノードND101に接続され、他方の電極が
接地されており、入力信号INのオペアンプ110を介
した信号電圧をホールドする。
The hold capacitive element 130 has one electrode connected to the hold node ND101 and the other electrode grounded, and holds the signal voltage of the input signal IN via the operational amplifier 110.

【0063】スイッチドキャパシタ200は、ピークホ
ールド回路100が、入力信号の振幅が次第に大きくな
っていくときは、新しいピーク値を次々とホールドして
いくが、入力信号の振幅が次第に小さくなっていくとき
は、次のピーク値よりも一旦ホールド電圧を小さくしな
いと新しいピーク値をホールドできないことから、ピー
クホールド回路100のホールドノードND101にお
けるホールド電圧を減衰させるために設けられている。
このような機能を有するスイッチドキャパシタ200
は、図2に示すように、ノードND201と接地ライン
との間に接続されたホールド電圧を減衰させるための減
衰用容量素子210と、ノードND201とピークホー
ルド回路100のホールドノードND101との接続、
非接続状態を信号φrdcに応じて切り換える第1のス
イッチ回路220と、ノードND201とVRSTある
いはAGNDの電圧源との接続、非接続状態を信号φr
dczに応じて切り換える第2のスイッチ回路230に
より構成されている。
In the switched capacitor 200, when the amplitude of the input signal gradually increases, the peak hold circuit 100 holds new peak values one after another, but the amplitude of the input signal gradually decreases. At this time, since the new peak value cannot be held unless the hold voltage is once smaller than the next peak value, the peak voltage is provided to attenuate the hold voltage at the hold node ND101 of the peak hold circuit 100.
Switched capacitor 200 having such a function
As shown in FIG. 2, a connection between the node ND201 and the hold node ND101 of the peak hold circuit 100, and an attenuation capacitor 210 for attenuating a hold voltage connected between the node ND201 and the ground line,
A first switch circuit 220 for switching a non-connection state according to a signal φrdc, and a connection / non-connection state between the node ND201 and a voltage source of VRST or AGND for a signal φr
The second switch circuit 230 switches according to dcz.

【0064】なお、ホールド用容量素子の容量値Chold
と減衰用容量素子の容量値Crdc の比によって、ホール
ド電圧をどの位の割合で減衰させるが設定されている。
The capacitance value Chold of the hold capacitance element
The ratio of the capacitance value of the attenuating capacitance element to the capacitance value Crdc determines how much the hold voltage is attenuated.

【0065】次に、上記構成による動作を、図3のタイ
ミングチャートに関連付けて説明する。入力信号INが
オペアンプ110の非反転入力端子(+)に供給され
る。入力信号レベルがアナロググランドAGNDレベル
から徐々に上昇し、ホールド電圧(ホールドノードND
101の電位)PHOLDよりも大きくなると、オペア
ンプ110の出力は、入力信号よりも整流素子120の
しきい値程度高い電圧付近で発振しながら、入力信号に
追従するようにホールド電圧を引き下げていく。
Next, the operation of the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG. The input signal IN is supplied to a non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 110. The input signal level gradually increases from the analog ground AGND level, and the hold voltage (hold node ND)
When the output voltage of the operational amplifier 110 becomes higher than the input signal (PHOLD), the output of the operational amplifier 110 oscillates near a voltage higher than the input signal by about the threshold value of the rectifying element 120 and lowers the hold voltage so as to follow the input signal.

【0066】このとき、スイッチドキャパシタ200に
おいては、図3(b)、(c)に示すように、信号φr
dcがローレベルで第1のスイッチ回路220に供給さ
れ、信号φrdczがハイレベルで第2のスイッチ回路
230に供給されている。その結果、第1のスイッチ回
路220が非導通状態に保持され、第2のスイッチ回路
230が導通状態に保持されている。したがって、減衰
用容量素子210(ノードND201)はたとえばVR
STの電圧源に接続されており、ノードND201の電
位はVRSTに保持される。
At this time, in the switched capacitor 200, as shown in FIGS. 3B and 3C, the signal φr
dc is supplied to the first switch circuit 220 at a low level, and the signal φrdcz is supplied to the second switch circuit 230 at a high level. As a result, the first switch circuit 220 is kept in a non-conductive state, and the second switch circuit 230 is kept in a conductive state. Therefore, attenuating capacitive element 210 (node ND201) is connected to, for example, VR
It is connected to the voltage source of ST, and the potential of the node ND201 is held at VRST.

【0067】そして、ピークホールド回路100でピー
ク値がホールドされると、図3(b)、(c)に示すよ
うに、信号φrdczがローレベルで第2のスイッチ回
路230に供給され、第2のスイッチ回路230が非導
通状態に保持されている期間中に、信号φrdcがハイ
レベルで所定期間だけ、第1のスイッチ回路220に供
給される。その結果、第1のスイッチ回路220が導通
状態に保持され、ホールドノードND101と減衰用容
量素子210(ノードND201)が接続状態に保持さ
れる。これにより、ホールド用容量素子130の電荷が
ホールド用容量素子130と減衰用容量素子210に再
分配される形となり、ノードノードND101の電位が
減衰する。
When the peak value is held by the peak hold circuit 100, the signal φrdcz is supplied to the second switch circuit 230 at a low level, as shown in FIGS. The signal φrdc is supplied to the first switch circuit 220 for a predetermined period while the signal φrdc is at a high level during a period in which the switch circuit 230 is kept in a non-conductive state. As a result, the first switch circuit 220 is held in a conductive state, and the hold node ND101 and the attenuation capacitor 210 (node ND201) are held in a connected state. Accordingly, the charge of the holding capacitor 130 is redistributed to the holding capacitor 130 and the attenuation capacitor 210, and the potential of the node ND101 is attenuated.

【0068】次に、スイッチドキャパシタ200におい
ては、図3(b)、(c)に示すように、信号φrdc
がローレベルで第1のスイッチ回路220に供給され、
信号φrdczがハイレベルで第2のスイッチ回路23
0に供給されている。その結果、第1のスイッチ回路2
20が非導通状態に保持され、第2のスイッチ回路23
0が導通状態に保持されて、ホールドノードND101
と減衰用容量素子210とが非接続状態に切り換えられ
る。この状態で次の信号がピークホールド回路100に
入力され、たとえばピーク値PHOLD=(Vhold−V
RST)+VRST=Vholdがホールド用容量素子13
0にホールドされる。
Next, in the switched capacitor 200, as shown in FIGS. 3B and 3C, the signal φrdc
Is supplied to the first switch circuit 220 at a low level,
When the signal φrdcz is at a high level and the second switch circuit 23
0 is supplied. As a result, the first switch circuit 2
20 is held in a non-conductive state, and the second switch circuit 23
0 is held in the conductive state, and the hold node ND101
And the attenuating capacitive element 210 are switched to a non-connected state. In this state, the next signal is input to the peak hold circuit 100 and, for example, the peak value PHOLD = (Vhold−V
RST) + VRST = Vhold is the holding capacitive element 13
It is held at 0.

【0069】そして、次に図3(b)、(c)に示すよ
うに、信号φrdczがローレベルで第2のスイッチ回
路230に供給され、第2のスイッチ回路230が非導
通状態に保持されている期間中に、信号φrdcがハイ
レベルで所定期間だけ、第1のスイッチ回路220に供
給される。その結果、第1のスイッチ回路220が導通
状態に保持され、ホールドノードND101と減衰用容
量素子210(ノードND201)が接続状態に保持さ
れる。これにより、ホールドノードND101に電荷が
減衰用容量素子210に蓄積される形となり、ノードノ
ードND101の電位が減衰する。このときのホールド
ノードND101の電位は、次式で示すレベルまで減衰
する。
Then, as shown in FIGS. 3B and 3C, the signal φrdcz is supplied to the second switch circuit 230 at a low level, and the second switch circuit 230 is held in a non-conductive state. During this period, the signal φrdc is at a high level and is supplied to the first switch circuit 220 for a predetermined period. As a result, the first switch circuit 220 is held in a conductive state, and the hold node ND101 and the attenuation capacitor 210 (node ND201) are held in a connected state. As a result, charge is accumulated in the hold node ND101 in the attenuating capacitance element 210, and the potential of the node node ND101 is attenuated. At this time, the potential of the hold node ND101 attenuates to a level represented by the following equation.

【0070】[0070]

【数1】PHOLD=(Vhold−VRST)・{Chold
/(Chold+Crdc )}+VRST
## EQU1 ## PHOLD = (Vhold−VRST) STChold
/ (Chold + Crdc)} + VRST

【0071】以上のホールドおよび減衰動作が繰り返し
行われる。
The above hold and attenuation operations are repeatedly performed.

【0072】なお、減衰用容量素子の容量値Crdc をホ
ールド用容量素子130の容量値Choldに比較してかな
り小さく設計して、スイッチング動作を何回も繰り返す
ことにより、擬似的に高抵抗で減衰させたように動作さ
せることも可能である。
The capacitance value Crdc of the attenuating capacitance element is designed to be considerably smaller than the capacitance value Chold of the holding capacitance element 130, and the switching operation is repeated many times, so that the attenuation is made pseudo high resistance. It is also possible to operate as described.

【0073】以上説明したように、本第1の実施形態に
よれば、非反転入力端子(+)に入力信号INが入力さ
れ、反転入力端子(−)にホールドノードND101の
電圧が帰還されるオペアンプ110、オペアンプ110
の出力とホールドノードND101との間に接続されて
いる整流素子120、および一方の電極がホールドノー
ドND101に接続され、他方の電極が接地されてお
り、入力信号INのオペアンプ110を介した信号電圧
をホールドするホールド用容量素子130を有するピー
クホールド回路100と、ノードND201と接地ライ
ンとの間に接続されたホールド電圧を減衰させるための
減衰用容量素子210、ノードND201とピークホー
ルド回路100のホールドノードND101との接続、
非接続状態を信号φrdcに応じて切り換える第1のス
イッチ回路220、およびノードND201とVRST
あるいはAGNDの電圧源との接続、非接続状態を信号
rdczに応じて切り換える第2のスイッチ回路230
を有し、ホールド電圧を減衰させるためのスイッチドキ
ャパシタ200とを設けたので、高抵抗を使用しなくて
もピーク検出回路を構成するピークホールド回路のホー
ルド電圧を減衰させることが可能である。しかも、リセ
ットのかけかた次第で、入力信号の周期の変動に関係な
く入力信号の振幅に対応してホールド電圧のある一定割
合を減衰させたり、抵抗のように入力信号の周期が長い
ほど減衰させたりすることが可能である。
As described above, according to the first embodiment, the input signal IN is input to the non-inverting input terminal (+), and the voltage of the hold node ND101 is fed back to the inverting input terminal (-). Operational amplifier 110, operational amplifier 110
A rectifier element 120 connected between the output of the IGBT and the hold node ND101, and one electrode connected to the hold node ND101, the other electrode grounded, and a signal voltage of the input signal IN via the operational amplifier 110. A peak hold circuit 100 having a hold capacitance element 130 for holding the voltage, an attenuation capacitance element 210 for attenuating a hold voltage connected between the node ND201 and the ground line, and holding the node ND201 and the peak hold circuit 100. Connection with the node ND101,
First switch circuit 220 for switching the non-connection state in accordance with signal φrdc, and nodes ND201 and VRST
Alternatively, the second switch circuit 230 that switches the connection / disconnection state with the voltage source of AGND according to the signal rdcz.
And the switched capacitor 200 for attenuating the hold voltage is provided, so that the hold voltage of the peak hold circuit constituting the peak detection circuit can be attenuated without using a high resistance. Moreover, depending on how the reset is applied, a certain percentage of the hold voltage is attenuated according to the amplitude of the input signal regardless of the fluctuation of the cycle of the input signal, or the resistance is attenuated as the input signal cycle becomes longer, such as a resistor. It is possible to

【0074】第2実施形態 図4は、本発明に係るピーク検出回路の第2の実施形態
を示す回路図である。本第2の実施形態に係るピーク検
出回路PD100aは下限値用である。基本的には、図
1に示すように、ピークホールド回路100aと、ホー
ルド電圧を減衰させるためのスイッチドキャパシタ20
0により構成された減衰機能付ピーク検出回路である。
Second Embodiment FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the peak detection circuit according to the present invention. The peak detection circuit PD100a according to the second embodiment is for a lower limit value. Basically, as shown in FIG. 1, a peak hold circuit 100a and a switched capacitor 20 for attenuating a hold voltage are used.
0 is a peak detection circuit with an attenuation function constituted by 0.

【0075】本第2の実施形態に係る下限値用ピーク検
出回路では、整流素子120がオペアンプ110の出力
からホールドノードND101に向かってではなく、ホ
ールドノードND101からオペアンプ110の出力に
向かって順方向となるように接続されている。
In the peak detection circuit for the lower limit according to the second embodiment, the rectifier element 120 is not forwarded from the output of the operational amplifier 110 to the hold node ND101, but is forwardly directed from the hold node ND101 to the output of the operational amplifier 110. It is connected so that it may become.

【0076】また、図5は図4の回路の動作例を示すタ
イミングチャートである。図4の下限値側ピーク検出回
路の動作は、図3に示す上限値側ピーク検出回路の場合
の極性を反転させたものとなる。スイッチングを何回も
繰り返した場合の図である。したがって、ここでは具体
的な説明は省略する。
FIG. 5 is a timing chart showing an operation example of the circuit of FIG. The operation of the lower limit side peak detection circuit in FIG. 4 is the one in which the polarity in the case of the upper limit side peak detection circuit shown in FIG. 3 is inverted. It is a figure in case switching is repeated many times. Therefore, a specific description is omitted here.

【0077】本第2の実施形態によれば、前述した第1
の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
According to the second embodiment, the first embodiment
The same effect as that of the embodiment can be obtained.

【0078】第3実施形態 図6は、本発明に係るピーク検出回路の第3の実施形態
を示す回路図であって本第2の実施形態に係るピーク検
出回路PD100bは上限値用である。
Third Embodiment FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the peak detection circuit according to the present invention. The peak detection circuit PD100b according to the second embodiment is for an upper limit value.

【0079】本第3の実施形態が図2に示す第1の実施
形態と異なる点は、スイッチドキャパシタ200の容量
素子210と第2のスイッチ回路230を介して接続さ
れる電圧源を、ピークホールド回路100のホールドノ
ードND101のホールド電圧を受けて、このホールド
電圧から一定の電圧を減算する回路300として設けた
ことにある。
The difference between the third embodiment and the first embodiment shown in FIG. 2 is that the voltage source connected to the capacitive element 210 of the switched capacitor 200 via the second switch circuit 230 has a peak. It is provided as a circuit 300 that receives the hold voltage of the hold node ND101 of the hold circuit 100 and subtracts a certain voltage from the hold voltage.

【0080】このような構成により、最初のホールド電
圧から100mVとか200mVというように一定の電
圧だけ減衰させることも可能である。すなわち、第3の
実施形態によれば、半導体集積回路において、実現する
のが容易でないオーダーの高抵抗デバイスを作らなくて
もピークホールド回路のホールド電圧を減衰させること
が可能で、高抵抗では実現できない減衰のさせ方も可能
である。
With such a configuration, it is also possible to attenuate a fixed voltage such as 100 mV or 200 mV from the initial hold voltage. That is, according to the third embodiment, in a semiconductor integrated circuit, it is possible to attenuate the hold voltage of the peak hold circuit without making a high-resistance device of an order that is not easy to realize. Unavailable damping is also possible.

【0081】第4実施形態 図7は、本発明に係るピーク検出回路の第4の実施形態
を示すブロック構成図で、図8はピーク検出回路の具体
的な構成例を示す回路図である。なお、本第4の実施形
態に係る図8に示す具体的な回路は上限値用である
Fourth Embodiment FIG. 7 is a block diagram showing a peak detection circuit according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the peak detection circuit. The specific circuit shown in FIG. 8 according to the fourth embodiment is for the upper limit value.

【0082】本第4の実施形態に係るピーク検出回路P
D100cはピークホールド回路多重型ピーク検出回路
であって、図7および図8に示すように、2つの第1お
よび第2のピークホールド回路100−1,100−2
を信号INの入力ラインに対して並列に接続し、第1の
ピークホールド回路100−1にリセット機能を付加す
るとともに、第1のピークホールド回路100ー1のホ
ールドノードND101−1をバッファBUF100を
介して第2のピークホールド回路100−2に供給して
ホールドノードND101−2の電位を減衰させるよう
に構成されている。
The peak detection circuit P according to the fourth embodiment
D100c is a peak hold circuit multiplex type peak detection circuit. As shown in FIGS. 7 and 8, two first and second peak hold circuits 100-1 and 100-2 are provided.
Are connected in parallel to the input line of the signal IN, a reset function is added to the first peak hold circuit 100-1, and the hold node ND101-1 of the first peak hold circuit 100-1 is connected to the buffer BUF100. The voltage is supplied to the second peak hold circuit 100-2 via the second node and the potential of the hold node ND101-2 is attenuated.

【0083】第1のピークホールド回路100−1は、
図8に示すように、オペアンプ110−1、整流素子1
20−1、ホールド用容量素子130−1、およびリセ
ット信号RSTを受けてホールドノードND101−1
を所定の電圧VRSTまたはAGNDの電圧源に接続す
るスイッチ回路141−1からなり、ホールド電圧を減
衰(リセットさせる)減衰回路140−1により構成さ
れている。
The first peak hold circuit 100-1
As shown in FIG. 8, the operational amplifier 110-1, the rectifying element 1
20-1, the holding capacitance element 130-1, and the hold node ND101-1 in response to the reset signal RST.
Is connected to a voltage source of a predetermined voltage VRST or AGND, and is configured by an attenuation circuit 140-1 for attenuating (resetting) the hold voltage.

【0084】第2のピークホールド回路100−2は、
図8に示すように、オペアンプ110−2、整流素子1
20−2、ホールド用容量素子130ー2、およびロー
ド信号LDを受けてホールドノードND101−2をバ
ッファBUF100の出力に接続するスイッチ回路14
1−2からなり、ホールド電圧を減衰(リセット)させ
る減衰回路140−2により構成されている。
The second peak hold circuit 100-2
As shown in FIG. 8, the operational amplifier 110-2, the rectifier 1
20-2, the switching capacitor 14 that receives the hold capacitance element 130-2, and connects the hold node ND101-2 to the output of the buffer BUF100 in response to the load signal LD.
1-2, and comprises an attenuation circuit 140-2 for attenuating (resetting) the hold voltage.

【0085】次に、本第4の実施形態に係る動作を、図
9のタイミングチャートに関連付けて説明する。まず、
リセット信号RSTがアクティブで第1のピークホール
ド回路100−1の減衰回路140−1に供給され、ホ
ールドノードND101−1の電位がVRSTに保持さ
れた状態で、入力信号INが第1および第2のピークホ
ールド回路100−1,100−2のオペアンプ110
−1,110−2の非反転入力端子(+)に並列的に供
給される。
Next, the operation according to the fourth embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. First,
The reset signal RST is active and supplied to the attenuating circuit 140-1 of the first peak hold circuit 100-1, and the potential of the hold node ND101-1 is maintained at VRST, and the input signal IN is changed to the first and second signals. Operational amplifier 110 of the peak hold circuits 100-1 and 100-2
-1 and 110-2 are supplied in parallel to the non-inverting input terminals (+).

【0086】第1のピークホールド回路100−1で
は、図8(a),(b)に示すように、入力信号INの
パルスが入力するごとにリセット信号RSTでホールド
ノードND101−1の電位が減衰され、入力信号IN
のパルスのピーク値が振幅の増大、減少にかかわらず次
々と検出される。
In the first peak hold circuit 100-1, as shown in FIGS. 8A and 8B, each time a pulse of the input signal IN is input, the potential of the hold node ND101-1 is reset by the reset signal RST. Input signal IN
Are detected one after another regardless of the increase or decrease in the amplitude.

【0087】一方、第2のピークホールド回路100−
2では、図8(a),(c)に示すように、ロード信号
LDにより第1のピークホールド回路100−1のホー
ルド電圧出力がバッファBUF100を介してホールド
ノードND101−2に伝達される。そして、入力信号
INの振幅が次第に大きくなるときは第2のピークホー
ルド回路100−2を構成するオペアンプ110−2を
通して速やかにピーク値がホールドされる。これに対し
て、入力信号INの振幅が次第に小さくなるときは、ロ
ード信号LDの発生時に、第1のピークホールド回路1
00−1のホールド電圧出力が第2のピークホールド回
路100−2のホールドノードND100−2に現れ
る。
On the other hand, the second peak hold circuit 100-
In FIG. 8, as shown in FIGS. 8A and 8C, the hold voltage output of the first peak hold circuit 100-1 is transmitted to the hold node ND101-2 via the buffer BUF100 by the load signal LD. When the amplitude of the input signal IN gradually increases, the peak value is quickly held through the operational amplifier 110-2 included in the second peak hold circuit 100-2. On the other hand, when the amplitude of the input signal IN gradually decreases, the first peak hold circuit 1
The hold voltage output of 00-1 appears at the hold node ND100-2 of the second peak hold circuit 100-2.

【0088】この第2のピークホールド回路100−2
の動作は擬似的に、サンプルホールド回路の動作と同じ
であるが、入力信号の振幅が次第に大きくなるときに何
も制御しないでも速やかに反応できる点で優れている。
また、ピーク検出回路におけるホールド電圧の経時変化
という点で、サンプルホールド回路では、スイッチング
素子がVDD側にもVSS側にも付いている(CMOSのア
ナログスイッチの場合は、MOSトランジスタのバルク
端子がVDDとVSS)ため、ホールド電圧の経時変化の方
向が各々のスイッチング素子を形成するデバイスのリー
ク電流のばらつき次第でVDD側に変化するかVSS側に変
化するか分からない。しかしながら、ピークホールド回
路をサンプルホールド回路として機能させる場合には、
後述するように、整流素子やスイッチング素子につい
て、上限値のピークホールド回路ではNMOSトランジ
スタを用い、下限値のピークホールド回路ではPMOS
トランジスタを用いるというように、適切な極性を選択
することで、上限値のピークホールド回路ではVSS側に
変化するように、また、下限値のピークホールド回路で
はVDD側に変化するように設計することが可能である。
これは、非常にオーダーの大きな減衰用の高抵抗を付け
たことと同等で、半導体集積回路にした場合に、本質的
に誤動作の発生しにくい回路を組めることを意味する。
The second peak hold circuit 100-2
Is pseudo-similar to the operation of the sample-and-hold circuit, but it is excellent in that when the amplitude of the input signal gradually increases, it can respond quickly without any control.
Also, in terms of change over time of the hold voltages in the peak detection circuit, sample-hold circuit, if the switching element is an analog switch V also DD side attached to V SS side (CMOS, bulk terminal of the MOS transistor Is V DD and V SS ), it is not known whether the direction of the change of the hold voltage with time changes to the V DD side or the V SS side depending on the variation of the leak current of the device forming each switching element. However, when the peak hold circuit functions as a sample hold circuit,
As described later, for the rectifying element and the switching element, an NMOS transistor is used in the peak hold circuit of the upper limit value, and a PMOS transistor is used in the peak hold circuit of the lower limit value.
As of using transistors, by selecting the proper polarity, so as to change the V SS side in the peak hold circuit upper limit value, also designed to vary V DD side peak hold circuit lower limit It is possible to
This means that it is possible to construct a circuit in which a semiconductor integrated circuit is essentially unlikely to malfunction when a semiconductor integrated circuit is used, which is equivalent to a very high order of high resistance for attenuation.

【0089】本第4の実施形態によれば、ピーク検出回
路PD100cを、入力信号の入力ラインに対して並列
に接続され、リセット信号RSTによりホールド電圧を
リセット時の電圧に減衰させる機能を有し、入力信号I
Nのパルスが入力するごとにリセット信号で減衰させ、
入力信号INのパルスのピーク値を振幅の増大、減少に
かかわらず次々と検出する第1のピークホールド回路1
00−1と、ロード信号LDにより第1のピークホール
ド回路100−1のホールド電圧出力を受け取る機能を
有し、入力信号の振幅が次第に大きくなるときはオペア
ンプ100−2を通して速やかにピーク値をホールド
し、入力信号の振幅が次第に小さくなるときは、上記ロ
ード信号LDの発生時に、第1のピークホールド回路1
00−1のホールド電圧出力をホールドノードND10
1−2に受け取る第2のピークホールド回路100−2
とにより構成したので、入力信号の振幅の増加に対して
は速やかに反応でき、ひいては入力信号のすぐ後ろにノ
イズ成分や別の信号成分が伴っている信号も取り扱える
ピーク検出回路が実現できる。また、ピークホールド回
路に擬似的にサンプルホールド回路の働きをさせること
で、サンプルホールド回路では、VDD側に行くかVSS
に行くか分からないリーク電流によるホールド電圧の経
時変化の方向を、上限値の電圧をホールドする場合には
必ずVSS側に向かって、また、下限値の電圧をホールド
する場合には必ずVDD側に向かって変動するように設計
することが可能となる。このため、誤動作の発生しにく
いピーク検出回路を高抵抗を使用せずに実現できる利点
がある。
According to the fourth embodiment, the peak detection circuit PD100c is connected in parallel to the input line of the input signal, and has a function of attenuating the hold voltage to the reset voltage by the reset signal RST. , Input signal I
Every time N pulse is input, it is attenuated by the reset signal.
A first peak hold circuit 1 for successively detecting the peak value of the pulse of the input signal IN regardless of the increase or decrease of the amplitude
00-1 and a function to receive the hold voltage output of the first peak hold circuit 100-1 by the load signal LD. When the amplitude of the input signal gradually increases, the peak value is quickly held through the operational amplifier 100-2. However, when the amplitude of the input signal gradually decreases, the first peak hold circuit 1
The hold voltage output of 00-1 is connected to the hold node ND10.
Second peak hold circuit 100-2 received by 1-2
Thus, it is possible to realize a peak detection circuit that can quickly respond to an increase in the amplitude of the input signal and that can also handle a signal having a noise component or another signal component immediately behind the input signal. Also, by making the peak hold circuit simulate the function of the sample hold circuit, the sample hold circuit can change the direction of the change over time of the hold voltage due to the leak current that cannot be determined whether going to the VDD side or the VSS side. towards always V SS side when holding the voltage of the upper limit value, also, it is possible to design to vary toward always V DD side in the case of holding the voltage of the lower limit. For this reason, there is an advantage that a peak detection circuit in which a malfunction does not easily occur can be realized without using a high resistance.

【0090】第5実施形態 図10は、本発明に係るピーク検出回路の第5の実施形
態を示す回路図である。なお、本第4の実施形態に係る
ピーク検出回路は下限値用のピークホールド回路多重型
ピーク検出回路である。
Fifth Embodiment FIG. 10 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the peak detection circuit according to the present invention. The peak detection circuit according to the fourth embodiment is a peak hold circuit multiplex type peak detection circuit for the lower limit value.

【0091】本第5の実施形態が前述した第4の実施形
態と異なる点は、第1のピークホールド回路100−1
において、整流素子120−1をPMOSトランジスタ
PT121−1で構成し、減衰(リセット)回路を設け
る代わりに、PMOSトランジスタPT121−1のゲ
ートとドレインとの間にリセット信号RSTでオン/オ
フされるスイッチ回路151−1、PMOSトランジス
タPT121−1のゲートとオン信号TRONの供給ラ
インとの間にリセット信号RSTでオン/オフされるス
イッチ回路152−1を有するリセット・ホールド切換
回路150−1を設け、かつ、第2のピークホールド回
路100−2において、整流素子120−2をPMOS
トランジスタPT121−2で構成し、減衰(リセッ
ト)回路を設ける代わりに、PMOSトランジスタPT
121−2のゲートとドレインとの間にロード信号LD
でオン/オフされるスイッチ回路151−2、PMOS
トランジスタPT121−2のゲートとオン信号TRO
Nの供給ラインとの間にロード信号LDでオン/オフさ
れるスイッチ回路152−2、バッファBUF100c
の出力と整流素子のオペアンプ側ノードND102−2
との間にロード信号LDでオン/オフされるスイッチ回
路152−3、およびオペアンプ110−2の出力とノ
ードND102−2との間にロード信号LDでオン/オ
フされるスイッチ回路152−4を有するロード・ホー
ルド切換回路150−2を設けたことにある。
The fifth embodiment differs from the fourth embodiment in that the first peak hold circuit 100-1
In the above, the rectifying element 120-1 is constituted by the PMOS transistor PT121-1, and instead of providing the attenuation (reset) circuit, a switch which is turned on / off by the reset signal RST between the gate and the drain of the PMOS transistor PT121-1 A reset / hold switching circuit 150-1 having a switch circuit 152-1 that is turned on / off by a reset signal RST is provided between the circuit 151-1 and the gate of the PMOS transistor PT121-1 and the supply line of the on signal TRON; In the second peak hold circuit 100-2, the rectifying element 120-2 is replaced with a PMOS.
Instead of providing an attenuation (reset) circuit with the transistor PT121-2, a PMOS transistor PT12-2 is used.
Load signal LD between gate and drain of 121-2
Circuit 151-2 turned on / off by PMOS, PMOS
The gate of the transistor PT121-2 and the ON signal TRO
A switch circuit 152-2 that is turned on / off by a load signal LD between the supply line N and the buffer line BUF100c
Output and rectifier element operational amplifier side node ND102-2
And a switch circuit 152-4 which is turned on / off by the load signal LD between the output of the operational amplifier 110-2 and the node ND102-2. The load / hold switching circuit 150-2 is provided.

【0092】次に、本第5の実施形態に係る動作を、図
11のタイミングチャートに関連付けて説明する。この
場合も第4の実施形態と同様に、入力信号INが第1お
よび第2のピークホールド回路100−1,100−2
のオペアンプ110−1,110−2の非反転入力端子
(+)に並列的に供給される。
Next, the operation according to the fifth embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. Also in this case, similarly to the fourth embodiment, the input signal IN is applied to the first and second peak hold circuits 100-1 and 100-2.
Are supplied in parallel to the non-inverting input terminals (+) of the operational amplifiers 110-1 and 110-2.

【0093】第1のピークホールド回路100−1で
は、ホールド期間中はリセット信号が非アクティブで供
給され、スイッチ回路151−1がオン状態、スイッチ
回路152−1がオフ状態に保持される。これにより、
PMOSトランジスタPT121−1は整流素子として
機能し、入力信号のピークホールド動作が行われる。そ
して、図11(a),(b)に示すように、入力信号I
Nのパルスが入力するごとにリセット信号RSTが所定
期間アクティブで供給され、スイッチ回路151−1が
オフ状態に、スイッチ回路152ー1がオン状態に保持
される。これにより、PMOSトランジスタPT121
−1は転送ゲートとして機能し、ピークホールド回路1
00−1では、オペアンプ110−1の出力端子と非反
転入力端子(−)がショートするためピークホールド回
路ではなくボルテージフォロワ回路として動作するよう
になる。すなわち、リセット解除時の入力信号の電圧に
ホールドノードND101−11が保持される(リセッ
トされる)。
In the first peak hold circuit 100-1, a reset signal is supplied inactive during the hold period, so that the switch circuit 151-1 is kept on and the switch circuit 152-1 is kept off. This allows
The PMOS transistor PT121-1 functions as a rectifier, and performs a peak hold operation of an input signal. Then, as shown in FIGS. 11A and 11B, the input signal I
Each time a pulse of N is input, a reset signal RST is actively supplied for a predetermined period, so that the switch circuit 151-1 is kept off and the switch circuit 152-1 is kept on. Thereby, the PMOS transistor PT121
-1 functions as a transfer gate, and the peak hold circuit 1
In 00-1, the output terminal of the operational amplifier 110-1 and the non-inverting input terminal (-) are short-circuited, so that it operates not as a peak hold circuit but as a voltage follower circuit. That is, the hold node ND101-11 is held at the voltage of the input signal at the time of reset release (reset).

【0094】一方、第2のピークホールド回路100−
2では、ホールド期間中はロード信号LDが非アクティ
ブで供給され、スイッチ回路151−1および154−
2がオン状態、スイッチ回路152−2および153−
2がオフ状態に保持される。これにより、PMOSトラ
ンジスタPT121−1は整流素子として機能し、入力
信号のピークホールド動作が行われる。そして、図11
(a),(c)に示すように、ロード信号LDが所定期
間アクティブで供給され、スイッチ回路151−1およ
び154−2がオフ状態、スイッチ回路152−2およ
び153−2がオン状態に保持される。これにより、P
MOSトランジスタPT121−1は転送ゲートとして
機能し、かつ、オペアンプ110−2の出力側が非接続
状態となり、第1のピークホールド回路100−1のホ
ールド電圧出力がバッファBUF100を介してノード
ND102−2に伝達され、さらに転送ゲートとしての
PMOSトランジスタPT121−2を介してホールド
ノードND101−2に伝達される。
On the other hand, the second peak hold circuit 100-
2, the load signal LD is supplied inactive during the hold period, and the switch circuits 151-1 and 154-
2 is on, the switch circuits 152-2 and 153-
2 is kept off. As a result, the PMOS transistor PT121-1 functions as a rectifier, and a peak hold operation of the input signal is performed. And FIG.
As shown in (a) and (c), the load signal LD is actively supplied for a predetermined period, the switch circuits 151-1 and 154-2 are kept in the off state, and the switch circuits 152-2 and 153-2 are kept in the on state. Is done. This allows P
The MOS transistor PT121-1 functions as a transfer gate, and the output side of the operational amplifier 110-2 is disconnected. The hold voltage output of the first peak hold circuit 100-1 is transferred to the node ND102-2 via the buffer BUF100. The signal is transmitted to the hold node ND101-2 via the PMOS transistor PT121-2 as a transfer gate.

【0095】本第5の実施形態によれば、前述した第4
の実施形態の効果と同様の効果を得ることができる。
According to the fifth embodiment, the fourth embodiment
The same effect as that of the embodiment can be obtained.

【0096】第6実施形態 図12は、本発明に係るピーク検出回路の第6の実施形
態を示すブロック構成図で、図13はピーク検出回路の
具体的な構成例を示す回路図である。なお、本第12の
実施形態に係る図13に示す具体的な回路は上限値用で
ある
Sixth Embodiment FIG. 12 is a block diagram showing a peak detection circuit according to a sixth embodiment of the present invention. FIG. 13 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the peak detection circuit. The specific circuit shown in FIG. 13 according to the twelfth embodiment is for the upper limit value.

【0097】本第6の実施形態が前述した第1の実施形
態と異なる点は、ピークホールド回路100の整流素子
をNMOSトランジスタNT121で構成するととも
に、クランプ基準電圧Vcramp を受けて、ホールド期間
中の整流素子120のオペアンプ110の出力側(ノー
ドND102)の電圧を、アナロググランドからホール
ド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期間中のオペア
ンプ110の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラ
ンドよりの電圧(以下、この電圧を中間電圧という)V
cramp にクランプするクランプ回路400と、アナログ
グランドからホールド電圧の間の電圧、もしくは、ホー
ルド期間中のオペアンプ出力が振り切れた電圧よりもア
ナロググランドよりの中間電圧を発生し、ピークホール
ド回路の整流素子120を構成するNMOSトランジス
タNT121のバルク端子に電圧VP-well として供給
し、クランプ回路400にクランプ基準電圧Vcramp と
して供給し、スイッチドキャパシタ200に減衰用電圧
VRSTとして供給する中間電圧発生回路500を設
け、さらにオペアンプ110の出力ノードにプルアップ
回路600を接続したことにある。
The sixth embodiment is different from the first embodiment in that the rectifying element of the peak hold circuit 100 is constituted by the NMOS transistor NT121, and receives the clamp reference voltage Vcramp during the hold period. The voltage on the output side (node ND102) of the operational amplifier 110 of the rectifier element 120 is set to a voltage between the analog ground and the hold voltage, or a voltage from the analog ground (hereinafter referred to as a voltage higher than the voltage at which the output of the operational amplifier 110 during the hold period is cut off). , This voltage is called the intermediate voltage) V
A clamp circuit 400 for clamping to a clamp and a voltage between the analog ground and the hold voltage, or an intermediate voltage from the analog ground that is lower than the voltage at which the operational amplifier output has swung during the hold period, and the rectifier element 120 of the peak hold circuit Is provided as a voltage VP-well to the bulk terminal of the NMOS transistor NT121 constituting the intermediate voltage generator, a clamp reference voltage Vcramp to the clamp circuit 400, and an attenuation voltage VRST to the switched capacitor 200. Further, the pull-up circuit 600 is connected to the output node of the operational amplifier 110.

【0098】クランプ回路400は、図13に示すよう
に、オペアンプ410、抵抗素子420、および整流素
子430により構成されている。
As shown in FIG. 13, the clamp circuit 400 includes an operational amplifier 410, a resistor 420, and a rectifier 430.

【0099】オペアンプ410の非反転入力端子(+)
がクランプ基準電圧Vcramp の供給ラインに接続され、
反転入力端子(−)が整流素子120のアンプ側ノード
ND102に接続されている。
Non-inverting input terminal (+) of operational amplifier 410
Is connected to the supply line of the clamp reference voltage Vcramp,
The inverting input terminal (-) is connected to the amplifier node ND102 of the rectifier 120.

【0100】抵抗素子420は、オペアンプ110の出
力とノードND102との間に接続されている。抵抗素
子420としては、抵抗だけでなく、たとえば上限値用
ピークホールド回路の場合には、図13に示すように、
PMOSトランジスタPT421により構成できる。な
お、下限値用ピークホールド回路の場合には、NMOS
トランジスタにより構成できる。また、抵抗素子として
のPMOSトランジスタPT421は飽和素子としても
機能し、そのゲートは接地されている。
The resistance element 420 is connected between the output of the operational amplifier 110 and the node ND102. The resistance element 420 is not limited to a resistor. For example, in the case of an upper limit peak hold circuit, as shown in FIG.
It can be constituted by a PMOS transistor PT421. In the case of the lower limit peak hold circuit, the NMOS
It can be constituted by a transistor. Further, the PMOS transistor PT421 as a resistance element also functions as a saturation element, and its gate is grounded.

【0101】整流素子430は、上限値用ピークホール
ド回路の場合にはオペアンプ410の出力側からノード
ND102とオペアンプ410の反転入力端子(−)と
の接続点(以下、ノードという)ND401に向かって
順方向となるように接続されている。なお、下限値用ピ
ークホールド回路の場合にはノードND401からオペ
アンプ410の出力側に向かって順方向となるように接
続される。図13の回路では、整流素子430はドレイ
ンとゲートがノードND401に接続され、ソースがオ
ペアンプ410の出力に接続されたPMOSトランジス
タPT431により構成されている。
In the case of the peak hold circuit for the upper limit value, the rectifying element 430 is connected from the output side of the operational amplifier 410 to a connection point (hereinafter, referred to as a node) ND401 between the node ND102 and the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 410. They are connected in the forward direction. Note that in the case of the lower limit peak hold circuit, the connection is made so as to be forward from the node ND401 toward the output side of the operational amplifier 410. In the circuit of FIG. 13, the rectifying element 430 includes a PMOS transistor PT431 whose drain and gate are connected to the node ND401 and whose source is connected to the output of the operational amplifier 410.

【0102】中間電圧発生回路500は、反転入力端子
(−)と出力端子とが接続されたいわゆるボルテージフ
ォロワとして機能するオペアンプ501と、電源電圧V
DDの供給ラインと接地GNDとの間に直列に接続された
抵抗素子502,503およびPMOSトランジスタP
T501と、インバータINV501と、抵抗素子50
2、503の接続点とオペアンプ501の非反転入力端
子(+)との間に接続された抵抗素子504と、オペア
ンプ501の非反転入力端子(+)と接地ラインGND
との間に接続した安定化用容量素子C501とから構成
されている。そして、PMOSトランジスタPT501
のゲートはインバータINV201を介してパワーオン
期間中にハイレベルで供給されるパワーオン信号PWO
Nの供給ラインに接続されている。
The intermediate voltage generating circuit 500 includes an operational amplifier 501 having a connection between an inverting input terminal (-) and an output terminal and functioning as a so-called voltage follower;
Resistance elements 502 and 503 and a PMOS transistor P connected in series between a supply line of DD and ground GND.
T501, the inverter INV501, and the resistance element 50
2, a resistance element 504 connected between the connection point of 503 and the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 501, the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 501, and the ground line GND.
And a stabilizing capacitance element C501 connected between the two. Then, the PMOS transistor PT501
Of the power-on signal PWO supplied at a high level during the power-on period via the inverter INV201
N supply lines.

【0103】この中間電圧発生回路500では、電圧V
RST(VP-well ,Vcramp )は抵抗素子502,5
03の抵抗値の比によって設定され、パワーオン期間中
に、抵抗分割によって、抵抗素子502,503の接続
点に電圧VRSTが発生し、この電圧がボルテージフォ
ロワとしてのオペアンプ501からクランプ回路40
0、整流素子120としてのNMOSトランジスタNT
121のバルク端子、およびスイッチドキャパシタ20
0に供給される。
In the intermediate voltage generating circuit 500, the voltage V
RST (VP-well, Vcramp) is the resistance element 502,5
The voltage VRST is set at the connection point between the resistance elements 502 and 503 by resistance division during the power-on period, and this voltage is supplied from the operational amplifier 501 as a voltage follower to the clamp circuit 40.
0, NMOS transistor NT as rectifying element 120
121 bulk terminal and switched capacitor 20
0 is supplied.

【0104】また、電源電圧VDDの供給ラインとピーク
ホールド回路100のオペアンプ110の出力との間
に、PMOSトランジスタPT601および抵抗R60
1を直列に接続してなるプルアップ回路600が接続さ
れている。PMOSトランジスタPT601のゲートは
インバータINV601を介してパワーオン期間中にハ
イレベルで供給されるパワーオン信号PWONの供給ラ
インに接続されている。
A PMOS transistor PT601 and a resistor R60 are connected between the supply line of the power supply voltage V DD and the output of the operational amplifier 110 of the peak hold circuit 100.
1 are connected in series. The gate of the PMOS transistor PT601 is connected to the supply line of the power-on signal PWON supplied at a high level during the power-on period via the inverter INV601.

【0105】図14は、中間電圧発生回路500のオペ
アンプ501の具体的な構成例を示す回路図である。な
お、クランプ回路400のオペアンプ410、ピークホ
ールド回路100のオペアンプ110も同様に構成でき
ることから、ここでは、オペアンプ501を例にその構
成について説明する。
FIG. 14 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the operational amplifier 501 of the intermediate voltage generating circuit 500. Since the operational amplifier 410 of the clamp circuit 400 and the operational amplifier 110 of the peak hold circuit 100 can be configured in the same manner, the configuration of the operational amplifier 501 will be described here as an example.

【0106】オペアンプ501はPMOSトランジスタ
PT701〜PT712、NMOSトランジスタNT7
01〜NT707、抵抗R701、位相補償用容量素子
C701、およびパワーオン信号PWONの入力段を構
成する直列に接続されたインバータINV701,IN
V702により構成されている。
The operational amplifier 501 includes PMOS transistors PT701 to PT712 and an NMOS transistor NT7.
01 to NT707, a resistor R701, a phase compensation capacitance element C701, and serially connected inverters INV701 and IN constituting an input stage of a power-on signal PWON.
V702.

【0107】PMOSトランジスタPT701〜PT7
05,PT711のソースが電源電圧VDDの供給ライン
に接続され、NMOSトランジスタNT702〜70
5,NT707、並びにPMOSトランジスタPT70
9のドレインが電源電圧VSSの供給ラインに接続されて
いる。また、パワーオン信号PWONの入力段を構成す
るインバータINV701の出力がPMOSトランジス
タPT710のゲートおよびNMOSトランジスタNT
702のゲートに接続されている。そして、インバータ
INV702の出力がPMOSトランジスタPT70
1,PT705,PT712のゲートおよびNMOSト
ランジスタNT701,NT706のゲートに接続され
ている。
PMOS transistors PT701 to PT7
05, PT711 are connected to the supply line of the power supply voltage V DD and the NMOS transistors NT702 to NT702 are connected.
5, NT707, and PMOS transistor PT70
The drain 9 is connected to the supply line of the power supply voltage V SS . Further, the output of the inverter INV701 constituting the input stage of the power-on signal PWON is connected to the gate of the PMOS transistor PT710 and the NMOS transistor NT.
702 is connected to the gate. The output of the inverter INV702 is the PMOS transistor PT70
1, PT705 and PT712 and the gates of NMOS transistors NT701 and NT706.

【0108】PMOSトランジスタPT701のドレイ
ンがPMOSトランジスタPT702,PT703,P
T704のゲート、PMOSトランジスタPT706の
ソース並びにその基板に接続されている。PMOSトラ
ンジスタPT702のドレインがPMOSトランジスタ
PT706のソースに接続され、PMOSトランジスタ
PT706のドレインが自身のゲート並びにNMOSト
ランジスタNT701,NT703のドレインに接続さ
れている。NMOSトランジスタNT701のソースが
NMOSトランジスタNT702のドレインおよびNM
OSトランジスタNT703のゲートに接続されてい
る。これらのPMOSトランジスタPT701,PT7
02,PT706およびNMOSトランジスタNT70
1〜NT703によりバイアス回路BIC701が構成
されている。
The drain of the PMOS transistor PT701 is connected to the PMOS transistors PT702, PT703, P
The gate of T704 is connected to the source of the PMOS transistor PT706 and its substrate. The drain of the PMOS transistor PT702 is connected to the source of the PMOS transistor PT706, and the drain of the PMOS transistor PT706 is connected to its own gate and the drains of the NMOS transistors NT701 and NT703. The source of the NMOS transistor NT701 is connected to the drain of the NMOS transistor NT702 and NM.
It is connected to the gate of the OS transistor NT703. These PMOS transistors PT701, PT7
02, PT706 and NMOS transistor NT70
1 to NT703 constitute a bias circuit BIC701.

【0109】PMOSトランジスタ703のドレインが
PMOSトランジスタPT707,PT708のソース
に接続され、PMOSトランジスタPT707のゲート
により反転入力端子(−)が構成され、PMOSトラン
ジスタPT708のゲートにより非反転入力端子(+)
が構成されている。PMOSトランジスタPT707の
ドレインがNMOSトランジスタNT704のドレイ
ン、並びにNMOSトランジスタNT704,NT70
5のゲートに接続されている。そして、PMOSトラン
ジスタPT708およびNMOSトランジスタNT70
5のドレイン同士が接続され、これらの接続点が、PM
OSトランジスタPT709のゲートに接続され、かつ
直列に接続された位相補償用の抵抗R701、容量素子
C701を介して出力ノードND701に接続されてい
るとともに、転送ゲートとしてのNMOSトランジスタ
NT706を介してNMOSトランジスタNT707の
ゲートに接続されている。以上のように接続されたPM
OSトランジスタPT703,PT707,PT708
およびNMOSトランジスタNT704,NT705に
より差動増幅回路DFA701が構成されている。
The drain of the PMOS transistor 703 is connected to the sources of the PMOS transistors PT707 and PT708, the gate of the PMOS transistor PT707 forms an inverting input terminal (-), and the gate of the PMOS transistor PT708 forms the non-inverting input terminal (+).
Is configured. The drain of the PMOS transistor PT707 is the drain of the NMOS transistor NT704, and the drains of the NMOS transistors NT704 and NT70
5 gates. Then, the PMOS transistor PT708 and the NMOS transistor NT70
5 are connected to each other, and these connection points are
An NMOS transistor connected to an output node ND701 via a phase compensation resistor R701 and a capacitor C701 connected in series with the gate of the OS transistor PT709 and an NMOS transistor NT706 as a transfer gate It is connected to the gate of NT707. PM connected as above
OS transistors PT703, PT707, PT708
The NMOS transistors NT704 and NT705 form a differential amplifier circuit DFA701.

【0110】また、PMOSトランジスタPT704の
ドレインがPMOSトランジスタPT709のソースお
よびその基板に接続されている。PMOSトランジスタ
PT704,PT709によりいわゆるソースフォロワ
SSF701が構成されている。また、PMOSトラン
ジスタPT704のドレインとPMOSトランジスタP
T709のソースとの接続点が転送ゲートとしてのPM
OSトランジスタPT710を介してPMOSトランジ
スタPT705のドレイン、PMOSトランジスタPT
711のゲート、およびPMOSトランジスタPT71
2のソースに接続されている。また、PMOSトランジ
スタPT712のドレインがNMOSトランジスタNT
707のゲートに接続されている。そして,PMOSト
ランジスタPT711のドレインとNMOSトランジス
タNT707のドレイン同士が接続されて出力ノードN
D701が構成されている。以上のように接続されたP
MOSトランジスタPT711およびNMOSトランジ
スタNT707によりいわゆるプッシュプ出力段PPL
701が構成されている。
The drain of the PMOS transistor PT704 is connected to the source of the PMOS transistor PT709 and its substrate. The PMOS transistors PT704 and PT709 constitute a so-called source follower SSF701. The drain of the PMOS transistor PT704 and the PMOS transistor P704
The connection point with the source of T709 is PM as a transfer gate.
The drain of the PMOS transistor PT705 via the OS transistor PT710 and the PMOS transistor PT705
711 gate and PMOS transistor PT71
2 sources. The drain of the PMOS transistor PT712 is connected to the NMOS transistor NT.
707 is connected to the gate. Then, the drain of the PMOS transistor PT711 and the drain of the NMOS transistor NT707 are connected to each other to
D701 is configured. P connected as above
A so-called push-up output stage PPL is formed by the MOS transistor PT711 and the NMOS transistor NT707.
701 is constituted.

【0111】このような構成を有するオペアンプ501
においては、パワーオン信号PWONがアクティブのハ
イレベルで供給されると、インバータINV701の出
力がローレベル、インバータINV702の出力がハイ
レベルになることから、PMOSトランジスタPT70
3が導通状態になって、差動増幅回路DFA701が動
作状態になる。
The operational amplifier 501 having such a configuration
When the power-on signal PWON is supplied at an active high level, the output of the inverter INV701 goes low and the output of the inverter INV702 goes high, so that the PMOS transistor PT70
3 becomes conductive, and the differential amplifier circuit DFA 701 becomes active.

【0112】この状態で、オペアンプ501の非反転入
力端子(+)としてのPMOSトランジスタPT708
のゲートにたとえば電圧VRSTが供給され、反転入力
端子(−)としてのPMOSトランジスタPT707に
その出力が帰還される。これにより、オペアンプ501
はボルテージフォロワとして機能し、整流素子120と
してのNMOSトランジスタNT121のバルク電圧が
中間電圧VP-well に保持され、クランプ回路400の
オペアンプ410へ中間電圧VCramp が供給され、クラ
ンプ動作が行われる。また、スイッチドキャパシタ20
0に中間電圧VRSTが供給され、ホールドノードND
101の電位の減衰動作が行われる。
In this state, the PMOS transistor PT708 as the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 501
, For example, is supplied with a voltage VRST, and its output is fed back to a PMOS transistor PT707 as an inverting input terminal (-). Thereby, the operational amplifier 501
Functions as a voltage follower, the bulk voltage of the NMOS transistor NT121 as the rectifying element 120 is held at the intermediate voltage VP-well, the intermediate voltage VCamp is supplied to the operational amplifier 410 of the clamp circuit 400, and the clamp operation is performed. In addition, the switched capacitor 20
0 is supplied with the intermediate voltage VRST and the hold node ND
The operation of attenuating the potential of 101 is performed.

【0113】すなわちこのピーク検出回路PD100e
では、オペアンプ110の出力はクランプ回路400で
クランプ基準電圧Vcramp にクランプされる。これによ
り、入力信号INがピーク値を過ぎると、オペアンプ1
10の出力からは、クランプ基準電圧Vcramp (=VR
ST)付近の電圧が出力される。また、整流素子120
としてのNMOSトランジスタNT121のバルク端子
に中間電圧が供給される。
That is, the peak detection circuit PD100e
Then, the output of the operational amplifier 110 is clamped by the clamp circuit 400 to the clamp reference voltage Vcramp. Thus, when the input signal IN passes the peak value, the operational amplifier 1
10, the clamp reference voltage Vcramp (= VR
ST) is output. In addition, the rectifying element 120
The intermediate voltage is supplied to the bulk terminal of the NMOS transistor NT121 as a reference.

【0114】したがって、本第6の実施形態によれば、
ピークホールド回路のホールド電圧保持特性を阻害する
リーク電流を減少させることができる。その結果、ホー
ルド電圧保持用の容量素子を外付けとしないで、数Hz
から数十Hzの低い入力信号に対応できるピークホール
ド回路を簡単なCMOSプロセスで半導体集積回路中に
製作でき、ひいては、システムの小型化、部品点数の削
減ができ、装置のコスト削減が図れる利点がある。ま
た、ピークホールド回路100のオペアンプ110の出
力にプルアップ回路600を接続したことから、入力振
幅に対応してホールド出力可能なピークホールド回路の
入力電圧範囲を広げることができる利点がある。
Therefore, according to the sixth embodiment,
It is possible to reduce a leak current that hinders the hold voltage holding characteristic of the peak hold circuit. As a result, without using a capacitor for holding the hold voltage externally, several Hz
The peak hold circuit that can support input signals as low as several tens of Hz can be manufactured in a semiconductor integrated circuit by a simple CMOS process, and as a result, the system can be downsized, the number of parts can be reduced, and the cost of the device can be reduced. is there. Further, since the pull-up circuit 600 is connected to the output of the operational amplifier 110 of the peak hold circuit 100, there is an advantage that the input voltage range of the peak hold circuit capable of holding and outputting can be expanded according to the input amplitude.

【0115】なお、たとえばスイッチドキャパシタ20
0のスイッチ回路をMOSトランジスタを用いて構成す
るこも可能であるが、この場合、ホールドノードND1
01に直接接続することがあるため、そのバルク端子の
電圧も中間電圧発生回路500から供給される中間電圧
に保持することが望ましい。
For example, the switched capacitor 20
0 switch circuit can be configured using MOS transistors, but in this case, the hold node ND1
01 may be directly connected, so that the voltage of the bulk terminal is also preferably maintained at the intermediate voltage supplied from the intermediate voltage generating circuit 500.

【0116】また、ピークホールド回路のホールドノー
ドは、多くの場合、オペアンプのマイナス入力端子に直
接接続されている。バイポ−ラトランジスタ型のオペア
ンプでは入力端子からリーク電流が流れてしまうため、
低い周波数を取り扱うピークホールド回路に適用するの
は不利である。ゲート入力のMOS型のオペアンプで
は、入力端子からのリーク電流が非常に小さいため、低
い周波数を取り扱うピークホールド回路に適用しても問
題ない。このような理由でゲート入力のMOS型のオペ
アンプの構成例を図14に示したが、入力端子からのリ
ーク電流が問題にならないオペアンプであれば、他の形
態のオペアンプでも良いことは言うまでもない。
In many cases, the hold node of the peak hold circuit is directly connected to the minus input terminal of the operational amplifier. In a bipolar transistor type operational amplifier, leakage current flows from the input terminal.
It is disadvantageous to apply it to a peak hold circuit that handles low frequencies. In a gate-type MOS operational amplifier, since the leakage current from the input terminal is very small, there is no problem in applying it to a peak hold circuit that handles a low frequency. FIG. 14 shows a configuration example of a gate-input MOS operational amplifier for such a reason. Needless to say, any other operational amplifier may be used as long as leakage current from an input terminal does not matter.

【0117】第7実施形態 図15は、本発明に係るピーク検出回路の第7の実施形
態を示すブロック構成図で、図16はピーク検出回路の
具体的な構成例を示す回路図である。なお、本第7の実
施形態に係る図16に示す具体的な回路は下限値用であ
る。
Seventh Embodiment FIG. 15 is a block diagram showing a peak detection circuit according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 16 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the peak detection circuit. The specific circuit shown in FIG. 16 according to the seventh embodiment is for the lower limit.

【0118】本第7の実施形態が前述した第4の実施形
態と異なる点は次の通りである。すなわち、第1の相違
点は、第1のピークホールド回路100−1の整流素子
120−1をPMOSトランジスタPT121−1で構
成するとともに、リセット信号RSTを受けてホールド
ノードND101−1を所定の電圧VRST(またはA
GND)の供給ラインに接続するスイッチ回路141−
1をPMOSトランジスタPT141−1で構成してN
MOSトランジスタNT421−1およびPMOSトラ
ンジスタPT141−1のゲートにリセット信号RST
を供給し、同様に、第2のピークホールド回路100−
2の整流素子120−2をPMOSトランジスタPT1
21−2で構成するとともに、ロード信号LDを受けて
ホールドノードND101−2をバッファBUF100
−1の出力に接続するスイッチ回路141−2をPMO
SトランジスタPT141−2で構成してNMOSトラ
ンジスタNT421−2およびPMOSトランジスタP
T141−2のゲートにロード信号LDを供給するよう
にしたことである。
The seventh embodiment differs from the fourth embodiment in the following points. That is, the first difference is that the rectifying element 120-1 of the first peak hold circuit 100-1 is configured by the PMOS transistor PT121-1 and receives the reset signal RST to set the hold node ND101-1 to a predetermined voltage. VRST (or A
Switch circuit 141-connected to the supply line of the GND).
1 comprising a PMOS transistor PT141-1 and N
A reset signal RST is applied to the gates of the MOS transistor NT421-1 and the PMOS transistor PT141-1.
And the second peak hold circuit 100-
2 rectifier element 120-2 is connected to a PMOS transistor PT1.
21-2, and receives the load signal LD and changes the hold node ND101-2 to the buffer BUF100.
-1 connected to the output of PMO
The NMOS transistor NT421-2 and the PMOS transistor P are constituted by the S transistor PT141-2.
The load signal LD is supplied to the gate of T141-2.

【0119】第2の相違点は、クランプ基準電圧Vcram
p を受けて、第1のピークホールド回路100−1のホ
ールド期間中の整流素子120−1のオペアンプ110
の出力側(ノードND102−1)の電圧を、アナログ
グランドからホールド電圧の間の電圧、もしくは、ホー
ルド期間中のオペアンプ110−1の出力が振り切れた
電圧よりもアナロググランドよりの中間電圧Vcramp に
クランプするクランプ回路400−1aと、同様に、ク
ランプ基準電圧Vcramp を受けて、第2のピークホール
ド回路100−2のホールド期間中の整流素子120−
2のオペアンプ110−2の出力側(ノードND102
−2)の電圧を、アナロググランドからホールド電圧の
間の電圧、もしくは、ホールド期間中のオペアンプ11
0−2の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧Vcramp にクランプするクランプ回路4
00−2aとを設けたことである。
The second difference is that the clamp reference voltage Vcram
In response to p, the operational amplifier 110 of the rectifier 120-1 during the hold period of the first peak hold circuit 100-1
Is clamped to the intermediate voltage Vcramp from the analog ground rather than the voltage between the analog ground and the hold voltage or the voltage at which the output of the operational amplifier 110-1 is cut off during the hold period. The clamp circuit 400-1a receives the clamp reference voltage Vcramp, and receives the rectifier element 120- during the hold period of the second peak hold circuit 100-2.
2 on the output side of the operational amplifier 110-2 (node ND102
-2) the voltage between the analog ground and the hold voltage, or the operational amplifier 11 during the hold period.
Clamp circuit 4 that clamps the output voltage of 0-2 to the intermediate voltage Vcramp from the analog ground rather than the voltage that has passed.
00-2a.

【0120】第3の相違点は、アナロググランドからホ
ールド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期間中のオ
ペアンプ出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧を発生し、第1および第2のピークホー
ルド回路100−1,100−2の整流素子120−
1,120−2を構成するPMOSトランジスタPT1
21−1,PT121−2のバルク端子、並びにリセッ
トおよびロード用のPMOSトランジスタPT141−
1,PT141−2のバルク端子に電圧Vwellとして供
給し、クランプ回路400−1a、400−2aにクラ
ンプ基準電圧あるいはVcramp として供給し、かつ、リ
セット(減衰)用PMOSトランジスタPT141−1
のソースに減衰用電圧として与える中間電圧発生回路5
00aを設けたことである。
The third difference is that a voltage between the analog ground and the hold voltage or an intermediate voltage from the analog ground which is higher than the voltage at which the operational amplifier output is swung during the hold period is generated. Rectifier element 120-of peak hold circuits 100-1 and 100-2
PMOS transistor PT1 forming the first transistor 120-2
21-1, bulk terminal of PT121-2, and reset and load PMOS transistor PT141-
1, the voltage Vwell is supplied to the bulk terminal of PT141-2, the voltage is supplied to the clamp circuits 400-1a and 400-2a as the clamp reference voltage or Vcramp, and the reset (attenuation) PMOS transistor PT141-1 is provided.
Intermediate voltage generating circuit 5 for applying as a voltage for attenuation to the source of the circuit
00a.

【0121】そして、第4の相違点は、第1および第2
のピークホールド回路100−1,100−2のオペア
ンプ110−1,110−2の出力にそれぞれプルダウ
ン回路600−1a,600−2aを接続したことであ
る。
The fourth difference is that the first and second
Are connected to the outputs of the operational amplifiers 110-1 and 110-2 of the peak hold circuits 100-1 and 100-2, respectively.

【0122】クランプ回路400−1aは、図16に示
すように、オペアンプ410−1、ゲートがリセット信
号RSTの供給ラインに接続され、オペアンプ410−
1の出力とノードND102−1との間に接続されたN
MOSトランジスタNT421−1からなる抵抗素子4
20−1、およびゲートがノードND102−1に接続
されたNMOSトランジスタNT431−1からなる整
流素子430−1により構成されている。オペアンプ4
10ー1の非反転入力端子(+)がクランプ基準電圧V
cramp の供給ラインに接続され、反転入力端子(−)が
整流素子120−1のアンプ側ノードND102−1に
接続されている。また、整流素子430−1は、ノード
ND102−1からオペアンプ410−1の出力側に向
かって順方向となるように接続されている。
As shown in FIG. 16, the clamp circuit 400-1a has an operational amplifier 410-1 and a gate connected to a reset signal RST supply line.
1 connected to the output of node 1 and node ND 102-1
Resistance element 4 composed of MOS transistor NT421-1
20-1 and a rectifying element 430-1 including an NMOS transistor NT431-1 whose gate is connected to the node ND102-1. Operational amplifier 4
10-1 non-inverting input terminal (+) is the clamp reference voltage V
The inverting input terminal (-) is connected to the amplifier side node ND102-1 of the rectifying element 120-1. The rectifying element 430-1 is connected in a forward direction from the node ND102-1 toward the output side of the operational amplifier 410-1.

【0123】クランプ回路400−2aは、図16に示
すように、オペアンプ410−2、ゲートがロード信号
LDの供給ラインに接続され、オペアンプ410−2の
出力とノードND102−2との間に接続されたNMO
SトランジスタNT421−2からなる抵抗素子420
−2、およびゲートがノードND102−2に接続され
たNMOSトランジスタNT431−2からなる整流素
子430−2により構成されている。オペアンプ410
ー2の非反転入力端子(+)がクランプ基準電圧Vcram
p の供給ラインに接続され、反転入力端子(−)が整流
素子120−2のアンプ側ノードND102−2に接続
されている。また、整流素子430−2は、ノードND
102−2からオペアンプ410−2の出力側に向かっ
て順方向となるように接続されている。
As shown in FIG. 16, the clamp circuit 400-2a has an operational amplifier 410-2, a gate connected to the supply line of the load signal LD, and a connection between the output of the operational amplifier 410-2 and the node ND102-2. NMO
Resistance element 420 including S transistor NT421-2
-2, and a rectifying element 430-2 including an NMOS transistor NT431-2 having a gate connected to the node ND102-2. Operational amplifier 410
-2 non-inverting input terminal (+) is the clamp reference voltage Vcram
p, and the inverting input terminal (-) is connected to the amplifier-side node ND102-2 of the rectifying element 120-2. The rectifying element 430-2 is connected to the node ND.
It is connected so that it may become a forward direction from 102-2 to the output side of operational amplifier 410-2.

【0124】中間電圧発生回路500aは、反転入力端
子(−)と出力端子とが接続されたいわゆるボルテージ
フォロワとして機能するオペアンプ501と、電源電圧
DDの供給ラインと接地GNDとの間に直列に接続され
た抵抗素子502,503およびNMOSトランジスタ
NT501と、抵抗素子502、503の接続点とオペ
アンプ501の非反転入力端子(+)との間に接続され
た抵抗素子504と、オペアンプ501の非反転入力端
子(+)と接地ラインGNDとの間に接続した安定化用
容量素子C501とから構成されている。そして、NM
OSトランジスタNT501のゲートはパワーオン期間
中にハイレベルで供給されるパワーオン信号PWONの
供給ラインに接続されている。また、オペアンプ501
およびプルアップ回路600も、このパワーオン信号P
WONをハイレベルで受けて動作状態に保持される。
The intermediate voltage generating circuit 500a includes an operational amplifier 501 connected as an inverting input terminal (-) and an output terminal, which functions as a so-called voltage follower, and a series connection between a supply line of the power supply voltage V DD and the ground GND. The connected resistance elements 502 and 503 and the NMOS transistor NT501, the resistance element 504 connected between the connection point of the resistance elements 502 and 503 and the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 501, and the non-inverting of the operational amplifier 501 It comprises a stabilizing capacitance element C501 connected between the input terminal (+) and the ground line GND. And NM
The gate of the OS transistor NT501 is connected to a supply line for a power-on signal PWON supplied at a high level during the power-on period. In addition, the operational amplifier 501
And pull-up circuit 600 also provides power-on signal P
WON is received at a high level, and is kept in the operating state.

【0125】この中間電圧発生回路500aでは、電圧
VRST(VN-well ,Vcramp )は抵抗素子502,
503の抵抗値の比によって設定され、パワーオン期間
中に、抵抗分割によって、抵抗素子502,503の接
続点に電圧VRSTが発生し、この電圧がボルテージフ
ォロワとしてのオペアンプ501からクランプ回路40
0−1a、400−2a、整流素子120としてのPM
OSトランジスタPT121−1,PT121−2のバ
ルク端子、およびPMOSトランジスタPT141−
1,PT141−2のバルク端子に供給される。
In this intermediate voltage generation circuit 500a, the voltage VRST (VN-well, Vcramp) is
The voltage VRST is set at the connection point of the resistance elements 502 and 503 by the resistance division during the power-on period, and this voltage is supplied from the operational amplifier 501 as a voltage follower to the clamp circuit 40 during the power-on period.
0-1a, 400-2a, PM as rectifying element 120
The bulk terminals of the OS transistors PT121-1 and PT121-2 and the PMOS transistor PT141-
1, PT 141-2 are supplied to the bulk terminals.

【0126】プルダウン回路600−1aは、オペアン
プ110−1の出力と接地ラインとの間に接続された抵
抗素子R601−1およびゲートがパワーオン信号PW
ONの供給ラインに接続されたNMOSトランジスタN
T601−1により構成されている。
The pull-down circuit 600-1a includes a resistor R601-1 connected between the output of the operational amplifier 110-1 and the ground line, and a gate connected to the power-on signal PW.
NMOS transistor N connected to ON supply line
It is composed of T601-1.

【0127】プルダウン回路600−2aは、オペアン
プ110−2の出力と接地ラインとの間に接続された抵
抗素子R601−2およびゲートがパワーオン信号PW
ONの供給ラインに接続されたNMOSトランジスタN
T601−2により構成されている。
The pull-down circuit 600-2a includes a resistor R601-2 connected between the output of the operational amplifier 110-2 and the ground line, and a gate connected to the power-on signal PW.
NMOS transistor N connected to ON supply line
It is composed of T601-2.

【0128】図17は、中間電圧発生回路500aのオ
ペアンプ501の具体的な構成例を示す回路図である。
なお、クランプ回路400のオペアンプ410およびピ
ーク検出回路100のオペアンプ110も同様に構成で
きることから、ここでは、オペアンプ501の構成につ
いて説明する。
FIG. 17 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the operational amplifier 501 of the intermediate voltage generating circuit 500a.
Since the operational amplifier 410 of the clamp circuit 400 and the operational amplifier 110 of the peak detection circuit 100 can be similarly configured, the configuration of the operational amplifier 501 will be described here.

【0129】オペアンプ501はPMOSトランジスタ
PT801〜PT810、NMOSトランジスタNT8
01〜NT809、抵抗R801、位相補償用容量素子
C801、およびパワーオン信号PWONの入力段を構
成する直列に接続されたインバータINV801,IN
V802により構成されている。
The operational amplifier 501 includes PMOS transistors PT801 to PT810 and an NMOS transistor NT8.
01 to NT809, a resistor R801, a phase compensation capacitance element C801, and serially connected inverters INV801 and IN constituting an input stage of a power-on signal PWON.
V802.

【0130】PMOSトランジスタPT801〜PT8
04,PT810のソースが電源電圧VDDの供給ライン
に接続され、NMOSトランジスタNT802〜80
5,NT808、並びにPMOSトランジスタPT80
8のドレインが電源電圧VSSの供給ラインに接続されて
いる。また、パワーオン信号PWONの入力段を構成す
るインバータINV801の出力がPMOSトランジス
タPT809のゲートおよびNMOSトランジスタNT
802,NT807,NT808のゲートに接続されて
いる。そして、インバータINV802の出力がPMO
SトランジスタPT801,のゲートおよびNMOSト
ランジスタNT801,NT806のゲートに接続され
ている。
PMOS transistors PT801 to PT8
04, PT810 are connected to the supply line of the power supply voltage V DD , and the NMOS transistors NT 802 to NT 802 are connected.
5, NT808, and PMOS transistor PT80
The drain 8 is connected to the supply line of the power supply voltage V SS . The output of the inverter INV801 constituting the input stage of the power-on signal PWON is connected to the gate of the PMOS transistor PT809 and the NMOS transistor NT.
802, NT807, and NT808. The output of the inverter INV802 is PMO
It is connected to the gate of the S transistor PT801 and the gates of the NMOS transistors NT801 and NT806.

【0131】PMOSトランジスタPT801のドレイ
ンがPMOSトランジスタPT802,PT803,P
T804のゲート、PMOSトランジスタPT805の
ソース並びにその基板に接続されている。PMOSトラ
ンジスタPT802のドレインがPMOSトランジスタ
PT805のソースに接続され、PMOSトランジスタ
PT805のドレインが自身のゲート並びにNMOSト
ランジスタNT801,NT803のドレインに接続さ
れている。NMOSトランジスタNT801のソースが
NMOSトランジスタNT802のドレインおよびNM
OSトランジスタNT703のゲートに接続されてい
る。これらのPMOSトランジスタPT801,PT8
02,PT805およびNMOSトランジスタNT80
1〜NT803によりバイアス回路BIC801が構成
されている。
The drain of the PMOS transistor PT801 is connected to the PMOS transistors PT802, PT803, P
The gate of T804, the source of the PMOS transistor PT805, and its substrate are connected. The drain of the PMOS transistor PT802 is connected to the source of the PMOS transistor PT805, and the drain of the PMOS transistor PT805 is connected to its own gate and the drains of the NMOS transistors NT801 and NT803. The source of the NMOS transistor NT801 is connected to the drain of the NMOS transistor NT802 and NM.
It is connected to the gate of the OS transistor NT703. These PMOS transistors PT801, PT8
02, PT805 and NMOS transistor NT80
1 to NT803 constitute a bias circuit BIC801.

【0132】PMOSトランジスタ803のドレインが
PMOSトランジスタPT806,PT807のソース
に接続され、PMOSトランジスタPT806のゲート
により反転入力端子(−)が構成され、PMOSトラン
ジスタPT807のゲートにより非反転入力端子(+)
が構成されている。PMOSトランジスタPT806の
ドレインがNMOSトランジスタNT804のドレイ
ン、並びにNMOSトランジスタNT804,NT80
5のゲートに接続されている。そして、PMOSトラン
ジスタPT807およびNMOSトランジスタNT80
5のドレイン同士が接続され、これらの接続点が、PM
OSトランジスタPT808のゲートに接続され、かつ
直列に接続された位相補償用の抵抗R801、容量素子
C801を介して出力ノードND801に接続されてい
るとともに、転送ゲートとしてのNMOSトランジスタ
NT806を介してNMOSトランジスタNT807の
ソース、NMOSトランジスタNT808のドレインお
よびNMOSトランジスタNT809のゲートに接続さ
れている。以上のように接続されたPMOSトランジス
タPT803,PT806,PT807およびNMOS
トランジスタNT804,NT805により差動増幅回
路DFA801が構成されている。
The drain of the PMOS transistor 803 is connected to the sources of the PMOS transistors PT806 and PT807, the gate of the PMOS transistor PT806 forms an inverting input terminal (-), and the gate of the PMOS transistor PT807 forms the non-inverting input terminal (+).
Is configured. The drain of the PMOS transistor PT806 is the drain of the NMOS transistor NT804, and the NMOS transistors NT804 and NT80
5 gates. Then, the PMOS transistor PT807 and the NMOS transistor NT80
5 are connected to each other, and these connection points are
An NMOS transistor connected to an output node ND801 via a phase compensation resistor R801 and a capacitor C801 connected in series with the gate of the OS transistor PT808 and an NMOS transistor NT806 as a transfer gate It is connected to the source of NT807, the drain of NMOS transistor NT808, and the gate of NMOS transistor NT809. The PMOS transistors PT803, PT806, PT807 and NMOS connected as described above
The transistors NT804 and NT805 form a differential amplifier circuit DFA801.

【0133】また、PMOSトランジスタPT804の
ドレインがPMOSトランジスタPT808のソースお
よびその基板に接続されている。PMOSトランジスタ
PT804,PT808によりいわゆるソースフォロワ
SSF801が構成されている。また、PMOSトラン
ジスタPT804のドレインとPMOSトランジスタP
T808のソースとの接続点が転送ゲートとしてのPM
OSトランジスタPT809を介してNMOSトランジ
スタNT807のドレイン、およびPMOSトランジス
タPT810のゲートに接続されている。また、NMO
SトランジスタNT807のソースがNMOSトランジ
スタNT808のドレインに接続されている。そして、
PMOSトランジスタPT810のドレインとNMOS
トランジスタNT809のドレイン同士が接続されて出
力ノードND801が構成されている。以上のように接
続されたPMOSトランジスタPT810およびNMO
SトランジスタNT809によりいわゆるプッシュプル
出力段PPL801が構成されている。
The drain of the PMOS transistor PT804 is connected to the source of the PMOS transistor PT808 and its substrate. A so-called source follower SSF801 is constituted by the PMOS transistors PT804 and PT808. Further, the drain of the PMOS transistor PT804 and the PMOS transistor P804
The connection point with the source of T808 is PM as a transfer gate.
The drain of the NMOS transistor NT807 and the gate of the PMOS transistor PT810 are connected via the OS transistor PT809. Also, NMO
The source of the S transistor NT807 is connected to the drain of the NMOS transistor NT808. And
Drain of PMOS transistor PT810 and NMOS
The output nodes ND801 are configured by connecting the drains of the transistors NT809. The PMOS transistors PT810 and NMO connected as described above
A so-called push-pull output stage PPL801 is constituted by the S transistor NT809.

【0134】このような構成を有するオペアンプ501
においては、パワーオン信号PWONがアクティブのハ
イレベルで供給されると、インバータINV801の出
力がローレベル、インバータINV802の出力がハイ
レベルになることから、PMOSトランジスタPT80
3が導通状態になって、差動増幅回路DFA801が動
作状態になる。
The operational amplifier 501 having such a configuration
In this case, when the power-on signal PWON is supplied at an active high level, the output of the inverter INV801 goes low and the output of the inverter INV802 goes high, so that the PMOS transistor PT80
3 becomes conductive, and the differential amplifier circuit DFA 801 becomes active.

【0135】この状態で、オペアンプ501の非反転入
力端子(+)としてのPMOSトランジスタPT807
のゲートにたとえば電圧VRSTが供給され、反転入力
端子(−)としてのPMOSトランジスタPT806に
その出力が帰還される。これにより、オペアンプ501
はボルテージフォロワとして機能し、整流素子120と
してのPMOSトランジスタPT121−1,PT12
1−2、リセットおよびロード用としてのPMOSトラ
ンジスタPT141−1,PT141−2のバルク電圧
が中間電圧VN-well に保持され、クランプ回路150
のオペアンプ151へ基準電圧Vcramp として供給さ
れ、クランプ動作が行われる。また、リセット(減衰)
用PMOSトランジスタPT141−1のソースに減衰
用電圧として与えられる。
In this state, the PMOS transistor PT807 as the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 501
, For example, is supplied with a voltage VRST, and its output is fed back to a PMOS transistor PT806 as an inverting input terminal (-). Thereby, the operational amplifier 501
Function as voltage followers, and PMOS transistors PT121-1, PT12 as rectifying elements 120
1-2, the bulk voltage of the PMOS transistors PT141-1 and PT141-2 for reset and load is held at the intermediate voltage VN-well, and the clamp circuit 150
Is supplied as a reference voltage Vcramp to the operational amplifier 151, and a clamping operation is performed. Also reset (decay)
The source of the PMOS transistor PT141-1 is supplied as an attenuation voltage.

【0136】なお、本第7の実施形態に係るホールドノ
ードの減衰作用を含むピーク検出動作は第4の実施形態
において説明した動作と同様に行われるため、ここでは
その説明は省略する。
Since the peak detection operation including the damping action of the hold node according to the seventh embodiment is performed in the same manner as the operation described in the fourth embodiment, the description is omitted here.

【0137】本第7の実施形態によれば、前述した第4
の実施形態と同様に、入力信号の振幅の増加に対しては
速やかに反応でき、ひいては入力信号のすぐ後ろにノイ
ズ成分や別の信号成分が伴っている信号も取り扱えるピ
ーク検出回路が実現でき、また、ピークホールド回路に
擬似的にサンプルホールド回路の働きをさせることで、
サンプルホールド回路では、VDD側に行くかVSS側に行
くか分からないリーク電流によるホールド電圧の経時変
化の方向を、上限値の電圧をホールドする場合には必ず
SS側に向かって、また、下限値の電圧をホールドする
場合には必ずVDD側に向かって変動するように設計する
ことが可能となる。このため、誤動作の発生しにくいピ
ーク検出回路を高抵抗を使用せずに実現できる利点があ
ることはもとより、ピークホールド回路のホールド電圧
保持特性を阻害する整流素子のリーク電流やリセット用
のMOSトランジスタのリーク電流を減少させることが
でき、リセット信号を入力する場合にはリセット動作を
確実にでき、オペアンプ110の出力が中間電位に戻る
のに時間がかかった場合であってもホールド電圧が逆方
向に変化することを防止できる。
According to the seventh embodiment, the fourth embodiment
As in the first embodiment, a peak detection circuit can be realized that can quickly respond to an increase in the amplitude of the input signal, and can also handle a signal with a noise component or another signal component immediately after the input signal, Also, by making the peak hold circuit work like a sample hold circuit,
In the sample-and-hold circuit, the direction of the temporal change of the hold voltage due to the leak current that does not know whether to go to the V DD side or the V SS side is always directed toward the V SS side when the voltage of the upper limit is held. When the voltage of the lower limit value is held, it is possible to design such that the voltage always fluctuates toward the VDD side. Therefore, there is an advantage that a peak detection circuit in which a malfunction does not easily occur can be realized without using a high resistance. In addition, a leakage current of a rectifying element that hinders a hold voltage holding characteristic of the peak hold circuit and a reset MOS transistor are provided. Can be reduced, the reset operation can be ensured when a reset signal is input, and even if it takes time for the output of the operational amplifier 110 to return to the intermediate potential, the hold voltage is reversed. Can be prevented.

【0138】また、ピークホールド回路100−1,1
00−2のオペアンプ110−1,100−2の出力に
プルダウン回路600−1a,600−2aを接続した
ことから、入力振幅に対応してホールド出力可能なピー
クホールド回路の入力電圧範囲を広げることができる利
点がある。
The peak hold circuits 100-1 and 100-1
Since the pull-down circuits 600-1a and 600-2a are connected to the outputs of the operational amplifiers 110-1 and 100-2 of 00-2, the input voltage range of the peak hold circuit capable of holding output in accordance with the input amplitude is expanded. There are advantages that can be.

【0139】第8実施形態 図18は、本発明に係るピーク検出回路の第8の実施形
態を示す回路図である。なお、本第8の実施形態に係る
回路は下限値用である。
Eighth Embodiment FIG. 18 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of the peak detection circuit according to the present invention. The circuit according to the eighth embodiment is for the lower limit.

【0140】本第8の実施形態が前述した第7の実施形
態と異なる点は、クランプ回路400−2aの抵抗素子
152としてのNMOSトランジスタNT421−2の
ゲートにロード信号LDを供給する代わりに、クランプ
回路400−2bのオペアンプ410−2の出力電圧を
レベルシフトさせるクランプアシスト電圧発生回路44
0を設け、このクランプアシスト電圧発生回路440で
発生した電圧をクランプ機能を補助する電圧Vcr_asと
してNMOSトランジスタNT421−2のゲートに供
給するようにし、かつ、中間電圧発生回路500bをオ
ペアンプ501,抵抗素子502〜504、NMOSト
ランジスタNT501、および容量素子C501に加え
て、さらに、オペアンプ505、抵抗素子506,50
7、スイッチ回路508、509、および容量素子C5
02を設け、オペアンプ501から中間電圧VRSTを
第1のピークホールド回路100−1のPMOSトラン
ジスタPT121−1,PT141−1のバルク端子、
PMOSトランジスタPT141−1のソースおよびク
ランプ400−1aに供給し、オペアンプ505からV
RST、PHOLD2、および(a・VRST+b・P
HOLD2)/(a+b)に設定される中間電圧を、第
2のピークホールド回路100−2のNMOSトランジ
スタNT421−2のバルク端子およびクランプ回路4
00−2bに供給し、かつ第2のピークホールド回路1
00−2のPMOSトランジスタPT141−2のバル
ク端子を第1のピークホールド回路100−1のホール
ド電圧PHOLD1の出力ラインに接続したことにあ
る。
The eighth embodiment is different from the seventh embodiment in that the load signal LD is supplied to the gate of the NMOS transistor NT421-2 as the resistance element 152 of the clamp circuit 400-2a. Clamp assist voltage generation circuit 44 for level-shifting the output voltage of operational amplifier 410-2 of clamp circuit 400-2b
0, the voltage generated by the clamp assist voltage generation circuit 440 is supplied to the gate of the NMOS transistor NT421-2 as the voltage Vcr_as to assist the clamping function, and the intermediate voltage generation circuit 500b is connected to the operational amplifier 501 and the resistance element. 502 to 504, the NMOS transistor NT501, and the capacitor C501, an operational amplifier 505, resistance elements 506, 50
7, switch circuits 508 and 509, and capacitive element C5
02, and the intermediate voltage VRST from the operational amplifier 501 is supplied to the bulk terminals of the PMOS transistors PT121-1 and PT141-1 of the first peak hold circuit 100-1;
It is supplied to the source of the PMOS transistor PT141-1 and the clamp 400-1a,
RST, PHOLD2, and (a · VRST + b · P
The intermediate voltage set to (HOLD2) / (a + b) is applied to the bulk terminal of the NMOS transistor NT421-2 of the second peak hold circuit 100-2 and the clamp circuit 4.
00-2b and the second peak hold circuit 1
The bulk terminal of the PMOS transistor PT141-2 of 00-2 is connected to the output line of the hold voltage PHOLD1 of the first peak hold circuit 100-1.

【0141】図19は、クランプアシスト電圧発生回路
440の構成例を示す回路図である。クランプアシスト
電圧発生回路440は、図19に示すように、電源電圧
DDの供給ラインとオペアンプ410−2の信号Vcr_
out の出力ラインとの間に直列に接続された、抵抗素子
442,441、およびNMOSトランジスタNT44
1,NT442により構成されている。NMOSトラン
ジスタNT441はゲートとドレインが接続されたダイ
オード接続されており、NMOSトランジスタNT44
2のゲートがパワーオン信号PWONの供給ラインに接
続されている。
FIG. 19 is a circuit diagram showing a configuration example of the clamp assist voltage generation circuit 440. As shown in FIG. 19, the clamp assist voltage generation circuit 440 includes a supply line of the power supply voltage V DD and a signal Vcr_ of the operational amplifier 410-2.
out, the resistance elements 442, 441 and the NMOS transistor NT44 connected in series
1, NT442. The NMOS transistor NT441 is diode-connected with its gate and drain connected to each other.
Gate 2 is connected to the supply line of the power-on signal PWON.

【0142】このクランプアシスト電圧発生回路440
はパワーオン信号PWONがアクティブのハイレベルで
供給されると、NMOSトランジスタNT442がオン
状態となり、信号Vcr_asを出力可能状態となる。そし
て、抵抗素子441,442の接続点からオペアンプ4
10−2の出力信号を抵抗分割してレベルシフトさせた
信号信号Vcr_asが、抵抗素子420−2としてのNM
OSトランジスタNT421−2のゲートに供給され
る。
This clamp assist voltage generation circuit 440
When the power-on signal PWON is supplied at an active high level, the NMOS transistor NT442 is turned on, and the signal Vcr_as can be output. Then, the operational amplifier 4 is connected from the connection point of the resistance elements 441 and 442.
A signal signal Vcr_as obtained by level-shifting the output signal of 10-2 by resistance division is the NM as the resistance element 420-2.
This is supplied to the gate of the OS transistor NT421-2.

【0143】この場合のその他の動作図16の場合と同
様であり、その詳細な説明は省略する。
Other operations in this case are the same as those in FIG. 16, and a detailed description thereof will be omitted.

【0144】本第8の実施形態のように、クランプ回路
400ー2aにクランプアシスト電圧発生回路440を
接続した400ー2bの構成にすることにより、次のよ
うな効果が得られる。すなわち、他のクランプ回路で
は、クランプ動作中、ピークホールド回路のオペアンプ
110ー2の出力とクランプ回路400−2bのオペア
ンプ410−2の出力は、クランプ回路400−2bの
抵抗素子420−2を間に挟んではいるが競合すること
になる。すなわち、ピークホールド回路のオペアンプ1
10−2の出力は、クランプ動作を邪魔するとともに、
2つのオペアンプ110−2と410−2の間で大きな
出力電流が流れるという問題がある。特にVcramp =H
OLDとするためには、広い電圧範囲でクランプ動作が
行われる必要があり、この問題が障害となる。
As in the eighth embodiment, the following effects can be obtained by employing the configuration of 400-2b in which the clamp assist voltage generation circuit 440 is connected to the clamp circuit 400-2a. That is, in the other clamp circuit, during the clamp operation, the output of the operational amplifier 110-2 of the peak hold circuit and the output of the operational amplifier 410-2 of the clamp circuit 400-2b are connected between the resistance element 420-2 of the clamp circuit 400-2b. However, they will compete. That is, the operational amplifier 1 of the peak hold circuit
The output of 10-2 interferes with the clamping operation,
There is a problem that a large output current flows between the two operational amplifiers 110-2 and 410-2. Especially Vcramp = H
In order to perform OLD, it is necessary to perform a clamping operation in a wide voltage range, and this problem becomes an obstacle.

【0145】さて、整流素子を通してクランプするため
の電流が多く必要なときほど、オペアンプ410−2の
出力は、大きく振れる。この電圧をクランプアシスト電
圧発生回路440を通してクランプ回路400−2bの
抵抗素子420−2として用いているNMOSトランジ
スタNT421−2のゲート入力にフィードバックする
と、クランプ動作中、抵抗素子側の電流能力を小さくす
るように働き、クランプするために整流素子側にあまり
大きな電流を流す必要がなくなり、上記の問題を解決で
きる。
The output of the operational amplifier 410-2 fluctuates greatly as the current for clamping through the rectifying element increases. When this voltage is fed back to the gate input of the NMOS transistor NT421-2 used as the resistance element 420-2 of the clamp circuit 400-2b through the clamp assist voltage generation circuit 440, the current capability on the resistance element side during the clamp operation is reduced. Thus, there is no need to supply a very large current to the rectifying element side for clamping, and the above problem can be solved.

【0146】また、中間電圧発生回路500bでは、電
圧VRSTの電圧は抵抗素子502と抵抗素子503の
抵抗値の比で設定される。スイッチ回路508がオン
で、スイッチ回路509がオフのときはVcramp =VR
STで、スイッチ回路508がオフで、スイッチ回路5
09がオンのときはVcramp =PHOLD2である。そ
して、スイッチ回路508および509の両方がオンの
ときはVcramp =(a・VRST+b・HOLD)/
(a+b)が出力される。なお、aとbは抵抗素子50
2,503,506の合成抵抗値の逆数と抵抗素子50
7の抵抗値の逆数である。
In the intermediate voltage generating circuit 500b, the voltage of the voltage VRST is set by the ratio between the resistance values of the resistance elements 502 and 503. When the switch circuit 508 is on and the switch circuit 509 is off, Vcramp = VR
In ST, the switch circuit 508 is off, and the switch circuit 5
When 09 is ON, Vcramp = PHOLD2. When both of the switch circuits 508 and 509 are on, Vcramp = (a · VRST + b · HOLD) /
(A + b) is output. Note that a and b are the resistance elements 50
2,503,506 and the reciprocal of the combined resistance value and the resistance element 50
7 is the reciprocal of the resistance value.

【0147】このように、クランプ基準電圧Vcramp を
VRST、PHOLD2、および(a・VRST+b・
PHOLD2)/(a+b)に設定可能な構成にするこ
とにより、ホールド期間中のクランプ基準電圧をホール
ド電圧により近づけることができ、Vcramp =VRST
とした場合の図16と比較すると、入力信号の振幅の大
きい場合においてもホールドノードと整流素子のアンプ
側のノードの電圧差を、さらに、約1/2からそれ以下
に小さくすることが可能である。
As described above, the clamp reference voltage Vcramp is set to VRST, PHOLD2, and (a · VRST + b ·
With the configuration that can be set to (PHOLD2) / (a + b), the clamp reference voltage during the hold period can be made closer to the hold voltage, and Vcramp = VRST
Compared to FIG. 16, the voltage difference between the hold node and the node on the amplifier side of the rectifying element can be further reduced from about 1/2 to less even when the amplitude of the input signal is large. is there.

【0148】本第8の実施形態によれば、前述した第1
から第7の実施形態の効果に加えて、クランプ回路出力
をレベルシフトした信号を入力する場合にはクランプ可
能な電圧範囲を拡大することができ、また、入力信号の
振幅の大きい場合においてもホールドノードと整流素子
のアンプ側のノードの電圧差を、さらに小さくすること
が可能である。
According to the eighth embodiment, the first embodiment
In addition to the effects of the seventh embodiment, when a signal obtained by level-shifting the output of the clamp circuit is input, the voltage range that can be clamped can be expanded, and even when the amplitude of the input signal is large, the hold can be performed. The voltage difference between the node and the node on the amplifier side of the rectifying element can be further reduced.

【0149】第9実施形態 図20および図21は、本発明に係るピーク検出回路を
サーボ制御用半導体集積回路の一部として適用したとき
の一例を示すブロック構成図である。
Ninth Embodiment FIGS. 20 and 21 are block diagrams showing an example in which the peak detection circuit according to the present invention is applied as a part of a semiconductor integrated circuit for servo control.

【0150】図20は、磁気ディスクや磁気テープの再
生装置における、記録媒体901に記録された信号を、
ヘッド等のセンサ902等で読み取るため、モータ90
3等の負荷による磁気ディスクの回転速度や磁気テープ
の走行速度をサーボ制御する電圧増幅段および電圧制御
部からなる半導体集積回路910の部分を示している。
図21は、上記制御に用いられる増幅回路を含んだ半導
体集積回路(1チップマイコン)910の一例を示すブ
ロック構成図である。
FIG. 20 shows signals recorded on a recording medium 901 in a magnetic disk or magnetic tape reproducing apparatus.
The motor 90 is used for reading by a sensor 902 such as a head.
3 shows a portion of a semiconductor integrated circuit 910 including a voltage amplifying stage and a voltage control unit that servo-controls a rotation speed of a magnetic disk and a running speed of a magnetic tape under a load of 3, for example.
FIG. 21 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit (one-chip microcomputer) 910 including an amplifier circuit used for the above control.

【0151】本発明に係るピーク検出回路は、図21の
半導体集積回路910の中において、ピーク電圧検出回
路911として増幅段出力での信号振幅を検出するため
に用いられている。センサか902から入力したアナロ
グ入力信号の振幅が大きくばらつくと、増幅段出力での
信号振幅もばらつくため、コンパレータでの判定が正し
く行えない。ピーク検出回路により検出した電圧に基づ
いて回路的にフィードバックをかけたり、あるいは、A
Dコンバータ916で一旦数値化してから、CPU91
9でソフト的にフィードバックをかけたりすることで、
増幅段912のゲインやコンパレータの基準電圧を、ゲ
イン制御回路913やコンパレータ基準電圧制御回路9
15に指示して最適なものに設定し、デジタル信号化が
正しく行えるようになる。
The peak detection circuit according to the present invention is used as a peak voltage detection circuit 911 in the semiconductor integrated circuit 910 of FIG. 21 to detect the signal amplitude at the output of the amplification stage. If the amplitude of the analog input signal input from the sensor 902 varies greatly, the signal amplitude at the output of the amplification stage also varies, so that the judgment by the comparator cannot be performed correctly. Circuit feedback is performed based on the voltage detected by the peak detection circuit, or A
After being digitized once by the D converter 916, the CPU 91
By giving feedback softly in 9
The gain of the amplification stage 912 and the reference voltage of the comparator are adjusted by the gain control circuit 913 and the comparator reference voltage control circuit 9.
15 to set the optimum one, so that the digital signal can be correctly converted.

【0152】ADコンバータ916で数値化しソフト的
にフィードバックをかける場合は、ADコンバータ91
6で読み取る期間だけピーク電圧を保持すれば良いとい
う利点があるが、入力信号に同期してADコンバータを
制御しなければならないことから、AV用のマイコンの
ように汎用アナログ入力をもつADコンバータに、さら
に、このような処理を行わせるのは、制御プログラムが
複雑になり大変である。一方、回路的にフィードバック
をかける場合は、ソフトの面ではあまり複雑にはならな
いが、少なくともピークが入力してから次のピークが入
力するまでの期間ピーク電圧を保持する必要があり、よ
り保持特性の良いピーク検出回路が必要である。本発明
に係るピーク検出回路を適用すると、このような厳しい
仕様にも対応することができる。
In the case where the data is digitized by the AD converter 916 and the feedback is applied in a software manner, the AD converter
There is an advantage that the peak voltage only needs to be held during the period of reading in step 6. However, since the AD converter must be controlled in synchronization with the input signal, the AD converter having a general-purpose analog input such as an AV microcomputer can be used. Further, it is difficult to perform such processing because the control program becomes complicated. On the other hand, when applying feedback in a circuit, it does not become very complicated in terms of software, but it is necessary to hold the peak voltage at least during the period from the input of a peak to the input of the next peak. A peak detection circuit with good performance is required. By applying the peak detection circuit according to the present invention, it is possible to cope with such strict specifications.

【0153】なお、上述した各実施形態では、単純なC
MOSプロセス構造のままでも低周波数で使用できるピ
ーク検出回路を回路的な面での工夫により実現すること
を目的としているが、この回路的な工夫とプロセス的な
工夫やデバイス構造の工夫を組み合わせることにより、
さらにホールド電圧保持特性の良いピーク検出回路を実
現することを否定するものではない。また、完全な半導
体集積回路でなく、一部にディスクリートの部品を含ん
でいる場合も否定するものではない。
In each of the above embodiments, a simple C
The purpose is to realize a peak detection circuit that can be used at a low frequency even with the MOS process structure as it is by devising it from a circuit point of view. By
Furthermore, it does not deny realizing a peak detection circuit having good hold voltage holding characteristics. Further, it is not denied that the case where the semiconductor device is not a complete semiconductor integrated circuit but partially includes discrete components.

【0154】[0154]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高抵抗を使用しなくてもピーク検出回路を構成するピー
クホールド回路のホールド電圧を減衰させることが可能
である。しかも、リセットのかけかた次第で、入力信号
の周期の変動に関係なく入力信号の振幅に対応してホー
ルド電圧のある一定割合を減衰させたり、抵抗のように
入力信号の周期が長いほど減衰させたりすることが可能
である。また、ピーク検出回路のリーク電流によるホー
ルド電圧の経時変化を小さくすることが可能で、振幅や
周期に変動がある低い周波数の信号も取り扱えるピーク
検出回路が半導体集積回路で実現できる。さらに、入力
信号の振幅の増加に対しては速やかに反応でき、これに
より、入力信号のすぐ後ろにノイズ成分や別の信号成分
が伴っている信号も取り扱えるピーク検出回路が実現で
きる。また、誤動作の発生しにくいピーク検出回路を高
抵抗を使用せずに実現できる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to attenuate the hold voltage of the peak hold circuit constituting the peak detection circuit without using a high resistance. Moreover, depending on how the reset is applied, a certain percentage of the hold voltage is attenuated according to the amplitude of the input signal regardless of the fluctuation of the cycle of the input signal, or the resistance is attenuated as the input signal cycle becomes longer, such as a resistor. It is possible to Further, it is possible to reduce a change with time of the hold voltage due to a leak current of the peak detection circuit, and a semiconductor integrated circuit can realize a peak detection circuit capable of handling a low-frequency signal having a variation in amplitude and cycle. Furthermore, a peak detection circuit that can quickly respond to an increase in the amplitude of the input signal and that can also handle a signal having a noise component or another signal component immediately after the input signal can be realized. Further, a peak detection circuit in which a malfunction does not easily occur can be realized without using a high resistance.

【0155】したがって、ホールド電圧保持用の容量素
子を外付けとしないで、数Hzから数十Hzの低い入力
信号に対応できるピークホールド回路を簡単なCMOS
プロセスで半導体集積回路中に作製でき、システムの小
型化、部品点数の削減ができる。このため、装置のコス
ト削減が図れる。また、半導体集積回路中に取り込んだ
ことにより、テスト時間の短縮機能やパワーダウン機能
の追加など高機能化が図れる利点がある。
Therefore, a peak hold circuit capable of responding to an input signal as low as several Hz to several tens of Hz without using an external capacitor for holding a hold voltage is provided by a simple CMOS.
It can be manufactured in a semiconductor integrated circuit by a process, so that the size of the system can be reduced and the number of components can be reduced. Therefore, the cost of the apparatus can be reduced. In addition, by incorporating it in a semiconductor integrated circuit, there is an advantage that a higher function can be achieved, for example, a function of shortening a test time or adding a power down function.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るピーク検出回路の第1の実施形態
を示すブロック構成図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a peak detection circuit according to the present invention.

【図2】第1の実施形態に係る上限値用ピーク検出回路
の具体的な回路構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a specific circuit configuration of an upper limit value peak detection circuit according to the first embodiment.

【図3】図2の回路の動作を説明するためのタイミング
チャートである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the circuit of FIG. 2;

【図4】本発明に係るピーク検出回路の第2の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of a peak detection circuit according to the present invention.

【図5】図4の下限値用ピーク検出回路の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of the lower limit value peak detection circuit of FIG. 4;

【図6】本発明に係るピーク検出回路の第3の実施形態
を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of a peak detection circuit according to the present invention.

【図7】本発明に係るピーク検出回路の第4の実施形態
を示すブロック構成図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a fourth embodiment of the peak detection circuit according to the present invention.

【図8】第4の実施形態に係る上限値用ピーク検出回路
の具体的な回路構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a specific circuit configuration of an upper limit value peak detection circuit according to a fourth embodiment.

【図9】図8の上限値用ピーク検出回路の動作を説明す
るためのタイミングチャートである。
9 is a timing chart for explaining the operation of the upper limit value peak detection circuit of FIG. 8;

【図10】本発明に係るピーク検出回路の第5の実施形
態を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of a peak detection circuit according to the present invention.

【図11】図10のピーク検出回路の動作を説明するた
めのタイミングチャートである。
FIG. 11 is a timing chart for explaining the operation of the peak detection circuit of FIG. 10;

【図12】本発明に係るピーク検出回路の第6の実施形
態を示すブロック構成図である。
FIG. 12 is a block diagram showing a peak detection circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図13】第6の実施形態に係る上限値用ピーク検出回
路の具体的な回路構成を示す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a specific circuit configuration of an upper limit value peak detection circuit according to a sixth embodiment.

【図14】上限値用ピーク検出回路を構成するピークホ
ールド回路、中間電圧発生回路およびクランプ回路に適
用されるオペアンプの具体的な構成例を示す回路図であ
る。
FIG. 14 is a circuit diagram showing a specific configuration example of an operational amplifier applied to a peak hold circuit, an intermediate voltage generation circuit, and a clamp circuit which constitute the upper limit value peak detection circuit.

【図15】本発明に係るピーク検出回路の第7の実施形
態を示すブロック構成図である。
FIG. 15 is a block diagram showing a seventh embodiment of the peak detection circuit according to the present invention.

【図16】第7の実施形態に係る下限値用ピーク検出回
路の具体的な回路構成を示す図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating a specific circuit configuration of a lower limit value peak detection circuit according to a seventh embodiment.

【図17】下限値用ピーク検出回路を構成するピークホ
ールド回路、中間電圧発生回路およびクランプ回路に適
用されるオペアンプの具体的な構成例を示す回路図であ
る。
FIG. 17 is a circuit diagram showing a specific configuration example of an operational amplifier applied to a peak hold circuit, an intermediate voltage generation circuit, and a clamp circuit that constitute a lower limit value peak detection circuit.

【図18】本発明に係るピーク検出回路の第8の実施形
態を示す回路図である。
FIG. 18 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of a peak detection circuit according to the present invention.

【図19】図18のクランプアシスト電圧発生回路の構
成例を示す回路図である。
FIG. 19 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a clamp assist voltage generation circuit in FIG. 18;

【図20】本発明に係るピークホールド回路をサーボ制
御用半導体集積回路の一部として適用したときの一例を
示すブロック構成図である。
FIG. 20 is a block diagram showing an example in which the peak hold circuit according to the present invention is applied as a part of a semiconductor integrated circuit for servo control.

【図21】本発明に係るピーク検出回路をサーボ制御用
半導体集積回路の一部として適用したときの一例を示す
ブロック構成図である。
FIG. 21 is a block diagram showing an example in which the peak detection circuit according to the present invention is applied as a part of a semiconductor integrated circuit for servo control.

【図22】従来のピーク検出回路の第1の構成例を示す
ブロック図である。
FIG. 22 is a block diagram illustrating a first configuration example of a conventional peak detection circuit.

【図23】従来のピーク検出回路の第2の構成例を示す
ブロック図である。
FIG. 23 is a block diagram illustrating a second configuration example of a conventional peak detection circuit.

【図24】従来の上限値用ピークホールド回路の構成例
を示す回路図である。
FIG. 24 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional peak hold circuit for an upper limit.

【図25】従来の下限値用ピークホールド回路の構成例
を示す回路図である。
FIG. 25 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional lower limit value peak hold circuit.

【図26】サンプルホールド回路の構成例を示す回路図
である。
FIG. 26 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a sample and hold circuit.

【図27】ピークホールド回路で構成されるピーク検出
回路の動作波形を示す図である。
FIG. 27 is a diagram showing operation waveforms of a peak detection circuit constituted by a peak hold circuit.

【図28】ピークホールド回路で構成されるピーク検出
回路の動作波形を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing operation waveforms of a peak detection circuit constituted by a peak hold circuit.

【図29】ピークホールド回路およびサンプルホールド
回路で構成されるピーク検出回路の動作波形を示す図で
ある。
FIG. 29 is a diagram showing operation waveforms of a peak detection circuit including a peak hold circuit and a sample hold circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

PD100,PD100a〜PD100f…ピーク検出
回路、100,100−1,100−2,100−1
a,100−2a…ピークホールド回路、110…オペ
アンプ、120…整流素子、130…ホールド用容量素
子、140−1,140−2…減衰(リセット)回路、
150−1…リセット・ホールド切換回路、150−2
…ロード・ホールド切換回路、200…スイッチドキャ
パシタ、300…電圧源、400,400−1a,40
0−2a,400−2b…クランプ回路、440…クラ
ンプアシスト電圧発生回路、500,500a,500
b…中間電圧発生回路、600…プルアップ回路、60
0−1a,600−2a…プルダウン回路
PD100, PD100a to PD100f ... peak detection circuits, 100, 100-1, 100-2, 100-1
a, 100-2a: peak hold circuit, 110: operational amplifier, 120: rectifying element, 130: holding capacitive element, 140-1, 140-2: attenuation (reset) circuit,
150-1: reset / hold switching circuit, 150-2
... load / hold switching circuit, 200 ... switched capacitor, 300 ... voltage source, 400, 400-1a, 40
0-2a, 400-2b: Clamp circuit, 440: Clamp assist voltage generation circuit, 500, 500a, 500
b: intermediate voltage generating circuit, 600: pull-up circuit, 60
0-1a, 600-2a ... pull-down circuit

Claims (46)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ホールドノードに接続された容量素子を
有し、入力信号のピーク値をホールドするピークホール
ド回路と、 所定レベルの電圧源と接続される減衰用容量素子と、当
該減衰用容量素子と上記ピークホールド回路のホールド
ノードとの接続、非接続状態を切り換えるスイッチ回路
とを備えたスイッチドキャパシタとを有するピーク検出
回路。
1. A peak hold circuit having a capacitor connected to a hold node and holding a peak value of an input signal, an attenuation capacitor connected to a voltage source having a predetermined level, and the attenuation capacitor And a switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state with the hold node of the peak hold circuit.
【請求項2】 上記減衰用容量素子の容量値は、上記ホ
ールド用容量素子の容量値より小さい値に設定され、 上記スイッチ回路の切り換え動作が繰り返し行われる請
求項1記載のピーク検出回路。
2. The peak detection circuit according to claim 1, wherein the capacitance value of the attenuation capacitance element is set to a value smaller than the capacitance value of the hold capacitance element, and the switching operation of the switch circuit is repeatedly performed.
【請求項3】 上記電圧源は、上記ピークホールド回路
のホールド電圧から一定電圧を減算した電圧を供給する
請求項1記載のピーク検出回路。
3. The peak detection circuit according to claim 1, wherein said voltage source supplies a voltage obtained by subtracting a fixed voltage from a hold voltage of said peak hold circuit.
【請求項4】 上記スイッチドキャパシタは、上記減衰
用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り換
える第2のスイッチ回路を有する請求項1記載のピーク
検出回路。
4. The peak detection circuit according to claim 1, wherein said switched capacitor has a second switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state between said attenuation capacitance element and said voltage source.
【請求項5】 上記スイッチドキャパシタは、上記減衰
用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り換
える第2のスイッチ回路を有する請求項2記載のピーク
検出回路。
5. The peak detection circuit according to claim 2, wherein the switched capacitor has a second switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state between the attenuation capacitor and the voltage source.
【請求項6】 上記スイッチドキャパシタは、上記減衰
用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り換
える第2のスイッチ回路を有する請求項3記載のピーク
検出回路。
6. The peak detection circuit according to claim 3, wherein the switched capacitor has a second switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state between the attenuation capacitor and the voltage source.
【請求項7】 上記第2のスイッチ回路が非接続状態に
ある期間中に、上記ホールドノードとの接続状態を切り
換えるスイッチ回路が接続状態に切り換えられる請求項
4記載のピーク検出回路。
7. The peak detection circuit according to claim 4, wherein a switch circuit for switching a connection state with the hold node is switched to a connection state while the second switch circuit is in a non-connection state.
【請求項8】 2つの入力端子を有し、一方の入力端子
に信号が入力され、他方の入力端子にホールドノードの
電位が帰還される信号入力用演算増幅器と、一端子側が
上記信号入力用演算増幅器の出力側に接続され他端子側
に上記ホールドノードが接続されたホールド用整流素子
と、上記ホールドノードに接続されたホールド用容量素
子とを備えたピークホールド回路と、 所定レベルの電圧源と接続される減衰用容量素子と、当
該減衰用容量素子と上記ピークホールド回路のホールド
ノードとの接続、非接続状態を切り換えるスイッチ回路
とを備えたスイッチドキャパシタとを有するピーク検出
回路。
8. An operational amplifier for signal input having two input terminals, a signal is input to one input terminal, and the potential of a hold node is fed back to the other input terminal, and one terminal is connected to the signal input operational amplifier. A peak hold circuit including a hold rectifier connected to the output side of the operational amplifier and the other end connected to the hold node, a hold capacitor connected to the hold node, and a voltage source having a predetermined level A peak detection circuit comprising: an attenuating capacitive element connected to the peak hold circuit; and a switched capacitor including a switch circuit for switching a connection / disconnection state between the attenuating capacitive element and a hold node of the peak hold circuit.
【請求項9】 上記減衰用容量素子の容量値は、上記ホ
ールド用容量素子の容量値より小さい値に設定され、 上記スイッチ回路の切り換え動作が繰り返し行われる請
求項8記載のピーク検出回路。
9. The peak detection circuit according to claim 8, wherein a capacitance value of the attenuation capacitance element is set to a value smaller than a capacitance value of the hold capacitance element, and the switching operation of the switch circuit is repeatedly performed.
【請求項10】 上記電圧源は、上記ピークホールド回
路のホールド電圧から一定電圧を減算した電圧を供給す
る請求項8記載のピーク検出回路。
10. The peak detection circuit according to claim 8, wherein said voltage source supplies a voltage obtained by subtracting a fixed voltage from a hold voltage of said peak hold circuit.
【請求項11】 上記スイッチドキャパシタは、上記減
衰用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り
換える第2のスイッチ回路を有する請求項8記載のピー
ク検出回路。
11. The peak detection circuit according to claim 8, wherein the switched capacitor has a second switch circuit that switches between a connection state and a non-connection state between the attenuation capacitor and the voltage source.
【請求項12】 上記スイッチドキャパシタは、上記減
衰用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り
換える第2のスイッチ回路を有する請求項9記載のピー
ク検出回路。
12. The peak detection circuit according to claim 9, wherein said switched capacitor has a second switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state between said attenuation capacitor and said voltage source.
【請求項13】 上記スイッチドキャパシタは、上記減
衰用容量素子と上記電圧源との接続、非接続状態を切り
換える第2のスイッチ回路を有する請求項10記載のピ
ーク検出回路。
13. The peak detection circuit according to claim 10, wherein said switched capacitor has a second switch circuit for switching between a connection state and a non-connection state between said attenuation capacitance element and said voltage source.
【請求項14】 上記第2のスイッチ回路が非接続状態
にある期間中に、上記ホールドノードとの接続状態を切
り換えるスイッチ回路が接続状態に切り換えられる請求
項11記載のピーク検出回路。
14. The peak detection circuit according to claim 11, wherein a switch circuit for switching a connection state with the hold node is switched to a connection state while the second switch circuit is in a non-connection state.
【請求項15】 上記整流素子の上記信号入力用演算増
幅器の出力側ノードの電圧をアナロググランドからホー
ルド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期間中の信号
入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロ
ググランドよりの電圧に調整する電圧調整手段を有する
請求項8記載のピーク検出回路。
15. A voltage at an output node of the operational amplifier for signal input of the rectifier element is higher than a voltage between analog ground and a hold voltage or a voltage at which an output of the operational amplifier for signal input during a hold period is cut off. 9. The peak detection circuit according to claim 8, further comprising voltage adjusting means for adjusting the voltage to a voltage higher than the analog ground.
【請求項16】上記電圧調整手段は、アナロググランド
からホールド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期間
中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧より
もアナロググランドよりの電圧に対応する基準電圧を受
けて、上記信号入力用演算増幅器の出力側ノードの電圧
を当該基準電圧にクランプするクランプ回路により構成
されている請求項15記載のピーク検出回路。
16. A reference voltage corresponding to a voltage between the analog ground and a voltage between the analog ground and the hold voltage or a voltage from the output of the operational amplifier for signal input during the hold period. 16. The peak detection circuit according to claim 15, further comprising a clamp circuit that receives the signal and clamps a voltage at an output node of the signal input operational amplifier to the reference voltage.
【請求項17】 上記クランプ回路は、2つの入力端子
を有し、一方の入力端子に上記基準電圧が供給され、他
方の入力端子に上記信号入力用演算増幅器の出力側ノー
ドの電圧が供給されるクランプ用演算増幅器と、 一端子側が上記クランプ用演算増幅器の出力側に接続さ
れ、他端子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側ノー
ドと当該クランプ用演算増幅器の他方の入力端子との接
続点に接続された整流素子とを有する請求項16記載の
ピーク検出回路。
17. The clamp circuit has two input terminals. One input terminal is supplied with the reference voltage, and the other input terminal is supplied with a voltage of an output node of the operational amplifier for signal input. And a connection point between the output node of the signal input operational amplifier and the other input terminal of the clamp operational amplifier, the other terminal side of which is connected to the output side of the operational amplifier for clamp. 17. The peak detection circuit according to claim 16, further comprising:
【請求項18】 上記クランプ回路は、上記信号入力用
演算増幅器の出力側と上記クランプ用演算増幅器の他方
の入力端子との間に接続された抵抗素子を有する請求項
17記載のピーク検出回路。
18. The peak detection circuit according to claim 17, wherein the clamp circuit has a resistance element connected between the output side of the operational amplifier for signal input and the other input terminal of the operational amplifier for clamp.
【請求項19】 上記クランプ回路の抵抗素子は、ゲー
トに制御信号が供給された絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタにより構成されている請求項18記載のピーク検
出回路。
19. The peak detection circuit according to claim 18, wherein the resistance element of the clamp circuit is constituted by an insulated gate field effect transistor having a gate supplied with a control signal.
【請求項20】 上記制御信号は、ホールド期間中は上
記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状態に保持
させ、上記ホールドノードのリセット時に上記絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタを非導通状態に保持させる信
号である請求項19記載のピーク検出回路。
20. The control signal is a signal for holding the insulated gate field effect transistor in a conductive state during a hold period, and holding the insulated gate field effect transistor in a non-conductive state when the hold node is reset. 20. The peak detection circuit according to claim 19, wherein:
【請求項21】 上記整流素子は、上記信号入力用演算
増幅器の出力ノード側からホールドノードに向かって順
方向となるように接続され、かつ、 上記信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルアップ回
路が接続されている請求項8記載のピーク検出回路。
21. The rectifying element is connected in a forward direction from an output node side of the signal input operational amplifier toward a hold node, and a pull-up circuit is connected to an output node of the signal input operational amplifier. 9. The peak detection circuit according to claim 8, wherein?
【請求項22】 上記整流素子は、ホールドノードから
上記信号入力用演算増幅器の出力ノード側に向かって順
方向となるように接続され、かつ、 上記信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルダウン回
路が接続されている請求項8記載のピーク検出回路。
22. The rectifying element is connected in a forward direction from a hold node toward an output node of the operational amplifier for signal input, and a pull-down circuit is provided at an output node of the operational amplifier for signal input. 9. The peak detection circuit according to claim 8, wherein the peak detection circuit is connected.
【請求項23】 上記整流素子は、一端子側が上記信号
入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記
ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端子
側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電界
効果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧の
間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用
演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラ
ンドよりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路を有す
る請求項8記載のピーク検出回路。
23. The rectifying element, wherein one terminal side is connected to the output side of the operational amplifier for signal input, the other terminal side is connected to the hold node, and one of the one terminal side or the other terminal side and a gate are connected. Is connected to a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element, an intermediate voltage between analog ground and a hold voltage, or a signal input operation during the hold period. 9. The peak detection circuit according to claim 8, further comprising an intermediate voltage generation circuit that supplies an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the amplifier has been cut off.
【請求項24】 上記整流素子は、一端子側が上記信号
入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記
ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端子
側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電界
効果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧の
間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用
演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラ
ンドよりの中間電圧を供給するとともに、当該中間電圧
を上記クランプ回路へ上記基準電圧として供給する中間
電圧発生回路を有する請求項16記載のピーク検出回
路。
24. The rectifier element, wherein one terminal side is connected to the output side of the signal input operational amplifier, the other terminal side is connected to the hold node, and either the one terminal side or the other terminal side is connected to the gate. Is connected to a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element, an intermediate voltage between analog ground and a hold voltage, or a signal input operation during the hold period. 17. The peak detection circuit according to claim 16, further comprising: an intermediate voltage generation circuit that supplies an intermediate voltage from an analog ground rather than a voltage at which the output of the amplifier has cut off, and supplies the intermediate voltage to the clamp circuit as the reference voltage.
【請求項25】 上記スイッチドキャパシタの上記ホー
ルドノードとの接続状態を切り換えるスイッチ回路が絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、 上記スイッチ回路の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
のバルク端子にアナロググランドからホールド電圧の間
の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演
算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラン
ドよりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路を有する
請求項8記載のピーク検出回路。
25. A switch circuit for switching a connection state of the switched capacitor with the hold node is constituted by an insulated gate field effect transistor, and a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of the switch circuit is held from analog ground. 9. The peak detection circuit according to claim 8, further comprising: an intermediate voltage generating circuit for supplying an intermediate voltage between the voltages or an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off.
【請求項26】 上記整流素子は、一端子側が上記信号
入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記
ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端子
側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電界
効果トランジスタにより構成され、かつ、 上記スイッチドキャパシタの上記ホールドノードとの接
続状態を切り換えるスイッチ回路が絶縁ゲート型電界効
果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子および上記スイッチ回路の絶縁ゲート型
電界効果トランジスタのバルク端子にアナロググランド
からホールド電圧の間の中間電圧、もしくは、ホールド
期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧
よりもアナロググランドよりの中間電圧を供給する中間
電圧発生回路とを有する請求項8記載のピーク検出回
路。
26. The rectifier element, wherein one terminal side is connected to the output side of the signal input operational amplifier, the other terminal side is connected to the hold node, and either one of the one terminal side or the other terminal side and a gate are connected. And a switch circuit for switching a connection state of the switched capacitor with the hold node is formed of an insulated gate field effect transistor, and an insulated gate as the rectifying element. The intermediate voltage between analog ground and the hold voltage, or the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is applied to the bulk terminal of the field-effect transistor and the bulk terminal of the insulated gate field-effect transistor of the switch circuit. While supplying an intermediate voltage from the analog ground rather than Peak detection circuit according to claim 8, further comprising a voltage generating circuit.
【請求項27】 上記整流素子は、一端子側が上記信号
入力用演算増幅器の出力側に接続され、他端子側に上記
ホールドノードが接続され、当該一端子側または他端子
側のいずれかとゲートとが接続された絶縁ゲート型電界
効果トランジスタにより構成され、かつ、 上記スイッチドキャパシタの上記ホールドノードとの接
続状態を切り換えるスイッチ回路が絶縁ゲート型電界効
果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子および上記リセット回路の絶縁ゲート型
電界効果トランジスタのバルク端子にアナロググランド
からホールド電圧の間の中間電圧、もしくは、ホールド
期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧
よりもアナロググランドよりの中間電圧を供給するとと
もに、当該中間電圧を上記クランプ回路へ上記基準電圧
として供給する中間電圧発生回路とを有する請求項16
記載のピーク検出回路。
27. The rectifier element has one terminal side connected to the output side of the operational amplifier for signal input, the other terminal side connected to the hold node, and one of the one terminal side or the other terminal side and a gate. And a switch circuit for switching a connection state of the switched capacitor with the hold node is formed of an insulated gate field effect transistor, and an insulated gate as the rectifying element. The intermediate voltage between analog ground and the hold voltage, or the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is applied to the bulk terminal of the field effect transistor and the bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of the reset circuit. Supply an intermediate voltage from the analog ground Moni, claim 16 and an intermediate voltage generating circuit for supplying the intermediate voltage as the reference voltage to the clamping circuit
The described peak detection circuit.
【請求項28】 2つの入力端子を有し、一方の入力端
子に信号が入力され、他方の入力端子に第1のホールド
ノードの電位が帰還される第1の信号入力用演算増幅器
と、一端子側が上記第1の信号入力用演算増幅器の出力
側に接続され他端子側に上記第1のホールドノードが接
続された第1のホールド用整流素子と、上記第1のホー
ルドノードに接続された第1のホールド用容量素子と、
リセット時にホールド電圧を減衰もしくは再設定させる
ための減衰手段とを備えた第1のピークホールド回路
と、 2つの入力端子を有し、一方の入力端子に上記信号が入
力され、他方の入力端子に第2のホールドノードの電位
が帰還される第2の信号入力用演算増幅器と、一端子側
が上記第2の信号入力用演算増幅器の出力側に接続さ
れ、他端子側に上記第2のホールドノードが接続された
第2のホールド用整流素子と、上記第2のホールドノー
ドに接続された第2のホールド用容量素子と、少なくと
も上記第1のピークホールド回路でピーク値がホールド
された当該第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードの電位を当該第2のホールドノードに伝達可能な
ロード手段とを備えた第2のピークホールド回路とを有
するピーク検出回路。
28. A first signal input operational amplifier having two input terminals, a signal being input to one input terminal, and a potential of a first hold node being fed back to the other input terminal. A first hold rectifying element having a terminal connected to the output of the first signal input operational amplifier and the other terminal connected to the first hold node; and a terminal connected to the first hold node. A first holding capacitive element;
A first peak hold circuit having an attenuating means for attenuating or resetting the hold voltage at the time of resetting; and a first peak hold circuit having two input terminals, the signal being input to one input terminal, and the other input terminal being connected to the other input terminal. A second signal input operational amplifier to which the potential of the second hold node is fed back, one terminal connected to the output side of the second signal input operational amplifier, and the other terminal connected to the second hold node , A second hold capacitor connected to the second hold node, and at least a first peak held by the first peak hold circuit. And a second peak hold circuit having load means capable of transmitting the potential of the first hold node of the peak hold circuit to the second hold node. Road.
【請求項29】 上記減衰手段は、リセット時に上記第
1のホールドノードをリセット電位に接続する第1のス
イッチにより構成され、 上記ロード手段は、ロード時に、上記第2のホールドノ
ードを上記第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードに接続する第2のスイッチにより構成されている
請求項28記載のピーク検出回路。
29. The attenuating means includes a first switch for connecting the first hold node to a reset potential at the time of reset, and the load means sets the second hold node to the first potential at the time of loading. 29. The peak detection circuit according to claim 28, comprising a second switch connected to the first hold node of the peak hold circuit.
【請求項30】 上記第1のピークホールド回路の第1
の整流素子は、一端子側が上記第1の信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記第1のホール
ドノードが接続され、当該一端子側または他端子側のい
ずれかとゲートが接続されると整流素子として機能する
第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成さ
れ、かつ、 上記第2のピークホールド回路の第2の整流素子は、一
端子側が上記第2の信号入力用演算増幅器の出力側に接
続され、他端子側に上記第2のホールドノードが接続さ
れ、当該一端子側または他端子側のいずれかとゲートが
接続されると整流素子として機能する第2の絶縁ゲート
型電界効果トランジスタにより構成され、 上記減衰手段は、ホールド期間中は、上記第1の絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタの一端子側または他端子側
のいずれかとゲートとを接続させて第1の整流素子とし
て機能させ、上記第1のホールドノードのリセット時に
は、当該一端子側または他端子側のいずれかとゲートと
を非接続状態に保持させて、当該第1の絶縁ゲート型電
界効果トランジスタを導通状態に保持させるリセット・
ホールド切換回路により構成され、 上記ロード手段は、ホールド期間中は、上記第2の絶縁
ゲート型電界効果トランジスタの一端子側または他端子
側のいずれかとゲートとを接続させて第2の整流素子と
して機能させ、ロード時には、当該一端子側または他端
子側のいずれかとゲートとを非接続状態に保持させて、
当該第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状
態に保持させるとともに、上記第1のピークホールド回
路の第1のホールドノードを上記第2の絶縁ゲート型電
界効果トランジスタの一端子側に接続させるロード・ホ
ールド切換回路により構成されている請求項28記載の
ピーク検出回路。
30. The first peak hold circuit according to claim 1, wherein:
Has one terminal connected to the output of the first signal input operational amplifier, the other terminal connected to the first hold node, and gated to either the one terminal or the other terminal. Is connected, a first insulated gate field effect transistor that functions as a rectifying element, and one terminal side of the second rectifying element of the second peak hold circuit is used for the second signal input. A second insulated gate that is connected to the output side of the operational amplifier, connected to the other terminal side to the second hold node, and functions as a rectifying element when the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side The attenuating means is connected to either one terminal or the other terminal of the first insulated gate field effect transistor during the hold period. Are connected to each other to function as a first rectifying element, and at the time of resetting the first hold node, one of the one terminal side or the other terminal side and the gate are kept in a non-connected state, and the first A reset that keeps the insulated gate field effect transistor conductive
The load means is configured as a second rectifier element by connecting one of the terminal and the other terminal of the second insulated gate field effect transistor to a gate during a hold period. Function, and at the time of loading, either the one terminal side or the other terminal side and the gate are kept in a disconnected state,
A load for holding the second insulated gate field effect transistor in a conductive state and connecting a first hold node of the first peak hold circuit to one terminal of the second insulated gate field effect transistor; 29. The peak detection circuit according to claim 28, comprising a hold switching circuit.
【請求項31】 上記減衰手段は、リセット時に上記第
1のホールドノードをリセット電位に接続する第1のス
イッチにより構成され、 上記第2のピークホールド回路の第2の整流素子は、一
端子側が上記第2の信号入力用演算増幅器の出力側に接
続され、他端子側に上記第2のホールドノードが接続さ
れ、当該一端子側または他端子側のいずれかとゲートが
接続されると整流素子として機能する絶縁ゲート型電界
効果トランジスタにより構成され、 上記ロード手段は、ホールド期間中は、上記絶縁ゲート
型電界効果トランジスタの一端子側または他端子側のい
ずれかとゲートとを接続させて第2の整流素子として機
能させ、ロード時には、当該一端子側または他端子側の
いずれかとゲートとを非接続状態に保持させて、当該絶
縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状態に保持させ
るとともに、上記第1のピークホールド回路の第1のホ
ールドノードを上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
の一端子側に接続させるロード・ホールド切換回路によ
り構成されている請求項28記載のピーク検出回路。
31. The attenuating means is constituted by a first switch for connecting the first hold node to a reset potential at the time of reset. The second rectifying element of the second peak hold circuit has one terminal side. When the second hold node is connected to the output side of the second signal input operational amplifier, the other terminal side is connected, and the gate is connected to one of the one terminal side or the other terminal side, the rectifier element is used. The load means comprises a second rectifier which connects one of a terminal side and another terminal side of the insulated gate type field effect transistor to a gate during a hold period. The element functions as an element, and at the time of loading, either the one terminal side or the other terminal side and the gate are kept in a non-connected state, and the insulated gate type electrode is held. A load / hold switching circuit for holding the effect transistor in a conductive state and connecting a first hold node of the first peak hold circuit to one terminal of the insulated gate field effect transistor. 28. The peak detection circuit according to 28.
【請求項32】 上記第1のピークホールド回路の第1
の整流素子は、一端子側が上記第1の信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記第1のホール
ドノードが接続され、当該一端子側または他端子側のい
ずれかとゲートが接続されると整流素子として機能する
絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、か
つ、 上記減衰手段は、ホールド期間中は、上記絶縁ゲート型
電界効果トランジスタの一端子側または他端子側のいず
れかとゲートとを接続させて第1の整流素子として機能
させ、上記第1のホールドノードのリセット時には、当
該一端子側または他端子側のいずれかとゲートとを非接
続状態に保持させて、当該絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタを導通状態に保持させるリセット・ホールド切換
回路により構成され、 上記ロード手段は、ロード時に、上記第2のホールドノ
ードを上記第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードに接続する第2のスイッチにより構成されている
請求項28記載のピーク検出回路。
32. The first peak hold circuit according to claim 1, wherein
Has one terminal connected to the output of the first signal input operational amplifier, the other terminal connected to the first hold node, and gated to either the one terminal or the other terminal. Is connected, and is constituted by an insulated gate field effect transistor functioning as a rectifying element, and the attenuating means is connected to either one terminal side or the other terminal side of the insulated gate field effect transistor during a hold period. Connecting the gate with the gate to function as a first rectifying element, and when resetting the first hold node, holding either the one terminal side or the other terminal side and the gate in a non-connected state; And a reset / hold switching circuit for holding the conduction type field effect transistor in a conductive state. Second peak detecting circuit according to claim 28, wherein being configured by a switch connected to the first holding node of the first peak hold circuit Rudonodo.
【請求項33】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子の上記信号入力用演算増幅器の出力側
ノードの電圧をアナロググランドからホールド電圧の間
の電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算増
幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランドよ
りの電圧に調整する電圧調整手段を有する請求項28記
載のピーク検出回路。
33. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, a voltage of an output side node of the signal input operational amplifier of the rectifier element is set between an analog ground and a hold voltage. 29. The peak detection circuit according to claim 28, further comprising voltage adjustment means for adjusting the voltage or the voltage of the output of the operational amplifier for signal input during the hold period to a voltage higher than the analog ground voltage.
【請求項34】 上記電圧調整手段は、アナロググラン
ドからホールド電圧の間の電圧、もしくは、ホールド期
間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切れた電圧よ
りもアナロググランドよりの電圧に対応する基準電圧を
受けて、上記信号入力用演算増幅器の出力側ノードの電
圧を当該基準電圧にクランプするクランプ回路により構
成されている請求項33記載のピーク検出回路。
34. The voltage adjusting means, comprising: a reference voltage corresponding to a voltage between analog ground and a hold voltage, or a voltage from analog ground to a voltage higher than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off. 34. The peak detection circuit according to claim 33, further comprising a clamp circuit that clamps the voltage of the output node of the operational amplifier for signal input to the reference voltage.
【請求項35】 上記クランプ回路は、2つの入力端子
を有し、一方の入力端子に上記基準電圧が供給され、他
方の入力端子に上記信号入力用演算増幅器の出力側ノー
ドの電圧が供給されるクランプ用演算増幅器と、 一端子側が上記クランプ用演算増幅器の出力側に接続さ
れ、他端子側が上記信号入力用演算増幅器の出力側ノー
ドと当該クランプ用演算増幅器の他方の入力端子との接
続点に接続された整流素子と有する請求項34記載のピ
ーク検出回路。
35. The clamp circuit has two input terminals, one of the input terminals is supplied with the reference voltage, and the other input terminal is supplied with a voltage of an output node of the operational amplifier for signal input. And a connection point between the output node of the signal input operational amplifier and the other input terminal of the clamp operational amplifier, the other terminal side of which is connected to the output side of the operational amplifier for clamp. 35. The peak detection circuit according to claim 34, further comprising: a rectifier connected to the peak detection circuit.
【請求項36】 上記クランプ回路は、上記信号入力用
演算増幅器の出力側と上記クランプ用演算増幅器の他方
の入力端子との間に接続された抵抗素子を有する請求項
35記載のピーク検出回路。
36. The peak detection circuit according to claim 35, wherein the clamp circuit has a resistance element connected between the output side of the operational amplifier for signal input and the other input terminal of the operational amplifier for clamp.
【請求項37】 上記クランプ回路の抵抗素子は、ゲー
トに制御信号が供給された絶縁ゲート型電界効果トラン
ジスタにより構成されている請求項36記載のピーク検
出回路。
37. The peak detection circuit according to claim 36, wherein the resistance element of the clamp circuit comprises an insulated gate field effect transistor having a gate supplied with a control signal.
【請求項38】 上記制御信号は、ホールド期間中は上
記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを導通状態に保持
させ、上記ホールドノードのリセット時に上記絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタを非導通状態に保持させる信
号である請求項37記載のピーク検出回路。
38. The control signal is a signal for holding the insulated gate field effect transistor in a conductive state during a hold period, and holding the insulated gate field effect transistor in a non-conductive state when the hold node is reset. The peak detection circuit according to claim 37.
【請求項39】 上記制御信号は、上記クランプ用演算
増幅器の出力電圧に応じて設定されたクランプアシスト
電圧信号である請求項37記載のピーク検出回路。
39. The peak detection circuit according to claim 37, wherein the control signal is a clamp assist voltage signal set according to an output voltage of the operational amplifier for clamping.
【請求項40】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、上記信号入力用演算増幅器の出力
ノード側からホールドノードに向かって順方向となるよ
うに接続され、かつ、 上記信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルアップ回
路が接続されている請求項28記載のピークホールド回
路。
40. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier element is in a forward direction from the output node side of the signal input operational amplifier toward the hold node. 29. The peak hold circuit according to claim 28, wherein a pull-up circuit is connected to the output node of the operational amplifier for signal input.
【請求項41】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、ホールドノードから上記信号入力
用演算増幅器の出力ノード側に向かって順方向となるよ
うに接続され、かつ、 上記信号入力用演算増幅器の出力ノードにプルダウン回
路が接続されている請求項28記載のピーク検出回路。
41. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier element is in a forward direction from a hold node toward an output node side of the signal input operational amplifier. 29. The peak detection circuit according to claim 28, wherein a pull-down circuit is connected to an output node of the operational amplifier for signal input.
【請求項42】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、一端子側が上記信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記ホールドノー
ドが接続され、当該一端子側または他端子側のいずれか
とゲートとが接続された絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧の
間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用
演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラ
ンドよりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路を有す
る請求項28記載のピーク検出回路。
42. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifying element has one terminal connected to the output of the signal input operational amplifier and the other terminal connected to the other terminal. The hold node is connected, and the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected. The bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifier element is connected to the analog terminal. 29. The peak according to claim 28, further comprising: an intermediate voltage generating circuit for supplying an intermediate voltage between the ground and the hold voltage or an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period is cut off. Detection circuit.
【請求項43】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、一端子側が上記信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記ホールドノー
ドが接続され、当該一端子側または他端子側のいずれか
とゲートとが接続された絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子にアナロググランドからホールド電圧の
間の中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用
演算増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググラ
ンドよりの中間電圧を供給するとともに、当該中間電圧
を上記クランプ回路へ上記基準電圧として供給する中間
電圧発生回路を有する請求項34記載のピーク検出回
路。
43. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier has one terminal connected to the output of the signal input operational amplifier and the other terminal connected to the other terminal. The hold node is connected, and the gate is connected to either the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected. The bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as the rectifying element is connected to the analog terminal. An intermediate voltage between the ground and the hold voltage, or an intermediate voltage from the analog ground which is higher than the voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has run out, and the intermediate voltage is supplied to the clamp circuit as the reference voltage. 35. The peak detection according to claim 34, further comprising an intermediate voltage generation circuit for supplying a voltage. Road.
【請求項44】 上記減衰手段は、リセット時に上記第
1のホールドノードをリセット電位に接続する第1のス
イッチからなる絶縁ゲート型電界効果トランジスタによ
り構成され、 上記ロード手段は、ロード時に、上記第2のホールドノ
ードを上記第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードに接続する第2のスイッチからなる絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成され、 上記減衰手段またはロード手段の少なくとも一方の絶縁
ゲート型電界効果トランジスタのバルク端子にアナログ
グランドからホールド電圧の間の中間電圧、もしくは、
ホールド期間中の信号入力用演算増幅器の出力が振り切
れた電圧よりもアナロググランドよりの中間電圧を供給
する中間電圧発生回路を有する請求項28記載のピーク
検出回路。
44. The attenuating means is constituted by an insulated gate field effect transistor comprising a first switch connecting the first hold node to a reset potential at the time of reset, and the loading means is configured to load the first hold node at the time of loading. And an insulated gate field effect transistor comprising a second switch connecting the second hold node to the first hold node of the first peak hold circuit, wherein at least one of the attenuating means and the load means is insulated gate type. Intermediate voltage between analog ground and hold voltage to the bulk terminal of the field effect transistor, or
29. The peak detection circuit according to claim 28, further comprising an intermediate voltage generation circuit that supplies an intermediate voltage from an analog ground to a voltage at which the output of the operational amplifier for signal input during the hold period has fallen.
【請求項45】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、一端子側が上記信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記ホールドノー
ドが接続され、当該一端子側または他端子側のいずれか
とゲートとが接続された絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタにより構成され、かつ、 上記減衰手段は、リセット時に上記第1のホールドノー
ドをリセット電位に接続する第1のスイッチからなる絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、 上記ロード手段は、ロード時に、上記第2のホールドノ
ードを上記第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードに接続する第2のスイッチからなる絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子および上記減衰手段またはロード手段の
少なくとも一方の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
バルク端子にアナロググランドからホールド電圧の間の
中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算
増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧を供給する中間電圧発生回路とを有する
請求項28記載のピーク検出回路。
45. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier has one terminal connected to the output of the signal input operational amplifier and the other terminal connected to the other terminal. The hold node is connected, the gate is connected to one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected. The attenuating means is configured to reset the first hold node at the time of reset. An insulated gate field effect transistor comprising a first switch connected to a reset potential, wherein the load means connects the second hold node to a first hold node of the first peak hold circuit during loading. The insulated gate field effect transistor comprising a second switch to be connected; An intermediate voltage between analog ground and a hold voltage to a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as an element and a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of at least one of the attenuation means or the load means, or during a hold period. 29. The peak detection circuit according to claim 28, further comprising: an intermediate voltage generation circuit that supplies an intermediate voltage from an analog ground rather than a voltage at which the output of the signal input operational amplifier has cut off.
【請求項46】 上記第1のピークホールド回路または
上記第2のピークホールド回路の少なくとも一方におい
て、上記整流素子は、一端子側が上記信号入力用演算増
幅器の出力側に接続され、他端子側に上記ホールドノー
ドが接続され、当該一端子側または他端子側のいずれか
とゲートとが接続された絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタにより構成され、かつ、 上記減衰手段は、リセット時に上記第1のホールドノー
ドをリセット電位に接続する第1のスイッチからなる絶
縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成され、 上記ロード手段は、ロード時に、上記第2のホールドノ
ードを上記第1のピークホールド回路の第1のホールド
ノードに接続する第2のスイッチからなる絶縁ゲート型
電界効果トランジスタにより構成され、 上記整流素子としての絶縁ゲート型電界効果トランジス
タのバルク端子および上記減衰手段またはロード手段の
少なくとも一方の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
バルク端子にアナロググランドからホールド電圧の間の
中間電圧、もしくは、ホールド期間中の信号入力用演算
増幅器の出力が振り切れた電圧よりもアナロググランド
よりの中間電圧を供給するとともに、当該中間電圧を上
記クランプ回路へ上記基準電圧として供給する中間電圧
発生回路とを有する請求項34記載のピーク検出回路。
46. In at least one of the first peak hold circuit and the second peak hold circuit, the rectifier has one terminal connected to the output of the signal input operational amplifier and the other terminal connected to the other terminal. The hold node is connected, the gate is connected to one of the one terminal side or the other terminal side, and the gate is connected. The attenuating means is configured to reset the first hold node at the time of reset. An insulated gate field effect transistor comprising a first switch connected to a reset potential, wherein the load means connects the second hold node to a first hold node of the first peak hold circuit during loading. The insulated gate field effect transistor comprising a second switch to be connected; An intermediate voltage between analog ground and a hold voltage to a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor as an element and a bulk terminal of the insulated gate field effect transistor of at least one of the attenuating means and the loading means, or during a hold period. 35. An intermediate voltage generating circuit according to claim 34, further comprising: an intermediate voltage generating circuit that supplies an intermediate voltage from the analog ground rather than a voltage at which the output of the signal input operational amplifier has run off and supplies the intermediate voltage to the clamp circuit as the reference voltage. Peak detection circuit.
JP12146298A 1998-04-30 1998-04-30 Peak detecting circuit Pending JPH11316248A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12146298A JPH11316248A (en) 1998-04-30 1998-04-30 Peak detecting circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12146298A JPH11316248A (en) 1998-04-30 1998-04-30 Peak detecting circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11316248A true JPH11316248A (en) 1999-11-16

Family

ID=14811743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12146298A Pending JPH11316248A (en) 1998-04-30 1998-04-30 Peak detecting circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11316248A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008107119A (en) * 2006-10-23 2008-05-08 Tdk Corp Current sensor
JP2009175090A (en) * 2008-01-28 2009-08-06 Sony Corp Signal value holding device, signal value holding method, signal value control system, signal value control method, playback apparatus, and playback method
KR101067788B1 (en) 2009-09-15 2011-09-28 주식회사 포스코아이씨티 Pulse peak detecting and holding circuit
JP2012174291A (en) * 2011-02-17 2012-09-10 Toyota Central R&D Labs Inc Hold circuit
CN106932635A (en) * 2017-04-06 2017-07-07 漳州市东方智能仪表有限公司 A kind of on-vehicle battery detector
US11470709B2 (en) * 2019-08-30 2022-10-11 Seiko Epson Corporation Medium transport device, image reading apparatus, and static electricity detection circuit detecting the static electricity of a sheet with an electrode, send the signal supplied from the electrode to a voltage clamp circuit, amplifier circuit and rectifier circuit in order to detect a medium

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008107119A (en) * 2006-10-23 2008-05-08 Tdk Corp Current sensor
JP2009175090A (en) * 2008-01-28 2009-08-06 Sony Corp Signal value holding device, signal value holding method, signal value control system, signal value control method, playback apparatus, and playback method
KR101067788B1 (en) 2009-09-15 2011-09-28 주식회사 포스코아이씨티 Pulse peak detecting and holding circuit
JP2012174291A (en) * 2011-02-17 2012-09-10 Toyota Central R&D Labs Inc Hold circuit
CN106932635A (en) * 2017-04-06 2017-07-07 漳州市东方智能仪表有限公司 A kind of on-vehicle battery detector
US11470709B2 (en) * 2019-08-30 2022-10-11 Seiko Epson Corporation Medium transport device, image reading apparatus, and static electricity detection circuit detecting the static electricity of a sheet with an electrode, send the signal supplied from the electrode to a voltage clamp circuit, amplifier circuit and rectifier circuit in order to detect a medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2749729B2 (en) Magnetic recording / reproducing circuit
JPH0927883A (en) Image read signal processing unit
US6144234A (en) Sample hold circuit and semiconductor device having the same
JPS6012826B2 (en) receiving circuit
US20110002062A1 (en) Analog multiplexer circuits and methods
JPH11316248A (en) Peak detecting circuit
JP2607425B2 (en) Peak detection circuit
JP3103154B2 (en) Sample and hold circuit
US5124576A (en) Track and hold amplifier
JPH0434239B2 (en)
US6272037B1 (en) Ferroelectric memory device and method for generating reference level signal therefor
US6226206B1 (en) Semiconductor memory device including boost circuit
JP2888200B2 (en) Semiconductor device
US4926271A (en) Recording reproducing control circuit for recording apparatus
JP2002185292A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH04219025A (en) Current generator and d/a converter
JP3701037B2 (en) Sample and hold circuit
JPH08242168A (en) Sample-hold circuit and its array device
JP2000151404A (en) D/a conversion circuit
JPH11311644A (en) Peak-holding circuit
US6594097B1 (en) Reproduction amplifier circuit of hard disk drive
JP2005159511A (en) Amplifier circuit
JP2527106B2 (en) Semiconductor memory circuit
JP2000307392A (en) Magnetic disk memory device
KR20230089309A (en) Sample and hold device for preventing leakage current